JPS62131264A - シランカツプリング剤処理装置 - Google Patents
シランカツプリング剤処理装置Info
- Publication number
- JPS62131264A JPS62131264A JP27286185A JP27286185A JPS62131264A JP S62131264 A JPS62131264 A JP S62131264A JP 27286185 A JP27286185 A JP 27286185A JP 27286185 A JP27286185 A JP 27286185A JP S62131264 A JPS62131264 A JP S62131264A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- coupling agent
- silane coupling
- reducing
- substrate
- pressure
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/075—Silicon-containing compounds
- G03F7/0751—Silicon-containing compounds used as adhesion-promoting additives or as means to improve adhesion
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はシランカップリング剤処理装置、特に。
安定なシランカップリング剤処理を可能とするシ細化が
進み、そのためフォトレジストと基板との密着力即ち接
着力を強化する必要が生じている。
進み、そのためフォトレジストと基板との密着力即ち接
着力を強化する必要が生じている。
特にノボラック系のポジ型フォトレジス１４高い解像度
を有することにより広く用いられているが、基板の表面
がガラスあるいは二酸化けい素などの酸化物の場合には
、フォトレジストと基板表面のの接着力強化のために、
前処理としてシランカップリング剤をガラス等の表面に
コーティングすることが知られている。例えば米国特許
３，５４９．３６８（Ｒ，Ｈ，Ｃｏ１１ｉｎｓ ａｎ
ｄ Ｆ、Ｔ、Ｄｅｖｅｒｓｅ”Ｐｒｏｃｅｓｓｆｏｒ
Ｉｍｐｒｏｖｉｎｇ Ｐｈｏｔｏｒｅｓｉｓｔ
Ａｄｈｅｓｉｏｎ’ ）に示されているようにフォト
レジストの塗布前にへ中サメチルジシラザンなどのへキ
サアルキルジシラザンをスピンコードする前処理を行う
ことが知られている。
を有することにより広く用いられているが、基板の表面
がガラスあるいは二酸化けい素などの酸化物の場合には
、フォトレジストと基板表面のの接着力強化のために、
前処理としてシランカップリング剤をガラス等の表面に
コーティングすることが知られている。例えば米国特許
３，５４９．３６８（Ｒ，Ｈ，Ｃｏ１１ｉｎｓ ａｎ
ｄ Ｆ、Ｔ、Ｄｅｖｅｒｓｅ”Ｐｒｏｃｅｓｓｆｏｒ
Ｉｍｐｒｏｖｉｎｇ Ｐｈｏｔｏｒｅｓｉｓｔ
Ａｄｈｅｓｉｏｎ’ ）に示されているようにフォト
レジストの塗布前にへ中サメチルジシラザンなどのへキ
サアルキルジシラザンをスピンコードする前処理を行う
ことが知られている。
このシランカップリング剤による前処理は、親水性であ
る基板表面をカップリングによｐ疎水性に変換し、疎水
性の樹脂例えばフォトレジストとの親和性を高めること
によって接着力を強化するものである。
る基板表面をカップリングによｐ疎水性に変換し、疎水
性の樹脂例えばフォトレジストとの親和性を高めること
によって接着力を強化するものである。
従来のシランカップリング剤処理装置としては、前述し
たようにスピナーを用いたり、あるいはシランカップリ
ング剤中に基板を浸漬するための容器が使用されていた
０あるいはま之、第２図に示すようにシランカップリン
グ剤１０’を入れたビーカー１１を収容した密閉容器２
０の中に基板１２を所定時間静置し、シランカップリン
グ剤蒸気により、基板１２の表面を処理する装置が使用
されてい友。
たようにスピナーを用いたり、あるいはシランカップリ
ング剤中に基板を浸漬するための容器が使用されていた
０あるいはま之、第２図に示すようにシランカップリン
グ剤１０’を入れたビーカー１１を収容した密閉容器２
０の中に基板１２を所定時間静置し、シランカップリン
グ剤蒸気により、基板１２の表面を処理する装置が使用
されてい友。
上述した従来の処理装置の中では、シランカップリング
剤蒸気を用いた処理がシランカップリング剤中のゴミや
不純物の影響がなく、塗布や浸漬による処理よりも有利
である。ところが、この蒸気による処理では密閉容器に
基板を収容する時。
剤蒸気を用いた処理がシランカップリング剤中のゴミや
不純物の影響がなく、塗布や浸漬による処理よりも有利
である。ところが、この蒸気による処理では密閉容器に
基板を収容する時。
あるいは取ジ出す時に密閉容器を開放するため、密閉容
器内のシランカップリング剤蒸気の濃度が低下する。基
板収容時の開放時間あるいは収容前の保持時間によって
シランカップリング剤蒸気の初期＃度が変動するだけで
なく、処理中も濃度が変化するため、シランカップリン
グ剤処理条件の制御が困難であるという欠点があった。
器内のシランカップリング剤蒸気の濃度が低下する。基
板収容時の開放時間あるいは収容前の保持時間によって
シランカップリング剤蒸気の初期＃度が変動するだけで
なく、処理中も濃度が変化するため、シランカップリン
グ剤処理条件の制御が困難であるという欠点があった。
また、シランカップリング剤は空気中の水分と反応し、
劣化する。例えばヘキサメチルジンラザンでは空気中の
水分と反応して、アンモニアを生ｂｚする。
劣化する。例えばヘキサメチルジンラザンでは空気中の
水分と反応して、アンモニアを生ｂｚする。
従って、シランカップリング剤は水分のない雰囲気で保
管や使用することが必要であるが、従来の装置では操作
上空気中でしか処理できないという欠点もあっ之。
管や使用することが必要であるが、従来の装置では操作
上空気中でしか処理できないという欠点もあっ之。
本発明のシランカップリング剤処理装置はシランカップ
リング剤？収容する減圧容器と、基板全収容する減圧容
器と、前記の２つの減圧容器を互に接続する配管と、該
配管に設けられた開閉弁と。
リング剤？収容する減圧容器と、基板全収容する減圧容
器と、前記の２つの減圧容器を互に接続する配管と、該
配管に設けられた開閉弁と。
前記２つの減圧容器を減圧する手段とを含んで構成され
る。
る。
次に、本発明の実施例について、図面を参照して詳細に
説明する。
説明する。
第１図は本発明の一実施例を示す構成図である。
シランカップリング剤１０ｅ入れたビーカー１１を収容
する減圧容器１と、基板１２を収容する減圧容器２があ
り、この２つの減圧容器１．２は途中にパルプ４をもつ
配管３によって互に接続されている。更に減圧容器１お
よび２と減圧ポンプ５とを接続する配管６とパルプ７．
８および減圧容器２を大気圧に戻すｔめのリークバルブ
９が設けられて構成されている。
する減圧容器１と、基板１２を収容する減圧容器２があ
り、この２つの減圧容器１．２は途中にパルプ４をもつ
配管３によって互に接続されている。更に減圧容器１お
よび２と減圧ポンプ５とを接続する配管６とパルプ７．
８および減圧容器２を大気圧に戻すｔめのリークバルブ
９が設けられて構成されている。
ここで、減圧容器や減圧ポンプは超高真空用のものであ
る必要はなく、大気圧に比べて十分小さな圧力になれば
よい。従ってダイヤプラム型ポンプやンーブションポン
プ等が使用できる。これらのオイルフリーポンプは基板
への有機物汚染がない０ 第１図に示し之装置によるシラ／カップリング剤処理は
先ず、減圧容器１全パルプ７全開にして所定圧力まで減
圧する。減圧後バルブ７を閉にし、次に減圧容器２をパ
ルプ８を開にして減圧した後バルブ８を閉じる。次に減
圧容器１，２を接続するパルプ４を開にすると、減圧容
器１からシランカップリング剤蒸気が減圧容器２に流入
し、基板１２の表面が処理される。所定の処理終了後は
パルプ４を閉にし、パルプ８を開にすると減圧容器２か
ら、シランカップリング剤蒸気が排出されて、処理が停
止するため処理の制御が容易にできる０次の基板を処理
するには、リークパルプ９の操作により減圧容器２を大
気圧にし、基板全交換し友後、減圧容器ｌを所定圧力１
で減圧することから処理を開始する。この減圧容器１を
所出圧力まで減圧することにより、容器ＩＰ３のシラン
カップリング剤蒸気濃度を処理開始にあ几って一定にす
ることが可能となり、再現性にすぐれたシラ／カップリ
ング剤処理ができる。
る必要はなく、大気圧に比べて十分小さな圧力になれば
よい。従ってダイヤプラム型ポンプやンーブションポン
プ等が使用できる。これらのオイルフリーポンプは基板
への有機物汚染がない０ 第１図に示し之装置によるシラ／カップリング剤処理は
先ず、減圧容器１全パルプ７全開にして所定圧力まで減
圧する。減圧後バルブ７を閉にし、次に減圧容器２をパ
ルプ８を開にして減圧した後バルブ８を閉じる。次に減
圧容器１，２を接続するパルプ４を開にすると、減圧容
器１からシランカップリング剤蒸気が減圧容器２に流入
し、基板１２の表面が処理される。所定の処理終了後は
パルプ４を閉にし、パルプ８を開にすると減圧容器２か
ら、シランカップリング剤蒸気が排出されて、処理が停
止するため処理の制御が容易にできる０次の基板を処理
するには、リークパルプ９の操作により減圧容器２を大
気圧にし、基板全交換し友後、減圧容器ｌを所定圧力１
で減圧することから処理を開始する。この減圧容器１を
所出圧力まで減圧することにより、容器ＩＰ３のシラン
カップリング剤蒸気濃度を処理開始にあ几って一定にす
ることが可能となり、再現性にすぐれたシラ／カップリ
ング剤処理ができる。
更にシランカップリング剤処理後にリークパルプ９から
、例えば窒素ガス等の乾慄不活性ガスを減圧容器２に導
入することによって、フォトレジスト塗布までシランカ
ップリング剤が処理された基板を清浄に安定に保管する
ことも可能である。
、例えば窒素ガス等の乾慄不活性ガスを減圧容器２に導
入することによって、フォトレジスト塗布までシランカ
ップリング剤が処理された基板を清浄に安定に保管する
ことも可能である。
本発明のシランカップリング剤処理装置に、基板の処理
前に、減圧容器１を所定圧力まで減圧することおよび処
理後に減圧容器２の中のシランカップリング剤蒸気を排
気して、処理を完全に停止させることにより、容易にシ
ランカップリング剤処理を制御することが可能となる。
前に、減圧容器１を所定圧力まで減圧することおよび処
理後に減圧容器２の中のシランカップリング剤蒸気を排
気して、処理を完全に停止させることにより、容易にシ
ランカップリング剤処理を制御することが可能となる。
ま之、シランカップリング剤は減圧状態で保存され、使
用される九め、大気中の水蒸気と反応して劣化すること
も防止できる。
用される九め、大気中の水蒸気と反応して劣化すること
も防止できる。
第１図は本発明の一実施例を示す構成図、第２図は従来
の処理装置の一例金示す構成図である。 １・・・・・・減圧容器、２・・・・・・減圧容器、３
・・・・・・配管、４・・・・・・パルプ、５・・・・
・・減圧ポンプ、６・・・・・・減圧配管、７，８・・
・・・・パルプ、９・・・・・・リークパルプ、１０・
・・・・・シランカップリング剤、１１・・・・・・ビ
ーカー、１２・・・・・・基板、２０・・・・・・密閉
容器０ ７ハで・き。 １、、！ 代理人 弁理士 円 原 晋ぐ、 、ン筋２
図
の処理装置の一例金示す構成図である。 １・・・・・・減圧容器、２・・・・・・減圧容器、３
・・・・・・配管、４・・・・・・パルプ、５・・・・
・・減圧ポンプ、６・・・・・・減圧配管、７，８・・
・・・・パルプ、９・・・・・・リークパルプ、１０・
・・・・・シランカップリング剤、１１・・・・・・ビ
ーカー、１２・・・・・・基板、２０・・・・・・密閉
容器０ ７ハで・き。 １、、！ 代理人 弁理士 円 原 晋ぐ、 、ン筋２
図
Claims (1)
- シランカップリング剤を収容する第１の減圧容器と、基
板を収容する第２の減圧容器と、前記第１と第２の減圧
容器を互に接続する配管と、前記配管に設けられた開閉
弁と、前記第１と第２の減圧容器を減圧する減圧手段と
を含んで構成されることを特徴とするシランカップリン
グ剤処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27286185A JPS62131264A (ja) | 1985-12-03 | 1985-12-03 | シランカツプリング剤処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27286185A JPS62131264A (ja) | 1985-12-03 | 1985-12-03 | シランカツプリング剤処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62131264A true JPS62131264A (ja) | 1987-06-13 |
Family
ID=17519793
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27286185A Pending JPS62131264A (ja) | 1985-12-03 | 1985-12-03 | シランカツプリング剤処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62131264A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6449119A (en) * | 1987-08-20 | 1989-02-23 | Sony Corp | Magnetic recording medium |
| JPH09160255A (ja) * | 1995-12-05 | 1997-06-20 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 密着強化装置 |
| JP2007155913A (ja) * | 2005-12-01 | 2007-06-21 | Omron Corp | 光通信用ガラス部材の接合方法 |
| JP2010024484A (ja) * | 2008-07-17 | 2010-02-04 | Seiko Epson Corp | 表面処理装置および表面処理方法 |
| KR100981820B1 (ko) | 2008-09-08 | 2010-09-13 | 경희대학교 산학협력단 | 트리메틸클로로실란 증기를 이용한 기판 표면 처리 장치 및방법 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5685825A (en) * | 1979-12-17 | 1981-07-13 | Nec Corp | Thin film coating device of semiconductor wafer |
-
1985
- 1985-12-03 JP JP27286185A patent/JPS62131264A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5685825A (en) * | 1979-12-17 | 1981-07-13 | Nec Corp | Thin film coating device of semiconductor wafer |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6449119A (en) * | 1987-08-20 | 1989-02-23 | Sony Corp | Magnetic recording medium |
| JPH09160255A (ja) * | 1995-12-05 | 1997-06-20 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 密着強化装置 |
| JP2007155913A (ja) * | 2005-12-01 | 2007-06-21 | Omron Corp | 光通信用ガラス部材の接合方法 |
| JP2010024484A (ja) * | 2008-07-17 | 2010-02-04 | Seiko Epson Corp | 表面処理装置および表面処理方法 |
| KR100981820B1 (ko) | 2008-09-08 | 2010-09-13 | 경희대학교 산학협력단 | 트리메틸클로로실란 증기를 이용한 기판 표면 처리 장치 및방법 |
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