JP2585771B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- lead frame
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、半導体集積回路用樹脂封止型パッケイジ
の製造方法に関するものである。
の製造方法に関するものである。
従来の半導体装置を図について説明する。第2図は半
導体集積回路チップをリードフレームに搭載したもので
樹脂封止前の状態を示す斜視図である。図において、1
はリードフレーム、2は半導体集積回路チップ、3はこ
の半導体集積回路チップ2を載置するためのダイパッ
ト、4はリードフレーム枠、5は外部リード、6は内部
リード、7はタイバー、8はモールド金型等に位置決め
するための位置決め用ピン穴、9は半導体集積回路チッ
プ2上に設けられた電極2aと内部リード6を接続してい
る金属細線である。
導体集積回路チップをリードフレームに搭載したもので
樹脂封止前の状態を示す斜視図である。図において、1
はリードフレーム、2は半導体集積回路チップ、3はこ
の半導体集積回路チップ2を載置するためのダイパッ
ト、4はリードフレーム枠、5は外部リード、6は内部
リード、7はタイバー、8はモールド金型等に位置決め
するための位置決め用ピン穴、9は半導体集積回路チッ
プ2上に設けられた電極2aと内部リード6を接続してい
る金属細線である。
第3図はモールド金型の下型を示す斜視図であり、10
は前記リードフレームの位置決め用穴8を挿入すること
によって位置決めをするための位置決めピン、11は封止
樹脂が流れるためのランナー、12は封止樹脂がランナー
10からキャビティ13に入る時の粘度等をコントロールす
るためのゲート、13は封止樹脂を注入し所定の形状に成
形するためのキャビティ、14はモールド金型の下型であ
る。
は前記リードフレームの位置決め用穴8を挿入すること
によって位置決めをするための位置決めピン、11は封止
樹脂が流れるためのランナー、12は封止樹脂がランナー
10からキャビティ13に入る時の粘度等をコントロールす
るためのゲート、13は封止樹脂を注入し所定の形状に成
形するためのキャビティ、14はモールド金型の下型であ
る。
第9図は封止樹脂後の半導体集積回路用パッケイジを
示す斜視図であり、15は封止樹脂である。
示す斜視図であり、15は封止樹脂である。
第10図は第9図の状態から最終形状に加工した後の状
態を示す半導体集積回路パッケイジの斜視図である。
態を示す半導体集積回路パッケイジの斜視図である。
第11図は第10図のX−X腺の断面図である。
次に前記半導体集積回路パッケイジの製造工程につい
て説明する。まず第2図に示すように、半導体集積回路
チップ2をリードフレーム1のダイパッド3上に載置固
定した後、金属細線9によりチップ2上に設けられた電
極2aと内部リード6とを結線する。この後に第3図に示
したモールド金型の下型に載置された上型(図示せず)
とクランプした後、ランナー11、ゲート12、キャビティ
13の順に封止樹脂15を注入して樹脂封止する。その結果
第9図に示す半導体集積回路パッケイジができる。
て説明する。まず第2図に示すように、半導体集積回路
チップ2をリードフレーム1のダイパッド3上に載置固
定した後、金属細線9によりチップ2上に設けられた電
極2aと内部リード6とを結線する。この後に第3図に示
したモールド金型の下型に載置された上型(図示せず)
とクランプした後、ランナー11、ゲート12、キャビティ
13の順に封止樹脂15を注入して樹脂封止する。その結果
第9図に示す半導体集積回路パッケイジができる。
さらに、必要な外装処理を施した後に、第10図、第11
図に示す様に加工して完了する。
図に示す様に加工して完了する。
従来の半導体集積回路パッケイジは以上の様に1種類
のリードフレームを樹脂封止することにより構成される
ので、内部に放熱用のヒートシンクを組込むことが極め
て困難で、高消費電力が要求される半導体パッケイジと
しては不適であった。
のリードフレームを樹脂封止することにより構成される
ので、内部に放熱用のヒートシンクを組込むことが極め
て困難で、高消費電力が要求される半導体パッケイジと
しては不適であった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになさ
れたもので、内部に放熱用のヒートシンクを組込むこと
が出来る高消費電力用のパッケイジを得ることを目的と
する。
れたもので、内部に放熱用のヒートシンクを組込むこと
が出来る高消費電力用のパッケイジを得ることを目的と
する。
この発明に係る半導体装置の製造方法は、半導体集積
回路チップを搭載する幅広(W1)の搭載部、電気的導通
を図るリード部、前記搭載部を幅狭(ω1)の吊りリー
ドを介して複数個連結したリードフレーム枠からなるリ
ードフレームと、 前記搭載部と対向する幅広(W2)の放熱フィン、前記リ
ードフレームの吊りリードと対向する幅狭(ω2)の放
熱吊りリードを介して前記放熱フィンを複数個連結した
ヒートシンク用フレーム枠からなるヒートシンク用フレ
ームとを用い、 前記リードフレーム枠と前記ヒートシンク用フレーム枠
とを重ね合わせて樹脂成形を行なうものである。
回路チップを搭載する幅広(W1)の搭載部、電気的導通
を図るリード部、前記搭載部を幅狭(ω1)の吊りリー
ドを介して複数個連結したリードフレーム枠からなるリ
ードフレームと、 前記搭載部と対向する幅広(W2)の放熱フィン、前記リ
ードフレームの吊りリードと対向する幅狭(ω2)の放
熱吊りリードを介して前記放熱フィンを複数個連結した
ヒートシンク用フレーム枠からなるヒートシンク用フレ
ームとを用い、 前記リードフレーム枠と前記ヒートシンク用フレーム枠
とを重ね合わせて樹脂成形を行なうものである。
この発明の半導体装置の製造方法によれば、複数の半
導体集積回路チップの搭載部を有するリードフレーム枠
と複数の放熱フィンを有するヒートシンク用フレーム枠
とを重ね合わせた状態で樹脂封止成形することによっ
て、半導体パッケイジの自由位置に放熱フィンを内包さ
せ、これによって半導体集積回路チップの放熱効果を高
めるものである。
導体集積回路チップの搭載部を有するリードフレーム枠
と複数の放熱フィンを有するヒートシンク用フレーム枠
とを重ね合わせた状態で樹脂封止成形することによっ
て、半導体パッケイジの自由位置に放熱フィンを内包さ
せ、これによって半導体集積回路チップの放熱効果を高
めるものである。
実施例1. (構成) 以下、この発明の一実施例を図について説明する。第
1図は本実施例の半導体装置に用いられるヒートシンク
用のリードフレームを示す斜視図である。図において、
16はヒートシンク用リードフレーム、17は第2図の半導
体集積回路チップ2の熱を逃すための放熱フィン、18は
第2図のリードフレーム枠4に対応するヒートシンク用
フレームの枠部、19はモールド金型に位置決めするため
の位置決めピン用穴、50は放熱フィン17と枠部18を連結
する吊りリードである。第2図は第1図に示したヒート
シンク用のリードフレーム16と重ね合わせて樹脂封止成
形される半導体集積回路チップ2を搭載したリードフレ
ーム1を示す斜視図であり、第3図はモールド金型の下
型を示す斜視図である。図において、1〜14は従来例に
おいて説明したものと同様でありその説明を省略する。
1図は本実施例の半導体装置に用いられるヒートシンク
用のリードフレームを示す斜視図である。図において、
16はヒートシンク用リードフレーム、17は第2図の半導
体集積回路チップ2の熱を逃すための放熱フィン、18は
第2図のリードフレーム枠4に対応するヒートシンク用
フレームの枠部、19はモールド金型に位置決めするため
の位置決めピン用穴、50は放熱フィン17と枠部18を連結
する吊りリードである。第2図は第1図に示したヒート
シンク用のリードフレーム16と重ね合わせて樹脂封止成
形される半導体集積回路チップ2を搭載したリードフレ
ーム1を示す斜視図であり、第3図はモールド金型の下
型を示す斜視図である。図において、1〜14は従来例に
おいて説明したものと同様でありその説明を省略する。
本実施例において、リードフレーム1の枠部4には、
半導体集積回路チップ2を搭載した複数個のダイパッド
3が吊りリード60を介して連結されており、一方、ヒー
トシンク用フレーム16の枠部18には、前記ダイパッド3
に対応した複数個の放熱フィン17が吊りリード50により
連結されている。
半導体集積回路チップ2を搭載した複数個のダイパッド
3が吊りリード60を介して連結されており、一方、ヒー
トシンク用フレーム16の枠部18には、前記ダイパッド3
に対応した複数個の放熱フィン17が吊りリード50により
連結されている。
また、リードフレーム1のダイパッド部3は幅広(W
1)に、吊りリード部60は幅狭(ω1)に形成されてお
り(W1>ω1)、同様に、ヒートシンク用フレーム16の
放熱フィン17は幅広(W2)に、吊りリード60部は幅狭
(ω2)に形成されている(W2>ω2)。
1)に、吊りリード部60は幅狭(ω1)に形成されてお
り(W1>ω1)、同様に、ヒートシンク用フレーム16の
放熱フィン17は幅広(W2)に、吊りリード60部は幅狭
(ω2)に形成されている(W2>ω2)。
(製造方法) 次に、半導体装置の製造工程について説明する。
まず、第2図に示すように、半導体集積回路チップ2
をリードフレーム1のダイパッド3上に載置固定した
後、金属細線9によりチップ2上に設けられた電極2aと
内部リード6を結線する。
をリードフレーム1のダイパッド3上に載置固定した
後、金属細線9によりチップ2上に設けられた電極2aと
内部リード6を結線する。
次に、第3図に示すモールド金型の下型14に設けた位
置決めピン10に、ヒートシンク用フレーム16の位置決め
ピン用穴19と、リードフレーム1の位置決めピン用穴8
をそれぞれ挿入して、ヒートシンク用フレーム16とリー
ドフレーム1とをモールド下型14へ位置決めする。
置決めピン10に、ヒートシンク用フレーム16の位置決め
ピン用穴19と、リードフレーム1の位置決めピン用穴8
をそれぞれ挿入して、ヒートシンク用フレーム16とリー
ドフレーム1とをモールド下型14へ位置決めする。
その後、第4図に示すようにモールド下型14とモール
ド上型とによりリードフレーム枠4とヒートシンク用フ
レーム枠18を挟み込み、この状態でランナー11から、ゲ
ート12、キャビティ13の順に封止樹脂15を注入する。
ド上型とによりリードフレーム枠4とヒートシンク用フ
レーム枠18を挟み込み、この状態でランナー11から、ゲ
ート12、キャビティ13の順に封止樹脂15を注入する。
最後に、外装処理を施し、第5図に示す半導体装置を
得る。なお、第6図は第5図のV−V線断面図を示した
ものである。
得る。なお、第6図は第5図のV−V線断面図を示した
ものである。
(効果) 上記実施例によれば、放熱フィン17を位置決めする際
に特別の治具や手段を必要とすることなく、リードフレ
ーム1とヒートシンク用フレーム16の位置決め用穴8,19
に金型14のピン10を挿入するだけで位置決めが行える。
に特別の治具や手段を必要とすることなく、リードフレ
ーム1とヒートシンク用フレーム16の位置決め用穴8,19
に金型14のピン10を挿入するだけで位置決めが行える。
また、1枚のヒートシンク用フレーム16をリードフレ
ーム1に位置決めするだけで、複数の放熱フィン17を同
時にリードフレーム1の複数のチップ搭載部3に対向し
て位置決めすることができる。
ーム1に位置決めするだけで、複数の放熱フィン17を同
時にリードフレーム1の複数のチップ搭載部3に対向し
て位置決めすることができる。
更に、リードフレーム1のフレーム枠4と対応するよ
うにヒートンシンク用フレーム16のフレーム枠18を設け
ているので、第4図に示すように、金型によりクランプ
して樹脂封止成形する際、上下金型共にクランプ面が平
面形状のものを使用することができ、クランプ側からの
樹脂漏れが生じない。
うにヒートンシンク用フレーム16のフレーム枠18を設け
ているので、第4図に示すように、金型によりクランプ
して樹脂封止成形する際、上下金型共にクランプ面が平
面形状のものを使用することができ、クランプ側からの
樹脂漏れが生じない。
また、チップ2搭載の幅広ダイパッド3に対応して放
熱フィン7を幅広(W2)形状として放熱効果の向上を図
るとともに、幅狭の吊りリード60に対応して放熱吊りリ
ード50を幅狭(ω2)としているので、樹脂封止後にお
ける外装処理時の吊りリード60及び放熱吊りリード50の
切断を容易にして、樹脂のクラックの発生を防止する。
熱フィン7を幅広(W2)形状として放熱効果の向上を図
るとともに、幅狭の吊りリード60に対応して放熱吊りリ
ード50を幅狭(ω2)としているので、樹脂封止後にお
ける外装処理時の吊りリード60及び放熱吊りリード50の
切断を容易にして、樹脂のクラックの発生を防止する。
その他の実施例. さらに、自由な形状、寸法、材質の放熱フィンをパッ
ケイジ内に内包することができ、高消費電力用の半導体
パッケイジ用として広く利用できる。
ケイジ内に内包することができ、高消費電力用の半導体
パッケイジ用として広く利用できる。
即ち、第7図に示すように放熱フィン20の一部を半導
体パッケイジの外部に表出させてもよい。また第8図に
示すように半導体集積回路チップ2側に放熱フィン21を
設置してもよい。さらに、放熱フィンの放熱面積を高め
る形状にし、高熱伝導性の材料を使用すれば効果が高ま
る。
体パッケイジの外部に表出させてもよい。また第8図に
示すように半導体集積回路チップ2側に放熱フィン21を
設置してもよい。さらに、放熱フィンの放熱面積を高め
る形状にし、高熱伝導性の材料を使用すれば効果が高ま
る。
以上のようにこの発明によれば、複数のチップ搭載部
を有するリードフレーム枠と複数の放熱フィンを有する
ヒートシンク用フレーム枠を重ね合わせた状態で樹脂封
止成形するようにしたので、放熱フィンを位置決めする
際に特別の治具や手段を必要とすることなく、簡単に位
置決めすることができる。
を有するリードフレーム枠と複数の放熱フィンを有する
ヒートシンク用フレーム枠を重ね合わせた状態で樹脂封
止成形するようにしたので、放熱フィンを位置決めする
際に特別の治具や手段を必要とすることなく、簡単に位
置決めすることができる。
また、同時に複数の放熱フィンをリードフレームのチ
ップ搭載部に位置決めすることができ、安価で精度の良
い半導体装置を提供することができる。
ップ搭載部に位置決めすることができ、安価で精度の良
い半導体装置を提供することができる。
更に、放熱フィンを半導体パッケイジ内の自由位置に
配設することができ、放熱効果の高い半導体装置を得る
ことが出来る。
配設することができ、放熱効果の高い半導体装置を得る
ことが出来る。
また、リードフレーム枠と対応するようにヒートシン
ク用フレーム枠を設けているので、金型によりクランプ
して樹脂封止成形する際、上下金型共にクランプ面が平
面形状のものを使用することができ、クランプ側からの
樹脂漏れが生じない。
ク用フレーム枠を設けているので、金型によりクランプ
して樹脂封止成形する際、上下金型共にクランプ面が平
面形状のものを使用することができ、クランプ側からの
樹脂漏れが生じない。
また、チップ搭載の幅広ダイパッドに対応して放熱フ
ィンを幅広形状として放熱効果の向上を図るとともに、
幅狭の吊りリードに対応して放熱吊りリードを幅狭とし
ているので、吊りリード及び放熱吊りリードの切断が容
易になり、樹脂のクラックの発生を防止する。
ィンを幅広形状として放熱効果の向上を図るとともに、
幅狭の吊りリードに対応して放熱吊りリードを幅狭とし
ているので、吊りリード及び放熱吊りリードの切断が容
易になり、樹脂のクラックの発生を防止する。
第1図は本発明の一実施例による半導体装置に用いられ
るヒートシンク用リードフレームの斜視図、第2図は半
導体集積回路チップを搭載したリードフレームを示す斜
視図、第3図は樹脂封止成形用の下型を示す斜視図、第
4図は金型によるクランプ状態を示す断面図、第5図は
上記実施例による半導体装置の斜視図、第6図は第5図
V−V線断面図、第7図は本発明の他の実施例を示す半
導体装置の断面図、第8図は他の実施例の半導体装置を
示す断面図、第9図は従来の半導体装置のリードフレー
ム状態を示す斜視図、第10図は従来の半導体装置の斜視
図、第11図は第10図のX−X線断面図である。 図において、1はリードフレーム、2は半導体集積回路
チップ、3はダイパッド、4はリードフレーム枠、5は
外部リード、6は内部リード、7はタイバー、8,19は位
置決めピン用穴、9は金属細線、10は位置決めピン、11
はランナー、12はゲート、13はキャビティ、14はモール
ド金型の下型、16はヒートシンク用リードフレーム、1
7,20,21は放熱フィン、18は枠部、50,60は吊りリード。 なお、図中同一符号は同一又は相当部分を示す。
るヒートシンク用リードフレームの斜視図、第2図は半
導体集積回路チップを搭載したリードフレームを示す斜
視図、第3図は樹脂封止成形用の下型を示す斜視図、第
4図は金型によるクランプ状態を示す断面図、第5図は
上記実施例による半導体装置の斜視図、第6図は第5図
V−V線断面図、第7図は本発明の他の実施例を示す半
導体装置の断面図、第8図は他の実施例の半導体装置を
示す断面図、第9図は従来の半導体装置のリードフレー
ム状態を示す斜視図、第10図は従来の半導体装置の斜視
図、第11図は第10図のX−X線断面図である。 図において、1はリードフレーム、2は半導体集積回路
チップ、3はダイパッド、4はリードフレーム枠、5は
外部リード、6は内部リード、7はタイバー、8,19は位
置決めピン用穴、9は金属細線、10は位置決めピン、11
はランナー、12はゲート、13はキャビティ、14はモール
ド金型の下型、16はヒートシンク用リードフレーム、1
7,20,21は放熱フィン、18は枠部、50,60は吊りリード。 なお、図中同一符号は同一又は相当部分を示す。
Claims (1)
- 【請求項1】半導体集積回路チップを搭載する幅広(W
1)の搭載部、電気的導通を図るリード部、前記搭載部
を幅狭(ω1)の吊りリードを介して複数個連結したリ
ードフレーム枠からなるリードフレームと、 前記搭載部と対向する幅広(W2)の放熱フィン、前記リ
ードフレームの吊りリードと対向する幅狭(ω2)の放
熱吊りリードを介して前記放熱フィンを複数個連結した
ヒートシンク用フレーム枠からなるヒートシンク用フレ
ームとを用い、 前記リードフレーム枠と前記ヒートシンク用フレーム枠
とを重ね合わせて樹脂成形を行なう半導体装置の製造方
法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63318962A JP2585771B2 (ja) | 1988-12-16 | 1988-12-16 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63318962A JP2585771B2 (ja) | 1988-12-16 | 1988-12-16 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02163953A JPH02163953A (ja) | 1990-06-25 |
JP2585771B2 true JP2585771B2 (ja) | 1997-02-26 |
Family
ID=18104938
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63318962A Expired - Fee Related JP2585771B2 (ja) | 1988-12-16 | 1988-12-16 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2585771B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE69131784T2 (de) * | 1990-07-21 | 2000-05-18 | Mitsui Chemicals, Inc. | Halbleiteranordnung mit einer Packung |
JP2539111B2 (ja) * | 1991-02-21 | 1996-10-02 | 三井石油化学工業株式会社 | 耐湿性の改良された半導体装置およびその製造方法 |
JPH05304226A (ja) * | 1991-08-16 | 1993-11-16 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法および製造装置 |
JP2017134022A (ja) * | 2016-01-29 | 2017-08-03 | 旭化成エレクトロニクス株式会社 | 電流センサ及び製造方法 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS4878763U (ja) * | 1971-12-27 | 1973-09-27 | ||
JPS5040549U (ja) * | 1973-08-07 | 1975-04-24 |
-
1988
- 1988-12-16 JP JP63318962A patent/JP2585771B2/ja not_active Expired - Fee Related
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Publication number | Publication date |
---|---|
JPH02163953A (ja) | 1990-06-25 |
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