JP3007525B2 - 不純物ドープ多結晶シリコン薄膜の製造方法 - Google Patents
不純物ドープ多結晶シリコン薄膜の製造方法Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、不純物を含有した非晶
質シリコン薄膜を基板上に形成し、その非晶質シリコン
薄膜を加熱溶融して結晶化することにより不純物ドープ
シリコン薄膜を製造する方法に関するものである。
質シリコン薄膜を基板上に形成し、その非晶質シリコン
薄膜を加熱溶融して結晶化することにより不純物ドープ
シリコン薄膜を製造する方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】不純物がドープされた半導体薄膜を形成
する方法としては、不純物ガスを含有する雰囲気中に半
導体薄膜をさらし熱処理することにより半導体薄膜中に
不純物を拡散させる方法や、薄膜形成のための原料ガス
中に不純物ガスを混合し、不純物を含有した状態で半導
体薄膜をＣＶＤ法等により形成する方法などがある。
する方法としては、不純物ガスを含有する雰囲気中に半
導体薄膜をさらし熱処理することにより半導体薄膜中に
不純物を拡散させる方法や、薄膜形成のための原料ガス
中に不純物ガスを混合し、不純物を含有した状態で半導
体薄膜をＣＶＤ法等により形成する方法などがある。
【０００３】また、不純物をドープした多結晶シリコン
薄膜を製造する方法としては、上記の方法以外に、不純
物を含有した非晶質シリコン薄膜を基板上に形成した
後、これを熱処理することにより結晶化して多結晶シリ
コン薄膜とする方法がある。この方法は、一般に固相成
長法と言われており、非晶質シリコン薄膜を溶融させず
に固相で結晶成長させる方法である。
薄膜を製造する方法としては、上記の方法以外に、不純
物を含有した非晶質シリコン薄膜を基板上に形成した
後、これを熱処理することにより結晶化して多結晶シリ
コン薄膜とする方法がある。この方法は、一般に固相成
長法と言われており、非晶質シリコン薄膜を溶融させず
に固相で結晶成長させる方法である。
【０００４】一方、半導体薄膜を一旦加熱溶融し結晶化
させる方法が知られている。このような溶融による結晶
化の方法としては、膜厚０．１μｍ以下の非晶質シリコ
ン薄膜を、エキシマレーザ等のナノ秒オーダの短パルス
レーザを用い、マイクロ秒オーダの短時間の溶融により
結晶化させ、結晶性の高い多結晶シリコン薄膜を得る方
法が知られている。
させる方法が知られている。このような溶融による結晶
化の方法としては、膜厚０．１μｍ以下の非晶質シリコ
ン薄膜を、エキシマレーザ等のナノ秒オーダの短パルス
レーザを用い、マイクロ秒オーダの短時間の溶融により
結晶化させ、結晶性の高い多結晶シリコン薄膜を得る方
法が知られている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、膜厚
０．１μｍ以上の非晶質シリコン薄膜を溶融し結晶化す
る技術については、十分に検討されておらず、特に薄膜
中における不純物濃度の分布に関しては十分な知見が得
られていなかった。本発明者らは、このような膜厚０．
１μｍ以上の非晶質シリコン薄膜を溶融し結晶化する方
法について、重力下における場合と無重力下における場
合とで比較検討を行った結果、重力下で加熱溶融し結晶
化させた場合、薄膜の表面近傍及び基板との界面近傍に
おいて不純物濃度が著しく低下することを見い出した。
０．１μｍ以上の非晶質シリコン薄膜を溶融し結晶化す
る技術については、十分に検討されておらず、特に薄膜
中における不純物濃度の分布に関しては十分な知見が得
られていなかった。本発明者らは、このような膜厚０．
１μｍ以上の非晶質シリコン薄膜を溶融し結晶化する方
法について、重力下における場合と無重力下における場
合とで比較検討を行った結果、重力下で加熱溶融し結晶
化させた場合、薄膜の表面近傍及び基板との界面近傍に
おいて不純物濃度が著しく低下することを見い出した。
【０００６】本発明は、このような知見に基づくもので
あり、重力下においても、無重力下におけるのと同様
の、薄膜の厚さ方向において不純物濃度が均一な不純物
ドープシリコン薄膜を製造することができる方法を提供
することを目的としている。
あり、重力下においても、無重力下におけるのと同様
の、薄膜の厚さ方向において不純物濃度が均一な不純物
ドープシリコン薄膜を製造することができる方法を提供
することを目的としている。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の製造方法は、不
純物を含有した非晶質シリコン薄膜を基板上に形成する
工程と、非晶質シリコン薄膜を加熱溶融して結晶化する
工程とを備える不純物ドープ多結晶シリコン薄膜の製造
方法であり、非晶質シリコン薄膜における基板側界面近
傍及び膜表面近傍での不純物濃度を膜中央部での不純物
濃度よりも相対的に高く設定しておき、この非晶質シリ
コン薄膜を加熱溶融して結晶化することにより、厚み方
向での不純物濃度がほぼ均一な不純物ドープ多結晶シリ
コン薄膜を形成することを特徴としている。
純物を含有した非晶質シリコン薄膜を基板上に形成する
工程と、非晶質シリコン薄膜を加熱溶融して結晶化する
工程とを備える不純物ドープ多結晶シリコン薄膜の製造
方法であり、非晶質シリコン薄膜における基板側界面近
傍及び膜表面近傍での不純物濃度を膜中央部での不純物
濃度よりも相対的に高く設定しておき、この非晶質シリ
コン薄膜を加熱溶融して結晶化することにより、厚み方
向での不純物濃度がほぼ均一な不純物ドープ多結晶シリ
コン薄膜を形成することを特徴としている。
【０００８】本発明の製造方法に従い、薄膜の厚さ方向
において不純物濃度が均一なシリコン薄膜を得ようとす
る場合には、基板側界面近傍及び膜表面近傍での不純物
濃度を、膜中央部での不純物濃度の１．５〜２．５倍、
好ましくは２倍程度とした非晶質シリコン薄膜を形成
し、この非晶質シリコン薄膜を加熱溶融して結晶化する
ことが好ましい。
において不純物濃度が均一なシリコン薄膜を得ようとす
る場合には、基板側界面近傍及び膜表面近傍での不純物
濃度を、膜中央部での不純物濃度の１．５〜２．５倍、
好ましくは２倍程度とした非晶質シリコン薄膜を形成
し、この非晶質シリコン薄膜を加熱溶融して結晶化する
ことが好ましい。
【０００９】本発明の製造方法によって製造されるシリ
コン薄膜の膜厚は特に限定されるものではないが、膜厚
０．１μｍ以上の薄膜では、エキシマレーザ等を用いて
の短時間での全膜厚領域の溶融結晶化が困難であり、こ
の点から、本発明は膜厚０．１μｍ以上のシリコン薄膜
を形成するのに特に有用である。
コン薄膜の膜厚は特に限定されるものではないが、膜厚
０．１μｍ以上の薄膜では、エキシマレーザ等を用いて
の短時間での全膜厚領域の溶融結晶化が困難であり、こ
の点から、本発明は膜厚０．１μｍ以上のシリコン薄膜
を形成するのに特に有用である。
【００１０】
【作用】本発明の製造方法では、加熱溶融による結晶化
に伴い基板側界面近傍及び膜表面近傍での不純物濃度が
膜中央部での不純物濃度よりも相対的に低下することに
より前記結晶化シリコン薄膜の厚み方向の不純物濃度分
布が不均一化するのを抑制すべく、非晶質薄膜における
基板側界面近傍及び膜表面近傍での不純物濃度を膜中央
部での不純物濃度よりも相対的に高く設定している。従
って、このような不純物濃度分布を有する非晶質シリコ
ン薄膜を加熱溶融して結晶化することにより得られる結
晶化シリコン薄膜においては、膜中央部での不純物濃度
と、基板側界面近傍及び膜表面近傍での不純物濃度をほ
ぼ同程度にすることができ、薄膜の厚み方向において不
純物濃度を均一にすることが可能となる。
に伴い基板側界面近傍及び膜表面近傍での不純物濃度が
膜中央部での不純物濃度よりも相対的に低下することに
より前記結晶化シリコン薄膜の厚み方向の不純物濃度分
布が不均一化するのを抑制すべく、非晶質薄膜における
基板側界面近傍及び膜表面近傍での不純物濃度を膜中央
部での不純物濃度よりも相対的に高く設定している。従
って、このような不純物濃度分布を有する非晶質シリコ
ン薄膜を加熱溶融して結晶化することにより得られる結
晶化シリコン薄膜においては、膜中央部での不純物濃度
と、基板側界面近傍及び膜表面近傍での不純物濃度をほ
ぼ同程度にすることができ、薄膜の厚み方向において不
純物濃度を均一にすることが可能となる。
【００１１】
【実施例】図２は、本発明の製造方法に従う一実施例に
おける非晶質シリコン薄膜を示す断面図である。図２を
参照して、石英、セラミックス等の絶縁性材料、または
単結晶シリコンウエハ等の半導体材料からなる基板１上
に、プラズマＣＶＤ法を用いて非晶質シリコン薄膜２を
形成する。非晶質シリコン薄膜２は、不純物濃度の低い
膜中央部２ｂと、不純物濃度の高い基板側界面近傍部２
ａ及び膜表面近傍部２ｃから構成する。図２においては
３つの層に分割して図示しているが、実際には、図５を
参照して後述するように、なだらかな濃度分布である。
おける非晶質シリコン薄膜を示す断面図である。図２を
参照して、石英、セラミックス等の絶縁性材料、または
単結晶シリコンウエハ等の半導体材料からなる基板１上
に、プラズマＣＶＤ法を用いて非晶質シリコン薄膜２を
形成する。非晶質シリコン薄膜２は、不純物濃度の低い
膜中央部２ｂと、不純物濃度の高い基板側界面近傍部２
ａ及び膜表面近傍部２ｃから構成する。図２においては
３つの層に分割して図示しているが、実際には、図５を
参照して後述するように、なだらかな濃度分布である。
【００１２】このような不純物濃度分布の変化は、基板
温度、ＲＦパワー、反応圧力及びシラン（ＳｉＨ4 ）流
量を一定条件にし、供給する原料ガス中のドーパント／
シランの流量比を変化させることにより実現することが
できる。図４は、薄膜形成の反応開始から反応終了まで
のドーパント／シランのガス流量比を示す図である。反
応開始（ｔ＝０）におけるドーパント／シランのガス流
量比をＸ1 とし、膜中央部を形成する際のドーパント／
シランのガス流量比をＸ0 とすると、Ｘ1 はＸ 0 の約
１．５倍〜２．５倍が好ましく、さらに好ましく２倍程
度である。図２に示す基板側界面近傍部２ａの部分を形
成する際には、ドーパント／シランのガス流量比を、Ｘ
1 からＸ0 まで徐々に減少させていく。膜中央部２ｂを
形成する際には、ドーパント／シランのガス流量比をＸ
0 と一定にする。膜表面近傍部２ｃを形成する際には、
ドーパント／シランのガス流量比をＸ0 からＸ2 まで徐
々に増加させる。Ｘ2 は、好ましくは、Ｘ0 の約１．５
〜２．５倍であり、さらに好ましくは２倍程度である。
温度、ＲＦパワー、反応圧力及びシラン（ＳｉＨ4 ）流
量を一定条件にし、供給する原料ガス中のドーパント／
シランの流量比を変化させることにより実現することが
できる。図４は、薄膜形成の反応開始から反応終了まで
のドーパント／シランのガス流量比を示す図である。反
応開始（ｔ＝０）におけるドーパント／シランのガス流
量比をＸ1 とし、膜中央部を形成する際のドーパント／
シランのガス流量比をＸ0 とすると、Ｘ1 はＸ 0 の約
１．５倍〜２．５倍が好ましく、さらに好ましく２倍程
度である。図２に示す基板側界面近傍部２ａの部分を形
成する際には、ドーパント／シランのガス流量比を、Ｘ
1 からＸ0 まで徐々に減少させていく。膜中央部２ｂを
形成する際には、ドーパント／シランのガス流量比をＸ
0 と一定にする。膜表面近傍部２ｃを形成する際には、
ドーパント／シランのガス流量比をＸ0 からＸ2 まで徐
々に増加させる。Ｘ2 は、好ましくは、Ｘ0 の約１．５
〜２．５倍であり、さらに好ましくは２倍程度である。
【００１３】基板側界面近傍部２ａを形成する反応時間
ｔ1 は、全反応時間をＴとすると、１／５Ｔ〜１／２Ｔ
程度が好ましくは、さらに好ましくは約１／３Ｔであ
る。また膜中央部２ｂの形成が終了する反応時間ｔ
2 は、全反応時間Ｔとすると、１／２Ｔ〜４／５Ｔ程度
が好ましく、さらに好ましくは２／３Ｔである。
ｔ1 は、全反応時間をＴとすると、１／５Ｔ〜１／２Ｔ
程度が好ましくは、さらに好ましくは約１／３Ｔであ
る。また膜中央部２ｂの形成が終了する反応時間ｔ
2 は、全反応時間Ｔとすると、１／２Ｔ〜４／５Ｔ程度
が好ましく、さらに好ましくは２／３Ｔである。
【００１４】以下、本発明の具体的な実施例について説
明する。 〈１００〉単結晶シリコンウエハ上に、プラズマＣＶＤ
法により、膜厚１μｍのＰ（燐）ドープ非晶質シリコン
薄膜を形成した。薄膜形成条件は以下の条件とし、薄膜
形成の間一定にした。
明する。 〈１００〉単結晶シリコンウエハ上に、プラズマＣＶＤ
法により、膜厚１μｍのＰ（燐）ドープ非晶質シリコン
薄膜を形成した。薄膜形成条件は以下の条件とし、薄膜
形成の間一定にした。
【００１５】反応温度：５５０℃ ＲＦパワー：８０Ｗ 反応圧力：０．５Ｔｏｒｒ シランガス流量：４０ＳＣＣＭ ドーパントガスとしてはホスフィン（ＰＨ3 ）を用い、
ホスフィン／シランのガス流量比を、図４に示すＸ0 、
Ｘ1 及びＸ2 で、 Ｘ0 ＝２．５×１０-4 Ｘ1 ＝Ｘ2 ＝２Ｘ0 ＝５×１０-4 の関係となるように調整した。
ホスフィン／シランのガス流量比を、図４に示すＸ0 、
Ｘ1 及びＸ2 で、 Ｘ0 ＝２．５×１０-4 Ｘ1 ＝Ｘ2 ＝２Ｘ0 ＝５×１０-4 の関係となるように調整した。
【００１６】また、全反応時間Ｔを４８０秒とし、図４
に示す時間ｔ1 及びｔ2 をそれぞれ反応開始より約１６
０秒及び３２０秒とした。その結果、図５に示すような
不純物濃度分布を有する非晶質シリコン薄膜が得られ
た。図５において、ＣMID ＝１．５×１０19ｃｍ-3、Ｃ
SUR ＝ＣSUB ＝３×１０19ｃｍ-3である。
に示す時間ｔ1 及びｔ2 をそれぞれ反応開始より約１６
０秒及び３２０秒とした。その結果、図５に示すような
不純物濃度分布を有する非晶質シリコン薄膜が得られ
た。図５において、ＣMID ＝１．５×１０19ｃｍ-3、Ｃ
SUR ＝ＣSUB ＝３×１０19ｃｍ-3である。
【００１７】また、比較として、図４に比較例として示
すような、ドーパント／シランのガス流量比を反応開始
から反応終了までＸ0 ＝２．５×１０-4と一定にした非
晶質シリコン薄膜を作製した。その他の薄膜形成条件は
上記実施例と同じにした。得られた比較例の非晶質シリ
コン薄膜は、図５に点線で示すような不純物濃度分布を
有しており、膜表面から基板側界面までＣ0 ＝１．５×
１０19ｃｍ-3と一定であった。図３は、このような比較
例の非晶質シリコン薄膜の構造を示しており、図２に示
す基板１と同様の基板１１の上に不純物濃度分布が厚さ
方向に一定である非晶質シリコン薄膜１２が形成されて
いる。
すような、ドーパント／シランのガス流量比を反応開始
から反応終了までＸ0 ＝２．５×１０-4と一定にした非
晶質シリコン薄膜を作製した。その他の薄膜形成条件は
上記実施例と同じにした。得られた比較例の非晶質シリ
コン薄膜は、図５に点線で示すような不純物濃度分布を
有しており、膜表面から基板側界面までＣ0 ＝１．５×
１０19ｃｍ-3と一定であった。図３は、このような比較
例の非晶質シリコン薄膜の構造を示しており、図２に示
す基板１と同様の基板１１の上に不純物濃度分布が厚さ
方向に一定である非晶質シリコン薄膜１２が形成されて
いる。
【００１８】以上のようにして得られた実施例及び比較
例の非晶質シリコン薄膜を、加熱溶融して結晶化させ
た。加熱は、２ｋＷの赤外線ランプ光を集光するイメー
ジ炉を用いて、３０秒間で最高１２００〜１３００℃ま
で高速加熱し、１２００℃以上を６秒間保持して溶融し
結晶化させた。なお、実施例及び比較例の非晶質シリコ
ン薄膜の融点は、約１１９０℃であることを別の実験で
確認している。このような加熱溶融の結果、図１に示す
ような濃度分布を有する多結晶シリコン薄膜が得られ
た。
例の非晶質シリコン薄膜を、加熱溶融して結晶化させ
た。加熱は、２ｋＷの赤外線ランプ光を集光するイメー
ジ炉を用いて、３０秒間で最高１２００〜１３００℃ま
で高速加熱し、１２００℃以上を６秒間保持して溶融し
結晶化させた。なお、実施例及び比較例の非晶質シリコ
ン薄膜の融点は、約１１９０℃であることを別の実験で
確認している。このような加熱溶融の結果、図１に示す
ような濃度分布を有する多結晶シリコン薄膜が得られ
た。
【００１９】図１に示されるように、比較例の多結晶シ
リコン薄膜では、膜表面及び基板側界面において不純物
濃度が低くなっているのに対し、本発明に従う実施例の
多結晶シリコン薄膜は、厚み方向において不純物である
燐濃度が９×１０18ｃｍ-3であり、ほぼ均一であること
がわかる。
リコン薄膜では、膜表面及び基板側界面において不純物
濃度が低くなっているのに対し、本発明に従う実施例の
多結晶シリコン薄膜は、厚み方向において不純物である
燐濃度が９×１０18ｃｍ-3であり、ほぼ均一であること
がわかる。
【００２０】また、実施例の多結晶シリコン薄膜の表面
抵抗を４端針法により測定したところ、比較例では１３
０Ω／□程度であるのに対し、実施例の多結晶シリコン
薄膜では７５Ω／□程度であり、低い表面抵抗を示し
た。
抵抗を４端針法により測定したところ、比較例では１３
０Ω／□程度であるのに対し、実施例の多結晶シリコン
薄膜では７５Ω／□程度であり、低い表面抵抗を示し
た。
【００２１】上記実施例では不純物として燐を用いてい
るが、砒素及びアンチモンなどのその他のｎ型ドーパン
ト、ホウ素、ガリウム、アルミニウムなどのｐ型ドーパ
ントをドープする場合にも、本発明を適用することがで
きる。
るが、砒素及びアンチモンなどのその他のｎ型ドーパン
ト、ホウ素、ガリウム、アルミニウムなどのｐ型ドーパ
ントをドープする場合にも、本発明を適用することがで
きる。
【００２２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に従えば、
非晶質シリコン薄膜における基板側界面近傍及び膜表面
近傍での不純物濃度を膜中央部での不純物濃度よりも相
対的に高く設定しておくことにより、無重力下で加熱溶
融して得ることができる結晶化シリコン薄膜と同様の、
薄膜全体に不純物濃度が均一である結晶化シリコン薄膜
を得ることができる。
非晶質シリコン薄膜における基板側界面近傍及び膜表面
近傍での不純物濃度を膜中央部での不純物濃度よりも相
対的に高く設定しておくことにより、無重力下で加熱溶
融して得ることができる結晶化シリコン薄膜と同様の、
薄膜全体に不純物濃度が均一である結晶化シリコン薄膜
を得ることができる。
【００２３】また、本発明で得られる結晶化シリコン薄
膜は、加熱溶融して結晶化させるものであるため、いわ
ゆる固相成長法により得られる結晶化シリコン薄膜より
も結晶性に優れたものとすることができる。
膜は、加熱溶融して結晶化させるものであるため、いわ
ゆる固相成長法により得られる結晶化シリコン薄膜より
も結晶性に優れたものとすることができる。
【図１】本発明に従う一実施例において得られた多結晶
シリコン薄膜の厚み方向の不純物濃度分布を示す図。
シリコン薄膜の厚み方向の不純物濃度分布を示す図。
【図２】本発明に従う一実施例における非晶質シリコン
薄膜を模式的に示す断面図。
薄膜を模式的に示す断面図。
【図３】比較例の非晶質シリコン薄膜を模式的に示す断
面図。
面図。
【図４】本発明に従う一実施例におけるドーパント／シ
ランのガス流量比の変化を示す図。
ランのガス流量比の変化を示す図。
【図５】図４に示すドーパント／シランのガス流量比の
変化により得られた非晶質シリコン薄膜の厚み方向にお
けるドーパント濃度分布を示す図。
変化により得られた非晶質シリコン薄膜の厚み方向にお
けるドーパント濃度分布を示す図。
１…基板 ２…非晶質シリコン薄膜 ２ａ…基板側界面近傍部 ２ｂ…膜中央部 ２ｃ…膜表面部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 脇坂 健一郎 大阪府守口市京阪本通２丁目５番５号 三洋電機株式会社内 (56)参考文献 特開 昭60−29754（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/205 H01L 21/31
Claims (2)
- 【請求項１】 不純物を含有した非晶質シリコン薄膜を
基板上に形成する工程と、前記非晶質シリコン薄膜を加
熱溶融して結晶化する工程とを備える不純物ドープ多結
晶シリコン薄膜の製造方法において、前 記非晶質シリコン薄膜における基板側界面近傍及び膜
表面近傍での不純物濃度を膜中央部での不純物濃度より
も相対的に高く設定しておき、この非晶質シリコン薄膜
を加熱溶融して結晶化することにより、厚み方向での不
純物濃度がほぼ均一な不純物ドープ多結晶シリコン薄膜
を形成することを特徴とする不純物ドープ多結晶シリコ
ン薄膜の製造方法。 - 【請求項２】 前記非晶質シリコン薄膜における基板側
界面近傍及び膜表面近傍での不純物濃度を、膜中央部で
の不純物濃度の１．５〜２．５倍としたことを特徴とす
る請求項１に記載の不純物ドープ多結晶シリコン薄膜の
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6059494A JP3007525B2 (ja) | 1994-03-29 | 1994-03-29 | 不純物ドープ多結晶シリコン薄膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6059494A JP3007525B2 (ja) | 1994-03-29 | 1994-03-29 | 不純物ドープ多結晶シリコン薄膜の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07273040A JPH07273040A (ja) | 1995-10-20 |
| JP3007525B2 true JP3007525B2 (ja) | 2000-02-07 |
Family
ID=13114904
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6059494A Expired - Fee Related JP3007525B2 (ja) | 1994-03-29 | 1994-03-29 | 不純物ドープ多結晶シリコン薄膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3007525B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102063542B1 (ko) * | 2012-05-11 | 2020-01-09 | 필립스-메디사이즈 에이/에스 | 분배 장치 |
-
1994
- 1994-03-29 JP JP6059494A patent/JP3007525B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102063542B1 (ko) * | 2012-05-11 | 2020-01-09 | 필립스-메디사이즈 에이/에스 | 분배 장치 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07273040A (ja) | 1995-10-20 |
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