JPH01287822A - 磁気記録媒体の製造装置 - Google Patents
磁気記録媒体の製造装置Info
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- JPH01287822A JPH01287822A JP11729088A JP11729088A JPH01287822A JP H01287822 A JPH01287822 A JP H01287822A JP 11729088 A JP11729088 A JP 11729088A JP 11729088 A JP11729088 A JP 11729088A JP H01287822 A JPH01287822 A JP H01287822A
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- vapor deposition
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- perpendicularly magnetized
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- Pending
Links
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Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は高密度記録再生特性の優れた磁気記録媒体の製
造装置に関する。
造装置に関する。
従来の技術
短波長、狭トラツク記録特性の優れた磁気記録方式とし
て垂直磁気記録方式が知られている〔特公昭58−91
号公報〕。これは磁気記録媒体の膜面に垂直反平行磁界
としての残留磁化を利用するもので、ある条件を満足す
るGo−Or薄膜等のいわゆる垂直磁気記録層をもった
磁気記録媒体を必要とする〔日本金属学会会報、第24
巻、第8号、646〜652頁(1985))。現状で
は、電磁変換特性の面でスパッタリング法で得られるG
o−Or膜、Go−Or−Nb膜等〔特開昭61−77
128号公報、特公昭62−56576号公報〕が優れ
ているものの、成膜速度が生産を前提とする水準にはな
く、研究解明目的の域を出ていないことから電子ビーム
蒸着法、イオンブレーティング法等の高速成膜の特性面
改善が待望されている〔外国論文誌アイイーイーイー
トランザクシジンズ オン マグネティクス: (I
EIETRANSACTIONS ON MAGN
ETIC3)vol。
て垂直磁気記録方式が知られている〔特公昭58−91
号公報〕。これは磁気記録媒体の膜面に垂直反平行磁界
としての残留磁化を利用するもので、ある条件を満足す
るGo−Or薄膜等のいわゆる垂直磁気記録層をもった
磁気記録媒体を必要とする〔日本金属学会会報、第24
巻、第8号、646〜652頁(1985))。現状で
は、電磁変換特性の面でスパッタリング法で得られるG
o−Or膜、Go−Or−Nb膜等〔特開昭61−77
128号公報、特公昭62−56576号公報〕が優れ
ているものの、成膜速度が生産を前提とする水準にはな
く、研究解明目的の域を出ていないことから電子ビーム
蒸着法、イオンブレーティング法等の高速成膜の特性面
改善が待望されている〔外国論文誌アイイーイーイー
トランザクシジンズ オン マグネティクス: (I
EIETRANSACTIONS ON MAGN
ETIC3)vol。
MAG−23、黒−5、P、P、2449〜2464(
1987)、特開昭62−275322号公報〕。
1987)、特開昭62−275322号公報〕。
発明が解決しようとする課題
しかしながら電子ビーム蒸着法で比較的良好な電磁変換
特性を得るには、高分子フィルムとして □耐熱性の
高いポリアミドやポリイミド等のフィルムを用い、十分
なガス出し処理をして、かつ蒸着時に200°C近い高
温にフィルムを保持するといった条件を必要とすること
から、長手に均一な性能を、とシわけ雑音レベルを管理
し、良好で均一なG/Nを得るのがむずかしいといった
課題があった。
特性を得るには、高分子フィルムとして □耐熱性の
高いポリアミドやポリイミド等のフィルムを用い、十分
なガス出し処理をして、かつ蒸着時に200°C近い高
温にフィルムを保持するといった条件を必要とすること
から、長手に均一な性能を、とシわけ雑音レベルを管理
し、良好で均一なG/Nを得るのがむずかしいといった
課題があった。
本発明は上記した事情に鑑みなされたもので、C/Nの
良好な垂直磁気記録媒体を高速で大面積に渡り製造でき
る装置を提供するものである。
良好な垂直磁気記録媒体を高速で大面積に渡り製造でき
る装置を提供するものである。
課題を解決するだめの手段
上記した課題を解決するため、本発明の磁気記録媒体の
製造装置は、2000(入/5ec)以上の高速電子ビ
ーム蒸着によシ垂直磁化膜を形成する装置であって、蒸
着材料の収納容器がZrO2又は5in2 よ構成る
ようにしたものである。
製造装置は、2000(入/5ec)以上の高速電子ビ
ーム蒸着によシ垂直磁化膜を形成する装置であって、蒸
着材料の収納容器がZrO2又は5in2 よ構成る
ようにしたものである。
作用
本発明の磁気記録媒体の製造装置は、上記した構成によ
り、Go系合金の垂直磁化膜中に収納容器材よシの汚染
があってもZr、Siは特に垂直磁化膜の特性を低下さ
せないので、大面積に渡って均一な性能、と9わけ均一
なC/Hの垂直磁気記録用の磁気記録媒体が得られるよ
うになる。
り、Go系合金の垂直磁化膜中に収納容器材よシの汚染
があってもZr、Siは特に垂直磁化膜の特性を低下さ
せないので、大面積に渡って均一な性能、と9わけ均一
なC/Hの垂直磁気記録用の磁気記録媒体が得られるよ
うになる。
実施例
以下、図面を参照しながら本発明の磁気記録媒体の製造
装置の一実施例について説明する。
装置の一実施例について説明する。
図は、本発明の一実施例の製造装置により磁気記録媒体
を製造するのに用いた蒸着装置の要部構成図である。
を製造するのに用いた蒸着装置の要部構成図である。
図で1はポリエチレンテレフグレート、ポリエーテルエ
ーテルケトン、ポリフェニレンサルファイド、ポリイミ
ド等の高分子フィルムで、2は回転支持体で、3は巻出
し軸、4は巻取υ軸、5は蒸着材料で、Go−Cr 、
Go−Mo 、 Go−Ti 、 Go −Ta、C
o−0r−Nb等が用いられる。6は収納容器で、Zr
O2,5in2又はそれらの材料をライニングした水冷
銅容器が好ましい。7はマスクで入射角を垂直入射に近
い範囲に限定するためのもので、8は真空容器、9は真
空排気系である。蒸着材料の加熱は、加速した電子ビー
ムで行うのが好ましく、蒸着速度は2000(八/5e
a)以上の高速条件で行うことが好ましい。この速度は
高分子フィルムを用いて巻取りながら蒸着する際の真空
度は、5×10〜1×10 (Torr)程度が現実的
であることから、残留ガスの影響を無視できるようにす
る条件である。一方、入射角を制限することで性能向上
を図る時にも必要な生産性確保のだめにも必要な条件で
もある。
ーテルケトン、ポリフェニレンサルファイド、ポリイミ
ド等の高分子フィルムで、2は回転支持体で、3は巻出
し軸、4は巻取υ軸、5は蒸着材料で、Go−Cr 、
Go−Mo 、 Go−Ti 、 Go −Ta、C
o−0r−Nb等が用いられる。6は収納容器で、Zr
O2,5in2又はそれらの材料をライニングした水冷
銅容器が好ましい。7はマスクで入射角を垂直入射に近
い範囲に限定するためのもので、8は真空容器、9は真
空排気系である。蒸着材料の加熱は、加速した電子ビー
ムで行うのが好ましく、蒸着速度は2000(八/5e
a)以上の高速条件で行うことが好ましい。この速度は
高分子フィルムを用いて巻取りながら蒸着する際の真空
度は、5×10〜1×10 (Torr)程度が現実的
であることから、残留ガスの影響を無視できるようにす
る条件である。一方、入射角を制限することで性能向上
を図る時にも必要な生産性確保のだめにも必要な条件で
もある。
以下、更に具体的に、本発明について比較例との対比で
説明する。厚み12μmのポリアミドフィルムを250
°Cの円筒キャンに沿わせて2m/m工nで巻き取りな
がら、脱ガス処理した後、キャン温度を180’Cに調
整してCo−0rを収納容器をZrO□、5i02 f
構成した中に入れ、30KV 。
説明する。厚み12μmのポリアミドフィルムを250
°Cの円筒キャンに沿わせて2m/m工nで巻き取りな
がら、脱ガス処理した後、キャン温度を180’Cに調
整してCo−0rを収納容器をZrO□、5i02 f
構成した中に入れ、30KV 。
75 KWの電子ビームで加熱し、入射角10度以内で
、7X10 ’(Torr) 2600 (八/5ec
)、で垂直磁化膜を0.2μm形成した。ZrO2と5
in2の容器を用い、幅2oa長さ600mの面積に夫
夫Go−Or膜を形成し、その上にパーフルオロステア
リン酸を真空蒸着法で約40人配し、8ミリ幅の磁気テ
ープを試作した。一方比較例は、MgO容器とした以外
は実施例と同じ条件でテープを試作した。夫々のテープ
を12巻ずつ任意に抽出し、8ミリヒデオを改造しギャ
ップ長0.2μmのセンダ7ト6.ドで、ビット長0.
267zm 、 l−ラックピッチ5μmのディジタ
ル記録を行い、帯域12(MHz) のC/Nを評価
した。
、7X10 ’(Torr) 2600 (八/5ec
)、で垂直磁化膜を0.2μm形成した。ZrO2と5
in2の容器を用い、幅2oa長さ600mの面積に夫
夫Go−Or膜を形成し、その上にパーフルオロステア
リン酸を真空蒸着法で約40人配し、8ミリ幅の磁気テ
ープを試作した。一方比較例は、MgO容器とした以外
は実施例と同じ条件でテープを試作した。夫々のテープ
を12巻ずつ任意に抽出し、8ミリヒデオを改造しギャ
ップ長0.2μmのセンダ7ト6.ドで、ビット長0.
267zm 、 l−ラックピッチ5μmのディジタ
ル記録を行い、帯域12(MHz) のC/Nを評価
した。
ZrO2容2gとSiO2容器を用いて製造したテープ
のC/Nは、その中の1つのテープを基準〔○(dB)
)とおいた時、平均値がo、1s (dB)で最大値
は0.5 (dB) 、最小値は−0,1(dB)で
あったのに対し、比較例は平均値が−1,1(dB)で
最大値が0.3 (dB) 、最小値が−2,9(d
B)とバラツキが大きかった。この原因は、膜中にMg
が混入することで磁気特性が低下することがランダムに
起ることからきていると推定される。
のC/Nは、その中の1つのテープを基準〔○(dB)
)とおいた時、平均値がo、1s (dB)で最大値
は0.5 (dB) 、最小値は−0,1(dB)で
あったのに対し、比較例は平均値が−1,1(dB)で
最大値が0.3 (dB) 、最小値が−2,9(d
B)とバラツキが大きかった。この原因は、膜中にMg
が混入することで磁気特性が低下することがランダムに
起ることからきていると推定される。
発明の効果
以上のように本発明によれば、垂直磁気記録用の磁気記
録媒体を均一に大面積に渡り、高速で製造できるといっ
たすぐれた効果がある。
録媒体を均一に大面積に渡り、高速で製造できるといっ
たすぐれた効果がある。
図は本発明の一実施例に係る製造装置の要部構成図であ
る。 1・・・・・高分子フィルム、2・・・・・・円筒ギャ
ン、6・・・・・・蒸着材料、6・・・・・・収納容器
。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1名1−
隔分子フイ2レム 6− 収納容器
る。 1・・・・・高分子フィルム、2・・・・・・円筒ギャ
ン、6・・・・・・蒸着材料、6・・・・・・収納容器
。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1名1−
隔分子フイ2レム 6− 収納容器
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 2000〔Å/sec〕以上の高速電子ビーム蒸着に
より垂直磁化膜を形成する磁気記録媒体の製造装置であ
って、蒸着材料の収納容器がZrO_2又はSiO_2
より成ることを特徴とする磁気記録媒体の製造装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11729088A JPH01287822A (ja) | 1988-05-13 | 1988-05-13 | 磁気記録媒体の製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11729088A JPH01287822A (ja) | 1988-05-13 | 1988-05-13 | 磁気記録媒体の製造装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01287822A true JPH01287822A (ja) | 1989-11-20 |
Family
ID=14708090
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP11729088A Pending JPH01287822A (ja) | 1988-05-13 | 1988-05-13 | 磁気記録媒体の製造装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01287822A (ja) |
-
1988
- 1988-05-13 JP JP11729088A patent/JPH01287822A/ja active Pending
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