JPS6226637A - パ−マロイ薄膜軟磁性層を有する垂直磁気記録媒体の作製方法 - Google Patents
パ−マロイ薄膜軟磁性層を有する垂直磁気記録媒体の作製方法Info
- Publication number
- JPS6226637A JPS6226637A JP16394485A JP16394485A JPS6226637A JP S6226637 A JPS6226637 A JP S6226637A JP 16394485 A JP16394485 A JP 16394485A JP 16394485 A JP16394485 A JP 16394485A JP S6226637 A JPS6226637 A JP S6226637A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- permalloy
- layer
- film
- recording medium
- soft magnetic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Thin Magnetic Films (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Magnetic Record Carriers (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、２Ｍ膜垂直磁気記録嘉体の作製方法に係わり
、特に本発明は軟磁性パーマロイ層の作製方法に関する
ものである。
、特に本発明は軟磁性パーマロイ層の作製方法に関する
ものである。
（従来の技術）
近年垂直磁気記録方式が高密度磁気記録に適した記録方
式として注目されている。この記録方式に好都合な記録
媒体としてパーマロイなどの軟磁性層とＣｔｏ −Ｃｒ
などの垂直磁化膜層からなる２層膜媒体が知られている
。そして軟磁性層としては保磁力が小さく、透磁率の高
い程記録感度は良（なり、又、再生出力も大きくなる。
式として注目されている。この記録方式に好都合な記録
媒体としてパーマロイなどの軟磁性層とＣｔｏ −Ｃｒ
などの垂直磁化膜層からなる２層膜媒体が知られている
。そして軟磁性層としては保磁力が小さく、透磁率の高
い程記録感度は良（なり、又、再生出力も大きくなる。
ただし、あまりにも軟磁性が良好になり過ぎるとスパイ
ク状のノイズを発生して好ましくなく、ノイズ発生を抑
えるための大よその目安として保磁力は２〜３工ルステ
ツド以上であることが知られている。
ク状のノイズを発生して好ましくなく、ノイズ発生を抑
えるための大よその目安として保磁力は２〜３工ルステ
ツド以上であることが知られている。
ファス磁性膜が知られているが、経済性などの点から多
く用いられているのはパーマロイである。
く用いられているのはパーマロイである。
（発明が解決しようとする問題点）
しかし１パーマロイ薄膜の場合には基板面に垂直な磁気
異方性が発生し易く、保磁力はｌＯエルステッド以上に
もなるので２層膜垂直媒体としての性能を悪くしていた
。
異方性が発生し易く、保磁力はｌＯエルステッド以上に
もなるので２層膜垂直媒体としての性能を悪くしていた
。
本発明は前記従来の垂直磁気記録媒体のパーマロイ軟磁
性層が有する垂直磁気異方性を抑制して、保磁力の小さ
い浸れた軟磁気特性を有する垂直磁気記録媒体用の軟磁
性層の作製方法を提供することな目的とするものであり
、特許請求の範囲に記載の方法を提供することによって
、前記目的を達成することができる。
性層が有する垂直磁気異方性を抑制して、保磁力の小さ
い浸れた軟磁気特性を有する垂直磁気記録媒体用の軟磁
性層の作製方法を提供することな目的とするものであり
、特許請求の範囲に記載の方法を提供することによって
、前記目的を達成することができる。
（問題点を解決するための手段）
本発明は、非磁性基板上にパーマロイ層およびＣｏ −
Ｃｒ垂直磁化膜層をスパッタ法により順次形成するパー
マロイ薄膜軟磁性層を有する垂直磁気記録媒体の作製方
法において： 下記（ａ） 、 （ｂ）および（Ｑ）工程のシーケンス
からなること’に％徴とするパーマロイ薄膜軟磁性層を
有する垂直磁気記録媒体の作ｉ方法： （２））非磁性基板を真空槽内で熱処理する工程；（ｂ
） 真空槽内に空気を導入して前記熱処理後の基板を
大気にさらす工程；および （ｃ） 真空槽内を真空排気した後アルゴンガスを導
入して、スパッタ法によりパーマロイ層ヲ形成する工程
。
Ｃｒ垂直磁化膜層をスパッタ法により順次形成するパー
マロイ薄膜軟磁性層を有する垂直磁気記録媒体の作製方
法において： 下記（ａ） 、 （ｂ）および（Ｑ）工程のシーケンス
からなること’に％徴とするパーマロイ薄膜軟磁性層を
有する垂直磁気記録媒体の作ｉ方法： （２））非磁性基板を真空槽内で熱処理する工程；（ｂ
） 真空槽内に空気を導入して前記熱処理後の基板を
大気にさらす工程；および （ｃ） 真空槽内を真空排気した後アルゴンガスを導
入して、スパッタ法によりパーマロイ層ヲ形成する工程
。
に関するものである。
本発明者らは、パーマロイ薄膜層の垂直磁気異方性はス
パッタ室のバックグランドの真空状態を良好にすると出
現し易いことから、高分子フィルム基板を真空槽中で熱
処理後、真空槽内を大気に開放し、しかる後に再び真空
槽全真空排気してアルゴンガスを導入し、スパッタを開
始することによって垂直磁気異方性の出現を抑制し得る
ことを新規に知見し、本発明を完成した。
パッタ室のバックグランドの真空状態を良好にすると出
現し易いことから、高分子フィルム基板を真空槽中で熱
処理後、真空槽内を大気に開放し、しかる後に再び真空
槽全真空排気してアルゴンガスを導入し、スパッタを開
始することによって垂直磁気異方性の出現を抑制し得る
ことを新規に知見し、本発明を完成した。
次に本発明を実験データについて詳しく説明する。
従来の軟磁性パーマロイ層の作製方法を下記比較例１〜
３について説明する。
３について説明する。
〔比較例１〕
パッチ式スパッタ装置中にポリイミド基板をセットし、
ｉｏ−”ｒｏｒｒ程度で２００Ｃで３０分間熱処理し
Ｎ ３Ｘ１０ Ｔｏｒｒ″！で真空排気後）アルゴン
ガスを導入し、以下の条件でモリブデンパーマロイ膜を
形成した。
ｉｏ−”ｒｏｒｒ程度で２００Ｃで３０分間熱処理し
Ｎ ３Ｘ１０ Ｔｏｒｒ″！で真空排気後）アルゴン
ガスを導入し、以下の条件でモリブデンパーマロイ膜を
形成した。
スパッタ法 ： ＲＦマグネトロン
ターゲット ： ８インチｆの７８ Ｎｉ −Ｆｅ
ターゲット上にＭＯペレット配置 （面積比で４％） アルゴン圧 ： ０．６〜ｌＸｌ０ Ｔｏｒｒ基板
温度 ：２０〜９０Ｃ スパッタ電力 ： ０．７ Ｗ／ｃＩＬ２スパッタ
レイト ： ０．０１７μ電／ｍｉｎ膜厚約０．５
０μｍの膜の特性を第１表に示した。
ターゲット上にＭＯペレット配置 （面積比で４％） アルゴン圧 ： ０．６〜ｌＸｌ０ Ｔｏｒｒ基板
温度 ：２０〜９０Ｃ スパッタ電力 ： ０．７ Ｗ／ｃＩＬ２スパッタ
レイト ： ０．０１７μ電／ｍｉｎ膜厚約０．５
０μｍの膜の特性を第１表に示した。
ＨＯは膜面内の保磁力、Δθ５ｏはＸ＠回折ロッキング
曲線による（ Ｉ［Ｉ ）結晶軸の膜面法線方向からの
配向角の半値幅である。なお、保磁力Ｈｃは振動試料型
磁力計（ＶＳＭ）にて測定した。
曲線による（ Ｉ［Ｉ ）結晶軸の膜面法線方向からの
配向角の半値幅である。なお、保磁力Ｈｃは振動試料型
磁力計（ＶＳＭ）にて測定した。
第１表
同表に示した全ての場合にＭ−Ｈルーズの形状は第１回
内に示しｔような形を示しており、垂直磁気異方性が存
在することを示す。そのために第１表に示されているよ
うに保磁力Ｈｃは多くの場゛合ｌＯエルステッド以上の
大きい値を示している。
内に示しｔような形を示しており、垂直磁気異方性が存
在することを示す。そのために第１表に示されているよ
うに保磁力Ｈｃは多くの場゛合ｌＯエルステッド以上の
大きい値を示している。
〔比較例２〕
第２図に示す巻取式スパッター装置を用いてパーマロイ
膜を形成した。
膜を形成した。
第２図は装置の概要な示す説明図であり、１は真空槽、
２は排気系への連結口、３ａ、３ｂはそれぞれカソード
であり、３ａにパーマロイ、３ｂにＣ０−Ｃｒターゲッ
トが取り付けられている。なおアノードは省略した。４
ａおよび４ｂは基板フィルムのワイングーオヨヒアンワ
インダー、５ａ、ｓｂ、ｓａ、６ｂはガイドローラー、
７ａ 、 ７ｂは段差ローラー、８ａ。
２は排気系への連結口、３ａ、３ｂはそれぞれカソード
であり、３ａにパーマロイ、３ｂにＣ０−Ｃｒターゲッ
トが取り付けられている。なおアノードは省略した。４
ａおよび４ｂは基板フィルムのワイングーオヨヒアンワ
インダー、５ａ、ｓｂ、ｓａ、６ｂはガイドローラー、
７ａ 、 ７ｂは段差ローラー、８ａ。
８ｂは冷却ローラー、９はキャン、１０はマスク、１１
はスパッタガス吹出口、１２は基板フィルム、１３は基
板加熱ヒーターである。真空槽１を１Ｏ−６’ｒｏｒｒ
台まで排気後、キャン９又は基板加熱ヒーター１３によ
りポリイミドフィルム１２ ？ １００〜１９０Ｃで加
熱し、アンワインダ−４ｂからワインダー４ａにフィル
ムを巻き移した。加熱に用いたキャン９又は基板加熱ヒ
ーター１３を冷却し）真空槽内ｋ ０．７５〜１ ｘ
１Ｏ−６Ｔｏｒｒ Ｉｃ排気後、スパッタガス吹出口１
１からアルゴンガスを導入し、所定のガス圧に保ってカ
ソード３ａに取り付けられ念モリブデンパーマロイター
ゲットを用いて、移動するポリイミド基板上に連続的に
薄膜を形成した。スパッタ条件は次のとおりであるニス
バッタ７： ＤＯマグネトロン法 ターゲット組成＝ ５重量％モリブデンパーマロイア
ルゴンガス圧７ ０．５〜３ ｘ １Ｏ−３Ｔｏｒｒ
スパツタ電カニ 約８．５ Ｗ／ｃｓＬ２スパッタレイ
ト： 約０．４ｐｍ／ｍｉｎ膜厚が０．４５〜０．５μ
ｍの膜において得られた結果を第３図に示す。曲線ａは
基板フィルムの長さ方向に測定した保磁力Ｈｃ 、曲線
すは（■）結晶軸の配向角Δθ５ｏをそれぞれアルゴン
圧力に対して示す。基板の熱処理温度による変化は小さ
かった。
はスパッタガス吹出口、１２は基板フィルム、１３は基
板加熱ヒーターである。真空槽１を１Ｏ−６’ｒｏｒｒ
台まで排気後、キャン９又は基板加熱ヒーター１３によ
りポリイミドフィルム１２ ？ １００〜１９０Ｃで加
熱し、アンワインダ−４ｂからワインダー４ａにフィル
ムを巻き移した。加熱に用いたキャン９又は基板加熱ヒ
ーター１３を冷却し）真空槽内ｋ ０．７５〜１ ｘ
１Ｏ−６Ｔｏｒｒ Ｉｃ排気後、スパッタガス吹出口１
１からアルゴンガスを導入し、所定のガス圧に保ってカ
ソード３ａに取り付けられ念モリブデンパーマロイター
ゲットを用いて、移動するポリイミド基板上に連続的に
薄膜を形成した。スパッタ条件は次のとおりであるニス
バッタ７： ＤＯマグネトロン法 ターゲット組成＝ ５重量％モリブデンパーマロイア
ルゴンガス圧７ ０．５〜３ ｘ １Ｏ−３Ｔｏｒｒ
スパツタ電カニ 約８．５ Ｗ／ｃｓＬ２スパッタレイ
ト： 約０．４ｐｍ／ｍｉｎ膜厚が０．４５〜０．５μ
ｍの膜において得られた結果を第３図に示す。曲線ａは
基板フィルムの長さ方向に測定した保磁力Ｈｃ 、曲線
すは（■）結晶軸の配向角Δθ５ｏをそれぞれアルゴン
圧力に対して示す。基板の熱処理温度による変化は小さ
かった。
Ｍ−Ｈループは全ての場合第１図の（Ａ）に示したよう
なループ形状を示しており、垂直磁気異方性が存在して
いた。又保磁力Ｈｃも１００ｅ以上と大きい値を示し九
〇 〔比較例３〕 ゛ 比較例２の場合と同じ装置および同じスパッタ条件
でポリエステルフィルムを用いてモリブデンパーマロイ
膜を形成した。スパッタ時基板温度を８００１アルゴン
圧をｏ、５ｘｘｏ−”ｒｏｒｒ トシタ時の基板の熱処
理温度に対するフィルム長さ方向の保磁力Ｈａ （曲線
Ｃ）と結晶軸の配向角Δθ５０ （曲線ｄ［−示す。こ
れらの場合にも垂直磁気異方性の出現による大きな保磁
力を示している。
なループ形状を示しており、垂直磁気異方性が存在して
いた。又保磁力Ｈｃも１００ｅ以上と大きい値を示し九
〇 〔比較例３〕 ゛ 比較例２の場合と同じ装置および同じスパッタ条件
でポリエステルフィルムを用いてモリブデンパーマロイ
膜を形成した。スパッタ時基板温度を８００１アルゴン
圧をｏ、５ｘｘｏ−”ｒｏｒｒ トシタ時の基板の熱処
理温度に対するフィルム長さ方向の保磁力Ｈａ （曲線
Ｃ）と結晶軸の配向角Δθ５０ （曲線ｄ［−示す。こ
れらの場合にも垂直磁気異方性の出現による大きな保磁
力を示している。
第５図はスパッタ時基板温度を６０ Ｃ以下とした′時
のスパッタガス圧に対する保磁力ＨＯ（曲線ｅ）と結晶
配向角Δθ５０（曲ｉｆ）の変化を示す図である。いず
れの場合にも垂直磁気異方性が出現しており、アルゴン
圧が２ Ｘ １０−’ Ｔｏｒｒ以下では大きな保磁力
を示している。アルゴン圧が２ Ｘ １Ｏ−６Ｔｏｒｒ
より大きい領域では保磁力Ｈｃはかなり小さくなってい
るが、この場合にも小さな垂直磁気異方性が確認された
。
のスパッタガス圧に対する保磁力ＨＯ（曲線ｅ）と結晶
配向角Δθ５０（曲ｉｆ）の変化を示す図である。いず
れの場合にも垂直磁気異方性が出現しており、アルゴン
圧が２ Ｘ １０−’ Ｔｏｒｒ以下では大きな保磁力
を示している。アルゴン圧が２ Ｘ １Ｏ−６Ｔｏｒｒ
より大きい領域では保磁力Ｈｃはかなり小さくなってい
るが、この場合にも小さな垂直磁気異方性が確認された
。
次に本発明を実施例について説明する。
〔実施例１〕
比較例２の場合と同じスパッタ装Ｎを用い、次の工程で
モリブデンパーマロイ膜を形成した。すなわちポリエス
テル基板を真空槽中にセットした後ＩＱ Ｔｏｒｒ台
に排気し、１ｏＯｔｌｌ’でポリエステル基板を熱処理
し之。しかる後に真空槽内を大気に開放し、再度Ｉ Ｘ
１０−’ Ｔｏｒｒまで排気してアルゴンガスを導入
しスパッターを行った。
モリブデンパーマロイ膜を形成した。すなわちポリエス
テル基板を真空槽中にセットした後ＩＱ Ｔｏｒｒ台
に排気し、１ｏＯｔｌｌ’でポリエステル基板を熱処理
し之。しかる後に真空槽内を大気に開放し、再度Ｉ Ｘ
１０−’ Ｔｏｒｒまで排気してアルゴンガスを導入
しスパッターを行った。
第２表はスパッタ一時基板温度を６０ Ｃ以下とした時
に膜厚約０．４５μｍの薄膜で得られた結果を示す。全
ての場合にＭ−Ｈルーズの形状は第１図色）に示した如
きループを示し、垂直磁気異方性が存在しないことを示
している。そのため第２表で明らかな如くフィルム長さ
方向の保磁力Ｈｃは小さい値を示している。
に膜厚約０．４５μｍの薄膜で得られた結果を示す。全
ての場合にＭ−Ｈルーズの形状は第１図色）に示した如
きループを示し、垂直磁気異方性が存在しないことを示
している。そのため第２表で明らかな如くフィルム長さ
方向の保磁力Ｈｃは小さい値を示している。
第６図はアルゴン圧を０．５ Ｘ １０”’−” Ｔｏ
ｒｒ、スパッタ条件ｆ ９，５ Ｗ／ｃＩＬ２とした時
の保磁力ＨＣ（曲線ｇ）と結晶配向角Δθ５０ （曲線
ｈ）のスパッタ一時基板温度に対する変化を示す。基板
温度が７０Ｃ’以下では垂直磁気異方性は出現せず、保
磁力も１０エルステツド以下となっているが、７０Ｃよ
り高くすると垂直磁気異方性が出現して保磁力が大きく
なることを示している、 〔実施例２〕 比較例２と同じスパッター装置を用い、ポリイミド基板
を用いて実施例１とほぼ同じ工程でモリブデンパーマロ
イ膜ヲスバツターした。ただし、基板の熱処理温度は１
９０Ｃとした。スパッタ一時基板温度を６０Ｃ以下、ス
パッター電力を８．５Ｗ／ｃＩＬ２とした時の結果を第
３表に示す。この場合１極めて小さい垂直磁気異方性の
存在が認められたが・保磁力Ｈａは比較例１〜３の場合
に比べて小さい値となっている。
ｒｒ、スパッタ条件ｆ ９，５ Ｗ／ｃＩＬ２とした時
の保磁力ＨＣ（曲線ｇ）と結晶配向角Δθ５０ （曲線
ｈ）のスパッタ一時基板温度に対する変化を示す。基板
温度が７０Ｃ’以下では垂直磁気異方性は出現せず、保
磁力も１０エルステツド以下となっているが、７０Ｃよ
り高くすると垂直磁気異方性が出現して保磁力が大きく
なることを示している、 〔実施例２〕 比較例２と同じスパッター装置を用い、ポリイミド基板
を用いて実施例１とほぼ同じ工程でモリブデンパーマロ
イ膜ヲスバツターした。ただし、基板の熱処理温度は１
９０Ｃとした。スパッタ一時基板温度を６０Ｃ以下、ス
パッター電力を８．５Ｗ／ｃＩＬ２とした時の結果を第
３表に示す。この場合１極めて小さい垂直磁気異方性の
存在が認められたが・保磁力Ｈａは比較例１〜３の場合
に比べて小さい値となっている。
第 ３ 表
以上に詳述した実施例から、２層膜垂直磁気記録媒体用
のパーマロイ軟磁性層の垂直磁気異方性の出現を抑制し
て、保磁力Ｈｃ ｆ小さくするためには、本発明による
作製工程すなわち真空槽中で基板フィルムを熱処理し定
接、真空槽内を大気開放する工程を入れて、しかる後に
再び真空排気してスパッターを行うことが非常に有効で
あることが明らかである。
のパーマロイ軟磁性層の垂直磁気異方性の出現を抑制し
て、保磁力Ｈｃ ｆ小さくするためには、本発明による
作製工程すなわち真空槽中で基板フィルムを熱処理し定
接、真空槽内を大気開放する工程を入れて、しかる後に
再び真空排気してスパッターを行うことが非常に有効で
あることが明らかである。
（発明の効果）
以上本発明によれば、垂直磁気異方性が極めて小さいか
、あるいは実質的に存在しない軟磁性パーマロイ薄膜層
が得られ、２Ｂｉ膜垂面垂直磁気記録媒の軟磁性層とし
て優れたパーマロイ薄膜を作製することができる。
、あるいは実質的に存在しない軟磁性パーマロイ薄膜層
が得られ、２Ｂｉ膜垂面垂直磁気記録媒の軟磁性層とし
て優れたパーマロイ薄膜を作製することができる。
第１図はパーマロイ薄膜のＭ−）］ループを示す図であ
り、同図（１）は垂直磁気異方性が存在する場合、同図
［Ｆ］）は垂直磁気異方性が存在しない場合のｌ：１ ゛、Ｓ、ループ形状をそれぞれ示す図、第２図はスパッ
タ・１１ ・′−架装置概要を示す説明図、第３図はアルゴン圧に
対する保磁力と結晶配向角を示す図、第４図は基板の熱
処理温度に対する保磁力と結晶配向角の変化を示す図、
第５図はアルゴン圧に対する保磁力と結晶配向角の依存
性を示す図、第６図はスパッタ一時基板温度に対する保
磁力と結晶配向角の依存性を示す図である。 ・ｌ・・・真空槽、３ａ、３ｂ・・・カソード、５ａ１
５ｂ１６ａ１６ｂ１７ａ、７ｂ１８ａ１８ｂ ・ｃｌ−
ラー１９・・・キャン、１２・・・基板フィルム−１３
・・基板加熱ヒーター。
り、同図（１）は垂直磁気異方性が存在する場合、同図
［Ｆ］）は垂直磁気異方性が存在しない場合のｌ：１ ゛、Ｓ、ループ形状をそれぞれ示す図、第２図はスパッ
タ・１１ ・′−架装置概要を示す説明図、第３図はアルゴン圧に
対する保磁力と結晶配向角を示す図、第４図は基板の熱
処理温度に対する保磁力と結晶配向角の変化を示す図、
第５図はアルゴン圧に対する保磁力と結晶配向角の依存
性を示す図、第６図はスパッタ一時基板温度に対する保
磁力と結晶配向角の依存性を示す図である。 ・ｌ・・・真空槽、３ａ、３ｂ・・・カソード、５ａ１
５ｂ１６ａ１６ｂ１７ａ、７ｂ１８ａ１８ｂ ・ｃｌ−
ラー１９・・・キャン、１２・・・基板フィルム−１３
・・基板加熱ヒーター。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、非磁性基板上にパーマロイ層およびＣｏ−Ｃｒ垂直
磁化膜層をスパッタ法により順次形成するパーマロイ薄
膜軟磁性層を有する垂直磁気記録媒体の作製方法におい
て： 下記（ａ）、（ｂ）および（ｃ）工程のシーケンスから
なることを特徴とするパーマロイ薄膜軟磁性層を有する
垂直磁気記録媒体の作製方法。 （ａ）非磁性基板を真空槽中で熱処理する工程： （ｂ）真空槽内に空気を導入して前記熱処理後の基板を
大気にさらす工程；および （ｃ）真空槽内を真空排気した後、アルゴンガスを導入
してスパッタ法によりパーマロイ層を形成する工程。 ２、非磁性基板がポリイミド、ポリエチレンテレフタレ
ートなどの高分子フィルムであることを特徴とする特許
請求の範囲第１項に記載の垂直磁気記録媒体の作製方法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60163944A JPH0664735B2 (ja) | 1985-07-26 | 1985-07-26 | パ−マロイ薄膜軟磁性層を有する垂直磁気記録媒体の作製方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60163944A JPH0664735B2 (ja) | 1985-07-26 | 1985-07-26 | パ−マロイ薄膜軟磁性層を有する垂直磁気記録媒体の作製方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6226637A true JPS6226637A (ja) | 1987-02-04 |
| JPH0664735B2 JPH0664735B2 (ja) | 1994-08-22 |
Family
ID=15783788
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60163944A Expired - Lifetime JPH0664735B2 (ja) | 1985-07-26 | 1985-07-26 | パ−マロイ薄膜軟磁性層を有する垂直磁気記録媒体の作製方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0664735B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01155520A (ja) * | 1987-12-14 | 1989-06-19 | Akai Electric Co Ltd | 垂直磁気記録媒体の製造方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6222242A (ja) * | 1985-07-23 | 1987-01-30 | Toshiba Corp | 垂直磁気記録媒体の製造方法 |
-
1985
- 1985-07-26 JP JP60163944A patent/JPH0664735B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6222242A (ja) * | 1985-07-23 | 1987-01-30 | Toshiba Corp | 垂直磁気記録媒体の製造方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01155520A (ja) * | 1987-12-14 | 1989-06-19 | Akai Electric Co Ltd | 垂直磁気記録媒体の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0664735B2 (ja) | 1994-08-22 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS6134723A (ja) | 磁気記録媒体及びその製造法 | |
| JPH0669033A (ja) | コバルトプラチナ磁性膜およびその製造方法 | |
| US6268024B1 (en) | Process for producing magnetic recording medium | |
| JPS6226637A (ja) | パ−マロイ薄膜軟磁性層を有する垂直磁気記録媒体の作製方法 | |
| WO1996027877A1 (fr) | Support d'enregistrement magnetique et son procede de fabrication | |
| US20110171494A1 (en) | Discontinuous islanded ferromagnetic recording film with perpendicular magnetic anisotropy | |
| JPH05109046A (ja) | 磁気記録媒体及びその製造方法 | |
| JPS6313115A (ja) | 磁気記録体及びその製造方法 | |
| JPS61276124A (ja) | 垂直磁気記録媒体の製造方法 | |
| JPH11339261A (ja) | 磁気記録媒体の製造法 | |
| JPH0798835A (ja) | 磁気記録媒体及びその製造方法 | |
| JP3649416B2 (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 | |
| JPH04311809A (ja) | 垂直磁気記録媒体とその製造方法 | |
| WO1998044490A1 (fr) | Support d'enregistrement magnetique | |
| JPH01155520A (ja) | 垂直磁気記録媒体の製造方法 | |
| JPS63845B2 (ja) | ||
| JPS59193528A (ja) | 磁気記録媒体の製造法 | |
| JPS63291213A (ja) | 磁気記録媒体及びその製造法 | |
| JPH0196823A (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 | |
| JPH0370889B2 (ja) | ||
| JPS59167834A (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JPH1012437A (ja) | 磁気ヘッド用基板付き合金磁性膜、その製造方法および磁気ヘッド | |
| JPS61180921A (ja) | 垂直磁化記録媒体およびその製造方法 | |
| JPS61131233A (ja) | 磁性薄膜の製造方法 | |
| JPS6233321A (ja) | 垂直磁気記録媒体 |