JPH01286434A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH01286434A JPH01286434A JP63114852A JP11485288A JPH01286434A JP H01286434 A JPH01286434 A JP H01286434A JP 63114852 A JP63114852 A JP 63114852A JP 11485288 A JP11485288 A JP 11485288A JP H01286434 A JPH01286434 A JP H01286434A
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- chip
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 10
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 9
- 239000002390 adhesive tape Substances 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000012467 final product Substances 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
- H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L2221/68318—Auxiliary support including means facilitating the separation of a device or wafer from the auxiliary support
- H01L2221/68322—Auxiliary support including means facilitating the selective separation of some of a plurality of devices from the auxiliary support
Landscapes
- Die Bonding (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
ウェハが粘着テープに接着されている状態でフルカット
されて分割されたチップをピックアップする際に、一の
チップを粘着テープより剥離させる工程を有する半導体
装置のｔＪ造方法に関し、チップの底面に異物を付着さ
せずにチップをテープより剥離させることを目的とし、 ウェハがテープに接着されている状態でフルカットされ
て分割されたチップをピックアップする際に、一のチッ
プを突き上げて１−ブより剥離させる工程をｈする半導
体装置の製造ＩＪ法において、上記ｉ′−ブを真空吸着
した状態で、圧縮空気流を上記チップに対向する複数の
ノズル孔より一時的に噴射させ、圧縮空気流が上記テー
プを裂くように突き破って上記チップを突き上げて上記
テープより剥離させるように構成する。
されて分割されたチップをピックアップする際に、一の
チップを粘着テープより剥離させる工程を有する半導体
装置のｔＪ造方法に関し、チップの底面に異物を付着さ
せずにチップをテープより剥離させることを目的とし、 ウェハがテープに接着されている状態でフルカットされ
て分割されたチップをピックアップする際に、一のチッ
プを突き上げて１−ブより剥離させる工程をｈする半導
体装置の製造ＩＪ法において、上記ｉ′−ブを真空吸着
した状態で、圧縮空気流を上記チップに対向する複数の
ノズル孔より一時的に噴射させ、圧縮空気流が上記テー
プを裂くように突き破って上記チップを突き上げて上記
テープより剥離させるように構成する。
本発明は、ウェハが粘着テープに接着されている状態で
フルカットされて分割されたチップをピックアップする
際に、一のチップを粘着−テープより剥離させる工程を
有する半導体装置のｇｌＪ造方決方法する。
フルカットされて分割されたチップをピックアップする
際に、一のチップを粘着−テープより剥離させる工程を
有する半導体装置のｇｌＪ造方決方法する。
チップを粘着テープより剥離させるには、チップを突き
上げる必要がある。
上げる必要がある。
ピックアップされたチップは下面をダイボンディングさ
れて、ＬＳＩ本体内に組み込まれる。このため、チップ
は下面に異物が付着していないクリーンな状態で、剥離
される必要がある。
れて、ＬＳＩ本体内に組み込まれる。このため、チップ
は下面に異物が付着していないクリーンな状態で、剥離
される必要がある。
第６図、第７図は従来のチップ剥離方法を示す。
両図中、１は粘着テープであり、上面が接着面である。
２はチップであり、テープ１の上面に接着しである。な
お、チップ２は、ウェハがテープ１に接着されている状
態でフルカットされて分割されたちのである。
お、チップ２は、ウェハがテープ１に接着されている状
態でフルカットされて分割されたちのである。
一のチップ２のピックアップに際して、まず、第７図に
示すように、吸引孔３を通して吸引してテープ１を吸着
し、この状態で駆動機構４がビンブロック５を上方に押
し上げる。
示すように、吸引孔３を通して吸引してテープ１を吸着
し、この状態で駆動機構４がビンブロック５を上方に押
し上げる。
これにより、第６図に示すように、各ビン６がテープ１
を突き破り、チップ２の下面を突き上げる。これにより
、チップ２がテープ１より剥離され、上方のコレット７
に吸着されてピックアップされる。
を突き破り、チップ２の下面を突き上げる。これにより
、チップ２がテープ１より剥離され、上方のコレット７
に吸着されてピックアップされる。
ビン６がテープ１を突き破る動作は、パンチで紙に孔を
あける動作と似ており、ビン６の先端に対応する部分の
テープが打ち扱かれ、第８図に拡大して示すように、テ
ープ小片８がビン６の先端とチップ２の底面との間に挟
まれることがある。
あける動作と似ており、ビン６の先端に対応する部分の
テープが打ち扱かれ、第８図に拡大して示すように、テ
ープ小片８がビン６の先端とチップ２の底面との間に挟
まれることがある。
この場合には、テープ小片８は第９図に示すようにピッ
クアップされたチップ２の底面に付着することになる。
クアップされたチップ２の底面に付着することになる。
このようなチップ２がリードフレーム９にダイボンディ
ングされると、第１０図に示すように、傾斜したり、第
１１図に示すようにリードフレーム９の上面より浮いた
りして、最終製品である半導体装置の開時性に悪影響が
出ることがある。
ングされると、第１０図に示すように、傾斜したり、第
１１図に示すようにリードフレーム９の上面より浮いた
りして、最終製品である半導体装置の開時性に悪影響が
出ることがある。
本発明は、チップの底面に異物を付着させずにチップを
テープより剥離することができる半導体装置の製造方法
を提供することを目的とする。
テープより剥離することができる半導体装置の製造方法
を提供することを目的とする。
本発明は、ウェハがテープに接着されている状態でフル
カットされて分割されたチップをピックアップする際に
、一のチップを突き上げてテープより剥離させる工程を
有する半導体装置の製造方法において、 上記テープを真空吸着した状態で、圧縮空気流を上記チ
ップに対向する複数のノズル孔より一時的に噴射させ、 圧縮空気流が上記テープを裂くように突き破って上記チ
ップを突き上げて上記テープより剥離させる構成とした
ものである。
カットされて分割されたチップをピックアップする際に
、一のチップを突き上げてテープより剥離させる工程を
有する半導体装置の製造方法において、 上記テープを真空吸着した状態で、圧縮空気流を上記チ
ップに対向する複数のノズル孔より一時的に噴射させ、 圧縮空気流が上記テープを裂くように突き破って上記チ
ップを突き上げて上記テープより剥離させる構成とした
ものである。
圧縮空気流はテープを裂くようにして突き破り、テープ
小片は発生させない。
小片は発生させない。
これにより、チップは底面に異物の付着のないクリーン
な状態でテープより剥離されてピックアップされる。
な状態でテープより剥離されてピックアップされる。
第１図及び第２図は本発明のチップ剥離方法の一実施例
を示す図である。
を示す図である。
第２図はチップ剥離直前の状態、第１図はチップ剥離直
後の状態を示す。
後の状態を示す。
まず、第３図、第４図を参照して本発明に適用しうるチ
ップ剥離装置について説明する。
ップ剥離装置について説明する。
チップ剥離装置１０は、頂面が一のチップ２の大ぎさに
対応した円柱体であり、頂部が吸着ステージ１１である
略円筒の本体１２と、この本体１２内に組み込んだノズ
ルユニット１３とよりなる。
対応した円柱体であり、頂部が吸着ステージ１１である
略円筒の本体１２と、この本体１２内に組み込んだノズ
ルユニット１３とよりなる。
吸着ステージ１１には、径が０．４ａｍの吸引孔１４と
、径がｏ、７Ｉｌｌ１ｍのノズル孔１５とが夫々複数個
平均に分散して形成しである。
、径がｏ、７Ｉｌｌ１ｍのノズル孔１５とが夫々複数個
平均に分散して形成しである。
吸着ステージ１１は、周縁を傾斜面１１ａとされたテー
パ形状である。傾斜面１１ａにも吸引孔１４が形成しで
ある。
パ形状である。傾斜面１１ａにも吸引孔１４が形成しで
ある。
本体１２には真空吸引管１６が接続しである。
ノズルユニット１３は、鉛部１７と、この上面より突き
出した複数のノズル１８とよりなる構成である。
出した複数のノズル１８とよりなる構成である。
ノズル１８は、上記ノズル孔１５に対応した配置で設け
である。
である。
ノズルユニット１３は、各ノズル１８の先端をノズル孔
１５に突ぎ合わぜた状態で本体１２内に組み込まれてい
る。
１５に突ぎ合わぜた状態で本体１２内に組み込まれてい
る。
ノズル１８は先細形状である。これは、ノズル１８より
噴射される圧縮空気流の流速を８速とするためである。
噴射される圧縮空気流の流速を８速とするためである。
１９は圧縮空気供給配管であり、鉛部１７に接続して、
本体１２外に引き出されている。
本体１２外に引き出されている。
次に上記構成の装置１０を使用したチップ剥離動作につ
いて説明する。
いて説明する。
まず、第２図に示すように、管１６を通してポンプによ
り真空吸引を行ない、剥離させようとするチップ２に対
応するテープ２の下面をステージ１１に真空吸着させる
。
り真空吸引を行ない、剥離させようとするチップ２に対
応するテープ２の下面をステージ１１に真空吸着させる
。
テープ２のうち、傾斜面１１ａに対向する部分は傾斜面
１１ａに吸着され、チップ２の周囲の部分がこの段階で
テープ２より剥離される。
１１ａに吸着され、チップ２の周囲の部分がこの段階で
テープ２より剥離される。
テープ２を真空吸着した状態で、弁装置２０を１秒以下
の短い時間−時的に開弁させる。
の短い時間−時的に開弁させる。
これにより、第１図に示すように、圧縮空気源２１より
の例えば５．５１１’ｇ／一の圧縮空気がノズルユニッ
ト１３内に供給される。Ｂ縮空気は矢印２２で示すよう
に、各ノズル１８を通り、ここで加速されて、各ノズル
孔１５より矢印２３で示す極く細い圧縮空気流となって
噴射される。
の例えば５．５１１’ｇ／一の圧縮空気がノズルユニッ
ト１３内に供給される。Ｂ縮空気は矢印２２で示すよう
に、各ノズル１８を通り、ここで加速されて、各ノズル
孔１５より矢印２３で示す極く細い圧縮空気流となって
噴射される。
圧縮空気流２３は、テープ２のうちノズル孔１５を塞い
でいる部分を瞬間的に突き破って、チップ２を突き上げ
る。チップ２は、テープ１より剥離され、上方のコレッ
ト７に吸着されてピックアップされる。
でいる部分を瞬間的に突き破って、チップ２を突き上げ
る。チップ２は、テープ１より剥離され、上方のコレッ
ト７に吸着されてピックアップされる。
ここで、圧縮空気流２３は、テープ２を裂くようにして
突き破るため、テープ２は裂けた部分に臨む部分２４が
上方に押し上げられてめくれた状態となるも、小片とし
て分断されることがない。
突き破るため、テープ２は裂けた部分に臨む部分２４が
上方に押し上げられてめくれた状態となるも、小片とし
て分断されることがない。
このため、チップ２の底面は、テープ小片等の異物の付
着のないクリーンな状態となる。
着のないクリーンな状態となる。
従って、チップ２は、第５図に示すように、リードフレ
ーム９に密着して且つ少しも傾斜せずにダイボンディン
グされる。このため、ダイボンディングは、最終製品で
ある半導体装置の緒特性に悪影響を与えず、生産された
半導体装置は品質的に優れたものとなる。
ーム９に密着して且つ少しも傾斜せずにダイボンディン
グされる。このため、ダイボンディングは、最終製品で
ある半導体装置の緒特性に悪影響を与えず、生産された
半導体装置は品質的に優れたものとなる。
また、第２図に示すように、傾斜面１１ａの存在により
、チップ２に隣接するチップ２ａ、２ｂのうちチップ２
に対向する側が引き下げられてチップ２より強制的に離
されている。
、チップ２に隣接するチップ２ａ、２ｂのうちチップ２
に対向する側が引き下げられてチップ２より強制的に離
されている。
このため、チップ２の突き上げるときにチップ２が一様
に剥離せず、チップ２の片側から剥離し、チップ２が傾
いたような場合であっても、チップ２の縁がチップ２ａ
、２ｂにぶつかることが避けられ、チップ２の損傷が防
止できる。
に剥離せず、チップ２の片側から剥離し、チップ２が傾
いたような場合であっても、チップ２の縁がチップ２ａ
、２ｂにぶつかることが避けられ、チップ２の損傷が防
止できる。
以上説明した様に、本発明によれば、テープは裂けるよ
うにして突ぎ破られ、テープ小片は発生しないため、チ
ップの底面にテープ小片等の異物が付着していないクリ
ーンな状態で、チップをテープより剥離させることが出
来る。
うにして突ぎ破られ、テープ小片は発生しないため、チ
ップの底面にテープ小片等の異物が付着していないクリ
ーンな状態で、チップをテープより剥離させることが出
来る。
第１図は本発明のチップ剥離方法の一実施例により剥離
された状態を示す図、 第２図は剥離直前の状態を示す図、 第３図は本発明に適用しうるチップ剥Ｉｌｌ装置の縦断
面図、 第４図は第３図の装置の平面図、 第５図は本発明方法により剥離されたチップがダイボン
ディングされた状態を示す図、第６図は従来のチップ剥
離方法の一例により剥離された状態を示す図、 第７図は剥離直前の状態を承り図、 第８図は第６図の一のビンがチップを突き上げた部分を
拡大して示す図、 第９図はテープ小ハがチップの底面に何着した状態を示
す図、 第１０図はテープ小片が付着したチップがグイボンディ
ングされたーの状態を丞す図、第１１図はテープ小片が
付着したチップがダイボンディングされた別の状態を示
す図である。 図において、 １は粘着テープ、 ２はチップ、 １０はチップ剥Ｉ！ｌｌｔ装置、 １１は吸着ステージ、 １２は本体、 １３はノズルユニット、 １４は吸引孔、 １５はノズル孔、 １８はノズル、 １９は圧縮空気供給配管、 ２０は弁装置、 ２１は圧縮空気源、 ２３は圧縮空気流、 ２４は裂けた部分に臨む部分 を示す。 ・−少″ １！【図 女１離酬Ｖ釈（７？ざ？ １１２図 第３図 第６図 千１Ｍ直前’−＝ＡＫ廷Ｅ常丁目 第８図
された状態を示す図、 第２図は剥離直前の状態を示す図、 第３図は本発明に適用しうるチップ剥Ｉｌｌ装置の縦断
面図、 第４図は第３図の装置の平面図、 第５図は本発明方法により剥離されたチップがダイボン
ディングされた状態を示す図、第６図は従来のチップ剥
離方法の一例により剥離された状態を示す図、 第７図は剥離直前の状態を承り図、 第８図は第６図の一のビンがチップを突き上げた部分を
拡大して示す図、 第９図はテープ小ハがチップの底面に何着した状態を示
す図、 第１０図はテープ小片が付着したチップがグイボンディ
ングされたーの状態を丞す図、第１１図はテープ小片が
付着したチップがダイボンディングされた別の状態を示
す図である。 図において、 １は粘着テープ、 ２はチップ、 １０はチップ剥Ｉ！ｌｌｔ装置、 １１は吸着ステージ、 １２は本体、 １３はノズルユニット、 １４は吸引孔、 １５はノズル孔、 １８はノズル、 １９は圧縮空気供給配管、 ２０は弁装置、 ２１は圧縮空気源、 ２３は圧縮空気流、 ２４は裂けた部分に臨む部分 を示す。 ・−少″ １！【図 女１離酬Ｖ釈（７？ざ？ １１２図 第３図 第６図 千１Ｍ直前’−＝ＡＫ廷Ｅ常丁目 第８図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ウェハがテープに接着されている状態でフルカットさ
れて分割されたチップをピックアップする際に、一のチ
ップ（２）を突き上げてテープ（１）より剥離させる工
程を有する半導体装置の製造方法において、 上記テープ（１）を真空吸着した状態で（第２図）、圧
縮空気流（２３）を上記チップ（２）に対向する複数の
ノズル孔（１５）より一時的に噴射させ、 圧縮空気流（２３）が上記テープ（１）を裂くように突
き破って上記チップ（２）を突き上げて上記テープ（１
）より剥離させる（第１図）ことを特徴とする半導体装
置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63114852A JPH01286434A (ja) | 1988-05-13 | 1988-05-13 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63114852A JPH01286434A (ja) | 1988-05-13 | 1988-05-13 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01286434A true JPH01286434A (ja) | 1989-11-17 |
Family
ID=14648319
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63114852A Pending JPH01286434A (ja) | 1988-05-13 | 1988-05-13 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01286434A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0235750A (ja) * | 1988-07-26 | 1990-02-06 | Fujitsu Ltd | 半導体チップのピックアップ方法 |
| JP2005302932A (ja) * | 2004-04-09 | 2005-10-27 | M Tec Kk | チップの分離装置 |
| JP2009289785A (ja) * | 2008-05-27 | 2009-12-10 | Renesas Technology Corp | 半導体集積回路装置の製造方法 |
| JP2019212815A (ja) * | 2018-06-06 | 2019-12-12 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
| JP2019212813A (ja) * | 2018-06-06 | 2019-12-12 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
| JP2019212814A (ja) * | 2018-06-06 | 2019-12-12 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
-
1988
- 1988-05-13 JP JP63114852A patent/JPH01286434A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0235750A (ja) * | 1988-07-26 | 1990-02-06 | Fujitsu Ltd | 半導体チップのピックアップ方法 |
| JP2005302932A (ja) * | 2004-04-09 | 2005-10-27 | M Tec Kk | チップの分離装置 |
| JP2009289785A (ja) * | 2008-05-27 | 2009-12-10 | Renesas Technology Corp | 半導体集積回路装置の製造方法 |
| JP2019212815A (ja) * | 2018-06-06 | 2019-12-12 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
| JP2019212813A (ja) * | 2018-06-06 | 2019-12-12 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
| JP2019212814A (ja) * | 2018-06-06 | 2019-12-12 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
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