JPH0127574B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0127574B2 JPH0127574B2 JP59132700A JP13270084A JPH0127574B2 JP H0127574 B2 JPH0127574 B2 JP H0127574B2 JP 59132700 A JP59132700 A JP 59132700A JP 13270084 A JP13270084 A JP 13270084A JP H0127574 B2 JPH0127574 B2 JP H0127574B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- silicon
- film
- treatment liquid
- silicon oxide
- silicon substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 35
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 34
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 34
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 26
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 26
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 20
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 14
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 13
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims description 12
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 claims description 9
- KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N boric acid Chemical compound OB(O)O KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000004327 boric acid Substances 0.000 claims description 8
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 7
- 239000010408 film Substances 0.000 description 26
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 13
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 10
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 9
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 7
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 7
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 6
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 6
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 4
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 3
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 3
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 3
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- -1 LSI Chemical compound 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000012295 chemical reaction liquid Substances 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000000280 densification Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000007865 diluting Methods 0.000 description 1
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- SCPYDCQAZCOKTP-UHFFFAOYSA-N silanol Chemical compound [SiH3]O SCPYDCQAZCOKTP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002027 silica gel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000741 silica gel Substances 0.000 description 1
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Silicon Compounds (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Description
a 産業上の利用分野
本発明はシリコン基材に酸化珪素被膜を製造す
る方法に関し、特に任意形状の基材表面に加熱お
よび真空化等の手段を用いずに酸化珪素被膜を製
造する方法に関する。 b 従来技術 今日シリコン基材の表面を酸化珪素膜で被覆す
ることが広く行なわれている。中でもシリコンを
用いた半導体デババイスではMOS(Metal Oxide
Semiconductor)―LSI(Large Scale
Integration)に代表されるように、単結晶シリ
コンまたは多結晶シリコンのゲート電極の表面に
酸化珪素被膜(以下SiO2膜)を形成することは
極めて重要な技術となつている。その他特異な例
としては非晶質シリコン薄膜の光干渉効果を利用
した熱線反射ガラスも実用化されているが、ここ
でも上記シリコン薄膜の化学的・機械的特性の保
護のためにその表面にSiO2から成る保護膜を形
成することが試みられている。 このようなシリコン基材の表面にSiO2膜を形
成する方法としては、有機珪素の有機溶媒溶液を
用いたデイツピング法、シランガスを用いた
CVD法、または石英板をターゲツトとしたスパ
ツタ法などが知られている。しかしながらMOS
―LSIなどシリコンを用いた半導体デバイスで
は、SiO2膜の緻密性および電気的絶縁性の向上、
下地シリコンへの不純物混入防止、などの理由か
らクリーンにコントロールされた焼成炉にシリコ
ンウエハを入れて酸素を供給しつつ800゜〜1200℃
で加熱し、シリコンの表面を酸化してSiO2層と
する方法(いわゆる熱酸化法)が専ら用いられて
きた。 c 発明が解決しようとする問題点 しかしながら、近年集積度を高める必要性が
年々高まつてくるに伴つて熱酸化時に下地シリコ
ンへ混入する不純物(例えば酸素の量)が問題と
なつて来ている。そこで高圧下の酸素雰囲気中あ
るいは水蒸気雰囲気中で熱酸化するなどの低温酸
化法が上記欠点防止の目的で試みられたが熱的に
引起されるシリコンの汚染、結晶欠陥などは必ず
しも解決されなかつた。 更には近年集積度を高めるため薄い膜厚で絶縁
耐圧にすぐれたSiO2膜も求められている。すな
わちシリコン基体表面に低温で絶縁特性にすぐれ
た250Å以下のSiO2膜を形成する技術の出現が強
く望まれている。 本発明は、過度の加熱等を必要としない、絶縁
性等の特性の劣ることのないSiO2膜をシリコン
表面へ形成する方法を提供することをその目的と
する。 d 問題点を解決するための手段 本発明は上記問題点を解決するために酸化珪素
を溶解させた珪弗化水素酸水溶液にホウ酸を加え
て酸化珪素の過飽和状態とした処理液とシリコン
基材とを接触させてシリコン基材表面に酸化珪素
被膜を形成させた後、400〜800℃の温度で焼成す
る方法を用いている。 本発明において該処理液が、 (イ) シリコン基材との接触時においても連続的に
ホウ酸水溶液が添加、混合されている処理液で
あり、 (ロ) 1分間あたり処理液全量の3%以上の処理液
がフイルターで濾過され戻される処理液である
ことが均一な被膜を早く得るために好まれる。 本発明に使用される珪弗化水素酸水溶液の濃度
は1〜2モル/の範囲であるが、中でも2モ
ル/濃度以上の珪弗化水素酸水溶液に酸化珪素
を飽和した後水で稀釈して1〜2モル/の濃度
としたものが被膜形成速度が速く、効率良く被膜
形成が行なえるので好ましい。 酸化珪素を溶解させ飽和させた珪弗化水素酸水
溶液に添加するホウ酸量は珪弗化水素酸水溶液中
の珪弗化水素酸1モルに対して1×10-2〜40×
10-2モルの範囲であることが必要であり、中でも
1.2×10-2〜40×10-2モルであることが速く均質
な被膜を得るために好ましい。 又、処理液を上記循環処理液とするときには、
フイルターの孔径を1.5μm以下とすることが凹凸
のない被膜を得るために好まれる。又、循環処理
液量を毎分処理液全量の3%未満とすると循環流
れが遅いため処理液中にSiO2の沈殿を生じたり、
フイルターのめづまりを起こしやすくなるなどの
欠点を生じる。処理液循環量は毎分処理液全量の
3%以上であることが必要であるが内でも毎分処
理液全量の6〜40%を循環させることが均一な被
膜を短時間で得るために好まれる。 上記処理液とシリコン基材とを接触させる方法
としてはシリコン基材表面に処理液を流下させる
等の接触方法であつてもかまわないが、処理液を
満たした浸漬槽にシリコン基材を浸漬する方法が
簡単でしかも均一な被膜が得られるので好まし
い。又処理槽内の処理液は浸漬中の基材に対して
層流となつて流れることが均一な被膜を得るため
に好まれる。 上記処理液とシリコン基材との接触により作製
された酸化珪素被膜はそのままの状態(未焼成)
で前記半導体被覆として使用することも出来る
が、400〜800℃の温度で焼成するとより強固な
(絶縁特性等の良好な)膜となる。800℃よりも高
い温度で焼成することは半導体素子中の不純物の
拡散などが起こる原因となり、又400℃よりも低
い温度では焼成による被膜の緻密化が顕著となら
ない。 e 実施例 30mm角、厚味0.5mmのシリコンウエハを7枚準
備し、このうち1枚についてはシラノールのアル
コール溶液(東京応化(株)製商品名O.C.D.液)をス
ピンコータを用い15秒間室温で塗布し、200℃で
30分間、500℃で30分間の焼成をして、シリコン
ウエハ上に1000ÅのSiO2膜を形成させた。更に
もう1枚のシリコンウエハについてはそのままの
状態で1000℃で1時間酸素圧1気圧下で加熱し、
ウエハの表面に酸化SiO2層を形成させた。 残5枚のシリコンウエハについては第1図に示
す浸漬槽に浸漬した。 第1図において浸漬槽は外槽1と内槽2から成
り、内槽と外槽の間には水3が満してある。この
水は温度が35℃となるようヒーター4で加熱さ
れ、かつ温度分布均一化のための撹拌器5で撹拌
されている。内槽は前部6、中部7、後部8から
成り、各部には工業用シリカゲル粉末を酸化珪素
の供給源として酸化珪素を溶解・飽和させた2.0
モル/の濃度の珪弗化水素酸水溶液を水を用い
て倍に希釈した3の反能液が満たしてある。こ
こでまず循環ポンプ10を作動させ内槽後部8の
反能液を一定量づつ汲出してフイルター11で濾
過し内槽前部6へ戻す処理液循環を開始した。 その後、0.5モル/のホウ酸水溶液12を連
続的に内槽後部8に摘下し10時間保持した。この
状態で反能液は適度なSiO2過飽和度を有する処
理液となつた。 ここでフイルター11の絶対除去率を1.5μm、
および処理液循環量を240ml/分(処理液全量が
約3であるので循環量は8%/分である)と設
定した。そして前記5枚のシリコンウエハ9を内
槽中部7に垂直に浸漬し、前記条件(0.5モル/
のホウ酸水溶液を0.2ml/分で添加し、8%/
分の循環をし、1.5μmのフイルターで濾過する。)
で約4時間保持してシリコンウエハ9上に約1200
Å厚の酸化珪素被膜を作成した。 次に得られた5枚のウエハのうち4枚のウエハ
をそれぞれ800℃、600℃、400℃、200℃の熱風循
環式焼成炉で30分間焼成した。又残る1枚は未焼
成とした。 ここでエツチング液として25℃、1モル/の
弗酸を使用した場合のこれら7種類のSiO2膜の
エツチングレートを測定した。結果は第1表に示
す通りであり、本発明により得られたSiO2膜は
エツチングレートにおいて塗布法よりもはるかに
すぐれ、又400℃以上の焼成温度で熱酸化SiO2に
近い値を有する。すなわち緻密な(絶縁性等の良
好な)SiO2膜となるということがわかる。 f 発明の効果 本発明によれば低い焼成温度において熱酸化法
による酸化珪素被膜と同等のエツチングレートの
被膜が得られる。ここでエツチングレートは酸化
珪素被膜の緻密さを表わすものであり、絶縁性等
を表わす尺度となりうるものである。低い焼成温
度で緻密な膜が得られることは、不純物の熱拡散
る方法に関し、特に任意形状の基材表面に加熱お
よび真空化等の手段を用いずに酸化珪素被膜を製
造する方法に関する。 b 従来技術 今日シリコン基材の表面を酸化珪素膜で被覆す
ることが広く行なわれている。中でもシリコンを
用いた半導体デババイスではMOS(Metal Oxide
Semiconductor)―LSI(Large Scale
Integration)に代表されるように、単結晶シリ
コンまたは多結晶シリコンのゲート電極の表面に
酸化珪素被膜(以下SiO2膜)を形成することは
極めて重要な技術となつている。その他特異な例
としては非晶質シリコン薄膜の光干渉効果を利用
した熱線反射ガラスも実用化されているが、ここ
でも上記シリコン薄膜の化学的・機械的特性の保
護のためにその表面にSiO2から成る保護膜を形
成することが試みられている。 このようなシリコン基材の表面にSiO2膜を形
成する方法としては、有機珪素の有機溶媒溶液を
用いたデイツピング法、シランガスを用いた
CVD法、または石英板をターゲツトとしたスパ
ツタ法などが知られている。しかしながらMOS
―LSIなどシリコンを用いた半導体デバイスで
は、SiO2膜の緻密性および電気的絶縁性の向上、
下地シリコンへの不純物混入防止、などの理由か
らクリーンにコントロールされた焼成炉にシリコ
ンウエハを入れて酸素を供給しつつ800゜〜1200℃
で加熱し、シリコンの表面を酸化してSiO2層と
する方法(いわゆる熱酸化法)が専ら用いられて
きた。 c 発明が解決しようとする問題点 しかしながら、近年集積度を高める必要性が
年々高まつてくるに伴つて熱酸化時に下地シリコ
ンへ混入する不純物(例えば酸素の量)が問題と
なつて来ている。そこで高圧下の酸素雰囲気中あ
るいは水蒸気雰囲気中で熱酸化するなどの低温酸
化法が上記欠点防止の目的で試みられたが熱的に
引起されるシリコンの汚染、結晶欠陥などは必ず
しも解決されなかつた。 更には近年集積度を高めるため薄い膜厚で絶縁
耐圧にすぐれたSiO2膜も求められている。すな
わちシリコン基体表面に低温で絶縁特性にすぐれ
た250Å以下のSiO2膜を形成する技術の出現が強
く望まれている。 本発明は、過度の加熱等を必要としない、絶縁
性等の特性の劣ることのないSiO2膜をシリコン
表面へ形成する方法を提供することをその目的と
する。 d 問題点を解決するための手段 本発明は上記問題点を解決するために酸化珪素
を溶解させた珪弗化水素酸水溶液にホウ酸を加え
て酸化珪素の過飽和状態とした処理液とシリコン
基材とを接触させてシリコン基材表面に酸化珪素
被膜を形成させた後、400〜800℃の温度で焼成す
る方法を用いている。 本発明において該処理液が、 (イ) シリコン基材との接触時においても連続的に
ホウ酸水溶液が添加、混合されている処理液で
あり、 (ロ) 1分間あたり処理液全量の3%以上の処理液
がフイルターで濾過され戻される処理液である
ことが均一な被膜を早く得るために好まれる。 本発明に使用される珪弗化水素酸水溶液の濃度
は1〜2モル/の範囲であるが、中でも2モ
ル/濃度以上の珪弗化水素酸水溶液に酸化珪素
を飽和した後水で稀釈して1〜2モル/の濃度
としたものが被膜形成速度が速く、効率良く被膜
形成が行なえるので好ましい。 酸化珪素を溶解させ飽和させた珪弗化水素酸水
溶液に添加するホウ酸量は珪弗化水素酸水溶液中
の珪弗化水素酸1モルに対して1×10-2〜40×
10-2モルの範囲であることが必要であり、中でも
1.2×10-2〜40×10-2モルであることが速く均質
な被膜を得るために好ましい。 又、処理液を上記循環処理液とするときには、
フイルターの孔径を1.5μm以下とすることが凹凸
のない被膜を得るために好まれる。又、循環処理
液量を毎分処理液全量の3%未満とすると循環流
れが遅いため処理液中にSiO2の沈殿を生じたり、
フイルターのめづまりを起こしやすくなるなどの
欠点を生じる。処理液循環量は毎分処理液全量の
3%以上であることが必要であるが内でも毎分処
理液全量の6〜40%を循環させることが均一な被
膜を短時間で得るために好まれる。 上記処理液とシリコン基材とを接触させる方法
としてはシリコン基材表面に処理液を流下させる
等の接触方法であつてもかまわないが、処理液を
満たした浸漬槽にシリコン基材を浸漬する方法が
簡単でしかも均一な被膜が得られるので好まし
い。又処理槽内の処理液は浸漬中の基材に対して
層流となつて流れることが均一な被膜を得るため
に好まれる。 上記処理液とシリコン基材との接触により作製
された酸化珪素被膜はそのままの状態(未焼成)
で前記半導体被覆として使用することも出来る
が、400〜800℃の温度で焼成するとより強固な
(絶縁特性等の良好な)膜となる。800℃よりも高
い温度で焼成することは半導体素子中の不純物の
拡散などが起こる原因となり、又400℃よりも低
い温度では焼成による被膜の緻密化が顕著となら
ない。 e 実施例 30mm角、厚味0.5mmのシリコンウエハを7枚準
備し、このうち1枚についてはシラノールのアル
コール溶液(東京応化(株)製商品名O.C.D.液)をス
ピンコータを用い15秒間室温で塗布し、200℃で
30分間、500℃で30分間の焼成をして、シリコン
ウエハ上に1000ÅのSiO2膜を形成させた。更に
もう1枚のシリコンウエハについてはそのままの
状態で1000℃で1時間酸素圧1気圧下で加熱し、
ウエハの表面に酸化SiO2層を形成させた。 残5枚のシリコンウエハについては第1図に示
す浸漬槽に浸漬した。 第1図において浸漬槽は外槽1と内槽2から成
り、内槽と外槽の間には水3が満してある。この
水は温度が35℃となるようヒーター4で加熱さ
れ、かつ温度分布均一化のための撹拌器5で撹拌
されている。内槽は前部6、中部7、後部8から
成り、各部には工業用シリカゲル粉末を酸化珪素
の供給源として酸化珪素を溶解・飽和させた2.0
モル/の濃度の珪弗化水素酸水溶液を水を用い
て倍に希釈した3の反能液が満たしてある。こ
こでまず循環ポンプ10を作動させ内槽後部8の
反能液を一定量づつ汲出してフイルター11で濾
過し内槽前部6へ戻す処理液循環を開始した。 その後、0.5モル/のホウ酸水溶液12を連
続的に内槽後部8に摘下し10時間保持した。この
状態で反能液は適度なSiO2過飽和度を有する処
理液となつた。 ここでフイルター11の絶対除去率を1.5μm、
および処理液循環量を240ml/分(処理液全量が
約3であるので循環量は8%/分である)と設
定した。そして前記5枚のシリコンウエハ9を内
槽中部7に垂直に浸漬し、前記条件(0.5モル/
のホウ酸水溶液を0.2ml/分で添加し、8%/
分の循環をし、1.5μmのフイルターで濾過する。)
で約4時間保持してシリコンウエハ9上に約1200
Å厚の酸化珪素被膜を作成した。 次に得られた5枚のウエハのうち4枚のウエハ
をそれぞれ800℃、600℃、400℃、200℃の熱風循
環式焼成炉で30分間焼成した。又残る1枚は未焼
成とした。 ここでエツチング液として25℃、1モル/の
弗酸を使用した場合のこれら7種類のSiO2膜の
エツチングレートを測定した。結果は第1表に示
す通りであり、本発明により得られたSiO2膜は
エツチングレートにおいて塗布法よりもはるかに
すぐれ、又400℃以上の焼成温度で熱酸化SiO2に
近い値を有する。すなわち緻密な(絶縁性等の良
好な)SiO2膜となるということがわかる。 f 発明の効果 本発明によれば低い焼成温度において熱酸化法
による酸化珪素被膜と同等のエツチングレートの
被膜が得られる。ここでエツチングレートは酸化
珪素被膜の緻密さを表わすものであり、絶縁性等
を表わす尺度となりうるものである。低い焼成温
度で緻密な膜が得られることは、不純物の熱拡散
【表】
の点で非常に有利となるものである。又本発明は
種々の形状の(大面積、曲面等の)シリコン表面
に均一な被膜を製造することができる熱酸化法と
同様の利点を有す。
種々の形状の(大面積、曲面等の)シリコン表面
に均一な被膜を製造することができる熱酸化法と
同様の利点を有す。
第1図は本発明の実施例に使用した循環式処理
装置の系統説明図である。 1……外槽、2……内槽、3……水、4……ヒ
ーター、5……撹拌器、6……内槽前部、7……
内槽中部、8……内槽後部、9……シリコンウエ
ハ、10……循環ポンプ、11……フイルター、
12……ホウ酸水溶液。
装置の系統説明図である。 1……外槽、2……内槽、3……水、4……ヒ
ーター、5……撹拌器、6……内槽前部、7……
内槽中部、8……内槽後部、9……シリコンウエ
ハ、10……循環ポンプ、11……フイルター、
12……ホウ酸水溶液。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 酸化珪素を溶解させた珪弗化水素酸水溶液に
ホウ酸を加えて酸化珪素の過飽和状態とした処理
液とシリコン基材とを接触させてシリコン基材表
面に酸化珪素被膜を形成させた後、400〜800℃の
温度で焼成することを特徴とするシリコン基材表
面に酸化珪素被膜を形成させる方法。 2 該処理液が (イ) シリコン基材との接触時においても連続的に
ホウ酸水溶液が添加、混合されている処理液で
あり、 (ロ) 1分間あたり処理液全量の3%以上の処理液
がフイルターで濾過され戻される処理液である
特許請求の範囲第1項記載のシリコン基材表面
に酸化珪素被膜を形成させる方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59132700A JPS6112034A (ja) | 1984-06-27 | 1984-06-27 | シリコン基材表面に酸化珪素被膜を形成させる方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59132700A JPS6112034A (ja) | 1984-06-27 | 1984-06-27 | シリコン基材表面に酸化珪素被膜を形成させる方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6112034A JPS6112034A (ja) | 1986-01-20 |
JPH0127574B2 true JPH0127574B2 (ja) | 1989-05-30 |
Family
ID=15087506
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP59132700A Granted JPS6112034A (ja) | 1984-06-27 | 1984-06-27 | シリコン基材表面に酸化珪素被膜を形成させる方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6112034A (ja) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5278104A (en) * | 1989-07-25 | 1994-01-11 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor wafer carrier having a dust cover |
JP2515042B2 (ja) * | 1990-07-05 | 1996-07-10 | 株式会社東芝 | E▲上2▼prom装置 |
JPH05259154A (ja) * | 1992-03-04 | 1993-10-08 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP2600600B2 (ja) * | 1993-12-21 | 1997-04-16 | 日本電気株式会社 | 研磨剤とその製法及びそれを用いた半導体装置の製造方法 |
JP4753080B2 (ja) * | 2005-12-21 | 2011-08-17 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | レーザ加工用シリカガラス |
CN113321216B (zh) * | 2021-06-22 | 2023-09-22 | 中国地质科学院郑州矿产综合利用研究所 | 一种利用石英脉型钨废石制备高纯石英的方法 |
-
1984
- 1984-06-27 JP JP59132700A patent/JPS6112034A/ja active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS6112034A (ja) | 1986-01-20 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US4708884A (en) | Low temperature deposition of silicon oxides for device fabrication | |
KR100532239B1 (ko) | 고피에이치에서의 나노 다공성 유전필름 제조방법 | |
US3158505A (en) | Method of placing thick oxide coatings on silicon and article | |
JPH0127574B2 (ja) | ||
JP4527449B2 (ja) | 熱処理チャンバの為のシリンダ | |
US4972251A (en) | Multilayer glass passivation structure and method for forming the same | |
JPS58117A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2001287910A (ja) | 多孔質ケイ素酸化物塗膜の製造方法 | |
Horowitz et al. | Towards better control of sol-gel film processing for optical device applications | |
JPH11145130A (ja) | 低誘電率の電子被膜 | |
KR100234000B1 (ko) | 피제트티 박막 및 그 제조방법 | |
US3183131A (en) | Semiconductor diffusion method | |
WO2003028097A1 (fr) | Procede de production de dispositif semiconducteur | |
JP3079535B2 (ja) | 半導体薄膜の製造方法 | |
US4379006A (en) | B2 O3 Diffusion processes | |
JP2001053224A (ja) | 薄膜キャパシタおよびその製造方法 | |
KR100304338B1 (ko) | 반도체열처리장치용석영글라스지그및그제조방법 | |
KOZUKA et al. | Effect of the amount of water for hydrolysis on cracking and stress evolution in alkoxide-derived sol-gel silica coating films | |
JP2505809B2 (ja) | 二酸化珪素被膜の製造方法 | |
JPH03179740A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP2752968B2 (ja) | シリカ系被膜の形成法 | |
JPS59227128A (ja) | 半導体基体の酸化法 | |
JPH05152236A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPS61502716A (ja) | シリコン酸化物領域を有するデバイスの製作 | |
JPH09249673A (ja) | シリカ被膜形成用水溶液及びシリカ被膜の形成方法 |