JPH01265605A - 多段出力制御装置 - Google Patents
多段出力制御装置Info
- Publication number
- JPH01265605A JPH01265605A JP9414688A JP9414688A JPH01265605A JP H01265605 A JPH01265605 A JP H01265605A JP 9414688 A JP9414688 A JP 9414688A JP 9414688 A JP9414688 A JP 9414688A JP H01265605 A JPH01265605 A JP H01265605A
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- 230000005669 field effect Effects 0.000 claims description 10
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 6
- 238000013459 approach Methods 0.000 claims description 3
- 230000003321 amplification Effects 0.000 claims description 2
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 claims description 2
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 abstract description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 abstract 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Amplifiers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明はＦＥＴ（電界効果トランジスタ〕を用いた高周
波電力増幅器において高周波出力を多段制御する多段出
力制御装置に関するものである。
波電力増幅器において高周波出力を多段制御する多段出
力制御装置に関するものである。
従来の技術
従来の多段出力制御装置は第５図に示すように構成され
ている。Ａから入力された高周波入力は。
ている。Ａから入力された高周波入力は。
ＦＥＴを増幅素子とした高周波電力増幅器１により所定
の大きさに増幅され、高周波電力検出装置２を通り出力
Ｂより出力される。このとき高周波電力検出装置２は１
通過する高周波電力量に応じ一定の比率で高周波電力を
分岐して出力する。この分岐された高周波電力は検波器
３により直流電圧に変換される一基準電圧発生装置４は
出力制御信号５に応じて基準電圧を発生する。電圧比較
器６は検波器３からの直流電圧と基準電圧発生装置４の
出力に発生した基準電圧とを比較しドレイン電圧制御信
号７を発生する。ドレイン電圧制御装置８はドレイン電
圧制御信号７に応じて出力電圧９を発生し、高周波電力
増幅器１のＦＥＴのドレインに印加する。ゲート電圧発
生装置ｌＯは高周波電力増幅器１のＦＥＴのゲートに印
加するゲートバイアス電圧１１を発生する。このように
構成したため、出力制御信号５を可変することによって
出力Ｂに発生する高周波電力を可変できる。
の大きさに増幅され、高周波電力検出装置２を通り出力
Ｂより出力される。このとき高周波電力検出装置２は１
通過する高周波電力量に応じ一定の比率で高周波電力を
分岐して出力する。この分岐された高周波電力は検波器
３により直流電圧に変換される一基準電圧発生装置４は
出力制御信号５に応じて基準電圧を発生する。電圧比較
器６は検波器３からの直流電圧と基準電圧発生装置４の
出力に発生した基準電圧とを比較しドレイン電圧制御信
号７を発生する。ドレイン電圧制御装置８はドレイン電
圧制御信号７に応じて出力電圧９を発生し、高周波電力
増幅器１のＦＥＴのドレインに印加する。ゲート電圧発
生装置ｌＯは高周波電力増幅器１のＦＥＴのゲートに印
加するゲートバイアス電圧１１を発生する。このように
構成したため、出力制御信号５を可変することによって
出力Ｂに発生する高周波電力を可変できる。
第６図は第５図の高周波電力増幅器１のドレイン電圧と
高周波出力電力およびドレイン電流の関係を表わし、１
２は高周波出力電力の曲線、１３はドレイン電流曲線で
ある。ここでゲートバイアス電圧および高周波入力電力
は一定である。
高周波出力電力およびドレイン電流の関係を表わし、１
２は高周波出力電力の曲線、１３はドレイン電流曲線で
ある。ここでゲートバイアス電圧および高周波入力電力
は一定である。
発明が解決しようとする課題
このような従来の構成では、ドレイン電圧を制御して高
周波出力電力を小さくしてゆくと、ドレイン電流がある
一定値以下には下がらなくなり、無効なドレイン電流が
高周波電力増幅器１において消費されるという問題があ
る。
周波出力電力を小さくしてゆくと、ドレイン電流がある
一定値以下には下がらなくなり、無効なドレイン電流が
高周波電力増幅器１において消費されるという問題があ
る。
本発明は高周波出力電力を制御する際に発生する無効な
ドレイン電流を抑圧できる多段出力制御＃Ａ置を提供す
ることを目的とする。
ドレイン電流を抑圧できる多段出力制御＃Ａ置を提供す
ることを目的とする。
課題を解決するための手段
本発明の多段出力制御装置は、電界効果トランジスタを
増幅素子とした高周波電力増幅器の高周波出力を検出し
、この検出電力を検波した検出信号レベルと目標の出力
電力を指示する出力制御信号に応じた基準信号レベルと
を比較し、検出信号レベルが基準信号レベルに近づくよ
う前記電界効果トランジスタのドレイン電圧を制御する
ように構成し、かつ前記電界効果トランジスタのゲート
電圧を前記出力の制御信号に応じて変更するゲート電圧
可変手段を設けたことを特徴とする。
増幅素子とした高周波電力増幅器の高周波出力を検出し
、この検出電力を検波した検出信号レベルと目標の出力
電力を指示する出力制御信号に応じた基準信号レベルと
を比較し、検出信号レベルが基準信号レベルに近づくよ
う前記電界効果トランジスタのドレイン電圧を制御する
ように構成し、かつ前記電界効果トランジスタのゲート
電圧を前記出力の制御信号に応じて変更するゲート電圧
可変手段を設けたことを特徴とする。
作用
この構成によると、制御信号に応じて高周波電力増幅器
のＦＥＴのドレイン電圧を変更するとともに、ゲート電
圧可変手段によって前記ＦＥＴのゲート電圧も変更して
高周波電力増幅器に流れる無効なドレイン電流を抑圧す
る。
のＦＥＴのドレイン電圧を変更するとともに、ゲート電
圧可変手段によって前記ＦＥＴのゲート電圧も変更して
高周波電力増幅器に流れる無効なドレイン電流を抑圧す
る。
実施例
以下１本発明の実施例を第１図〜第４図に基づいて説明
する。なお、従来例を示す第５図と同様の作用をなすも
のには同一の符号を付けて説明する。
する。なお、従来例を示す第５図と同様の作用をなすも
のには同一の符号を付けて説明する。
第１図は本発明の多段出力制御装置を示し、高周波電力
増幅器１とゲート電圧発生装置ＩＯの間に、ゲート電圧
制御手段としての可変アッテネータ１４が介装されてい
る点だけが第５図とは異なっており、可変アッテネータ
１４は出力制御信号５によって可変される。
増幅器１とゲート電圧発生装置ＩＯの間に、ゲート電圧
制御手段としての可変アッテネータ１４が介装されてい
る点だけが第５図とは異なっており、可変アッテネータ
１４は出力制御信号５によって可変される。
第２図は（ａ）が可変アッテネータ１４の減衰特性。
（ｂ）がゲートバイアス電圧特性、（Ｃ）がゲートバイ
アス電圧制御後の高周波電力増幅器１における高周波電
力出力特性１５とドレイン電流特性１６を表わす。
アス電圧制御後の高周波電力増幅器１における高周波電
力出力特性１５とドレイン電流特性１６を表わす。
次に上記実施例の動作について説明する。電圧比較器６
は検波器３からの直流電圧と基準電圧を比較してドレイ
ン電圧制御信号７をドレイン電圧制御装置８に印加する
。これによって出力制御信号５に応じて高周波電力増幅
器１のＦＥＴのドレインに印加されるドレイン電圧が決
定される。ゲート電圧発生装置１０より出力された直流
電圧は、可変アッテネータ１４により減衰されて高周波
電力増幅器１のＦＥＴのゲートへ印加される。このとき
可変アッテネータ１４は出力制御信号５により減衰量が
制御されており、その特性は第２図（ａ）に示すように
なる。したがってゲートへ印加されるゲートバイアス電
圧は第２図（ｂ）に示すように多段階に変化し、高周波
電力増幅器１の出力電力とドレイン電流がそれぞれ第２
図（ｃ）に示すように変化して、高周波出力電力を小さ
くした場合に生ずる無効なドレイン電流が抑圧されてい
ることがわかる。
は検波器３からの直流電圧と基準電圧を比較してドレイ
ン電圧制御信号７をドレイン電圧制御装置８に印加する
。これによって出力制御信号５に応じて高周波電力増幅
器１のＦＥＴのドレインに印加されるドレイン電圧が決
定される。ゲート電圧発生装置１０より出力された直流
電圧は、可変アッテネータ１４により減衰されて高周波
電力増幅器１のＦＥＴのゲートへ印加される。このとき
可変アッテネータ１４は出力制御信号５により減衰量が
制御されており、その特性は第２図（ａ）に示すように
なる。したがってゲートへ印加されるゲートバイアス電
圧は第２図（ｂ）に示すように多段階に変化し、高周波
電力増幅器１の出力電力とドレイン電流がそれぞれ第２
図（ｃ）に示すように変化して、高周波出力電力を小さ
くした場合に生ずる無効なドレイン電流が抑圧されてい
ることがわかる。
上記実施例では出力制御信号５によってゲート電圧可変
手段の減衰量を直接に制御したが、これは第３図に示す
ようにゲート電圧可変手段をドレイン電圧に応じて制御
しても同様である。
手段の減衰量を直接に制御したが、これは第３図に示す
ようにゲート電圧可変手段をドレイン電圧に応じて制御
しても同様である。
第３図の例では、ゲートバイアス電圧を制御するゲート
電圧可変手段として電子ボリューム１７を用い、この電
子ボリューム１７の減衰比を、ドレイン電圧制御装置８
の出力電圧９を電圧変換器１８により適切な値に変換し
て使用している。このときの電子ボリューム１７の減衰
特性は第４図（ａ）に示すようになる。したがってゲー
トへ印加されるゲートバイアス電圧は第４図（ｂ）に示
すようになだらかに変化する。このときの高周波電力増
幅器１の出力電力とドレイン電流はそれぞれ第４図（Ｃ
）に示す１５．１６のように、ドレイン電圧に従って変
化し、トレイン電圧により連続的に制御され、更に細い
高周波出力制御が可能であり、無効となるドレイン電圧
も抑圧できる。
電圧可変手段として電子ボリューム１７を用い、この電
子ボリューム１７の減衰比を、ドレイン電圧制御装置８
の出力電圧９を電圧変換器１８により適切な値に変換し
て使用している。このときの電子ボリューム１７の減衰
特性は第４図（ａ）に示すようになる。したがってゲー
トへ印加されるゲートバイアス電圧は第４図（ｂ）に示
すようになだらかに変化する。このときの高周波電力増
幅器１の出力電力とドレイン電流はそれぞれ第４図（Ｃ
）に示す１５．１６のように、ドレイン電圧に従って変
化し、トレイン電圧により連続的に制御され、更に細い
高周波出力制御が可能であり、無効となるドレイン電圧
も抑圧できる。
発明の効果
以上のように本発明によると、電界効果トランジスタを
増幅素子とした高周波電力増幅器の高周波出力を検出し
た検出信号レベルと目標の出力電力を指示する出力制御
信号に応じた基準信号レベルとを比較し、検出信号レベ
ルが基準信号レベルに近づくよう前記電界効果トランジ
スタのドレイン電圧を制御するように構成し、かつゲー
ト電圧可変手段を設けて、前記電界効果トランジスタの
ゲート電圧をドレイン電圧とともに変更するため、′多
段にわたって高周波電力出力量を制御することができ、
しかも無効となるドレイン電流を容易に抑圧できるもの
である。
増幅素子とした高周波電力増幅器の高周波出力を検出し
た検出信号レベルと目標の出力電力を指示する出力制御
信号に応じた基準信号レベルとを比較し、検出信号レベ
ルが基準信号レベルに近づくよう前記電界効果トランジ
スタのドレイン電圧を制御するように構成し、かつゲー
ト電圧可変手段を設けて、前記電界効果トランジスタの
ゲート電圧をドレイン電圧とともに変更するため、′多
段にわたって高周波電力出力量を制御することができ、
しかも無効となるドレイン電流を容易に抑圧できるもの
である。
第１図は本発明の多段出力制御装置の一実施例のブロッ
ク図、第２図は同装置の要部特性図、第３図は本発明の
他の実施例のブロック図、第４図は同装置の要部特性図
、第５図は従来の多段出力制御装置のブロック図、第６
図は同装置の要部特性図である。 １・・・高周波電力増幅器、２・・・高周波電力検出装
置、３・・・検波器、４・・・基準電圧発生装置、５・
・・出力制御信号、６・・・電圧比較器、８・・・ドレ
イン電圧制御装置、ＩＯ・・・ゲート電圧発生装置、１
４・・・可変アッテネータ〔ゲート電圧可変手段〕、１
７・・・電子ボリュｉム〔ゲート電圧可変手段〕。 代理人 森 本 義 弘 づ 祷ａ←Ｑ ３ ｃｃｌｌ； 媚１ｉｉｉｖ＜５ − 一 と 打２図 く ＾唯ｉｉ％ ＜Ｒ 第４図 ドル４２℃圧ＥＶ） 、Ｃこ ニ ー務（ｑ ″ ８３図 １２ 高ぼＶ皮Ｊ気力υ ドレ４ン電圧 ｆｆ）
ク図、第２図は同装置の要部特性図、第３図は本発明の
他の実施例のブロック図、第４図は同装置の要部特性図
、第５図は従来の多段出力制御装置のブロック図、第６
図は同装置の要部特性図である。 １・・・高周波電力増幅器、２・・・高周波電力検出装
置、３・・・検波器、４・・・基準電圧発生装置、５・
・・出力制御信号、６・・・電圧比較器、８・・・ドレ
イン電圧制御装置、ＩＯ・・・ゲート電圧発生装置、１
４・・・可変アッテネータ〔ゲート電圧可変手段〕、１
７・・・電子ボリュｉム〔ゲート電圧可変手段〕。 代理人 森 本 義 弘 づ 祷ａ←Ｑ ３ ｃｃｌｌ； 媚１ｉｉｉｖ＜５ − 一 と 打２図 く ＾唯ｉｉ％ ＜Ｒ 第４図 ドル４２℃圧ＥＶ） 、Ｃこ ニ ー務（ｑ ″ ８３図 １２ 高ぼＶ皮Ｊ気力υ ドレ４ン電圧 ｆｆ）
Claims (1)
- １、電界効果トランジスタを増幅素子とした高周波電力
増幅器の高周波出力を検出し、この検出電力を検波した
検出信号レベルと目標の出力電力を指示する出力制御信
号に応じた基準信号レベルとを比較し、検出信号レベル
が基準信号レベルに近づくよう前記電界効果トランジス
タのドレイン電圧を制御するように構成し、かつ前記電
界効果トランジスタのゲート電圧を前記出力制御信号ま
たは前記ドレイン電圧に応じて変更するゲート電圧可変
手段を設けた多段出力制御装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9414688A JPH01265605A (ja) | 1988-04-15 | 1988-04-15 | 多段出力制御装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9414688A JPH01265605A (ja) | 1988-04-15 | 1988-04-15 | 多段出力制御装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01265605A true JPH01265605A (ja) | 1989-10-23 |
Family
ID=14102242
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9414688A Pending JPH01265605A (ja) | 1988-04-15 | 1988-04-15 | 多段出力制御装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01265605A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07273560A (ja) * | 1994-04-01 | 1995-10-20 | Nec Corp | 高周波増幅器 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62274906A (ja) * | 1986-05-23 | 1987-11-28 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 高周波増幅器 |
-
1988
- 1988-04-15 JP JP9414688A patent/JPH01265605A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62274906A (ja) * | 1986-05-23 | 1987-11-28 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 高周波増幅器 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07273560A (ja) * | 1994-04-01 | 1995-10-20 | Nec Corp | 高周波増幅器 |
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