JPH01246107A - 超電導薄膜 - Google Patents
超電導薄膜Info
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- JPH01246107A JPH01246107A JP63071633A JP7163388A JPH01246107A JP H01246107 A JPH01246107 A JP H01246107A JP 63071633 A JP63071633 A JP 63071633A JP 7163388 A JP7163388 A JP 7163388A JP H01246107 A JPH01246107 A JP H01246107A
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- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 23
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims abstract description 9
- 238000000137 annealing Methods 0.000 abstract description 9
- 239000000843 powder Substances 0.000 abstract description 9
- 239000000203 mixture Substances 0.000 abstract description 7
- 239000013077 target material Substances 0.000 abstract description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 abstract description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003139 buffering effect Effects 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000035484 reaction time Effects 0.000 description 1
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、薄膜改質処理のための焼鈍時に割れ発生の
ない超電導薄膜に関するものである。
ない超電導薄膜に関するものである。
従来、超電導薄膜が、例えばY、Sc、あるいは希土類
元素と、アルカリ土類金属と、Cuの複合酸化物を主体
とする超電導セラミックスをターゲツト材として用い、
スパッタリング法や物理蒸る変質層が存在するので、こ
れを改質する目的で、これに酸素含有雰囲気中、800
〜950℃の範囲内の所定温度に所定時間(通常1時間
)保持の条件で焼鈍を施すことによって形成されること
はよく知られるところである。
元素と、アルカリ土類金属と、Cuの複合酸化物を主体
とする超電導セラミックスをターゲツト材として用い、
スパッタリング法や物理蒸る変質層が存在するので、こ
れを改質する目的で、これに酸素含有雰囲気中、800
〜950℃の範囲内の所定温度に所定時間(通常1時間
)保持の条件で焼鈍を施すことによって形成されること
はよく知られるところである。
しかし、上記の従来法によって形成された超電導薄膜に
おいては、基体と薄膜の熱膨張係数が異ることに原因し
て、焼鈍時に割れが発生し易く、生産歩留の低いものと
なっている。
おいては、基体と薄膜の熱膨張係数が異ることに原因し
て、焼鈍時に割れが発生し易く、生産歩留の低いものと
なっている。
そこで、本発明者等は、上述のような観点から、焼鈍時
に割れ発生のない超電導薄膜を形成すべく研究を行なっ
た結果、超電導薄膜中に、分離遊離用の形で、Cu酸化
物(以下CuOで示す)およびBa酸化物(以下BaO
で示す)のうちのいずれか、あるいは両方を分布せしめ
ると、これらの分離遊離相が緩衝材として働き、基体と
薄膜の熱膨張係数の相異にもとづく割れ発生応力を十分
に吸収することから、焼鈍時に薄膜に割れが発生するこ
とがなくなるという知見を得たのである。
に割れ発生のない超電導薄膜を形成すべく研究を行なっ
た結果、超電導薄膜中に、分離遊離用の形で、Cu酸化
物(以下CuOで示す)およびBa酸化物(以下BaO
で示す)のうちのいずれか、あるいは両方を分布せしめ
ると、これらの分離遊離相が緩衝材として働き、基体と
薄膜の熱膨張係数の相異にもとづく割れ発生応力を十分
に吸収することから、焼鈍時に薄膜に割れが発生するこ
とがなくなるという知見を得たのである。
この発明は、上記知見にもとづいてなされたものであっ
て、超電導セラミックスの素地に、遊離CuOおよび遊
離BaOのうちのいずれか、あるいは両方を0,1〜8
容量%の割合で分散分布せしめて、焼鈍時の割れ発生を
抑制した超電導薄膜に特徴を有するものである。
て、超電導セラミックスの素地に、遊離CuOおよび遊
離BaOのうちのいずれか、あるいは両方を0,1〜8
容量%の割合で分散分布せしめて、焼鈍時の割れ発生を
抑制した超電導薄膜に特徴を有するものである。
なお、この発明の超電導薄膜において、CuOおよびB
aOの分布割合を0.1〜8容量%に限定したのは、そ
の割合が0.1容量%未満では緩衝作用が弱く、割れ発
生を完全に抑制することができず、一方その割合が8容
量%を越えると、薄膜の超電導特性が低下するようにな
るという理由によるものである。
aOの分布割合を0.1〜8容量%に限定したのは、そ
の割合が0.1容量%未満では緩衝作用が弱く、割れ発
生を完全に抑制することができず、一方その割合が8容
量%を越えると、薄膜の超電導特性が低下するようにな
るという理由によるものである。
つぎに、この発明の超電導薄膜を実施例により具体的に
説明する。
説明する。
原料粉末として、それぞれ5間の平均粒径を有し、かつ
第1表に示される組成の超電導セラミックス粉末、Cu
○粉末、およびBaO粉末を用意し、これら原料粉末を
第1表に示される配合組成に配合し、混合した後、圧粉
体に成形し、これを大気中、850〜1000℃の範囲
内の所定温度に3時間保持の条件で焼結して、直径:
100 mmX厚さ55mmの寸法を有し、かつ配合組
成と実質的に同一・の組成を有し、遊離CuOおよび遊
離BaOが超電導セラミックス素地中に分散分布した組
織のターゲツト材を成形し、ついで、これらのターゲツ
ト材を用い、スパッタリング法にて、高周波電力+ 2
00 W。
第1表に示される組成の超電導セラミックス粉末、Cu
○粉末、およびBaO粉末を用意し、これら原料粉末を
第1表に示される配合組成に配合し、混合した後、圧粉
体に成形し、これを大気中、850〜1000℃の範囲
内の所定温度に3時間保持の条件で焼結して、直径:
100 mmX厚さ55mmの寸法を有し、かつ配合組
成と実質的に同一・の組成を有し、遊離CuOおよび遊
離BaOが超電導セラミックス素地中に分散分布した組
織のターゲツト材を成形し、ついで、これらのターゲツ
ト材を用い、スパッタリング法にて、高周波電力+ 2
00 W。
雰囲気圧力=5刈0””3torr、
A r / 02 :容量比で3/1、ターゲツト材と
基板間の距離: 90mm。
基板間の距離: 90mm。
基 板: 10mm X 10mmの平面寸法を有
するMgO(100)重重結晶、 基板温度二650℃、 反応時間二8時間、 の条件で膜厚・2μsの薄膜を形成し、引続いてこの薄
膜に、酸素ガス気流中、温度:91O℃に1時間保持の
条件で焼鈍を施すことによって、第1表に示される成分
組成を有し、かつ超電導セラミックスの素地に、遊離C
uOおよび遊離BaOのうちのいずれか、あるいは両方
が分布した組織を有する本発明超電導薄膜1〜9をそれ
ぞれ形成した。
するMgO(100)重重結晶、 基板温度二650℃、 反応時間二8時間、 の条件で膜厚・2μsの薄膜を形成し、引続いてこの薄
膜に、酸素ガス気流中、温度:91O℃に1時間保持の
条件で焼鈍を施すことによって、第1表に示される成分
組成を有し、かつ超電導セラミックスの素地に、遊離C
uOおよび遊離BaOのうちのいずれか、あるいは両方
が分布した組織を有する本発明超電導薄膜1〜9をそれ
ぞれ形成した。
また、比較の目的で、ターゲツト材の製造時にCuO粉
末およびBaO粉末を配合しない以外は同一の条件で、
すなわち遊離CuOおよび遊離BaOが存在せず、超電
導セラミックスのみからなる従来超電導薄膜1〜5をそ
れぞれ形成した。
末およびBaO粉末を配合しない以外は同一の条件で、
すなわち遊離CuOおよび遊離BaOが存在せず、超電
導セラミックスのみからなる従来超電導薄膜1〜5をそ
れぞれ形成した。
つぎに、この結果得られた各種の超電導薄膜について、
割れ発生の有無を観察し、さらに臨界電流値(J c)
と臨界温度(Tc)を測定し、第1表に示した。
割れ発生の有無を観察し、さらに臨界電流値(J c)
と臨界温度(Tc)を測定し、第1表に示した。
第1表に示される結果から明らかなように、本発明超電
導薄膜1〜9は、いずれもすぐれた超電導特性を示し、
かつ遊離CuOおよび遊離BaOの存在によって割れの
発生が皆無であるのに対して、従来超電導薄膜1〜5に
おいては、いずれも割れが発生しており、実用に供する
ことができないものであった。
導薄膜1〜9は、いずれもすぐれた超電導特性を示し、
かつ遊離CuOおよび遊離BaOの存在によって割れの
発生が皆無であるのに対して、従来超電導薄膜1〜5に
おいては、いずれも割れが発生しており、実用に供する
ことができないものであった。
上述のように、この発明の超電導薄膜は、すぐれた超電
導特性を保持した状態で、焼鈍後に割れ発生がなく、生
産歩留の向上に寄与するところ大なるものである。
導特性を保持した状態で、焼鈍後に割れ発生がなく、生
産歩留の向上に寄与するところ大なるものである。
Claims (1)
- (1)超電導セラミックスの素地に、遊離Cu酸化物お
よび遊離Ba酸化物のうちのいずれか、あるいは両方を
0.1〜8容量%の割合で分散分布せしめてなる超電導
薄膜。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63071633A JPH01246107A (ja) | 1988-03-25 | 1988-03-25 | 超電導薄膜 |
EP89105239A EP0334352B1 (en) | 1988-03-25 | 1989-03-23 | Superconductive Strip containing internal stressabsorber |
DE68915592T DE68915592T2 (de) | 1988-03-25 | 1989-03-23 | Supraleitender Streifen mit internem Stressabsorber. |
KR1019890003741A KR950001764B1 (ko) | 1988-03-25 | 1989-03-24 | 초전도박막 |
US07/328,653 US4929597A (en) | 1988-03-25 | 1989-03-27 | Superconductor containing internal stress absorber |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63071633A JPH01246107A (ja) | 1988-03-25 | 1988-03-25 | 超電導薄膜 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01246107A true JPH01246107A (ja) | 1989-10-02 |
Family
ID=13466248
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63071633A Pending JPH01246107A (ja) | 1988-03-25 | 1988-03-25 | 超電導薄膜 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4929597A (ja) |
EP (1) | EP0334352B1 (ja) |
JP (1) | JPH01246107A (ja) |
KR (1) | KR950001764B1 (ja) |
DE (1) | DE68915592T2 (ja) |
Families Citing this family (5)
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---|---|---|---|---|
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US5445308A (en) * | 1993-03-29 | 1995-08-29 | Nelson; Richard D. | Thermally conductive connection with matrix material and randomly dispersed filler containing liquid metal |
US5328087A (en) * | 1993-03-29 | 1994-07-12 | Microelectronics And Computer Technology Corporation | Thermally and electrically conductive adhesive material and method of bonding with same |
JP3881732B2 (ja) * | 1996-10-16 | 2007-02-14 | 財団法人国際超電導産業技術研究センター | 酸化物超電導体複合体の製造方法 |
US6866128B2 (en) * | 2003-02-20 | 2005-03-15 | Bellsouth Intellectual Property Corporation | Retractable anti-static devices and methods of using same |
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---|---|---|---|---|
JPS60181964A (ja) * | 1984-02-29 | 1985-09-17 | Fujitsu Ltd | 精算データ集計装置 |
JPS6198660A (ja) * | 1984-10-12 | 1986-05-16 | M K Seikou Kk | 洗車場システム |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4952554A (en) * | 1987-04-01 | 1990-08-28 | At&T Bell Laboratories | Apparatus and systems comprising a clad superconductive oxide body, and method for producing such body |
EP0301689B1 (en) * | 1987-07-27 | 1993-09-29 | Ovonic Synthetic Materials Company, Inc. | Method of stabilizing high tc superconducting material and the material so stabilized |
-
1988
- 1988-03-25 JP JP63071633A patent/JPH01246107A/ja active Pending
-
1989
- 1989-03-23 EP EP89105239A patent/EP0334352B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1989-03-23 DE DE68915592T patent/DE68915592T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1989-03-24 KR KR1019890003741A patent/KR950001764B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1989-03-27 US US07/328,653 patent/US4929597A/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60181964A (ja) * | 1984-02-29 | 1985-09-17 | Fujitsu Ltd | 精算データ集計装置 |
JPS6198660A (ja) * | 1984-10-12 | 1986-05-16 | M K Seikou Kk | 洗車場システム |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE68915592D1 (de) | 1994-07-07 |
KR950001764B1 (ko) | 1995-02-28 |
EP0334352B1 (en) | 1994-06-01 |
DE68915592T2 (de) | 1994-09-15 |
EP0334352A3 (en) | 1989-11-29 |
US4929597A (en) | 1990-05-29 |
EP0334352A2 (en) | 1989-09-27 |
KR890015438A (ko) | 1989-10-30 |
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