JPH01230417A - タングステンカーバイトの製造方法 - Google Patents
タングステンカーバイトの製造方法Info
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- JPH01230417A JPH01230417A JP63057301A JP5730188A JPH01230417A JP H01230417 A JPH01230417 A JP H01230417A JP 63057301 A JP63057301 A JP 63057301A JP 5730188 A JP5730188 A JP 5730188A JP H01230417 A JPH01230417 A JP H01230417A
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
- C23C16/32—Carbides
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は、機械部品、切削工具等に耐摩耗性を与え、耐
久性の大幅な向上が図れる硬質膜、特に、このうちでも
最も硬度等の物性に優れているとされているタングステ
ンカーバイト膜の製造方法に関する。
久性の大幅な向上が図れる硬質膜、特に、このうちでも
最も硬度等の物性に優れているとされているタングステ
ンカーバイト膜の製造方法に関する。
1従来技術]
従来より切削工具等への硬質膜の形成方法としては耐熱
性金属、例えば、タングステン、モリブデンあるいはチ
タン等の炭化物膜をプラズマあるいは火炎溶射により形
成する方法が知られている。
性金属、例えば、タングステン、モリブデンあるいはチ
タン等の炭化物膜をプラズマあるいは火炎溶射により形
成する方法が知られている。
これらの方法では基材に稠密に密着させることができず
、所期の目的を十分に達成することは困難であった。こ
れに対して化学蒸着法(CVD)によれば高い密度(は
ぼ理論密度)の膜が形成でき、しかも基材に対する密着
性が極めて優れておリ、種々検討されている。このうち
、耐摩耗性等の物性が特に優れているタングステンカー
バイト膜のCVDによる形成方法については、6フン化
タングステン、−酸化炭素および水素を400℃以上、
好ましくは600〜1000℃の範囲で化学蒸着させW
2Cの形態のタングステンカーバイト膜を得る方法(米
国特許第3574672号)、あるいは、6フノ化タン
グステン、水素およびヘンゼンのような炭化水素からな
るガス状混合物を400〜1000℃の範囲で化学蒸着
することにより、WCあるいはW2Cの形態のタングス
テンカーバイト膜の形成方法(英国特許第132676
9号)等が知られている。
、所期の目的を十分に達成することは困難であった。こ
れに対して化学蒸着法(CVD)によれば高い密度(は
ぼ理論密度)の膜が形成でき、しかも基材に対する密着
性が極めて優れておリ、種々検討されている。このうち
、耐摩耗性等の物性が特に優れているタングステンカー
バイト膜のCVDによる形成方法については、6フン化
タングステン、−酸化炭素および水素を400℃以上、
好ましくは600〜1000℃の範囲で化学蒸着させW
2Cの形態のタングステンカーバイト膜を得る方法(米
国特許第3574672号)、あるいは、6フノ化タン
グステン、水素およびヘンゼンのような炭化水素からな
るガス状混合物を400〜1000℃の範囲で化学蒸着
することにより、WCあるいはW2Cの形態のタングス
テンカーバイト膜の形成方法(英国特許第132676
9号)等が知られている。
これらの方法においては、いずれも反応温度が高いため
、基材の金属材料に好ましくない影響を与え、得られる
硬質膜形成金属材料は精密材料等への使用が制限される
等の問題があった。これに対して、比較的低温でのタン
グステンカーバイト膜の形成方法が提案されており、特
公昭62−15484号には6フノ化タングステン、芳
香族炭化水素および水素からなるガス状混合物を、タン
グステンのカーボンに対する原子比を3〜6とし、かつ
反応温度を350〜500℃の範囲とする方法が開示さ
れている。この反応において得られる膜はX線回折乙こ
よりW3Cの形態であることが確認されている。
、基材の金属材料に好ましくない影響を与え、得られる
硬質膜形成金属材料は精密材料等への使用が制限される
等の問題があった。これに対して、比較的低温でのタン
グステンカーバイト膜の形成方法が提案されており、特
公昭62−15484号には6フノ化タングステン、芳
香族炭化水素および水素からなるガス状混合物を、タン
グステンのカーボンに対する原子比を3〜6とし、かつ
反応温度を350〜500℃の範囲とする方法が開示さ
れている。この反応において得られる膜はX線回折乙こ
よりW3Cの形態であることが確認されている。
このW3Cの形態のタングステンカーバイトは従来のW
CあるいはW2C膜と比較して光沢や耐摩耗性等に優れ
、より商品価値の高いものである。
CあるいはW2C膜と比較して光沢や耐摩耗性等に優れ
、より商品価値の高いものである。
しかし、この方法においても、実際に適用される反応温
度は400℃程度と、必ずしも十分に低いとはいえず、
利用分野、対象基材等の制限を受ける。また、反応圧力
も15Q Torr程度の減圧条件が必要であり、装置
が高価なものとなるばか操作も煩雑であり、加えて、得
られるW3C1IUの光沢も十分ではなく、改善が望ま
れていたものである。
度は400℃程度と、必ずしも十分に低いとはいえず、
利用分野、対象基材等の制限を受ける。また、反応圧力
も15Q Torr程度の減圧条件が必要であり、装置
が高価なものとなるばか操作も煩雑であり、加えて、得
られるW3C1IUの光沢も十分ではなく、改善が望ま
れていたものである。
E問題点を解決するための具体的手段]本発明者らは、
前記した従来法の問題点に鑑み、鋭意検討の結果、適用
金属基材に対して実質的にほとんど影響を与えることの
ない温度範囲、すなわち300℃程度の反応温度におい
ても種々の物性に優れたW3C膜を容易かつ効率的に得
ることのできる方法を見いだし本発明に至った。すなわ
ち本発明は、6フソ化タングステン、芳香族炭化水素お
よび水素からなる反応ガスを気相反応させて、タングス
テンカーバイトを得る方法において、6フン化タングス
テン、芳香族炭化水素、および水素の混合比率をカーボ
ンのタングステンに対する原子比で2〜10、水素のカ
ーボンに対する原子比で3以上とすることを特徴とする
タングステンカーバイトの製造方法である。また、特に
基材上に膜を形成する方法は、6フツ化タングステン、
芳香族炭化水素および水素からなる反応ガスを気相反応
させて、タングステンカーバイトを得る方法において、
6フツ化タングステン、芳香族炭化水素、および水素の
混合比率をカーボンのタングステンに対する原子比で2
〜10、水素のカーボンに対する原子比で3以上とし、
かつ反応温度を250〜500℃として基材上に化学蒸
着することを特徴とするタングステンカーバイト膜の製
造方法である。
前記した従来法の問題点に鑑み、鋭意検討の結果、適用
金属基材に対して実質的にほとんど影響を与えることの
ない温度範囲、すなわち300℃程度の反応温度におい
ても種々の物性に優れたW3C膜を容易かつ効率的に得
ることのできる方法を見いだし本発明に至った。すなわ
ち本発明は、6フソ化タングステン、芳香族炭化水素お
よび水素からなる反応ガスを気相反応させて、タングス
テンカーバイトを得る方法において、6フン化タングス
テン、芳香族炭化水素、および水素の混合比率をカーボ
ンのタングステンに対する原子比で2〜10、水素のカ
ーボンに対する原子比で3以上とすることを特徴とする
タングステンカーバイトの製造方法である。また、特に
基材上に膜を形成する方法は、6フツ化タングステン、
芳香族炭化水素および水素からなる反応ガスを気相反応
させて、タングステンカーバイトを得る方法において、
6フツ化タングステン、芳香族炭化水素、および水素の
混合比率をカーボンのタングステンに対する原子比で2
〜10、水素のカーボンに対する原子比で3以上とし、
かつ反応温度を250〜500℃として基材上に化学蒸
着することを特徴とするタングステンカーバイト膜の製
造方法である。
本発明方法により得られるタングステンカーハイトは粉
、膜等種々の形状が可能である。
、膜等種々の形状が可能である。
本発明において用いるカーボン源としての芳香族炭化水
素としてはヘンゼン、トルエン、キシレン等の各種の芳
香族炭化水素が挙げられるが、蒸気圧が高く供給の容易
さ等の理由からヘンゼンが最も好ましい。これら芳香族
炭化水素の使用量は、この分子中のカーボンと原料6フ
ツ化タングステンのタングステンとの比(C/W、原子
比)が2〜10の範囲となるように選ばれる。芳香族炭
化水素の量がこの範囲よりも小さくなる場合には、W3
C単一膜が得られにくく、タングステン(W)との混合
膜として得られ、W3C単一膜と比較して光沢、耐摩耗
性等の物性が劣り、好ましくない。
素としてはヘンゼン、トルエン、キシレン等の各種の芳
香族炭化水素が挙げられるが、蒸気圧が高く供給の容易
さ等の理由からヘンゼンが最も好ましい。これら芳香族
炭化水素の使用量は、この分子中のカーボンと原料6フ
ツ化タングステンのタングステンとの比(C/W、原子
比)が2〜10の範囲となるように選ばれる。芳香族炭
化水素の量がこの範囲よりも小さくなる場合には、W3
C単一膜が得られにくく、タングステン(W)との混合
膜として得られ、W3C単一膜と比較して光沢、耐摩耗
性等の物性が劣り、好ましくない。
また、この範囲より大きくなっても特に不都合はないが
、原料の芳香族炭化水素がむだとなるためこの範囲以下
が好ましい。
、原料の芳香族炭化水素がむだとなるためこの範囲以下
が好ましい。
本発明においては、水素の量も限定されるものである。
すなわち水素のカーボンに対する比(H/C;原子比)
が3以上であることが必要であり、これより小さい場合
には、WとW3Cとの混金膜が得られ、好ましくない。
が3以上であることが必要であり、これより小さい場合
には、WとW3Cとの混金膜が得られ、好ましくない。
本発明の反応温度は特に限定的ではなく、より高温領域
においては粉末の形成に有利であり、より低温領域にお
いては連続膜の形成に有利である。特に、各種金属基材
に適用して硬質膜を得るようにする場合には、金属材料
に対する好ましくない影響、すなわち、軟化、歪み等を
回避し得る温度範囲でW3C単一膜を形成し得る本発明
方法は極めて有益であり、250℃以上で可能である。
においては粉末の形成に有利であり、より低温領域にお
いては連続膜の形成に有利である。特に、各種金属基材
に適用して硬質膜を得るようにする場合には、金属材料
に対する好ましくない影響、すなわち、軟化、歪み等を
回避し得る温度範囲でW3C単一膜を形成し得る本発明
方法は極めて有益であり、250℃以上で可能である。
上限は特にないが、その目的から、500℃以下が好ま
しい。
しい。
本発明においては、反応圧力は特に限定的ではないが、
大気圧でも十分に反応を行うことができることは大きな
特徴である。外観上の要求が特にないような用途におい
ては、膜堆積速度も大である大気圧下での反応が好適で
ある。この場合には反応装置も特殊なものを採用する必
要はなく、操作も簡便となる。また、外観上の要求の厳
しい用途に対しては、減圧条件下で極めて良好な膜形成
が可能であり、表面光沢に優れた均質膜を得ることがで
きる。
大気圧でも十分に反応を行うことができることは大きな
特徴である。外観上の要求が特にないような用途におい
ては、膜堆積速度も大である大気圧下での反応が好適で
ある。この場合には反応装置も特殊なものを採用する必
要はなく、操作も簡便となる。また、外観上の要求の厳
しい用途に対しては、減圧条件下で極めて良好な膜形成
が可能であり、表面光沢に優れた均質膜を得ることがで
きる。
以下、本発明を実施例により具体的に説明する。
実施例1
内径40 c m、全長100 cm、均一温度領域長
60ci+の反応器を具備した横型流通方式のCVD装
置を用い、原料ガスは反応器の一端の1つのノズルから
導入し、幅2cm、長さ5 cm、厚さ2flII11
のニッケル小試片を均一温度領域の中央に設置して反応
を行った。以下の実施例、比較例のいずれも同様にして
反応を行った。
60ci+の反応器を具備した横型流通方式のCVD装
置を用い、原料ガスは反応器の一端の1つのノズルから
導入し、幅2cm、長さ5 cm、厚さ2flII11
のニッケル小試片を均一温度領域の中央に設置して反応
を行った。以下の実施例、比較例のいずれも同様にして
反応を行った。
67ノ化タングステン、ベンゼンおよび水素の−EJI
/比を2.2:1:33(C/IJ原子比−2,7,H
/C原子比−11)とした混合ガスを大気圧下、全流量
781/ll11nで400℃に保たれた反応器に導入
し、この反応器内に置かれたニッケル小試片を30分間
コーティングした。ニッケル小試片上には、19μmの
光沢のある膜が得られ、X線回折パターンがらW3C単
一膜であることを確認した。
/比を2.2:1:33(C/IJ原子比−2,7,H
/C原子比−11)とした混合ガスを大気圧下、全流量
781/ll11nで400℃に保たれた反応器に導入
し、この反応器内に置かれたニッケル小試片を30分間
コーティングした。ニッケル小試片上には、19μmの
光沢のある膜が得られ、X線回折パターンがらW3C単
一膜であることを確認した。
実施例2
6フン化タングステン、ベンゼンおよび水素の−EJI
/比を1.4:1:10(C/W原子比−4,3,H/
C原子比=33)とした混合ガスを大気圧下、全流量2
.117IIlinで300℃に保たれた反応器に導入
し、この反応器内に置かれたニッケル小試片を60分間
コーティングした。二・7ケル串状片上には、12μm
の光沢のある膜が得られ、X線回折パターンからW3
C単一膜であることを確認した。
/比を1.4:1:10(C/W原子比−4,3,H/
C原子比=33)とした混合ガスを大気圧下、全流量2
.117IIlinで300℃に保たれた反応器に導入
し、この反応器内に置かれたニッケル小試片を60分間
コーティングした。二・7ケル串状片上には、12μm
の光沢のある膜が得られ、X線回折パターンからW3
C単一膜であることを確認した。
実施例3
6フツ化タングステン、ベンゼンおよび水素のモル比を
2.7:1・42(C/W原子比−2,2,1(/C原
子比−7,0)とした混合ガスを大気圧下、全流量7.
6 j! /minで250℃に保たれた反応器に導入
し、この反応器内に置かれたニッケル小試片を90分間
コーティングした。ニッケル小試片上には、9μmの光
沢のある膜が得られ、X線回折パターンからW3C単一
膜であることを確認した。
2.7:1・42(C/W原子比−2,2,1(/C原
子比−7,0)とした混合ガスを大気圧下、全流量7.
6 j! /minで250℃に保たれた反応器に導入
し、この反応器内に置かれたニッケル小試片を90分間
コーティングした。ニッケル小試片上には、9μmの光
沢のある膜が得られ、X線回折パターンからW3C単一
膜であることを確認した。
比較例1
6フン化タングステン、ベンゼンおよび水素のモル比を
16:1:233(C/W原子比−0,38,8バ原子
比=78)とした混合ガスを大気圧下、全流量7.51
/minで400℃に保たれた反応器に導入し、この
反応器内に置かれたニッケル小試片を30分間コーティ
ングした。ニッケル小試片上には、21μmの光沢のな
い膜が得られた。この膜はX線回折パターンからWとW
3Cの混合膜であることを確認した。
16:1:233(C/W原子比−0,38,8バ原子
比=78)とした混合ガスを大気圧下、全流量7.51
/minで400℃に保たれた反応器に導入し、この
反応器内に置かれたニッケル小試片を30分間コーティ
ングした。ニッケル小試片上には、21μmの光沢のな
い膜が得られた。この膜はX線回折パターンからWとW
3Cの混合膜であることを確認した。
比較例2
6フン化タングステン、ベンゼンおよび水素のモル比を
29・1:8.1(C/W原子比−2,8,8/C原子
比−27)とした混合ガスを大気圧下、全流量1.0!
/minで400℃に保たれた反応器に導入し、この反
応器内に置かれたニッケル小試片を60分間コーティン
グした。ニッケル小試片上には、30μmの光沢はある
が若干青みがかった膜が得られた。この膜はX線回折パ
ターンからWとW3Cの混合膜であることを確認した。
29・1:8.1(C/W原子比−2,8,8/C原子
比−27)とした混合ガスを大気圧下、全流量1.0!
/minで400℃に保たれた反応器に導入し、この反
応器内に置かれたニッケル小試片を60分間コーティン
グした。ニッケル小試片上には、30μmの光沢はある
が若干青みがかった膜が得られた。この膜はX線回折パ
ターンからWとW3Cの混合膜であることを確認した。
実施例4
5フツ化タングステン、ベンゼンおよび水素のモル比を
1.7:1:3](C/It1原子比=3.5.Hバ原
子比=10)とした混合ガスを全圧9QTorrで、全
流量2417m1nで400℃に保たれた反応器に導入
し、この反応器内に置かれたニッケル小試片を60分間
コーティングした。ニッケル小試片上には、9μmの光
沢のある膜が得られ、X線回折パターンからW3C単一
膜であることを確認した。また、得られた膜は実施例1
、実施例2、実施例3で得られた膜と比較して、より均
一、滑らかで光沢のある膜であった。
1.7:1:3](C/It1原子比=3.5.Hバ原
子比=10)とした混合ガスを全圧9QTorrで、全
流量2417m1nで400℃に保たれた反応器に導入
し、この反応器内に置かれたニッケル小試片を60分間
コーティングした。ニッケル小試片上には、9μmの光
沢のある膜が得られ、X線回折パターンからW3C単一
膜であることを確認した。また、得られた膜は実施例1
、実施例2、実施例3で得られた膜と比較して、より均
一、滑らかで光沢のある膜であった。
実施例5
反応温度を300℃とし、コーティング時間を120分
間とする以外は実施例4と同様にして膜形成を行った結
果、膜厚8μmのW3C単一膜が得られた。この膜の外
観は実施例4で得た膜と比較してほとんど差がなかった
。
間とする以外は実施例4と同様にして膜形成を行った結
果、膜厚8μmのW3C単一膜が得られた。この膜の外
観は実施例4で得た膜と比較してほとんど差がなかった
。
比較例3
6フノ化タングステン、ヘンゼンおよび水素のモル比を
20・1・367 (C/IJ原子比−0,31,H/
C原子比−121)とした混合ガスを全圧90Torr
で、全流量2.4ρ/minで400℃に保たれた反応
器に導入し、この反応器内に置かれたニンケル小試片を
60分間コーティングした。ニッケル小試片上の膜の膜
厚はわずか4μmであり、X線回折パターンからW3C
の単一膜であることを確認した。この膜は部分的にザラ
ついた個所があり、滑らかさが実施例4で得た膜と比較
してかなり劣っていた。また、光沢もかなり劣ったもの
であった。
20・1・367 (C/IJ原子比−0,31,H/
C原子比−121)とした混合ガスを全圧90Torr
で、全流量2.4ρ/minで400℃に保たれた反応
器に導入し、この反応器内に置かれたニンケル小試片を
60分間コーティングした。ニッケル小試片上の膜の膜
厚はわずか4μmであり、X線回折パターンからW3C
の単一膜であることを確認した。この膜は部分的にザラ
ついた個所があり、滑らかさが実施例4で得た膜と比較
してかなり劣っていた。また、光沢もかなり劣ったもの
であった。
比較例4
反応温度を300 ’C、コーティング時間を120分
間とする以外は比較例3と同様にして膜形成を行った結
果、得られた膜はWとW3Cとの混合膜であり、その膜
厚は3μmであった。
間とする以外は比較例3と同様にして膜形成を行った結
果、得られた膜はWとW3Cとの混合膜であり、その膜
厚は3μmであった。
[発明の効果]
本発明によれば、タングステンカーバイトを効率よく得
ることができ、特に硬質膜の形成においては均質、滑ら
かでかつ光沢のあるW3Cの単一膜を得ることができる
。また、比較的低温(25Q℃程度)で膜形成できるた
め基材への悪影響を回避することができ、各種精密機材
としてひろく使用できるものである。さらに本発明方法
によれば大気圧下での膜形成が可能であり、この場合に
は装置上の制約をほとんど受けず、成膜速度も大である
ため非常に工業的に有利な膜形成方法となる・ものであ
る。
ることができ、特に硬質膜の形成においては均質、滑ら
かでかつ光沢のあるW3Cの単一膜を得ることができる
。また、比較的低温(25Q℃程度)で膜形成できるた
め基材への悪影響を回避することができ、各種精密機材
としてひろく使用できるものである。さらに本発明方法
によれば大気圧下での膜形成が可能であり、この場合に
は装置上の制約をほとんど受けず、成膜速度も大である
ため非常に工業的に有利な膜形成方法となる・ものであ
る。
特許出願人 セントラル硝子株式会社
代理人 弁理士 坂 木 栄 −
= 13 −
Claims (2)
- (1)6フッ化タングステン、芳香族炭化水素および水
素からなる反応ガスを気相反応させて、タングステンカ
ーバイトを得る方法において、6フッ化タングステン、
芳香族炭化水素、および水素の混合比率をカーボンのタ
ングステンに対する原子比で2〜10、水素のカーボン
に対する原子比で3以上とすることを特徴とするタング
ステンカーバイトの製造方法。 - (2)6フッ化タングステン、芳香族炭化水素および水
素からなる反応ガスを気相反応させて、タングステンカ
ーバイトを得る方法において、6フッ化タングステン、
芳香族炭化水素、および水素の混合比率をカーボンのタ
ングステンに対する原子比で2〜10、水素のカーボン
に対する原子比で3以上とし、かつ反応温度を250〜
500℃として基材上に化学蒸着することを特徴とする
タングステンカーバイト膜の製造方法。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63057301A JPH0643243B2 (ja) | 1988-03-10 | 1988-03-10 | タングステンカーバイトの製造方法 |
US07/319,707 US4980201A (en) | 1988-03-10 | 1989-03-07 | Method of forming tungsten carbide by chemical vapor deposition |
GB8905144A GB2216547B (en) | 1988-03-10 | 1989-03-07 | Method of forming tungsten carbide by chemical vapor deposition |
CH862/89A CH678176A5 (ja) | 1988-03-10 | 1989-03-08 | |
FR898903106A FR2628442B1 (fr) | 1988-03-10 | 1989-03-09 | Procede de formation de carbure de tungstene par depot chimique en phase vapeur |
DE3907693A DE3907693A1 (de) | 1988-03-10 | 1989-03-09 | Verfahren zur herstellung von wolframcarbid durch chemische dampfabscheidung |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63057301A JPH0643243B2 (ja) | 1988-03-10 | 1988-03-10 | タングステンカーバイトの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01230417A true JPH01230417A (ja) | 1989-09-13 |
JPH0643243B2 JPH0643243B2 (ja) | 1994-06-08 |
Family
ID=13051731
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63057301A Expired - Lifetime JPH0643243B2 (ja) | 1988-03-10 | 1988-03-10 | タングステンカーバイトの製造方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4980201A (ja) |
JP (1) | JPH0643243B2 (ja) |
CH (1) | CH678176A5 (ja) |
DE (1) | DE3907693A1 (ja) |
FR (1) | FR2628442B1 (ja) |
GB (1) | GB2216547B (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000203825A (ja) * | 1998-12-28 | 2000-07-25 | Plansee Tizit Ag | 純粋な炭化タングステン粉末を製造するための気体浸炭方法 |
JP4653922B2 (ja) * | 2000-03-15 | 2011-03-16 | ハーダイド・リミテツド | ダイアモンドまたはダイアモンド含有材料で構成されている基質に被膜を付着させる方法 |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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FR2645143B1 (fr) * | 1989-03-28 | 1992-01-17 | Pechiney Electrometallurgie | Obtention de carbures de metaux lourds a surface specifique elevee |
ATE408035T1 (de) * | 1999-02-11 | 2008-09-15 | Hardide Ltd | Wolframkarbidbeschichtungen und verfahren zu deren herstellung |
CN1319711C (zh) * | 2001-11-05 | 2007-06-06 | 日本碍子株式会社 | 蜂窝状结构体成形用模具及其制造方法 |
JP4373294B2 (ja) * | 2004-07-09 | 2009-11-25 | 日本碍子株式会社 | ハニカム構造体成形用口金、及びその製造方法 |
GB0422608D0 (en) * | 2004-10-12 | 2004-11-10 | Hardide Ltd | Alloyed tungsten produced by chemical vapour deposition |
US9314985B2 (en) | 2011-09-27 | 2016-04-19 | Kennametal Inc. | Coated pelletizing extrusion dies and method for making the same |
TWI713961B (zh) * | 2018-01-15 | 2020-12-21 | 美商應用材料股份有限公司 | 針對碳化鎢膜改善附著及缺陷之技術 |
CN113929099A (zh) * | 2021-10-27 | 2022-01-14 | 赣州海盛钨钼集团有限公司 | 一种超细碳化钨粉末的制备方法 |
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US3574672A (en) * | 1964-08-05 | 1971-04-13 | Texas Instruments Inc | Cvd process for producing tungsten carbide and article of manufacture |
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SE347765B (ja) * | 1970-05-27 | 1972-08-14 | Nordstjernan Rederi Ab | |
GB1326769A (en) * | 1970-10-08 | 1973-08-15 | Fulmer Res Inst Ltd | Formulation of tungsten and molybdenum carbides |
DE2446813C3 (de) * | 1974-10-01 | 1978-04-20 | Ppg Industries, Inc., Pittsburgh, Pa. (V.St.A.) | Verfahren zur Herstellung von Wolframcarbid |
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US4874642A (en) * | 1987-09-03 | 1989-10-17 | Air Products And Chemicals, Inc. | Method for depositing a hard, fine-grained, non-columnar alloy of tungsten and carbon on a substrate |
-
1988
- 1988-03-10 JP JP63057301A patent/JPH0643243B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1989
- 1989-03-07 US US07/319,707 patent/US4980201A/en not_active Expired - Fee Related
- 1989-03-07 GB GB8905144A patent/GB2216547B/en not_active Expired - Fee Related
- 1989-03-08 CH CH862/89A patent/CH678176A5/fr not_active IP Right Cessation
- 1989-03-09 FR FR898903106A patent/FR2628442B1/fr not_active Expired - Fee Related
- 1989-03-09 DE DE3907693A patent/DE3907693A1/de active Granted
Patent Citations (2)
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US4980201A (en) | 1990-12-25 |
CH678176A5 (ja) | 1991-08-15 |
GB2216547A (en) | 1989-10-11 |
DE3907693C2 (ja) | 1990-07-05 |
GB8905144D0 (en) | 1989-04-19 |
JPH0643243B2 (ja) | 1994-06-08 |
DE3907693A1 (de) | 1989-09-21 |
GB2216547B (en) | 1992-06-03 |
FR2628442B1 (fr) | 1990-11-30 |
FR2628442A1 (fr) | 1989-09-15 |
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