JPH01211878A - Ｉ／ｏピンの修復方法 - Google Patents
Ｉ／ｏピンの修復方法Info
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- JPH01211878A JPH01211878A JP3802088A JP3802088A JPH01211878A JP H01211878 A JPH01211878 A JP H01211878A JP 3802088 A JP3802088 A JP 3802088A JP 3802088 A JP3802088 A JP 3802088A JP H01211878 A JPH01211878 A JP H01211878A
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- Japan
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- pin
- solder
- pad
- ceramic substrate
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Landscapes
- Manufacturing Of Electrical Connectors (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
ピングリッドアレイ等のセラミック基板から脱落したＩ
／Ｏピンを修復するＩ／Ｏピンの修復方法に関し、 簡単に、かつ電源供給ピンを含み、どのような種類のＩ
／Ｏピンであっても修復可能とすることを目的とし、 セラミック基板におけるＩ／Ｏピンの脱落部位に導電性
を存する環状の修復パッドを接着し、次いで前記修復パ
ッドの中央部にペースト状半田を充填し、前記半田をリ
フローしてセラミック基板上にＩ／Ｏピンを立設するよ
うに構成する。
／Ｏピンを修復するＩ／Ｏピンの修復方法に関し、 簡単に、かつ電源供給ピンを含み、どのような種類のＩ
／Ｏピンであっても修復可能とすることを目的とし、 セラミック基板におけるＩ／Ｏピンの脱落部位に導電性
を存する環状の修復パッドを接着し、次いで前記修復パ
ッドの中央部にペースト状半田を充填し、前記半田をリ
フローしてセラミック基板上にＩ／Ｏピンを立設するよ
うに構成する。
本発明は、ビングリッドアレイ等のセラミック基板から
脱落したＩ／Ｏピンを修復するＩ／Ｏピンの修復方法に
関するものである。
脱落したＩ／Ｏピンを修復するＩ／Ｏピンの修復方法に
関するものである。
近年、コンピュータシステムの小型、高速化の要求から
、セラミック基板上に複数の半導体素子を搭載した回路
基板モジュールが用いられている。
、セラミック基板上に複数の半導体素子を搭載した回路
基板モジュールが用いられている。
この回路基板の裏面には、電源供給および信号の入出力
用としてＩ／Ｏピンがマトリックス状に実装されている
。そして、上述したＩ／Ｏピンはセラミック基板上に半
田付けによって接合されているが、回路基板の組立にお
いて、作業等のミスによりＩ／Ｏピンがセラミック基板
から脱落してしまうことがあり、この脱落したＩ／Ｏピ
ンを修復する必要がある。
用としてＩ／Ｏピンがマトリックス状に実装されている
。そして、上述したＩ／Ｏピンはセラミック基板上に半
田付けによって接合されているが、回路基板の組立にお
いて、作業等のミスによりＩ／Ｏピンがセラミック基板
から脱落してしまうことがあり、この脱落したＩ／Ｏピ
ンを修復する必要がある。
〔従来の技術］
Ｉ／Ｏピンがセラミック基板から脱落する場合には、大
別して第３図に示すような３つのモードがある。すなわ
ち、セラミック基板１上に形成されたパッドＩＯを残し
てＩ／Ｏピン２のみが脱落する第一のモード（第３図（
ａ）参照）、パッド／Ｏの剥離を伴う第二のモード（第
３図（ｂ）参照）、セラミック基板１の破壊を伴う第三
のモード（第３図（Ｃ）参照）がそれである。
別して第３図に示すような３つのモードがある。すなわ
ち、セラミック基板１上に形成されたパッドＩＯを残し
てＩ／Ｏピン２のみが脱落する第一のモード（第３図（
ａ）参照）、パッド／Ｏの剥離を伴う第二のモード（第
３図（ｂ）参照）、セラミック基板１の破壊を伴う第三
のモード（第３図（Ｃ）参照）がそれである。
そして、第一のモードによるＩ／Ｏピン２の脱落に対し
ては、ペースト状半田４をパッド／Ｏに塗布し、この半
田４をリフローさせることにより原状に復帰させること
ができるが、第二および第三の脱落モードの場合には、
もはやセラミック基板ｌのスルーヴイア１１との電気的
接続を回復させることができないために、第４図に示す
ように、脱落したＩ／Ｏビン２を接着剤５で固定した後
、他のスルーヴイア１１とワイヤ６で接続することが行
われていた。
ては、ペースト状半田４をパッド／Ｏに塗布し、この半
田４をリフローさせることにより原状に復帰させること
ができるが、第二および第三の脱落モードの場合には、
もはやセラミック基板ｌのスルーヴイア１１との電気的
接続を回復させることができないために、第４図に示す
ように、脱落したＩ／Ｏビン２を接着剤５で固定した後
、他のスルーヴイア１１とワイヤ６で接続することが行
われていた。
〔発明が解決しようとする課題〕
しかし、上述したようなワイヤリングによる接続は、手
間がかかるとともに、脱落したＩ／Ｏピン２が電源供給
ピンである場合には、ワイヤ６の抵抗による電源ドロッ
プが大きくなるために、この方法は使用することはでき
ず、回路基板を廃却しなければならないという問題を有
していた。
間がかかるとともに、脱落したＩ／Ｏピン２が電源供給
ピンである場合には、ワイヤ６の抵抗による電源ドロッ
プが大きくなるために、この方法は使用することはでき
ず、回路基板を廃却しなければならないという問題を有
していた。
本発明は、かかる事情のもとになされたものであって、
簡単に、かつ電源供給ピンを含み、どのような種類のＩ
／Ｏピン２であっても修復可能なＩ／Ｏピンの修復方法
を提供することを目的とする。
簡単に、かつ電源供給ピンを含み、どのような種類のＩ
／Ｏピン２であっても修復可能なＩ／Ｏピンの修復方法
を提供することを目的とする。
そして、本発明によれば上記目的は、セラミック基板に
おけるＩ／Ｏピンの脱落部位に導電性を有する環状の修
復パッドを接着し、次いで前記修復パッドの中央部にペ
ースト状半田を充填し、前記半田をリフローしてセラミ
ック基板上にＩ／Ｏピンを立設するＩ／Ｏピンの修復方
法を提供することにより達成される。
おけるＩ／Ｏピンの脱落部位に導電性を有する環状の修
復パッドを接着し、次いで前記修復パッドの中央部にペ
ースト状半田を充填し、前記半田をリフローしてセラミ
ック基板上にＩ／Ｏピンを立設するＩ／Ｏピンの修復方
法を提供することにより達成される。
〔作用］
上記構成に基づき、セラミック基板１から脱落したＩ／
Ｏビン２は、環状の修復パッド３の中央部においてリフ
ローされた半田４により再固定され、原状に復帰される
。
Ｏビン２は、環状の修復パッド３の中央部においてリフ
ローされた半田４により再固定され、原状に復帰される
。
このようにして本発明では、ワイヤリングをすることな
くセラミック基Ｆｉ１から脱落したＩ／Ｏピン２を修復
することができる。
くセラミック基Ｆｉ１から脱落したＩ／Ｏピン２を修復
することができる。
以下、本発明の望ましい実施例を添付図面に基づいて詳
細に説明する。
細に説明する。
第２図は、上述した第三のモードによりＩ／Ｏピン２が
セラミック基板１から脱落した状態を示すもので、Ｉ／
Ｏピン２は、セラミック基板１上に薄膜、あるいは厚膜
形成されたパッド／Ｏと、セラミック部分１２を伴って
脱離している。
セラミック基板１から脱落した状態を示すもので、Ｉ／
Ｏピン２は、セラミック基板１上に薄膜、あるいは厚膜
形成されたパッド／Ｏと、セラミック部分１２を伴って
脱離している。
このような状態において、まず、第１図（ａ）に示すよ
うに、セラミック基板１の破損部分に環状の修復パッド
３を接着し、修復パッド３の中央部にペースト状半田４
を充填する（第１図（ａ）参照）。
うに、セラミック基板１の破損部分に環状の修復パッド
３を接着し、修復パッド３の中央部にペースト状半田４
を充填する（第１図（ａ）参照）。
修復パッド３は、銅、アルミニウム等の導電性材料を環
状に成型したもので、セラミック基板１上に接着した際
に外部に露出する部位に例えば金等の半田濡れ性の良い
金属メツキ層３０が形成されている。また、この修復パ
ッド３の裏面、すなわちセラミック基板１に当接する面
には、セラミック基板１の表面部との間に接着剤溜りを
構成する凹溝３１が形成されており、凹溝３１内に熱硬
化型の接着剤５を充填した後、接着剤５塗布面をセラミ
ック基板１に押し付けることにより該修復パッド３を固
定することができるように考慮されている。
状に成型したもので、セラミック基板１上に接着した際
に外部に露出する部位に例えば金等の半田濡れ性の良い
金属メツキ層３０が形成されている。また、この修復パ
ッド３の裏面、すなわちセラミック基板１に当接する面
には、セラミック基板１の表面部との間に接着剤溜りを
構成する凹溝３１が形成されており、凹溝３１内に熱硬
化型の接着剤５を充填した後、接着剤５塗布面をセラミ
ック基板１に押し付けることにより該修復パッド３を固
定することができるように考慮されている。
一方、ペースト状半田４は、周知のクリーム半田等を使
用することができ、修復パッド３の上面からやや膨出す
る程度に充填される。
用することができ、修復パッド３の上面からやや膨出す
る程度に充填される。
この後、上記ペースト状半田４上に新たなＩ／Ｏピン２
を立設し、半田４を局部加熱、あるいはりフロー炉によ
りリフローさせると、半田４は、第１図（ｂ）に示すよ
うに、フィレット４０を形成して固化し、Ｉ／Ｏピン２
は、スルーヴイア１１と導通状態を保ってセラミック基
板１上に強固に実装される。
を立設し、半田４を局部加熱、あるいはりフロー炉によ
りリフローさせると、半田４は、第１図（ｂ）に示すよ
うに、フィレット４０を形成して固化し、Ｉ／Ｏピン２
は、スルーヴイア１１と導通状態を保ってセラミック基
板１上に強固に実装される。
なお、以上においては、第三のモード、すなわちセラミ
ック基板１の破断を伴うＩ／Ｏピン２の脱落モードの場
合を例にとって本発明を説明したが、この他のモードの
場合にも、同様に補修をすることが可能であることは勿
論である。
ック基板１の破断を伴うＩ／Ｏピン２の脱落モードの場
合を例にとって本発明を説明したが、この他のモードの
場合にも、同様に補修をすることが可能であることは勿
論である。
Ｃ発明の効果〕
以上の説明から明らかなように、本発明によるＩ／Ｏビ
ンの修復方法によれば、修復作業に際してワイヤリング
等の面倒な作業を要しないので、補修作業が簡単になり
、かつ、ワイヤを使用した補修方法でないために、電源
ドロップが発生せず、電源供給ピンの補修も通常の信号
ピンと同様に行うことができ、どのような種類のＩ／Ｏ
ビンであっても修復することができる。
ンの修復方法によれば、修復作業に際してワイヤリング
等の面倒な作業を要しないので、補修作業が簡単になり
、かつ、ワイヤを使用した補修方法でないために、電源
ドロップが発生せず、電源供給ピンの補修も通常の信号
ピンと同様に行うことができ、どのような種類のＩ／Ｏ
ビンであっても修復することができる。
第１図は本発明の実施例を示す説明図、第２図はＩ／Ｏ
ピンの脱落状態を示す説明図、第３図はＩ／Ｏピンの脱
落モードを示す説明図、第４図は従来例を示す説明図で
ある。 第１図において、 １はセラミック基板、 ２はＩ／Ｏビン、 ３は修復パッド、 ４は半田である。 、ｌ￥全発明突たイ列暑庁・す言骨日目図第１図 （ａ＋ （ｂｌ （ｃｌ慌翠
例υ丁説明口 第４図
ピンの脱落状態を示す説明図、第３図はＩ／Ｏピンの脱
落モードを示す説明図、第４図は従来例を示す説明図で
ある。 第１図において、 １はセラミック基板、 ２はＩ／Ｏビン、 ３は修復パッド、 ４は半田である。 、ｌ￥全発明突たイ列暑庁・す言骨日目図第１図 （ａ＋ （ｂｌ （ｃｌ慌翠
例υ丁説明口 第４図
Claims (1)
- セラミック基板（１）におけるＩ／Ｏピン（２）の脱
落部位に導電性を有する環状の修復パッド（３）を接着
し、次いで前記修復パッド（３）の中央部にペースト状
半田（４）を充填し、前記半田（４）をリフローしてセ
ラミック基板（１）上にＩ／Ｏピン（２）を立設するＩ
／Ｏピンの修復方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3802088A JPH01211878A (ja) | 1988-02-19 | 1988-02-19 | Ｉ／ｏピンの修復方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3802088A JPH01211878A (ja) | 1988-02-19 | 1988-02-19 | Ｉ／ｏピンの修復方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01211878A true JPH01211878A (ja) | 1989-08-25 |
Family
ID=12513890
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3802088A Pending JPH01211878A (ja) | 1988-02-19 | 1988-02-19 | Ｉ／ｏピンの修復方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01211878A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03211760A (ja) * | 1990-01-17 | 1991-09-17 | Hitachi Ltd | 入出力用ピンの補修接続法 |
| US9163211B2 (en) | 2002-07-09 | 2015-10-20 | Baxter International Inc. | Animal protein free media for cultivation of cells |
| JP2016219392A (ja) * | 2015-05-17 | 2016-12-22 | ヂョウ マンヂーＺＨＯＵ Ｍａｎｚｈｉ | 電源端子の冷間圧造成型方法及び冷間圧造成型の電源端子 |
-
1988
- 1988-02-19 JP JP3802088A patent/JPH01211878A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03211760A (ja) * | 1990-01-17 | 1991-09-17 | Hitachi Ltd | 入出力用ピンの補修接続法 |
| US9163211B2 (en) | 2002-07-09 | 2015-10-20 | Baxter International Inc. | Animal protein free media for cultivation of cells |
| JP2016219392A (ja) * | 2015-05-17 | 2016-12-22 | ヂョウ マンヂーＺＨＯＵ Ｍａｎｚｈｉ | 電源端子の冷間圧造成型方法及び冷間圧造成型の電源端子 |
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