JPH01208842A - 半導体集積回路装置の製造方法 - Google Patents
半導体集積回路装置の製造方法Info
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- JPH01208842A JPH01208842A JP3444588A JP3444588A JPH01208842A JP H01208842 A JPH01208842 A JP H01208842A JP 3444588 A JP3444588 A JP 3444588A JP 3444588 A JP3444588 A JP 3444588A JP H01208842 A JPH01208842 A JP H01208842A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体集積回路装置の製造方法に関し、特に多
層レジスト法による微細配線の形成方法に関する。
層レジスト法による微細配線の形成方法に関する。
近年、半導体集積回路装置の高速化および高集積化が進
むにつれ全てのパターンについて微細化が要求されてお
り、素子の電極配線パターンに関しても例外ではない。
むにつれ全てのパターンについて微細化が要求されてお
り、素子の電極配線パターンに関しても例外ではない。
しかし、この電極配線のパターニング技術は、通常、前
工程の拡散工程ｉこおいて少なからぬ段差が形成される
ので、微細配線のバターニングには大きな困難が伴なう
。この段差ｔこよる影響を克服する手段として、例えば
多層レジスト法と呼ばれる有機膜による段差平坦化技術
が注目を浴びている。
工程の拡散工程ｉこおいて少なからぬ段差が形成される
ので、微細配線のバターニングには大きな困難が伴なう
。この段差ｔこよる影響を克服する手段として、例えば
多層レジスト法と呼ばれる有機膜による段差平坦化技術
が注目を浴びている。
第６図（ａ）、（Ｉｎおよび第７図Ｇｌ）、（υはそれ
ぞれ従来の多層レジスト法によるアルミおよび金による
電極配線パターンの部分形成工程図である。すなわち、
アルミ電極配線パターン３を形成するには、例えばシリ
コン・ウェハーｌのシリコン酸化膜２上にアルミ金属膜
３を積層し、ついで平坦化用有機膜４、中間絶縁＠５お
よびレジスト膜を順次積層した後、レジスト膜の目合わ
せ露光および現像を行い〔第６図（ａ）参照〕。つぎに
このレジスト・パターン６をマスクとする中間絶縁膜５
、および平坦化用有機膜４の異方性エツチングとアルミ
金属膜３のエツチングとを行うパターニング手法が採用
され〔第６図（ｂ）参照〕、また、金による電極配線パ
ターン１０は、シリコン・ウェハー１のシリコン酸化膜
２上にチタン−白金（Ｔｉ−Ｐｔ）層８をまず下地に敷
き、ついで平坦化用有機膜４および中間絶縁膜５を同じ
ように積層した後、レジスト・パターン６をマスクとす
る中間絶縁膜５および平坦化用有機膜４の異方性エツチ
ングを行い〔第７図（ａ）参照〕、ついで下地金属層８
を一方の電極として金メツキを施し開口部内に金材を堆
積せしめる手法によって形成される〔第７図（幹参照〕
。
ぞれ従来の多層レジスト法によるアルミおよび金による
電極配線パターンの部分形成工程図である。すなわち、
アルミ電極配線パターン３を形成するには、例えばシリ
コン・ウェハーｌのシリコン酸化膜２上にアルミ金属膜
３を積層し、ついで平坦化用有機膜４、中間絶縁＠５お
よびレジスト膜を順次積層した後、レジスト膜の目合わ
せ露光および現像を行い〔第６図（ａ）参照〕。つぎに
このレジスト・パターン６をマスクとする中間絶縁膜５
、および平坦化用有機膜４の異方性エツチングとアルミ
金属膜３のエツチングとを行うパターニング手法が採用
され〔第６図（ｂ）参照〕、また、金による電極配線パ
ターン１０は、シリコン・ウェハー１のシリコン酸化膜
２上にチタン−白金（Ｔｉ−Ｐｔ）層８をまず下地に敷
き、ついで平坦化用有機膜４および中間絶縁膜５を同じ
ように積層した後、レジスト・パターン６をマスクとす
る中間絶縁膜５および平坦化用有機膜４の異方性エツチ
ングを行い〔第７図（ａ）参照〕、ついで下地金属層８
を一方の電極として金メツキを施し開口部内に金材を堆
積せしめる手法によって形成される〔第７図（幹参照〕
。
しかしながら、多層レジスト法による従来の電極配線の
形成方法にはつぎのような問題点が存在する。すなわち
、アルミ電極配線の形成工程では平坦化用有機膜４が酸
素（０２）プラズマによるリアクティブ・イオン−エツ
チング（ＲＩＥ）される際、下部のアルミ金属膜３′ま
でがオーバ・エツチングでスパッタされ、飛散したアル
ミ金属が再付着してシリコン酸化膜２上に突起状アルミ
片７を形成して〔第６図（ｂ）参照〕、配線間の短絡事
故を引起こし、また、金Ｅこよる電極配線の形成工程で
は、同じく下地金属層８の上層に位する白金（Ｐｔ）層
８ｂがスパッタされて平坦化用有機膜４の開口部側壁に
白金（Ｐｉ）のスパッタ膜９を形成し〔第７図（曖参照
〕、これを導電パスとして金メツキ層を横方向に這い上
がらせ配線幅を拡げるので、同じく電極配線間の短絡不
良をもたらすようになる。これらの問題点を解決するに
は、通常、リアクティブ・イオン・エツチング（ＲＩＥ
）のオーバ・エツチングを短かくすればよいが、その場
合は面内バラツキによる平坦化有機膜４の抜は不良が生
じ易い。
形成方法にはつぎのような問題点が存在する。すなわち
、アルミ電極配線の形成工程では平坦化用有機膜４が酸
素（０２）プラズマによるリアクティブ・イオン−エツ
チング（ＲＩＥ）される際、下部のアルミ金属膜３′ま
でがオーバ・エツチングでスパッタされ、飛散したアル
ミ金属が再付着してシリコン酸化膜２上に突起状アルミ
片７を形成して〔第６図（ｂ）参照〕、配線間の短絡事
故を引起こし、また、金Ｅこよる電極配線の形成工程で
は、同じく下地金属層８の上層に位する白金（Ｐｔ）層
８ｂがスパッタされて平坦化用有機膜４の開口部側壁に
白金（Ｐｉ）のスパッタ膜９を形成し〔第７図（曖参照
〕、これを導電パスとして金メツキ層を横方向に這い上
がらせ配線幅を拡げるので、同じく電極配線間の短絡不
良をもたらすようになる。これらの問題点を解決するに
は、通常、リアクティブ・イオン・エツチング（ＲＩＥ
）のオーバ・エツチングを短かくすればよいが、その場
合は面内バラツキによる平坦化有機膜４の抜は不良が生
じ易い。
本発明の目的は、上記の情況に鑑み、リアクティブ・イ
オン・エツチングによる平坦化用有機膜の選択的除去ζ
こ際し、アルミ電極配線その他の下地金属材のスパッタ
による再付着を防止した多層レジスト法による電極配線
形成工程を備える半導体集積回路装置の製造方法を提供
することである。
オン・エツチングによる平坦化用有機膜の選択的除去ζ
こ際し、アルミ電極配線その他の下地金属材のスパッタ
による再付着を防止した多層レジスト法による電極配線
形成工程を備える半導体集積回路装置の製造方法を提供
することである。
本発明によれば、半導体集積回路装置の製造方法は、半
導体基板上ｔこ電極配線材を被着せしめる工程と、前記
電極配線材上に昇華性のある遷移金機膜を選択的に除去
するりアクティブ・イオン・エツチング工程とを有する
多層レジスト法による電極配線パターンの形成工程を含
んで構成される。
導体基板上ｔこ電極配線材を被着せしめる工程と、前記
電極配線材上に昇華性のある遷移金機膜を選択的に除去
するりアクティブ・イオン・エツチング工程とを有する
多層レジスト法による電極配線パターンの形成工程を含
んで構成される。
以下図面を参照して本発明の詳細な説明する。
第１図（ａ）〜（０は本発明をアルミ電極配線パターン
の形成に実施した場合の一実施例を示す工程順序図であ
る。本実施例によれば、シリコン・ウェハーｌのシリコ
ン酸化膜２上に配線となるべき金属のアルミ金属膜３′
が０，５〜ＬＯμｍの厚さに形成され、ついで昇華性の
ある遷移金属〔例えば、タングステン（Ｗ）、チタン（
Ｔｉ）、モリブデン（ＭＯ））膜１１がスパッタ法等に
より５００〜１０００又の厚さに積層される〔第１図（
ａ）参照〕。
の形成に実施した場合の一実施例を示す工程順序図であ
る。本実施例によれば、シリコン・ウェハーｌのシリコ
ン酸化膜２上に配線となるべき金属のアルミ金属膜３′
が０，５〜ＬＯμｍの厚さに形成され、ついで昇華性の
ある遷移金属〔例えば、タングステン（Ｗ）、チタン（
Ｔｉ）、モリブデン（ＭＯ））膜１１がスパッタ法等に
より５００〜１０００又の厚さに積層される〔第１図（
ａ）参照〕。
つぎに第１図（ｂ）に示すように、平坦化用有機膜４、
中間絶縁膜５およびレジスト膜６′が従来と同じく順次
積層される。ここで、平坦化用有機膜４にはレジスト膜
（例えば、商品名０ＦＰＲ８００Ｃ等χポリイミド等の
平滑性があり、且つ酸素（０２）プラズマでエツチング
可能な膜が使用される。この際、この膜厚は基板表面の
平坦化を図る必要上できるだけ厚く、例えば、１μｍ以
上以上形成されることが望ましい。また、中間絶縁膜５
の材質には例えば、塗布法によるシリコン酸化膜（ＳＯ
Ｇ膜）等を用いることができる。この膜は酸素（Ｏ２）
プラズマに対してマスク作用をするものであればよいの
で他の物質膜を用いてもよく、ピンホール等を考慮して
１０００〜１５００ ｉ程度の膜厚に形成される。また
、レジスト膜６′は膜厚０．５μｍ程度に形成され、例
えば、商品名０ＦＰＲ８００Ｃ等のポジレジスト材を用
いれば、紫外光により０．５μｍのライン・アンド・ス
ペースが充分形成でき、同じく商品名ＰＭＭＡ等を用い
て電子ビーム（ＥＢ）露光を行なえば、０．３μｍ程度
のパターンも形成可能となる。このようにレジスト膜６
′については形成すべき電極配線パターンの微細程度に
より適宜材質を使いわければよい。つぎにレジスト膜６
′を露光し現像して所望のレジスト・パターン６が形成
された後、このパターンをマスクとしてｌｆ中間絶縁膜
５がリアクティブ・イオン−エツチング（ＲＩＥ）等で
異方性エツチングされる。この時のエツチング・ガスに
は中間絶縁膜５が前述したＳＯＧ膜の場合であれば、四
弗化炭素（ＣＦ４）の混合ガス等が利用することができ
る。続いて酸素（α０プラズマによる異方性エツチング
が中間絶縁膜５をマスクとして行われ、平坦化用有機膜
４がエツチングされる。このとき、平坦化用有機膜４と
レジスト・パターン６のエツチングが同時に進行するの
で平坦化用有機膜４のエツチングが終了した時点におい
て、通常、レジストパターン６は消滅する〔第１図（Ｃ
）参照〕。ついで中間絶縁膜５をマスクとする昇華性の
ある遷移金属膜１１およびアルミ金ＭＭ３’が所望のパ
ターンｌこエツチングされる。この時、エツチング・ガ
スとして四塩化炭素（Ｃ（Ｊ４）を用いれば、例えばタ
ングステン（Ｗ）の如き昇華性のある遷移金属膜１１と
アルミ金属膜３′とは同時にエツチングされる。この際
、中間絶縁膜５を除去し平坦化用有機膜４をマスクとし
てエツチングしてもよい〔第１図（Φ参照〕。
中間絶縁膜５およびレジスト膜６′が従来と同じく順次
積層される。ここで、平坦化用有機膜４にはレジスト膜
（例えば、商品名０ＦＰＲ８００Ｃ等χポリイミド等の
平滑性があり、且つ酸素（０２）プラズマでエツチング
可能な膜が使用される。この際、この膜厚は基板表面の
平坦化を図る必要上できるだけ厚く、例えば、１μｍ以
上以上形成されることが望ましい。また、中間絶縁膜５
の材質には例えば、塗布法によるシリコン酸化膜（ＳＯ
Ｇ膜）等を用いることができる。この膜は酸素（Ｏ２）
プラズマに対してマスク作用をするものであればよいの
で他の物質膜を用いてもよく、ピンホール等を考慮して
１０００〜１５００ ｉ程度の膜厚に形成される。また
、レジスト膜６′は膜厚０．５μｍ程度に形成され、例
えば、商品名０ＦＰＲ８００Ｃ等のポジレジスト材を用
いれば、紫外光により０．５μｍのライン・アンド・ス
ペースが充分形成でき、同じく商品名ＰＭＭＡ等を用い
て電子ビーム（ＥＢ）露光を行なえば、０．３μｍ程度
のパターンも形成可能となる。このようにレジスト膜６
′については形成すべき電極配線パターンの微細程度に
より適宜材質を使いわければよい。つぎにレジスト膜６
′を露光し現像して所望のレジスト・パターン６が形成
された後、このパターンをマスクとしてｌｆ中間絶縁膜
５がリアクティブ・イオン−エツチング（ＲＩＥ）等で
異方性エツチングされる。この時のエツチング・ガスに
は中間絶縁膜５が前述したＳＯＧ膜の場合であれば、四
弗化炭素（ＣＦ４）の混合ガス等が利用することができ
る。続いて酸素（α０プラズマによる異方性エツチング
が中間絶縁膜５をマスクとして行われ、平坦化用有機膜
４がエツチングされる。このとき、平坦化用有機膜４と
レジスト・パターン６のエツチングが同時に進行するの
で平坦化用有機膜４のエツチングが終了した時点におい
て、通常、レジストパターン６は消滅する〔第１図（Ｃ
）参照〕。ついで中間絶縁膜５をマスクとする昇華性の
ある遷移金属膜１１およびアルミ金ＭＭ３’が所望のパ
ターンｌこエツチングされる。この時、エツチング・ガ
スとして四塩化炭素（Ｃ（Ｊ４）を用いれば、例えばタ
ングステン（Ｗ）の如き昇華性のある遷移金属膜１１と
アルミ金属膜３′とは同時にエツチングされる。この際
、中間絶縁膜５を除去し平坦化用有機膜４をマスクとし
てエツチングしてもよい〔第１図（Φ参照〕。
続いて中間絶縁膜５および平坦化用有機膜４を除去すれ
ば、アルミ電極配線パターン３を得ることができる〔第
１図（→参照〕。なお、第１図（ｅ）に示すアルミ電極
配線パターン３上には昇華性のある遷移金属膜１１が除
去されずに残されているが、これは、一般にチタン（Ｔ
ｉ）、 タングステン（Ｗ）。
ば、アルミ電極配線パターン３を得ることができる〔第
１図（→参照〕。なお、第１図（ｅ）に示すアルミ電極
配線パターン３上には昇華性のある遷移金属膜１１が除
去されずに残されているが、これは、一般にチタン（Ｔ
ｉ）、 タングステン（Ｗ）。
モリブデン（Ｍｏ）等の金属でアルミ金属膜上をａうと
耐マイグレーシ１ン性が向上するためで、敢えて、除去
する必要がないからである。もし、除去する必要があれ
ば過酸化水素（ＨｚＱｚ）とアンモニア（ＮＨり水等で
処理すれば下地のアルミ電極配線パターン３等を傷める
ことなくこの被覆金属膜のみを除去することができる〔
第１図（０参照〕。
耐マイグレーシ１ン性が向上するためで、敢えて、除去
する必要がないからである。もし、除去する必要があれ
ば過酸化水素（ＨｚＱｚ）とアンモニア（ＮＨり水等で
処理すれば下地のアルミ電極配線パターン３等を傷める
ことなくこの被覆金属膜のみを除去することができる〔
第１図（０参照〕。
以上の工程では、平坦化用有機膜４のリアクティブ・イ
オン・エツチング（ＲＩＥ）の実施と共にタングステン
（Ｗ）等の如き昇華性のある金属膜１１も同時に除去さ
れるが、この金属膜１１は蒸気圧が低いのでスパッタす
ることなく直ちに昇華して了りので、従来工程における
アルミ金属膜の如くスパッタしシリコン酸化屡２上に再
付着して害をなすことはない。この際、昇華性ある金属
膜１１は単体金属の他それらのシリサイドを用いても同
等の効果を期待し得る。
オン・エツチング（ＲＩＥ）の実施と共にタングステン
（Ｗ）等の如き昇華性のある金属膜１１も同時に除去さ
れるが、この金属膜１１は蒸気圧が低いのでスパッタす
ることなく直ちに昇華して了りので、従来工程における
アルミ金属膜の如くスパッタしシリコン酸化屡２上に再
付着して害をなすことはない。この際、昇華性ある金属
膜１１は単体金属の他それらのシリサイドを用いても同
等の効果を期待し得る。
第２図（−〜（尋は本発明を金電極配線パターンの形成
に実施した場合の一実施例を示す工程順序図である。本
実施例によれば、シリコン、ウェーハ１のシリコン酸化
膜２上ｌこはチタン（Ｔｉ）層８ａおよび白金（ｐｔ）
層８ｂから成る（Ｔｉ−Ｐｔ）層８がスパッタ法等で形
成され、ついで昇華性をもつ金属〔例えばモリブデン（
Ｍｏ））膜１１が膜厚５００〜１００ ｏ１程度スパッ
タされ、続いてこの上に平坦化用有機膜４、中間絶縁膜
５およびレジスト膜６′が順次積層形成される。これら
の生成条件は全て前実施例に準じて定められる〔第２図
（噌参照〕。つぎにレジスト膜６′はレジスト・パター
ン６にパターニングされ、これをマスクとしてまず中間
絶縁膜５および平坦化用有機膜４が順次リアクティブ・
イオン・エツチング（ＲＩＥ）される。この際、レジス
ト・パターン６もエツチングの進行と共に除去される〔
第２図（栓参照〕。ついで、中間絶縁膜５をマスクとし
て昇華性のある金属膜１１がりアクティブ・イオン−エ
ツチング（ＲＩＥ）法（こより前実施例同様スパッタす
ることなく選択除去され、°続いてマスクとして用いた
中間絶縁膜５が除去された後金メツキが施され金電極配
線パターンｌＯが形成される〔第２図（→参照〕。あと
は、従来手法と同じく平坦化用有機膜４を除去し〔第２
図（ψ参照〕、つづいて（Ｔｉ−Ｐｔ）層８を選択除去
すれば第２図（→の如き微細構造の金電極配線パターン
ｌＯを得ることができる。
に実施した場合の一実施例を示す工程順序図である。本
実施例によれば、シリコン、ウェーハ１のシリコン酸化
膜２上ｌこはチタン（Ｔｉ）層８ａおよび白金（ｐｔ）
層８ｂから成る（Ｔｉ−Ｐｔ）層８がスパッタ法等で形
成され、ついで昇華性をもつ金属〔例えばモリブデン（
Ｍｏ））膜１１が膜厚５００〜１００ ｏ１程度スパッ
タされ、続いてこの上に平坦化用有機膜４、中間絶縁膜
５およびレジスト膜６′が順次積層形成される。これら
の生成条件は全て前実施例に準じて定められる〔第２図
（噌参照〕。つぎにレジスト膜６′はレジスト・パター
ン６にパターニングされ、これをマスクとしてまず中間
絶縁膜５および平坦化用有機膜４が順次リアクティブ・
イオン・エツチング（ＲＩＥ）される。この際、レジス
ト・パターン６もエツチングの進行と共に除去される〔
第２図（栓参照〕。ついで、中間絶縁膜５をマスクとし
て昇華性のある金属膜１１がりアクティブ・イオン−エ
ツチング（ＲＩＥ）法（こより前実施例同様スパッタす
ることなく選択除去され、°続いてマスクとして用いた
中間絶縁膜５が除去された後金メツキが施され金電極配
線パターンｌＯが形成される〔第２図（→参照〕。あと
は、従来手法と同じく平坦化用有機膜４を除去し〔第２
図（ψ参照〕、つづいて（Ｔｉ−Ｐｔ）層８を選択除去
すれば第２図（→の如き微細構造の金電極配線パターン
ｌＯを得ることができる。
第３図（ω〜（ｆ）は本発明を多層アルミ電極配線パタ
ーンの形成に実施した場合の一実施例を示す工程順序図
である。本実施例によれば、シリコン、ウェハーｌのシ
リコン酸化膜２上には第１層アルミ電極配線パターン３
ａが本発明手法によって、まず形成される。ここで、１
１ａはこのとき用いられた例えばモリブデン（ＭＯ）の
如き昇華性のある金属膜である。ついで、基板全面には
平坦化用有機膜４ａ、手間絶縁膜５およびレジスト膜６
′が順次堆積される〔第３図（ａ）参照〕。本実施例で
は平坦化用有機膜４ａはそのまま層間絶縁膜として使用
されるので耐熱性に秀れる例えばポリイミド系樹脂が用
いられる。つぎにレジスト膜６′はレジスト・パターン
６にパターニングされ、これをマスクとする平坦化用有
機膜４ａのリアクティブ・イオン・エツチング（ＲＩＥ
）が行われ第１層アルミ電極配線パターン３ａ上にスル
ー・ホール１２が設けられる〔第３図Ｇ〕参照〕。つい
で、この上にアルミ金属膜３′が被着され〔第３図（ｃ
）参照〕、同じく本発明手法を用いてこれをパターニン
グすれば第２層アルミ電極配線パターン３ｂを得ること
ができ〔第３図（→参照〕、更に中間絶縁膜５を選択除
去すれば第３図（ｅ）の如き２層構造のアルミ電極配線
パターンを得ることができる。従って、本発明手法を順
次実施すれば第３図（引こ示す如き３層構造のアルミ電
極配線パターンを得ることができ、更に４層以上の多層
化を実現することができる。ここで、４ｂは同じくポリ
イミド系樹脂材からなる平坦化用有機膜、ｌｌｂは昇華
性による例えばモリブデン（Ｍｏ）の如き金属膜、３ｃ
は第３層アルミ電極配線パターンをそれぞれ示している
。以上は主として電標配線パターンの形成について説明
したがコンタクト電極の形成についても単独に実施し得
ることは明らかである。
ーンの形成に実施した場合の一実施例を示す工程順序図
である。本実施例によれば、シリコン、ウェハーｌのシ
リコン酸化膜２上には第１層アルミ電極配線パターン３
ａが本発明手法によって、まず形成される。ここで、１
１ａはこのとき用いられた例えばモリブデン（ＭＯ）の
如き昇華性のある金属膜である。ついで、基板全面には
平坦化用有機膜４ａ、手間絶縁膜５およびレジスト膜６
′が順次堆積される〔第３図（ａ）参照〕。本実施例で
は平坦化用有機膜４ａはそのまま層間絶縁膜として使用
されるので耐熱性に秀れる例えばポリイミド系樹脂が用
いられる。つぎにレジスト膜６′はレジスト・パターン
６にパターニングされ、これをマスクとする平坦化用有
機膜４ａのリアクティブ・イオン・エツチング（ＲＩＥ
）が行われ第１層アルミ電極配線パターン３ａ上にスル
ー・ホール１２が設けられる〔第３図Ｇ〕参照〕。つい
で、この上にアルミ金属膜３′が被着され〔第３図（ｃ
）参照〕、同じく本発明手法を用いてこれをパターニン
グすれば第２層アルミ電極配線パターン３ｂを得ること
ができ〔第３図（→参照〕、更に中間絶縁膜５を選択除
去すれば第３図（ｅ）の如き２層構造のアルミ電極配線
パターンを得ることができる。従って、本発明手法を順
次実施すれば第３図（引こ示す如き３層構造のアルミ電
極配線パターンを得ることができ、更に４層以上の多層
化を実現することができる。ここで、４ｂは同じくポリ
イミド系樹脂材からなる平坦化用有機膜、ｌｌｂは昇華
性による例えばモリブデン（Ｍｏ）の如き金属膜、３ｃ
は第３層アルミ電極配線パターンをそれぞれ示している
。以上は主として電標配線パターンの形成について説明
したがコンタクト電極の形成についても単独に実施し得
ることは明らかである。
第４図および第５図は本発明をアルミ電極および金電極
の形成に実施した場合の完成図をそれぞれ示すものであ
る。
の形成に実施した場合の完成図をそれぞれ示すものであ
る。
以上詳細ｆこ説明したようｌこ、本発明Ｉこよれば、ア
ルミまたは金の電極配線パターンの形成に当たり、スパ
ッタし易いアルミまたは白金−チタンの如き下地金属と
平坦化用有機膜との間にチタン。
ルミまたは金の電極配線パターンの形成に当たり、スパ
ッタし易いアルミまたは白金−チタンの如き下地金属と
平坦化用有機膜との間にチタン。
モリブデン、タングステンの如き昇華性のある薄い遷移
金属層を介在させることによりこれら下地金属をスパッ
タせしめることなくパターニングすることができるので
、極めて微細な電極配線パターンを、ショート不良等を
生じることなく良好な形状でもって容易に形成すること
ができる。また、レジスト膜の徨類を選ぶことによって
紫外光からＸ線に至る波長に対応することができるので
、電極配線パターンの微細化の進展に対応して、所定の
多層配線プロセスを安定且つ信頼性高く確立することが
可能である。
金属層を介在させることによりこれら下地金属をスパッ
タせしめることなくパターニングすることができるので
、極めて微細な電極配線パターンを、ショート不良等を
生じることなく良好な形状でもって容易に形成すること
ができる。また、レジスト膜の徨類を選ぶことによって
紫外光からＸ線に至る波長に対応することができるので
、電極配線パターンの微細化の進展に対応して、所定の
多層配線プロセスを安定且つ信頼性高く確立することが
可能である。
第１図（ａ）〜（ｆ）は本発明をアルミ電極配線パター
ンの形成（こ実施した場合の一実施例を示す工程順序図
、第２図Ｇ）〜（ｅ）は本発明を金電極配線パターンの
形成に実施した場合の一実施例を示す工程順序図、第３
図（ａ）〜（ｆ）は本発明を多層アルミ電極配線パター
ンの形成に実施した場合の一実施例を示す工程順序図、
第４図および第５図は本発明をアルミ電極および金電極
の形成に実施した場合の完成図、第６図（ａ） 、 （
ｂ）および第７図（ａ） 、 （ｂ）はそれぞれ従来の
多層レジスト法によるアルミおよび金による電極配線パ
ターンの部分形成工程図であるウド・・・・・シリコン
−ウェハー、２・・・・・・シリコン酸化膜、３・・・
・・・アルミ電極配線パターン、３ａ・・・・・・第１
層アルミ電極配線パターン、３ｂ・・・・・・第２層ア
ルミ電極配線パターン、３Ｃ・・・・・・第３層アルミ
電極配線パターン、３′・・・・・・アルミ金属膜、４
゜４ａ、４ｂ・・・・・・平坦化用有機膜、５・・・・
・・中間絶縁膜、６′・・・・・・レジスト膜、６・・
・・・・レジスト拳パターン、８・・・・・・白金−チ
タン（Ｐｔ−Ｔｉ）層、１０・・・・・・金１極配蔵パ
ターン、１１．１１ａ、ｌｌｂ・・・・・・昇華性ある
遷移金属膜、１２・・・・・・スル−・ホール、１３・
・・・・・アルミ電極、１４・・・・・・金電極。 代理人 弁理士 内 原 晋 （み） （ｂ） 第１図 （Ｃ） 第１図 （ｅ） 第１図 （（Ｌ’） 第２図 第２図 １塙Ｊ 華ＰＬのある遂移塗屓榎 （み） （ｂ） 第３図 （Ｃ） （ｄ） 第３図 第３図 第５図 （ａ／） （ｂン 第６図 （ａ・） 第７１図
ンの形成（こ実施した場合の一実施例を示す工程順序図
、第２図Ｇ）〜（ｅ）は本発明を金電極配線パターンの
形成に実施した場合の一実施例を示す工程順序図、第３
図（ａ）〜（ｆ）は本発明を多層アルミ電極配線パター
ンの形成に実施した場合の一実施例を示す工程順序図、
第４図および第５図は本発明をアルミ電極および金電極
の形成に実施した場合の完成図、第６図（ａ） 、 （
ｂ）および第７図（ａ） 、 （ｂ）はそれぞれ従来の
多層レジスト法によるアルミおよび金による電極配線パ
ターンの部分形成工程図であるウド・・・・・シリコン
−ウェハー、２・・・・・・シリコン酸化膜、３・・・
・・・アルミ電極配線パターン、３ａ・・・・・・第１
層アルミ電極配線パターン、３ｂ・・・・・・第２層ア
ルミ電極配線パターン、３Ｃ・・・・・・第３層アルミ
電極配線パターン、３′・・・・・・アルミ金属膜、４
゜４ａ、４ｂ・・・・・・平坦化用有機膜、５・・・・
・・中間絶縁膜、６′・・・・・・レジスト膜、６・・
・・・・レジスト拳パターン、８・・・・・・白金−チ
タン（Ｐｔ−Ｔｉ）層、１０・・・・・・金１極配蔵パ
ターン、１１．１１ａ、ｌｌｂ・・・・・・昇華性ある
遷移金属膜、１２・・・・・・スル−・ホール、１３・
・・・・・アルミ電極、１４・・・・・・金電極。 代理人 弁理士 内 原 晋 （み） （ｂ） 第１図 （Ｃ） 第１図 （ｅ） 第１図 （（Ｌ’） 第２図 第２図 １塙Ｊ 華ＰＬのある遂移塗屓榎 （み） （ｂ） 第３図 （Ｃ） （ｄ） 第３図 第３図 第５図 （ａ／） （ｂン 第６図 （ａ・） 第７１図
Claims (4)
- （１）半導体基板上に電極配線材を被着せしめる工程と
、前記電極配線材上に昇華性のある遷移金属膜および平
坦化用有機膜を順次被着せしめる工程と、レジスト・パ
ターンを介し前記電極配線材上から平坦化用有機膜を選
択的に除去するリアクティブ・イオン・エッチング工程
とを有する多層レジスト法による電極配線パターンの形
成工程を含むことを特徴とする半導体集積回路装置の製
造方法。 - （２）前記昇華性ある遷移金属膜がチタン、モリブデン
およびタングステンから選択された一つの単体膜または
そのシリサイド層から成ることを特徴とする請求項（１
）記載の半導体集積回路装置の製造方法。 - （３）前記平坦化用有機膜がポリイミド系樹脂であるこ
とを特徴とする請求項（１）記載の半導体装置の製造方
法。 - （４）前記電極配線材がアルミニュームまたは白金−チ
タンから成ることを特徴とする請求項（１）記載の半導
体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3444588A JPH01208842A (ja) | 1988-02-16 | 1988-02-16 | 半導体集積回路装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3444588A JPH01208842A (ja) | 1988-02-16 | 1988-02-16 | 半導体集積回路装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01208842A true JPH01208842A (ja) | 1989-08-22 |
Family
ID=12414443
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3444588A Pending JPH01208842A (ja) | 1988-02-16 | 1988-02-16 | 半導体集積回路装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01208842A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02168625A (ja) * | 1988-09-14 | 1990-06-28 | Nec Corp | 多層配線構造体の製造方法 |
| JPH03173430A (ja) * | 1989-12-01 | 1991-07-26 | Matsushita Electron Corp | 配線の形成方法 |
| US9359198B2 (en) | 2013-08-22 | 2016-06-07 | Massachusetts Institute Of Technology | Carrier-substrate adhesive system |
| US10046550B2 (en) | 2013-08-22 | 2018-08-14 | Massachusetts Institute Of Technology | Carrier-substrate adhesive system |
-
1988
- 1988-02-16 JP JP3444588A patent/JPH01208842A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02168625A (ja) * | 1988-09-14 | 1990-06-28 | Nec Corp | 多層配線構造体の製造方法 |
| JPH03173430A (ja) * | 1989-12-01 | 1991-07-26 | Matsushita Electron Corp | 配線の形成方法 |
| US9359198B2 (en) | 2013-08-22 | 2016-06-07 | Massachusetts Institute Of Technology | Carrier-substrate adhesive system |
| US10046550B2 (en) | 2013-08-22 | 2018-08-14 | Massachusetts Institute Of Technology | Carrier-substrate adhesive system |
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