JP2681360B2 - レジスト膜除去装置 - Google Patents
レジスト膜除去装置Info
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- JP2681360B2 JP2681360B2 JP63015977A JP1597788A JP2681360B2 JP 2681360 B2 JP2681360 B2 JP 2681360B2 JP 63015977 A JP63015977 A JP 63015977A JP 1597788 A JP1597788 A JP 1597788A JP 2681360 B2 JP2681360 B2 JP 2681360B2
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Description
【発明の詳細な説明】 〔概要〕 レジスト膜除去装置の改良に関し、 イオン注入用マスクとして使用されて、表面に変質層
が形成されているレジスト膜を除去するために、まづ、
レジスト膜外周部の変質層を除去し、次に、すでに変質
層が除去されているレジスト膜を除去するという２工程
を順次切り替えて実行しうる一つの装置を使用して、イ
オン注入用マスクとして使用されて、表面に変質層が形
成されているレジスト膜を除去することを可能にしたレ
ジスト膜除去装置を提供することを目的とし、上部に反
応ガス流入口を有し、下部に真空ポンプに接続された排
気口を有する真空容器よりなり、真空容器は、メッシュ
状に孔が形成されておりガスの通過を可能とする第２の
電極によって上下に区画され、真空容器の上部区画に
は、第１の電極を有し、真空容器の下部区画には、冷却
・加熱の手段と被処理物を載置するサセプタを兼ねる第
３の電極とを有し、第１の電極をラジオ周波発生装置の
一方の電極に、第２の電極を接地を介してラジオ周波発
生装置の他方の電極に、それぞれ接続する回路と、第１
の電極と第２の電極とを一括してラジオ周波発生装置の
一方の電極に、第３の電極をラジオ周波発生装置の他方
の電極に、それぞれ接続する回路とを、切り替え手段に
よって適宜切り替え可能にしたレジスト膜除去装置をも
って構成される。
が形成されているレジスト膜を除去するために、まづ、
レジスト膜外周部の変質層を除去し、次に、すでに変質
層が除去されているレジスト膜を除去するという２工程
を順次切り替えて実行しうる一つの装置を使用して、イ
オン注入用マスクとして使用されて、表面に変質層が形
成されているレジスト膜を除去することを可能にしたレ
ジスト膜除去装置を提供することを目的とし、上部に反
応ガス流入口を有し、下部に真空ポンプに接続された排
気口を有する真空容器よりなり、真空容器は、メッシュ
状に孔が形成されておりガスの通過を可能とする第２の
電極によって上下に区画され、真空容器の上部区画に
は、第１の電極を有し、真空容器の下部区画には、冷却
・加熱の手段と被処理物を載置するサセプタを兼ねる第
３の電極とを有し、第１の電極をラジオ周波発生装置の
一方の電極に、第２の電極を接地を介してラジオ周波発
生装置の他方の電極に、それぞれ接続する回路と、第１
の電極と第２の電極とを一括してラジオ周波発生装置の
一方の電極に、第３の電極をラジオ周波発生装置の他方
の電極に、それぞれ接続する回路とを、切り替え手段に
よって適宜切り替え可能にしたレジスト膜除去装置をも
って構成される。
本発明は、レジスト膜除去装置の改良に関する。特
に、イオン注入用マスクとして使用されて、表面に変質
層が形成されているレジスト膜を除去するための工程を
短縮することを可能にするために使用されるレジスト膜
除去装置の改良に関する。
に、イオン注入用マスクとして使用されて、表面に変質
層が形成されているレジスト膜を除去するための工程を
短縮することを可能にするために使用されるレジスト膜
除去装置の改良に関する。
［従来の技術］ 半導体ウェーハ上にレジストマスクを形成し、このレ
ジストマスクを介して、上記の半導体ウェーハに不純物
をイオン注入すると、第４図に示すように、レジスト膜
31の外周部にレジストと不純物とが結合してできる変質
層32が形成される。この変質層32を除去するには、プラ
ズマエッチング法を使用することが適切であり、低温リ
アクティブイオンエッチング装置（以下低温RIE装置と
いう。）が使用される。
ジストマスクを介して、上記の半導体ウェーハに不純物
をイオン注入すると、第４図に示すように、レジスト膜
31の外周部にレジストと不純物とが結合してできる変質
層32が形成される。この変質層32を除去するには、プラ
ズマエッチング法を使用することが適切であり、低温リ
アクティブイオンエッチング装置（以下低温RIE装置と
いう。）が使用される。
第２図は、低温RIE装置の構成図である。石英製の真
空容器１中に第１の電極２と第２の電極３とが設けら
れ、第２の電極３は接地され、10℃程度に冷却されてい
る。第２の電極３上に半導体ウェーハ５を載置し、ガス
排気口７に連通された真空ポンプ８を使用して容器内を
真空にした後、ガス給気口６から酸素を供給して、容器
内の酸素ガス圧を1.0Torr程度に保持する。
空容器１中に第１の電極２と第２の電極３とが設けら
れ、第２の電極３は接地され、10℃程度に冷却されてい
る。第２の電極３上に半導体ウェーハ５を載置し、ガス
排気口７に連通された真空ポンプ８を使用して容器内を
真空にした後、ガス給気口６から酸素を供給して、容器
内の酸素ガス圧を1.0Torr程度に保持する。
第１の電極２と第２の電極３との間に、ラジオ周波発
生装置４が発生するラジオ周波を印加して、酸素をプラ
ズマ化し、このプラズマを半導体ウェーハ５に作用さ
せ、半導体ウェーハ５上に形成されているレジスト膜周
辺部の変質層32をエッチング除去する。
生装置４が発生するラジオ周波を印加して、酸素をプラ
ズマ化し、このプラズマを半導体ウェーハ５に作用さ
せ、半導体ウェーハ５上に形成されているレジスト膜周
辺部の変質層32をエッチング除去する。
ところで、低温RIE装置を使用して、変質層32が除去
されているレジスト膜31まで除去しようとすると、プラ
ズマの作用によって、レジスト中に含まれている、鉄、
ニッケル、アルミニウム等の重金属が半導体層中に拡散
し、半導体層を汚染してしまう。
されているレジスト膜31まで除去しようとすると、プラ
ズマの作用によって、レジスト中に含まれている、鉄、
ニッケル、アルミニウム等の重金属が半導体層中に拡散
し、半導体層を汚染してしまう。
かかる重金属による半導体層の汚染を避けるために、
上記のように低温RIE装置を使用して、レジスト膜31の
周辺部の変質層32を除去した後、ダウンフローアッシン
グ装置を使用して、変質されていなかったレジスト膜31
を除去する。
上記のように低温RIE装置を使用して、レジスト膜31の
周辺部の変質層32を除去した後、ダウンフローアッシン
グ装置を使用して、変質されていなかったレジスト膜31
を除去する。
第３図はダウンフロー型アッシング装置の構成図であ
る。
る。
石英製の真空容器11中に、第１の電極12と、第２の電
極13とが設けられている。ガス排気口17に接続された真
空ポンプ18を使用して、真空容器11内を真空にした後、
ガス供給口16から、酸素90％・窒素10％の混合ガスを供
給して、真空容器11内のガス圧力を1.0Torr程度に保持
する。加熱装置（図示せず）をもって200℃程度に加熱
されているサセプタ14上に半導体ウェーハ５を載置し、
第１の電極12と第２の電極13との間に、ラジオ周波発生
装置15が発生するラジオ周波を印加し、酸素をプラズマ
化する。
極13とが設けられている。ガス排気口17に接続された真
空ポンプ18を使用して、真空容器11内を真空にした後、
ガス供給口16から、酸素90％・窒素10％の混合ガスを供
給して、真空容器11内のガス圧力を1.0Torr程度に保持
する。加熱装置（図示せず）をもって200℃程度に加熱
されているサセプタ14上に半導体ウェーハ５を載置し、
第１の電極12と第２の電極13との間に、ラジオ周波発生
装置15が発生するラジオ周波を印加し、酸素をプラズマ
化する。
このプラズマ発生領域と他の領域とは、メッシュ状に
孔が形成され、接地されている板19をもって仕切られて
いるので、プラズマ中の非帯電物質である酸素ラジカル
と窒素ラジカルのみが、メッシュ状の孔を有する板19を
通過して下方に流れ、サセプタ14上に載置された半導体
ウェーハ上に到達し、変質層32が既に除去されているレ
ジスト膜31をアッシング除去する。なお、酸素中に窒素
ガスを混入する目的は、アッシングレートを増加させる
ためである。
孔が形成され、接地されている板19をもって仕切られて
いるので、プラズマ中の非帯電物質である酸素ラジカル
と窒素ラジカルのみが、メッシュ状の孔を有する板19を
通過して下方に流れ、サセプタ14上に載置された半導体
ウェーハ上に到達し、変質層32が既に除去されているレ
ジスト膜31をアッシング除去する。なお、酸素中に窒素
ガスを混入する目的は、アッシングレートを増加させる
ためである。
イオン注入用マスクとして使用されて、表面に変質層
が形成されているレジスト膜を除去するには、まづ、低
温RIE装置等を使用して、レジスト膜外周部の変質層を
除去し、次に、ダウンフロー型アッシング装置等を使用
して、すでに変質層が除去されているレジスト膜を除去
するという２工程が必要であり、また、装置も２種類必
要である。
が形成されているレジスト膜を除去するには、まづ、低
温RIE装置等を使用して、レジスト膜外周部の変質層を
除去し、次に、ダウンフロー型アッシング装置等を使用
して、すでに変質層が除去されているレジスト膜を除去
するという２工程が必要であり、また、装置も２種類必
要である。
本発明の目的は、これらの欠点を解消することにあ
り、上記の二工程を順次切り替えて実行しうる一つの装
置を使用して、イオン注入用マスクとして使用されて、
表面に変質層が形成されているレジスト膜を除去するこ
とを可能にしたレジスト膜除去装置を提供することにあ
る。
り、上記の二工程を順次切り替えて実行しうる一つの装
置を使用して、イオン注入用マスクとして使用されて、
表面に変質層が形成されているレジスト膜を除去するこ
とを可能にしたレジスト膜除去装置を提供することにあ
る。
上記の目的は、上部に反応ガス流入口（26）を有し、
下部に真空ポンプ（28）に接続された排気口（27）を有
する真空容器（21）よりなり、該真空容器（21）は、メ
ッシュ状に孔が形成されておりガスの通過を可能とする
第２の電極（23）によって上下に区画され、前記真空容
器（21）の上部区画には、第１の電極（22）を有し、前
記真空容器（21）の下部区画には、冷却・加熱の手段と
被処理物を載置するサセプタを兼ねる第３の電極（24）
とを有し、前記第１の電極（22）をラジオ周波発生装置
（25）の一方の電極に、前記第２の電極（23）を接地を
介して前記ラジオ周波発生装置（25）の他方の電極に、
それぞれ接続する回路と、前記第１の電極（22）と前記
第２の電極（23）とを一括して前記ラジオ周波発生装置
（25）の一方の電極に、前記第３の電極（24）を前記ラ
ジオ周波発生装置（25）の他方の電極に、それぞれ接続
する回路とを、切り替え手段（29）によって適宜切り替
え可能にしたレジスト膜除去装置によって達成される。
下部に真空ポンプ（28）に接続された排気口（27）を有
する真空容器（21）よりなり、該真空容器（21）は、メ
ッシュ状に孔が形成されておりガスの通過を可能とする
第２の電極（23）によって上下に区画され、前記真空容
器（21）の上部区画には、第１の電極（22）を有し、前
記真空容器（21）の下部区画には、冷却・加熱の手段と
被処理物を載置するサセプタを兼ねる第３の電極（24）
とを有し、前記第１の電極（22）をラジオ周波発生装置
（25）の一方の電極に、前記第２の電極（23）を接地を
介して前記ラジオ周波発生装置（25）の他方の電極に、
それぞれ接続する回路と、前記第１の電極（22）と前記
第２の電極（23）とを一括して前記ラジオ周波発生装置
（25）の一方の電極に、前記第３の電極（24）を前記ラ
ジオ周波発生装置（25）の他方の電極に、それぞれ接続
する回路とを、切り替え手段（29）によって適宜切り替
え可能にしたレジスト膜除去装置によって達成される。
１つの真空容器内に、第１の電極22と第２の電極23と
第３の電極24とを設け、第１の電極22と第２の電極23と
を相互に切り替える切り替え手段29を使用して、第２の
電極23と第３の電極24との間にラジオ周波を印加してプ
ラズマを発生し、このプラズマを半導体ウェーハ５に作
用させて半導体ウェーハ５上に形成されているレジスト
膜周辺部の変質層をエッチング除去し、次に、切り替え
手段29を使用して、第１の電極22と第２の電極23との間
にラジオ周波を印加してプラズマを発生し、プラズマ中
の非帯電粒子である酸素ラジカル、窒素ラジカルのみ
を、第２の電極23に設けられているメッシュ状の孔を通
して真空容器21の下部区画に移動し、此処で半導体ウェ
ーハ５に接触させ、半導体ウェーハ５上に形成されてい
る、変質層32が既に除去されているレジスト膜31をアッ
シング除去する。
第３の電極24とを設け、第１の電極22と第２の電極23と
を相互に切り替える切り替え手段29を使用して、第２の
電極23と第３の電極24との間にラジオ周波を印加してプ
ラズマを発生し、このプラズマを半導体ウェーハ５に作
用させて半導体ウェーハ５上に形成されているレジスト
膜周辺部の変質層をエッチング除去し、次に、切り替え
手段29を使用して、第１の電極22と第２の電極23との間
にラジオ周波を印加してプラズマを発生し、プラズマ中
の非帯電粒子である酸素ラジカル、窒素ラジカルのみ
を、第２の電極23に設けられているメッシュ状の孔を通
して真空容器21の下部区画に移動し、此処で半導体ウェ
ーハ５に接触させ、半導体ウェーハ５上に形成されてい
る、変質層32が既に除去されているレジスト膜31をアッ
シング除去する。
以下、図面を参照しつゝ、本発明の一実施例に係るレ
ジスト膜除去装置について説明する。
ジスト膜除去装置について説明する。
第1a図参照 21は真空容器であり、メッシュ状に孔が形成されガス
の通過を可能とする第２の電極23によって上下二つの領
域に区画されており、上部の区画には反応ガス流入口26
が設けられており、下部の区画には真空ポンプ28に接続
された排気口27が設けられている。この真空容器21内の
上部の区画に第１の電極22が設けられ、下部の区画に、
冷却・加熱装置（図示せず）を有し、半導体ウェーハ５
を載置するサセプタを兼ねる第３の電極24が設けられて
いる。
の通過を可能とする第２の電極23によって上下二つの領
域に区画されており、上部の区画には反応ガス流入口26
が設けられており、下部の区画には真空ポンプ28に接続
された排気口27が設けられている。この真空容器21内の
上部の区画に第１の電極22が設けられ、下部の区画に、
冷却・加熱装置（図示せず）を有し、半導体ウェーハ５
を載置するサセプタを兼ねる第３の電極24が設けられて
いる。
25はラジオ周波発生装置であり、第１の電極22と第２
の電極23と切り替える切り替え手段29を介して、第２の
電極23と第３の電極24との間と、第１の電極22と第２の
電極23との間とに、ラジオ周波を印加する。
の電極23と切り替える切り替え手段29を介して、第２の
電極23と第３の電極24との間と、第１の電極22と第２の
電極23との間とに、ラジオ周波を印加する。
サセプタを兼ねる第３の電極24上に半導体ウェーハ５
を載置し、ポンプ28を使用して真空容器１内を真空に
し、反応ガス流入口26から酸素を送入し、真空容器１内
の酸素ガス圧を1.0Torr程度に保持する。
を載置し、ポンプ28を使用して真空容器１内を真空に
し、反応ガス流入口26から酸素を送入し、真空容器１内
の酸素ガス圧を1.0Torr程度に保持する。
切り替え手段29を使用して、第１の電極22と第２の電
極23とをペアとし、このペアと、接地された第３の電極
24との間に、ラジオ周波発生装置25が発生するラジオ周
波を印加し、第２の電極23とサセプタを兼ねる第３の電
極24との間にプラズマを発生する。
極23とをペアとし、このペアと、接地された第３の電極
24との間に、ラジオ周波発生装置25が発生するラジオ周
波を印加し、第２の電極23とサセプタを兼ねる第３の電
極24との間にプラズマを発生する。
上記プラズマを、サセプタを兼ねる第３の電極24上に
載置された半導体ウェーハ５に作用させ、半導体ウェー
ハ５上に形成されているレジスト膜の変質層32をエッチ
ング除去する。なお、エッチング反応効果を高めるた
め、第３の電極24を冷却装置（図示せず）を使用して10
℃程度に冷却することは有効である。
載置された半導体ウェーハ５に作用させ、半導体ウェー
ハ５上に形成されているレジスト膜の変質層32をエッチ
ング除去する。なお、エッチング反応効果を高めるた
め、第３の電極24を冷却装置（図示せず）を使用して10
℃程度に冷却することは有効である。
第1b図参照 次に、反応ガスとして、酸素に約10％の窒素を混入し
た混合ガスを送入し、真空容器１内のガス圧を、1.0Tor
r程度に保持する。
た混合ガスを送入し、真空容器１内のガス圧を、1.0Tor
r程度に保持する。
切り替え手段29を使用して、第１の電極22と、接地さ
れた第２の電極23との間に、ラジオ周波を印加し、第１
の電極22と、接地された第２の電極23との間にプラズマ
を発生する。プラズマ中の非帯電粒子である酸素ラジカ
ル、窒素ラジカルのみが第２の電極23に設けられている
孔を通ってダウンフローし、サセプタを兼ねる第３の電
極24上に載置された半導体ウェーハ５上に到達し、半導
体ウェーハ５上に形成されている変質層32が既に除去さ
れているレジスト膜31をアッシング除去する。なお、反
応効果を高めるため、第３の電極24を加熱手段（図示せ
ず）によって200℃程度に加熱することは有効である。
れた第２の電極23との間に、ラジオ周波を印加し、第１
の電極22と、接地された第２の電極23との間にプラズマ
を発生する。プラズマ中の非帯電粒子である酸素ラジカ
ル、窒素ラジカルのみが第２の電極23に設けられている
孔を通ってダウンフローし、サセプタを兼ねる第３の電
極24上に載置された半導体ウェーハ５上に到達し、半導
体ウェーハ５上に形成されている変質層32が既に除去さ
れているレジスト膜31をアッシング除去する。なお、反
応効果を高めるため、第３の電極24を加熱手段（図示せ
ず）によって200℃程度に加熱することは有効である。
以上説明せるとおり、本発明に係るレジスト膜除去装
置は、上部に反応ガス流入口を有し、下部に真空ポンプ
に接続された排気口を有する真空容器よりなり、該真空
容器は、メッシュ状に孔が形成されておりガスの通過を
可能とする第２の電極によって上下に区画され、前記真
空容器の上部区画には、第１の電極を有し、前記真空容
器の下部区画には、冷却・加熱の手段と被処理物を載置
するサセプタを兼ねる第３の電極とを有し、前記第１の
電極をラジオ周波発生装置の一方の電極に、前記第２の
電極を接地を介して前記ラジオ周波発生装置の他方の電
極に、それぞれ接続する回路と、前記第１の電極と前記
第２の電極とを一括して前記ラジオ周波発生装置の一方
の電極に、前記第３の電極を前記ラジオ周波発生装置の
他方の電極に、それぞれ接続する回路とを、切り替え手
段によって適宜切り替え可能にされているので、まず、
第１の電極と第２の電極とを相互に切り替える切り替え
手段を使用して、第２の電極と第３の電極との間にラジ
オ周波を印加してプラズマを発生し、このプラズマを半
導体ウェーハに作用させて半導体ウェーハ上に形成され
ているレジスト膜周辺部の変質層をエッチング除去し、
次に、切り替え手段を使用して、第１の電極と第２の電
極との間にラジオ周波を印加してプラズマを発生し、プ
ラズマ中の非帯電粒子である酸素ラジカル、窒素ラジカ
ルのみを、第２の電極に設けられているメッシュ状の孔
を通して真空容器の下部区画に移動し、此処で半導体ウ
ェーハに接触させ、半導体ウェーハ上に形成されてい
る、変質層が既に除去されているレジスト膜をアッシン
グ除去することができる、一つの装置を使用して、短縮
された工程で、レジスト変質層とレジスト膜との双方を
除去することができる。
置は、上部に反応ガス流入口を有し、下部に真空ポンプ
に接続された排気口を有する真空容器よりなり、該真空
容器は、メッシュ状に孔が形成されておりガスの通過を
可能とする第２の電極によって上下に区画され、前記真
空容器の上部区画には、第１の電極を有し、前記真空容
器の下部区画には、冷却・加熱の手段と被処理物を載置
するサセプタを兼ねる第３の電極とを有し、前記第１の
電極をラジオ周波発生装置の一方の電極に、前記第２の
電極を接地を介して前記ラジオ周波発生装置の他方の電
極に、それぞれ接続する回路と、前記第１の電極と前記
第２の電極とを一括して前記ラジオ周波発生装置の一方
の電極に、前記第３の電極を前記ラジオ周波発生装置の
他方の電極に、それぞれ接続する回路とを、切り替え手
段によって適宜切り替え可能にされているので、まず、
第１の電極と第２の電極とを相互に切り替える切り替え
手段を使用して、第２の電極と第３の電極との間にラジ
オ周波を印加してプラズマを発生し、このプラズマを半
導体ウェーハに作用させて半導体ウェーハ上に形成され
ているレジスト膜周辺部の変質層をエッチング除去し、
次に、切り替え手段を使用して、第１の電極と第２の電
極との間にラジオ周波を印加してプラズマを発生し、プ
ラズマ中の非帯電粒子である酸素ラジカル、窒素ラジカ
ルのみを、第２の電極に設けられているメッシュ状の孔
を通して真空容器の下部区画に移動し、此処で半導体ウ
ェーハに接触させ、半導体ウェーハ上に形成されてい
る、変質層が既に除去されているレジスト膜をアッシン
グ除去することができる、一つの装置を使用して、短縮
された工程で、レジスト変質層とレジスト膜との双方を
除去することができる。
第1a図は、本発明の一実施例に係るレジスト膜除去装置
の構成図であり、レジスト変質層除去工程を示す。 第1b図は、本発明の一実施例に係るレジスト膜除去装置
の構成図であり、レジスト膜除去工程を示す。 第２図は、従来技術に係るRIE装置の構成図である。 第３図は、従来技術に係るダウンフロー型アッシング装
置の構成図である。 第４図は、レジスト変質層を有するレジスト膜の断面図
である。 １、11、21……真空容器、 ２、12……従来技術に係る第１の電極、 22……本発明の一実施例に係る第１の電極、 ３、13……従来技術に係る第２の電極、 23……本発明の一実施例に係る第２の電極、 14……従来技術に係るサセプタ、 24……本発明の一実施例に係るサセプタを兼ねる第３の
電極、 ４、15、25……ラジオ周波発生装置、 ５……半導体ウェーハ、 ６、16、26……反応ガス流入口、 ７、17、27……ガス排気口、 ８、18、28……ポンプ、 31……レジスト膜、 32……レジスト変質層。
の構成図であり、レジスト変質層除去工程を示す。 第1b図は、本発明の一実施例に係るレジスト膜除去装置
の構成図であり、レジスト膜除去工程を示す。 第２図は、従来技術に係るRIE装置の構成図である。 第３図は、従来技術に係るダウンフロー型アッシング装
置の構成図である。 第４図は、レジスト変質層を有するレジスト膜の断面図
である。 １、11、21……真空容器、 ２、12……従来技術に係る第１の電極、 22……本発明の一実施例に係る第１の電極、 ３、13……従来技術に係る第２の電極、 23……本発明の一実施例に係る第２の電極、 14……従来技術に係るサセプタ、 24……本発明の一実施例に係るサセプタを兼ねる第３の
電極、 ４、15、25……ラジオ周波発生装置、 ５……半導体ウェーハ、 ６、16、26……反応ガス流入口、 ７、17、27……ガス排気口、 ８、18、28……ポンプ、 31……レジスト膜、 32……レジスト変質層。
Claims (1)
- 【請求項１】上部に反応ガス流入口（26）を有し、下部
に真空ポンプ（28）に接続された排気口（27）を有する
真空容器（21）よりなり、 該真空容器（21）は、メッシュ状に孔が形成されており
ガスの通過を可能とする第２の電極（23）によって上下
に区画され、 前記真空容器（21）の上部区画には、第１の電極（22）
を有し、 前記真空容器（21）の下部区画には、冷却・加熱の手段
と被処理物を載置するサセプタを兼ねる第３の電極（2
4）とを有し、 前記第１の電極（22）をラジオ周波発生装置（25）の一
方の電極に、前記第２の電極（23）を接地を介して前記
ラジオ周波発生装置（25）の他方の電極に、それぞれ接
続する回路と、前記第１の電極（22）と前記第２の電極
（23）とを一括して前記ラジオ周波発生装置（25）の一
方の電極に、前記第３の電極（24）を前記ラジオ周波発
生装置（25）の他方の電極に、それぞれ接続する回路と
を、切り替え手段（29）によって適宜切り替え可能にし
た ことを特徴とするレジスト膜除去装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63015977A JP2681360B2 (ja) | 1988-01-28 | 1988-01-28 | レジスト膜除去装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63015977A JP2681360B2 (ja) | 1988-01-28 | 1988-01-28 | レジスト膜除去装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01192118A JPH01192118A (ja) | 1989-08-02 |
| JP2681360B2 true JP2681360B2 (ja) | 1997-11-26 |
Family
ID=11903752
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63015977A Expired - Lifetime JP2681360B2 (ja) | 1988-01-28 | 1988-01-28 | レジスト膜除去装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2681360B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100453578B1 (ko) * | 2002-01-04 | 2004-10-20 | 주성엔지니어링(주) | 실리콘 에피택셜층 성장공정 전의 기판 사전 세정방법 |
| US7500445B2 (en) | 2003-01-27 | 2009-03-10 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for cleaning a CVD chamber |
| US6974708B2 (en) * | 2004-04-08 | 2005-12-13 | Headway Technologies, Inc. | Oxidation structure/method to fabricate a high-performance magnetic tunneling junction MRAM |
| JP2011253832A (ja) * | 2008-07-24 | 2011-12-15 | Canon Anelva Corp | レジストトリミング方法及びトリミング装置 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5852325B2 (ja) * | 1979-12-14 | 1983-11-22 | 富士通株式会社 | プラズマエッチング処理方法および処理装置 |
-
1988
- 1988-01-28 JP JP63015977A patent/JP2681360B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01192118A (ja) | 1989-08-02 |
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