JPH01184865A - 密着型イメージセンサ - Google Patents
密着型イメージセンサInfo
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- JPH01184865A JPH01184865A JP63003890A JP389088A JPH01184865A JP H01184865 A JPH01184865 A JP H01184865A JP 63003890 A JP63003890 A JP 63003890A JP 389088 A JP389088 A JP 389088A JP H01184865 A JPH01184865 A JP H01184865A
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Classifications
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
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- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
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- H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
- H01L2224/491—Disposition
- H01L2224/4912—Layout
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- Light Receiving Elements (AREA)
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- Facsimile Scanning Arrangements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
ファクシミリ、画像入力端末装置等の原稿読取部に用い
られる密着型イメージセンサに関し、製造プロセスの簡
略化と信頼性の向上を目的とし、 光センサ素子アレイ駆動用の複数個のベアチップＩＣの
上にそれぞれ複数個の光センサ素子が一列に配置される
ように形成され、予め信号処理用マトリクス状配線が形
成されたフレキシブルプリント板上に前記光センサ素子
が一直線に並ぶように前記複数個の駆動用ベアチップｔ
Ｃが搭載され、さらに該ベアチップＩＣと前記配線間が
ボンディングワイヤで接続されてなるように構成する。
られる密着型イメージセンサに関し、製造プロセスの簡
略化と信頼性の向上を目的とし、 光センサ素子アレイ駆動用の複数個のベアチップＩＣの
上にそれぞれ複数個の光センサ素子が一列に配置される
ように形成され、予め信号処理用マトリクス状配線が形
成されたフレキシブルプリント板上に前記光センサ素子
が一直線に並ぶように前記複数個の駆動用ベアチップｔ
Ｃが搭載され、さらに該ベアチップＩＣと前記配線間が
ボンディングワイヤで接続されてなるように構成する。
本発明は、ファクシミリ、画像入力端末装置等の原稿読
取部に用いられる密着型イメージセンサに関する。
取部に用いられる密着型イメージセンサに関する。
密着型イメージセンサは、ファクシミリの普及に伴ない
、その小型化、高速化、高精細化、低価格化の要望が高
まっている。
、その小型化、高速化、高精細化、低価格化の要望が高
まっている。
従来の密着型イメージセンサは第３図ａの平面図及び第
３図すの断面図に示すように、ガラス、セラミック等の
基板ｌの上に光センサ素子アレイ２と信号処理用マトリ
クス状配線３を形成し、さらに駆動用のＩＣ４を実装し
、該駆動用ＩＣ４と光センサ素子アレイ２及び配線３と
の間をボンディングワイヤ５で接続して構成されており
、光センサ素子アレイ２からの信号を駆動用ＩＣ４で増
幅し各素手の信号を時系列的に読み出すようになってい
る。
３図すの断面図に示すように、ガラス、セラミック等の
基板ｌの上に光センサ素子アレイ２と信号処理用マトリ
クス状配線３を形成し、さらに駆動用のＩＣ４を実装し
、該駆動用ＩＣ４と光センサ素子アレイ２及び配線３と
の間をボンディングワイヤ５で接続して構成されており
、光センサ素子アレイ２からの信号を駆動用ＩＣ４で増
幅し各素手の信号を時系列的に読み出すようになってい
る。
上記従来の密着型イメージセンサでは、基板１の面積が
大きく一度に膜形成できる基板の数を多くすることがで
きない。また蒸着等によりマトリクス配線３を形成する
のはプロセスが簡単ではなく絶縁膜形成に４００℃以上
の高温プロセスも必要であり、さらに８素子／ｌｌｌ１
のＡ４サイズのイメージセンサでは約１７００個の素子
に１本づつのワイヤボンディングが必要となり製造工数
が大きいという欠点があった。また光センサ素子アレイ
２と駆動用ＩＣ４との間には微小な信号電流が流れるが
、これにボンディングワイヤ５からノイズが入り易く信
鎖性が低下するという欠点があった。
大きく一度に膜形成できる基板の数を多くすることがで
きない。また蒸着等によりマトリクス配線３を形成する
のはプロセスが簡単ではなく絶縁膜形成に４００℃以上
の高温プロセスも必要であり、さらに８素子／ｌｌｌ１
のＡ４サイズのイメージセンサでは約１７００個の素子
に１本づつのワイヤボンディングが必要となり製造工数
が大きいという欠点があった。また光センサ素子アレイ
２と駆動用ＩＣ４との間には微小な信号電流が流れるが
、これにボンディングワイヤ５からノイズが入り易く信
鎖性が低下するという欠点があった。
本発明は、上記問題点に鑑み、製造プロセスの簡略化と
信錬性を向上した密着型イメージセンサを提供すること
を目的とするものである。
信錬性を向上した密着型イメージセンサを提供すること
を目的とするものである。
上記目的は、光センサ素子アレイ駆動用の複数個のベア
チップＩＣｌ０の上にそれぞれ複数個の光センサ素子１
１が一列に配置されるように形成され、予め信号処理用
マトリクス状配線１３が形成されたフレキシブルプリン
ト板１２上に前記光センサ素子１１が一直線に並ぶよう
に前記複数個の駆動用ベアチップＩＣｌ０が搭載され、
さらに該駆動用ベアチップＩＣｌ０と前記配線１３間が
ボンディングワイヤ１４で接続されてなることを特徴と
する密着型イメージセンサによって達成される。
チップＩＣｌ０の上にそれぞれ複数個の光センサ素子１
１が一列に配置されるように形成され、予め信号処理用
マトリクス状配線１３が形成されたフレキシブルプリン
ト板１２上に前記光センサ素子１１が一直線に並ぶよう
に前記複数個の駆動用ベアチップＩＣｌ０が搭載され、
さらに該駆動用ベアチップＩＣｌ０と前記配線１３間が
ボンディングワイヤ１４で接続されてなることを特徴と
する密着型イメージセンサによって達成される。
予め信号処理用マトリクス状配線１３が形成されたフレ
キシブルプリント板１２上に、予め複数個の光センサ素
子１１が設けられた駆動用ベアチップＩＣｌ０の複数個
を搭載することにより、単体の大型光センサ素子アレイ
を形成する必要がなくなり製造工程が簡略化され、また
光センサ素子１１と駆動用ベアチップＩＣｌ０間の電気
的接続が該ＩＣ内ででき、ボンディングワイヤを必要と
しないため光センサ素子１１の信号に外部からのノイズ
の混入が少なくなり信頌性が向上される。
キシブルプリント板１２上に、予め複数個の光センサ素
子１１が設けられた駆動用ベアチップＩＣｌ０の複数個
を搭載することにより、単体の大型光センサ素子アレイ
を形成する必要がなくなり製造工程が簡略化され、また
光センサ素子１１と駆動用ベアチップＩＣｌ０間の電気
的接続が該ＩＣ内ででき、ボンディングワイヤを必要と
しないため光センサ素子１１の信号に外部からのノイズ
の混入が少なくなり信頌性が向上される。
第１図は本発明の実施例を示す図であり、ａは平面図、
ｂはａ図のｂ−ｂ線における断面図である。同図におい
て、１０は光センサ素子アレイ駆動用のベアチップＩＣ
１１１はその上に形成された光センサ素子、１２はフレ
キシブルプリント板、１３は信号処理用のマトリクス状
配線、１４はボンディングワイヤ、１５はアルミ等を用
いた補強板である。
ｂはａ図のｂ−ｂ線における断面図である。同図におい
て、１０は光センサ素子アレイ駆動用のベアチップＩＣ
１１１はその上に形成された光センサ素子、１２はフレ
キシブルプリント板、１３は信号処理用のマトリクス状
配線、１４はボンディングワイヤ、１５はアルミ等を用
いた補強板である。
本実施例は同図に示すように光センサ素子アレイ駆動用
のベアチップＩＣｌ０の上に複数個の光センサ素子１１
を一列に配置形成し、その複数個を予めマトリクス状配
線１３を形成したフレキシブルプリント板１２上に、前
記光センサ素子１１が一直線に並ぶように搭載し、さら
に該ベアチップＩＣｌ０と配線１３間をボンディングワ
イヤ１４で電気的に接続したものである。
のベアチップＩＣｌ０の上に複数個の光センサ素子１１
を一列に配置形成し、その複数個を予めマトリクス状配
線１３を形成したフレキシブルプリント板１２上に、前
記光センサ素子１１が一直線に並ぶように搭載し、さら
に該ベアチップＩＣｌ０と配線１３間をボンディングワ
イヤ１４で電気的に接続したものである。
なお駆動用ベアチップＩＣ１０上に光センサ素子１１を
形成するには、その製造プロセス中において、ベアチッ
プＩＣ基板上に光センサ駆動回路であるシフトレジスタ
、アナログスイッチ、信号増幅用オペアンプ等を構成す
ると同時に、第２図に示すようにオペアンプの信号入力
端子１６上に光導電層としてアモルファスシリコン層１
７を複数の信号入力端子１６と接続するように帯状に形
成し、その上にＩＴＯを用いた透明共通電極１８を負電
源ライン１９に接続させて形成するのである。
形成するには、その製造プロセス中において、ベアチッ
プＩＣ基板上に光センサ駆動回路であるシフトレジスタ
、アナログスイッチ、信号増幅用オペアンプ等を構成す
ると同時に、第２図に示すようにオペアンプの信号入力
端子１６上に光導電層としてアモルファスシリコン層１
７を複数の信号入力端子１６と接続するように帯状に形
成し、その上にＩＴＯを用いた透明共通電極１８を負電
源ライン１９に接続させて形成するのである。
このＩＴＯ／アモルファスシリコン光センサ素子は、そ
のアモルファスシリコンが単結晶シリコンに比べて吸収
係数が大きく、小面積・薄膜でも十分な光電効果が得ら
れ、またどのような下地に対しても低温で形成可能であ
る。なおアモルファスシリコン層１７はＳｉＨ，ガス等
のグロー放電分解により、ＩＴＯはスパッタ法により容
易に形成することができる。
のアモルファスシリコンが単結晶シリコンに比べて吸収
係数が大きく、小面積・薄膜でも十分な光電効果が得ら
れ、またどのような下地に対しても低温で形成可能であ
る。なおアモルファスシリコン層１７はＳｉＨ，ガス等
のグロー放電分解により、ＩＴＯはスパッタ法により容
易に形成することができる。
このように構成された本実施例は、各ベアチップｒｃｉ
ｏ上に設けられた光センサ素子１１によって光センサ素
子アレイが構成されるため単体の大型光センサ素子アレ
イを形成する必要がなく製造工程が簡略化され且つ小型
化される。また光センサ紫芋１１と駆動用ベアチップＩ
Ｃｌ０との間の電気的接続がチップ内ででき、ボンディ
ングワイヤを必要としないので外部からのノイズの混入
が少なくなり画像品質の信鎖性が向上される。
ｏ上に設けられた光センサ素子１１によって光センサ素
子アレイが構成されるため単体の大型光センサ素子アレ
イを形成する必要がなく製造工程が簡略化され且つ小型
化される。また光センサ紫芋１１と駆動用ベアチップＩ
Ｃｌ０との間の電気的接続がチップ内ででき、ボンディ
ングワイヤを必要としないので外部からのノイズの混入
が少なくなり画像品質の信鎖性が向上される。
以上説明した様に、本発明によれば、光センサ素子アレ
イを分割し、その分割された光センサ素子群を駆動用ベ
アチップＩＣ上に設けることにより、小型化されると共
に製造工程が簡略化され、且つ光センサ素子とベアチッ
プＩＣの電気的接続を該ＩＣ内でできるので外部からの
ノイズの混入を減少させることができる。また基板とし
てフレキシブルプリント板を用いることによりマトリク
ス状の配線形成に高温を要せず従来に比して製造が容易
となる。
イを分割し、その分割された光センサ素子群を駆動用ベ
アチップＩＣ上に設けることにより、小型化されると共
に製造工程が簡略化され、且つ光センサ素子とベアチッ
プＩＣの電気的接続を該ＩＣ内でできるので外部からの
ノイズの混入を減少させることができる。また基板とし
てフレキシブルプリント板を用いることによりマトリク
ス状の配線形成に高温を要せず従来に比して製造が容易
となる。
第１図は本発明の実施例を示す図、
第２図は本発明の実施例におけるベアチップＩＣ上の光
センサ素子を示す図、 第３図は従来の密着型イメージセンサを示す図である。 図において、 １０はベアチップＩＣ。 １１は光センサ素子、 １２はフレキシブルプリント板、 １３はマトリクス状配線、 １４はボンディングワイヤ、 １５は補強板、 を示す。
センサ素子を示す図、 第３図は従来の密着型イメージセンサを示す図である。 図において、 １０はベアチップＩＣ。 １１は光センサ素子、 １２はフレキシブルプリント板、 １３はマトリクス状配線、 １４はボンディングワイヤ、 １５は補強板、 を示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、光センサ素子アレイ駆動用の複数個のベアチップＩ
Ｃ（１０）の上にそれぞれ複数個の光センサ素子（１１
）が一列に配置されるように形成され、予め信号処理用
マトリクス状配線（１３）が形成されたフレキシブルプ
リント板（１２）上に前記光センサ素子（１１）が一直
線に並ぶように前記複数個の駆動用ベアチップＩＣ（１
０）が搭載され、さらに該駆動用ベアチップＩＣ（１０
）と前記配線（１３）間がボンディングワイヤ（１４）
で接続されてなることを 特徴とする密着型イメージセンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63003890A JPH01184865A (ja) | 1988-01-13 | 1988-01-13 | 密着型イメージセンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63003890A JPH01184865A (ja) | 1988-01-13 | 1988-01-13 | 密着型イメージセンサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01184865A true JPH01184865A (ja) | 1989-07-24 |
Family
ID=11569779
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63003890A Pending JPH01184865A (ja) | 1988-01-13 | 1988-01-13 | 密着型イメージセンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01184865A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000076000A1 (en) * | 1999-06-04 | 2000-12-14 | Nippon Sheet Glass Co., Ltd. | Photodetector array device and optical demultiplexer using the same |
| JP2002029084A (ja) * | 2000-07-13 | 2002-01-29 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 光書込みヘッドおよびその組立方法 |
-
1988
- 1988-01-13 JP JP63003890A patent/JPH01184865A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000076000A1 (en) * | 1999-06-04 | 2000-12-14 | Nippon Sheet Glass Co., Ltd. | Photodetector array device and optical demultiplexer using the same |
| US6710330B1 (en) | 1999-06-04 | 2004-03-23 | Nippon Sheet Glass Co., Ltd. | Light-receiving element array device and optical demultiplexer using the same |
| JP2002029084A (ja) * | 2000-07-13 | 2002-01-29 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 光書込みヘッドおよびその組立方法 |
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