JPH01168792A - 強誘電性液晶組成物 - Google Patents
強誘電性液晶組成物Info
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- JPH01168792A JPH01168792A JP62328717A JP32871787A JPH01168792A JP H01168792 A JPH01168792 A JP H01168792A JP 62328717 A JP62328717 A JP 62328717A JP 32871787 A JP32871787 A JP 32871787A JP H01168792 A JPH01168792 A JP H01168792A
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Classifications
-
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- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
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- C09K19/04—Liquid crystal materials characterised by the chemical structure of the liquid crystal components, e.g. by a specific unit
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-
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- Liquid Crystal Substances (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、強誘電性液晶組成物に関し、さらに詳しくは
、負の誘電異方性を有する非カイラルな化合物を含有し
てなる、負の誘電異方性を有する強誘電性液晶組成物お
よびそれを用いた光スイツチング素子に関する。
、負の誘電異方性を有する非カイラルな化合物を含有し
てなる、負の誘電異方性を有する強誘電性液晶組成物お
よびそれを用いた光スイツチング素子に関する。
近年、液晶デイスプレィは、薄型、軽量、低消費電力な
どの特徴を生かして表示素子として幅広く用いられるよ
うになってきた。しかし、これらの表示素子のほとんど
は、ネマチック相を有する液晶材料を用いたＴＮ型表示
方式を利用したものであり、高マルチプレツクス化を必
要とする応用分野では、まだまだ応答が遅く、改善の必
要性が迫られている。
どの特徴を生かして表示素子として幅広く用いられるよ
うになってきた。しかし、これらの表示素子のほとんど
は、ネマチック相を有する液晶材料を用いたＴＮ型表示
方式を利用したものであり、高マルチプレツクス化を必
要とする応用分野では、まだまだ応答が遅く、改善の必
要性が迫られている。
このような現状の中で、最近、注目されているのが、Ｎ
、Ａ、クラークとＳ、Ｔ、ラガウォールにより提案され
た、強誘電性液晶の光スイツチング現象を利用した表示
方式である（アプライド・フィツクス・レターズ（Ａｐ
ｐＪ、Ｐｈｙｓ、Ｌｅｔｔ、）第３６巻、Ｐ、８９９
（１９８０年）参照）。強誘電性液晶は、１９７５年に
Ｒ，Ｂ。
、Ａ、クラークとＳ、Ｔ、ラガウォールにより提案され
た、強誘電性液晶の光スイツチング現象を利用した表示
方式である（アプライド・フィツクス・レターズ（Ａｐ
ｐＪ、Ｐｈｙｓ、Ｌｅｔｔ、）第３６巻、Ｐ、８９９
（１９８０年）参照）。強誘電性液晶は、１９７５年に
Ｒ，Ｂ。
メイヤー等によってその存在が初めて発表されたもので
（ジャーナル・ド・フィジーク（Ｊ、ｄｅＰｈｙｓ、）
第３６巻、Ｐ、６９ （１９７５年）参照）、液晶分類
上からカイラルスメクチックＣ相、カイラルスメクチッ
ク■相、カイラルスメクチックＦ相、カイラルスメクチ
ックＣ相、カイラルスメクチックＨ相、カイラルスメク
チックＪ相およびカイラルスメクチックに相（以下、そ
れぞれＳＣ＊相、Ｓ■＊相、ＳＦ＊相、ＳＣ＊相、５Ｈ
）ｋ相、ＳＪ＊相およびＳＫＩ相と略記する）に属する
。
（ジャーナル・ド・フィジーク（Ｊ、ｄｅＰｈｙｓ、）
第３６巻、Ｐ、６９ （１９７５年）参照）、液晶分類
上からカイラルスメクチックＣ相、カイラルスメクチッ
ク■相、カイラルスメクチックＦ相、カイラルスメクチ
ックＣ相、カイラルスメクチックＨ相、カイラルスメク
チックＪ相およびカイラルスメクチックに相（以下、そ
れぞれＳＣ＊相、Ｓ■＊相、ＳＦ＊相、ＳＣ＊相、５Ｈ
）ｋ相、ＳＪ＊相およびＳＫＩ相と略記する）に属する
。
強誘電性液晶の光スイツチング効果を表示素子として応
用する場合、ＴＮ型表示方式に較べて２つの優れた特徴
がある。第１の特徴は、非常に高速で応答し、その応答
時間はＴＮ表示方式の素子と比較すると１／１００以下
である。第２の特徴はメモリー効果があることであり、
上記の高速応答性とあいまって時分割駆動が容易である
。
用する場合、ＴＮ型表示方式に較べて２つの優れた特徴
がある。第１の特徴は、非常に高速で応答し、その応答
時間はＴＮ表示方式の素子と比較すると１／１００以下
である。第２の特徴はメモリー効果があることであり、
上記の高速応答性とあいまって時分割駆動が容易である
。
強誘電性液晶を用いた表示素子にメモリー性を持たせる
には、２つの方法が考えられる。１つは、Ｎ、Ａ、クラ
ークらが提案している、セル厚（ｄ）をらせんピッチ（
ｐ）以下の厚みにまで薄くしくｄ＜ｐ） 、らせんをほ
どくことによりメモリー性を出現させる方法であり（ア
プライド・フィツクス・レターズ（ＡｐｐＪ２．Ｐｈｙ
ｓ、Ｌｅｔｔ。
には、２つの方法が考えられる。１つは、Ｎ、Ａ、クラ
ークらが提案している、セル厚（ｄ）をらせんピッチ（
ｐ）以下の厚みにまで薄くしくｄ＜ｐ） 、らせんをほ
どくことによりメモリー性を出現させる方法であり（ア
プライド・フィツクス・レターズ（ＡｐｐＪ２．Ｐｈｙ
ｓ、Ｌｅｔｔ。
）第３６巻、Ｐ、８９９ （１９８０年）参照）、もう
１つは、Ｌｅ、ピーサントらにより発見された、ＡＣス
タビライズ効果を利用してメモリー性を出現させる方法
である（パリ・リキッド・クリスタル・コンファレンス
）（ｐａｒｔｓ Ｌｉｑｕｉｄ ＣｒｙｓｔａＩ
Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ。
１つは、Ｌｅ、ピーサントらにより発見された、ＡＣス
タビライズ効果を利用してメモリー性を出現させる方法
である（パリ・リキッド・クリスタル・コンファレンス
）（ｐａｒｔｓ Ｌｉｑｕｉｄ ＣｒｙｓｔａＩ
Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ。
）、Ｐ、２１７ （１９８４年）参照）。
現状の強誘電性液晶材料は、らせんピッチが短いものが
多く （１〜３μｍ） 、Ｎ、Ａ、クラーク等が提案し
た薄セル化によりメモリー性を出現させるためには、セ
ル厚を１〜３μｍくらいに保つ必要があり、現状のセル
製作技術から考えると、コスト面および歩留りの点にお
いて困難であるという問題点がある。一方、Ｌｅ、ピー
サント等が発見したＡＣスタビライズ効果を利用してメ
モリー性を出現させる方法は、負の誘電異方性（八Ｅ）
を有する強誘電性液晶材料においてのみ有効であるが、
厚セル（５〜７μｍ）においても、メモリー性を出現さ
せることが可能であり、現状のセル製作技術を利用する
ことができ、非常に実用的である。
多く （１〜３μｍ） 、Ｎ、Ａ、クラーク等が提案し
た薄セル化によりメモリー性を出現させるためには、セ
ル厚を１〜３μｍくらいに保つ必要があり、現状のセル
製作技術から考えると、コスト面および歩留りの点にお
いて困難であるという問題点がある。一方、Ｌｅ、ピー
サント等が発見したＡＣスタビライズ効果を利用してメ
モリー性を出現させる方法は、負の誘電異方性（八Ｅ）
を有する強誘電性液晶材料においてのみ有効であるが、
厚セル（５〜７μｍ）においても、メモリー性を出現さ
せることが可能であり、現状のセル製作技術を利用する
ことができ、非常に実用的である。
ＡＣスタビライズ効果は、強誘電性液晶が低周波数にお
いては、印加電界に自発分極（ＰＳ）が応答するが、高
周波数においては、自発分極が追随できな（なり、その
結果、常誘電異方性が寄与することになり、誘電異方性
が負（八Ｅく０）であるならば、液晶分子は基板に対し
て平行状態に強制されるということを利用した方式であ
り、厚セルにおいてもメモリー効果は出現する。実際に
、このＡＣスタビライズ効果を利用した、マトリックス
表示が示されたのは、１９８５年、ジェアリーが報告し
たのが最初であり（Ｓ Ｉ Ｄ“８５ ダイジェスト
Ｐ、１２８ （１９８５年）参照）、その後はほとんど
例がない。いままで報告された例が少ない主たる理由は
、負の誘電異方性を有する強誘電性液晶材料が少ないこ
とである。また、ジェアリーの報告では、ＡＣスタビラ
イズ効果を利用してメモリー性を出現させるためには、
約４０■の電圧が必要であり、通常のＩＣの駆動電圧範
囲を考慮すると、もっと低い電圧（２５■以下）にて、
ＡＣスタビライズ効果が出現することが望ましい。ＡＣ
スタビライズ効果は、誘電異方性が負に大きいほど、低
い電圧にて出現するため、誘電異方性が負に大きい強誘
電性液晶材料の出現が熱望されている。また、ジェアリ
ーらの報告した強誘電性液晶材料の応答時間は数ｍ ｓ
ｅ ｃであり、実用面から見ると応答時間はまだ遅く
、誘電異方性が負であり、かつ、高速応答性を有する強
誘電性液晶の出現が望まれている。
いては、印加電界に自発分極（ＰＳ）が応答するが、高
周波数においては、自発分極が追随できな（なり、その
結果、常誘電異方性が寄与することになり、誘電異方性
が負（八Ｅく０）であるならば、液晶分子は基板に対し
て平行状態に強制されるということを利用した方式であ
り、厚セルにおいてもメモリー効果は出現する。実際に
、このＡＣスタビライズ効果を利用した、マトリックス
表示が示されたのは、１９８５年、ジェアリーが報告し
たのが最初であり（Ｓ Ｉ Ｄ“８５ ダイジェスト
Ｐ、１２８ （１９８５年）参照）、その後はほとんど
例がない。いままで報告された例が少ない主たる理由は
、負の誘電異方性を有する強誘電性液晶材料が少ないこ
とである。また、ジェアリーの報告では、ＡＣスタビラ
イズ効果を利用してメモリー性を出現させるためには、
約４０■の電圧が必要であり、通常のＩＣの駆動電圧範
囲を考慮すると、もっと低い電圧（２５■以下）にて、
ＡＣスタビライズ効果が出現することが望ましい。ＡＣ
スタビライズ効果は、誘電異方性が負に大きいほど、低
い電圧にて出現するため、誘電異方性が負に大きい強誘
電性液晶材料の出現が熱望されている。また、ジェアリ
ーらの報告した強誘電性液晶材料の応答時間は数ｍ ｓ
ｅ ｃであり、実用面から見ると応答時間はまだ遅く
、誘電異方性が負であり、かつ、高速応答性を有する強
誘電性液晶の出現が望まれている。
本発明の第１の目的は、負の誘電異方性が大きく、低電
圧にてＡＣスタビライズ効果を有し、しかも、高速応答
性を有する強誘電性液晶組成物を提供することであり、
第２の目的は、上記の液晶組成物を用いた光スイツチン
グ素子を提供することである。
圧にてＡＣスタビライズ効果を有し、しかも、高速応答
性を有する強誘電性液晶組成物を提供することであり、
第２の目的は、上記の液晶組成物を用いた光スイツチン
グ素子を提供することである。
本発明者らは前記した問題点を解決すべく、強誘電性液
晶組成物を鋭意検討した結果、以下に示すごとく液晶化
合物を組合わせることにより、負の誘電異方性が大きく
、しかも高速応答性を有する強誘電性液晶組成物が得ら
れることを見出し、本発明を完成した。
晶組成物を鋭意検討した結果、以下に示すごとく液晶化
合物を組合わせることにより、負の誘電異方性が大きく
、しかも高速応答性を有する強誘電性液晶組成物が得ら
れることを見出し、本発明を完成した。
すなわち、本発明の第１は、
（１）一般式
１−１８の同一または相異なる直鎖または分岐のれる、
負の誘電異方性を有する化合物を少なくとも１種含有す
ることを特徴とする負の誘電異方性を有する強誘電性液
晶組成物（以下、第１の組成物と称する）である。
負の誘電異方性を有する化合物を少なくとも１種含有す
ることを特徴とする負の誘電異方性を有する強誘電性液
晶組成物（以下、第１の組成物と称する）である。
また本発明の第２の組成物は、少なくとも下記のＡＳＢ
およびＣの３つの成分を含有し、その割合は、Ａ、Ｂ、
Ｃの３成分の合計量に対してＡが５〜４０重量％、Ｂが
２０〜７０重量％、Ｃが５〜４０重量％である負の誘電
異方性を有する強誘電性液晶組成物である。
およびＣの３つの成分を含有し、その割合は、Ａ、Ｂ、
Ｃの３成分の合計量に対してＡが５〜４０重量％、Ｂが
２０〜７０重量％、Ｃが５〜４０重量％である負の誘電
異方性を有する強誘電性液晶組成物である。
ただし、Ａ成分は、前記一般式（Ａ）の化合物であり、
素数１〜１８の同一または相異なる直鎖または分岐のア
ルキル基またはアルコキシ基を示す）で表素数１〜１８
の同一または相異なる直鎖または分岐のアルキル基また
はアルコキシ基を示す）で表素数１〜１８の同一または
相異なる直鎖または分岐のアルキル基またはアルコキシ
基を示す）で表わされる化合物、および一般式 （（Ｂ−４）式中、Ｒ１１は炭素数１〜１８の直鎖また
は分岐のアルキル基またはアルコキシ基を示し、Ｚは直
結または一〇−を表わし、ｋはＯ〜１０を示し、また（
±）゛はラセミ化合物であることを示す）で表わされる
化合物から選ばれた１種または２種以上の化合物であり
、 Ｃ成分は、一般式 （（ｃ−１）式中、Ｒ１２は炭素数１〜１８の直鎖また
は分岐あアルキル基またはアルコキシ基を示し、Ｒ１３
は炭素数２〜１８の直鎖または分岐のアルキル基を示し
、Ｗは、−Ｈ，−Ｆまたは一〇Ｎを示し、また＊は不斉
炭素原子を示す）で表わされる化合物、一般式 または分岐のアルキル基またはアルコキシ基を示し、Ｒ
１！ｌは炭素数２〜１８の直鎖または分岐のアルキル基
を示し、■は、−Ｈｌ−Ｆまたは一〇Ｎを示し、また＊
は不斉炭素原子を示す）で表わさ（（ｃ−３）式中、Ｒ
１６は炭素数１〜１８の直鎖または分岐のアルキル基ま
たはアルコキシ基を示し、Ｒ１？は炭素数１〜１８のア
ルキル基を示し、また＊は不斉炭素原子を示す）で表わ
される化合（（Ｃ−４）式中、Ｒ１８は炭素数１〜１８
の直鎖または分岐のアルキル基またはアルコキシ基を示
し、Ｒ１９は炭素数２〜１８の直鎖または分岐のアルキ
ル基、または炭素数１〜１８のアルコキシ基を示し、ま
た＊は不斉炭素原子を示す）で表わされる化合物から選
ばれた１種または２種以上の化合物である。
ルキル基またはアルコキシ基を示す）で表素数１〜１８
の同一または相異なる直鎖または分岐のアルキル基また
はアルコキシ基を示す）で表素数１〜１８の同一または
相異なる直鎖または分岐のアルキル基またはアルコキシ
基を示す）で表わされる化合物、および一般式 （（Ｂ−４）式中、Ｒ１１は炭素数１〜１８の直鎖また
は分岐のアルキル基またはアルコキシ基を示し、Ｚは直
結または一〇−を表わし、ｋはＯ〜１０を示し、また（
±）゛はラセミ化合物であることを示す）で表わされる
化合物から選ばれた１種または２種以上の化合物であり
、 Ｃ成分は、一般式 （（ｃ−１）式中、Ｒ１２は炭素数１〜１８の直鎖また
は分岐あアルキル基またはアルコキシ基を示し、Ｒ１３
は炭素数２〜１８の直鎖または分岐のアルキル基を示し
、Ｗは、−Ｈ，−Ｆまたは一〇Ｎを示し、また＊は不斉
炭素原子を示す）で表わされる化合物、一般式 または分岐のアルキル基またはアルコキシ基を示し、Ｒ
１！ｌは炭素数２〜１８の直鎖または分岐のアルキル基
を示し、■は、−Ｈｌ−Ｆまたは一〇Ｎを示し、また＊
は不斉炭素原子を示す）で表わさ（（ｃ−３）式中、Ｒ
１６は炭素数１〜１８の直鎖または分岐のアルキル基ま
たはアルコキシ基を示し、Ｒ１？は炭素数１〜１８のア
ルキル基を示し、また＊は不斉炭素原子を示す）で表わ
される化合（（Ｃ−４）式中、Ｒ１８は炭素数１〜１８
の直鎖または分岐のアルキル基またはアルコキシ基を示
し、Ｒ１９は炭素数２〜１８の直鎖または分岐のアルキ
ル基、または炭素数１〜１８のアルコキシ基を示し、ま
た＊は不斉炭素原子を示す）で表わされる化合物から選
ばれた１種または２種以上の化合物である。
本発明の第２は、前記第１または第２の負の誘電異方性
を有する強誘電性液晶組成物を利用することを特徴とす
る光スイツチング素子である。
を有する強誘電性液晶組成物を利用することを特徴とす
る光スイツチング素子である。
本発明に用いられる一般式（Ａ）で表わされる化合物は
、分子の短軸方向に大きな双極子モーメント（Ｘ、Ｙで
示される）を有するため、誘電異方性が負に非常に大き
いという特徴を有している。
、分子の短軸方向に大きな双極子モーメント（Ｘ、Ｙで
示される）を有するため、誘電異方性が負に非常に大き
いという特徴を有している。
具体的な化合物例としては、一般式
素数１〜１８の同一または相異なる直鎮または分岐のア
ルキル基を示し、！は１または２を表わす）で表わされ
る、２つのＣＮ基を同一側に有する非カイラルな化合物
があげられる。これは本出願人が先に特許出願し、すで
に公開されたものである（例えば、特開昭５５−６６５
５６号、特開昭５５−１０２５５０号、特開昭５９−１
０５５７号公報等参照）。
ルキル基を示し、！は１または２を表わす）で表わされ
る、２つのＣＮ基を同一側に有する非カイラルな化合物
があげられる。これは本出願人が先に特許出願し、すで
に公開されたものである（例えば、特開昭５５−６６５
５６号、特開昭５５−１０２５５０号、特開昭５９−１
０５５７号公報等参照）。
これらの一般式（Ａ−１）で表わされる化合物は、ネマ
チック相またはスメチックＡ相を示し、ＳＣ相を示さな
いが、誘電異方性が−２０〜−２５と負に非常に大きい
ため、本発明の目的とする強誘電性液晶組成物において
は、ＡＣスタビライズ効果を低電圧にて出現させるとい
う重要な役割を演じている。一般式（Ａ−１）で表わさ
れる化合物としては、以下の第１表〜第２表で示される
化合物が代表的なものとしてあげられる。第１表は（Ａ
−１）式においてｆｉ＝１の化合物、第２表はＮ＝２の
化合物をそれぞれ示す。
チック相またはスメチックＡ相を示し、ＳＣ相を示さな
いが、誘電異方性が−２０〜−２５と負に非常に大きい
ため、本発明の目的とする強誘電性液晶組成物において
は、ＡＣスタビライズ効果を低電圧にて出現させるとい
う重要な役割を演じている。一般式（Ａ−１）で表わさ
れる化合物としては、以下の第１表〜第２表で示される
化合物が代表的なものとしてあげられる。第１表は（Ａ
−１）式においてｆｉ＝１の化合物、第２表はＮ＝２の
化合物をそれぞれ示す。
合物、
第１表
第２表
前述したように、本発明は、一般式（Ａ）で表わされる
負の誘電異方性を有する化合物を強誘電性液晶化合物ま
たは強誘電性液晶組成物に含有させるものであるが、特
にＡ、Ｂ、Ｃ各成分である一般式（Ａ−１）、（Ｂ−１
）〜（Ｂ−４）、（Ｃ−１）〜（Ｃ−４）で表わされる
化合物を組合わせることにより、誘電異方性が負に大き
く、しかも高速応答性を有する強誘電性液晶組成物が得
られる。
負の誘電異方性を有する化合物を強誘電性液晶化合物ま
たは強誘電性液晶組成物に含有させるものであるが、特
にＡ、Ｂ、Ｃ各成分である一般式（Ａ−１）、（Ｂ−１
）〜（Ｂ−４）、（Ｃ−１）〜（Ｃ−４）で表わされる
化合物を組合わせることにより、誘電異方性が負に大き
く、しかも高速応答性を有する強誘電性液晶組成物が得
られる。
Ａ成分である非カイラルな化合物は、前述したように、
誘電異方性が−２０〜−２５と非常に負に大きいもので
あり、本発明の目的の強誘電性液晶組成物においては、
負に大きな誘電異方性を出現させ、低電圧において、Ａ
Ｃスタビライズ効果を発生させ、その結果、良好なメモ
リー性を生じるという重要な役目を演じている。Ａ成分
は、ＳＣ相を示さず、あまり高濃度で使用すると、強誘
電性液晶組成物のＳＣ＊相の上限温度が下がるため好ま
しくない。よって、Ａ成分の使用目的を考慮すると本発
明におけるＡ成分の使用濃度は４０重量％以下が望まし
い。Ｂ成分である一般式（Ｂ−１）、（Ｂ−２）、（Ｂ
−３）または（Ｂ−４）で表わされる化合物は、非カ
イラルな化合物であり、本発明においてはベースＳＣ化
合物の役目を果たしているものである。
誘電異方性が−２０〜−２５と非常に負に大きいもので
あり、本発明の目的の強誘電性液晶組成物においては、
負に大きな誘電異方性を出現させ、低電圧において、Ａ
Ｃスタビライズ効果を発生させ、その結果、良好なメモ
リー性を生じるという重要な役目を演じている。Ａ成分
は、ＳＣ相を示さず、あまり高濃度で使用すると、強誘
電性液晶組成物のＳＣ＊相の上限温度が下がるため好ま
しくない。よって、Ａ成分の使用目的を考慮すると本発
明におけるＡ成分の使用濃度は４０重量％以下が望まし
い。Ｂ成分である一般式（Ｂ−１）、（Ｂ−２）、（Ｂ
−３）または（Ｂ−４）で表わされる化合物は、非カ
イラルな化合物であり、本発明においてはベースＳＣ化
合物の役目を果たしているものである。
（Ｂ−１）式で表わされるフェニルピリミジン系化合物
は、低温度域にてＳＣ相を有する。例えばＲ５がＣ６Ｈ
１３０−１Ｒ６がＣ３Ｈ１？−の場合、相転移温度は ２８℃ ４７℃ ５８℃ ６６℃ Ｃｒ−→ＳＣ−→ＳＡ−→Ｎ−＋ＩＳＯである。
は、低温度域にてＳＣ相を有する。例えばＲ５がＣ６Ｈ
１３０−１Ｒ６がＣ３Ｈ１？−の場合、相転移温度は ２８℃ ４７℃ ５８℃ ６６℃ Ｃｒ−→ＳＣ−→ＳＡ−→Ｎ−＋ＩＳＯである。
一方、（Ｂ−２）式で表わされるビフェニリルピリミジ
ン系化合物は、高温度域にてＳＣ相を有する。例えばＲ
７がＣ６Ｈ１３０−１Ｒ８がＣ３Ｈ１？−の場合、相転
移温度は、 である。ただしＣｒは結晶、Ｎはネマチック相、Ｉｓｏ
は等方性液体をそれぞれ示す。
ン系化合物は、高温度域にてＳＣ相を有する。例えばＲ
７がＣ６Ｈ１３０−１Ｒ８がＣ３Ｈ１？−の場合、相転
移温度は、 である。ただしＣｒは結晶、Ｎはネマチック相、Ｉｓｏ
は等方性液体をそれぞれ示す。
よって（Ｂ−１）式で表わされる化合物と（Ｂ−２）式
で表わされる化合物を組合わせることにより、低温度域
から広い温度域にわたってＳＣ相を有するベースＳＣ混
合物が得られる。
で表わされる化合物を組合わせることにより、低温度域
から広い温度域にわたってＳＣ相を有するベースＳＣ混
合物が得られる。
一般式（Ｂ−１）または（Ｂ−２）の骨格を有する化合
物の優れた特性については、すでに本発明者らにより特
開昭６１−２９１．６７９号公報にて述べられているが
、非常に低い粘性を有しているため、本発明の目的の強
誘電性液晶組成物においてもベースＳＣ化合物として重
要な役割を果たしている。
物の優れた特性については、すでに本発明者らにより特
開昭６１−２９１．６７９号公報にて述べられているが
、非常に低い粘性を有しているため、本発明の目的の強
誘電性液晶組成物においてもベースＳＣ化合物として重
要な役割を果たしている。
一般式（Ｂ−１）で示される化合物としては、Ｒｌｉが
炭素数６〜１２の直鎮アルコキシ基であり、Ｒ６が炭素
数８〜１１の直鎖アルキル基である、ＳＣ相を有する化
合物が特に望ましい。
炭素数６〜１２の直鎮アルコキシ基であり、Ｒ６が炭素
数８〜１１の直鎖アルキル基である、ＳＣ相を有する化
合物が特に望ましい。
一方、一般式ＣＢ−３）で表わされるフェニルピリジン
系化合物は、低温度域から高温度域にわたる広い温度域
にてＳＣ相等の相を有し、例えばＲ９がＣ６Ｈ１３０−
１Ｒ１０がＣ？Ｈ１，Ｏ−の場合、相転移温度は、 である。また一般式（Ｂ−４）で表わされるビフェニル
系化合物は、低温度域にてＳＣ相等の相を有し、例えば
ＲｌｉがＣ？Ｈ１，０−１Ｚが直結、ｋが３の場合、相
転移温度は、 である。
系化合物は、低温度域から高温度域にわたる広い温度域
にてＳＣ相等の相を有し、例えばＲ９がＣ６Ｈ１３０−
１Ｒ１０がＣ？Ｈ１，Ｏ−の場合、相転移温度は、 である。また一般式（Ｂ−４）で表わされるビフェニル
系化合物は、低温度域にてＳＣ相等の相を有し、例えば
ＲｌｉがＣ？Ｈ１，０−１Ｚが直結、ｋが３の場合、相
転移温度は、 である。
一般式（Ｂ−３）、（Ｂ−４）の骨格を有する化合物の
優れた特性については、すでに本発明者らによりＢＰ８
６１０８２６６７号公報にて述べられているが、前記し
たピリミジン系化合物と同じく非常に低い粘性を有して
いるため、本発明の目的の強誘電性液晶組成物において
も、ベースＳＣ化合物としての役割を果たしており、Ｓ
Ｃ相温度範囲を調整する意図で必要に応じて成分として
用いられる。
優れた特性については、すでに本発明者らによりＢＰ８
６１０８２６６７号公報にて述べられているが、前記し
たピリミジン系化合物と同じく非常に低い粘性を有して
いるため、本発明の目的の強誘電性液晶組成物において
も、ベースＳＣ化合物としての役割を果たしており、Ｓ
Ｃ相温度範囲を調整する意図で必要に応じて成分として
用いられる。
一般式（Ｂ−３）で示されるフェニルピリジン系化合物
としては、（Ｂ−３）式においてＲ９が炭素数４〜１０
のアルキル基であり、ＲＩＯが炭素数４〜１２のアルコ
キシ基である、ＳＣ相を有する化合物が特に望ましい。
としては、（Ｂ−３）式においてＲ９が炭素数４〜１０
のアルキル基であり、ＲＩＯが炭素数４〜１２のアルコ
キシ基である、ＳＣ相を有する化合物が特に望ましい。
また一般式（Ｂ−４）で示されるビフェニル系化合物と
しては、（Ｂ−４）式において、Ｒ１１が炭素数７〜１
０のアルコキシ基であり、Ｚが直結であり、ｋが３であ
るＳＣ相を有する化合物が特に望ましい。
しては、（Ｂ−４）式において、Ｒ１１が炭素数７〜１
０のアルコキシ基であり、Ｚが直結であり、ｋが３であ
るＳＣ相を有する化合物が特に望ましい。
本発明の目的の強誘電性液晶組成物の成分として用いら
れる、ＣＢ−１）式または（Ｂ−２）式で表わされるピ
リミジン系化合物としては、前記したようにＳＣ相を有
するものが好ましいが、ＳＣ相を示さない化合物であっ
ても、得られるベースＳｍ混合物のＳＣ相温度範囲を著
しく縮小しない範囲の量であれば用いることができる。
れる、ＣＢ−１）式または（Ｂ−２）式で表わされるピ
リミジン系化合物としては、前記したようにＳＣ相を有
するものが好ましいが、ＳＣ相を示さない化合物であっ
ても、得られるベースＳｍ混合物のＳＣ相温度範囲を著
しく縮小しない範囲の量であれば用いることができる。
このことは、（Ｂ−３）式または（Ｂ−４）式で表わさ
れＳＣ相を示さないフェニルピリジン系化合物またはビ
フェニル系化合物についても同様であり、粘性低減また
はＳＣ相温度範囲を調整するための成分として用いるこ
とができる。
れＳＣ相を示さないフェニルピリジン系化合物またはビ
フェニル系化合物についても同様であり、粘性低減また
はＳＣ相温度範囲を調整するための成分として用いるこ
とができる。
Ｂ成分化合物の使用目的が、ベースＳＣ化合物としての
使用であることを考慮すると、本発明におけるＢ成分の
使用濃度は７０重量％以下が望ましい。
使用であることを考慮すると、本発明におけるＢ成分の
使用濃度は７０重量％以下が望ましい。
Ｃ成分である一般式（Ｃ−１）、（Ｃ−２）、（Ｃ−３
）または（Ｃ−４）で表わされる化合物はカイラルな化
合物であり、一般式（Ｃ−１）または（Ｃ−２）で表わ
される化合物は、先に本出願人が特許出願し、すでに公
開または未公開のものであり（例えば、特開昭６１−４
３号公報、特開昭６１−２１００５６号公報、特願昭６
１−１９２５１６号公報等参照）、高温度域にてＳＣ＊
相を示し、傾き角が大きく、また自発分極値が非常に大
きい化合物である。例えば（Ｃ−１）式においてＲ１２
がＣ３Ｈ１？０−１Ｒ１３が−Ｃ６Ｈ１３、Ｗが−Ｆの
場合、相転移温度は、 ５２℃ １０４℃ １０９℃ Ｃｒ Ｓ Ｃ＊ ｌ’Ｊ ＊ ７５０
ｓ傾き角は３４．５度、Ｐｓは１３２ｎＣ／ｃｊ （Ｔ
−Ｔｃ＝ −３０℃）である。Ｒ１２がＣ６Ｈ１３０−
１Ｒ１３が−Ｃ６Ｈ１３、Ｗが−Ｈの場合、相転移温度
は、７１℃ ９８℃ １２３℃ Ｃｒ Ｓ Ｃ＊ Ｎ ＊ Ｉ ５ｏＳＰ
Ｉ４き角は３８．１度、Ｐｓは１１０ ｎ Ｃ／ｌｒｉ
（Ｔ−Ｔ ｃ ＝ −３０℃）である。Ｒ１２がＣ８
Ｈ１７０−１Ｒ１３が−Ｃ６Ｈ１３、Ｗが−ＣＮの場合
、相転移温度は、２８℃ ５７℃ ９４℃ Ｃｒ−−３Ｃ＊ ＳＡ Ｉｓｏ、傾き角は２５
度、Ｐｓは２４０ｎＣ／ａｊ （Ｔ−Ｔｃ＝−３０℃）
、また、（Ｃ−２）式において、Ｒ１イがＣ３Ｈ１？０
−１Ｒ１きが−Ｃ６Ｈ１３、■が−Ｆの場合、相転移温
度は、 ６５℃ ９７℃ １００ ℃Ｃｒ ５
Ｃ１ｋ Ｎ＊ Ｉｓｏ、傾き角は３６．５度
、Ｐｓは１０９ ｎ Ｃ／ａｄ （Ｔ−Ｔ ｃ ＝−３
０℃）である。Ｒ１４がＣ３Ｈ１？０−１Ｒ１”＋が−
Ｃ６Ｈ１３、■が−Ｈの場合、相転移温度は、７８℃
９９℃ １２２℃ Ｃｒ Ｓ Ｃ＊Ｎ ＊ １ｓＯＳ傾き角は４
５度、ｐｓは３９ｎＣ／ＣＩＡ（Ｔ−Ｔｃ＝ ３０℃
）、Ｒ１４がＣ３Ｈ１？−１Ｒ１ｋが一〇６Ｈ１３、■
が−ＣＮの場合、相転移温度は、 ５４℃ ４３℃ ７３℃ Ｃｒ−→（ＳＣ＊ ）ＳＡ Ｉｓｏ、傾き角は
２２度、Ｐｓは１３７ｎＣ／ｃ＋Ｊ （Ｔ−Ｔｃ＝−１
５℃））である。
）または（Ｃ−４）で表わされる化合物はカイラルな化
合物であり、一般式（Ｃ−１）または（Ｃ−２）で表わ
される化合物は、先に本出願人が特許出願し、すでに公
開または未公開のものであり（例えば、特開昭６１−４
３号公報、特開昭６１−２１００５６号公報、特願昭６
１−１９２５１６号公報等参照）、高温度域にてＳＣ＊
相を示し、傾き角が大きく、また自発分極値が非常に大
きい化合物である。例えば（Ｃ−１）式においてＲ１２
がＣ３Ｈ１？０−１Ｒ１３が−Ｃ６Ｈ１３、Ｗが−Ｆの
場合、相転移温度は、 ５２℃ １０４℃ １０９℃ Ｃｒ Ｓ Ｃ＊ ｌ’Ｊ ＊ ７５０
ｓ傾き角は３４．５度、Ｐｓは１３２ｎＣ／ｃｊ （Ｔ
−Ｔｃ＝ −３０℃）である。Ｒ１２がＣ６Ｈ１３０−
１Ｒ１３が−Ｃ６Ｈ１３、Ｗが−Ｈの場合、相転移温度
は、７１℃ ９８℃ １２３℃ Ｃｒ Ｓ Ｃ＊ Ｎ ＊ Ｉ ５ｏＳＰ
Ｉ４き角は３８．１度、Ｐｓは１１０ ｎ Ｃ／ｌｒｉ
（Ｔ−Ｔ ｃ ＝ −３０℃）である。Ｒ１２がＣ８
Ｈ１７０−１Ｒ１３が−Ｃ６Ｈ１３、Ｗが−ＣＮの場合
、相転移温度は、２８℃ ５７℃ ９４℃ Ｃｒ−−３Ｃ＊ ＳＡ Ｉｓｏ、傾き角は２５
度、Ｐｓは２４０ｎＣ／ａｊ （Ｔ−Ｔｃ＝−３０℃）
、また、（Ｃ−２）式において、Ｒ１イがＣ３Ｈ１？０
−１Ｒ１きが−Ｃ６Ｈ１３、■が−Ｆの場合、相転移温
度は、 ６５℃ ９７℃ １００ ℃Ｃｒ ５
Ｃ１ｋ Ｎ＊ Ｉｓｏ、傾き角は３６．５度
、Ｐｓは１０９ ｎ Ｃ／ａｄ （Ｔ−Ｔ ｃ ＝−３
０℃）である。Ｒ１４がＣ３Ｈ１？０−１Ｒ１”＋が−
Ｃ６Ｈ１３、■が−Ｈの場合、相転移温度は、７８℃
９９℃ １２２℃ Ｃｒ Ｓ Ｃ＊Ｎ ＊ １ｓＯＳ傾き角は４
５度、ｐｓは３９ｎＣ／ＣＩＡ（Ｔ−Ｔｃ＝ ３０℃
）、Ｒ１４がＣ３Ｈ１？−１Ｒ１ｋが一〇６Ｈ１３、■
が−ＣＮの場合、相転移温度は、 ５４℃ ４３℃ ７３℃ Ｃｒ−→（ＳＣ＊ ）ＳＡ Ｉｓｏ、傾き角は
２２度、Ｐｓは１３７ｎＣ／ｃ＋Ｊ （Ｔ−Ｔｃ＝−１
５℃））である。
したがって、（Ｃ−１”）または（Ｃ−２）の化合物は
、本発明の目的の強誘電性液晶組成物においては、高速
応答性出現、傾き角の向上、および組成物のＳＣ＊相上
限温度向上という重要な役割を果たしている。
、本発明の目的の強誘電性液晶組成物においては、高速
応答性出現、傾き角の向上、および組成物のＳＣ＊相上
限温度向上という重要な役割を果たしている。
一方、一般式（Ｃ−３）または（Ｃ−４）で表わされる
化合物は、本出願人により先に特許出願され、未公開の
化合物であり（例えば、特顆昭６１−１３３２６９号、
特願昭６２−０４９７６９号公報等参照）、自発分極値
が非常に大きく （外そう値約１００ ｎ Ｃ／ｃｎｉ
） 、応答性も非常に優れた化合物である。よって、本
発明の目的の強誘電性液晶組成物においては、高速応答
性出現という重要な役割を演じている。Ａ成分およびＢ
成分の使用濃度を考慮し、また、Ｃ成分の効用を考える
と、本発明におけるＣ成分の使用濃度は、４０重量％以
下が望ましい。
化合物は、本出願人により先に特許出願され、未公開の
化合物であり（例えば、特顆昭６１−１３３２６９号、
特願昭６２−０４９７６９号公報等参照）、自発分極値
が非常に大きく （外そう値約１００ ｎ Ｃ／ｃｎｉ
） 、応答性も非常に優れた化合物である。よって、本
発明の目的の強誘電性液晶組成物においては、高速応答
性出現という重要な役割を演じている。Ａ成分およびＢ
成分の使用濃度を考慮し、また、Ｃ成分の効用を考える
と、本発明におけるＣ成分の使用濃度は、４０重量％以
下が望ましい。
以上のようなＡ、Ｂ、Ｃ各成分の特性を生かして目的と
する特性の優れた液晶組成物を得るための各成分の割合
は、種々検討した結果、前記のごとく、Ａ成分が５〜４
０重量％、Ｂ成分が２０〜７０重量％、Ｃ成分が５〜４
０重量％の範囲が好適であることがわかった。
する特性の優れた液晶組成物を得るための各成分の割合
は、種々検討した結果、前記のごとく、Ａ成分が５〜４
０重量％、Ｂ成分が２０〜７０重量％、Ｃ成分が５〜４
０重量％の範囲が好適であることがわかった。
以下、実験例および実施例により本発明をさらに詳細に
説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるもの
ではない。例中、自発分極の大きさ（Ｐｓ）はソーヤ・
タワー法にて測定し、らせんピッチ（Ｐは、セル厚約２
００μｍのホモジニアス配向を施したセルを使用し、偏
光顕微鏡下でらせんピッチに対応するしま模様（デ・カ
イラリゼーションライン）の間隔を直接測定することに
より求めた。そして傾き角（θ）は、ホモジニアス配向
させたセルに、臨界電場以上の充分に高い電場を印加し
、らせん構造を消滅させ、さらに極性を反転させ、直交
ニコル下における消光位の移動角（２θに対応）より求
めた。
説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるもの
ではない。例中、自発分極の大きさ（Ｐｓ）はソーヤ・
タワー法にて測定し、らせんピッチ（Ｐは、セル厚約２
００μｍのホモジニアス配向を施したセルを使用し、偏
光顕微鏡下でらせんピッチに対応するしま模様（デ・カ
イラリゼーションライン）の間隔を直接測定することに
より求めた。そして傾き角（θ）は、ホモジニアス配向
させたセルに、臨界電場以上の充分に高い電場を印加し
、らせん構造を消滅させ、さらに極性を反転させ、直交
ニコル下における消光位の移動角（２θに対応）より求
めた。
応答時間は、配向処理を施した電極間隔が２μｍのセル
に各組成物を注入しＶｐｌ）が２０Ｖ、１００Ｈｚの短
形波を印加したときの透過光強度の変化から測定した。
に各組成物を注入しＶｐｌ）が２０Ｖ、１００Ｈｚの短
形波を印加したときの透過光強度の変化から測定した。
誘電異方性は、平行配向処理および垂直配向処理を施し
たセルを使用し、１ ｋＨｚにおける空セルでの容量と
液晶を注入したときの容量から誘電率を測定し、誘電異
方性を算出した。
たセルを使用し、１ ｋＨｚにおける空セルでの容量と
液晶を注入したときの容量から誘電率を測定し、誘電異
方性を算出した。
、本発明に用いられるＢおよびＣ成分を主成分とする以
下の組成の強誘電性液晶組成物りを調製した。
下の組成の強誘電性液晶組成物りを調製した。
この強誘電性液晶組成物りは、−２１〜５６℃の温度域
にてＳＣ＊相を示し、その高温側にてＳＡ相を示し、６
８°ＣでＮ＊相となり、７３℃で等方性液体となった４
２５℃における自発分極値は８、５ ｎ Ｃ／ｃａｌ、
傾き角は２５度、応答時間は１５Ｑμｓｅｃ （電解強
度：Ｅ＝±５Ｖ／μｍ）であった。また、誘電異方性は
＋０．５であった。この組成物りを表面にラビング処理
を施した透明電極を有する２枚の基板に封入し、セル厚
が５μｍとなるように組み立てた電気光学素子を、互い
に直交する２枚の偏光板の間に挟持し、第１図（ａ）に
示されるようなパルス波形（パルス幅：６００μｓｅｃ
、波高値：２５Ｖ）を印加したところ、メモリー性は観
察されなかった（第１図（ｂ）参照）。そこで、このパ
ルス波形に２０ｋＨｚ、２５ｖのＡＣ波形を重畳して透
過光レベルの変化を観察したが、同じ（メモリー性は認
められず、第１図（ｂ）の透過光強度の変化が認められ
た。そこで組成物りに本発明のＡ成分である、負の誘電
異方性を有する以下に示される非カイラルな化合物を添
加し、本発明の強誘電性液晶組成物Ｅを調製した。
にてＳＣ＊相を示し、その高温側にてＳＡ相を示し、６
８°ＣでＮ＊相となり、７３℃で等方性液体となった４
２５℃における自発分極値は８、５ ｎ Ｃ／ｃａｌ、
傾き角は２５度、応答時間は１５Ｑμｓｅｃ （電解強
度：Ｅ＝±５Ｖ／μｍ）であった。また、誘電異方性は
＋０．５であった。この組成物りを表面にラビング処理
を施した透明電極を有する２枚の基板に封入し、セル厚
が５μｍとなるように組み立てた電気光学素子を、互い
に直交する２枚の偏光板の間に挟持し、第１図（ａ）に
示されるようなパルス波形（パルス幅：６００μｓｅｃ
、波高値：２５Ｖ）を印加したところ、メモリー性は観
察されなかった（第１図（ｂ）参照）。そこで、このパ
ルス波形に２０ｋＨｚ、２５ｖのＡＣ波形を重畳して透
過光レベルの変化を観察したが、同じ（メモリー性は認
められず、第１図（ｂ）の透過光強度の変化が認められ
た。そこで組成物りに本発明のＡ成分である、負の誘電
異方性を有する以下に示される非カイラルな化合物を添
加し、本発明の強誘電性液晶組成物Ｅを調製した。
組成物Ｅ：
組成物Ｄ ９５重量％の温
度域にてＳＣ＊相を示し、その高温側に云ＳＡ相を示し
、６０℃でＮ＊相となり、６９℃で等方性液体となった
。２５℃における自発分極値は７．５ｎＣ／ａＪ、傾き
角は２２度、応答時間は２３０μ５ｅｃ（Ｅ＝±５ｖ／
μｍ）であった。また、誘電異方性は−２であった。
度域にてＳＣ＊相を示し、その高温側に云ＳＡ相を示し
、６０℃でＮ＊相となり、６９℃で等方性液体となった
。２５℃における自発分極値は７．５ｎＣ／ａＪ、傾き
角は２２度、応答時間は２３０μ５ｅｃ（Ｅ＝±５ｖ／
μｍ）であった。また、誘電異方性は−２であった。
この組成物Ｅを組成物りと同様なセルに封入し、第１図
（ａ）のパルス波形を印加したところ、組成物りと同じ
く、メモリー性は観察されなかった（第１図（ｂ）参照
）。ところが、２０ｋＨｚ、２５ＶのＡＣ波形を第１図
（ａ）の波形に重畳したところ、第１図（Ｃ）で示され
るような良好なメモリー性が観察された。これは、本発
明のＡ成分である負の誘電異方性を有する化合物を添加
したことにより、強誘電性液晶組成物の誘電異方性が負
に大きくなり、その結果、ＡＣスタビライズ効果が顕著
にあられれ、良好なメモリー性が得られたと解釈できる
。ジェアリーの報告と比較すると応答時間も速く （約
１／４） 、ＬかもＡＣ電圧も低い（約１／２）ため、
本発明の目的の強誘電性液晶は非常に実用的なものであ
ることが判明した。
（ａ）のパルス波形を印加したところ、組成物りと同じ
く、メモリー性は観察されなかった（第１図（ｂ）参照
）。ところが、２０ｋＨｚ、２５ＶのＡＣ波形を第１図
（ａ）の波形に重畳したところ、第１図（Ｃ）で示され
るような良好なメモリー性が観察された。これは、本発
明のＡ成分である負の誘電異方性を有する化合物を添加
したことにより、強誘電性液晶組成物の誘電異方性が負
に大きくなり、その結果、ＡＣスタビライズ効果が顕著
にあられれ、良好なメモリー性が得られたと解釈できる
。ジェアリーの報告と比較すると応答時間も速く （約
１／４） 、ＬかもＡＣ電圧も低い（約１／２）ため、
本発明の目的の強誘電性液晶は非常に実用的なものであ
ることが判明した。
実施例１〜６
第３表に本発明の強誘電性液晶組成物の組成物１１ｍ１
〜６の組成を、第４表にその特性を示す。なお、第３表
中の各組成は重置％を意味する。
〜６の組成を、第４表にその特性を示す。なお、第３表
中の各組成は重置％を意味する。
第 ４ 表
＊）２５℃における値
なお、第３表には、以上のＡ、Ｂ、Ｃ各成分の他に、Ｓ
Ｃ＊相のらせんピッチを長くすること、またはＳＣ＊相
の温度域を広げることを目的としたカイラル化合物が含
まれている組成物もあるが、これらのカイラル物質を含
むことは、本発明の強誘電性液晶組成物の特性を損なわ
ず、何ら問題はない。
Ｃ＊相のらせんピッチを長くすること、またはＳＣ＊相
の温度域を広げることを目的としたカイラル化合物が含
まれている組成物もあるが、これらのカイラル物質を含
むことは、本発明の強誘電性液晶組成物の特性を損なわ
ず、何ら問題はない。
組成物Ｎ［Ｌ３の強誘電性液晶組成物を、配向処理剤と
してＰＶＡを塗布し、表面をラビングして平行配向処理
を施した、セルギャップ５μｍの透明電極を備えたセル
に注入し、この液晶セルを直交ニコル状態に配置した２
枚の偏光子の間に挟み、パルス幅４００μｓｅｃ、波高
値２５Ｖのパルス波形に２０ｋＨｚ、２０ＶのＡＣ波形
を重畳したところ、良好なＡＣスタビライズ効果が認め
られ、メモリー性も良好であり、コントラスト比も１：
２０と非常によい液晶表示素子が得られた。
してＰＶＡを塗布し、表面をラビングして平行配向処理
を施した、セルギャップ５μｍの透明電極を備えたセル
に注入し、この液晶セルを直交ニコル状態に配置した２
枚の偏光子の間に挟み、パルス幅４００μｓｅｃ、波高
値２５Ｖのパルス波形に２０ｋＨｚ、２０ＶのＡＣ波形
を重畳したところ、良好なＡＣスタビライズ効果が認め
られ、メモリー性も良好であり、コントラスト比も１：
２０と非常によい液晶表示素子が得られた。
〔発明の効果〕
本発明によれば、負の誘電異方性が大きく、低電圧にて
ＡＣスタビライズ効果を有し、しかも高速応答性を有す
る強誘電性液晶組成物および該組成物を用いた光スイツ
チング素子が得られる。本発明の強誘電性液晶組成物の
応用としては、高速液晶シャッターや高マルチプレツク
ス液晶デイスプレィなどがあげられる。
ＡＣスタビライズ効果を有し、しかも高速応答性を有す
る強誘電性液晶組成物および該組成物を用いた光スイツ
チング素子が得られる。本発明の強誘電性液晶組成物の
応用としては、高速液晶シャッターや高マルチプレツク
ス液晶デイスプレィなどがあげられる。
第１図は、本発明に係る強誘電性液晶組成物ＡとＢにお
ける印加電圧波形と光学応答を示す図である。 代理人 弁理士 川 北 武 長 第１図 一時間 一時間 ゆ時間 手続補正書 昭和６３年 ４月１４日 １、事件の表示 昭和６２年 特許 願 第３２８７１７号２、発明の名
称 強誘電性液晶組成物 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 大阪府大阪市北区中之島三丁目６番３２号名称
（２０７）チッソ株式会社 代表者 野 木 貞 雄 ４、代理人 住 所 東京都中央区日本橋茅場町−丁目１１番８号（
紅萌ビルディング）電話０３ （６３９） ５５９２番
氏 名（７６５８）弁理士 川 北 武 長５、
補正命令の日付 自発 ６、補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄。 −７４Ｃ≧・ ７、補正の内容 （１）明細書第３真下から第７行目の一般式％式％ （２）明細書第３４頁第３表（続き）中の最下段の弐Ｂ
−４の化合物 に改める。 （３）明細書第３５頁第３表（続き）中の式Ｃ−３の化
合物 に改める。 （４）明細書第３６頁第３表（続き）中の最上段の化合
物 に改める。 （５）明細書第３６頁第３表（続き）中の上から三番目
の化合物 に改める。 以上 手続補正書 昭和６３年１１月 ２日 特許庁長官 吉 １）文 毅 殿 （−１、事件の
表示 昭和６２年 特許側 第３２８７１７号２、発明の名称 強誘電性液晶組成物 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 大阪府大阪市北区中之島三丁目６番３２号名
称 （２０７）チッソ株式会社 代表者野木貞雄 ４、代理人−〒１０３ 住 所 東京都中央区日本橋茅場町−丁目１１番８号（
紅萌ビルディング）電話０３ （６３９） ５５９２番
氏 名（７６５８）弁理士 川 北 武 長５、
補正命令の日付 自発 ６、補正の対象 昭和６３年４月１４日付提出の手続補
正書 ７６補正の内容 （１）手続補正書第２頁２行〜８行目の「明細書第３頁
・・・・に改める。」をｒ明細書の特許請求の範囲を別
紙のとおりに改める。ｊに改め、別紙を加える。 （２）補正の対象の欄に特許請求の範囲を加入した手続
補正書、別紙添付のとおり。 以上 手続補正書 昭和６３年 ４月１４日 特許庁長官 小 川 邦 夫 殿 １、事件の表示 昭和６２年 特許側 第３２８７１７号２、発明の名称 強誘電性液晶組成物 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 大阪府大阪市北区中之島三丁目６番３２号名
称 （２０７）チッソ株式会社 代表者野木貞雄 ４、代理人〒１０３ 住 所 東京都中央区日本橋茅場町−丁目１１番８号（
紅萌ビルディング）電話０３ （６３９） ５５９２番
氏 名（７６５８）弁理士 川 北 武 長５、
補正命令の日付 自発 ６、補正の対象 明細書の特許請求の範囲の欄および発
明の詳細な説明の欄。 特許請求の範囲 （１）一般式 １〜１８の同一または相異なる直鎖または分岐のアルキ
ル基を示し、ＸおよびＹはいずれも独立に−Ｆ、−Ｃ１
、−Ｂｒまたは一〇Ｎを示し、（）およびＫ）は、いず
れも独立に−（ノーまたは一■Ｘを表わし、ｍおよびｎ
はいずれもＯまたは１を示し、ｍ ＋ ｎは１または２
である）で表わされる、負の誘電異方性を有する化合物
を少なくとも１種含有することを特徴とする強誘電性液
晶組成物。 （２、特許請求の範囲第１項において、前記一般式（Ａ
）の化合物が、一般式 （［Ａ−１）式中、Ｒ３およびＲ４はそれぞれ炭素数１
〜１８の同一または相異なる直鎖または分岐のアルキル
基を示し、ｌは１または２を示す）で表される化合物か
ら選ばれた１種または２種以上の化合物であることを特
徴とする強誘電性液晶組成物。 （３）特許請求の範囲第１項において、少なくとも下記
のＡＳＢおよびＣの３つの成分を含有し、その割合はＡ
ＳＢＳＣの３成分の合計量に対してＡが５〜４０重量％
、Ｂが２０〜７０重量％、Ｃが５〜４０重量％である負
の誘電異方性を有する強誘電性液晶組成物。 ただし、Ａ成分は、一般式（Ａ）の化合物であり、 素数１〜１８の同一または相異なる直鎖または分岐のア
ルキル基またはアルコキシ基を示す）で表わされる化合
物、または一般式 素数１〜１８の同一または相異なる直鎖または分岐のア
ルキル基またはアルコキシ基を示す）で表素数１−１８
の同一または相異なる直鎮または分岐のアルキル基また
はアルコキシ基を示す）で表わされる化合物、または一
般式 （（Ｂ−４）式中、Ｒ１１は炭素数１〜１８の直鎖また
は分岐のアルキル基またはアルコキシ基を示し、Ｚは直
結または一〇−を表わし、ｋは０〜１０を示し、また（
±）はラセミ化合物であることを示す）で表わされる化
合物から選ばれた１種または２種以上の化合物であり、 Ｃ成分は、一般式 または分岐のアルキル基またはアルコキシ基を示し、Ｒ
１３は炭素数２〜１８の直鎖または分岐のアルキル基を
示し、Ｗは、−Ｈｌ−Ｆまたは一〇Ｎを示し、また＊は
不斉炭素原子を示す）で表わされる化合物、または一般
式 または分岐のアルキル基またはアルコキシ基を示し、Ｒ
１！５は炭素数２〜１８の直鎖または分岐のアルキル基
を示し、■は、−Ｈ，−Ｆまたは一〇Ｎを示し、また＊
は不斉炭素原子を示す）で表わされる化合物、または一
般式 （（Ｃ−３）式中、Ｒ１６は炭素数１〜１８の直鎖また
は分岐のアルキル基またはアルコキシ基を示し、Ｒ１７
は炭素数１〜１８のアルキル基を示し、また＊は不斉炭
素原子を示す）で表わされる化合物、または一般式 （（Ｃ−４）式中、Ｒ１８は炭素数１〜′１８の直鎖ま
たは分岐のアルキル基またはアルコキシ基を示し、Ｒ１
９は炭素数２〜１８の直鎖または分岐のアルキル基また
は炭素数１〜１８のアルコキシ基を示し、また＊は不斉
炭素原子を示す）で表わされる化合物から選ばれた１種
または２種以上の化合物である。 （４）特許請求の範囲第３項において、一般式（Ａ）の
化合物が一般式（Ａ−１）の化合物であることを特徴と
する強誘電性液晶組成物。 （５）一般式 １〜１８の同一または相異なる直線または分岐のアルキ
ル基を示し、ＸおよびＹはいずれも独立に−Ｆ、−Ｃ１
、−Ｂｒまたは−ＣＮを示し、−ｉおよびＸリーは、い
ずれも独立に一■−または一■−を表わし、ｍおよびｎ
はいずれもＯまたは１を示し、ｍ ＋ ｎは１または２
である）で表わされる、負の誘電異方性を有する化合物
を少な（とも１種含有する、負の誘電異方性を有する強
誘電性液晶組成物を利用することを特徴とする光スイツ
チング素子。
ける印加電圧波形と光学応答を示す図である。 代理人 弁理士 川 北 武 長 第１図 一時間 一時間 ゆ時間 手続補正書 昭和６３年 ４月１４日 １、事件の表示 昭和６２年 特許 願 第３２８７１７号２、発明の名
称 強誘電性液晶組成物 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 大阪府大阪市北区中之島三丁目６番３２号名称
（２０７）チッソ株式会社 代表者 野 木 貞 雄 ４、代理人 住 所 東京都中央区日本橋茅場町−丁目１１番８号（
紅萌ビルディング）電話０３ （６３９） ５５９２番
氏 名（７６５８）弁理士 川 北 武 長５、
補正命令の日付 自発 ６、補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄。 −７４Ｃ≧・ ７、補正の内容 （１）明細書第３真下から第７行目の一般式％式％ （２）明細書第３４頁第３表（続き）中の最下段の弐Ｂ
−４の化合物 に改める。 （３）明細書第３５頁第３表（続き）中の式Ｃ−３の化
合物 に改める。 （４）明細書第３６頁第３表（続き）中の最上段の化合
物 に改める。 （５）明細書第３６頁第３表（続き）中の上から三番目
の化合物 に改める。 以上 手続補正書 昭和６３年１１月 ２日 特許庁長官 吉 １）文 毅 殿 （−１、事件の
表示 昭和６２年 特許側 第３２８７１７号２、発明の名称 強誘電性液晶組成物 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 大阪府大阪市北区中之島三丁目６番３２号名
称 （２０７）チッソ株式会社 代表者野木貞雄 ４、代理人−〒１０３ 住 所 東京都中央区日本橋茅場町−丁目１１番８号（
紅萌ビルディング）電話０３ （６３９） ５５９２番
氏 名（７６５８）弁理士 川 北 武 長５、
補正命令の日付 自発 ６、補正の対象 昭和６３年４月１４日付提出の手続補
正書 ７６補正の内容 （１）手続補正書第２頁２行〜８行目の「明細書第３頁
・・・・に改める。」をｒ明細書の特許請求の範囲を別
紙のとおりに改める。ｊに改め、別紙を加える。 （２）補正の対象の欄に特許請求の範囲を加入した手続
補正書、別紙添付のとおり。 以上 手続補正書 昭和６３年 ４月１４日 特許庁長官 小 川 邦 夫 殿 １、事件の表示 昭和６２年 特許側 第３２８７１７号２、発明の名称 強誘電性液晶組成物 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 大阪府大阪市北区中之島三丁目６番３２号名
称 （２０７）チッソ株式会社 代表者野木貞雄 ４、代理人〒１０３ 住 所 東京都中央区日本橋茅場町−丁目１１番８号（
紅萌ビルディング）電話０３ （６３９） ５５９２番
氏 名（７６５８）弁理士 川 北 武 長５、
補正命令の日付 自発 ６、補正の対象 明細書の特許請求の範囲の欄および発
明の詳細な説明の欄。 特許請求の範囲 （１）一般式 １〜１８の同一または相異なる直鎖または分岐のアルキ
ル基を示し、ＸおよびＹはいずれも独立に−Ｆ、−Ｃ１
、−Ｂｒまたは一〇Ｎを示し、（）およびＫ）は、いず
れも独立に−（ノーまたは一■Ｘを表わし、ｍおよびｎ
はいずれもＯまたは１を示し、ｍ ＋ ｎは１または２
である）で表わされる、負の誘電異方性を有する化合物
を少なくとも１種含有することを特徴とする強誘電性液
晶組成物。 （２、特許請求の範囲第１項において、前記一般式（Ａ
）の化合物が、一般式 （［Ａ−１）式中、Ｒ３およびＲ４はそれぞれ炭素数１
〜１８の同一または相異なる直鎖または分岐のアルキル
基を示し、ｌは１または２を示す）で表される化合物か
ら選ばれた１種または２種以上の化合物であることを特
徴とする強誘電性液晶組成物。 （３）特許請求の範囲第１項において、少なくとも下記
のＡＳＢおよびＣの３つの成分を含有し、その割合はＡ
ＳＢＳＣの３成分の合計量に対してＡが５〜４０重量％
、Ｂが２０〜７０重量％、Ｃが５〜４０重量％である負
の誘電異方性を有する強誘電性液晶組成物。 ただし、Ａ成分は、一般式（Ａ）の化合物であり、 素数１〜１８の同一または相異なる直鎖または分岐のア
ルキル基またはアルコキシ基を示す）で表わされる化合
物、または一般式 素数１〜１８の同一または相異なる直鎖または分岐のア
ルキル基またはアルコキシ基を示す）で表素数１−１８
の同一または相異なる直鎮または分岐のアルキル基また
はアルコキシ基を示す）で表わされる化合物、または一
般式 （（Ｂ−４）式中、Ｒ１１は炭素数１〜１８の直鎖また
は分岐のアルキル基またはアルコキシ基を示し、Ｚは直
結または一〇−を表わし、ｋは０〜１０を示し、また（
±）はラセミ化合物であることを示す）で表わされる化
合物から選ばれた１種または２種以上の化合物であり、 Ｃ成分は、一般式 または分岐のアルキル基またはアルコキシ基を示し、Ｒ
１３は炭素数２〜１８の直鎖または分岐のアルキル基を
示し、Ｗは、−Ｈｌ−Ｆまたは一〇Ｎを示し、また＊は
不斉炭素原子を示す）で表わされる化合物、または一般
式 または分岐のアルキル基またはアルコキシ基を示し、Ｒ
１！５は炭素数２〜１８の直鎖または分岐のアルキル基
を示し、■は、−Ｈ，−Ｆまたは一〇Ｎを示し、また＊
は不斉炭素原子を示す）で表わされる化合物、または一
般式 （（Ｃ−３）式中、Ｒ１６は炭素数１〜１８の直鎖また
は分岐のアルキル基またはアルコキシ基を示し、Ｒ１７
は炭素数１〜１８のアルキル基を示し、また＊は不斉炭
素原子を示す）で表わされる化合物、または一般式 （（Ｃ−４）式中、Ｒ１８は炭素数１〜′１８の直鎖ま
たは分岐のアルキル基またはアルコキシ基を示し、Ｒ１
９は炭素数２〜１８の直鎖または分岐のアルキル基また
は炭素数１〜１８のアルコキシ基を示し、また＊は不斉
炭素原子を示す）で表わされる化合物から選ばれた１種
または２種以上の化合物である。 （４）特許請求の範囲第３項において、一般式（Ａ）の
化合物が一般式（Ａ−１）の化合物であることを特徴と
する強誘電性液晶組成物。 （５）一般式 １〜１８の同一または相異なる直線または分岐のアルキ
ル基を示し、ＸおよびＹはいずれも独立に−Ｆ、−Ｃ１
、−Ｂｒまたは−ＣＮを示し、−ｉおよびＸリーは、い
ずれも独立に一■−または一■−を表わし、ｍおよびｎ
はいずれもＯまたは１を示し、ｍ ＋ ｎは１または２
である）で表わされる、負の誘電異方性を有する化合物
を少な（とも１種含有する、負の誘電異方性を有する強
誘電性液晶組成物を利用することを特徴とする光スイツ
チング素子。
Claims (5)
- （１）一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼（Ａ） （（Ａ）式中、Ｒ＾１およびＲ＾２はいずれも炭素数１
〜１８の同一または相異なる直鎖または分岐のアルキル
基を示し、ＸおよびＹはいずれも独立に−Ｆ、−Ｃｌ、
−Ｂｒまたは−ＣＮを示し、▲数式、化学式、表等があ
ります▼および▲数式、化学式、表等があります▼は、
いずれも独立に▲数式、化学式、表等があります▼また
は▲数式、化学式、表等があります▼を表わし、ｍおよ
びｎはいずれも０または１を示し、ｍ＋ｎは１または２
である）で表わされる、負の誘電異方性を有する化合物
を少なくとも１種含有することを特徴とする強誘電性液
晶組成物。 - （２）特許請求の範囲第１項において、前記一般式（Ａ
）の化合物が、一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼（Ａ−１） （（Ａ−１）式中、Ｒ＾３およびＲ＾４はそれぞれ炭素
数１〜１８の同一または相異なる直鎖または分岐のアル
キル基を示し、ｌは１または２を示す）で表される化合
物から選ばれた１種または２種以上の化合物であること
を特徴とする強誘電性液晶組成物。 - （３）特許請求の範囲第１項において、少なくとも下記
のＡ、ＢおよびＣの３つの成分を含有し、その割合はＡ
、Ｂ、Ｃの３成分の合計量に対してＡが５〜４０重量％
、Ｂが２０〜７０重量％、Ｃが５〜４０重量％である負
の誘電異方性を有する強誘電性液晶組成物。ただし、Ａ
成分は、一般式（Ａ）の化合物であり、 Ｂ成分は、一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼（Ｂ−１） （（Ｂ−１）式中、Ｒ＾５およびＲ＾６はそれぞれ炭素
数１〜１８の同一または相異なる直鎖または分岐のアル
キル基またはアルコキシ基を示す）で表わされる化合物
、または一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼（Ｂ−２） （（Ｂ−２）式中、Ｒ＾７およびＲ＾８はそれぞれ炭素
数１〜１８の同一または相異なる直鎖または分岐のアル
キル基またはアルコキシ基を示す）で表わされる化合物
、または一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼（Ｂ−３） （（Ｂ−３）式中、Ｒ＾９およびＲ＾１＾０はそれぞれ
炭素数１〜１８の同一または相異なる直鎖または分岐の
アルキル基またはアルコキシ基を示す）で表わされる化
合物、または一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼（Ｂ−４） （（Ｂ−４）式中、Ｒ＾１＾１は炭素数１〜１８の直鎖
または分岐のアルキル基またはアルコキシ基を示し、Ｚ
は直結または−Ｏ−を表わし、ｋは０〜１０を示し、ま
た（±）はラセミ化合物であることを示す）で表わされ
る化合物から選ばれた１種または２種以上の化合物であ
り、 Ｃ成分は、一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼（Ｃ−１） （（Ｃ−１）式中、Ｒ＾１＾２は炭素数１〜１８の直鎖
または分岐のアルキル基またはアルコキシ基を示し、Ｒ
＾１＾３は炭素数２〜１８の直鎖または分岐のアルキル
基を示し、Ｗは、−Ｈ、−Ｆまたは−ＣＮを示し、また
＊は不斉炭素原子を示す）で表わされる化合物、または
一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼（Ｃ−２） （（Ｃ−２）式中、Ｒ＾１＾４は炭素数１〜１８の直鎖
または分岐のアルキル基またはアルコキシ基を示し、Ｒ
＾１＾５は炭素数２〜１８の直鎖または分岐のアルキル
基を示し、Ｖは、−Ｈ、−Ｆまたは−ＣＮを示し、また
＊は不斉炭素原子を示す）で表わされる化合物、または
一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼（Ｃ−３） （（Ｃ−３）式中、Ｒ＾１＾６は炭素数１〜１８の直鎖
または分岐のアルキル基またはアルコキシ基を示し、Ｒ
＾１＾７は炭素数１〜１８のアルキル基を示し、また＊
は不斉炭素原子を示す）で表わされる化合物、または一
般式 ▲数式、化学式、表等があります▼（Ｃ−４） （（Ｃ−４）式中、Ｒ＾１＾８は炭素数１〜１８の直鎖
または分岐のアルキル基またはアルコキシ基を示し、Ｒ
＾１＾９は炭素数２〜１８の直鎖または分岐のアルキル
基または炭素数１〜１８のアルコキシ基を示し、また＊
は不斉炭素原子を示す）で表わされる化合物から選ばれ
た１種または２種以上の化合物である。 - （４）特許請求の範囲第３項において、一般式（Ａ）の
化合物が一般式（Ａ−１）の化合物であることを特徴と
する強誘電性液晶組成物。 - （５）一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼（Ａ） （（Ａ）式中、Ｒ＾１およびＲ＾２はいずれも炭素数１
〜１８の同一または相異なる直鎖または分岐のアルキル
基を示し、ＸおよびＹはいずれも独立に−Ｆ、−Ｃｌ、
−Ｂｒまたは−ＣＮを示し、▲数式、化学式、表等があ
ります▼および▲数式、化学式、表等があります▼は、
いずれも独立に▲数式、化学式、表等があります▼また
は▲数式、化学式、表等があります▼を表わし、ｍおよ
びｎはいずれも０または１を示し、ｍ＋ｎは１または２
である）で表わされる、負の誘電異方性を有する化合物
を少なくとも１種含有する、負の誘電異方性を有する強
誘電性液晶組成物を利用することを特徴とする光スイッ
チング素子。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62328717A JPH01168792A (ja) | 1987-12-25 | 1987-12-25 | 強誘電性液晶組成物 |
| US07/285,521 US5108651A (en) | 1987-12-25 | 1988-12-16 | Ferroelectric liquid crystal composition |
| DE88121591T DE3884779T2 (de) | 1987-12-25 | 1988-12-23 | Ferroelektrische Flüssigkristallzusammensetzung. |
| EP88121591A EP0322793B1 (en) | 1987-12-25 | 1988-12-23 | A ferroelectric liquid crystal composition |
| KR1019880017386A KR0152254B1 (ko) | 1987-12-25 | 1988-12-24 | 강유전성 액정 조성물 및 이를 사용하는 광 스위칭 소자 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62328717A JPH01168792A (ja) | 1987-12-25 | 1987-12-25 | 強誘電性液晶組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01168792A true JPH01168792A (ja) | 1989-07-04 |
Family
ID=18213393
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62328717A Pending JPH01168792A (ja) | 1987-12-25 | 1987-12-25 | 強誘電性液晶組成物 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5108651A (ja) |
| EP (1) | EP0322793B1 (ja) |
| JP (1) | JPH01168792A (ja) |
| KR (1) | KR0152254B1 (ja) |
| DE (1) | DE3884779T2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001146588A (ja) * | 1999-09-10 | 2001-05-29 | Hitachi Ltd | 液晶表示装置 |
| US6485797B1 (en) | 1997-10-10 | 2002-11-26 | Aventis Research & Technologies Gmbh & Co. Kg | 5-Arylindane derivatives and ferroelectric liquid crystal mixture containing same |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2958046B2 (ja) * | 1990-04-20 | 1999-10-06 | チッソ株式会社 | 強誘電性液晶組成物 |
| US5364561A (en) * | 1990-07-13 | 1994-11-15 | Showa Shell Sekiyu Kabushiki Kaisha | Liquid crystal compounds and liquid crystal compositions containing them |
| US6288764B1 (en) * | 1996-06-25 | 2001-09-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device or electronic device having liquid crystal display panel |
| US7307182B2 (en) * | 2005-09-14 | 2007-12-11 | Fujifilm Corporation | 2,3-dicyanohydroquinone derivative and uses of the same |
| TWI539215B (zh) * | 2010-04-20 | 2016-06-21 | 友達光電股份有限公司 | 液晶顯示面板 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2933563A1 (de) * | 1979-07-18 | 1981-02-05 | Bbc Brown Boveri & Cie | Anisotrope verbindungen mit negativer dk-anisotropie |
| JPS57195219A (en) * | 1981-05-25 | 1982-11-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Liquid crystal color display panel |
| DE3587601T2 (de) * | 1984-10-18 | 1994-03-10 | Chisso Corp | Ferroelektrische chirale smektische Flüssigkristallzusammensetzung. |
| US4780240A (en) * | 1985-08-02 | 1988-10-25 | Chisso Corporation | Liquid crystal composition |
| DE3650014D1 (de) * | 1985-09-18 | 1994-09-08 | Merck Patent Gmbh | Smektische flüssigkristalline phasen. |
| JPH0699392B2 (ja) * | 1985-12-27 | 1994-12-07 | チッソ株式会社 | 強誘電性ピリジン化合物及び液晶組成物 |
| JPS63137983A (ja) * | 1986-11-28 | 1988-06-09 | Chisso Corp | ゲストホスト型表示素子用強誘電性液晶混合物 |
-
1987
- 1987-12-25 JP JP62328717A patent/JPH01168792A/ja active Pending
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Cited By (2)
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