JPH01157412A - ダイヤモンド膜付基板の製造方法 - Google Patents
ダイヤモンド膜付基板の製造方法Info
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- JPH01157412A JPH01157412A JP62317055A JP31705587A JPH01157412A JP H01157412 A JPH01157412 A JP H01157412A JP 62317055 A JP62317055 A JP 62317055A JP 31705587 A JP31705587 A JP 31705587A JP H01157412 A JPH01157412 A JP H01157412A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、放熱基板、スローアウェイチップ等の工具、
あるいはＩＣ絶縁膜等に好適に利用可能なダイヤモンド
膜付基板に関する。
あるいはＩＣ絶縁膜等に好適に利用可能なダイヤモンド
膜付基板に関する。
［従来の技術］
ダイヤモンドの合成技術としては、従来より、炭素粉末
を触媒の存在下、高温高圧下で処理する方法が知られて
いるが、近年、低圧下でダイヤモンドを合成する方法が
開発されて注目を集めている。
を触媒の存在下、高温高圧下で処理する方法が知られて
いるが、近年、低圧下でダイヤモンドを合成する方法が
開発されて注目を集めている。
低圧下でダイヤモンドを合成する代表的な方法としては
、数百ワットのマイクロ波で水素と炭化水素ガスとの混
合気体にプラズマを発生させ、プラズマ内に設置された
基板上にダイヤモンドを成長させるマイクロ波プラズマ
ＣＶＤ法、８００〜１０００℃に加熱した基板直上に、
２０００℃以上に加熱したフィラメントを設け、水素と
炭化水素ガスをフィラメントを通して基板に吹付けて基
板上にダイヤモンドを成長させる熱フイラメント法等が
挙げられ、これらの方法で得られたダイヤモンド膜付基
板は、その優れた熱伝導性から、例えば放熱基板として
の用途が期待されている。
、数百ワットのマイクロ波で水素と炭化水素ガスとの混
合気体にプラズマを発生させ、プラズマ内に設置された
基板上にダイヤモンドを成長させるマイクロ波プラズマ
ＣＶＤ法、８００〜１０００℃に加熱した基板直上に、
２０００℃以上に加熱したフィラメントを設け、水素と
炭化水素ガスをフィラメントを通して基板に吹付けて基
板上にダイヤモンドを成長させる熱フイラメント法等が
挙げられ、これらの方法で得られたダイヤモンド膜付基
板は、その優れた熱伝導性から、例えば放熱基板として
の用途が期待されている。
［発明が解決しようとする問題点］
しかしながら、このようにして得られたダイヤモンド膜
付基板において、ダイヤモンド膜の熱伝導性を向上させ
るためには、より高純度のダイヤモンド膜を形成するこ
とが望ましいが、その場合、ダイヤモンド膜と基板との
密着性が低いという問題点があり、実用化のネックとな
っていた。
付基板において、ダイヤモンド膜の熱伝導性を向上させ
るためには、より高純度のダイヤモンド膜を形成するこ
とが望ましいが、その場合、ダイヤモンド膜と基板との
密着性が低いという問題点があり、実用化のネックとな
っていた。
本発明は上記実情に鑑み成されたものであり、その目的
は、高い熱伝導性を有するとともに、基板とダイヤモン
ド膜との密着性に優れたダイヤモンド膜付基板を提供す
ることにある。
は、高い熱伝導性を有するとともに、基板とダイヤモン
ド膜との密着性に優れたダイヤモンド膜付基板を提供す
ることにある。
［問題点を解決するための手段］
本発明者等は、上記実情に鑑み鋭意検討を行なった結果
、本発明に到達した。すなわち、その要旨は、基板表面
に、ダイヤモンド膜を形成してなるダイヤモンド膜付基
板において、上記基板とダイヤモンド膜との間に、アモ
ルファス状炭素を主成分とする膜を形成したことを特徴
とするダイヤモンド膜付基板に存する。
、本発明に到達した。すなわち、その要旨は、基板表面
に、ダイヤモンド膜を形成してなるダイヤモンド膜付基
板において、上記基板とダイヤモンド膜との間に、アモ
ルファス状炭素を主成分とする膜を形成したことを特徴
とするダイヤモンド膜付基板に存する。
本発明において、一基板としては、シリコン単結晶、タ
ングステン、モリブデン等の金属、窒化ケイ素、炭化ケ
イ素等のセラミックス、またはタングステンカーバイド
等の超硬材料等が挙げられる。
ングステン、モリブデン等の金属、窒化ケイ素、炭化ケ
イ素等のセラミックス、またはタングステンカーバイド
等の超硬材料等が挙げられる。
アモルファス状炭素を主成分とする膜（以下、アモルフ
ァス状炭素膜という）とは、アモルファス状炭素からな
る膜あるいはアモルファス状炭素とダイヤモンドとの混
合膜であり、アモルファス状炭素の含有量が高いほど密
着性が向上するので好ましい。ただし、熱伝導性はダイ
ヤモンドとの混合膜の方が良好であるので、用途に応じ
てその組成を調節すればよい。
ァス状炭素膜という）とは、アモルファス状炭素からな
る膜あるいはアモルファス状炭素とダイヤモンドとの混
合膜であり、アモルファス状炭素の含有量が高いほど密
着性が向上するので好ましい。ただし、熱伝導性はダイ
ヤモンドとの混合膜の方が良好であるので、用途に応じ
てその組成を調節すればよい。
基板上にダイヤモンド膜およびアモルファス状炭素膜を
形成する方法としては、プラズマＣＶＤ法、熱フイラメ
ント法等、これらの膜を形成する方法として知られてい
る公知の方法のいずれによってもよい。
形成する方法としては、プラズマＣＶＤ法、熱フイラメ
ント法等、これらの膜を形成する方法として知られてい
る公知の方法のいずれによってもよい。
例えば、プラズマＣＶＤ法を採用する場合には、反応装
置内に基板を配し、水素とメタンの混合ガスを供給する
とともに、３００Ｗ〜１ｋＷのマイクロ波を導いてプラ
ズマを発生させ、基板上にダイヤモンドあるいはアモル
ファス状炭素を成長させる。この時、原料ガス中のメタ
ン濃度を変更することでダイヤモンド膜とアモルファス
状炭素とを作り分けることができ、例えばマイクロ汲出
カフ００Ｗ、基板温度８００℃の条件では、メタン濃度
を１％（容量％）以下とするとダイヤモンド膜が生成し
、メタン濃度を１％より多くするとアモルファス状炭素
膜が生成する。
置内に基板を配し、水素とメタンの混合ガスを供給する
とともに、３００Ｗ〜１ｋＷのマイクロ波を導いてプラ
ズマを発生させ、基板上にダイヤモンドあるいはアモル
ファス状炭素を成長させる。この時、原料ガス中のメタ
ン濃度を変更することでダイヤモンド膜とアモルファス
状炭素とを作り分けることができ、例えばマイクロ汲出
カフ００Ｗ、基板温度８００℃の条件では、メタン濃度
を１％（容量％）以下とするとダイヤモンド膜が生成し
、メタン濃度を１％より多くするとアモルファス状炭素
膜が生成する。
ダイヤモンドとアモルファス状炭素の作り分けは、基板
温度の増減によっても可能であり、マイクロ波出力５０
０〜７００Ｗ、メタン濃度１％の条件では、基板温度７
００〜１０００℃でダイヤモンド膜が、５００〜６００
℃でアモルファス状炭素膜が生成する。また、マイクロ
波出力を増減させることによっても可能である。
温度の増減によっても可能であり、マイクロ波出力５０
０〜７００Ｗ、メタン濃度１％の条件では、基板温度７
００〜１０００℃でダイヤモンド膜が、５００〜６００
℃でアモルファス状炭素膜が生成する。また、マイクロ
波出力を増減させることによっても可能である。
アモルファス状炭素膜の膜厚は、通常、１〜数μｍが好
ましい。ダイヤモンド膜の膜厚は、用途によって異なる
が、例えば、超硬工具のコーテイング膜としてダイヤモ
ンド膜を形成する場合には、約５μｍ程度、放熱基板に
用いる場合には約５０μｍ以上の厚さとするのが好まし
い。
ましい。ダイヤモンド膜の膜厚は、用途によって異なる
が、例えば、超硬工具のコーテイング膜としてダイヤモ
ンド膜を形成する場合には、約５μｍ程度、放熱基板に
用いる場合には約５０μｍ以上の厚さとするのが好まし
い。
なお、ダイヤモンド膜は、これを構成する結晶の粒径が
大きく、表面粗度が大きいので、表面の平坦性を向上さ
せるために、アモルファス状炭素膜およびダイヤモンド
膜を形成した基板上面に、さらにアモルファス状炭素膜
を形成した構造としてもよい。この場合、表面層である
アモルファス状炭素膜の膜厚は、通常、１〜数μｍが好
ましく、表面の平坦性を損なわない範囲でできるだけ薄
くするのがよい。
大きく、表面粗度が大きいので、表面の平坦性を向上さ
せるために、アモルファス状炭素膜およびダイヤモンド
膜を形成した基板上面に、さらにアモルファス状炭素膜
を形成した構造としてもよい。この場合、表面層である
アモルファス状炭素膜の膜厚は、通常、１〜数μｍが好
ましく、表面の平坦性を損なわない範囲でできるだけ薄
くするのがよい。
また、上記基板上にアモルファス状炭素膜を形成するに
際し、結晶が成長しやすくするために、予め基板表面を
ダイヤモンドペースト等で研磨して微細なキズをつけて
おいてもよい。
際し、結晶が成長しやすくするために、予め基板表面を
ダイヤモンドペースト等で研磨して微細なキズをつけて
おいてもよい。
［作用］
本発明においては、基板とダイヤモンド膜との間に、ア
モルファス状炭素を主成分とする膜を形成したことによ
り、基板とダイヤモンド膜の間の密着性が向上する。そ
の理由は必ずしも明らかではないが、膜を形成する粒子
の大きさに関連があるものと思われる。
モルファス状炭素を主成分とする膜を形成したことによ
り、基板とダイヤモンド膜の間の密着性が向上する。そ
の理由は必ずしも明らかではないが、膜を形成する粒子
の大きさに関連があるものと思われる。
すなわち、ダイヤモンド膜は多結晶膜であり（第６図参
照）、各結晶の大きさは、ダイヤモンドが高純度となる
ほど大きくなる。このため、高純度のダイヤモンド膜は
基板上での安定性が悪く、密着性が低下して剥離しやす
い。これに対し、アモルファス状炭素を主成分とする膜
は、はるかに粒径が小さいため（第４図参照）、基板上
の安定性がよく、さらにダイヤモンド膜との密着性も良
好であるので基板とダイヤモンド膜との間の接着剤とし
ての役割を果たすものと考えられる。
照）、各結晶の大きさは、ダイヤモンドが高純度となる
ほど大きくなる。このため、高純度のダイヤモンド膜は
基板上での安定性が悪く、密着性が低下して剥離しやす
い。これに対し、アモルファス状炭素を主成分とする膜
は、はるかに粒径が小さいため（第４図参照）、基板上
の安定性がよく、さらにダイヤモンド膜との密着性も良
好であるので基板とダイヤモンド膜との間の接着剤とし
ての役割を果たすものと考えられる。
［実施例］
次に本発明を実施例により詳細に説明するが、本発明は
その要旨を越えない限り、以下の実施例により限定され
るものではない。
その要旨を越えない限り、以下の実施例により限定され
るものではない。
実施例１
次に示す方法で、第１図に示すダイヤモンド膜付基板を
作製した。第３図には本実施例において使用した装置を
示す。図において、直交する石英管よりなる反応管５１
内には、１０ｍｍ角のシリコン基板１が配してあり、反
応管５１に連通ずる原料ガス供給管５２より原料ガスを
供給するとともに、マイクロ波導波管５３よりマイクロ
波を導いて、反応管５１内でプラズマを発生させた。原
料ガスとしては、水素；メタン＝１００：３（容量比）
のガスを使用し、マイクロ液出カフ００Ｗ、反応管圧力
５０Ｔｏ ｒ ｒ、基板温度８００°Ｃの条件で１時間
成膜し、シリコン基板１上にアモルファス状炭素膜２を
形成した。なお、図中、５４は整合器、５５はアイソレ
ータ、５６は電源である。
作製した。第３図には本実施例において使用した装置を
示す。図において、直交する石英管よりなる反応管５１
内には、１０ｍｍ角のシリコン基板１が配してあり、反
応管５１に連通ずる原料ガス供給管５２より原料ガスを
供給するとともに、マイクロ波導波管５３よりマイクロ
波を導いて、反応管５１内でプラズマを発生させた。原
料ガスとしては、水素；メタン＝１００：３（容量比）
のガスを使用し、マイクロ液出カフ００Ｗ、反応管圧力
５０Ｔｏ ｒ ｒ、基板温度８００°Ｃの条件で１時間
成膜し、シリコン基板１上にアモルファス状炭素膜２を
形成した。なお、図中、５４は整合器、５５はアイソレ
ータ、５６は電源である。
得られた膜付基板の外観を電子顕微鏡で観察し、写真を
撮影して第４図に示す。表面は微粒子の集合体からなり
、平坦である。また、第５図にはラマンスペクトルの測
定結果を示すが、１５５０ａｕ−１付近にｉ−カーボン
と呼ばれるアモルファス状炭素の幅広いピークが、また
、１３３０ａｕ−’付近にはダイヤモンドの弱いピーク
が確認され、この膜がダイヤモンドを含むアモルファス
状炭素膜であることが確認された。なお、基板１上に生
成したアモルファス状炭素膜２の膜厚は約１μｍであっ
た。
撮影して第４図に示す。表面は微粒子の集合体からなり
、平坦である。また、第５図にはラマンスペクトルの測
定結果を示すが、１５５０ａｕ−１付近にｉ−カーボン
と呼ばれるアモルファス状炭素の幅広いピークが、また
、１３３０ａｕ−’付近にはダイヤモンドの弱いピーク
が確認され、この膜がダイヤモンドを含むアモルファス
状炭素膜であることが確認された。なお、基板１上に生
成したアモルファス状炭素膜２の膜厚は約１μｍであっ
た。
続いて、原料ガス中のメタン濃度を変化させ、アモルフ
ァス状炭素膜２を形成したシリコン基板１上に、さらに
ダイヤモンド膜３を成膜した。原料ガスとして、水素：
メタン＝１００：１（容量比）のガスを使用し、同様の
方法で、８時間成膜した。得られた膜付基板の外観を電
子顕微鏡で観察し、写真を撮影した。第６図に示すよう
に、表面には凹凸があり、結晶粒子が明確に見える。ま
た、第７図のラマンスペクトルでは、１３３０ＣＸｎ−
ｉ 付近にダイヤモンドの鋭いピークが観察され、こ
の粒子がダイヤモンド結晶であることが確認された。シ
リコン基板１上に生成したダイヤモンド膜３の膜厚は約
５μｍであった。
ァス状炭素膜２を形成したシリコン基板１上に、さらに
ダイヤモンド膜３を成膜した。原料ガスとして、水素：
メタン＝１００：１（容量比）のガスを使用し、同様の
方法で、８時間成膜した。得られた膜付基板の外観を電
子顕微鏡で観察し、写真を撮影した。第６図に示すよう
に、表面には凹凸があり、結晶粒子が明確に見える。ま
た、第７図のラマンスペクトルでは、１３３０ＣＸｎ−
ｉ 付近にダイヤモンドの鋭いピークが観察され、こ
の粒子がダイヤモンド結晶であることが確認された。シ
リコン基板１上に生成したダイヤモンド膜３の膜厚は約
５μｍであった。
次に、得られたダイヤモンド膜付基板の接着強度を測定
した。生成したダイヤモンド膜の表面および基板裏面に
接着剤を塗布し、それぞれに引張り試験用治具を接着し
た後、引張り試験に供したところ、剥離強度は７５〜１
０５ｋｇであった。剥離面を観察すると、アモルファス
状炭素Ｍ２の裏面にシリコンが多量に付着しており、剥
離が膜と基板の界面で生じたのではなく、膜がシリコン
基板１をえぐって剥難したものであること、すなわち、
基板との密着が非常に強固であることがわかる。
した。生成したダイヤモンド膜の表面および基板裏面に
接着剤を塗布し、それぞれに引張り試験用治具を接着し
た後、引張り試験に供したところ、剥離強度は７５〜１
０５ｋｇであった。剥離面を観察すると、アモルファス
状炭素Ｍ２の裏面にシリコンが多量に付着しており、剥
離が膜と基板の界面で生じたのではなく、膜がシリコン
基板１をえぐって剥難したものであること、すなわち、
基板との密着が非常に強固であることがわかる。
比較例
原料ガスとして、水素：メタン＝１００：１（容量比）
のガスを使用し、成膜時間を８時間として実施例１と同
様の方法で、シリコン基板上に膜厚約５μｍのダイヤモ
ンド膜を形成した。得られたダイヤモンド膜付基板を引
張り試験に供したところ、３０〜６０ｋｇ／ｃＪで剥離
した。剥離面を観察すると、ダイヤモンド膜と基板との
界面に沿ってきれいに剥離しており、実施例１の場合に
比べ、ダイヤモンド膜と基板との密着性が低いことがわ
かる。
のガスを使用し、成膜時間を８時間として実施例１と同
様の方法で、シリコン基板上に膜厚約５μｍのダイヤモ
ンド膜を形成した。得られたダイヤモンド膜付基板を引
張り試験に供したところ、３０〜６０ｋｇ／ｃＪで剥離
した。剥離面を観察すると、ダイヤモンド膜と基板との
界面に沿ってきれいに剥離しており、実施例１の場合に
比べ、ダイヤモンド膜と基板との密着性が低いことがわ
かる。
実施例２
実施例１で得られたダイヤモンド膜付基板上に、さらに
膜厚約１μｍのアモルファス状炭素膜２を形成した（第
２図）。原料ガスとして、水素；メタン＝１００：３（
容量比）のガスを使用し、成膜時間は１時間とした。得
られたダイヤモンド膜付基板を引張り試験に供したとこ
ろ、剥離強度は７５〜１０５ ｋｇ／ ｃＡで、シリコ
ン基板１をえぐって剥難していた。また、外観は第４図
と同様で、表面の平坦度は良好であった。なお、熱伝導
率は約７４０Ｗ／ｍＫで実用上充分に高い値であった。
膜厚約１μｍのアモルファス状炭素膜２を形成した（第
２図）。原料ガスとして、水素；メタン＝１００：３（
容量比）のガスを使用し、成膜時間は１時間とした。得
られたダイヤモンド膜付基板を引張り試験に供したとこ
ろ、剥離強度は７５〜１０５ ｋｇ／ ｃＡで、シリコ
ン基板１をえぐって剥難していた。また、外観は第４図
と同様で、表面の平坦度は良好であった。なお、熱伝導
率は約７４０Ｗ／ｍＫで実用上充分に高い値であった。
実施例２を採用することによって、基板との密着性がよ
いばかりでなく、平坦度に優れ、熱伝導性も良好なダイ
ヤモンド膜付基板を得ることができた。
いばかりでなく、平坦度に優れ、熱伝導性も良好なダイ
ヤモンド膜付基板を得ることができた。
［発明の効果］
本発明においでは、基板とダイヤモンド膜との間に、ア
モルファス状炭素を主成分とする膜を形成したから、基
板との密着性が著しく向上する。
モルファス状炭素を主成分とする膜を形成したから、基
板との密着性が著しく向上する。
このため、基板上に直接ダイヤモンド膜を形成した場合
に比べ、剥離強度が飛躍的に向上し、かつ熱伝導性に優
れたダイヤモンド膜付基板が得られる。
に比べ、剥離強度が飛躍的に向上し、かつ熱伝導性に優
れたダイヤモンド膜付基板が得られる。
第１１図および第２図は本発明のダイヤモンド膜付基板
の構成を示す概略断面図、第３図は本発明のダイヤモン
ド膜付基板を製造する装置の概略構成図、第４図はアモ
ルファス状炭素を主成分とする膜の結晶構造を示す顕微
鏡写真、第５図はアモルファス状炭素を主成分とする膜
のラマンスペクトル図、第６図はダイヤモンド膜の結晶
構造を示す顕微鏡写真、第７図はダイヤモンド膜のラマ
ンスペクトル図である。 １・・・・・・基板 ２・・・・・・アモルファス状炭素を主成分とする膜３
・・・・・・ダイヤモンド膜 第１図 ’／／／／／／／／／／さ１ １１ｇ４面 シ皮数（ｃｍ″″１）
の構成を示す概略断面図、第３図は本発明のダイヤモン
ド膜付基板を製造する装置の概略構成図、第４図はアモ
ルファス状炭素を主成分とする膜の結晶構造を示す顕微
鏡写真、第５図はアモルファス状炭素を主成分とする膜
のラマンスペクトル図、第６図はダイヤモンド膜の結晶
構造を示す顕微鏡写真、第７図はダイヤモンド膜のラマ
ンスペクトル図である。 １・・・・・・基板 ２・・・・・・アモルファス状炭素を主成分とする膜３
・・・・・・ダイヤモンド膜 第１図 ’／／／／／／／／／／さ１ １１ｇ４面 シ皮数（ｃｍ″″１）
Claims (2)
- （１）基板表面に、ダイヤモンド膜を形成してなるダイ
ヤモンド膜付基板において、上記基板とダイヤモンド膜
との間に、アモルファス状炭素を主成分とする膜を形成
したことを特徴とするダイヤモンド膜付基板。 - （２）上記ダイヤモンド膜の上面に、アモルファス状炭
素を主成分とする膜を形成した特許請求の範囲第１項記
載のダイヤモンド膜付基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62317055A JP2679067B2 (ja) | 1987-12-15 | 1987-12-15 | ダイヤモンド膜付基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62317055A JP2679067B2 (ja) | 1987-12-15 | 1987-12-15 | ダイヤモンド膜付基板の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01157412A true JPH01157412A (ja) | 1989-06-20 |
| JP2679067B2 JP2679067B2 (ja) | 1997-11-19 |
Family
ID=18083913
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62317055A Expired - Lifetime JP2679067B2 (ja) | 1987-12-15 | 1987-12-15 | ダイヤモンド膜付基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2679067B2 (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5075094A (en) * | 1990-04-30 | 1991-12-24 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Method of growing diamond film on substrates |
| US5190823A (en) * | 1989-07-31 | 1993-03-02 | General Electric Company | Method for improving adhesion of synthetic diamond coatings to substrates |
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| EP1182274A1 (de) * | 2000-08-26 | 2002-02-27 | PlasmOTec GmbH & Co. KG | Diamantbeschichtetes Hartmetall-Schneidwerkzeug und Verfahren zu seiner Herstellung |
| JP2007119908A (ja) * | 2005-09-30 | 2007-05-17 | Kochi Prefecture Sangyo Shinko Center | プラズマｃｖｄ装置及びプラズマ表面処理方法 |
| JP2010045184A (ja) * | 2008-08-12 | 2010-02-25 | Kobe Steel Ltd | 熱伝導性プレート部品及びこれを備えた電子部品 |
| JP2010194629A (ja) * | 2009-02-23 | 2010-09-09 | Union Tool Co | 切削工具用ダイヤモンド皮膜 |
| WO2012072215A1 (de) * | 2010-11-29 | 2012-06-07 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Verfahren zur herstellung eines kohlenstoffhaltigen schichtsystems sowie vorrichtung zur durchführung des verfahrens |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62241898A (ja) * | 1986-04-11 | 1987-10-22 | Esutetsuku:Kk | ダイヤモンド薄膜の形成方法 |
-
1987
- 1987-12-15 JP JP62317055A patent/JP2679067B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62241898A (ja) * | 1986-04-11 | 1987-10-22 | Esutetsuku:Kk | ダイヤモンド薄膜の形成方法 |
Cited By (10)
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| JP4733193B2 (ja) * | 2009-02-23 | 2011-07-27 | ユニオンツール株式会社 | 切削工具用ダイヤモンド皮膜 |
| WO2012072215A1 (de) * | 2010-11-29 | 2012-06-07 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Verfahren zur herstellung eines kohlenstoffhaltigen schichtsystems sowie vorrichtung zur durchführung des verfahrens |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2679067B2 (ja) | 1997-11-19 |
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