JPH01157412A - ダイヤモンド膜付基板の製造方法 - Google Patents
ダイヤモンド膜付基板の製造方法Info
- Publication number
- JPH01157412A JPH01157412A JP62317055A JP31705587A JPH01157412A JP H01157412 A JPH01157412 A JP H01157412A JP 62317055 A JP62317055 A JP 62317055A JP 31705587 A JP31705587 A JP 31705587A JP H01157412 A JPH01157412 A JP H01157412A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- diamond film
- film
- amorphous carbon
- diamond
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000010432 diamond Substances 0.000 title claims abstract description 72
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 70
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 70
- 229910003481 amorphous carbon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 33
- 239000013078 crystal Substances 0.000 abstract description 9
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 abstract description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 abstract description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 abstract 1
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 20
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 14
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 9
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 7
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 7
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 5
- 238000001237 Raman spectrum Methods 0.000 description 4
- 238000009864 tensile test Methods 0.000 description 4
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 3
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 2
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 230000002194 synthesizing effect Effects 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000001000 micrograph Methods 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- UONOETXJSWQNOL-UHFFFAOYSA-N tungsten carbide Chemical compound [W+]#[C-] UONOETXJSWQNOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Carbon And Carbon Compounds (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は、放熱基板、スローアウェイチップ等の工具、
あるいはIC絶縁膜等に好適に利用可能なダイヤモンド
膜付基板に関する。
あるいはIC絶縁膜等に好適に利用可能なダイヤモンド
膜付基板に関する。
[従来の技術]
ダイヤモンドの合成技術としては、従来より、炭素粉末
を触媒の存在下、高温高圧下で処理する方法が知られて
いるが、近年、低圧下でダイヤモンドを合成する方法が
開発されて注目を集めている。
を触媒の存在下、高温高圧下で処理する方法が知られて
いるが、近年、低圧下でダイヤモンドを合成する方法が
開発されて注目を集めている。
低圧下でダイヤモンドを合成する代表的な方法としては
、数百ワットのマイクロ波で水素と炭化水素ガスとの混
合気体にプラズマを発生させ、プラズマ内に設置された
基板上にダイヤモンドを成長させるマイクロ波プラズマ
CVD法、800〜1000℃に加熱した基板直上に、
2000℃以上に加熱したフィラメントを設け、水素と
炭化水素ガスをフィラメントを通して基板に吹付けて基
板上にダイヤモンドを成長させる熱フイラメント法等が
挙げられ、これらの方法で得られたダイヤモンド膜付基
板は、その優れた熱伝導性から、例えば放熱基板として
の用途が期待されている。
、数百ワットのマイクロ波で水素と炭化水素ガスとの混
合気体にプラズマを発生させ、プラズマ内に設置された
基板上にダイヤモンドを成長させるマイクロ波プラズマ
CVD法、800〜1000℃に加熱した基板直上に、
2000℃以上に加熱したフィラメントを設け、水素と
炭化水素ガスをフィラメントを通して基板に吹付けて基
板上にダイヤモンドを成長させる熱フイラメント法等が
挙げられ、これらの方法で得られたダイヤモンド膜付基
板は、その優れた熱伝導性から、例えば放熱基板として
の用途が期待されている。
[発明が解決しようとする問題点]
しかしながら、このようにして得られたダイヤモンド膜
付基板において、ダイヤモンド膜の熱伝導性を向上させ
るためには、より高純度のダイヤモンド膜を形成するこ
とが望ましいが、その場合、ダイヤモンド膜と基板との
密着性が低いという問題点があり、実用化のネックとな
っていた。
付基板において、ダイヤモンド膜の熱伝導性を向上させ
るためには、より高純度のダイヤモンド膜を形成するこ
とが望ましいが、その場合、ダイヤモンド膜と基板との
密着性が低いという問題点があり、実用化のネックとな
っていた。
本発明は上記実情に鑑み成されたものであり、その目的
は、高い熱伝導性を有するとともに、基板とダイヤモン
ド膜との密着性に優れたダイヤモンド膜付基板を提供す
ることにある。
は、高い熱伝導性を有するとともに、基板とダイヤモン
ド膜との密着性に優れたダイヤモンド膜付基板を提供す
ることにある。
[問題点を解決するための手段]
本発明者等は、上記実情に鑑み鋭意検討を行なった結果
、本発明に到達した。すなわち、その要旨は、基板表面
に、ダイヤモンド膜を形成してなるダイヤモンド膜付基
板において、上記基板とダイヤモンド膜との間に、アモ
ルファス状炭素を主成分とする膜を形成したことを特徴
とするダイヤモンド膜付基板に存する。
、本発明に到達した。すなわち、その要旨は、基板表面
に、ダイヤモンド膜を形成してなるダイヤモンド膜付基
板において、上記基板とダイヤモンド膜との間に、アモ
ルファス状炭素を主成分とする膜を形成したことを特徴
とするダイヤモンド膜付基板に存する。
本発明において、一基板としては、シリコン単結晶、タ
ングステン、モリブデン等の金属、窒化ケイ素、炭化ケ
イ素等のセラミックス、またはタングステンカーバイド
等の超硬材料等が挙げられる。
ングステン、モリブデン等の金属、窒化ケイ素、炭化ケ
イ素等のセラミックス、またはタングステンカーバイド
等の超硬材料等が挙げられる。
アモルファス状炭素を主成分とする膜(以下、アモルフ
ァス状炭素膜という)とは、アモルファス状炭素からな
る膜あるいはアモルファス状炭素とダイヤモンドとの混
合膜であり、アモルファス状炭素の含有量が高いほど密
着性が向上するので好ましい。ただし、熱伝導性はダイ
ヤモンドとの混合膜の方が良好であるので、用途に応じ
てその組成を調節すればよい。
ァス状炭素膜という)とは、アモルファス状炭素からな
る膜あるいはアモルファス状炭素とダイヤモンドとの混
合膜であり、アモルファス状炭素の含有量が高いほど密
着性が向上するので好ましい。ただし、熱伝導性はダイ
ヤモンドとの混合膜の方が良好であるので、用途に応じ
てその組成を調節すればよい。
基板上にダイヤモンド膜およびアモルファス状炭素膜を
形成する方法としては、プラズマCVD法、熱フイラメ
ント法等、これらの膜を形成する方法として知られてい
る公知の方法のいずれによってもよい。
形成する方法としては、プラズマCVD法、熱フイラメ
ント法等、これらの膜を形成する方法として知られてい
る公知の方法のいずれによってもよい。
例えば、プラズマCVD法を採用する場合には、反応装
置内に基板を配し、水素とメタンの混合ガスを供給する
とともに、300W〜1kWのマイクロ波を導いてプラ
ズマを発生させ、基板上にダイヤモンドあるいはアモル
ファス状炭素を成長させる。この時、原料ガス中のメタ
ン濃度を変更することでダイヤモンド膜とアモルファス
状炭素とを作り分けることができ、例えばマイクロ汲出
カフ00W、基板温度800℃の条件では、メタン濃度
を1%(容量%)以下とするとダイヤモンド膜が生成し
、メタン濃度を1%より多くするとアモルファス状炭素
膜が生成する。
置内に基板を配し、水素とメタンの混合ガスを供給する
とともに、300W〜1kWのマイクロ波を導いてプラ
ズマを発生させ、基板上にダイヤモンドあるいはアモル
ファス状炭素を成長させる。この時、原料ガス中のメタ
ン濃度を変更することでダイヤモンド膜とアモルファス
状炭素とを作り分けることができ、例えばマイクロ汲出
カフ00W、基板温度800℃の条件では、メタン濃度
を1%(容量%)以下とするとダイヤモンド膜が生成し
、メタン濃度を1%より多くするとアモルファス状炭素
膜が生成する。
ダイヤモンドとアモルファス状炭素の作り分けは、基板
温度の増減によっても可能であり、マイクロ波出力50
0〜700W、メタン濃度1%の条件では、基板温度7
00〜1000℃でダイヤモンド膜が、500〜600
℃でアモルファス状炭素膜が生成する。また、マイクロ
波出力を増減させることによっても可能である。
温度の増減によっても可能であり、マイクロ波出力50
0〜700W、メタン濃度1%の条件では、基板温度7
00〜1000℃でダイヤモンド膜が、500〜600
℃でアモルファス状炭素膜が生成する。また、マイクロ
波出力を増減させることによっても可能である。
アモルファス状炭素膜の膜厚は、通常、1〜数μmが好
ましい。ダイヤモンド膜の膜厚は、用途によって異なる
が、例えば、超硬工具のコーテイング膜としてダイヤモ
ンド膜を形成する場合には、約5μm程度、放熱基板に
用いる場合には約50μm以上の厚さとするのが好まし
い。
ましい。ダイヤモンド膜の膜厚は、用途によって異なる
が、例えば、超硬工具のコーテイング膜としてダイヤモ
ンド膜を形成する場合には、約5μm程度、放熱基板に
用いる場合には約50μm以上の厚さとするのが好まし
い。
なお、ダイヤモンド膜は、これを構成する結晶の粒径が
大きく、表面粗度が大きいので、表面の平坦性を向上さ
せるために、アモルファス状炭素膜およびダイヤモンド
膜を形成した基板上面に、さらにアモルファス状炭素膜
を形成した構造としてもよい。この場合、表面層である
アモルファス状炭素膜の膜厚は、通常、1〜数μmが好
ましく、表面の平坦性を損なわない範囲でできるだけ薄
くするのがよい。
大きく、表面粗度が大きいので、表面の平坦性を向上さ
せるために、アモルファス状炭素膜およびダイヤモンド
膜を形成した基板上面に、さらにアモルファス状炭素膜
を形成した構造としてもよい。この場合、表面層である
アモルファス状炭素膜の膜厚は、通常、1〜数μmが好
ましく、表面の平坦性を損なわない範囲でできるだけ薄
くするのがよい。
また、上記基板上にアモルファス状炭素膜を形成するに
際し、結晶が成長しやすくするために、予め基板表面を
ダイヤモンドペースト等で研磨して微細なキズをつけて
おいてもよい。
際し、結晶が成長しやすくするために、予め基板表面を
ダイヤモンドペースト等で研磨して微細なキズをつけて
おいてもよい。
[作用]
本発明においては、基板とダイヤモンド膜との間に、ア
モルファス状炭素を主成分とする膜を形成したことによ
り、基板とダイヤモンド膜の間の密着性が向上する。そ
の理由は必ずしも明らかではないが、膜を形成する粒子
の大きさに関連があるものと思われる。
モルファス状炭素を主成分とする膜を形成したことによ
り、基板とダイヤモンド膜の間の密着性が向上する。そ
の理由は必ずしも明らかではないが、膜を形成する粒子
の大きさに関連があるものと思われる。
すなわち、ダイヤモンド膜は多結晶膜であり(第6図参
照)、各結晶の大きさは、ダイヤモンドが高純度となる
ほど大きくなる。このため、高純度のダイヤモンド膜は
基板上での安定性が悪く、密着性が低下して剥離しやす
い。これに対し、アモルファス状炭素を主成分とする膜
は、はるかに粒径が小さいため(第4図参照)、基板上
の安定性がよく、さらにダイヤモンド膜との密着性も良
好であるので基板とダイヤモンド膜との間の接着剤とし
ての役割を果たすものと考えられる。
照)、各結晶の大きさは、ダイヤモンドが高純度となる
ほど大きくなる。このため、高純度のダイヤモンド膜は
基板上での安定性が悪く、密着性が低下して剥離しやす
い。これに対し、アモルファス状炭素を主成分とする膜
は、はるかに粒径が小さいため(第4図参照)、基板上
の安定性がよく、さらにダイヤモンド膜との密着性も良
好であるので基板とダイヤモンド膜との間の接着剤とし
ての役割を果たすものと考えられる。
[実施例]
次に本発明を実施例により詳細に説明するが、本発明は
その要旨を越えない限り、以下の実施例により限定され
るものではない。
その要旨を越えない限り、以下の実施例により限定され
るものではない。
実施例1
次に示す方法で、第1図に示すダイヤモンド膜付基板を
作製した。第3図には本実施例において使用した装置を
示す。図において、直交する石英管よりなる反応管51
内には、10mm角のシリコン基板1が配してあり、反
応管51に連通ずる原料ガス供給管52より原料ガスを
供給するとともに、マイクロ波導波管53よりマイクロ
波を導いて、反応管51内でプラズマを発生させた。原
料ガスとしては、水素;メタン=100:3(容量比)
のガスを使用し、マイクロ液出カフ00W、反応管圧力
50To r r、基板温度800°Cの条件で1時間
成膜し、シリコン基板1上にアモルファス状炭素膜2を
形成した。なお、図中、54は整合器、55はアイソレ
ータ、56は電源である。
作製した。第3図には本実施例において使用した装置を
示す。図において、直交する石英管よりなる反応管51
内には、10mm角のシリコン基板1が配してあり、反
応管51に連通ずる原料ガス供給管52より原料ガスを
供給するとともに、マイクロ波導波管53よりマイクロ
波を導いて、反応管51内でプラズマを発生させた。原
料ガスとしては、水素;メタン=100:3(容量比)
のガスを使用し、マイクロ液出カフ00W、反応管圧力
50To r r、基板温度800°Cの条件で1時間
成膜し、シリコン基板1上にアモルファス状炭素膜2を
形成した。なお、図中、54は整合器、55はアイソレ
ータ、56は電源である。
得られた膜付基板の外観を電子顕微鏡で観察し、写真を
撮影して第4図に示す。表面は微粒子の集合体からなり
、平坦である。また、第5図にはラマンスペクトルの測
定結果を示すが、1550au−1付近にi−カーボン
と呼ばれるアモルファス状炭素の幅広いピークが、また
、1330au−’付近にはダイヤモンドの弱いピーク
が確認され、この膜がダイヤモンドを含むアモルファス
状炭素膜であることが確認された。なお、基板1上に生
成したアモルファス状炭素膜2の膜厚は約1μmであっ
た。
撮影して第4図に示す。表面は微粒子の集合体からなり
、平坦である。また、第5図にはラマンスペクトルの測
定結果を示すが、1550au−1付近にi−カーボン
と呼ばれるアモルファス状炭素の幅広いピークが、また
、1330au−’付近にはダイヤモンドの弱いピーク
が確認され、この膜がダイヤモンドを含むアモルファス
状炭素膜であることが確認された。なお、基板1上に生
成したアモルファス状炭素膜2の膜厚は約1μmであっ
た。
続いて、原料ガス中のメタン濃度を変化させ、アモルフ
ァス状炭素膜2を形成したシリコン基板1上に、さらに
ダイヤモンド膜3を成膜した。原料ガスとして、水素:
メタン=100:1(容量比)のガスを使用し、同様の
方法で、8時間成膜した。得られた膜付基板の外観を電
子顕微鏡で観察し、写真を撮影した。第6図に示すよう
に、表面には凹凸があり、結晶粒子が明確に見える。ま
た、第7図のラマンスペクトルでは、1330CXn−
i 付近にダイヤモンドの鋭いピークが観察され、こ
の粒子がダイヤモンド結晶であることが確認された。シ
リコン基板1上に生成したダイヤモンド膜3の膜厚は約
5μmであった。
ァス状炭素膜2を形成したシリコン基板1上に、さらに
ダイヤモンド膜3を成膜した。原料ガスとして、水素:
メタン=100:1(容量比)のガスを使用し、同様の
方法で、8時間成膜した。得られた膜付基板の外観を電
子顕微鏡で観察し、写真を撮影した。第6図に示すよう
に、表面には凹凸があり、結晶粒子が明確に見える。ま
た、第7図のラマンスペクトルでは、1330CXn−
i 付近にダイヤモンドの鋭いピークが観察され、こ
の粒子がダイヤモンド結晶であることが確認された。シ
リコン基板1上に生成したダイヤモンド膜3の膜厚は約
5μmであった。
次に、得られたダイヤモンド膜付基板の接着強度を測定
した。生成したダイヤモンド膜の表面および基板裏面に
接着剤を塗布し、それぞれに引張り試験用治具を接着し
た後、引張り試験に供したところ、剥離強度は75〜1
05kgであった。剥離面を観察すると、アモルファス
状炭素M2の裏面にシリコンが多量に付着しており、剥
離が膜と基板の界面で生じたのではなく、膜がシリコン
基板1をえぐって剥難したものであること、すなわち、
基板との密着が非常に強固であることがわかる。
した。生成したダイヤモンド膜の表面および基板裏面に
接着剤を塗布し、それぞれに引張り試験用治具を接着し
た後、引張り試験に供したところ、剥離強度は75〜1
05kgであった。剥離面を観察すると、アモルファス
状炭素M2の裏面にシリコンが多量に付着しており、剥
離が膜と基板の界面で生じたのではなく、膜がシリコン
基板1をえぐって剥難したものであること、すなわち、
基板との密着が非常に強固であることがわかる。
比較例
原料ガスとして、水素:メタン=100:1(容量比)
のガスを使用し、成膜時間を8時間として実施例1と同
様の方法で、シリコン基板上に膜厚約5μmのダイヤモ
ンド膜を形成した。得られたダイヤモンド膜付基板を引
張り試験に供したところ、30〜60kg/cJで剥離
した。剥離面を観察すると、ダイヤモンド膜と基板との
界面に沿ってきれいに剥離しており、実施例1の場合に
比べ、ダイヤモンド膜と基板との密着性が低いことがわ
かる。
のガスを使用し、成膜時間を8時間として実施例1と同
様の方法で、シリコン基板上に膜厚約5μmのダイヤモ
ンド膜を形成した。得られたダイヤモンド膜付基板を引
張り試験に供したところ、30〜60kg/cJで剥離
した。剥離面を観察すると、ダイヤモンド膜と基板との
界面に沿ってきれいに剥離しており、実施例1の場合に
比べ、ダイヤモンド膜と基板との密着性が低いことがわ
かる。
実施例2
実施例1で得られたダイヤモンド膜付基板上に、さらに
膜厚約1μmのアモルファス状炭素膜2を形成した(第
2図)。原料ガスとして、水素;メタン=100:3(
容量比)のガスを使用し、成膜時間は1時間とした。得
られたダイヤモンド膜付基板を引張り試験に供したとこ
ろ、剥離強度は75〜105 kg/ cAで、シリコ
ン基板1をえぐって剥難していた。また、外観は第4図
と同様で、表面の平坦度は良好であった。なお、熱伝導
率は約740W/mKで実用上充分に高い値であった。
膜厚約1μmのアモルファス状炭素膜2を形成した(第
2図)。原料ガスとして、水素;メタン=100:3(
容量比)のガスを使用し、成膜時間は1時間とした。得
られたダイヤモンド膜付基板を引張り試験に供したとこ
ろ、剥離強度は75〜105 kg/ cAで、シリコ
ン基板1をえぐって剥難していた。また、外観は第4図
と同様で、表面の平坦度は良好であった。なお、熱伝導
率は約740W/mKで実用上充分に高い値であった。
実施例2を採用することによって、基板との密着性がよ
いばかりでなく、平坦度に優れ、熱伝導性も良好なダイ
ヤモンド膜付基板を得ることができた。
いばかりでなく、平坦度に優れ、熱伝導性も良好なダイ
ヤモンド膜付基板を得ることができた。
[発明の効果]
本発明においでは、基板とダイヤモンド膜との間に、ア
モルファス状炭素を主成分とする膜を形成したから、基
板との密着性が著しく向上する。
モルファス状炭素を主成分とする膜を形成したから、基
板との密着性が著しく向上する。
このため、基板上に直接ダイヤモンド膜を形成した場合
に比べ、剥離強度が飛躍的に向上し、かつ熱伝導性に優
れたダイヤモンド膜付基板が得られる。
に比べ、剥離強度が飛躍的に向上し、かつ熱伝導性に優
れたダイヤモンド膜付基板が得られる。
第11図および第2図は本発明のダイヤモンド膜付基板
の構成を示す概略断面図、第3図は本発明のダイヤモン
ド膜付基板を製造する装置の概略構成図、第4図はアモ
ルファス状炭素を主成分とする膜の結晶構造を示す顕微
鏡写真、第5図はアモルファス状炭素を主成分とする膜
のラマンスペクトル図、第6図はダイヤモンド膜の結晶
構造を示す顕微鏡写真、第7図はダイヤモンド膜のラマ
ンスペクトル図である。 1・・・・・・基板 2・・・・・・アモルファス状炭素を主成分とする膜3
・・・・・・ダイヤモンド膜 第1図 ’//////////さ1 11g4面 シ皮数(cm″″1)
の構成を示す概略断面図、第3図は本発明のダイヤモン
ド膜付基板を製造する装置の概略構成図、第4図はアモ
ルファス状炭素を主成分とする膜の結晶構造を示す顕微
鏡写真、第5図はアモルファス状炭素を主成分とする膜
のラマンスペクトル図、第6図はダイヤモンド膜の結晶
構造を示す顕微鏡写真、第7図はダイヤモンド膜のラマ
ンスペクトル図である。 1・・・・・・基板 2・・・・・・アモルファス状炭素を主成分とする膜3
・・・・・・ダイヤモンド膜 第1図 ’//////////さ1 11g4面 シ皮数(cm″″1)
Claims (2)
- (1)基板表面に、ダイヤモンド膜を形成してなるダイ
ヤモンド膜付基板において、上記基板とダイヤモンド膜
との間に、アモルファス状炭素を主成分とする膜を形成
したことを特徴とするダイヤモンド膜付基板。 - (2)上記ダイヤモンド膜の上面に、アモルファス状炭
素を主成分とする膜を形成した特許請求の範囲第1項記
載のダイヤモンド膜付基板。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62317055A JP2679067B2 (ja) | 1987-12-15 | 1987-12-15 | ダイヤモンド膜付基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62317055A JP2679067B2 (ja) | 1987-12-15 | 1987-12-15 | ダイヤモンド膜付基板の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01157412A true JPH01157412A (ja) | 1989-06-20 |
JP2679067B2 JP2679067B2 (ja) | 1997-11-19 |
Family
ID=18083913
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62317055A Expired - Lifetime JP2679067B2 (ja) | 1987-12-15 | 1987-12-15 | ダイヤモンド膜付基板の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2679067B2 (ja) |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5075094A (en) * | 1990-04-30 | 1991-12-24 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Method of growing diamond film on substrates |
US5190823A (en) * | 1989-07-31 | 1993-03-02 | General Electric Company | Method for improving adhesion of synthetic diamond coatings to substrates |
WO2002010474A1 (fr) * | 2000-08-01 | 2002-02-07 | Sidel | Procede de revetement par plasma |
EP1182274A1 (de) * | 2000-08-26 | 2002-02-27 | PlasmOTec GmbH & Co. KG | Diamantbeschichtetes Hartmetall-Schneidwerkzeug und Verfahren zu seiner Herstellung |
JP2007119908A (ja) * | 2005-09-30 | 2007-05-17 | Kochi Prefecture Sangyo Shinko Center | プラズマcvd装置及びプラズマ表面処理方法 |
JP2010045184A (ja) * | 2008-08-12 | 2010-02-25 | Kobe Steel Ltd | 熱伝導性プレート部品及びこれを備えた電子部品 |
JP2010194629A (ja) * | 2009-02-23 | 2010-09-09 | Union Tool Co | 切削工具用ダイヤモンド皮膜 |
WO2012072215A1 (de) * | 2010-11-29 | 2012-06-07 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Verfahren zur herstellung eines kohlenstoffhaltigen schichtsystems sowie vorrichtung zur durchführung des verfahrens |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62241898A (ja) * | 1986-04-11 | 1987-10-22 | Esutetsuku:Kk | ダイヤモンド薄膜の形成方法 |
-
1987
- 1987-12-15 JP JP62317055A patent/JP2679067B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62241898A (ja) * | 1986-04-11 | 1987-10-22 | Esutetsuku:Kk | ダイヤモンド薄膜の形成方法 |
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5190823A (en) * | 1989-07-31 | 1993-03-02 | General Electric Company | Method for improving adhesion of synthetic diamond coatings to substrates |
US5075094A (en) * | 1990-04-30 | 1991-12-24 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Method of growing diamond film on substrates |
WO2002010474A1 (fr) * | 2000-08-01 | 2002-02-07 | Sidel | Procede de revetement par plasma |
FR2812665A1 (fr) * | 2000-08-01 | 2002-02-08 | Sidel Sa | Procede de depot de revetement par plasma, dispositif de mise en oeuvre du procede et revetement obtenu par un tel procede |
EP1182274A1 (de) * | 2000-08-26 | 2002-02-27 | PlasmOTec GmbH & Co. KG | Diamantbeschichtetes Hartmetall-Schneidwerkzeug und Verfahren zu seiner Herstellung |
JP2007119908A (ja) * | 2005-09-30 | 2007-05-17 | Kochi Prefecture Sangyo Shinko Center | プラズマcvd装置及びプラズマ表面処理方法 |
JP2010045184A (ja) * | 2008-08-12 | 2010-02-25 | Kobe Steel Ltd | 熱伝導性プレート部品及びこれを備えた電子部品 |
JP2010194629A (ja) * | 2009-02-23 | 2010-09-09 | Union Tool Co | 切削工具用ダイヤモンド皮膜 |
JP4733193B2 (ja) * | 2009-02-23 | 2011-07-27 | ユニオンツール株式会社 | 切削工具用ダイヤモンド皮膜 |
WO2012072215A1 (de) * | 2010-11-29 | 2012-06-07 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Verfahren zur herstellung eines kohlenstoffhaltigen schichtsystems sowie vorrichtung zur durchführung des verfahrens |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2679067B2 (ja) | 1997-11-19 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2603257B2 (ja) | ダイヤモンド多層薄膜 | |
JP3136307B2 (ja) | 電子用途用ダイヤモンド載置基板 | |
JPH0535221B2 (ja) | ||
JPH04228497A (ja) | 基体のないダイヤモンド薄板並びにそれを製造するための方法および装置 | |
JPH01157412A (ja) | ダイヤモンド膜付基板の製造方法 | |
US5626908A (en) | Method for producing silicon nitride based member coated with film of diamond | |
JPH01317197A (ja) | ダイヤモンド薄膜基板およびその製法 | |
JPS62138395A (ja) | ダイヤモンド膜の製造方法 | |
Trava-Airoldi et al. | Very adherent CVD diamond film on modified molybdenum surface | |
JPS63277593A (ja) | ダイヤモンド被覆素子およびその製造方法 | |
JP2722724B2 (ja) | ダイヤモンド膜の被覆方法 | |
JPH01167211A (ja) | ダイヤモンドライク炭素膜およびその製造法 | |
JP2689269B2 (ja) | ダイヤモンドおよびその気相合成法 | |
JP2799849B2 (ja) | 化学蒸着法によるダイヤモンドの合成方法 | |
JP3138222B2 (ja) | ダイヤモンド自立膜の製造方法 | |
Cui et al. | Growth and characterization of diamond film on aluminum nitride | |
KR930011165B1 (ko) | 다이아몬드막의 기상증착법 및 그 장치 | |
JP2780497B2 (ja) | CVD法によるSi基板へのダイヤモンド膜形成方法 | |
JPH0623431B2 (ja) | 硬質被膜被覆切削工具部材 | |
JP2990218B2 (ja) | ダイヤモンドコーティング部材作製方法 | |
JP3025808B2 (ja) | 薄膜作製方法 | |
Nayak et al. | Electron beam activated plasma chemical vapour deposition of polycrystalline diamond films | |
JPH03141199A (ja) | 単結晶cvdダイヤモンドの製造方法 | |
JPH01111875A (ja) | 遊離炭素を含むSiC被膜の製造方法 | |
JPS63140084A (ja) | 硬質炭素被覆部品 |