JPS63140084A - 硬質炭素被覆部品 - Google Patents
硬質炭素被覆部品Info
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- JPS63140084A JPS63140084A JP28439886A JP28439886A JPS63140084A JP S63140084 A JPS63140084 A JP S63140084A JP 28439886 A JP28439886 A JP 28439886A JP 28439886 A JP28439886 A JP 28439886A JP S63140084 A JPS63140084 A JP S63140084A
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- 229910021385 hard carbon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 23
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 26
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 16
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 16
- MTPVUVINMAGMJL-UHFFFAOYSA-N trimethyl(1,1,2,2,2-pentafluoroethyl)silane Chemical compound C[Si](C)(C)C(F)(F)C(F)(F)F MTPVUVINMAGMJL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 12
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 8
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 7
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 3
- 239000010432 diamond Substances 0.000 abstract description 32
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 abstract description 31
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 abstract description 30
- 238000000576 coating method Methods 0.000 abstract description 30
- 239000007789 gas Substances 0.000 abstract description 11
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 abstract description 9
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 abstract description 9
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 8
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 7
- XJDNKRIXUMDJCW-UHFFFAOYSA-J titanium tetrachloride Chemical compound Cl[Ti](Cl)(Cl)Cl XJDNKRIXUMDJCW-UHFFFAOYSA-J 0.000 abstract description 5
- 239000010453 quartz Substances 0.000 abstract description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 abstract description 2
- 238000001308 synthesis method Methods 0.000 abstract description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 abstract description 2
- 238000004299 exfoliation Methods 0.000 abstract 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 abstract 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 description 11
- 239000000047 product Substances 0.000 description 10
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 7
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 7
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 5
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 3
- YZCKVEUIGOORGS-UHFFFAOYSA-N Hydrogen atom Chemical compound [H] YZCKVEUIGOORGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 229910052580 B4C Inorganic materials 0.000 description 1
- 241000775881 Haematopota pluvialis Species 0.000 description 1
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- INAHAJYZKVIDIZ-UHFFFAOYSA-N boron carbide Chemical compound B12B3B4C32B41 INAHAJYZKVIDIZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 150000001247 metal acetylides Chemical class 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 238000000682 scanning probe acoustic microscopy Methods 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- 230000002194 synthesizing effect Effects 0.000 description 1
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 1
- 239000002023 wood Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Cutting Tools, Boring Holders, And Turrets (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、極めて耐摩耗性、耐蝕性に富む新規なひ質炭
素技伊部品に関する。
素技伊部品に関する。
ダイヤモンドの合成法として、従来のように超高圧・高
温を用いずに気相合成する方法として、炭化水素を分解
し、加熱保持した基材の表面に合成被覆する方法があり
、例えば特公昭59−27755号公報、特願昭56−
204321号、特公昭61−2652号各公報をはじ
めとして、数多くの方法が知られている。
温を用いずに気相合成する方法として、炭化水素を分解
し、加熱保持した基材の表面に合成被覆する方法があり
、例えば特公昭59−27755号公報、特願昭56−
204321号、特公昭61−2652号各公報をはじ
めとして、数多くの方法が知られている。
この種の方法は、いずれも炭素含有化合物、一般には炭
化水素を水素で希釈した混合ガスを、高温もしくは電気
エネルギーを外部から付加することによってプラズマを
発生させる、又は外部より強力なる光、一般的にはエキ
シマレーザ−光を照射する等の手段によって、高エネル
ギー状態に励起し、これKより水素を原子状の水素に解
離させると共に、炭化水素よりメチルラジカルを生成さ
せ、このメチルラジカルが基材表面上にダイヤモンドと
して堆積し、同時に原子状の水素がダイヤモンドと共析
出するグラπイトを選択的にエツチングすることにより
、高純度のダイヤモンドを基材表面上に合成被覆するも
のである。
化水素を水素で希釈した混合ガスを、高温もしくは電気
エネルギーを外部から付加することによってプラズマを
発生させる、又は外部より強力なる光、一般的にはエキ
シマレーザ−光を照射する等の手段によって、高エネル
ギー状態に励起し、これKより水素を原子状の水素に解
離させると共に、炭化水素よりメチルラジカルを生成さ
せ、このメチルラジカルが基材表面上にダイヤモンドと
して堆積し、同時に原子状の水素がダイヤモンドと共析
出するグラπイトを選択的にエツチングすることにより
、高純度のダイヤモンドを基材表面上に合成被覆するも
のである。
上記した従来技術によれば、確かに基材の表面に純度の
高いダイヤモンドを合成・被覆することは可能である。
高いダイヤモンドを合成・被覆することは可能である。
しかしながら、通常の基材材料例えば切削工具に、この
種のダイヤモンド被覆の応用を考えると、ダイヤモンド
はその熱膨張係数が五〇×10″″’ /de gと極
めて小さく、切削工具に最適な超硬合金の熱膨張係数5
X 10−@/clegの約1/2であることから、
一般に500℃〜1200℃である被覆時の高温から、
室温まで冷却した際に、ダイヤモンド被覆膜に高水準の
圧縮残留応力が生じ、該被覆膜が坐屈破壊することによ
シ基材から剥離してしまうという大きな問題があり、こ
れの解決が急がれている。
種のダイヤモンド被覆の応用を考えると、ダイヤモンド
はその熱膨張係数が五〇×10″″’ /de gと極
めて小さく、切削工具に最適な超硬合金の熱膨張係数5
X 10−@/clegの約1/2であることから、
一般に500℃〜1200℃である被覆時の高温から、
室温まで冷却した際に、ダイヤモンド被覆膜に高水準の
圧縮残留応力が生じ、該被覆膜が坐屈破壊することによ
シ基材から剥離してしまうという大きな問題があり、こ
れの解決が急がれている。
本発明はこのような現状に鑑みて表されたものであり、
基材からの剥離のない硬質炭素被覆部品を提供するもの
である。
基材からの剥離のない硬質炭素被覆部品を提供するもの
である。
本発明は気相よシ加熱した基材の表面に、炭素含有化合
物を分解して硬質の炭素を合成・析出せしめ被覆膜とし
た硬質炭素被覆部品において、該被覆膜の一層もしくは
全層が硬質炭素と金属炭化物の混合物からなる硬質炭素
被覆部品である。
物を分解して硬質の炭素を合成・析出せしめ被覆膜とし
た硬質炭素被覆部品において、該被覆膜の一層もしくは
全層が硬質炭素と金属炭化物の混合物からなる硬質炭素
被覆部品である。
本発明においては、上記金属炭化物が炭化チタンである
ことが特に好ましい。
ことが特に好ましい。
まず、本発明の基とした考え方から説明を始める。前記
したように、ダイヤモンドが他の物質に比べて極めて熱
膨張係数が小さいため、被覆終了後に冷却する際に、被
覆膜に大きな残留圧縮応力が生じて剥離が生じる。
したように、ダイヤモンドが他の物質に比べて極めて熱
膨張係数が小さいため、被覆終了後に冷却する際に、被
覆膜に大きな残留圧縮応力が生じて剥離が生じる。
この問題を解決するには、要は該被覆膜に生じる応力を
緩和すればよい。そして、被覆膜に生じる残留応力は、
被覆膜物質であるダイヤモンドと基材物質との熱膨張係
数の差によるのであるから、被覆膜物質の熱膨張係数を
より大きくできればよいのである。
緩和すればよい。そして、被覆膜に生じる残留応力は、
被覆膜物質であるダイヤモンドと基材物質との熱膨張係
数の差によるのであるから、被覆膜物質の熱膨張係数を
より大きくできればよいのである。
ここで、混合物質の熱膨張係数は、近似的には混合膜が
成立すると考えられるので、ダイヤモンドと、ダイヤモ
ンドのそれよシ大きな熱膨張係数を有する物質との混合
膜を作成するならば、かかる問題を解決し得ると考え、
この考えを基にして研究を進め本発明に到達した。
成立すると考えられるので、ダイヤモンドと、ダイヤモ
ンドのそれよシ大きな熱膨張係数を有する物質との混合
膜を作成するならば、かかる問題を解決し得ると考え、
この考えを基にして研究を進め本発明に到達した。
本発明者らの研究によれば、ダイヤモンドとより熱膨張
係数の大きい物質との混合膜の熱膨張係数は、はソ混合
則に従がい、ダイヤモンドのそれより大きくなシ、基材
との熱膨張係数差を大巾に改善でき、これにより剥離の
問題を解決できることがわかった。
係数の大きい物質との混合膜の熱膨張係数は、はソ混合
則に従がい、ダイヤモンドのそれより大きくなシ、基材
との熱膨張係数差を大巾に改善でき、これにより剥離の
問題を解決できることがわかった。
例えば炭化チタンは熱膨張係数が7.8X10″a/d
ogであることから、炭化チタンが42容積チ、ダイヤ
モンドが58容積鴫の混合膜を作成すると、その混合膜
の熱膨張係数は5.0X10″″@/1mgとなり、前
述した超硬合金のそれと全く一致するところから、残留
応力は生じない。
ogであることから、炭化チタンが42容積チ、ダイヤ
モンドが58容積鴫の混合膜を作成すると、その混合膜
の熱膨張係数は5.0X10″″@/1mgとなり、前
述した超硬合金のそれと全く一致するところから、残留
応力は生じない。
従って、被覆膜と基材とは極めてよく接着するところか
ら、本発明の被覆部品を切削工具、耐摩部品等に用いる
と非常に好結果が得られる。
ら、本発明の被覆部品を切削工具、耐摩部品等に用いる
と非常に好結果が得られる。
本発明において混合膜を形成させる、よシ熱膨張係数の
大きな物質としては、金属炭化物例えば炭化チタン、炭
化硼素、炭化硅素などが好ましい。
大きな物質としては、金属炭化物例えば炭化チタン、炭
化硼素、炭化硅素などが好ましい。
本発明の硬質炭素被覆部品におけるダイヤモンド(硬質
炭素)と金属炭化物の容積比は特に限定されるところは
なく、基材に応じ任意に容積比を変えればよい。
炭素)と金属炭化物の容積比は特に限定されるところは
なく、基材に応じ任意に容積比を変えればよい。
本発明の硬質炭素被覆部品の製造方法としては、種々の
方法が採用できるが、従来の硬質炭素(ダイヤモンド)
気相合成法である、炭化水素と水素の混合ガスを励起し
た後、分解する方法において熱膨張係数のより大な他の
原料を混合ガス中に添加して、基材上に共析出させる方
法が、工業的にも最も容易である。
方法が採用できるが、従来の硬質炭素(ダイヤモンド)
気相合成法である、炭化水素と水素の混合ガスを励起し
た後、分解する方法において熱膨張係数のより大な他の
原料を混合ガス中に添加して、基材上に共析出させる方
法が、工業的にも最も容易である。
このような方法としては例えば熱OVD法、マイクロ波
プラズマ法などが挙げられる。
プラズマ法などが挙げられる。
熱av′D法による場合は、W、Ta等の金属フィラメ
ントを1800〜2500℃に加熱しておき、水素と炭
化水素の混合ガス、一般的には水素と11〜5容量チ好
ましくは(L5〜2容量チ程度のメタンとの混合ガスを
、該フィラメントで予熱することにより、金属フィラメ
ント直下に5〜50w程度離れて設けた基材表面上に、
炭化水素を熱分解してダイヤモンドを合成する。
ントを1800〜2500℃に加熱しておき、水素と炭
化水素の混合ガス、一般的には水素と11〜5容量チ好
ましくは(L5〜2容量チ程度のメタンとの混合ガスを
、該フィラメントで予熱することにより、金属フィラメ
ント直下に5〜50w程度離れて設けた基材表面上に、
炭化水素を熱分解してダイヤモンドを合成する。
なお雰囲気の圧力は1〜760 Torr、好ましくは
50〜500 Torr程度、基材表面温度は700
〜1500℃好ましくは850〜1100℃程度で行う
。
50〜500 Torr程度、基材表面温度は700
〜1500℃好ましくは850〜1100℃程度で行う
。
マイクロ波プラズマOVD法による場合は、石英製の反
応管中に基板を設置し、該石英管外部よりマイクロ波を
、一般的には2.45 GHzもしくは915 MHz
を加え、マイクロ波無極放電によってプラズマと生じさ
せる。なおガス組成、圧力及び基体の表面温度は前記し
た熱OVD法の場合とほとんど同じでよい。
応管中に基板を設置し、該石英管外部よりマイクロ波を
、一般的には2.45 GHzもしくは915 MHz
を加え、マイクロ波無極放電によってプラズマと生じさ
せる。なおガス組成、圧力及び基体の表面温度は前記し
た熱OVD法の場合とほとんど同じでよい。
上記のように雰囲気が炭化水素雰囲気であることから、
共析出する物質は、金属の炭化物と硬質炭素に必然的に
なるわけである。ここで硬質炭素としたのは、従来法の
ように純度の高いダイヤモンドは合成できず、若干のグ
ラファイトが共析出するためである。
共析出する物質は、金属の炭化物と硬質炭素に必然的に
なるわけである。ここで硬質炭素としたのは、従来法の
ように純度の高いダイヤモンドは合成できず、若干のグ
ラファイトが共析出するためである。
また、この金属炭化物と硬質炭素との混合物は被覆膜の
全部をこれにする要は必ずしもなく、基材と接する面の
みとし、かつ外部にむけて金属炭化物の存在量を順次減
少した層状構造にしてもよいことは、熱膨張係数の差に
よる残留応力の緩和という本発明の目的から、言うまで
もなく当然である。
全部をこれにする要は必ずしもなく、基材と接する面の
みとし、かつ外部にむけて金属炭化物の存在量を順次減
少した層状構造にしてもよいことは、熱膨張係数の差に
よる残留応力の緩和という本発明の目的から、言うまで
もなく当然である。
以下、実施例により本発明を具体的に説明する。
実施例1
第1図に概略の構成を示すダイヤモンド禎覆装置におい
て、超硬合金製チップ〔住友電工■製、材質H1、型番
8PG422)1を石英製試料台2に保持し、真空容器
S内を図示されていない真空排気装置にて排気4したの
ち、ガス導入管5より水素10 CC/ min eメ
タン(11cc/min 、四塩化チタンα02 CC
/ minを圧力150TOrr にて導入すると共
に、タングステンフィラメント6を通電加熱して約20
00℃とし、電気炉7を用いて超硬合金製テップ1の温
度を1050℃に保った。この条件にて10時間被覆し
た後、試料を冷却した。
て、超硬合金製チップ〔住友電工■製、材質H1、型番
8PG422)1を石英製試料台2に保持し、真空容器
S内を図示されていない真空排気装置にて排気4したの
ち、ガス導入管5より水素10 CC/ min eメ
タン(11cc/min 、四塩化チタンα02 CC
/ minを圧力150TOrr にて導入すると共
に、タングステンフィラメント6を通電加熱して約20
00℃とし、電気炉7を用いて超硬合金製テップ1の温
度を1050℃に保った。この条件にて10時間被覆し
た後、試料を冷却した。
冷却後との試料をX線回折にて調べたところ、ダイヤモ
ンドと炭化チタンの回折ピークが同定された。次に、オ
ージェ電子分光にて被覆膜の組成分析を行ったところ、
平均して炭化チタンが58容積チ、ダイヤモンドが62
容積チ存在していると推定された。々お、その分布は基
材に近い部分での炭化チタンの存在量が表面部より多か
った。又、被覆膜厚は約12μあることが判った。この
試料を本発明品Aとする。
ンドと炭化チタンの回折ピークが同定された。次に、オ
ージェ電子分光にて被覆膜の組成分析を行ったところ、
平均して炭化チタンが58容積チ、ダイヤモンドが62
容積チ存在していると推定された。々お、その分布は基
材に近い部分での炭化チタンの存在量が表面部より多か
った。又、被覆膜厚は約12μあることが判った。この
試料を本発明品Aとする。
上記と同様の装置を用い、同じ基材について、四塩化チ
タンの添加のみを行わず、他の条件はAの場合と同様に
同時間行ったところ、ダイヤモンドが約9μ厚さ被覆し
た試料が得られた。
タンの添加のみを行わず、他の条件はAの場合と同様に
同時間行ったところ、ダイヤモンドが約9μ厚さ被覆し
た試料が得られた。
この比較品をそのまま2日間放置したところ、膜内に生
じた圧縮応力のため、被覆膜が剥離してしまった。
じた圧縮応力のため、被覆膜が剥離してしまった。
本発明品A及び未被覆品について、以下の条件で切削テ
ストを行った。
ストを行った。
被削材 1040丸棒
切削速度 3000悔/ min
送 シ α20日/rev
切り込み to−
ホルダー ?P21R−44ム
切削剤 使用せず
本発明品Aは、10分間切削してフランク摩耗が102
.であったのに対して、比較品である未被覆品、すなわ
ち基材は、14秒間切削して切刃が消滅してしまった。
.であったのに対して、比較品である未被覆品、すなわ
ち基材は、14秒間切削して切刃が消滅してしまった。
実施例2
真空容器内に実施例1と同じ超硬合金製チップを保持し
、系内に水素15CC/min、メタンQ、 I OC
/ In1n g四塩化チタンαOI CC/ win
を、40 Torrにて導入した後、2.a 5 GH
zのマイクロ波500Wを印加し、いわゆるマイクロ波
プラズマCvD法にて24時間被覆した。
、系内に水素15CC/min、メタンQ、 I OC
/ In1n g四塩化チタンαOI CC/ win
を、40 Torrにて導入した後、2.a 5 GH
zのマイクロ波500Wを印加し、いわゆるマイクロ波
プラズマCvD法にて24時間被覆した。
しかる後、試料を冷却して調べたところ、ダイヤモンド
が72容積チ、炭化チタン28容積チの混合膜が厚さ2
8μ被覆されていた。この試料を本発明品Bとする。
が72容積チ、炭化チタン28容積チの混合膜が厚さ2
8μ被覆されていた。この試料を本発明品Bとする。
四塩化チタンの添加がない以外は全く同一の基材、装置
、条件にて12時間被覆したところ、厚さ8μのダイヤ
モンドが被覆された。
、条件にて12時間被覆したところ、厚さ8μのダイヤ
モンドが被覆された。
しかしながら、4日後に後者のダイヤモンド被覆は剥離
してしまった。−力木発明品Bでは被覆膜の剥離は全く
認められ々かった。
してしまった。−力木発明品Bでは被覆膜の剥離は全く
認められ々かった。
実施例3
実施例1と同じ構成にて、種々の条件にて表1に示す各
種の被覆膜を作成した後、実施例1と同一条件にて切削
テストを行った。この結果も表1にまとめて示すが、ダ
イヤモンドのみを被覆した比較品工〜には、いずれも膜
が初期に剥離してしまい、極めて短寿命であった。一方
、本発明品C−aは、10分間切削してもフランク摩耗
が[1m1〜Q、06■と非常に優れていた。
種の被覆膜を作成した後、実施例1と同一条件にて切削
テストを行った。この結果も表1にまとめて示すが、ダ
イヤモンドのみを被覆した比較品工〜には、いずれも膜
が初期に剥離してしまい、極めて短寿命であった。一方
、本発明品C−aは、10分間切削してもフランク摩耗
が[1m1〜Q、06■と非常に優れていた。
本発明は、ダイヤモンドを気相より基材表面に析出させ
る、いわゆるダイヤモンドコーティング技術において、
金属炭化物、特に好ましくは炭化チタンを共析出させる
ことによって、該被覆膜の熱膨張係数をダイヤモンド膜
のそれより大きくして基材との差を殆んどなくすことが
できるので、基材との熱膨張係数の差により生じた膜中
の残留圧縮応力を緩和させることを可能とし、これによ
り被覆膜の剥離をなくすことができる。
る、いわゆるダイヤモンドコーティング技術において、
金属炭化物、特に好ましくは炭化チタンを共析出させる
ことによって、該被覆膜の熱膨張係数をダイヤモンド膜
のそれより大きくして基材との差を殆んどなくすことが
できるので、基材との熱膨張係数の差により生じた膜中
の残留圧縮応力を緩和させることを可能とし、これによ
り被覆膜の剥離をなくすことができる。
第1図は本発明の硬質炭素被覆部品を製造する一例の概
略説明図である。
略説明図である。
Claims (2)
- (1)気相より加熱した基材の表面に、炭素含有化合物
を分解して硬質の炭素を合成・析出せしめ被覆膜とした
硬質炭素被覆部品に於て、該被覆膜の一層もしくは全層
が硬質炭素と金属炭化物の混合物からなる硬質炭素被覆
部品。 - (2)金属炭化物が炭化チタンである特許請求の範囲第
(1)項記載の硬質炭素被覆部品。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP28439886A JPS63140084A (ja) | 1986-12-01 | 1986-12-01 | 硬質炭素被覆部品 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP28439886A JPS63140084A (ja) | 1986-12-01 | 1986-12-01 | 硬質炭素被覆部品 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63140084A true JPS63140084A (ja) | 1988-06-11 |
Family
ID=17678055
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP28439886A Pending JPS63140084A (ja) | 1986-12-01 | 1986-12-01 | 硬質炭素被覆部品 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63140084A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01246118A (ja) * | 1988-03-26 | 1989-10-02 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 高耐熱性の複合炭素被膜及びその作製方法 |
EP1384597A1 (en) | 1989-01-31 | 2004-01-28 | Dai Nippon Insatsu Kabushiki Kaisha | Method for recording by thermal dye transfer |
CN110878410A (zh) * | 2018-09-06 | 2020-03-13 | 深圳精匠云创科技有限公司 | 3d玻璃硬质合金模具及其制作方法 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5993869A (ja) * | 1982-11-19 | 1984-05-30 | Sumitomo Electric Ind Ltd | ダイヤモンドを含有する硬質層被覆構造物 |
JPS59170261A (ja) * | 1983-03-14 | 1984-09-26 | Mitsubishi Metal Corp | 耐摩耗性のすぐれた表面被覆工具部材 |
-
1986
- 1986-12-01 JP JP28439886A patent/JPS63140084A/ja active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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