JPH01154536A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH01154536A JPH01154536A JP62312254A JP31225487A JPH01154536A JP H01154536 A JPH01154536 A JP H01154536A JP 62312254 A JP62312254 A JP 62312254A JP 31225487 A JP31225487 A JP 31225487A JP H01154536 A JPH01154536 A JP H01154536A
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Abstract
め要約のデータは記録されません。
Description
間に設けられる層間絶縁膜の製造方法に関する。
る層間絶縁膜としてプラズマ化学的気相成長法で形成さ
れたシリコン窒化膜（以下、プラズマ窒化膜と略す）が
用いられる。通常、このプラズマ窒化膜は下層プラズマ
窒化膜と上層プラズマ窒化膜とで２層に形成しており、
これらの間に下層配線による段差を平坦化するための塗
布膜、一般にはリンを含んだシリカフィルムを形成して
いる。このシリカフィルムは、その塗布後３００°Ｃの
窒素雰囲気中でベークを行い、しかる上で上層のプラズ
マ窒化膜を形成していた。
リンを含んでいるため非常に吸湿性が高い性質を有して
いる。このため、シリカフィルムが水分を吸収したまま
上層のプラズマ窒化膜を形成すると、その後の熱処理で
シリカフィルムが水分を放出し上層のプラズマ窒化膜の
一部が膨れたり、弾は飛んだりする不良が多発していた
。
形成までの時間を極力短縮する等の検討を行ってきたが
、シリカフィルムの吸湿が極めて短時間で発生するため
、半導体基板周辺の雰囲気の影口を受は易く、良好な状
態を維持することは非常に困難であった。
ズマ窒化膜に生じる不具合を防止することを可能にした
半導体装置の製造方法を提供することを目的としている
。
た下層配線上に下層プラズマ窒化膜を形成し、かつこの
上にシリカフィルムを塗布する工程と、このシリカフィ
ルムをベークしかつプラズマ雰囲気に晒して水分を除去
する工程と、その後直ちに上層のプラズマ窒化膜を形成
して層間絶縁膜を完成する工程とを含んでいる。
す断面図である。
下層配線としてのアルミニウム配線２を形成した上に、
プラズマ化学的気相成長法により下層プラズマ窒化膜３
ａを０．５μｍの厚さに形成する。そして、前記アルミ
ニウム配線２０段差を緩和するために、この配線２の上
にシリカフィルム４を０．１μｍの厚さに塗布し、かつ
３００°Ｃの窒素雰囲気中でベークを行う。
プラズマ気相成長装置内で、８００Ｗの窒素プラズマＰ
に接触させる。このとき、シリカフィルム４を窒素プラ
ズマＰ雰囲気に１０分間晒すと基板温度は約２０°Ｃ上
昇し、３０分間晒すと約５０°Ｃ上昇する。この窒素プ
ラズマＰに晒すことにより、シリカフィルム４中の水分
は容易にシリカフィルム外に除去され、プラズマ気相成
長装置外に排出される。
上にプラズマ化学的気相成長法により上層のプラズマ窒
化膜３ｂを０．５μｍの厚さに形成し、層間絶縁膜を完
成する。
合ガスを用いたドライエツチング工程を経て、前記下層
プラズマ窒化膜３ａ、 シリカフィルム４．上層プラズ
マ窒化膜３ｂからなる層間絶縁膜にスルーホールを開孔
し、かつこの上から上層配線としての２Ｎ目のアルミニ
ウム配線５を形成することにより、多層配線構造が完成
される。
まれる水分は窒素プラズマの照射によって確実に除去で
き、その後直ちに上層プラズマ窒化膜３ｂを形成するの
で、シリカフィルムにおける吸湿を防止でき、シリカフ
ィルム中の水分が原因とされる半導体装置の信頬性低下
を防止できる。
化学的気相成長装置内でＣＦ４プラズマに晒し、このと
きシリカフィルムの表面を６００〜８００人エツチング
することによってシリカフィルム中の水分を除去するよ
うにしてもよい。
のシリカフィルムを塗布し、かつベークした後にプラズ
マ雰囲気に晒して水分を除去し、その後直ちに上層絶縁
膜を形成しているので、シリカフィルムの吸湿をほぼ完
全に抑えることができ、上層絶縁膜の損傷等を防止して
信頼度の高い層間絶縁膜を形成できる効果がある。
す断面図である。 １・・・半導体基板、２・・・下層配線（アルミニウム
配線）、３ａ・・・下層プラズマ窒化膜、４・・・シリ
カフィルム、３ｂ・・・上層プラズマ窒化膜、５・・・
上層配線（アルミニウム配線）。
Claims (1)
- （１）半導体基板上に設けた下層配線上に下層プラズマ
窒化膜を形成し、かつこの上にシリカフィルムを塗布す
る工程と、このシリカフィルムをベークしかつプラズマ
雰囲気に晒して水分を除去する工程と、その後直ちに上
層のプラズマ窒化膜を形成して層間絶縁膜を完成する工
程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62312254A JPH01154536A (ja) | 1987-12-11 | 1987-12-11 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62312254A JPH01154536A (ja) | 1987-12-11 | 1987-12-11 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01154536A true JPH01154536A (ja) | 1989-06-16 |
Family
ID=18027023
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62312254A Pending JPH01154536A (ja) | 1987-12-11 | 1987-12-11 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01154536A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0327526A (ja) * | 1989-06-23 | 1991-02-05 | Nec Corp | 半導体集積回路装置の製造方法 |
| JPH0555387A (ja) * | 1991-06-14 | 1993-03-05 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
| JPH06252275A (ja) * | 1993-02-25 | 1994-09-09 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体装置の製造方法 |
| EP3736628A1 (en) | 2019-05-10 | 2020-11-11 | Canon Kabushiki Kaisha | Electronic apparatus to which an accessory is removably attached and corresponding accessory and system |
-
1987
- 1987-12-11 JP JP62312254A patent/JPH01154536A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0327526A (ja) * | 1989-06-23 | 1991-02-05 | Nec Corp | 半導体集積回路装置の製造方法 |
| JPH0555387A (ja) * | 1991-06-14 | 1993-03-05 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
| JPH06252275A (ja) * | 1993-02-25 | 1994-09-09 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体装置の製造方法 |
| EP3736628A1 (en) | 2019-05-10 | 2020-11-11 | Canon Kabushiki Kaisha | Electronic apparatus to which an accessory is removably attached and corresponding accessory and system |
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