JPH0114707B2 - - Google Patents
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- JPH0114707B2 JPH0114707B2 JP57111529A JP11152982A JPH0114707B2 JP H0114707 B2 JPH0114707 B2 JP H0114707B2 JP 57111529 A JP57111529 A JP 57111529A JP 11152982 A JP11152982 A JP 11152982A JP H0114707 B2 JPH0114707 B2 JP H0114707B2
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- H03K19/00—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits
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Description
【発明の詳細な説明】
(1) 発明の技術分野
本発明はチツプサイズ自在のゲート・アレイ
LSIチツプに関し、より詳しくは半導体集積回路
チツプの内部にも入出力回路を形成可能にして任
意の大きさおよび任意のゲート数のチツプに切断
可能にしたゲート・アレイLSIチツプに関する。
LSIチツプに関し、より詳しくは半導体集積回路
チツプの内部にも入出力回路を形成可能にして任
意の大きさおよび任意のゲート数のチツプに切断
可能にしたゲート・アレイLSIチツプに関する。
(2) 発明の背景
半導体集積回路の集積度の向上に伴なつて、必
要に応じて任意のゲート数および任意のチツプサ
イズを持つたゲート・アレイLSIチツプの実現が
要望されるようになつて来た。
要に応じて任意のゲート数および任意のチツプサ
イズを持つたゲート・アレイLSIチツプの実現が
要望されるようになつて来た。
(3) 従来技術と問題点
一般に、ゲート・アレイLSIチツプの内部は、
インバータ、NANDゲート、NORゲート等の所
望の回路を構成するための一方向に延びる多数の
ゲート・セル・アレイとこれらのゲート・セル・
アレイ相互に配線を施すために各ゲート・セル・
アレイの間に設けられた配線用領域とからなつて
おり、チツプの周辺には入出力パツドおよび入出
力回路を形成するための入力保護回路、入出力バ
ツフアー等が配列されている。
インバータ、NANDゲート、NORゲート等の所
望の回路を構成するための一方向に延びる多数の
ゲート・セル・アレイとこれらのゲート・セル・
アレイ相互に配線を施すために各ゲート・セル・
アレイの間に設けられた配線用領域とからなつて
おり、チツプの周辺には入出力パツドおよび入出
力回路を形成するための入力保護回路、入出力バ
ツフアー等が配列されている。
従来のゲート・アレイLSIチツプは内部に入出
力パツドや入出力回路を形成する領域を持たなか
つたのでチツプを切断することは不可能であり、
1つのバルクパターンからゲート数およびチツプ
サイズが同一の一種類のチツプしか実現できなか
つた。このため、必要なゲート数が少ない場合、
チツプ上に不使用のゲートが存在することにな
り、ゲートに無駄が生じるばかりかチツプサイズ
も不必要に大きなものとなつていた。
力パツドや入出力回路を形成する領域を持たなか
つたのでチツプを切断することは不可能であり、
1つのバルクパターンからゲート数およびチツプ
サイズが同一の一種類のチツプしか実現できなか
つた。このため、必要なゲート数が少ない場合、
チツプ上に不使用のゲートが存在することにな
り、ゲートに無駄が生じるばかりかチツプサイズ
も不必要に大きなものとなつていた。
(4) 発明の目的
本発明の目的はゲート・アレイLSIチツプ内部
の配線領域に切断領域を設け、その切断領域の近
傍に入出力回路を形成するという構想に基づき、
1チツプのゲート・アレイLSIを切断して複数チ
ツプのゲート・アレイLSIを得ることを可能に
し、それにより設計に応じたゲート数およびチツ
プサイズを持つゲート・アレイLSIチツプを得る
ことにある。
の配線領域に切断領域を設け、その切断領域の近
傍に入出力回路を形成するという構想に基づき、
1チツプのゲート・アレイLSIを切断して複数チ
ツプのゲート・アレイLSIを得ることを可能に
し、それにより設計に応じたゲート数およびチツ
プサイズを持つゲート・アレイLSIチツプを得る
ことにある。
(5) 発明の構成
上記の目的を達成するための本発明の要旨は、
半導体チツプ上に、配線領域と、該配線領域を介
して隔てられて互いに平行に配列された複数のベ
ーシツクセル列とを有し、該配線領域の一部が該
半導体チツプの切断可能領域となつており、該切
断可能領域に接してその両端に配置されたベーシ
ツクセル列と夫々隣接する配線領域の幅は入出力
パツドを配置し得る大きさであることを特徴とす
るゲートアレイチツプにある。
半導体チツプ上に、配線領域と、該配線領域を介
して隔てられて互いに平行に配列された複数のベ
ーシツクセル列とを有し、該配線領域の一部が該
半導体チツプの切断可能領域となつており、該切
断可能領域に接してその両端に配置されたベーシ
ツクセル列と夫々隣接する配線領域の幅は入出力
パツドを配置し得る大きさであることを特徴とす
るゲートアレイチツプにある。
(6) 発明の実施例
以下、図面によつて本発明の実施例を従来例と
対比して説明する。
対比して説明する。
第1図は従来の1チツプのゲート・アレイLSI
を概略的に示す平面図である。同図において、ゲ
ート・アレイLSIチツプ1の周辺部に入出力パツ
ド2が多数配列されており、入出力パツドの内側
に入出力パツドに隣接して入出力回路3が形成さ
れている。入出力回路3の更に内側の領域には一
方向に延びる多数のベーシツク・セル・アレイ4
が間隔を置いて配列されている。入出力回路3と
ベーシツク・セル・アレイ4との間および各ベー
シツク・セル・アレイ間の領域は配線用領域5で
ある。入出力パツド2、入出力回路3、ベーシツ
ク・セル・アレイ4および配線領域5はバルク6
上に形成されている。
を概略的に示す平面図である。同図において、ゲ
ート・アレイLSIチツプ1の周辺部に入出力パツ
ド2が多数配列されており、入出力パツドの内側
に入出力パツドに隣接して入出力回路3が形成さ
れている。入出力回路3の更に内側の領域には一
方向に延びる多数のベーシツク・セル・アレイ4
が間隔を置いて配列されている。入出力回路3と
ベーシツク・セル・アレイ4との間および各ベー
シツク・セル・アレイ間の領域は配線用領域5で
ある。入出力パツド2、入出力回路3、ベーシツ
ク・セル・アレイ4および配線領域5はバルク6
上に形成されている。
第2図は第1図に示したチツプ1の内側に配列
されているベーシツク・セル・アレイ4とその間
の配線用領域5を示す拡大平面図である。同図に
示されるように、ベーシツク・セル・アレイ4は
バルクパターンで形成された同一構造の多数のベ
ーシツク・セルBCを一方向に配列して構成され
ている。各配線領域5は一般にフイールド部と称
され、バルクパターンを持たない酸化膜の厚い場
所であり、各配線領域5の幅は同一である。この
ように狭い幅の配線領域に入出力パツドを形成す
ることは現在の技術では不可能なので、従来のチ
ツプの内側に入出力パツドや入出力回路を形成す
ることができず、従つてチツプを切断して所望の
ゲート数あるいは所望のチツプサイズのチツプを
得ることができなかつた。
されているベーシツク・セル・アレイ4とその間
の配線用領域5を示す拡大平面図である。同図に
示されるように、ベーシツク・セル・アレイ4は
バルクパターンで形成された同一構造の多数のベ
ーシツク・セルBCを一方向に配列して構成され
ている。各配線領域5は一般にフイールド部と称
され、バルクパターンを持たない酸化膜の厚い場
所であり、各配線領域5の幅は同一である。この
ように狭い幅の配線領域に入出力パツドを形成す
ることは現在の技術では不可能なので、従来のチ
ツプの内側に入出力パツドや入出力回路を形成す
ることができず、従つてチツプを切断して所望の
ゲート数あるいは所望のチツプサイズのチツプを
得ることができなかつた。
第3図は本発明の一実施例によるゲート・アレ
イLSIチツプの概略を示す平面図である。同図に
おいて、チツプ10の周辺部のバルク15上には
従来同様に多数の周辺入出力パツド20が配列さ
れており、周辺入出力パツド20の内側には従来
同様に周辺入出力パツド20に隣接して周辺入出
力回路30が形成されている。各辺の入出力パツ
ドおよび入出力回路は、本発明により設けられた
切断領域(図の斜線部分)61,62によつて分
離されている。本実施例においては、チツプ10
は切断領域61,62によつて4個の小チツプに
分断可能なようになつている。周辺入出力回路3
0の更に内側には、縦方向に延びるベーシツク・
セル・アレイ40が配線領域50を介して多数配
列されている。ベーシツク・セル・アレイ40の
各々は、チツプの中央を横方向に延びている切断
領域62によつて上下に分離されている。チツプ
中央部の上側を縦方向に走行する、隣接する2つ
のベーシツク・セル・アレイ401,402の間の
配線領域、およびチツプ中央部の下側を縦方向に
走行する、隣接する2つのベーシツク・セル・ア
レイ403,404の間の配線領域が縦方向に走行
する切断領域61となつている。ベーシツク・セ
ル・アレイ401,403に隣接し、且つベーシツ
ク・セル・アレイ401に関して切断領域61と
反対の側にある配線領域501は入出力パツド形
成領域となつている。同様にベーシツク・セル・
アレイ402,404に隣接する配線領域502も
入出力パツド形成領域となつている。配線領域5
01に隣接する2つのベーシツク・セル・アレイ
405,406とその間の配線領域503とで入出
力回路IO1が形成される。同様に、配線領域502
に隣接する2つのベーシツク・セル・アレイ40
7,408とその間の配線領域504とで入出力回
路IO2が形成される。下側にも同様にして配線領
域501,502にそれぞれ隣接して入出力回路
IO3,IO4がそれぞれ形成される。本実施例にお
いては、切断領域61となる配線領域の幅を他の
配線領域の幅より小とし、入出力パツド形成領域
となる配線領域501および502の幅を他の配線
領域の幅より大として、入出力パツドの形成を可
能にしている。
イLSIチツプの概略を示す平面図である。同図に
おいて、チツプ10の周辺部のバルク15上には
従来同様に多数の周辺入出力パツド20が配列さ
れており、周辺入出力パツド20の内側には従来
同様に周辺入出力パツド20に隣接して周辺入出
力回路30が形成されている。各辺の入出力パツ
ドおよび入出力回路は、本発明により設けられた
切断領域(図の斜線部分)61,62によつて分
離されている。本実施例においては、チツプ10
は切断領域61,62によつて4個の小チツプに
分断可能なようになつている。周辺入出力回路3
0の更に内側には、縦方向に延びるベーシツク・
セル・アレイ40が配線領域50を介して多数配
列されている。ベーシツク・セル・アレイ40の
各々は、チツプの中央を横方向に延びている切断
領域62によつて上下に分離されている。チツプ
中央部の上側を縦方向に走行する、隣接する2つ
のベーシツク・セル・アレイ401,402の間の
配線領域、およびチツプ中央部の下側を縦方向に
走行する、隣接する2つのベーシツク・セル・ア
レイ403,404の間の配線領域が縦方向に走行
する切断領域61となつている。ベーシツク・セ
ル・アレイ401,403に隣接し、且つベーシツ
ク・セル・アレイ401に関して切断領域61と
反対の側にある配線領域501は入出力パツド形
成領域となつている。同様にベーシツク・セル・
アレイ402,404に隣接する配線領域502も
入出力パツド形成領域となつている。配線領域5
01に隣接する2つのベーシツク・セル・アレイ
405,406とその間の配線領域503とで入出
力回路IO1が形成される。同様に、配線領域502
に隣接する2つのベーシツク・セル・アレイ40
7,408とその間の配線領域504とで入出力回
路IO2が形成される。下側にも同様にして配線領
域501,502にそれぞれ隣接して入出力回路
IO3,IO4がそれぞれ形成される。本実施例にお
いては、切断領域61となる配線領域の幅を他の
配線領域の幅より小とし、入出力パツド形成領域
となる配線領域501および502の幅を他の配線
領域の幅より大として、入出力パツドの形成を可
能にしている。
一方、横方向に走行する切断領域62内の上側
および下側にもそれぞれ入出力パツドが形成さ
れ、この切断領域62の近傍の必要な数のベーシ
ツク・セルと必要な面積の配線領域50とで入出
力回路IO5,IO6,IO7およびIO8が形成される。
および下側にもそれぞれ入出力パツドが形成さ
れ、この切断領域62の近傍の必要な数のベーシ
ツク・セルと必要な面積の配線領域50とで入出
力回路IO5,IO6,IO7およびIO8が形成される。
切断領域の中央で切断することにより、ゲー
ト・アレイLSIチツプ10は4個のチツプに分離
することができる。
ト・アレイLSIチツプ10は4個のチツプに分離
することができる。
入出力パツドおよび入出力回路が形成される分
離領域の近傍を第4図以下によつて更に詳細に説
明する。
離領域の近傍を第4図以下によつて更に詳細に説
明する。
第4図は第3図のチツプを縦方向に切断する前
と切断後のチツプの一部を示す拡大平面図であ
る。同図の上側は切断前のチツプの一部を示して
おり、下側は切断後のチツプの一部を示してい
る。各ベーシツク・セル・アレイは従来同様に、
同一構造の多数のベーシツク・セル(BC)を一
方向に配列して構成されている。各ベーシツク・
セル(BC)の寸法は従来と同一である。切断領
域61と入出力パツド形成領域501以外の、ベ
ーシツク・セル・アレイ間の配線領域の幅は従来
と同一であるが、切断領域61の幅は他の配線領
域の幅より狭く、入出力パツド形成領域501の
幅は他の配線領域の幅より広くしてある。入出力
パツド形成領域501の幅を他の配線領域の幅よ
り広くしたことにより、入出力パツド形成領域5
01に入出力パツドを形成することができるよう
になつた。
と切断後のチツプの一部を示す拡大平面図であ
る。同図の上側は切断前のチツプの一部を示して
おり、下側は切断後のチツプの一部を示してい
る。各ベーシツク・セル・アレイは従来同様に、
同一構造の多数のベーシツク・セル(BC)を一
方向に配列して構成されている。各ベーシツク・
セル(BC)の寸法は従来と同一である。切断領
域61と入出力パツド形成領域501以外の、ベ
ーシツク・セル・アレイ間の配線領域の幅は従来
と同一であるが、切断領域61の幅は他の配線領
域の幅より狭く、入出力パツド形成領域501の
幅は他の配線領域の幅より広くしてある。入出力
パツド形成領域501の幅を他の配線領域の幅よ
り広くしたことにより、入出力パツド形成領域5
01に入出力パツドを形成することができるよう
になつた。
入出力回路を形成する場合必要なものは、保護
ダイオード、入力バツフア、出力バツフア、およ
びトライステート出力回路である。このうち、入
力バツフアや、出力バツフア、またトライステー
ト出力回路などは入出力回路の種類により不要の
場合もある。出力バツフアとトライステート用出
力回路を構成するトランジスタのゲート幅はベー
シツクセル(BC)を構成するトランジスタのゲ
ート幅の整数倍なので、出力バツフアとトライス
テート用出力回路はベーシツク・セル・アレイ4
05および406のベーシツクセルで構成される。
入力バツフアを構成するトランジスタのゲート幅
はベーシツク・セル・アレイのトランジスタのゲ
ート幅より小なので、ベーシツク・セル(BC)
で構成することができない。このため、ベーシツ
ク・セル・アレイ405と406の間の配線領域5
03に予め、入力バツフアと保護ダイオードを形
成するための不純物領域からなるバルクパターン
B1を形成しておく。この、バルクパターンB1が
形成されている入出力回路用領域は、入力バツフ
アを構成するMOSトランジスタのソース、ドレ
イン領域、バイポーラトランジスタのベース、エ
ミツタ領域、および保護ダイオードの拡散領域と
なるものであり、チツプを切断線l1に沿つて切断
しない場合には窓あけを行わないことにより他の
配線領域と同様に配線領域として使用できる。
ダイオード、入力バツフア、出力バツフア、およ
びトライステート出力回路である。このうち、入
力バツフアや、出力バツフア、またトライステー
ト出力回路などは入出力回路の種類により不要の
場合もある。出力バツフアとトライステート用出
力回路を構成するトランジスタのゲート幅はベー
シツクセル(BC)を構成するトランジスタのゲ
ート幅の整数倍なので、出力バツフアとトライス
テート用出力回路はベーシツク・セル・アレイ4
05および406のベーシツクセルで構成される。
入力バツフアを構成するトランジスタのゲート幅
はベーシツク・セル・アレイのトランジスタのゲ
ート幅より小なので、ベーシツク・セル(BC)
で構成することができない。このため、ベーシツ
ク・セル・アレイ405と406の間の配線領域5
03に予め、入力バツフアと保護ダイオードを形
成するための不純物領域からなるバルクパターン
B1を形成しておく。この、バルクパターンB1が
形成されている入出力回路用領域は、入力バツフ
アを構成するMOSトランジスタのソース、ドレ
イン領域、バイポーラトランジスタのベース、エ
ミツタ領域、および保護ダイオードの拡散領域と
なるものであり、チツプを切断線l1に沿つて切断
しない場合には窓あけを行わないことにより他の
配線領域と同様に配線領域として使用できる。
第4図の下側に、切断線l1に沿つてチツプ10
を切断した状態が示されている。切断後は、ベー
シツク・セル・アレイ401は使用されないので
点線で示してある。配線領域501に入出力パツ
ドP1が形成されている。配線領域501の幅を、
入出力パツドP1の一辺の長さとその周辺の有効
パターン禁止領域の和より大にしておけば、入出
力パツドPを配線領域501に形成することが可
能である。ベーシツク・セル・アレイ405,4
06のベーシツク・セル(BC)と、その間の配線
領域503に形成された入力バツフアおよび保護
ダイオードのためのバルクパターンB1とで、入
出力回路IOXが形成されている。
を切断した状態が示されている。切断後は、ベー
シツク・セル・アレイ401は使用されないので
点線で示してある。配線領域501に入出力パツ
ドP1が形成されている。配線領域501の幅を、
入出力パツドP1の一辺の長さとその周辺の有効
パターン禁止領域の和より大にしておけば、入出
力パツドPを配線領域501に形成することが可
能である。ベーシツク・セル・アレイ405,4
06のベーシツク・セル(BC)と、その間の配線
領域503に形成された入力バツフアおよび保護
ダイオードのためのバルクパターンB1とで、入
出力回路IOXが形成されている。
第5図は第3図のチツプを横方向に切断する前
と切断後のチツプの一部を示す拡大平面図であ
る。同図の左側は切断前のチツプの一部を示して
おり、右側は切断後のチツプの一部を示してい
る。切断領域62は、その中に入出力パツドを形
成可能なように充分に広い幅を持つている。切断
領域62に近い領域において、ベイシツクセルア
レイ40の間の配線領域50の各々に、入力バツ
フアおよび保護ダイオードのための不純物領域の
バルクパターンB2を、第4図に示したバルクパ
ターンB1と同様に形成しておく。切断線l2に沿つ
てチツプを切断した状態が同図右側に示されてい
る。切断領域62内に入出力パツドP2が形成さ
れており、この入出力パツドP2の近傍のベーシ
ツク・セル・アレイ40内の必要なベーシツク・
セル(BC)とその隣りに形成されているバルク
パターンB2とで入出力回路IOYが形成されてい
る。
と切断後のチツプの一部を示す拡大平面図であ
る。同図の左側は切断前のチツプの一部を示して
おり、右側は切断後のチツプの一部を示してい
る。切断領域62は、その中に入出力パツドを形
成可能なように充分に広い幅を持つている。切断
領域62に近い領域において、ベイシツクセルア
レイ40の間の配線領域50の各々に、入力バツ
フアおよび保護ダイオードのための不純物領域の
バルクパターンB2を、第4図に示したバルクパ
ターンB1と同様に形成しておく。切断線l2に沿つ
てチツプを切断した状態が同図右側に示されてい
る。切断領域62内に入出力パツドP2が形成さ
れており、この入出力パツドP2の近傍のベーシ
ツク・セル・アレイ40内の必要なベーシツク・
セル(BC)とその隣りに形成されているバルク
パターンB2とで入出力回路IOYが形成されてい
る。
第6図は第4図の平面図において、切断後に配
線を施した状態を示す図、第7図は第4図の平面
図において、チツプを切断しないで用いる場合の
配線を施した図である。第6図に示されているよ
うに、チツプを縦方向に切断する場合は、切断領
域61に隣接するベーシツク・セル・アレイ40
1に対しては配線が施されず、またバルクパター
ンB1に対しては窓あけが行われて配線が施され
て入出力回路が形成される。チツプを切断しない
で使用する場合は、第7図に示されるように、切
断領域61は通常の配線領域として使用され、バ
ルクパターンB1に対しては窓あけがなされない
ので領域503も通常の配線領域として使用でき
る。
線を施した状態を示す図、第7図は第4図の平面
図において、チツプを切断しないで用いる場合の
配線を施した図である。第6図に示されているよ
うに、チツプを縦方向に切断する場合は、切断領
域61に隣接するベーシツク・セル・アレイ40
1に対しては配線が施されず、またバルクパター
ンB1に対しては窓あけが行われて配線が施され
て入出力回路が形成される。チツプを切断しない
で使用する場合は、第7図に示されるように、切
断領域61は通常の配線領域として使用され、バ
ルクパターンB1に対しては窓あけがなされない
ので領域503も通常の配線領域として使用でき
る。
以上の実施例の説明においてはゲート・アレイ
LSIチツプを4等分に切断する例を示したが、本
発明はこれに限らず、縦方向の切断領域61およ
び横方向の切断領域62は必要に応じて任意の位
置に設けることが可能である。また、切断領域は
同一方向に2つ以上設けてもよい。
LSIチツプを4等分に切断する例を示したが、本
発明はこれに限らず、縦方向の切断領域61およ
び横方向の切断領域62は必要に応じて任意の位
置に設けることが可能である。また、切断領域は
同一方向に2つ以上設けてもよい。
(7) 発明の効果
以上説明したように、本発明によれば、ゲー
ト・アレイLSIチツプ内部の配線領域に切断領域
を設け、その切断領域の近傍に入出力回路を形成
することにより、1チツプのゲート・アレイLSI
を切断して複数チツプのゲート・アレイLSIを得
ることができるので、設計に応じて無駄のないゲ
ート数およびチツプサイズを有するゲート・アレ
イLSIチツプが得られる。
ト・アレイLSIチツプ内部の配線領域に切断領域
を設け、その切断領域の近傍に入出力回路を形成
することにより、1チツプのゲート・アレイLSI
を切断して複数チツプのゲート・アレイLSIを得
ることができるので、設計に応じて無駄のないゲ
ート数およびチツプサイズを有するゲート・アレ
イLSIチツプが得られる。
第1図は従来の1チツプのゲート・アレイLSI
を概略的に示す平面図、第2図は第1図の平面図
の一部拡大図、第3図は本発明の一実施例による
ゲート・アレイLSIチツプの概略を示す平面図、
第4図は第3図のチツプを縦方向に切断する前と
切断後のチツプの一部を示す拡大平面図、第5図
は第3図のチツプを横方向に切断する前と切断後
のチツプの一部を示す拡大平面図、第6図は第4
図において、チツプ切断後に配線を施した状態を
示す平面図、そして第7図は第4図において、チ
ツプを切断しないで用いる場合の配線を施した状
態を示す平面図である。 10……ゲート・アレイLSIチツプ、15……
バルク、20……入出力パツド、30……入出力
回路、40……ベーシツク・セル・アレイ、50
……配線領域、501,502……入出力パツド形
成領域、503……入出力回路用不純物領域、6
1,62……切断領域、IO1〜IO8……入出力回
路。
を概略的に示す平面図、第2図は第1図の平面図
の一部拡大図、第3図は本発明の一実施例による
ゲート・アレイLSIチツプの概略を示す平面図、
第4図は第3図のチツプを縦方向に切断する前と
切断後のチツプの一部を示す拡大平面図、第5図
は第3図のチツプを横方向に切断する前と切断後
のチツプの一部を示す拡大平面図、第6図は第4
図において、チツプ切断後に配線を施した状態を
示す平面図、そして第7図は第4図において、チ
ツプを切断しないで用いる場合の配線を施した状
態を示す平面図である。 10……ゲート・アレイLSIチツプ、15……
バルク、20……入出力パツド、30……入出力
回路、40……ベーシツク・セル・アレイ、50
……配線領域、501,502……入出力パツド形
成領域、503……入出力回路用不純物領域、6
1,62……切断領域、IO1〜IO8……入出力回
路。
Claims (1)
- 1 半導体チツプ上に、配線領域と、該配線領域
を介して隔てられて互いに平行に配列された複数
のベーシツクセル列とを有し、該配線領域の一部
が該半導体チツプの切断可能領域61となつてお
り、該切断可能領域に接してその両端に配置され
たベーシツクセル列401,402と夫々隣接する
配線領域の幅は入出力パツドを配置し得る大きさ
であることを特徴とするゲートアレイチツプ。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57111529A JPS593950A (ja) | 1982-06-30 | 1982-06-30 | ゲ−トアレイチツプ |
EP83303760A EP0098163B1 (en) | 1982-06-30 | 1983-06-29 | Gate-array chip |
DE8383303760T DE3380507D1 (en) | 1982-06-30 | 1983-06-29 | Gate-array chip |
US06/828,097 US4733288A (en) | 1982-06-30 | 1986-02-10 | Gate-array chip |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57111529A JPS593950A (ja) | 1982-06-30 | 1982-06-30 | ゲ−トアレイチツプ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS593950A JPS593950A (ja) | 1984-01-10 |
JPH0114707B2 true JPH0114707B2 (ja) | 1989-03-14 |
Family
ID=14563643
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP57111529A Granted JPS593950A (ja) | 1982-06-30 | 1982-06-30 | ゲ−トアレイチツプ |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4733288A (ja) |
EP (1) | EP0098163B1 (ja) |
JP (1) | JPS593950A (ja) |
DE (1) | DE3380507D1 (ja) |
Families Citing this family (222)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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