JPH01131016A - 比表面積の大きい炭化ケイ素の製法および高温触媒反応への使用法 - Google Patents

比表面積の大きい炭化ケイ素の製法および高温触媒反応への使用法

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JPH01131016A JP63263832A JP26383288A JPH01131016A JP H01131016 A JPH01131016 A JP H01131016A JP 63263832 A JP63263832 A JP 63263832A JP 26383288 A JP26383288 A JP 26383288A JP H01131016 A JPH01131016 A JP H01131016A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 本発明は石油化学および高温触媒反応において特に触媒
担体として使用することを目的とした比表面積の大きい
炭化ケイ素の製造方法に係る。
〔従来技術〕
石油の重相は、触媒のコーキングにより炭素含いう土族
な欠点を有しており、窒素および硫黄誘導体が重度の汚
染を引き起こすと共に触媒のクラッキング特性を失効し
、金属が触媒に定着して触媒の効率を悪くする。このよ
うな欠点の改善策として、蒸留工程で得られる種々の留
分を浄化する方法がとられている。この目的で行われる
のが水素化処理である。
炭化水素化合物が水素の存在下で触媒反応する水素化処
理においては、 一水素添加分解の結果、分子が小さくなる、−水素化の
結果、Ｈ／　Ｃ比が大きくなり、芳香族およびオレフィ
ン族化合物が飽和する、−水素化脱硫（ＨＤＳ）、水素
化脱金属（ＨＤＮ）、水素化脱酸素（ＨＤＯ）　、水素
化脱金属（ＨＤＭ）により、（、Ｓ、Ｃ−Ｎ、Ｃ−０も
しくはＣ−Ｍｅの結合が切断されることによって、該炭
化水素の中に含有されるヘテロ原子および金属が無くな
る。
現在使用されている触媒は、硫化モリブデンと硫化タン
グステンを基材にした触媒である。これらの触媒はその
働きを担う活性相で構成され、触媒の安定性を保証する
適当な物質を有する。
活性相の前駆物質はＶＩＢ族元素（ＭＯ，Ｗ）ど■族元
素（Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎ　ｔ　）を含む混合酸化物で形成さ
れる。これらの酸化物に所要の活性ど安定性を与えるた
めに使用館に硫化を行う。
＝　５− 触媒は担体の上に堆積される。担体の機能は大きな比表
面積を利用して活性相を高分散状態に維持することにあ
る。温度や圧力の而で厳しい条件と連続的な再生に機械
的に耐え１ｑるように、相体を良質のものとする必要が
ある。業界で使用されている主な触媒担体として、製造
過程で集合１１織変更することのできるアルミナや、非
晶質または場合により結晶質（ゼオライト）のアルミノ
ケイ酸塩があるが、これらを他の酸化物でドープするこ
ともある。
触媒はコークスや金属の作用下で経時的に徐々に失活し
て行く。重相の処理が重大な触媒失活（ｐ　ｏｉｓｏｎ
ｉｎｇ）の問題を生じるのである。コークスの蓄積は高
分子量の芳香族化合物の分解に関連する。これによって
触媒作用が低下するが、最初の段階では温度を適宜に上
昇させることによって補償される。しかし周期的にコー
クスを燃焼さＵて触媒を再生する必要がある。触媒の活
性相が徐々に担体の中に浸透して行ってやがて関）Ｗ生
成物に受は入れ難いものどなるため、再生回数は無限で
はない。
反応が生じると、有機金属錯体およびポルフィリンの形
態の主としてバナジウムとニッケルである金属が触媒の
上に堆積され、次第にその細孔を塞いで行く。経済的に
可能な再生方法が存在しないため、触媒の交換を行う必
要がある。バプジウムの他に活性相の金属を再生する方
法も経済的に実行不可能である。失活した触媒が酸化し
た後にはアルミン酸イオンが存在するため、これをアル
カリ融解処理にかけることが必要となるが、この作業を
一般に使用されるトン数（数十トン）に適用するのは不
可能なためである。
炭化ケイ素は理想的な触媒担体となり得るものである。
実際、炭化ケイ素はコークスと金属による二重の失活作
用に対する耐性を有する。
−」−クスによる失活作用に関して： 触媒の再生時に高温点が形成される（発熱を伴う−Ｊ−
クス粒の燃焼）。これらの個所で、触媒の活性相がアル
ミン酸塩の形態で担体の中に入り込む。ＳｉＣの使用に
より欠点が解１ｊされ、触媒の動作寿命が良くなる。
一金属による失活作用に関して： 金属による失活の後も、ＳｉＣはその化学的慣性（ｃｈ
ｅｍｉｃａｌ　１ｎｅｒｔｉａ）のために処理すること
が可能であり、有効なバナジウム源となることができる
（現時点ではアルミナ担体からバナジウムを抽出するこ
とは不可能である）。また、モリブデンやコバルト等の
回収も可能になる。
石油化学以外の分野でも、同じ理由により現在使用され
ている触媒担体に代えて炭化ケイ素を使用し得る高温触
媒反応が数多く存在するが、残念ながら現時点ではアル
ミナより比表面積の大きい、すなわち　１グラムあたり
数十ないし数百平方メートル、できればさらにそれ以上
の比表面積を有する炭化ケイ素を製造することは不可能
である。
ｐｒｏｃｅｅｄ　　３ｒｉｔ、　　Ｃｃｒａｍ、　Ｓｏ
ｃ、　Ｍａｙ　１９８３゜ｐａｇｅｓ、　１２５４　ｆ
ｆにおいて、Ｐ、ＫＥＮＮＥＤＹとＢ、Ｎ０ＲＴＨが温
度約１４００〜１５００℃で分割炭素質基体の上に一酸
化ケイ素（Ｓ　ｉ　Ｏ）を通過させて粒度の細かいく平
均粒度３−４．５μｍ＞の炭化ケイ素を製造する実験的
方法について記載している。残念ながらこの方法で製造
された炭化ケイ素は比表面積が非常に小さく、およそｉ
ｏ＝／ｇ程度であり、触媒担体として使用することは不
可能である。特許出願ＧＢ−八−２０１７６６７に記載
の方法も、１０−５厘ＨＯ程度の圧力下で湿度１３４０
へ・１４４０℃でＳｉＯとＣを反応させるものであり、
比表面積が１５ＴＩｌ−９−’ｆ７）Ｓ　ｉ　Ｃ粉末を
生成ｔ　ル。Ａｃｈｅｓｏｎ法と呼ばれる従来の方法（
２０００℃よりはるかに高い高温でＳｉＯ２とＣを反応
させる方法）に関しては、固体構造の結晶化炭化ケイ素
が生成されることが知られているが、これが触媒担体に
適さないことは確実である。
〔発明の目的〕
本発明の第一の目的は、極微粒子の凝集メによって形成
し、比表面積が少なくとも１００ｍ−９−’である炭化
ケイ素の細粒を、特に石油化学用触媒の担体および（１
０００℃にも達する）高温触媒反応用の担体として製造
する方法であって、該方法は一酸化ケイ素３ｉ０の気体
を炭素に対して反応させる工程を含み、 一第１反応域において、５ｉｎ２＋Ｓｉの混合物を０．
１−１．５ｈＰａの圧力下で１１００〜１４００℃に加
熱することによりＳｉＯ気体を生成し、 −第２反応域において、比表面積が少なくとも２００ｙ
４−９”である分割状態（ｄｉｖｉｄｅｄ　ｓｔ、ａｔ
ｅ）の反応性炭素と前記３ｉ０気体を温度１１００−１
４００℃で接触させることを特徴とする。
好適なＳｉＯの生成温度は１２００〜１３００℃であり
、ＳｉＯとＣの好適な反応湿度は１１００〜１２００℃
である。
本発明の第二の目的は、５００℃以上（６５０〜１００
０℃でもよい）の高温で触媒の存在下で行われる多くの
化学反応に、比表面積の大きい炭化ケイ素の担体として
の使用である。このような使用の中でも、特に次のもの
を挙げることができる。
１）内燃機関の消音器またはマフラー。−酸化炭素およ
び燃焼しなかった炭化水素を二酸化炭素と水に変換する
と共に窒素酸化物をＮＯ２に変換することを目的とする
。現時点では活性化アルミナがロジウムおよび／または
白金の塩類と共にこの目的で使用されている。比表面積
の大ぎい（＞１００ｍ／Ｉｊ）炭化ケイ素は、ロジウム
の塩（ｆＡ化ロジウム等）および／または白金の塩〈ヘ
キナクロロ白金酸塩）をアルミナの場合と同等またはそ
れ取手（効率では同程度となる）の温度に含浸すること
によって活性化することができる。
本発明による炭化ケイ素を消音器またはマフラーの触媒
担体として使用すると、コストが低減される他、実質寿
命が大幅に伸びることも分かっている。特にこのような
消音器またはマフラーは排気ガスの急激な温度上昇に反
応しない。
２）メタンのような低分子量の炭化水素の１制御酸化」
用触媒と呼ばれる触媒。これらの触媒は酸化リチウムま
たは酸化マンガンを基材とすることが多く、湿度的６５
０〜８００℃において比較的高分子量で長い炭素鎖を有
する炭化水素への変換をｎＪ能にする。この用途にアル
ミナを担体とする触媒を用いると、アルミナの比表面積
が急速に低下する結果、その有効性も急速に失われる。
炭化ケイ素はこの用途において特に、極めて優れたｍ　
Ｊｒ！＋を示す。試験の結果、当初の比表面積が１２０
ｍ／ｑであった試料を１０００℃で長時間加熱しても６
０尻／ｇの比表面積を示すことが証明された。ウランを
添加した炭化ケイ素の場合、当初の比表面積が２００Ｔ
ｄ、７ｇであるが、１０００℃で長時間加熱しても１２
０〜１３０Ｔｄ、７ｇの比表面積を維持する。
３）石油化学においては、通常の場合アルミナ、シリカ
または活性炭によって支持されるコバルト−モリブデン
等の温合触媒を用いる水素化処理（水素化脱硫、水素化
脱金属・・・）。比表面積の大きい炭化ケイ素に代える
と、上）ホのような多くの利点が得られる。
、　　−−の５明 比表面積の大きいＳｉＣの製造を行う反応器は密封容器
１を含んで成り、吐出管２に連続されたポンプ（不図示
）により、容器１内に真空を形成することができる。
絶縁剤およびレバレータとして作用する炭素フェルト４
で内面を被覆されているシリカ管３が容器１の内部に配
設される。
管３の内部にグラファイトブロック６で支持したグラフ
ァイトるつぼ５が設置されている。るつば５の加熱は巻
線７を利用した誘導が熱によって行う。のぞき窓８を介
して、光学パイロメトリーにＪ：り温度測定を行うこと
ができる。るつぼ５もシリカ管３の上部と同様に、炭素
フェルトのシート９で被覆されており、炉の内面に過剰
ＳｉＯが凝縮するのを防止している。被覆月は循環水を
用いた冷却回路１５を含んでいる。
グラファイトるつぼ５の底部にＳ　ｉ　Ｏ２＋Ｓ　ｉの
混合物１０を入れる。Ｓ　ｉ　０２　＋　２Ｃ→Ｓ　ｉ
　Ｃ＋ＣＯの反応を行うように、炭素を混合物の上に入
れる。
この時、炭素は２種類の形態で配置することができる。
第２図では、ＳｉＯ発生域とＳｉＣ形成域を分離するこ
とを目的とした炭素フ」−ルトシート１１で゛混合物１
０（ＳｉＣ２＋Ｓ　ｉ　）を被覆した後、反応性炭素粉
末層１２で被覆している。炭素粉末層１２の上方一定距
離の個所（例えばポットの高さの中間位置）に、やはり
３ｉ０の過剰分を保持Ｊるために、炭素フェルトシート
１３をさらに設けることができる。
第３図では、前駆物質混合物（ＳｉＣ２−）　３　ｉ　
）１０がスペーサ手段ににつて３ｉＱ４−Ｃの反応域か
ら分離されている。スペーサ手段は、例えば幅りのグラ
ファイトフェルトシートを螺旋に巻いて形成することが
できる。Ｓ：Ｏ生成域とＳｉＯ＋Ｃの反応域との間の距
離を決定する幅りの値（ま、反応のパラメータとして変
更することができる。分離手段の上に炭素フェルトシー
ト１１と反応性炭素粉末層１２を配設する。幅りを変更
することによって、ＳｉＣ形成温度を高めることなくＳ
ｉＣの生成機構を強化することができる。
Ｂ、工程説明 前駆物質混合物１０（Ｓ　ｉ　Ｏ２＋Ｓ　ｉ　）を０．
１〜１．５ｓｈＰａ程度の減圧下で最高１４００℃の湿
度、好適には１１００〜１４００℃まで加熱する。
こうして生成されたＳｉＯ気体が参照番号１１で示され
る炭素フェルトの分離手段を通り、次に反応性炭素粉末
層１２を通過する際にＳｉＯ＋２Ｃ→Ｓ　ｉ　Ｃ＋−Ｃ
ｏの反応を生じる。
「反応性炭素」の選択次第で反応の生じ方に大きく影響
する。
ここでは下記のものを用いた。
一グラフ？イトペレット（粉末を凝集ｌ）たもの）； 一粉末状の活性炭（篩がすした粒体を破砕して、粒１９
０．２５Ｑ　〜０．４２５　ｍｍｚ比表面ＱｉＩ＜Ｊ１
１５０−ｒｌ、７ｇとしたもの＞（ＦＬＵＫＡ社供給の
油供給（Ａ　ｃＮｖａｔｅｄ　　Ｃｈａｒｃｏａｌ））
　ニー例えばアセチルアセトネート化合物の溶液を含浸
してウラン、セリウム、チタン、ジルコニウム、ハフニ
ウム、ランタニドの中力＼ら何れかの金属を添ｊ］ｔｌ
　した後４５０℃のアルゴン下で４時間浸炭した活性炭
。添加量は選択した金属の４〜４．５１ｍ％程度とする
。この場合、炭素の比表面積はやや小さくなるが、変換
率は実質的に高くなる。
パラメータは下記のものとした。； −前駆物質混合物Ｓ　ｉ　０２　＋　ｂ　ｉ　’７）量
−温度 −継続時間 −１７＝ ・紅Ｙ］口Ｌ９且： 炭素２５重量部に対して４中量部の前駆物質を用い１．
：ｏ処理中に過剰のＳｉＯを生じ、それによって動作条
件の再現性を確保できるようにした。
Ｓ　ｉ　Ｏ２−１−Ｓ　ｉの混合物は等分子量とするの
が望ましいが、化学量論量からやや偏りのある混合物を
用いても不都合はない。
・温　度： ＳｉＯと炭素との反応に関して温度を低下すると、それ
に比例ＩＪで細かさが増すという関係が存在する。
１４００℃の場合、第２図の構成で獲得される粒子の平
均粒度が約０２μｍであり、第３図の構成で２つの室（
ＳｉＯ生成室と５ｉＯ−ｔ−Ｃの反応室）の間の距離り
を４０ｍｍとして獲得される粒子はさらに細かくなる。
温度１２５０℃では、どちらの構成においてもいくらか
の毛髪状微結晶も含めてさらに細かい粒子（＜０．１μ
汎）が得らえる。１１００℃の低温でも処理できること
が分かった。
温度上昇相にガス抜き水平域を含む場合、ｍｆられるＳ
ｉＣの比表面積が大きくなることが知見された。
ガス抜きは周囲温度で行うことができるが（例えば４５
分ＷＡ）（３０分〜１時間）、約８７！ｉ’ｃ（８５０
〜９００℃）で１〜４時圏行うと特にｈ効である。
・［ＬＩＩＪｌ： 反応温度（１１００℃７１４００℃）を軽持するｖｉ間
は４〜７Ｒ閤が望ましい。この温度範囲において反応Ｉ
Ｉの速度が遅くなるためである。
・１ｕｕｕｉ： 好適には、得られた炭化ケイ票を温度約６００〜８００
℃の空気中で１／２〜２時間の後焙焼処理する。
その目的は、反応物質の中に炭素が残留している場合そ
れを破壊することであり、それにＪ：って比表面積を約
５〜１０％大きくする効果がある。
Ｃ１桿られたＳｉＣの　　。
いろいろな場合において、面心立方格子状に結晶化され
たタイプのＳｉＣで被覆された炭素質基質が回収される
。ＳｉＣは濃い青色からネズミ色、または多少濃い色合
いのｔｈＪ緑色を？する。
比表面積の測定値を歪曲し得るおそれのある炭素質基質
を除去するために、空気中焙焼を温度６００〜８００℃
で１〜２時間〈例えば）行う。最終的に得られる炭化ケ
イ素は、極微粒子の凝集体の形態をとる。
この炭化ケイ素の特性を決定するために、下記のような
観察と測定を行う。
−（炭素質基体の焙焼時の）ｒＲ成損失の測定。
これによって変換歩留りを確認することができる。
−　ｌ）　ｅｂｙｅ　−５ｃｈｅｒｒｅｒ室内でのｘＩ
ｇＩｌ同折によ６放射結晶学的特性決定。
一光学顕微饋によるＩＱ察、電子走査顕微鏡を用いての
観察。
一ガスの吸収を伴う通常の方法を用いてのＢ。
Ｅ、Ｔ、比表面積の測定。
一化学試験。
いくつかの試料に圓してはフッ化水素酸を用いた洗浄を
行って５ｈ０２の形成の有無を検出した。
また残留炭素の定積的測定も行った。
紅−呈 反応条件を最適化した場合、４００ｖｉＬ／９の比表面
積が達成された。これを先行技術の説明の中で述べた刊
行物において製造されたＳｉＣの比表面積（１ｄ／ｇ）
および石油化学の分野で通常触媒担体として使用されて
いるアルミナの比表面積２００Ｗｆ／ｇと比較するとい
かに優れた数値であるかが理解されよう。
表■は比表面積が最大になった試験の条件を示したもの
である。
比表面積の　きい・　ケイ　を−′　受に本発明による
比表面積の大きいＳｉＣを基体左水索化処理（ＨＤＳ、
水素化脱硫）に用いた。この時担体は粒度０．２５０〜
０．４２５闇、比表面積１７０尻／びのＳｉＣを従来の
触媒に対して使用される周知の方法を用いて活性炭また
はシリカまたはアルミナに含浸させたものである。
モリブデンの含浸に使用する出発物質の塩は式０式％） のヘプタモリブデン酸アンモニウムである。
活性元素としての塩を溶剤（水）に溶解する。
この時の溶液の量は使用担体の細孔容量どする。
相体の上にこの溶液を注いで触媒を作成する。
このようにして含浸した触媒を周囲温度で２時間放置し
た後、−晩１２０℃で焼成し、その場で直接硫化した後
、最終的に５００℃の炉内の空気中で２時間焙焼する（
シリカまたはアルミナタイプの処理の場合のみ）。
コバルトを含浸するために再び同じ作業を開始するが、
この場合の出発物質の塩は式 ０式％ の硝酸コバルトとする。
硝酸コバルト塩の量を計算するためには、中性子活性化
による分析で証明されたようにＭＯと００間の原子比が
０．３であることを考慮に入れる必要がある。この比は
ＣＯどＭＯの間に存在する最高レベルの共同作用に対応
する。
同一触媒の担体として、活性炭、シリカ、アルミナ、比
表面積の小さい（２０ｍ／　’ｊ　）　Ｓ　ｉ　Ｃ，お
よび本発明による比表面積の大ぎい（１７０ｃｆｆｌ　
／　’；ｉ　）ＳｉＣを用いて一連の比較試験を実施し
た。
有効性に関する規準として、毎秒触媒１３あたり、また
は毎秒１ｃｉ毎に触媒１ｇあたり変換されるブオフエン
の水素化脱硫（＋−Ｉ　Ｄ　Ｓ　）速度を用いた。
その結果を表■に示す。
表　　　　■ 表　　■　（続き） ＳｉＣを相体とする触媒はその寿命が終わった時点で容
易に再生、回復できることを考慮に入れた場合特に上記
の結果は非常に満足できるものであると言える。
Δ、ウランの添加 ウラニルアセチルアセテートのアルコール溶液を用いて
含浸することにより、比表面積の大きい＝　２７− 活性炭にウラン濃度が８〜１５重呈％（初期活性炭にお
いて）になるまでウランを添加した。こうして処理した
炭素を５００℃のアルゴン中で焙焼した後、反応器に入
れて、本発明の方法により一酸化ケイ素と反応させた。
こうして得られた炭化ケイ素の比表面積を１０００℃で
２時間空気中で焙焼ザる前と後で測定した。結果は下記
の通りであった。
重量％Ｕ　　　　　０　８．５　９．８　１５焙焼前（
１に／ｇ）　　１９７　４２５　４１０　２７９活性炭
におけるウラン濃度が＠適しベルになるのは、約８〜１
０重量％の炭化ケイ素における有効含有量に相当する約
８〜１０重量％の時であることが分かる。
Ｘ線検査の結果、焙焼前はウランかり３０７の形で炭化
ケイ素中に存在し、１０００℃で２時間焙焼後はＵ３Ｏ
８の形で存在することが証明された。
Ｂ、セリウムの添加 硝酸セリウムＣｅ（ＮＯ３）２・６Ｈ２０やアンモニア
性硝酸セリウム（ＮＨ４）２　Ｃｃ（Ｎ０３）６のよう
な水溶性セリウム塩を活性炭に含浸することによって活
性炭にセリウムを添加する場合にｂ１ウランと同じ手順
で行った。
その結果は前記の通りであった。
硝酸Ｃｅ 焙　　焼　　前　　　　　＜−ｎｔ／９’）　　３０３
　３７６　２９２　　３２０１０００℃で２時間焙焼後
（ゴ／ｇ、）　　７３　　９４　１３４　１４１セリウ
ムの１１１度を同じにした場合、セリウム塩の性質が最
終的な結果に対して一定の影響を与えることが分かる。
これはおそらく溶液が活性炭の粗孔に侵入する程度の差
によるものと考えられる。
アンモニア性硝酸塩を用いた２秤類の試験は、ＳｉＯと
Ｃを反応させてＳｉＣを生成する際に反応パラメータを
それぞれ多少変えたものである。セリウムを添加した場
合も、少なくともウランの添加と固定度には有効である
ことが分かる。その他の添加剤、特にチタン、ジルコ−
ラム、ハフニウム、ランタニドの塩を使用することもで
きる。
実施例 現在作成中の欧州規格による条件下での内燃機関用触媒
消音器またはマフラーの動作をシミュレートした条件下
で、本発明を実施した。
触媒消音器またはマフラーをシミコレートした装置を４
つ作成した。触媒として、活性相の濃度がそれぞれ０．
２重量％のｌ）　ｔと０．０２千星％のＲｈである白金
とロジウムの混合物を用いた。
４つの触媒を従来の方法によりそれぞれ下記の−　比表
面積２３５尻／９の活性アルミナ、−比表面積１２５Ｔ
ＩＬ／ｇの焙焼しない５ｉＣ１−比表面積　３０況／ｑ
の８００℃で焙焼したＳｉＣ。
一比表面積１８Ｔｌｔ、／ｇの１０００℃で焙焼したＳ
ｉＣに堆積した。
機関排気ガスをシミュレートしたガスを、ＣＯ十Ｎ２の
毎分の流速を５８．５ｃｍ、　０３　Ｈ８を３５０ｐｐ
ｍ、Ｎｏを４５０ｐｐｍとして触媒の上を通過させた。
ＣＯからＣＯ２への変換、亜酸化窒素のＮＯ２への変換
および不燃焼物質の酸化と温度との関係の観点から、こ
れら４種類の触媒の有効性を測定した。
その結果を下表に示すａ手表から分かるように、８００
℃で焙焼したＳｉＣはアルミナと全く遜色のない有効性
を示寸。また、ＳｉＣにはアルミナよりはるかに優れた
点があるということも付記しておかねばならない。それ
はアルミナの場合に主要な問題となっている触媒の回復
力である。
変換率Ｘ％における湿度Ｔ（’Ｃ）　　　　　　ガ　　
”Ｃ０Ｎ０ｘＣ３Ｈ８ 「−１０％　対照△９２０３２１１℃　２３１℃　２５
１℃焙焼前のＳｉＣ２５２２４９３０４ 焙焼後のＳｉＣ２３１２１５２７５ １０００℃焙焼後のＳａｃ　　　３０４　　３０５　　
３４８（空気中で１５時間焙焼） Ｔ−２５％　対照Ａ、Ｑ　２　ｏ３２３０　　２４４　
　２６４焙焼前のＳｉ０　　　　　２７１　　２６９　
　３０７８００℃焙焼後のＳｉＣ２４４２３２２８０１
０００℃焙焼後のＳｉＣ３２２３２２３６２（空気中で
１５時間焙焼） 変換率Ｘ％にお（プる温度Ｔ　（’Ｃ）　　　　　　”
　　２ｃｏ　　ＮＯｘ　Ｃ３Ｈ８ Ｔ　５Ｑ％　対［Ａｊ！　２０３２４５℃　２５２°（
：、　　３！ｉｏ”ｃ焙焼前のＳｉＣ２８４２８２３４
７ ８００℃焙焼後のＳｉＣ２５９２５１３Ｂ５１０００℃
焙焼後のＳｉＣ３３８３３６３８０（空気中で１５時間
焙焼） Ｔ−７５％　対照ＡｆＪ２０３２５７　　２６５　　３
９４焙焼前のＳｉＣ２９６２９２４１２ ８００℃焙焼後のＳｉＣ２６６２６５４６２１０００℃
焙焼後のＳｉＣ３５２３４９４０４（空気中で１５時間
焙焼） Ｔ−９０％　対照Ａ４２０３２７０　　２７９　　４１
９焙焼前のＳｉＣ３０４３０１４５０ ８００℃焙焼後のＳｉＣ２７０２７２４８８１０００℃
焙焼後のＳｉＣ３６４３６０４２９（空気中で１５時間
焙焼） 変換率％ 有効性（％）　　　　比表面積　　ＣＯＮＯｘ　ｃ３Ｈ
８対照（△ｆＪ　２０３）　　２３５ｍ／９７１，０　
７１．０　５８．７焙焼前のＳ　ｉ　Ｃ１２，５６２，
１Ｂ３．９　５４．４８００℃焙焼後のＳ　ｉ　（：、
　　　３０　　　　６９．７　　７３．１　　５２．０
８００℃で焙焼した比表面積３０麓／ｇのＳｉＣ上に堆
積した触媒の有効性は、ｃｏとＮＯｘに関してはアルミ
ナを担体とする触媒と実質的に同じであるが、不燃焼物
質に関してやや劣ることが注目される。
達成しようとする目的に応じてドーピング効果（ウラン
、セリウムその他の物質を用いて）を最適化することに
より、これらの結果をさらに改善することができる。本
発明を実施することによって、８００℃において３００
Ｔ１．７ｇ以上の比表面積を保持し、１０００℃でも１
００ｍ／ｇ以上の比表面積を保持し得るＳｉＣを触ｔｓ
活性相の担体として使用することが容易になるためであ
る。
【図面の簡単な説明】
第１〜３図は本発明を実施するための装置を示す。 第１図は装置の全体図である。 第２図と第３図は反応るつぼの２種類の描成方法を示す
。 １・・・・・・容器、２・・・・・・排出管、３・・・
・・・シリカ管、４・・・・・・炭素フェルト、５・・
・・・・反応るつぼ、６・・・・・・グラファイトブロ
ック、７・・・・・・巻線、８・・・・・・のぞぎ窓、
９・・・・・・炭素フェルトシート、１０・・・・・・
５ｉｎ２＋Ｓｉ混合物、１１．・・・・・・炭素フ、［
ルトシート、１２・・・・・・反応性炭素粉末層、１３
・・・・・・炭素フェルトシート、１５・・・・・・冷
却回路。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １）極微粒子の凝集体から成り、比表面積が少なくとも
    １００ｍ＾２・ｇ＾−＾１である炭化ケイ素の細粒を、
    特に石油化学用触媒の担体および１０００℃にも達し得
    る高温触媒反応用の担体として製造する方法であつて、
    該方法が一酸化ケイ素ＳｉＯの気体を炭素と反応させる
    工程を含み、 第１反応域において、ＳｉＯ＿２＋Ｓｉの混合物を０．
    １〜１．５ｈＰａの圧力下で１１００〜１４００℃に加
    熱することによりＳｉＯ気体を生成し、 第２反応域において、比表面積が少なくとも２００ｍ＾
    ２・ｇ＾−＾１である分割状態の反応性炭素と前記Ｓｉ
    Ｏ気体を温度１１００〜１４００℃で接触させることを
    特徴とする方法。 ２）ＳｉＯ生成温度が好適には１２００〜１３００℃で
    あることを特徴とする請求項１に記載の方法。 ３）ＳｉＯとＣの反応温度が好適には１１００〜１２０
    ０℃であることを特徴とする請求項１に記載の方法。 ４）反応性炭素が少なくとも１００ｍ＾２・ｇ＾−＾１
    の比表面積を有する活性炭であることを特徴とする請求
    項１〜３の何れかに記載の方法。 ５）ウラン、セリウム、チタン、ジルコニウム、ハフニ
    ウムおよびランタニドの中から選択した金属元素を１〜
    １０重量％添加することにより前記反応性炭素をドープ
    することを特徴とする請求項１〜４の何れかに記載の方
    法。 ６）反応温度（１１００〜１４００℃）への昇温を伴う
    相においてガス抜きを行うことを特徴とする請求項１〜
    ５の何れかに記載の方法。 ７）ガス抜きを周囲温度において３０分から１時間行う
    ことを特徴とする請求項６に記載の方法。 ８）前記段階を温度８５０〜９００℃で１〜４時間行う
    ことを特徴とする請求項６に記載の方法。 ９）得られた炭化ケイ素を温度約６００〜８００℃の空
    気中で約１／２〜２時間の後焙焼処理にかけることを特
    徴とする請求項１〜８項の何れかに記載の方法。 １０）不活性ガス（アルゴンまたはヘリウム）の雰囲気
    中で実施することを特徴とする請求項１〜６の何れかに
    記載の方法。 １１）５００℃以上（６５０〜１０００℃でもよい）の
    高温触媒反応、具体的には内燃機関の排気ガスの触媒清
    浄、低分子量炭化水素特にメタンを制御酸化してより高
    分子量でより長い炭素鎖の炭化水素に変換する反応、お
    よび石油化学における水素化処理反応への比表面積が少
    なくとも１００ｍ＾２・ｇ＾−＾１である炭化ケイ素の
    使用。
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5618510A (en) * 1994-04-12 1997-04-08 New Oji Paper Co., Ltd. Process for producing silicon carbide material
JP2007145665A (ja) * 2005-11-29 2007-06-14 Tokai Konetsu Kogyo Co Ltd 多孔質ＳｉＣ焼結体の製造方法
CN100386150C (zh) * 2005-08-17 2008-05-07 云南菲尔特环保科技有限公司 一种陶瓷催化剂载体、微粒捕集器和微粒捕集装置及其制备方法
JP2018048056A (ja) * 2016-09-23 2018-03-29 國家中山科學研究院 炭化物原料の製造方法

Families Citing this family (40)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2653427B2 (fr) * 1989-03-28 1994-04-15 Pechiney Electrometallurgie Perfectionnement a l'obtention de carbure de metaux lourds a surface specifique elevee.
FR2655879B2 (fr) * 1989-10-19 1992-02-28 Pechiney Electrometallurgie Application particuliere des carbures de metaux lourds a surface specifique elevee.
FR2657603B1 (fr) * 1990-01-29 1993-07-09 Pechiney Electrometallurgie Procede d'obtention de corps solides poreux a base de carbure refractaire a l'aide de composes organiques et de metal ou metallouide.
FR2684091B1 (fr) * 1991-11-21 1994-02-25 Pechiney Recherche Procede de fabrication de carbures metalliques a grande surface specifique sous balayage de gaz inerte a pression atmospherique.
FR2684092B1 (fr) 1991-11-21 1994-03-04 Pechiney Recherche Procede de preparation de carbures metalliques a grande surface specifique a partir de mousses de carbone activees.
SE503030C2 (sv) * 1992-04-10 1996-03-11 Svenska Emissionsteknik Ab Katalysator för rening av avgaser från förbränningsmotorer, sätt att tillverka katalysatorn, användning av katalysatorn samt avgassystem innehållande katalysatorn
US5338716A (en) * 1992-12-01 1994-08-16 Akzo Nobel Nv Non-oxide metal ceramic catalysts comprising metal oxide support and intermediate ceramic passivating layer
US5676918A (en) * 1992-12-25 1997-10-14 Oji Paper Co., Ltd. Method of producing silicon carbide fibers
NL9300816A (nl) * 1993-05-12 1994-12-01 Univ Delft Tech Werkwijze voor de bereiding van een poreus siliciumcarbide.
FR2727101B1 (fr) * 1994-11-17 1996-12-20 Elf Aquitaine Procede pour oxyder directement en soufre par voie catalytique l'h2s contenu en faible concentration dans un gaz et catalyseur pour la mise en oeuvre de ce procede
US5811624A (en) * 1995-09-05 1998-09-22 Exxon Research And Engineering Company Selective opening of five and six membered rings
FR2744038B1 (fr) * 1996-01-26 1998-03-06 Pechiney Recherche Supports de catalyseur en mousse de sic revetue de cerine et systemes catalytiques correspondants
US5879652A (en) * 1996-06-28 1999-03-09 E. I. Du Pont De Nemours And Company Process for producing oxochlorides of sulfur
US5759508A (en) * 1996-06-28 1998-06-02 E. I. Du Pont De Nemours And Company Process for producing oxochlorides of sulfur
ES2163181T3 (es) * 1996-06-28 2002-01-16 Du Pont Proceso de fabricacion de fosgeno.
FR2783818B1 (fr) 1998-09-24 2000-11-10 Elf Exploration Prod Procede pour oxyder directement en soufre, par voie catalytique et en phase vapeur, l'h2s contenu a faible teneur dans un gaz
US6399823B1 (en) 2001-04-30 2002-06-04 General Electric Company Method for producing phosgene
FR2826293B1 (fr) * 2001-06-21 2004-01-30 Elf Antar France Procede d'obtention de gaz de synthese par oxydation catalytique partielle
EP1406836B1 (en) * 2001-07-18 2007-09-26 Industrial Ceramic Solutions LLC Whisker-free silicon carbide fibers
US7008560B2 (en) * 2003-02-10 2006-03-07 Conocophillips Company Silicon carbide-supported catalysts for partial oxidation of natural gas to synthesis gas
FR2858980B1 (fr) * 2003-08-19 2006-02-17 Inst Francais Du Petrole Utilisation d'un catalyseur comprenant un support en carburant de silicium b dans un procede d'hydrodesulfuration selective
FR2860993B1 (fr) 2003-10-16 2006-06-16 Sicat Filtre catalytique a base de carbure de silicium (b-sic) pour la combustion des suies issues des gaz d'echappement d'un moteur a combustion
JP2005180262A (ja) * 2003-12-18 2005-07-07 Tetsuo Toyoda 粒子状物質の減少装置
FR2864532B1 (fr) * 2003-12-31 2007-04-13 Total France Procede de transformation d'un gaz de synthese en hydrocarbures en presence de sic beta et effluent de ce procede
CN101115705B (zh) * 2004-12-13 2011-12-07 Bp北美公司 芳族羧酸的纯化方法
CA2608400C (en) * 2005-05-25 2014-08-19 Velocys Inc. Support for use in microchannel processing
US7390869B2 (en) 2005-06-13 2008-06-24 Eastman Chemical Company Process for removing metal species in the presence of hydrogen and a porous material and polyester polymer containing reduced amounts of metal species
FR2887545B1 (fr) * 2005-06-27 2007-08-10 Total Sa Procede de transformation d'un gaz de synthese en hydrocarbures en presence de mousse de sic
DE602007004608D1 (de) * 2007-08-03 2010-03-18 Univ Parma Reaktorvorrichtung zur isotopischen Analyse
EP2204235A1 (en) 2008-12-19 2010-07-07 Total Petrochemicals Research Feluy Catalyst and process for selective hydrogenation of alkynes and dienes
EP2204236A1 (en) 2008-12-19 2010-07-07 Total Petrochemicals Research Feluy Catalyst and process for hydrogenation of hydrocarbon feedstocks
US20120269693A1 (en) * 2009-10-30 2012-10-25 Honda Motor Co., Ltd. Exhaust emission control device for internal combustion engine
JP5346788B2 (ja) * 2009-11-30 2013-11-20 昭和電工株式会社 炭化珪素単結晶の製造方法
FR2965191A1 (fr) 2010-09-23 2012-03-30 Centre Nat Rech Scient Reacteur a plaques pour la synthese fischer-tropsch
CN102626653B (zh) * 2012-03-16 2014-01-01 北京工业大学 用于氨选择性催化消除NOx的SAPO-18负载Cu-Fe催化剂的制备方法
EP2864044B1 (fr) 2012-06-26 2019-12-25 Sicat Catalysts, Inc. Supports de catalyseur à base de carbure de silicium recouvert de TiO2 pour la synthèse de Fischer-Tropsch
WO2014207096A1 (en) 2013-06-27 2014-12-31 Sicat Method for manufacturing shaped beta-sic mesoporous products and products obtained by this method
US9708546B2 (en) 2015-10-29 2017-07-18 King Fahd University Of Petroleum And Minerals Method for removing sulfur compounds from a hydrocarbon fluid using an adsorbent
FR3077306B1 (fr) 2018-01-29 2022-07-01 Centre Nat Rech Scient Element de construction pour l'assainissement du milieu urbain routier
KR101978938B1 (ko) * 2018-07-25 2019-05-16 한국에너지기술연구원 실리콘 카바이드 제조방법 및 이를 이용하여 제조된 실리콘 카바이드

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US1266478A (en) * 1917-03-03 1918-05-14 Carborundum Co Method of producing silicon-carbid articles.
US1930716A (en) * 1932-04-11 1933-10-17 Selden Co Catalytic oxidations of organic compounds
US2431326A (en) * 1942-10-29 1947-11-25 Carborundum Co Silicon carbide articles and method of making same
US2451485A (en) * 1947-09-27 1948-10-19 Shell Dev Production of unsaturated carbonylic compounds
US3526602A (en) * 1968-02-09 1970-09-01 Shikishima Mui Bii Kk Catalyst carrier and process of making the same
US3839542A (en) * 1971-01-04 1974-10-01 American Cyanamid Co Method of making sub-micron particles of metal carbides of enlarged and controlled particle size
JPS54122312A (en) * 1978-03-15 1979-09-21 Hiroshige Suzuki Silicon carbide powder for sintering use and preparation thereof
US4851203A (en) * 1986-04-03 1989-07-25 Atochem Metal carbide and nitride powders

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5618510A (en) * 1994-04-12 1997-04-08 New Oji Paper Co., Ltd. Process for producing silicon carbide material
CN100386150C (zh) * 2005-08-17 2008-05-07 云南菲尔特环保科技有限公司 一种陶瓷催化剂载体、微粒捕集器和微粒捕集装置及其制备方法
JP2007145665A (ja) * 2005-11-29 2007-06-14 Tokai Konetsu Kogyo Co Ltd 多孔質ＳｉＣ焼結体の製造方法
JP2018048056A (ja) * 2016-09-23 2018-03-29 國家中山科學研究院 炭化物原料の製造方法

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Publication number Publication date
NO175143B (no) 1994-05-30
US4914070A (en) 1990-04-03
DK579288A (da) 1989-04-20
AU2758188A (en) 1990-07-05
ES2034345T3 (es) 1993-04-01
EP0313480A1 (fr) 1989-04-26
NO175143C (no) 1994-09-07
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AU610677B2 (en) 1991-05-23
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GR3004088T3 (ja) 1993-03-31
CA1305305C (fr) 1992-07-21
NO884623D0 (no) 1988-10-18
JPH0723209B2 (ja) 1995-03-15
PT88785B (pt) 1993-01-29
DK579288D0 (da) 1988-10-18

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