JPH01108205A - 光デイスク基板 - Google Patents
光デイスク基板Info
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- JPH01108205A JPH01108205A JP62263851A JP26385187A JPH01108205A JP H01108205 A JPH01108205 A JP H01108205A JP 62263851 A JP62263851 A JP 62263851A JP 26385187 A JP26385187 A JP 26385187A JP H01108205 A JPH01108205 A JP H01108205A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は光デイスク基板に係り、特に、透明性に優れ、
耐衝撃性に優れ、記録および再生用レーザによる発熱に
対する耐熱性に優れた光デイスク基板に関する。
耐衝撃性に優れ、記録および再生用レーザによる発熱に
対する耐熱性に優れた光デイスク基板に関する。
一般に、プラスチック材料は軽量で、耐衝撃性。
加工性および大量生産性に優れることから、近年。
光ファイバ、光学レンズおよび光ディスク等の光学材料
としての需要が拡大しつつある。これら光学用プラスチ
ック材料は、現在ポリメタクリル酸メチル、ポリスチレ
ン、および、ポリカーボネートなどの透明樹脂が主に用
いられている。
としての需要が拡大しつつある。これら光学用プラスチ
ック材料は、現在ポリメタクリル酸メチル、ポリスチレ
ン、および、ポリカーボネートなどの透明樹脂が主に用
いられている。
しかし、ポレメチクリル酸メチルは熱変形温度に代表さ
れる耐熱性が劣る。ポリスチレンは耐熱性が劣るだけで
なく、複屈折が大きいという欠点がある。また、ポリカ
ーボネートは耐熱性は優れるものの、複屈折が大きいと
いう理屈がある。
れる耐熱性が劣る。ポリスチレンは耐熱性が劣るだけで
なく、複屈折が大きいという欠点がある。また、ポリカ
ーボネートは耐熱性は優れるものの、複屈折が大きいと
いう理屈がある。
特に、光ビデオディスク、デジタルオーディオディスク
および画像ファイル用ディスクなどの光デイスクメモリ
システムにおける光デイスク基板に対してはきわめて高
度な光学的精度が要求されるため、そのディスク基板材
料は複屈折が十分小さく、透明性に優れたものが要求さ
れる。特に、レーザーによる記録、再生時の耐熱性に優
れていることが要求される。
および画像ファイル用ディスクなどの光デイスクメモリ
システムにおける光デイスク基板に対してはきわめて高
度な光学的精度が要求されるため、そのディスク基板材
料は複屈折が十分小さく、透明性に優れたものが要求さ
れる。特に、レーザーによる記録、再生時の耐熱性に優
れていることが要求される。
本発明の目的は上述の要求を満足する高性能。
高精度の光デイスク基板を提供することにある。
上記目的は、下記(1)式で表わされる(メタ)アクリ
ル酸(エステル)系単量体5〜50重量%、CHz=C
(1) COORz (式中、Rzは水素、メチル基を表わし、R2は水素、
あるいは、炭素原子数1〜3のアルキル基を表わす、)
下記(2)式で表わされるマレイミド系単量体5〜60
重量%、 (式中、R1、Rzは水素、アルキル基、アルケニル基
、シクロアルキル基、フェニル基、フェニレン基、アル
キレン基を表わし、R3は炭素原子数3〜12のアルキ
ル基を表わす。)、および、芳香族ビニル系単量体40
〜95重量%からなる単量体混合物を重合した共重合体
からなる材料を。
ル酸(エステル)系単量体5〜50重量%、CHz=C
(1) COORz (式中、Rzは水素、メチル基を表わし、R2は水素、
あるいは、炭素原子数1〜3のアルキル基を表わす、)
下記(2)式で表わされるマレイミド系単量体5〜60
重量%、 (式中、R1、Rzは水素、アルキル基、アルケニル基
、シクロアルキル基、フェニル基、フェニレン基、アル
キレン基を表わし、R3は炭素原子数3〜12のアルキ
ル基を表わす。)、および、芳香族ビニル系単量体40
〜95重量%からなる単量体混合物を重合した共重合体
からなる材料を。
光デイスク基板として用いることにより達成される。
すなわち、(メタ)アクリル酸(エステル)系単量体と
特定のマレイミド系単量体、および、芳香族ビニル系単
量体を必須成分とする特定組成の共重合体からなる光デ
イスク基板材料を見出した。
特定のマレイミド系単量体、および、芳香族ビニル系単
量体を必須成分とする特定組成の共重合体からなる光デ
イスク基板材料を見出した。
本材料はレーザによる記録・再生時の発熱に対する耐熱
性に優れ、透明性に優れ、しかも、複屈折が小さい。
性に優れ、透明性に優れ、しかも、複屈折が小さい。
本発明で光ディスクとはレーザ光などの光を使って情報
を記録・再生するメモリシステムを意味し、具体的には
光ビデオディスク、デジタルオーディオディスクなどの
再生専用型光ディスク、画像2文書ファイル用、コンピ
ューターデータメモリ用なの追記型および書換え可能型
光ディスクなどが挙げられる。光磁気ディスクもこの中
に含まれる。これら光ディスクの基板は、通常は円板で
あり、この円板の上に目的、用途に応じて、情報の記録
、記録材料の塗布、コーティングなど所定の処理を施し
て光デイスク盤が製造される。
を記録・再生するメモリシステムを意味し、具体的には
光ビデオディスク、デジタルオーディオディスクなどの
再生専用型光ディスク、画像2文書ファイル用、コンピ
ューターデータメモリ用なの追記型および書換え可能型
光ディスクなどが挙げられる。光磁気ディスクもこの中
に含まれる。これら光ディスクの基板は、通常は円板で
あり、この円板の上に目的、用途に応じて、情報の記録
、記録材料の塗布、コーティングなど所定の処理を施し
て光デイスク盤が製造される。
本発明で用いられる芳香族ビニ・ル系単量体とマレイミ
ド系単量体からなる共重合体自身は公知である(例えば
特開昭58−129043号公報)。
ド系単量体からなる共重合体自身は公知である(例えば
特開昭58−129043号公報)。
本発明で用いる共重合体(以降、マレイミド系共重合体
と呼ぶ。)は(メタ)アクリル酸(エステル)系単量体
5〜50重量%、好ましくは、5〜45重量%、特に好
ましくは5〜40重量%、下記(2)式で表わされるマ
レイミド系単量体5〜60重量%、好ましくは10〜5
0重量%、特に好ましくは15〜40重量%、芳香族ビ
ニル系単量体40〜95重量%、好ましくは50〜90
重量%、特に好ましくは50〜80重量%からなる単量
体混合物を重合した共重合体である。
と呼ぶ。)は(メタ)アクリル酸(エステル)系単量体
5〜50重量%、好ましくは、5〜45重量%、特に好
ましくは5〜40重量%、下記(2)式で表わされるマ
レイミド系単量体5〜60重量%、好ましくは10〜5
0重量%、特に好ましくは15〜40重量%、芳香族ビ
ニル系単量体40〜95重量%、好ましくは50〜90
重量%、特に好ましくは50〜80重量%からなる単量
体混合物を重合した共重合体である。
\ /
C=。
a
(式中、R1、R2は水素、アルキル基、アルケニル基
、シクロアルキル基、フェニル基、フェニレン基、アル
キレン基を表わし、R3は炭素原子数3〜12のアルキ
ル基を表わす。) 従って、本発明で用いるマレイミド系共重合体は5〜5
0重量%の(メタ)アクリル酸(エステル)系単量体か
ら誘導された単位と5〜60重量%の上記(1)式で示
されるN@換ママレイミド単位よび40〜95重景%は
芳香族ビニル系単量体から誘導された単位とを含有する
共重合体である。
、シクロアルキル基、フェニル基、フェニレン基、アル
キレン基を表わし、R3は炭素原子数3〜12のアルキ
ル基を表わす。) 従って、本発明で用いるマレイミド系共重合体は5〜5
0重量%の(メタ)アクリル酸(エステル)系単量体か
ら誘導された単位と5〜60重量%の上記(1)式で示
されるN@換ママレイミド単位よび40〜95重景%は
芳香族ビニル系単量体から誘導された単位とを含有する
共重合体である。
(メタ)アクリル酸(エステル)系単量体の具体例はメ
タクリル酸メチル、アクリル酸メチル。
タクリル酸メチル、アクリル酸メチル。
メタクリル酸シクロヘキシル、メタクリル酸t−ブチル
、メタクリル酸ベンジル、アクリル酸、メタクリル酸な
どが挙げられる。
、メタクリル酸ベンジル、アクリル酸、メタクリル酸な
どが挙げられる。
マレイミド系単量体は(1)式を満足するものならば特
に制限はない。
に制限はない。
芳香族ビニル系単量体には、スチレン、α−メチルスチ
レン、P−メチルスチレン+P−t−ブチルスチレン、
ビニルトルエン、クロロスチレンおよびブロモスチレン
などが挙げられる。
レン、P−メチルスチレン+P−t−ブチルスチレン、
ビニルトルエン、クロロスチレンおよびブロモスチレン
などが挙げられる。
単量体混合物中の(メタ)アクリル酸(エステル)系単
量体、マレイミド系単量体および芳香族ビニル系単量体
の割合は上述のとおりである。芳香族ビニル系単量体が
40重量%未満、または、マレイミド系単量体が60重
量%を超える場合は、共重合体の機械的強度が劣ったり
、溶融成形性が劣るので好ましくない。芳香族ビニル系
単量体が95重量%を超えたり、マレイミド系単量体が
5重量%未満の場合は、耐熱性が不足するので好ましく
ない。(メタ)アクリル酸(エステル)系単量体が50
重量%を超えると本発明の効果が十分発揮されなくなり
、5重量%未満の場合は透明性が劣り、複屈折が大きく
なるので好ましくない。
量体、マレイミド系単量体および芳香族ビニル系単量体
の割合は上述のとおりである。芳香族ビニル系単量体が
40重量%未満、または、マレイミド系単量体が60重
量%を超える場合は、共重合体の機械的強度が劣ったり
、溶融成形性が劣るので好ましくない。芳香族ビニル系
単量体が95重量%を超えたり、マレイミド系単量体が
5重量%未満の場合は、耐熱性が不足するので好ましく
ない。(メタ)アクリル酸(エステル)系単量体が50
重量%を超えると本発明の効果が十分発揮されなくなり
、5重量%未満の場合は透明性が劣り、複屈折が大きく
なるので好ましくない。
マレイミド系共重合体の重合方法に関しては特に制限は
なく、通常公知の方法で重合することができる。すなわ
ち、ラジカル発生性開始剤の存在下、または、非存在下
に上述の単量体混合物を所定の温度条件に保つことによ
って重合できる。塊状重合、溶液重合、S濁重合、およ
び、乳化重合等各種の方法を用いることができる。
なく、通常公知の方法で重合することができる。すなわ
ち、ラジカル発生性開始剤の存在下、または、非存在下
に上述の単量体混合物を所定の温度条件に保つことによ
って重合できる。塊状重合、溶液重合、S濁重合、およ
び、乳化重合等各種の方法を用いることができる。
本発明のマレイミド系共重合体の重合度に関しては、特
に、制限はないが、ディスク基板を射出成形によって成
形する場合は、溶融流動性が良好なことが重要であり、
その場合はジメチルホルムアミドを溶媒として用い、3
0℃で測定した極限粘度(〔η〕)は0.10〜1.5
0、好ましくは、0.15〜1.00、特に好ましくは
、0.20〜0.70 のものが用いられる。
に、制限はないが、ディスク基板を射出成形によって成
形する場合は、溶融流動性が良好なことが重要であり、
その場合はジメチルホルムアミドを溶媒として用い、3
0℃で測定した極限粘度(〔η〕)は0.10〜1.5
0、好ましくは、0.15〜1.00、特に好ましくは
、0.20〜0.70 のものが用いられる。
本発明の光デイスク基板は常法によって製造することが
できる。すなわち、本発明のマレイミド系共重合体を用
いて、ビデオディスク、デジタルオーディオディスク、
画像ファイル用ディスク。
できる。すなわち、本発明のマレイミド系共重合体を用
いて、ビデオディスク、デジタルオーディオディスク、
画像ファイル用ディスク。
文書ファイル用ディスク、コンピュータデータ用ディス
クなど用途、目的に応じ、所定の形状および寸法のディ
スク基板を射出成形、圧縮成形などの方法で成形するこ
とができる。あるいは、キャスト重合法で製造すること
もできる。その基板に所の加工、処理を施すことによっ
て目的とする光ディスクを製造することができる。
クなど用途、目的に応じ、所定の形状および寸法のディ
スク基板を射出成形、圧縮成形などの方法で成形するこ
とができる。あるいは、キャスト重合法で製造すること
もできる。その基板に所の加工、処理を施すことによっ
て目的とする光ディスクを製造することができる。
光デイスク基板の成形法に関しては特に制限はないが、
通常は、射出成形法が用いられる。すなわち、射出成形
機を用い、シリンダー温度200〜360℃、好ましく
は240〜340℃、全型温度30〜120℃、好まし
くは50〜95℃に設定して成形することができる。
通常は、射出成形法が用いられる。すなわち、射出成形
機を用い、シリンダー温度200〜360℃、好ましく
は240〜340℃、全型温度30〜120℃、好まし
くは50〜95℃に設定して成形することができる。
本発明の光デイスク基板は紫外線吸収剤などの光安定剤
、酸化防止剤などの熱安定剤等を含有することができる
。また、本発明の効果を損なわない範囲で他の重合体を
混合状態で含有することもできる。
、酸化防止剤などの熱安定剤等を含有することができる
。また、本発明の効果を損なわない範囲で他の重合体を
混合状態で含有することもできる。
以下、実施例および比較例により本発明をさらに詳しく
説明する。以下、実施例および比較例で用いられるレー
ザ耐熱性、衝撃強度、光透過率。
説明する。以下、実施例および比較例で用いられるレー
ザ耐熱性、衝撃強度、光透過率。
熱変形温度は次の方法に従って測定した。
レーザ耐熱性:記録、再生用レーザによる発熱に対する
基板の耐熱性の目やすとし て、YAGレーザ(出力20W。
基板の耐熱性の目やすとし て、YAGレーザ(出力20W。
スポット径1+m)を厚さ1.2 閣
のディスク基板に照射し、照射開
始から、ディスク基板が変形を開
始するまでの時間を測定し、レー
ザ耐熱性とした。
衝撃強度:JIS K7110に従って測定した。
光透過率:JIS K6714に従い、積分球式光線
透過率測定装置により厚さ3.0 mの試験片で測定した。
透過率測定装置により厚さ3.0 mの試験片で測定した。
熱変形温度:JIS K7207に従pた測定した。
表1に示した組成の単量体混合物100重量部に対して
アゾビスイソブチロニトリル0.5 重量部を添加、溶
解し、75℃で入時間、さらに。
アゾビスイソブチロニトリル0.5 重量部を添加、溶
解し、75℃で入時間、さらに。
95℃で二時間重合することによってマレイミド共重合
体(S−1〜12)を製造した。
体(S−1〜12)を製造した。
そして、このマレイミド共重合体を射出成形し、各試験
片および光ディスクを製造し、各物性を測定した。結果
を表2に示した。
片および光ディスクを製造し、各物性を測定した。結果
を表2に示した。
表 2
射出成形は成形機のシリンダ温度290℃、金型温度9
0℃に設定して行った。
0℃に設定して行った。
表1中のR3は式(2)中のR3と同じである。
\ /
C=0
比較例として、表3に示した単量体組成をもつすでに公
知(特開昭61−278509号公報)のマレイミド共
重合体も、実施例と同じ方法で製造し、射出成形し、各
試験片、光ディスクを製造し、各物性を測定し表4に示
した。
知(特開昭61−278509号公報)のマレイミド共
重合体も、実施例と同じ方法で製造し、射出成形し、各
試験片、光ディスクを製造し、各物性を測定し表4に示
した。
表 4
実施例、および、比較例の結果から次のことが明らかで
ある。すなわち、本発明のマレイミド系共重合体(S−
1〜12)からなる光ディスク店板は、レーザ耐熱性と
耐衝撃性に優れている。それに対し、比較例に示した、
公知のマレイミド共重合体からなる光デイスク基板はレ
ーザ耐熱性および耐衝撃性が劣っている。
ある。すなわち、本発明のマレイミド系共重合体(S−
1〜12)からなる光ディスク店板は、レーザ耐熱性と
耐衝撃性に優れている。それに対し、比較例に示した、
公知のマレイミド共重合体からなる光デイスク基板はレ
ーザ耐熱性および耐衝撃性が劣っている。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、下記(1)式で表わされる(メタ)アクリル酸(エ
ステル)系単量体5〜50重量%、 ▲数式、化学式、表等があります▼(1) (式中、R_1は水素、メチル基を表わし、R_2は水
素、あるいは、炭素原子数1〜3のアルキル基を表わす
。)、および、下記(2)式で表わされるマレイミド系
単量体5〜60重量%、▲数式、化学式、表等がありま
す▼(2) (式中、R_1、R_2は水素、アルキル基、アルケニ
ル基、シクロアルキル基、フェニル基、フェニレン基、
アルキレン基を表わし、R_3は炭素原子数3〜12の
アルキル基を表わす。)および、芳香族ビニル系単量体
40〜95重量%からなる単量体混合物を重合した共重
合体からなることを特徴とする光ディスク基板。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62263851A JPH01108205A (ja) | 1987-10-21 | 1987-10-21 | 光デイスク基板 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62263851A JPH01108205A (ja) | 1987-10-21 | 1987-10-21 | 光デイスク基板 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01108205A true JPH01108205A (ja) | 1989-04-25 |
Family
ID=17395110
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62263851A Pending JPH01108205A (ja) | 1987-10-21 | 1987-10-21 | 光デイスク基板 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01108205A (ja) |
-
1987
- 1987-10-21 JP JP62263851A patent/JPH01108205A/ja active Pending
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