JPH01101628A - 縮小投影露光装置 - Google Patents

縮小投影露光装置

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JPH01101628A
JPH01101628A JP62259366A JP25936687A JPH01101628A JP H01101628 A JPH01101628 A JP H01101628A JP 62259366 A JP62259366 A JP 62259366A JP 25936687 A JP25936687 A JP 25936687A JP H01101628 A JPH01101628 A JP H01101628A
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optical system
optical
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focusing
reduction projection
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Hidemi Amai
秀美 天井
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    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058—Mask illumination systems
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09B—ORGANIC DYES OR CLOSELY-RELATED COMPOUNDS FOR PRODUCING DYES, e.g. PIGMENTS; MORDANTS; LAKES
    • C09B67/00—Influencing the physical, e.g. the dyeing or printing properties of dyestuffs without chemical reactions, e.g. by treating with solvents grinding or grinding assistants, coating of pigments or dyes; Process features in the making of dyestuff preparations; Dyestuff preparations of a special physical nature, e.g. tablets, films
    • C09B67/0001—Post-treatment of organic pigments or dyes
    • C09B67/0014—Influencing the physical properties by treatment with a liquid, e.g. solvents
    • C09B67/0016—Influencing the physical properties by treatment with a liquid, e.g. solvents of phthalocyanines
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
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    • C09B—ORGANIC DYES OR CLOSELY-RELATED COMPOUNDS FOR PRODUCING DYES, e.g. PIGMENTS; MORDANTS; LAKES
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    • C09B67/0025—Crystal modifications; Special X-ray patterns
    • C09B67/0026—Crystal modifications; Special X-ray patterns of phthalocyanine pigments

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は半導体製造工程におけるフォトリソグラフィ工
程において表面に感光材（以下、フォトレジストという
）を塗布した半導体基板（以下、ウェハという）表面に
所望のパターンを持った石英マスク（以下、レチクルと
いう〉のパターンを縮小投影露光処理する装置に関する
ものでおる。
［従来の技術］ 従来の縮小投影露光装置の露光光学系は第３図に示すよ
うに露光照明ランプ１と、集光ミラー２と、複数のイン
テグレータレンズ３と、シャッター４より構成される露
光照明光学系、及び複数のリレーレンズ５と露光照明照
射範囲を設定する遮光板６と、コンデンサレンズ７より
構成される集光光学系、並びに縮小投影レンズ１３によ
り構成される縮小投影光学系より構成されている。
ウェハの露光処理は露光照明光学系より照射された均一
な光束が集光光学系と縮小投影光学系の間に搭載された
レチクル８に対し集光光学系により設定された露光照明
照射範囲のみに照射され、その投影像が縮小投影光学系
により高精度の移動ステージ１４上に搭載されたウェハ
１５の表面に対し１１５、１／１０等に縮小投影され露
光処理される。
上記露光処理とウェハが搭載されたステージの移動を繰
り返しウェハ表面の全面の露光処理が実行される。
［発明が解決しようとする問題点］ 上述した従来の縮小投影露光装置は、集光光学系から縮
小投影光学系への光路が一軸であるため、縮小投影光学
系が持つ有効露光範囲より大きな半導体素子パターンの
露光処理は基本的に不可能である。
仮に、無理に実行するには、半導体素子パターンを数分
割し各部分に対応するレチクルを作成し、その部分を露
光処理する毎に装置に搭載するレチクルを交換し、再び
露光処理を行うことにより不可能ではない。
しかし、−枚のウェハに対し半導体素子パターンの分割
数だけ各部分レチクルの交換が必要であるため、Ｗ数枚
のウェハを処理する場合、多数回のレチクル交換が必要
となり、非常に処理能率の悪いものとなる。
さらに、各レチクル交換時の装置に対する合わせ誤差、
露光処理毎での各レチクルのウェハに対する合わせ誤差
等多くの誤差要因が発生し現実的には不可能である。
又、近年、半導体素子の高密度化、高性能化が進行する
につけ、微細パターンを持つ大寸法の半導体素子の製作
が要求されつつおる。
しかしながら、微細パターンを解像する高解像力と有効
露光範囲を拡大することは縮小投影レンズを設計、製造
する上で相反することでおり、両立させた縮小投影レン
ズを実現することは現在では困難である。
本発明の目的は前記問題点を解消した縮小投影露光装置
を提供することにある。
［問題点を解決するための手段］ 本発明は半導体製造工程における高精度の移動ステージ
上に搭載された半導体基板表面上に所望のマスクパター
ンを縮小投影露光処理する装置において、その縮小投影
光学系以前に所望のマスクパターンを備えたレチクルに
露光照明を照射する複数の集光光学系と、移動ステージ
の動作に同期して集光光学系から縮小投影光学系への光
路を切り換えて露光処理する機構とを有することを特徴
とする縮小投影露光装置である。。
［実施例］ 以下、本発明について図面を参照して説明する。
（実施例１） 第１図は本発明の第１の実施例を示すもので、集光光学
系を２つ備えたものの概略図でおる。
本発明に係る第１の実施例の縮小投影露光装置は露光照
明ランプ１と集光ミラー２と複数のインテグレータレン
ズ３とシャッター４より構成される露光照明光学系、及
び複数のリレーレンズ５と露光照明照射範囲を設定する
遮光板６とコンデンサレンズ７より構成される集光光学
系を各々二組価え、縮小投影レンズ１３により構成され
る縮小投影光学系の間に複数のリレーレンズ９と複数の
ミラー１０とスプリットフィールドミラー１１と入射角
に応じてその入射光軸に対し透過光軸を平行移動させる
ダハプリズム１２より構成される光路切換え光学系によ
り構成されている。
集光光学系と光路切換え光学系の間に搭載された二つの
レチクル８の所望の方へ露光照明光を照射し、その透過
光束を縮小投影光学系の光軸中心へ導入するべく光路切
換え光学系により所望の集光光学系の光路を選択し高精
度の移動ステージ１４上に搭載されたウェハ１５の所望
の位置に二つのレチクルの内、所望のパターンを連続し
て露光処理することを可能としている。
（実施例２） 第２図は本発明の第２の実施例を示すものでおる。本実
施例は第１図の実施例に対し露光照明ランプ１と集光ミ
ラー２より構成される露光照明系の一部分を二組の集光
光学系に対し共用するものであり、露光照明光をミラー
１０とスプリットフィールドミラー１１により二組の集
光光学系に分割し使用したものでおる。
以上、両実施例ともに複数の集光光学系の光路を選択す
る動作と高精度の移動ステージ動作を連動制御すること
により、縮小投影光学系が持つ有効露光範囲以上の半導
体素子パターンをウェハ上に連続露光処理することを可
能としている。
［発明の効果］ 以上説明したように本発明によれば、縮小投影光学系が
持つ有効露光範囲より大きな寸法の半導体素子パターン
の連続露光処理が可能となり微細パターンを持つ大寸法
の半導体素子の製作に対応することができる効果を有す
るものである。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の第１の実施例を示す概略図、第２図は
本発明の第２の実施例を示す概略図、第３図は従来の縮
小投影露光装置を示す概略図である。 １・・・露光照明ランプ　　２・・・集光ミラー３・・
・インテグレータレンズ ４・・・シャッター　　　　５・・・リレーレンズ６・
・・遮光板　　　　　　７・・・コンデンサレンズ８・
・・レチクル　　　　　９・・・リレーレンズ１０・・
・ミラー　１１・・・スプリットフィールドミラー１２
・・・ダハプリズム　　　１３・・・縮小投影レンズ１
４・・・移動ステージ　　　１５・・・ウェハ第１図 第２図 第３図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）半導体製造工程における高精度の移動ステージ上
    に搭載された半導体基板表面上に所望のマスクパターン
    を縮小投影露光処理する装置において、その縮小投影光
    学系以前に所望のマスクパターンを備えたレチクルに露
    光照明を照射する複数の集光光学系と、移動ステージの
    動作に同期して集光光学系から縮小投影光学系への光路
    を切り換えて露光処理する機構とを有することを特徴と
    する縮小投影露光装置。
JP62259366A 1987-10-14 1987-10-14 縮小投影露光装置 Granted JPH01101628A (ja)

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JPH0548930B2 JPH0548930B2 (ja) 1993-07-22

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07135165A (ja) * 1993-11-11 1995-05-23 Nikon Corp 走査型露光装置
JPH07183188A (ja) * 1993-12-22 1995-07-21 Nikon Corp 走査型露光装置
JPH09306826A (ja) * 1996-05-10 1997-11-28 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 露光装置

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5999437U (ja) * 1982-12-24 1984-07-05 株式会社日立製作所 複数個のランプを使用する露光光源装置
JPS601830A (ja) * 1983-06-20 1985-01-08 Nec Corp 目合せ露光機
JPS61226924A (ja) * 1985-04-01 1986-10-08 Canon Inc 露光装置
JPS622617A (ja) * 1985-06-28 1987-01-08 Matsushita Electric Ind Co Ltd 照明装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5999437U (ja) * 1982-12-24 1984-07-05 株式会社日立製作所 複数個のランプを使用する露光光源装置
JPS601830A (ja) * 1983-06-20 1985-01-08 Nec Corp 目合せ露光機
JPS61226924A (ja) * 1985-04-01 1986-10-08 Canon Inc 露光装置
JPS622617A (ja) * 1985-06-28 1987-01-08 Matsushita Electric Ind Co Ltd 照明装置

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07135165A (ja) * 1993-11-11 1995-05-23 Nikon Corp 走査型露光装置
JPH07183188A (ja) * 1993-12-22 1995-07-21 Nikon Corp 走査型露光装置
JPH09306826A (ja) * 1996-05-10 1997-11-28 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 露光装置

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