JPH01100518A - アクティブマトリクス基板の製造方法 - Google Patents
アクティブマトリクス基板の製造方法Info
- Publication number
- JPH01100518A JPH01100518A JP62257184A JP25718487A JPH01100518A JP H01100518 A JPH01100518 A JP H01100518A JP 62257184 A JP62257184 A JP 62257184A JP 25718487 A JP25718487 A JP 25718487A JP H01100518 A JPH01100518 A JP H01100518A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- electrode
- forming
- semiconductor layer
- signal line
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 26
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 19
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 title claims description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 25
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 11
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims abstract description 3
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 9
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims 1
- 239000000463 material Substances 0.000 claims 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 abstract description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 27
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 12
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
- H01L29/78606—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film with supplementary region or layer in the thin film or in the insulated bulk substrate supporting it for controlling or increasing the safety of the device
- H01L29/78633—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film with supplementary region or layer in the thin film or in the insulated bulk substrate supporting it for controlling or increasing the safety of the device with a light shield
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、液晶表示素子等に用いられるアクティブマト
リクス基板の製造方法に係り、特に、大面積アクティブ
マトリクス基板の製造に好適なアクティブマトリクス基
板の製造方法に関する。
リクス基板の製造方法に係り、特に、大面積アクティブ
マトリクス基板の製造に好適なアクティブマトリクス基
板の製造方法に関する。
近年、オフィスオートメーション(OA)機器の小形化
、軽量化の進展に伴って、表示装置として、ブラウン管
に代わって液晶表示素子の要求が高まっている。特に、
アクティブマトリクス基板(以下、AMX基板と称する
)は、クロストーク等の欠陥がないため、研究、開発が
活発に進められている。
、軽量化の進展に伴って、表示装置として、ブラウン管
に代わって液晶表示素子の要求が高まっている。特に、
アクティブマトリクス基板(以下、AMX基板と称する
)は、クロストーク等の欠陥がないため、研究、開発が
活発に進められている。
これまでのAMX基板は、第5図に示すように、信号線
10、走査線2、薄膜トランジスタ部12、および画素
電極7から構成されており、薄膜トランジスタ部断面(
第5図c−c’>および信号線−走査線交差部断面(第
5図D−D’ )は、それぞれ、第6図および第7図に
示す構造を有するも・ 2・ のであった。また、該AMX基板の製造は、例えばジャ
パン・デイスプレィ183、第356頁〜第359頁(
1983年)(JAPAN DI’5PLAY ’8
3pp356〜359 (1983))記載にみられる
ように、概略、第8図に示す工程によって製造されてい
た。すなわち、 (a)少なくとも表面が絶縁物からなる基板(ガラス、
石英等)1上にアルミニウム(AQ)あるいはクロム(
Cr)等の金属膜により走査線となるゲート電極2を形
成する工程(b) (a)により得た試料上にゲート絶
縁膜3゜半導体層4を順次堆積し、半導体層を島状に形
成する工程 (c) (b)により得た試料上にAQあるいはCr等
の金属膜により、画素電極7と接続するソース電極5、
信号線となるドレイン電極6を形成する工程 (d) (c)により得た試料のソース電極6上にIT
O(I ndium−T in−Oxide)等の透
明導電膜により画素電極7を形成する工程 (e) (d)により得た試料上に保護膜8を形成する
工程 (f) (e)により得た試料上にAQあるいはCr等
の金属膜により遮光膜11を形成する工程からなる工程
によるものである。
10、走査線2、薄膜トランジスタ部12、および画素
電極7から構成されており、薄膜トランジスタ部断面(
第5図c−c’>および信号線−走査線交差部断面(第
5図D−D’ )は、それぞれ、第6図および第7図に
示す構造を有するも・ 2・ のであった。また、該AMX基板の製造は、例えばジャ
パン・デイスプレィ183、第356頁〜第359頁(
1983年)(JAPAN DI’5PLAY ’8
3pp356〜359 (1983))記載にみられる
ように、概略、第8図に示す工程によって製造されてい
た。すなわち、 (a)少なくとも表面が絶縁物からなる基板(ガラス、
石英等)1上にアルミニウム(AQ)あるいはクロム(
Cr)等の金属膜により走査線となるゲート電極2を形
成する工程(b) (a)により得た試料上にゲート絶
縁膜3゜半導体層4を順次堆積し、半導体層を島状に形
成する工程 (c) (b)により得た試料上にAQあるいはCr等
の金属膜により、画素電極7と接続するソース電極5、
信号線となるドレイン電極6を形成する工程 (d) (c)により得た試料のソース電極6上にIT
O(I ndium−T in−Oxide)等の透
明導電膜により画素電極7を形成する工程 (e) (d)により得た試料上に保護膜8を形成する
工程 (f) (e)により得た試料上にAQあるいはCr等
の金属膜により遮光膜11を形成する工程からなる工程
によるものである。
しかしながら、従来技術により、第8図に示す工程によ
って、第6図および第7図に示す断面構造のAMX基板
を製造した場合、信号線6と走査線2との交差部で絶縁
不良による短絡が発生しやすいという欠点があり、この
ため、大面積AMX基板製造において歩留りが低く、原
価高になるという問題点があった。
って、第6図および第7図に示す断面構造のAMX基板
を製造した場合、信号線6と走査線2との交差部で絶縁
不良による短絡が発生しやすいという欠点があり、この
ため、大面積AMX基板製造において歩留りが低く、原
価高になるという問題点があった。
本発明の目的は、上記従来技術にみられた信号線−走査
線間短絡の問題を解決し、高い製造歩留りを示すAMX
基板の製造方法を提供することにある。
線間短絡の問題を解決し、高い製造歩留りを示すAMX
基板の製造方法を提供することにある。
発明者等は、AMX基板の製造方法について鋭意検討を
重ねた結果、ソース電極およびドレイン・ 3・ 電極の形成と信号線形成とを分離したものとし、信号線
形成を遮光膜形成と同時に行うことにより、上記目的を
達成することができるという結果を得ることができた。
重ねた結果、ソース電極およびドレイン・ 3・ 電極の形成と信号線形成とを分離したものとし、信号線
形成を遮光膜形成と同時に行うことにより、上記目的を
達成することができるという結果を得ることができた。
信号線形成をソース電極およびドレイン電極の形成から
分離したものとし、信号線の形成を遮光膜の形成と同時
に行うという工程をとることによって、信号線−走査線
交差部がゲート絶縁膜と保護膜とによって2重に絶縁さ
れることとなり、これによって、信号線−走査線間の絶
縁性が格段に向上し、従って、短絡の発生を防ぐことが
できる。
分離したものとし、信号線の形成を遮光膜の形成と同時
に行うという工程をとることによって、信号線−走査線
交差部がゲート絶縁膜と保護膜とによって2重に絶縁さ
れることとなり、これによって、信号線−走査線間の絶
縁性が格段に向上し、従って、短絡の発生を防ぐことが
できる。
以下、本発明の方法の一実施例について、図によって説
明する。
明する。
第1図は1本発明の方法によるAMX基板の製造の過程
を示す工程図で、(a)は少なくとも表面が絶縁物から
なる基板1上にAfiあるいはCr等の金属膜により走
査線となるゲート電極2を形成した状態、(b)は(a
)によって得た試料上にゲー・ 4・ ト#!!縁膜3および半導体層4を順次堆積し、半導体
層4を島状に形成した状態、(C)は(b)によって得
た試料の半導体層4上にAQあるいはCr等の金属膜に
よりソース電極5およびドレイン電極6を形成した状態
、(d)は(c)によって得た試料のソース電極5上に
ITO等の透明導電膜により画素電極7を形成した状態
、(e)は(d)によって得た試料上にシリコン窒化膜
等の保護膜8を形成し、さらに、ドレイン電極6上の該
保護膜8にスルーホール9を形成した状態、(f)は(
e)によって得た試料上に信号線10および遮光膜11
を形成し、同時に、スルーホール9の接続を形成してA
MX基板を完成した状態を、それぞれ、示したものであ
る。
を示す工程図で、(a)は少なくとも表面が絶縁物から
なる基板1上にAfiあるいはCr等の金属膜により走
査線となるゲート電極2を形成した状態、(b)は(a
)によって得た試料上にゲー・ 4・ ト#!!縁膜3および半導体層4を順次堆積し、半導体
層4を島状に形成した状態、(C)は(b)によって得
た試料の半導体層4上にAQあるいはCr等の金属膜に
よりソース電極5およびドレイン電極6を形成した状態
、(d)は(c)によって得た試料のソース電極5上に
ITO等の透明導電膜により画素電極7を形成した状態
、(e)は(d)によって得た試料上にシリコン窒化膜
等の保護膜8を形成し、さらに、ドレイン電極6上の該
保護膜8にスルーホール9を形成した状態、(f)は(
e)によって得た試料上に信号線10および遮光膜11
を形成し、同時に、スルーホール9の接続を形成してA
MX基板を完成した状態を、それぞれ、示したものであ
る。
また、第2図は本発明の方法により製造したAMX基板
の構成を示す平面図、第3図は本発明の方法により製造
したAMX基板の薄膜トランジスタ部の第2図A−A’
断面図、第4図は同じく本発明の方法により製造したA
MX基板の走査線−信号線交差部の第2図B−B’断面
図を示す図である。第3図から明らかなように、信号線
10とドレイン電極6とは、ドレイン電極6上の保護膜
8に形成したスルーホール9上の導体を介して接続され
ており、また、第4図から明らかなように、信号線10
−走査線2間は、ゲート絶縁膜3および保護膜8によっ
て2重に絶縁された形状となっている。
の構成を示す平面図、第3図は本発明の方法により製造
したAMX基板の薄膜トランジスタ部の第2図A−A’
断面図、第4図は同じく本発明の方法により製造したA
MX基板の走査線−信号線交差部の第2図B−B’断面
図を示す図である。第3図から明らかなように、信号線
10とドレイン電極6とは、ドレイン電極6上の保護膜
8に形成したスルーホール9上の導体を介して接続され
ており、また、第4図から明らかなように、信号線10
−走査線2間は、ゲート絶縁膜3および保護膜8によっ
て2重に絶縁された形状となっている。
発明者等は、AMX基板の製造において、上記本発明の
方法を適用することによって、信号線−走査線間短絡の
発生を生ずることなく、良好な歩留りでAMX基板を製
造することができるという結果を得た。
方法を適用することによって、信号線−走査線間短絡の
発生を生ずることなく、良好な歩留りでAMX基板を製
造することができるという結果を得た。
以上述べてきたように、AMX基板の製造において、本
発明の方法、すなわち、略述すれば、ソース電極および
ドレイン電極の形成と信号線形成とを分離したものとし
、信号線形成を遮光膜形成と同時に行う方法、を適用す
ることによって、従来技術にみられたような走査線−信
号線間短絡不良を発生することなく、良好な歩留りでA
MX基板を製造することができた。
発明の方法、すなわち、略述すれば、ソース電極および
ドレイン電極の形成と信号線形成とを分離したものとし
、信号線形成を遮光膜形成と同時に行う方法、を適用す
ることによって、従来技術にみられたような走査線−信
号線間短絡不良を発生することなく、良好な歩留りでA
MX基板を製造することができた。
第1図は本発明の方法によるAMX基板製造の過程を示
す工程図、第2図は本発明の方法により製造したAMX
基板の構成を示す平面図、第3図は本発明の方法により
製造したAMX基板の第2図A−A’の断面図、第4図
は本発明の方法により製造したAMX基板の第2図B−
B’の断面図、第5図は従来技術により製造したAMX
基板の構成を示す平面図、第6図は従来技術の方法によ
り製造したAMX基板の第5図c−c’の断面図、第7
図は従来技術の方法により製造したAMX基板の第5図
D−D’の断面図、第8図は従来技術の方法よるAMX
基板製造の過程を示す工程図である。 1・・・基板、2・・・ゲート電極(走査線)、3・・
・ゲート絶縁膜、4・・・半導体層、5・・・ソース電
極、6・・・ドレイン電極、7・・・画素電極、8・・
・保護膜、9・・・スルーホール、10・・・信号線、
11・・・遮光膜、12・・・薄膜トランジスタ部。 躬 3図 筋4 ロ
す工程図、第2図は本発明の方法により製造したAMX
基板の構成を示す平面図、第3図は本発明の方法により
製造したAMX基板の第2図A−A’の断面図、第4図
は本発明の方法により製造したAMX基板の第2図B−
B’の断面図、第5図は従来技術により製造したAMX
基板の構成を示す平面図、第6図は従来技術の方法によ
り製造したAMX基板の第5図c−c’の断面図、第7
図は従来技術の方法により製造したAMX基板の第5図
D−D’の断面図、第8図は従来技術の方法よるAMX
基板製造の過程を示す工程図である。 1・・・基板、2・・・ゲート電極(走査線)、3・・
・ゲート絶縁膜、4・・・半導体層、5・・・ソース電
極、6・・・ドレイン電極、7・・・画素電極、8・・
・保護膜、9・・・スルーホール、10・・・信号線、
11・・・遮光膜、12・・・薄膜トランジスタ部。 躬 3図 筋4 ロ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、下記の工程からなることを特徴とするアクティブマ
トリクス基板の製造方法。 i 少なくとも表面が絶縁物からなる基材上にゲート電
極(走査線)を形成する工程 ii iの試料上にゲート絶縁膜、半導体層を順次堆積
する工程 iii iiの試料の半導体層上にソース電極およびド
レイン電極を形成する工程 iv iiiの試料のソース電極上に画素電極を形成す
る工程 v ivの試料上に保護膜を形成し、ドレイン電極上の
該保護膜にスルーホールを形成する工程 vi vの試料上に、信号線および遮光膜を形成し、同
時にスルーホールの接続を形成する工程
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62257184A JPH01100518A (ja) | 1987-10-14 | 1987-10-14 | アクティブマトリクス基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62257184A JPH01100518A (ja) | 1987-10-14 | 1987-10-14 | アクティブマトリクス基板の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01100518A true JPH01100518A (ja) | 1989-04-18 |
Family
ID=17302847
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62257184A Pending JPH01100518A (ja) | 1987-10-14 | 1987-10-14 | アクティブマトリクス基板の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01100518A (ja) |
Cited By (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08130313A (ja) * | 1994-11-02 | 1996-05-21 | Furontetsuku:Kk | 逆スタガー型薄膜トランジスタ及びその製造方法 |
KR100288150B1 (ko) * | 1997-11-27 | 2001-05-02 | 구본준 | 액정표시장치의 제조방법 |
KR100299684B1 (ko) * | 1998-10-01 | 2001-10-27 | 윤종용 | 4장의마스크를이용한액정표시장치용박막트랜지스터기판의제조방법및액정표시장치용박막트랜지스터기판 |
KR100316762B1 (ko) * | 1999-03-24 | 2001-12-12 | 구본준, 론 위라하디락사 | 액정표시장치의 구조 및 그 제조방법 |
KR100314200B1 (ko) * | 1997-08-18 | 2002-09-17 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정표시장치 |
KR100344844B1 (ko) * | 1998-07-07 | 2002-11-18 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정표시소자및그제조방법 |
KR100303134B1 (ko) * | 1995-05-09 | 2002-11-23 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정표시소자및그제조방법. |
KR100315921B1 (ko) * | 1998-12-31 | 2002-12-26 | 삼성전자 주식회사 | 액정표시장치용박막트랜지스터기판의제조방법 |
KR100380894B1 (ko) * | 1999-07-19 | 2003-04-21 | 샤프 가부시키가이샤 | Tft로 복귀하는 광의 광량을 감소시킬 수 있는액정표시장치 및 그의 제조방법 |
KR100384672B1 (ko) * | 1998-01-30 | 2003-05-22 | 가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼 | 액정 표시 장치 |
KR100333978B1 (ko) * | 1998-12-28 | 2003-06-02 | 삼성전자 주식회사 | 액정표시장치용박막트랜지스터기판의제조방법 |
KR100394838B1 (ko) * | 1999-12-22 | 2003-08-19 | 엔이씨 엘씨디 테크놀로지스, 엘티디. | 액정 표시장치 |
WO2003085448A1 (en) * | 2002-04-04 | 2003-10-16 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method for manufacturing thin film transistor array panel for display device |
US7083900B2 (en) | 1997-11-27 | 2006-08-01 | Lg Electronics Inc. | Method for manufacturing a liquid crystal display device |
US7504290B2 (en) | 1998-10-01 | 2009-03-17 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Thin film transistor array panel for a liquid crystal display and a method for manufacturing the same |
-
1987
- 1987-10-14 JP JP62257184A patent/JPH01100518A/ja active Pending
Cited By (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08130313A (ja) * | 1994-11-02 | 1996-05-21 | Furontetsuku:Kk | 逆スタガー型薄膜トランジスタ及びその製造方法 |
KR100303134B1 (ko) * | 1995-05-09 | 2002-11-23 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정표시소자및그제조방법. |
KR100314200B1 (ko) * | 1997-08-18 | 2002-09-17 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정표시장치 |
KR100288150B1 (ko) * | 1997-11-27 | 2001-05-02 | 구본준 | 액정표시장치의 제조방법 |
US7083900B2 (en) | 1997-11-27 | 2006-08-01 | Lg Electronics Inc. | Method for manufacturing a liquid crystal display device |
US6410211B1 (en) | 1997-11-27 | 2002-06-25 | Lg Electronics, Inc. | Method for manufacturing a liquid crystal display device |
KR100384672B1 (ko) * | 1998-01-30 | 2003-05-22 | 가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼 | 액정 표시 장치 |
US6509939B1 (en) | 1998-07-07 | 2003-01-21 | Lg. Philips Lcd Co., Ltd | Hybrid switching mode liquid crystal display device and method of manufacturing thereof |
KR100344844B1 (ko) * | 1998-07-07 | 2002-11-18 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정표시소자및그제조방법 |
US7145627B2 (en) | 1998-07-07 | 2006-12-05 | Lg.Philips Lcd. Co., Ltd. | Liquid crystal display device and method of manufacturing thereof |
KR100299684B1 (ko) * | 1998-10-01 | 2001-10-27 | 윤종용 | 4장의마스크를이용한액정표시장치용박막트랜지스터기판의제조방법및액정표시장치용박막트랜지스터기판 |
US7504290B2 (en) | 1998-10-01 | 2009-03-17 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Thin film transistor array panel for a liquid crystal display and a method for manufacturing the same |
KR100333978B1 (ko) * | 1998-12-28 | 2003-06-02 | 삼성전자 주식회사 | 액정표시장치용박막트랜지스터기판의제조방법 |
KR100315921B1 (ko) * | 1998-12-31 | 2002-12-26 | 삼성전자 주식회사 | 액정표시장치용박막트랜지스터기판의제조방법 |
US6335543B1 (en) | 1999-03-24 | 2002-01-01 | Lg. Philips Lcd Co., Ltd. | Polycrystalline silicon thin film transistor and manufacturing method thereof |
KR100316762B1 (ko) * | 1999-03-24 | 2001-12-12 | 구본준, 론 위라하디락사 | 액정표시장치의 구조 및 그 제조방법 |
US6603518B1 (en) | 1999-07-19 | 2003-08-05 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display capable of reducing amount of return light to TFT and manufacturing method therefor |
KR100380894B1 (ko) * | 1999-07-19 | 2003-04-21 | 샤프 가부시키가이샤 | Tft로 복귀하는 광의 광량을 감소시킬 수 있는액정표시장치 및 그의 제조방법 |
US6917392B2 (en) | 1999-12-22 | 2005-07-12 | Nec Lcd Technologies, Ltd. | Liquid crystal display apparatus of a lateral direction electric field drive type |
KR100394838B1 (ko) * | 1999-12-22 | 2003-08-19 | 엔이씨 엘씨디 테크놀로지스, 엘티디. | 액정 표시장치 |
WO2003085448A1 (en) * | 2002-04-04 | 2003-10-16 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method for manufacturing thin film transistor array panel for display device |
US7129105B2 (en) | 2002-04-04 | 2006-10-31 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method for manufacturing thin film transistor array panel for display device |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US6207970B1 (en) | Thin-film transistor display devices having composite electrodes | |
JP4199357B2 (ja) | 液晶表示装置及びその製造方法 | |
US6373546B1 (en) | Structure of a liquid crystal display and the method of manufacturing the same | |
US4821092A (en) | Thin film transistor array for liquid crystal display panel | |
KR100264112B1 (ko) | 액티브 매트릭스 기판 및 그 제조 방법 | |
KR100260359B1 (ko) | 액정 표시 장치 및 그 제조방법 | |
JPH01100518A (ja) | アクティブマトリクス基板の製造方法 | |
JPH10213809A (ja) | 液晶表示装置及びその製造方法 | |
US5034340A (en) | Amorphous silicon thin film transistor array substrate and method for producing the same | |
WO2019100502A1 (zh) | 一种薄膜晶体管液晶显示器阵列基板及其制作方法 | |
GB2169746A (en) | Thin film transistor | |
KR930005549B1 (ko) | 표시패널 및 그의 제조방법 | |
US5453856A (en) | Liquid crystal display with gate lines connected with a doped semiconductor layer where they cross data lines | |
JPH0572553A (ja) | 液晶表示装置およびその製造方法 | |
JP2820738B2 (ja) | 液晶表示装置用の薄膜トランジスタとクロスオーバ構体およびその製造法 | |
JP3326832B2 (ja) | 液晶表示装置 | |
JP3133676B2 (ja) | 液晶表示装置 | |
US4738513A (en) | Liquid crystal display including a non-linear resistance element | |
JPH06163891A (ja) | 薄膜トランジスタ | |
JPH0261618A (ja) | 液晶表示装置の製造方法 | |
JPH0235420A (ja) | 非晶質シリコン薄膜トランジスタマトリクスによってアドレス指定された液晶表示装置用の同一平面内にない電極構造物およびその製造方法 | |
JPH0210331A (ja) | アクティブマトリクス | |
JPH04106938A (ja) | 薄膜電界効果型トランジスタ | |
KR100249191B1 (ko) | 표시소자의 액정표시장치 제조방법 | |
JPS6235669A (ja) | 薄膜トランジスタマトリツクスアレ−パネル及びその製造方法 |