KR100299684B1 - 4장의마스크를이용한액정표시장치용박막트랜지스터기판의제조방법및액정표시장치용박막트랜지스터기판 - Google Patents
4장의마스크를이용한액정표시장치용박막트랜지스터기판의제조방법및액정표시장치용박막트랜지스터기판 Download PDFInfo
- Publication number
- KR100299684B1 KR100299684B1 KR1019980041355A KR19980041355A KR100299684B1 KR 100299684 B1 KR100299684 B1 KR 100299684B1 KR 1019980041355 A KR1019980041355 A KR 1019980041355A KR 19980041355 A KR19980041355 A KR 19980041355A KR 100299684 B1 KR100299684 B1 KR 100299684B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- gate
- layer
- data
- line
- pad
- Prior art date
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 81
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims description 60
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 title claims description 37
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 29
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 68
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 50
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 23
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims abstract description 17
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 52
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims description 19
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 6
- 239000011651 chromium Substances 0.000 abstract description 8
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 abstract description 8
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 5
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- 229910000583 Nd alloy Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- UBSJOWMHLJZVDJ-UHFFFAOYSA-N aluminum neodymium Chemical compound [Al].[Nd] UBSJOWMHLJZVDJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 abstract description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 abstract 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 124
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 8
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 7
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 5
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 4
- 229910001080 W alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- MGRWKWACZDFZJT-UHFFFAOYSA-N molybdenum tungsten Chemical compound [Mo].[W] MGRWKWACZDFZJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 2
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136213—Storage capacitors associated with the pixel electrode
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1345—Conductors connecting electrodes to cell terminals
- G02F1/13458—Terminal pads
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136227—Through-hole connection of the pixel electrode to the active element through an insulation layer
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
- H01L27/1288—Multistep manufacturing methods employing particular masking sequences or specially adapted masks, e.g. half-tone mask
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
Description
Claims (21)
- 첫째 마스크를 이용하여 절연 기판 위에 게이트 배선을 형성하는 단계,둘째 마스크를 이용하여 상기 게이트 배선 및 상기 기판 위에 게이트 절연막, 반도체층, 접촉층 및 데이터 도체층을 포함하는 4중층 패턴을 형성하는 단계,상기 데이터 도체층 상부 및 상기 데이터 도체층으로 둘러싸인 영역에 셋째 마스크를 이용하여 도전 패턴을 형성하는 단계,상기 도전 패턴으로 덮이지 않은 데이터 도체층 부분을 식각하여 데이터 배선을 형성하는 단계,상기 데이터 배선으로 덮이지 않은 접촉층 부분을 식각하는 단계,넷째 마스크를 이용하여 보호막을 형성하는 단계,상기 보호막으로 덮이지 않은 반도체층 부분을 식각하는 단계를 포함하는 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법.
- 제1항에서,상기 게이트 배선은 제1 방향으로 뻗어 있는 게이트선, 상기 게이트선에 전기적으로 연결되는 게이트 전극, 상기 게이트선의 끝에 연결되어 있어 외부로부터의 주사 신호를 인가 받는 게이트 패드를 포함하며,상기 4중층 패턴은 상기 게이트 패드를 드러내는 제1 접촉 구멍을 가지고 있으며,상기 보호막은 상기 제1 접촉 구멍을 드러내는 제2 접촉 구멍을 가지고 있는액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법.
- 제1항에서,상기 게이트 배선은 제1 방향으로 뻗어 있는 게이트선, 상기 게이트선에 전기적으로 연결되는 게이트 전극, 상기 게이트선의 끝에 연결되어 있어 외부로부터의 주사 신호를 인가 받는 게이트 패드를 포함하며,상기 4중층 패턴은 상기 게이트 패드를 드러내는 제1 접촉 구멍을 가지고 있으며,상기 도전 패턴은 상기 제1 접촉 구멍을 통하여 상기 게이트 패드 위에 형성되어 있는 제1 도전층 패턴을 포함하며,상기 보호막은 상기 제1 도전층 패턴을 드러내는 제2 접촉 구멍을 가지고 있는액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법.
- 제1항에서,상기 게이트 배선은, 제1 방향으로 뻗어 있는 게이트선, 상기 게이트선에 전기적으로 연결되는 게이트 전극, 상기 게이트선의 끝에 연결되어 있어 외부로부터의 주사 신호를 인가 받는 게이트 패드를 포함하고,상기 데이터 배선은, 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 뻗어 있는 데이터선, 상기 데이터선의 끝에 연결되어 있으며 외부로부터의 화상 신호를 인가 받는 데이터 패드, 상기 데이터선과 연결되어 있으며 상기 게이트 전극에 인접하는 소스 전극, 상기 게이트 전극에 대하여 상기 소스 전극의 맞은 편에 위치하는 드레인 전극을 포함하고,상기 도전 패턴은, 상기 데이터선과 상기 소스 전극과 상기 데이터 패드 위에 형성되어 있는 제1 도전층 패턴, 상기 드레인 전극 위에 형성되어 있는 제2 도전층 패턴, 상기 제2 도전층 패턴에 연결되어 있으며 상기 게이트선 및 상기 데이터선으로 둘러싸인 영역에 형성되어 있는 화소 전극을 포함하며,상기 보호막은 상기 화소 전극을 노출시키는 제1 개구부와 상기 데이터 패드 위에 형성된 상기 제1 도전층 패턴을 드러내는 제2 개구부를 가지고 있는액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법.
- 제4항에서,상기 보호막은 인접하는 두 데이터선 사이의 반도체층의 일부를 드러내는 제3 개구부를 가지고 있으며 상기 제3 개구부의 반도체층은 제거되어 상기 인접한 두 데이터선 하부의 반도체층을 서로 분리시키는 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법.
- 제5항에서,상기 화소 전극은 인접하는 게이트선과 중첩되어 있으며 상기 화소 전극과 상기 게이트선 사이의 반도체층은 고립되어 있는 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법.
- 제5항 또는 제6항에서,상기 게이트 절연막은 상기 게이트 패드 및 데이터 패드의 사이에 형성되어 있는 제1 부분을 포함하고, 상기 보호막은 상기 게이트 절연막의 제1 부분 위의 반도체층을 드러내는 제4 개구부를 가지고 있으며, 상기 제1 부분 위의 반도체층은 제거되어 상기 게이트 패드 상부 및 상기 데이트 패드 하부의 상기 반도체층을 서로 분리시키는 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법.
- 제5항 또는 제6항에서,상기 제1 개구부는 상기 화소 전극의 가장자리를 모두 덮고 있는 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법.
- 제5항 또는 제6항에서,상기 제1 개구부는 상기 화소 전극의 가장자리를 노출시키는 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법.
- 제5항에서,상기 기판 위에 상기 화소 전극과 중첩되는 유지 배선을 형성하는 단계를 더 포함하며,상기 4중층 패턴은 상기 유지 배선 위에 형성되어 있으며,상기 유지 배선과 상기 화소 전극 사이의 반도체층은 고립되어 있는액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법.
- 제1항에서,상기 도체층은 투명 도전체로 이루어진 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법.
- 제11항에서,상기 도체층은 ITO로 이루어진 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법.
- 절연 기판 위에 형성되어 있으며 제1 방향으로 뻗어 있는 게이트선, 상기 게이트선과 연결되어 있는 게이트 전극, 상기 게이트선의 끝에 연결되어 있는 게이트 패드를 포함하는 게이트 배선,상기 게이트 배선 및 상기 기판 위에 그물 모양으로 형성되어 있으며 상기 게이트 패드를 드러내는 접촉 구멍을 가지고 있는 게이트 절연막,상기 게이트 절연막 위에 형성되어 있는 반도체층,상기 반도체층 위에 형성되어 있으며 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 뻗어 있는 데이터선, 상기 게이트 전극에 인접한 소스 전극, 상기 데이터선의 한쪽 끝에 연결되어 있는 데이터 패드, 상기 데이터선 및 소스 전극과 분리되어 있으며 상기 게이트 전극에 대하여 상기 소스 전극의 반대쪽에 위치하는 드레인 전극을 포함하는 데이터 배선,상기 데이터선 및 상기 소스 전극 위에 형성되어 있는 제1 패턴, 상기 드레인 전극 위에 형성되어 있는 제2 패턴, 상기 제2 패턴과 연결되어 있는 화소 전극, 상기 데이터 패드 위에 형성되어 있는 제3 패턴을 포함하는 도전체,상기 도전체, 반도체층 및 기판 위에 형성되어 있으며 상기 화소 전극을 드러내는 제1 개구부와 이웃하는 데이터선 사이의 게이트 절연막을 드러내는 제2 개구부 및 상기 게이트 패드 상부의 제3 개구부와 상기 데이터 패드를 드러내는 제4 개구부를 가지고 있는 보호막을 포함하며,상기 데이터 배선은 상기 도전체와 상기 반도체층의 사이에만 형성되어 있고, 상기 반도체층은 상기 제2 개구부의 게이트 절연막을 제외한 모든 게이트 절연막 위에 형성되어 있으며 인접한 두 데이터선 하부의 반도체층은 서로 분리되어 있는액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판.
- 제13항에서,상기 반도체층과 상기 데이터 배선의 사이에 상기 데이터 배선과 동일한 모양으로 형성되어 있으며 상기 반도체층과 상기 데이터 배선 사이의 접촉 저항을 줄이기 위한 접촉층을 더 포함하는 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판.
- 제14항에서,상기 도전체는 상기 접촉 구멍을 통하여 상기 게이트 패드 위에 형성되어 있는 제4 패턴을 더 포함하며, 상기 제3 개구부는 상기 제4 패턴을 드러내는 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판.
- 제14항에서,상기 화소 전극은 인접하는 게이트선과 중첩되어 있으며 상기 화소 전극과 상기 게이트선 사이의 반도체층은 고립되어 있는 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판.
- 제14항에서,상기 게이트 절연막은 상기 게이트 패드 및 데이터 패드의 사이에 형성되어 있는 제1 부분을 포함하며, 상기 보호막은 상기 게이트 절연막의 제1 부분을 드러내는 제5 개구부를 가지고 있으며, 상기 제5 개구부에는 반도체층이 형성되어 있지 않은 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판.
- 제14항에서,상기 제1 개구부는 상기 화소 전극의 가장자리를 모두 덮고 있는 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판.
- 제14항에서,상기 제1 개구부는 상기 화소 전극의 가장자리를 노출시키는 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판.
- 제19항에서,상기 기판 위에 형성되어 있고 상기 게이트 절연막으로 덮여 있으며 상기 화소 전극과 중첩되어 있는 유지 배선을 더 포함하며,상기 유지 배선과 상기 화소 전극 사이의 반도체층은 고립되어 있는액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판.
- 제19항에서,상기 도전체는 ITO로 이루어진 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판.
Priority Applications (12)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019980041355A KR100299684B1 (ko) | 1998-10-01 | 1998-10-01 | 4장의마스크를이용한액정표시장치용박막트랜지스터기판의제조방법및액정표시장치용박막트랜지스터기판 |
TW88108889A TW557387B (en) | 1998-10-01 | 1999-05-27 | Thin film transistor array panels for liquid crystal displays and methods of manufacturing the same |
TW88109951A TW548499B (en) | 1998-10-01 | 1999-06-11 | Thin film transistor array panels and manufacturing methods of the same |
CNB991205421A CN1139837C (zh) | 1998-10-01 | 1999-09-29 | 液晶显示器用薄膜晶体管阵列基板及其制造方法 |
JP28140999A JP2000111958A (ja) | 1998-10-01 | 1999-10-01 | 4枚のマスクを利用した液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板の製造方法及び液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板 |
US09/410,760 US6429057B1 (en) | 1998-01-10 | 1999-10-01 | Method for manufacturing thin film transistor array panel for liquid crystal display |
US10/172,982 US6642074B2 (en) | 1998-10-01 | 2002-06-18 | Method for manufacturing thin film transistor array panel for LCD having a quadruple layer by a second photolithography process |
US10/644,917 US6787809B2 (en) | 1998-10-01 | 2003-08-21 | Thin film transistor array panel |
US10/933,545 US7078255B2 (en) | 1998-10-01 | 2004-09-03 | Thin film transistor array panel for a liquid crystal display and a method for manufacturing the same |
US11/451,686 US20060228821A1 (en) | 1998-10-01 | 2006-06-13 | Thin film transistor array panel for a liquid crystal display and a method for manufacturing the same |
US11/750,630 US7504290B2 (en) | 1998-10-01 | 2007-05-18 | Thin film transistor array panel for a liquid crystal display and a method for manufacturing the same |
US12/364,736 US20090179202A1 (en) | 1998-10-01 | 2009-02-03 | Thin film transistor array panel for a liquid crystal display and a method for manufacturing the same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019980041355A KR100299684B1 (ko) | 1998-10-01 | 1998-10-01 | 4장의마스크를이용한액정표시장치용박막트랜지스터기판의제조방법및액정표시장치용박막트랜지스터기판 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20000024704A KR20000024704A (ko) | 2000-05-06 |
KR100299684B1 true KR100299684B1 (ko) | 2001-10-27 |
Family
ID=19552933
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019980041355A KR100299684B1 (ko) | 1998-01-10 | 1998-10-01 | 4장의마스크를이용한액정표시장치용박막트랜지스터기판의제조방법및액정표시장치용박막트랜지스터기판 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR100299684B1 (ko) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100560974B1 (ko) * | 1998-11-26 | 2006-09-06 | 삼성전자주식회사 | 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판 및 그제조 방법 |
KR20010109789A (ko) * | 2000-06-02 | 2001-12-12 | 윤종용 | 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법 |
KR100695303B1 (ko) * | 2000-10-31 | 2007-03-14 | 삼성전자주식회사 | 제어 신호부 및 그 제조 방법과 이를 포함하는 액정 표시장치 및 그 제조 방법 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01100518A (ja) * | 1987-10-14 | 1989-04-18 | Hitachi Ltd | アクティブマトリクス基板の製造方法 |
KR960032778A (ko) * | 1995-02-20 | 1996-09-17 | 가네꼬 히사시 | 금속 반도체 접합 전계 효과 트랜지스터 |
-
1998
- 1998-10-01 KR KR1019980041355A patent/KR100299684B1/ko not_active IP Right Cessation
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01100518A (ja) * | 1987-10-14 | 1989-04-18 | Hitachi Ltd | アクティブマトリクス基板の製造方法 |
KR960032778A (ko) * | 1995-02-20 | 1996-09-17 | 가네꼬 히사시 | 금속 반도체 접합 전계 효과 트랜지스터 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20000024704A (ko) | 2000-05-06 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100321925B1 (ko) | 4장의마스크를이용한액정표시장치용박막트랜지스터기판의제조방법및액정표시장치용박막트랜지스터기판 | |
JP4413337B2 (ja) | 液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板及びその製造方法 | |
JP4131297B2 (ja) | 液晶表示装置の製造方法 | |
KR100372306B1 (ko) | 박막트랜지스터의제조방법 | |
KR100299684B1 (ko) | 4장의마스크를이용한액정표시장치용박막트랜지스터기판의제조방법및액정표시장치용박막트랜지스터기판 | |
KR100560974B1 (ko) | 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판 및 그제조 방법 | |
KR100580398B1 (ko) | 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법 | |
JP2000164874A (ja) | 薄膜トランジスタアレイ基板とその製造方法および液晶表示装置 | |
KR100646790B1 (ko) | 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법 | |
KR20000073727A (ko) | 박막 트랜지스터 기판 및 그의 제조 방법 | |
KR20010002661A (ko) | 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법 | |
KR100686224B1 (ko) | 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판, 그 제조 방법 및그 수리 방법 | |
KR20000026540A (ko) | 4장의 마스크를 이용한 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법 및 액정 표시 장치용박막 트랜지스터 기판 | |
KR100315914B1 (ko) | 4장의마스크를이용한액정표시장치용박막트랜지스터기판의제조방법및액정표시장치용박막트랜지스터기판 | |
KR100759968B1 (ko) | 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판, 그 제조 방법 및그 수리 방법 | |
KR100601171B1 (ko) | 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법 | |
KR100330097B1 (ko) | 액정표시장치용박막트랜지스터기판및그제조방법 | |
KR100720085B1 (ko) | 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법 | |
KR100590749B1 (ko) | 액정표시장치용박막트랜지스터기판및그제조방법 | |
KR100623987B1 (ko) | 박막 트랜지스터 어레이 기판, 그의 제조 방법 및 그의수리 방법 | |
KR100502813B1 (ko) | 박막트랜지스터의제조방법,박막트랜지스터기판및그제조방법 | |
KR100552300B1 (ko) | 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법 | |
KR20080044986A (ko) | 어레이 기판 및 이의 제조 방법 | |
KR100777694B1 (ko) | 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법 | |
KR100566815B1 (ko) | 액정표시패널 및 그 제조방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20120515 Year of fee payment: 12 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20130531 Year of fee payment: 13 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20140929 Year of fee payment: 14 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20150528 Year of fee payment: 15 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20160530 Year of fee payment: 16 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20170529 Year of fee payment: 17 |
|
LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |