JP7510283B2

JP7510283B2 - Dicing tape and dicing die bond film

Info

Publication number: JP7510283B2
Application number: JP2020100030A
Authority: JP
Inventors: 雄大木村; 英利毎川; 公平武田; 大樹植野; 宏中浦
Original assignee: Nitto Denko Corp
Current assignee: Nitto Denko Corp
Priority date: 2019-06-13
Filing date: 2020-06-09
Publication date: 2024-07-03
Anticipated expiration: 2040-06-09
Also published as: CN112080218A; TW202123325A; JP2020205415A; TWI838536B; KR20200143259A

Description

本発明は、ダイシングテープ及びダイシングダイボンドフィルムに関する。 The present invention relates to a dicing tape and a dicing die bond film.

従来、半導体装置の製造において、ダイボンディング用の半導体チップを得るために、ダイシングテープやダイシングダイボンドフィルムを用いることが知られている。
前記ダイシングテープは基材層上に粘着剤層が積層されて構成されており、前記ダイシングダイボンドフィルムは、前記ダイシングテープの粘着剤層上にダイボンド層が剥離可能に積層されて構成されている。 2. Description of the Related Art Conventionally, in the manufacture of semiconductor devices, it is known to use a dicing tape or a dicing die bond film to obtain a semiconductor chip for die bonding.
The dicing tape is constructed by laminating an adhesive layer on a base layer, and the dicing die bond film is constructed by releasably laminating a die bond layer on the adhesive layer of the dicing tape.

そして、前記ダイシングダイボンドフィルムを用いてダイボンディング用の半導体チップ（ダイ）を得る方法として、半導体ウェハを割断処理によってチップ（ダイ）へ加工すべき半導体ウェハに溝を形成し、さらに半導体ウェハを研削して厚さを薄くするハーフカット工程と、ハーフカット工程後の半導体ウェハを研削して厚さを薄くするバックグラインド工程と、バックグラインド工程後の半導体ウェハの一面（例えば、回路面とは反対側の面）をダイボンド層に貼付して、ダイシングテープに半導体ウェハを固定するマウント工程と、ハーフカット加工された半導体チップ同士の間隔を広げるエキスパンド工程と、半導体チップ同士の間隔を維持するカーフ維持工程と、ダイボンド層と粘着剤層との間を剥離してダイボンド層が貼付された状態で半導体チップを取り出すピックアップ工程と、ダイボンド層が貼付された状態の半導体チップを被着体（例えば、実装基板等）に接着させるダイボンド工程と、を有する方法を採用することが知られている。
なお、前記カーフ維持工程においては、ダイシングテープに熱風（例えば、１００～１３０℃）を当ててダイシングテープを熱収縮させた後冷却固化させて、割断された隣り合う半導体チップ間の距離（カーフ）を維持している。
また、前記エキスパンド工程では、前記ダイボンド層は、個片化された複数の半導体チップのサイズに相当する大きさに割断される。 As a method for obtaining a semiconductor chip (die) for die bonding using the dicing die bond film, a method is known that includes a half-cut process in which a groove is formed in a semiconductor wafer to be processed into a chip (die) by a fracturing process, and the semiconductor wafer is further ground to reduce its thickness, a back-grind process in which the semiconductor wafer after the half-cut process is ground to reduce its thickness, a mounting process in which one surface (e.g., the surface opposite to the circuit surface) of the semiconductor wafer after the back-grind process is attached to a die-bonding layer and the semiconductor wafer is fixed to a dicing tape, an expanding process in which the interval between the half-cut semiconductor chips is expanded, a kerf maintaining process in which the interval between the semiconductor chips is maintained, a pick-up process in which the die-bonding layer and the adhesive layer are peeled off to remove the semiconductor chip with the die-bonding layer attached, and a die-bonding process in which the semiconductor chip with the die-bonding layer attached is attached to an adherend (e.g., a mounting board, etc.).
In the kerf maintaining step, hot air (e.g., 100 to 130° C.) is applied to the dicing tape to thermally shrink the dicing tape, and then the dicing tape is cooled and solidified, thereby maintaining the distance (kerf) between adjacent cleaved semiconductor chips.
In the expanding step, the die bond layer is cleaved into pieces having sizes corresponding to the sizes of the individual semiconductor chips.

前記のようなダイシングダイボンドフィルムを用いてダイボンディング用の半導体チップを得る方法において、特許文献１には、特定物性を有するダイシングテープ（－１０℃における初期弾性率が２００ＭＰａ以上３８０ＭＰａ以下、及び、－１０℃におけるＴａｎδ（損失弾性率／貯蔵弾性率）が０．０８０以上０．３以下のダイシングテープ）を用い、かつ、前記エキスパンド工程を－１５～５℃の低温条件で行うことにより、前記エキスパンド工程において、前記半導体ウェハから複数の半導体チップへの割断性（例えば、割断のし易さや均一割断性など）を向上できることが開示されている。 In a method for obtaining semiconductor chips for die bonding using the above-mentioned dicing die bond film, Patent Document 1 discloses that by using a dicing tape with specific physical properties (a dicing tape with an initial elastic modulus of 200 MPa to 380 MPa at -10°C and a Tan δ (loss elastic modulus/storage elastic modulus) of 0.080 to 0.3 at -10°C) and performing the expansion process under low-temperature conditions of -15 to 5°C, the breakability (e.g., ease of breakability and uniform breakability) of the semiconductor wafer into multiple semiconductor chips can be improved in the expansion process.

特開２０１５－１８５５９１号公報JP 2015-185591 A

特許文献１に記載されたように、特定物性を有するダイシングテープを用い、かつ、前記エキスパンド工程を前記低温条件で行うことにより、前記半導体ウェハの割断性は向上されるものの、ダイシングテープ及びダイシングダイボンディングフィルムを用いて、低温条件下においてエキスパンドにより半導体ウェハを複数の半導体チップに割断する場合に、前記半導体ウェハの割断性をより一層向上させることが要望されている。
特に、半導体ウェハを複数の小型の半導体チップ（例えば、長さ１２ｍｍ×幅４ｍｍ×厚さ０．０５５ｍｍの大きさの半導体チップ）に割断する場合に、前記半導体ウェハの割断性をより一層向上させることが要望されている。 As described in Patent Document 1, the use of a dicing tape having specific physical properties and carrying out the expanding process under the low-temperature conditions improves the breakability of the semiconductor wafer. However, when a dicing tape and a dicing die bonding film are used to break the semiconductor wafer into a plurality of semiconductor chips by expanding under low-temperature conditions, it is desired to further improve the breakability of the semiconductor wafer.
In particular, when a semiconductor wafer is cut into a plurality of small semiconductor chips (e.g., semiconductor chips measuring 12 mm in length × 4 mm in width × 0.055 mm in thickness), it is desired to further improve the cuttability of the semiconductor wafer.

そこで、本発明は、低温条件下において、エキスパンドによる半導体ウェハから複数の半導体チップへの割断性をより一層向上させることができるダイシングテープ及びダイシングダイボンディングフィルムを提供することを課題とする。 The present invention aims to provide a dicing tape and dicing die bonding film that can further improve the ability to break a semiconductor wafer into multiple semiconductor chips by expanding under low-temperature conditions.

本発明者らが鋭意検討したところ、－５℃における引張貯蔵弾性率が１００ＭＰａ以上であるダイシングテープ、及び、該ダイシングテープを備えるダイシングダイボンディングフィルムを用いることにより、低温条件下において、エキスパンドによる半導体ウェハから複数の半導体チップへの割断性がより一層向上されること、特に、小型の半導体チップへの割断性がより一層向上させることを見出して、本発明を想到するに至った。 After extensive research, the inventors discovered that by using a dicing tape with a tensile storage modulus of 100 MPa or more at -5°C and a dicing die bonding film comprising said dicing tape, the ability to break a semiconductor wafer into multiple semiconductor chips by expansion under low-temperature conditions is further improved, and in particular the ability to break small semiconductor chips is further improved, which led to the invention.

即ち、本発明に係るダイシングテープは、
基材層上に粘着剤層が積層されたダイシングテープであって、
－５℃における引張貯蔵弾性率が１００ＭＰａ以上である。 That is, the dicing tape according to the present invention is
A dicing tape having a pressure-sensitive adhesive layer laminated on a base layer,
The tensile storage modulus at -5°C is 100 MPa or more.

斯かる構成によれば、前記ダイシングテープの－５℃における引張貯蔵弾性率が１００ＭＰａ以上であるので、前記ダイシングテープを比較的大きな硬さを有するものとすることができる。
そのため、半導体ウェハに貼付して、低温条件（例えば、－１５℃～５℃）下において前記ダイシングテープをエキスパンドして前記半導体ウェハから複数の半導体チップへの割断を行う場合に、エキスパンド開始時において、前記ダイシングテープの全体に引張力を十分に加えることができる。
これにより、半導体ウェハを複数の半導体チップに割断し易くなるとともに、比較的均一に割断された半導体チップを得易くなる。
すなわち、半導体ウェハの割断性をより一層向上させることができる。 According to this configuration, the dicing tape has a tensile storage modulus of 100 MPa or more at −5° C., so that the dicing tape can have a relatively high hardness.
Therefore, when the dicing tape is attached to a semiconductor wafer and expanded under low temperature conditions (e.g., −15° C. to 5° C.) to cleave the semiconductor wafer into multiple semiconductor chips, a sufficient tensile force can be applied to the entire dicing tape at the start of the expansion.
This makes it easier to cut the semiconductor wafer into a plurality of semiconductor chips, and also makes it easier to obtain semiconductor chips that are cut relatively uniformly.
That is, the breakability of the semiconductor wafer can be further improved.

前記ダイシングテープにおいては、
－５℃における３０％引張応力が５．５Ｎ／１０ｍｍ以上であることが好ましい。 In the dicing tape,
The 30% tensile stress at -5°C is preferably 5.5 N/10 mm or more.

斯かる構成によれば、－５℃における３０％引張応力が５．５Ｎ／１０ｍｍ以上であるので、半導体ウェハに貼付して、低温条件下において前記ダイシングテープをエキスパンドして前記半導体ウェハから複数の半導体チップへの割断を行う場合に、エキスパンド中においてもダイシングテープを比較的大きな硬さを有するものとすることができる。
そのため、半導体ウェハを複数の半導体チップにより割断し易くなるとともに、比較的均一に割断された半導体チップをより得易くなる。
すなわち、半導体ウェハの割断性をさらに一層向上させることができる。 According to this configuration, the 30% tensile stress at -5°C is 5.5 N/10 mm or more, so that when the dicing tape is attached to a semiconductor wafer and expanded under low-temperature conditions to cleave the semiconductor wafer into a plurality of semiconductor chips, the dicing tape can retain a relatively large hardness even during expansion.
This makes it easier to cut the semiconductor wafer into a plurality of semiconductor chips, and also makes it easier to obtain semiconductor chips that are cut in a relatively uniform manner.
That is, the breakability of the semiconductor wafer can be further improved.

前記ダイシングテープにおいては、
室温における３０％引張応力が３．２Ｎ／１０ｍｍ以上であることが好ましい。 In the dicing tape,
The 30% tensile stress at room temperature is preferably 3.2 N/10 mm or more.

斯かる構成によれば、室温における３０％引張応力が３．２Ｎ／１０ｍｍ以上であるので、半導体ウェハに貼付して、低温条件下において前記ダイシングテープをエキスパンして前記半導体ウェハから複数の半導体チップへの割断を行う場合に、エキスパンド中においても、半導体ウェハの割断性をさらに一層向上させることができる。
また、割断された前記半導体チップ間のダイシングテープに生じた引張応力が、半導体チップ側に移行することを抑制することができる。
そのため、前記半導体チップの外周縁部分に比較的大きな力が加わって、前記半導体チップの外周縁部分が前記ダイシングテープの表面から浮き上がること（チップ浮き）を比較的抑制することができる。 According to this configuration, the 30% tensile stress at room temperature is 3.2 N/10 mm or more. Therefore, when the dicing tape is attached to a semiconductor wafer and expanded under low temperature conditions to cut the semiconductor wafer into a plurality of semiconductor chips, the cuttability of the semiconductor wafer can be further improved even during expansion.
Moreover, it is possible to prevent the tensile stress generated in the dicing tape between the cleaved semiconductor chips from being transferred to the semiconductor chip side.
Therefore, it is possible to relatively prevent the outer peripheral portion of the semiconductor chip from lifting up from the surface of the dicing tape (chip lifting) due to a relatively large force being applied to the outer peripheral portion of the semiconductor chip.

前記ダイシングテープにおいては、
室温における３０％引張応力に対する－５℃における３０％引張応力の比が１．７以上であることが好ましい。 In the dicing tape,
The ratio of 30% tensile stress at -5°C to 30% tensile stress at room temperature is preferably 1.7 or more.

斯かる構成によれば、室温における３０％引張応力に対する－５℃における３０％引張応力の比が１．７以上であるので、半導体ウェハに貼付して、低温条件下において前記ダイシングテープをエキスパンドして前記半導体ウェハから複数の半導体チップへの割断を行う場合に、エキスパンド中においても、半導体ウェハの割断性をさらに一層向上させることができる。
また、前記ダイシングテープに生じた引張応力が半導体チップ側に移行することが原因となるチップ浮きを比較的抑制することができる。 According to this configuration, the ratio of 30% tensile stress at -5°C to 30% tensile stress at room temperature is 1.7 or more. Therefore, when the dicing tape is attached to a semiconductor wafer and expanded under low temperature conditions to cut the semiconductor wafer into a plurality of semiconductor chips, the cuttability of the semiconductor wafer can be further improved even during expansion.
Furthermore, chip lift caused by the tensile stress generated in the dicing tape being transferred to the semiconductor chip can be relatively suppressed.

本発明に係るダイシングダイボンドフィルムは、
基材層上に粘着剤層が積層されたダイシングテープと、
前記ダイシングテープの粘着剤層上に積層されたダイボンド層と、を備え、
－５℃における引張貯蔵弾性率が１００ＭＰａ以上である。 The dicing die bond film according to the present invention is
a dicing tape having a pressure-sensitive adhesive layer laminated on a base layer;
A die bond layer laminated on the pressure-sensitive adhesive layer of the dicing tape,
The tensile storage modulus at -5°C is 100 MPa or more.

斯かる構成によれば、半導体ウェハに貼付して、低温条件（例えば、－１５℃～５℃）下において前記ダイシングテープをエキスパンドして前記半導体ウェハから複数の半導体チップへの割断を行う場合に、エキスパンド開始時において、前記ダイシングテープの全体に引張力を十分に加えることができる。
これにより、半導体ウェハの割断性をより一層向上させることができることに加えて、ダイボンド層の割断性を向上させることができる。 With this configuration, when the dicing tape is attached to a semiconductor wafer and expanded under low temperature conditions (e.g., −15° C. to 5° C.) to cleave the semiconductor wafer into a plurality of semiconductor chips, a sufficient tensile force can be applied to the entire dicing tape when the expansion begins.
This makes it possible to further improve the breakability of the semiconductor wafer, and also improve the breakability of the die bond layer.

本発明によれば、低温条件下において、エキスパンドによる半導体ウェハから複数の半導体チップへの割断性をより一層向上させることができるダイシングテープ及びダイシングダイボンディングフィルムを提供することができる。 The present invention provides a dicing tape and a dicing die bonding film that can further improve the ability to break a semiconductor wafer into multiple semiconductor chips by expanding under low temperature conditions.

本発明の一実施形態に係るダイシングテープの構成を示す断面図。1 is a cross-sectional view showing a configuration of a dicing tape according to an embodiment of the present invention. 本発明の一実施形態に係るダイシングダイボンドフィルムの構成を示す断面図。1 is a cross-sectional view showing a configuration of a dicing die bond film according to one embodiment of the present invention. 半導体集積回路の製造方法におけるハーフカット加工の様子を模式的に示す断面図。1A to 1C are cross-sectional views each showing a schematic view of a half-cut process in a manufacturing method of a semiconductor integrated circuit. 半導体集積回路の製造方法におけるハーフカット加工の様子を模式的に示す断面図。1A to 1C are cross-sectional views each showing a schematic view of a half-cut process in a manufacturing method of a semiconductor integrated circuit. 半導体集積回路の製造方法におけるバッググラインド加工の様子を模式的に示す断面図。1A to 1C are cross-sectional views each showing a schematic diagram of a back grinding process in a manufacturing method of a semiconductor integrated circuit. 半導体集積回路の製造方法におけるバッググラインド加工の様子を模式的に示す断面図。1A to 1C are cross-sectional views each showing a schematic diagram of a back grinding process in a manufacturing method of a semiconductor integrated circuit. 半導体集積回路の製造方法におけるマウント工程の様子を模式的に示す断面図。1A to 1C are cross-sectional views each showing a schematic view of a mounting step in a manufacturing method of a semiconductor integrated circuit. 半導体集積回路の製造方法におけるマウント工程の様子を模式的に示す断面図。1A to 1C are cross-sectional views each showing a schematic view of a mounting step in a manufacturing method of a semiconductor integrated circuit. 半導体集積回路の製造方法における低温でのエキスパンド工程の様子を模式的に示す断面図。1A to 1C are cross-sectional views each showing a schematic diagram of an expanding step performed at a low temperature in a method for manufacturing a semiconductor integrated circuit. 半導体集積回路の製造方法における低温でのエキスパンド工程の様子を模式的に示す断面図。1A to 1C are cross-sectional views each showing a schematic diagram of an expanding step performed at a low temperature in a method for manufacturing a semiconductor integrated circuit. 半導体集積回路の製造方法における低温でのエキスパンド工程の様子を模式的に示す断面図。1A to 1C are cross-sectional views each showing a schematic diagram of an expanding step performed at a low temperature in a method for manufacturing a semiconductor integrated circuit. 半導体集積回路の製造方法における常温でのエキスパンド工程の様子を模式的に示す断面図。1A to 1C are cross-sectional views each showing a schematic diagram of an expanding step at room temperature in a method for manufacturing a semiconductor integrated circuit. 半導体集積回路の製造方法における常温でのエキスパンド工程の様子を模式的に示す断面図。1A to 1C are cross-sectional views each showing a schematic diagram of an expanding step at room temperature in a method for manufacturing a semiconductor integrated circuit. 半導体集積回路の製造方法におけるカーフ維持工程の様子を模式的に示す断面図。1A to 1C are cross-sectional views each showing a schematic diagram of a kerf maintaining step in a method for manufacturing a semiconductor integrated circuit. 半導体集積回路の製造方法におけるピックアップ工程の様子を模式的に示す断面図。1A to 1C are cross-sectional views each showing a pickup step in a method for manufacturing a semiconductor integrated circuit.

以下、本発明の一実施形態について説明する。 One embodiment of the present invention is described below.

［ダイシングテープ］
図１に示したように、本実施形態に係るダイシングテープ１０は、基材層１上に粘着剤層２が積層されたダイシングテープであって、－５℃における引張貯蔵弾性率が１００ＭＰａ以上である。 [Dicing tape]
As shown in FIG. 1, the dicing tape 10 according to this embodiment is a dicing tape in which a pressure-sensitive adhesive layer 2 is laminated on a base layer 1, and has a tensile storage modulus at -5° C. of 100 MPa or more.

－５℃におけるダイシングテープ１０の引張貯蔵弾性率が１００ＭＰａ以上であることにより、ダイシングテープ１０に貼付した半導体ウェハの割断性が向上する理由については、以下のように考えられる。
ダイシングテープ１０に貼付した半導体ウェハの、エキスパンドによる複数の半導体チップへの割断性（例えば、割断のし易さや均一割断性など）を向上させるためには、半導体ウェハの割断開始時に、ダイシングテープ１０の全体に引張力を十分に加える必要がある。
ここで、割断開始時にダイシングテープ１０が比較的軟らかい場合、すなわち、ダイシングテープ１０の引張貯蔵弾性率が比較的小さい場合には、割断開始時の引張力は、ダイシングテープ１０の外周縁部分から中央部分に近付くにつれてダイシングテープ１０に吸収されて次第に小さくなると考えられる。そのため、割断開始時の引張力を、ダイシングテープ１０の全体に十分に加えることは難しいと考えられる。
これに対し、本実施形態に係るダイシングテープ１０は、１００ＭＰａ以上という比較的大きな引張貯蔵弾性率を有しているので、割断開始時の引張力は、ダイシングテープ１０の外周縁部分から中央部分に近付くにつれてダイシングテープ１０に吸収され難くなっていると考えられる。そのため、割断開始時の引張力はダイシングテープ１０の全体に十分に加わるようになり、その結果、半導体ウェハを複数の半導体チップに割断し易くなるとともに、比較的均一に割断された半導体チップを得易くなる、すなわち、半導体ウェハから複数の半導体チップへの割断性をより一層向上させることができると考えられる。 The reason why the cleavability of a semiconductor wafer attached to the dicing tape 10 is improved when the tensile storage modulus of the dicing tape 10 at −5° C. is 100 MPa or more is believed to be as follows.
In order to improve the cleavability (e.g., ease of cleavage and uniform cleavability) of the semiconductor wafer attached to the dicing tape 10 into multiple semiconductor chips by expanding, it is necessary to apply sufficient tensile force to the entire dicing tape 10 when cleaving of the semiconductor wafer begins.
Here, when the dicing tape 10 is relatively soft at the start of cutting, that is, when the tensile storage modulus of the dicing tape 10 is relatively small, it is considered that the tensile force at the start of cutting is absorbed by the dicing tape 10 and gradually decreases as it approaches the center portion from the outer peripheral edge portion of the dicing tape 10. For this reason, it is considered difficult to apply a sufficient tensile force to the entire dicing tape 10 at the start of cutting.
In contrast, the dicing tape 10 according to this embodiment has a relatively large tensile storage modulus of 100 MPa or more, and therefore it is believed that the tensile force at the start of cutting is less easily absorbed by the dicing tape 10 as it approaches the center from the outer peripheral edge of the dicing tape 10. Therefore, the tensile force at the start of cutting is sufficiently applied to the entire dicing tape 10, which makes it easier to cut the semiconductor wafer into multiple semiconductor chips and easier to obtain semiconductor chips that are cut relatively uniformly; in other words, it is believed that the ability to cut a semiconductor wafer into multiple semiconductor chips can be further improved.

なお、後述する実施例の項で説明するように、ダイシングテープ１０の－５℃における引張貯蔵弾性率が１００ＭＰａ以上であることにより、特に、半導体ウェハ（例えば、直径２００ｍｍ（８インチ）の半導体ウェハ）を小型の半導体チップ（例えば、長さ１２ｍｍ×幅４ｍｍ×厚さ０．５５ｍｍ）に割断するときの割断性をより一層向上させることができる。
その理由について、本発明者らは以下のように推察している。
同じ大きさの半導体ウェハを割断する場合、割断後の半導体チップの大きさが小さいほど、ハーフカット工程において、半導体ウェハに形成する溝（ライン）の間隔が狭くなることから、半導体ウェハに形成する溝の数は多くなる。その結果、エキスパンド工程における溝の伸び率が減少する。
したがって、エキスパンド工程において、半導体ウェハを小型の半導体チップに割断したときに割断不良が生じることを抑制するためには、より少ない伸び率で高い応力を発生させる必要がある。
ここで、弾性率は、基材層を引っ張った時の伸び率（歪み量）に対する応力の傾きを意味することから、弾性率が高い方が、より少ない伸び率で高い応力を発生させることができると考えられる。
そして、ダイシングテープ１０を用いたエキスパンド工程では、半導体ウェハを複数の小型の半導体チップに割断する際の割断性が良好であり、かつ、引張力によるダイシングテープ１０の破れが発生し難いという観点から、－５℃という温度を採用してエキスパンドを行うことが最適であるため、－５℃における引張貯蔵弾性率を１００ＭＰａ以上という比較的高い値とすることにより、より少ない伸び率で高い応力を発生することができると考えられる。
その結果、半導体ウェハを小型の半導体チップに割断するときの割断性をより一層向上させることができると推察している。 As will be described in the Examples section below, since the tensile storage modulus of the dicing tape 10 at -5°C is 100 MPa or more, the cleavability can be further improved, particularly when a semiconductor wafer (e.g., a semiconductor wafer having a diameter of 200 mm (8 inches)) is cleaved into small semiconductor chips (e.g., length 12 mm × width 4 mm × thickness 0.55 mm).
The present inventors speculate that the reason for this is as follows.
When cutting semiconductor wafers of the same size, the smaller the size of the semiconductor chips after cutting, the narrower the intervals between the grooves (lines) formed in the semiconductor wafer in the half-cut process, and therefore the number of grooves formed in the semiconductor wafer increases. As a result, the elongation rate of the grooves in the expansion process decreases.
Therefore, in order to prevent the occurrence of cleavage defects when the semiconductor wafer is cleaved into small semiconductor chips in the expanding step, it is necessary to generate high stress with a smaller elongation rate.
Here, the elastic modulus means the slope of the stress versus the elongation (amount of strain) when the base material layer is pulled. It is therefore considered that a higher elastic modulus means that a higher stress can be generated with a smaller elongation.
Furthermore, in the expanding process using dicing tape 10, from the viewpoints of providing good cleavability when cleaving the semiconductor wafer into multiple small semiconductor chips and preventing tearing of dicing tape 10 due to tensile force, it is optimal to perform the expansion at a temperature of -5°C. Therefore, it is believed that by setting the tensile storage modulus at -5°C to a relatively high value of 100 MPa or more, it is possible to generate high stress with a smaller elongation rate.
As a result, it is believed that the cleavability when cleaving a semiconductor wafer into small semiconductor chips can be further improved.

本実施形態に係るダイシングテープ１０は、－５℃における引張貯蔵弾性率が４００ＭＰａ以下であることが好ましい。
これにより、ダイシングテープ１０の全体に十分な引張力を加えつつ、ダイシングテープ１０を比較的伸ばし易くなるため、ダイシングテープ１０に貼付された半導体ウェハの半導体チップへの割断時に、引張力によるダイシングテープ１０の破れを抑制しつつ、半導体ウェハから複数の半導体チップへの割断性をより一層向上させることができる。
また、－５℃における引張貯蔵弾性率が４００ＭＰａ以下であることにより、特に、半導体ウェハから複数の小型の半導体チップへの割断性をより一層向上させることができる。 The dicing tape 10 according to this embodiment preferably has a tensile storage modulus at -5°C of 400 MPa or less.
This makes it relatively easy to stretch the dicing tape 10 while applying sufficient tensile force to the entire dicing tape 10, so that when a semiconductor wafer attached to the dicing tape 10 is cut into semiconductor chips, tearing of the dicing tape 10 due to tensile force is suppressed, and the ability to cut the semiconductor wafer into multiple semiconductor chips is further improved.
Moreover, by having a tensile storage modulus of 400 MPa or less at -5°C, the ability to break a semiconductor wafer into a plurality of small semiconductor chips can be further improved.

－５℃における引張貯蔵弾性率は、以下のようにして求めることができる。
詳しくは、長さ４０ｍｍ（測定長さ）、幅１０ｍｍのダイシングテープを試験片とし、固体粘弾性測定装置（例えば、型式ＲＳＡＩＩＩ、レオメトリックサイエンティフィック株式会社製）を用いて、周波数１Ｈｚ、ひずみ量０．１％、昇温速度１０℃／ｍｉｎ、チャック間距離２２．５ｍｍの条件において、－５０～１００℃の温度範囲で前記試験片の引張貯蔵弾性率を測定する。その際、－５℃での値を読み取ることにより求めることができる。
なお、前記測定は、前記試験片をＭＤ方向（樹脂流れ方向）に引っ張ることにより行う。 The tensile storage modulus at −5° C. can be determined as follows.
Specifically, a dicing tape having a length of 40 mm (measurement length) and a width of 10 mm is used as a test piece, and the tensile storage modulus of the test piece is measured using a solid viscoelasticity measuring device (for example, Model RSAIII, manufactured by Rheometric Scientific Co., Ltd.) under conditions of a frequency of 1 Hz, a strain of 0.1%, a heating rate of 10° C./min, and a chuck distance of 22.5 mm in a temperature range of −50 to 100° C. In this case, the value can be obtained by reading the value at −5° C.
The measurement is carried out by pulling the test piece in the MD direction (resin flow direction).

本実施形態に係るダイシングテープ１０は、－５℃における３０％引張応力が５．５Ｎ／１０ｍｍ以上であることが好ましい。 The dicing tape 10 according to this embodiment preferably has a 30% tensile stress of 5.5 N/10 mm or more at -5°C.

本実施形態に係るダイシングテープ１０は、－５℃における３０％引張応力が３０Ｎ／１０ｍｍ以下であることが好ましい。
これより、エキスパンド中において、ダイシングテープ１０の全体に十分な引張力を加えつつ、ダイシングテープ１０を比較的伸ばし易くなるため、半導体ウェハに貼付したダイシングテープ１０をエキスパンドして、前記半導体ウェハを半導体チップに割断している間に、エキスパンドによるダイシングテープの破れを抑制しつつ、半導体ウェハから複数の半導体チップへの割断性をより一層向上させることができる。
また、－５℃における３０％引張応力が３０Ｎ／１０ｍｍ以下であることにより、特に、半導体ウェハから複数の小型の半導体チップへの割断性をより一層向上させることができる。 The dicing tape 10 according to this embodiment preferably has a 30% tensile stress at -5°C of 30 N/10 mm or less.
As a result, during expansion, sufficient tensile force can be applied to the entire dicing tape 10, and the dicing tape 10 can be stretched relatively easily. Therefore, when the dicing tape 10 attached to the semiconductor wafer is expanded to cut the semiconductor wafer into semiconductor chips, tearing of the dicing tape due to expansion can be suppressed, and the ability to cut the semiconductor wafer into multiple semiconductor chips can be further improved.
Furthermore, by having a 30% tensile stress at -5°C of 30N/10mm or less, the ability to break a semiconductor wafer into a plurality of small semiconductor chips can be further improved.

本実施形態に係るダイシングテープ１０は、室温（２３℃）における３０％引張応力が３．２Ｎ／１０ｍｍ以上であることが好ましい。 The dicing tape 10 according to this embodiment preferably has a 30% tensile stress of 3.2 N/10 mm or more at room temperature (23°C).

室温（２３℃）における３０％引張応力は３０Ｎ／１０ｍｍ以下であることが好ましい。
これより、エキスパンド中において、ダイシングテープ１０の全体に十分な引張力を加えつつ、ダイシングテープ１０を比較的伸ばし易くなるため、半導体ウェハに貼付したダイシングテープ１０をエキスパンドして、前記半導体ウェハを半導体チップに割断している間に、エキスパンドによるダイシングテープの破れを抑制しつつ、半導体ウェハから複数の半導体チップへの割断性をより一層向上させることができる。
また、室温における３０％引張応力を３０Ｎ／１０ｍｍ以下とすることにより、特に、半導体ウェハから複数の小型の半導体チップへの割断性をより一層向上させることができる。 The 30% tensile stress at room temperature (23° C.) is preferably 30 N/10 mm or less.
As a result, during expansion, sufficient tensile force can be applied to the entire dicing tape 10, and the dicing tape 10 can be stretched relatively easily. Therefore, when the dicing tape 10 attached to the semiconductor wafer is expanded to cut the semiconductor wafer into semiconductor chips, tearing of the dicing tape due to expansion can be suppressed, and the ability to cut the semiconductor wafer into multiple semiconductor chips can be further improved.
Furthermore, by setting the 30% tensile stress at room temperature to 30 N/10 mm or less, it is possible to further improve the ability to break a semiconductor wafer into a plurality of small semiconductor chips.

－５℃及び室温における３０％引張応力は、以下のようにして求めることができる。
詳しくは、長さ１００ｍｍ、幅１０ｍｍのダイシングテープを試験片とし、引張試験機（テンシロン万能試験機、島津製作所製）を用いて、測定温度（－５℃及び室温（２３℃±１℃）にて、チャック間距離５０ｍｍ及び引張速度１００ｍｍ／ｍｉｎの条件において、前記試験片を引っ張り、伸び率が３０％に達したとき（チャック間距離６５ｍｍ）の応力を測定することにより求めることができる。
なお、前記測定は、前記試験片をＭＤ方向（樹脂流れ方向）に引っ張ることにより行う。 The 30% tensile stress at −5° C. and room temperature can be determined as follows.
Specifically, a dicing tape having a length of 100 mm and a width of 10 mm is used as a test piece, and a tensile tester (Tensilon universal testing machine, manufactured by Shimadzu Corporation) is used to pull the test piece under the conditions of a measurement temperature (-5°C and room temperature (23°C±1°C), a chuck distance of 50 mm, and a tensile speed of 100 mm/min, and the stress is measured when the elongation rate reaches 30% (chuck distance of 65 mm).
The measurement is carried out by pulling the test piece in the MD direction (resin flow direction).

本実施形態に係るダイシングテープ１０は、室温における３０％引張応力に対する－５℃における３０％引張応力の比が１．７以上であることが好ましい。 The dicing tape 10 according to this embodiment preferably has a ratio of 30% tensile stress at -5°C to 30% tensile stress at room temperature of 1.7 or more.

本実施形態に係るダイシングテープ１０は、室温における３０％引張応力に対する－５℃における３０％引張応力の比が３．０以下であってもよい。
これにより、エキスパンド中において、ダイシングテープ１０の全体に十分な引張力を加えつつ、ダイシングテープ１０を比較的伸ばし易くなるため、半導体ウェハに貼付したダイシングテープ１０をエキスパンドして、前記半導体ウェハを半導体チップに割断している間に、エキスパンドによるダイシングテープの破れを抑制しつつ、半導体ウェハから複数の半導体チップへの割断性をより一層向上させることができる。
また、室温における３０％引張応力に対する－５℃における３０％引張応力の比が３．０以下であることにより、特に、半導体ウェハから複数の小型の半導体チップへの割断性をより一層向上させることができる。 The dicing tape 10 according to this embodiment may have a ratio of 30% tensile stress at −5° C. to 30% tensile stress at room temperature of 3.0 or less.
As a result, during expansion, sufficient tensile force can be applied to the entire dicing tape 10, making it relatively easy to stretch the dicing tape 10. Therefore, when the dicing tape 10 attached to the semiconductor wafer is expanded to cut the semiconductor wafer into semiconductor chips, tearing of the dicing tape due to expansion can be suppressed, and the ability to cut the semiconductor wafer into multiple semiconductor chips can be further improved.
Furthermore, by making the ratio of 30% tensile stress at -5°C to 30% tensile stress at room temperature 3.0 or less, the ability to break a semiconductor wafer into a plurality of small semiconductor chips can be further improved.

基材層１は、粘着剤層２を支持する。基材層１は、樹脂を含む。基材層１に含まれる樹脂としては、ポリオレフィン、ポリエステル、ポリウレタン、ポリカーボネート、ポリエーテルエーテルケトン、ポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリアミド、全芳香族ポリアミド、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリフェニルスルフィド、フッ素樹脂、セルロース系樹脂、及び、シリコーン樹脂等が挙げられる。 The substrate layer 1 supports the adhesive layer 2. The substrate layer 1 contains a resin. Examples of the resin contained in the substrate layer 1 include polyolefin, polyester, polyurethane, polycarbonate, polyether ether ketone, polyimide, polyetherimide, polyamide, wholly aromatic polyamide, polyvinyl chloride, polyvinylidene chloride, polyphenyl sulfide, fluororesin, cellulose-based resin, and silicone resin.

ポリオレフィンとしては、例えば、α－オレフィンのホモポリマー、２種以上のα－オレフィンの共重合体、ブロックポリプロピレン、ランダムポリプロピレン、１種または２種以上のα－オレフィンと他のビニルモノマーとの共重合体等が挙げられる。 Examples of polyolefins include homopolymers of α-olefins, copolymers of two or more types of α-olefins, block polypropylenes, random polypropylenes, and copolymers of one or more types of α-olefins with other vinyl monomers.

α－オレフィンのホモポリマーとしては、炭素数２以上１２以下のα－オレフィンのホモポリマーであることが好ましい。このようなホモポリマーとしては、エチレン、プロピレン、１－ブテン、４－メチル－１－ペンテン等が挙げられる。 The homopolymer of an α-olefin is preferably an α-olefin homopolymer having 2 to 12 carbon atoms. Examples of such homopolymers include ethylene, propylene, 1-butene, and 4-methyl-1-pentene.

２種以上のα－オレフィンの共重合体としては、エチレン／プロピレン共重合体、エチレン／１－ブテン共重合体、エチレン／プロピレン／１－ブテン共重合体、エチレン／炭素数５以上１２以下のα－オレフィン共重合体、プロピレン／エチレン共重合体、プロピレン／１－ブテン共重合体、プロピレン／炭素数５以上１２以下のα－オレフィン共重合体等が挙げられる。 Examples of copolymers of two or more α-olefins include ethylene/propylene copolymers, ethylene/1-butene copolymers, ethylene/propylene/1-butene copolymers, ethylene/α-olefin copolymers having 5 to 12 carbon atoms, propylene/ethylene copolymers, propylene/1-butene copolymers, and propylene/α-olefin copolymers having 5 to 12 carbon atoms.

１種または２種以上のα－オレフィンと他のビニルモノマーとの共重合体としては、エチレン－酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）等が挙げられる。 Examples of copolymers of one or more α-olefins with other vinyl monomers include ethylene-vinyl acetate copolymer (EVA).

ポリオレフィンは、α－オレフィン系熱可塑性エラストマーと呼ばれるものであってもよい。α－オレフィン系熱可塑性エラストマーとしては、プロピレン・エチレン共重合体とプロピレンホモポリマーとを組み合わせたもの、または、プロピレン・エチレン・炭素数４以上のα－オレフィン三元共重合体が挙げられる。
α－オレフィン系熱可塑性エラストマーの市販品としては、例えば、プロピレン系エラストマー樹脂であるビスタマックス３９８０（エクソンモービルケミカル社製）が挙げられる。 The polyolefin may be an α-olefin thermoplastic elastomer, such as a combination of a propylene-ethylene copolymer and a propylene homopolymer, or a ternary copolymer of propylene, ethylene, and an α-olefin having 4 or more carbon atoms.
An example of a commercially available α-olefin-based thermoplastic elastomer is Vistamax 3980 (manufactured by ExxonMobil Chemical Corporation), which is a propylene-based elastomer resin.

基材層１は、前記した樹脂を１種含むものであってもよいし、前記した樹脂を２種以上含むものであってもよい。
なお、粘着剤層２が後述する紫外線硬化粘着剤を含む場合、基材層１は、紫外線透過性を有するように構成されることが好ましい。 The substrate layer 1 may contain one type of the above-mentioned resin, or may contain two or more types of the above-mentioned resin.
When the adhesive layer 2 contains an ultraviolet-curable adhesive described below, the base layer 1 is preferably configured to be ultraviolet-transmitting.

基材層１は、単層構造であってもよいし、積層構造であってもよい。基材層１は、無延伸成形により得られてもよいし、延伸成形により得られてもよいが、延伸成形により得られることが好ましい。基材層１が積層構造である場合、基材層１は、エラストマーを含む層（以下、エラストマー層という）と非エラストマーを含む層（以下、非エラストマー層という）とを有することが好ましい。
基材層１をエラストマー層と非エラストマー層とを有するものとすることにより、エラストマー層を、引張応力を緩和する応力緩和層として機能させることができる。すなわち、基材層１に生じる引張応力を比較的小さくすることができるので、基材層１を適度な硬さを有しつつ、比較的伸び易いものとすることができる。
これにより、半導体ウェハから複数の半導体チップへの割断性を向上させることができる。
また、割断工程におけるエキスパンド時に、基材層１が破れて破損することを抑制することができる。
なお、本明細書においては、エラストマー層とは、非エラストマー層に比べて室温での引張貯蔵弾性率が低い低弾性率層を意味する。エラストマー層としては、室温での引張貯蔵弾性率が１０ＭＰａ以上１００ＭＰａ以下のものが挙げられ、非エラストマー層としては、室温での引張貯蔵弾性率が２００ＭＰａ以上５００ＭＰａ以下のものが挙げられる。 The substrate layer 1 may have a single layer structure or a laminated structure. The substrate layer 1 may be obtained by non-stretch molding or by stretch molding, but is preferably obtained by stretch molding. When the substrate layer 1 has a laminated structure, it is preferable that the substrate layer 1 has a layer containing an elastomer (hereinafter referred to as an elastomer layer) and a layer containing a non-elastomer (hereinafter referred to as a non-elastomer layer).
By providing the base layer 1 with an elastomer layer and a non-elastomer layer, the elastomer layer can function as a stress relaxation layer that relaxes tensile stress. In other words, the tensile stress generated in the base layer 1 can be made relatively small, so that the base layer 1 can be made relatively stretchable while having an appropriate hardness.
This improves the ease with which the semiconductor wafer can be broken into a plurality of semiconductor chips.
Furthermore, the base layer 1 can be prevented from breaking and being damaged during the expanding process in the cleaving step.
In this specification, the elastomer layer refers to a low modulus layer having a lower tensile storage modulus at room temperature than a non-elastomer layer. The elastomer layer may have a tensile storage modulus of 10 MPa or more and 100 MPa or less at room temperature, and the non-elastomer layer may have a tensile storage modulus of 200 MPa or more and 500 MPa or less at room temperature.

エラストマー層は、１種のエラストマーを含むものであってもよいし、２種以上のエラストマーを含むものであってもよいが、α－オレフィン系熱可塑性エラストマーを含むことが好ましい。
非エラストマー層は、１種の非エラストマーを含むものであってもよいし、２種以上の非エラストマーを含むものであってもよいが、後述するメタロセンＰＰを含むことが好ましい。
基材層１がエラストマー層と非エラストマー層とを有する場合、基材層１は、エラストマー層を中心層とし、該中心層の互いに対向する両面に非エラストマー層を有する三層構造（非エラストマー層／エラストマー層／非エラストマー層）に形成されることが好ましい（図１参照）。なお、図１では、一方の非エラストマー層を第１樹脂層１ａとして示し、エラストマー層を第２樹脂層１ｂとして示し、他方の非エラストマー層を第３樹脂層１ｃとして示している。 The elastomer layer may contain one kind of elastomer or may contain two or more kinds of elastomers, but preferably contains an α-olefin-based thermoplastic elastomer.
The non-elastomer layer may contain one type of non-elastomer or may contain two or more types of non-elastomers, but preferably contains metallocene PP, which will be described later.
When the base layer 1 has an elastomer layer and a non-elastomer layer, the base layer 1 is preferably formed in a three-layer structure (non-elastomer layer/elastomer layer/non-elastomer layer) having an elastomer layer as a central layer and non-elastomer layers on both opposing sides of the central layer (see Fig. 1). In Fig. 1, one non-elastomer layer is shown as a first resin layer 1a, the elastomer layer is shown as a second resin layer 1b, and the other non-elastomer layer is shown as a third resin layer 1c.

また、前記したように、カーフ維持工程においては、室温（例えば２３℃）でエキスパンド状態を維持した前記ダイシングダイボンドフィルムに熱風（例えば、１００～１３０℃）を当てて前記ダイシングダイボンドフィルムを熱収縮させた後、冷却固化させるため、基材層１の最外層は、ダイシングテープに当てられる熱風の温度に近い融点を有する樹脂を含んでいることが好ましい。これにより、熱風を当てることにより溶融した最外層をより迅速に固化させることができる。
その結果、カーフ維持工程において、カーフをより十分に維持することができる。 As described above, in the kerf maintaining step, hot air (e.g., 100 to 130°C) is applied to the dicing die bond film maintained in an expanded state at room temperature (e.g., 23°C) to thermally shrink the dicing die bond film, and then the dicing die bond film is cooled and solidified, so that the outermost layer of the base material layer 1 preferably contains a resin having a melting point close to the temperature of the hot air applied to the dicing tape. This allows the outermost layer melted by applying hot air to be solidified more quickly.
As a result, the kerf can be more sufficiently maintained in the kerf maintaining step.

基材層１がエラストマー層と非エラストマー層との積層構造であり、エラストマー層がα－オレフィン系熱可塑性エラストマーを含み、かつ、非エラストマー層が後述するメタロセンＰＰなどのポリオレフィンを含む場合、エラストマー層は、該エラストマー層を形成するエラストマーの総質量に対して、α－オレフィン系熱可塑性エラストマーを５０質量％以上１００質量％以下含んでいることが好ましく、７０質量％以上１００質量％以下含んでいることがより好ましく、８０質量％以上１００質量％以下含んでいることがさらに好ましく、９０質量％以上１００質量％以下含んでいることが特に好ましく、９５質量％以上１００質量％以下含んでいることが最適である。α－オレフィン系熱可塑性エラストマーが前記範囲で含まれていることにより、エラストマー層と非エラストマー層との親和性が高くなるため、基材層１を比較的容易に押出成形することができる。また、エラストマー層を応力緩和層として作用させることができるので、ダイシングテープに貼付した半導体ウェハを効率良く割断することができる。 When the base layer 1 has a laminated structure of an elastomer layer and a non-elastomer layer, the elastomer layer contains an α-olefin thermoplastic elastomer, and the non-elastomer layer contains a polyolefin such as metallocene PP described later, the elastomer layer preferably contains 50% by mass or more and 100% by mass or less of the α-olefin thermoplastic elastomer relative to the total mass of the elastomer forming the elastomer layer, more preferably 70% by mass or more and 100% by mass or less, even more preferably 80% by mass or more and 100% by mass or less, particularly preferably 90% by mass or more and 100% by mass or less, and optimally 95% by mass or more and 100% by mass or less. By containing the α-olefin thermoplastic elastomer in the above range, the affinity between the elastomer layer and the non-elastomer layer is increased, so that the base layer 1 can be extrusion molded relatively easily. In addition, the elastomer layer can act as a stress relaxation layer, so that the semiconductor wafer attached to the dicing tape can be efficiently cut.

基材層１がエラストマー層と非エラストマー層との積層構造である場合、基材層１は、エラストマーと非エラストマーとを共押出して、エラストマー層と非エラストマー層との積層構造とする共押出成形により得られることが好ましい。共押出成形としては、フィルムやシート等の製造において一般に行われる任意の適切な共押出成形を採用することができる。共押出成形の中でも、基材層１を効率良く安価に得ることができる点から、インフレーション法や共押出Ｔダイ法を採用することが好ましい。 When the base layer 1 has a laminated structure of an elastomer layer and a non-elastomer layer, the base layer 1 is preferably obtained by co-extrusion molding in which an elastomer and a non-elastomer are co-extruded to form a laminated structure of an elastomer layer and a non-elastomer layer. As the co-extrusion molding, any appropriate co-extrusion molding generally performed in the manufacture of films, sheets, etc. can be used. Among the co-extrusion moldings, it is preferable to use the inflation method or the co-extrusion T-die method, since the base layer 1 can be obtained efficiently and inexpensively.

積層構造をなす基材層１を共押出成形にて得る場合、前記エラストマー層及び前記非エラストマー層は加熱されて溶融された状態で接するため、前記エラストマー及び前記非エラストマーの融点差は小さい方が好ましい。融点差が小さいことにより、低融点となる前記エラストマーまたは前記非エラストマーのいずれかに過度の熱がかかることが抑制されることから、低融点となる前記エラストマーまたは前記非エラストマーのいずれかが熱劣化することによって副生成物が生成されることを抑制できる。また、低融点となる前記エラストマーまたは前記非エラストマーのいずれかの粘度が過度に低下することにより前記エラストマー層と前記非エラストマー層との間に積層不良が生じることも抑制できる。前記エラストマー及び前記非エラストマーの融点差は、０℃以上７０℃以下であることが好ましく、０℃以上５５℃以下であることがより好ましい。
前記エラストマー及び前記非エラストマーの融点は、示差走査熱量（ＤＳＣ）分析により測定することができる。例えば、示差走査熱量計装置（ＴＡインスツルメンツ社製、型式ＤＳＣＱ２０００）を用い、窒素ガス気流下、昇温速度５℃／ｍｉｎにて２００℃まで昇温し、吸熱ピークのピーク温度を求めることにより測定することができる。 When the base layer 1 having a laminated structure is obtained by co-extrusion molding, the elastomer layer and the non-elastomer layer are in contact with each other in a heated and molten state, so it is preferable that the melting point difference between the elastomer and the non-elastomer is small. A small melting point difference prevents excessive heat from being applied to either the elastomer or the non-elastomer having a low melting point, thereby preventing the generation of by-products due to thermal deterioration of either the elastomer or the non-elastomer having a low melting point. In addition, it is also possible to prevent lamination defects between the elastomer layer and the non-elastomer layer due to an excessive decrease in viscosity of either the elastomer or the non-elastomer having a low melting point. The melting point difference between the elastomer and the non-elastomer is preferably 0°C or more and 70°C or less, more preferably 0°C or more and 55°C or less.
The melting points of the elastomer and the non-elastomer can be measured by differential scanning calorimetry (DSC) analysis. For example, the melting points can be measured by using a differential scanning calorimeter (manufactured by TA Instruments, model DSC Q2000) to raise the temperature to 200° C. at a rate of 5° C./min under a nitrogen gas flow, and determining the peak temperature of the endothermic peak.

基材層１の厚さは、５５μｍ以上１９５μｍ以下であることが好ましく、５５μｍ以上１９０μｍ以下であることがより好ましく、５５μｍ以上１７０μｍ以下であることがさらに好ましく、６０μｍ以上１６０μｍ以下であることが最適である。基材層１の厚さを前記の範囲とすることにより、ダイシングテープを効率良く製造することができ、かつ、ダイシングテープに貼付した半導体ウェハを効率良く割断することができる。
基材層１の厚さは、例えば、ダイアルゲージ（ＰＥＡＣＯＣＫ社製、型式Ｒ－２０５）を用いて、ランダムに選んだ任意の５点の厚さを測定し、これらの厚さを算術平均することにより求めることができる。 The thickness of the base layer 1 is preferably 55 μm or more and 195 μm or less, more preferably 55 μm or more and 190 μm or less, even more preferably 55 μm or more and 170 μm or less, and optimally 60 μm or more and 160 μm or less. By setting the thickness of the base layer 1 within the above range, the dicing tape can be efficiently manufactured, and the semiconductor wafer attached to the dicing tape can be efficiently cut.
The thickness of the base layer 1 can be determined, for example, by measuring the thickness at five randomly selected points using a dial gauge (manufactured by PEACOCK, model R-205) and calculating the arithmetic average of these thicknesses.

エラストマー層と非エラストマー層とを積層させた基材層１において、エラストマー層の厚さに対する非エラストマー層の厚さの比は、１／２５以上１／３以下であることが好ましく、１／２５以上１／３．５以下であることがより好ましく、１／２５以上１／４以下であることがさらに好ましく、１／２２以上１／４以下であることが特に好ましく、１／２０以上１／４以下であることが最適である。エラストマー層の厚さに対する非エラストマー層の厚さの比を前記範囲とすることにより、ダイシングテープに貼付した半導体ウェハをより効率良く割断することができる。 In the base layer 1 in which an elastomer layer and a non-elastomer layer are laminated, the ratio of the thickness of the non-elastomer layer to the thickness of the elastomer layer is preferably 1/25 to 1/3, more preferably 1/25 to 1/3.5, even more preferably 1/25 to 1/4, particularly preferably 1/22 to 1/4, and optimally 1/20 to 1/4. By setting the ratio of the thickness of the non-elastomer layer to the thickness of the elastomer layer within the above range, the semiconductor wafer attached to the dicing tape can be more efficiently cleaved.

エラストマー層は、単層（１層）構造であってもよいし、積層構造であってもよい。エラストマー層は、１層～５層構造であることが好ましく、１層～３層構造であることがより好ましく、１層～２層構造であることがさらに好ましく、１層構造であることが最適である。エラストマー層が積層構造である場合、全ての層が同じエラストマーを含んでいてもよいし、少なくも２層が異なるエラストマーを含んでいてもよい。 The elastomer layer may have a single layer (one layer) structure or a laminated structure. The elastomer layer preferably has a one to five layer structure, more preferably a one to three layer structure, even more preferably a one to two layer structure, and optimally a one layer structure. When the elastomer layer has a laminated structure, all layers may contain the same elastomer, or at least two layers may contain different elastomers.

非エラストマー層は、単層（１層）構造であってもよいし、積層構造であってもよい。非エラストマー層は、１層～５層構造であることが好ましく、１層～３層構造であることがより好ましく、１層～２層構造であることがさらに好ましく、１層構造であることが最適である。非エラストマー層が積層構造である場合、全ての層が同じ非エラストマーを含んでいてもよいし、少なくとも２層が異なる非エラストマーを含んでいてもよい。 The non-elastomer layer may have a single layer (one layer) structure or a laminated structure. The non-elastomer layer preferably has a one- to five-layer structure, more preferably a one- to three-layer structure, even more preferably a one- to two-layer structure, and optimally a one-layer structure. When the non-elastomer layer has a laminated structure, all layers may contain the same non-elastomer, or at least two layers may contain different non-elastomers.

非エラストマー層は、非エラストマーとして、メタロセン触媒による重合品であるポリプロピレン樹脂（以下、メタロセンＰＰという）を含むことが好ましい。メタロセンＰＰとしては、メタロセン触媒の重合品であるプロピレン／α－オレフィン共重合体が挙げられる。非エラストマー層がメタロセンＰＰを含むことにより、ダイシングテープを効率良く製造することができ、かつ、ダイシングテープに貼付した半導体ウェハを効率良く割断することができる。
なお、市販のメタロセンＰＰとしては、ウィンテックＷＸＫ１２３３、ウィンテックＷＭＸ０３（いずれも、日本ポリプロ社製）が挙げられる。 The non-elastomer layer preferably contains, as a non-elastomer, a polypropylene resin (hereinafter referred to as metallocene PP) which is a polymerization product of a metallocene catalyst. Examples of metallocene PP include propylene/α-olefin copolymers which are polymerization products of a metallocene catalyst. By containing metallocene PP in the non-elastomer layer, the dicing tape can be efficiently produced, and the semiconductor wafer attached to the dicing tape can be efficiently cut.
Examples of commercially available metallocene PP include Wintech WXK1233 and Wintech WMX03 (both manufactured by Japan Polypropylene Corporation).

ここで、メタロセン触媒とは、シクロペンタジエニル骨格を有する配位子を含む周期表第４族の遷移金属化合物（いわゆる、メタロセン化合物）と、メタロセン化合物と反応して該メタロセン化合物を安定なイオン状態に活性化し得る助触媒とからなる触媒であり、必要により、有機アルミニウム化合物を含む。メタロセン化合物は、プロピレンの立体規則性重合を可能とする架橋型のメタロセン化合物である。 The metallocene catalyst is a catalyst consisting of a transition metal compound of Group 4 of the periodic table (so-called metallocene compound) that contains a ligand having a cyclopentadienyl skeleton, and a cocatalyst that can react with the metallocene compound to activate the metallocene compound to a stable ionic state, and optionally contains an organoaluminum compound. The metallocene compound is a crosslinked metallocene compound that enables stereoregular polymerization of propylene.

前記メタロセン触媒の重合品であるプロピレン／α－オレフィン共重合体の中でも、メタロセン触媒の重合品であるプロピレン／α－オレフィンランダム共重合体が好ましく、前記メタロセン触媒の重合品であるプロピレン／α－オレフィンランダム共重合体の中でも、メタロセン触媒の重合品であるプロピレン／炭素数２のα－オレフィンランダム共重合体、メタロセン触媒の重合品であるプロピレン／炭素数４のα－オレフィンランダム共重合体、及び、メタロセン触媒の重合品であるプロピレン／炭素数５のα－オレフィンランダム共重合体の中から選ばれるものが好ましく、これらの中でも、メタロセン触媒の重合品であるプロピレン／エチレンランダム共重合体が最適である。 Among the propylene/α-olefin copolymers which are polymerization products of the metallocene catalyst, propylene/α-olefin random copolymers which are polymerization products of the metallocene catalyst are preferred, and among the propylene/α-olefin random copolymers which are polymerization products of the metallocene catalyst, those selected from propylene/α-olefin random copolymers having 2 carbon atoms which are polymerization products of the metallocene catalyst, propylene/α-olefin random copolymers having 4 carbon atoms which are polymerization products of the metallocene catalyst, and propylene/α-olefin random copolymers having 5 carbon atoms which are polymerization products of the metallocene catalyst are preferred, and among these, propylene/ethylene random copolymers which are polymerization products of the metallocene catalyst are the most suitable.

前記メタロセン触媒の重合品であるプロピレン／α－オレフィンランダム共重合体としては、前記エラストマー層との共押出成膜性、及び、ダイシングテープに貼付した半導体ウェハの割断性の観点から、融点が８０℃以上１４０℃以下、特に、１００℃以上１３０℃以下のものが好ましい。
前記メタロセン触媒の重合品であるプロピレン／α－オレフィンランダム共重合体の融点は、前記した方法によって測定することができる。 The propylene/α-olefin random copolymer, which is a polymerization product of the metallocene catalyst, preferably has a melting point of 80° C. or more and 140° C. or less, particularly 100° C. or more and 130° C. or less, from the viewpoints of coextrusion film-forming property with the elastomer layer and cleavability of a semiconductor wafer attached to a dicing tape.
The melting point of the propylene/α-olefin random copolymer, which is the polymerization product of the metallocene catalyst, can be measured by the method described above.

ここで、前記エラストマー層が基材層１の最外層に配されていると、基材層１をロール体とした場合に、最外層に配された前記エラストマー層同士がブロッキングし易くなる（くっつき易くなる）。そのため、基材層１をロール体から巻き戻し難くなる。これに対し、前記した積層構造の基材層１の好ましい態様では、非エラストマー層／エラストマー層／非エラストマー層、すなわち、最外層に非エラストマー層が配されているので、このような態様の基材層１は、耐ブロッキング性に優れたものとなる。これにより、ブロッキングによってダイシングテープ１０を用いた半導体装置の製造が遅延することを抑制できる。 Here, if the elastomer layer is disposed on the outermost layer of the base layer 1, when the base layer 1 is formed into a roll, the elastomer layers disposed on the outermost layers tend to block (stick together). This makes it difficult to unwind the base layer 1 from the roll. In contrast, in a preferred embodiment of the base layer 1 having the laminated structure described above, a non-elastomer layer/elastomer layer/non-elastomer layer is disposed, i.e., a non-elastomer layer is disposed on the outermost layer, so that the base layer 1 in such an embodiment has excellent blocking resistance. This makes it possible to prevent delays in the manufacture of semiconductor devices using the dicing tape 10 due to blocking.

前記非エラストマー層は、１００℃以上１３０℃以下の融点を有し、かつ、分子量分散度（質量平均分子量／数平均分子量）が５以下である樹脂を含むことが好ましい。このような樹脂としては、メタロセンＰＰが挙げられる。
前記非エラストマー層が前記のごとき樹脂を含むことにより、カーフ維持工程において、非エラストマー層をより迅速に冷却固化することができる。そのため、ダイシングテープを熱収縮させた後に、基材層１が縮むことをより十分に抑制することができる。
これにより、カーフ維持工程において、カーフをより十分に維持することができる。 The non-elastomer layer preferably contains a resin having a melting point of 100° C. or more and 130° C. or less, and a molecular weight dispersity (mass average molecular weight/number average molecular weight) of not more than 5. An example of such a resin is metallocene PP.
By including such a resin in the non-elastomer layer, the non-elastomer layer can be cooled and solidified more quickly in the kerf maintaining step, and therefore, shrinkage of the base layer 1 can be more sufficiently suppressed after the dicing tape is thermally shrunk.
This makes it possible to more sufficiently maintain the kerf in the kerf maintaining step.

粘着剤層２は、粘着剤を含有する。粘着剤層２は、半導体チップに個片化するための半導体ウェハを粘着することにより保持する。 The adhesive layer 2 contains an adhesive. The adhesive layer 2 adheres to the semiconductor wafer to be diced into semiconductor chips, thereby holding the semiconductor wafer in place.

前記粘着剤としては、ダイシングテープ１０の使用過程において外部からの作用により粘着力を低減可能なもの（以下、粘着低減型粘着剤という）が挙げられる。 The adhesive may be one whose adhesive strength can be reduced by external action during use of the dicing tape 10 (hereinafter referred to as an adhesive reduction type adhesive).

粘着剤として粘着低減型粘着剤を用いる場合、ダイシングテープ１０の使用過程において、粘着剤層２が比較的高い粘着力を示す状態（以下、高粘着状態という）と、比較的低い粘着力を示す状態（以下、低粘着状態という）とを使い分けることができる。例えば、ダイシングテープ１０に貼付された半導体ウェハが割断に供されるときには、半導体ウェハの割断により個片化された複数の半導体チップが、粘着剤層２から浮き上がったり剥離したりすることを抑制するために、高粘着状態を利用する。これに対し、半導体ウェハの割断後に、個片化された複数の半導体チップをピックアップするためには、粘着剤層２から複数の半導体チップをピックアップし易くするために、低粘着状態を利用する。 When a reduced-adhesion adhesive is used as the adhesive, during the use of the dicing tape 10, the adhesive layer 2 can be used in either a state where it exhibits a relatively high adhesive strength (hereinafter referred to as a high-adhesion state) or a state where it exhibits a relatively low adhesive strength (hereinafter referred to as a low-adhesion state). For example, when a semiconductor wafer attached to the dicing tape 10 is subjected to cutting, the high-adhesion state is used to prevent the multiple semiconductor chips separated by cutting the semiconductor wafer from lifting up or peeling off from the adhesive layer 2. In contrast, in order to pick up the multiple semiconductor chips separated after cutting the semiconductor wafer, the low-adhesion state is used to make it easier to pick up the multiple semiconductor chips from the adhesive layer 2.

前記粘着低減型粘着剤としては、例えば、ダイシングテープ１０の使用過程において放射線照射によって硬化させることが可能な粘着剤（以下、放射線硬化粘着剤という）が挙げられる。 The tack-reducing adhesive may be, for example, an adhesive that can be cured by exposure to radiation during use of the dicing tape 10 (hereinafter referred to as a radiation-curable adhesive).

前記放射線硬化粘着剤としては、例えば、電子線、紫外線、α線、β線、γ線、またはＸ線の照射によって硬化するタイプの粘着剤が挙げられる。これらの中でも、紫外線照射により硬化する粘着剤（紫外線硬化粘着剤）を用いることが好ましい。 The radiation-curable adhesive may be, for example, an adhesive that cures when irradiated with electron beams, ultraviolet rays, alpha rays, beta rays, gamma rays, or X-rays. Of these, it is preferable to use an adhesive that cures when irradiated with ultraviolet rays (ultraviolet-curable adhesive).

前記放射線硬化粘着剤としては、例えば、アクリル系ポリマーなどのベースポリマーと、放射線重合性の炭素－炭素二重結合等の官能基を有する放射線重合性モノマー成分や放射線重合性オリゴマー成分とを含む、添加型の放射線硬化粘着剤が挙げられる。 The radiation-curable adhesive may be, for example, an additive-type radiation-curable adhesive that contains a base polymer such as an acrylic polymer and a radiation-polymerizable monomer component or a radiation-polymerizable oligomer component that has a functional group such as a radiation-polymerizable carbon-carbon double bond.

前記アクリル系ポリマーとしては、（メタ）アクリル酸エステルに由来するモノマー単位を含むものが挙げられる。（メタ）アクリル酸エステルとしては、例えば、（メタ）アクリル酸アルキルエステル、（メタ）アクリル酸シクロアルキルエステル、及び、（メタ）アクリル酸アリールエステル等が挙げられる。 The acrylic polymer includes a monomer unit derived from a (meth)acrylic acid ester. Examples of the (meth)acrylic acid ester include an alkyl (meth)acrylate ester, a cycloalkyl (meth)acrylate ester, and an aryl (meth)acrylate ester.

粘着剤層２は、外部架橋剤を含んでいてもよい。外部架橋剤としては、ベースポリマーであるアクリル系ポリマーと反応して架橋構造を形成できるものであれば、どのようなものでも用いることができる。このような外部架橋剤としては、例えば、ポリイソシアネート化合物、エポキシ化合物、ポリオール化合物、アジリジン化合物、及び、メラミン系架橋剤等が挙げられる。 The adhesive layer 2 may contain an external crosslinking agent. Any external crosslinking agent can be used as long as it can react with the acrylic polymer, which is the base polymer, to form a crosslinked structure. Examples of such external crosslinking agents include polyisocyanate compounds, epoxy compounds, polyol compounds, aziridine compounds, and melamine-based crosslinking agents.

前記放射線重合性モノマー成分としては、例えば、ウレタン（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールテトラ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、および、１，４－ブタンジオールジ（メタ）アクリレート等が挙げられる。前記放射線重合性オリゴマー成分としては、例えば、ウレタン系、ポリエーテル系、ポリエステル系、ポリカーボネート系、ポリブタジエン系などの種々のオリゴマーが挙げられる。前記放射線硬化粘着剤中の放射線重合性モノマー成分や放射線重合性オリゴマー成分の含有割合は、粘着剤層２の粘着性を適切に低下させる範囲で選ばれる。 Examples of the radiation polymerizable monomer component include urethane (meth)acrylate, trimethylolpropane tri(meth)acrylate, pentaerythritol tri(meth)acrylate, pentaerythritol tetra(meth)acrylate, dipentaerythritol monohydroxypenta(meth)acrylate, dipentaerythritol hexa(meth)acrylate, and 1,4-butanediol di(meth)acrylate. Examples of the radiation polymerizable oligomer component include various oligomers such as urethane-based, polyether-based, polyester-based, polycarbonate-based, and polybutadiene-based oligomers. The content ratio of the radiation polymerizable monomer component or radiation polymerizable oligomer component in the radiation curable adhesive is selected within a range that appropriately reduces the adhesiveness of the adhesive layer 2.

前記放射線硬化粘着剤は、光重合開始剤を含むことが好ましい。光重合開始剤としては、例えば、α－ケトール系化合物、アセトフェノン系化合物、ベンゾインエーテル系化合物、ケタール系化合物、芳香族スルホニルクロリド系化合物、光活性オキシム系化合物、ベンゾフェノン系化合物、チオキサントン系化合物、カンファーキノン、ハロゲン化ケトン、アシルホスフィノキシド、及び、アシルホスフォナート等が挙げられる。 The radiation-curable adhesive preferably contains a photopolymerization initiator. Examples of photopolymerization initiators include α-ketol compounds, acetophenone compounds, benzoin ether compounds, ketal compounds, aromatic sulfonyl chloride compounds, photoactive oxime compounds, benzophenone compounds, thioxanthone compounds, camphorquinone, halogenated ketones, acylphosphinoxides, and acylphosphonates.

粘着剤層２は、前記各成分に加えて、架橋促進剤、粘着付与剤、老化防止剤、顔料、又は、染料などの着色剤等を含んでいてもよい。 In addition to the above components, the adhesive layer 2 may contain a crosslinking accelerator, a tackifier, an anti-aging agent, a pigment, a colorant such as a dye, etc.

粘着剤層２の厚さは、１μｍ以上５０μｍ以下であることが好ましく、２μｍ以上３０μｍ以下であることがより好ましく、５μｍ以上２５μｍ以下であることがさらに好ましい。 The thickness of the adhesive layer 2 is preferably 1 μm or more and 50 μm or less, more preferably 2 μm or more and 30 μm or less, and even more preferably 5 μm or more and 25 μm or less.

［ダイシングダイボンドフィルム］
次に、図２を参照しながら、ダイシングダイボンドフィルム２０について説明する。なお、ダイシングダイボンドフィルム２０の説明において、ダイシングテープ１０と重複する部分においては、その説明は繰り返さない。 [Dicing die bond film]
Next, the dicing die bond film 20 will be described with reference to Fig. 2. In the description of the dicing die bond film 20, the description of the portions that overlap with the dicing tape 10 will not be repeated.

図２に示したように、本実施形態に係るダイシングダイボンドフィルム２０は、基材層１上に粘着剤層２が積層されたダイシングテープ１０と、ダイシングテープ１０の粘着剤層２上に積層されたダイボンド層３と、を備える。
ダイシングダイボンドフィルム２０では、ダイボンド層３上に半導体ウェハが貼付される。
ダイシングダイボンドフィルム２０を用いた半導体ウェハの割断においては、半導体ウェハと共にダイボンド層３も割断される。ダイボンド層３は、個片化された複数の半導体チップのサイズに相当する大きさに割断される。これにより、ダイボンド層３付の半導体チップを得ることができる。
ダイシングダイボンドフィルム２０のダイシングテープ１０は、前記したように、－５℃における引張貯蔵弾性率が１００ＭＰａ以上である。 As shown in Figure 2, the dicing die bond film 20 of this embodiment comprises a dicing tape 10 having an adhesive layer 2 laminated on a base layer 1, and a die bond layer 3 laminated on the adhesive layer 2 of the dicing tape 10.
In the dicing die bond film 20 , a semiconductor wafer is attached onto the die bond layer 3 .
When the semiconductor wafer is cut using the dicing die bond film 20, the die bond layer 3 is also cut together with the semiconductor wafer. The die bond layer 3 is cut into pieces having sizes corresponding to the sizes of the individual semiconductor chips. This makes it possible to obtain semiconductor chips with the die bond layer 3 attached thereto.
As described above, the dicing tape 10 of the dicing die bond film 20 has a tensile storage modulus at -5°C of 100 MPa or more.

ここで、一般に、ダイシングダイボンドフィルム２０のダイボンド層３は、ガラス転移温度（Ｔｇ）が０℃付近であるアクリル樹脂を含んでいることが多いため、エキスパンド工程の温度をアクリル樹脂のＴｇよりも低い温度にすることにより割れ易くなる。一方で、エキスパンド工程の温度を下げ過ぎると、ダイボンド層３の弾性率は、ダイボンド層３の割断性に支障をきたすほど上昇するようになる。そのため、ダイボンド層３の割断性の観点から、エキスパンド工程の温度は－５℃とすることが好適である。
したがって、ダイシングダイボンドフィルム２０を用いたエキスパンド工程では、先に説明したように、半導体ウェハを複数の小型の半導体チップに割断する際の割断性が良好であり、かつ、引張力によるダイシングテープ１０の破れが発生し難いという観点に加えて、ダイボンド層３の割断性の観点から、－５℃という温度を採用してエキスパンド工程を行うことが最適であると考えられる。
そのため、ダイシングダイボンドフィルム２０においても、－５℃における引張貯蔵弾性率を１００ＭＰａという比較的高い値とすることにより、より少ない伸び率で高い応力を発生することができると考えられる。
その結果、半導体ウェハを小型の半導体チップに割断するときの割断性をより一層向上させることができると推察される。 Generally, the die bond layer 3 of the dicing die bond film 20 often contains an acrylic resin whose glass transition temperature (Tg) is around 0° C., and therefore, by setting the temperature in the expanding step to a temperature lower than the Tg of the acrylic resin, the die bond layer 3 becomes more likely to crack. On the other hand, if the temperature in the expanding step is lowered too much, the elastic modulus of the die bond layer 3 increases to such an extent that the cleavability of the die bond layer 3 is impaired. Therefore, from the viewpoint of the cleavability of the die bond layer 3, it is preferable to set the temperature in the expanding step to −5° C.
Therefore, in the expanding process using the dicing die bond film 20, as explained above, it is considered optimal to perform the expanding process at a temperature of -5°C from the viewpoint of the frangibility of the die bond layer 3, in addition to the viewpoint of providing good frangibility when frangible into a plurality of small semiconductor chips and preventing tearing of the dicing tape 10 due to tensile force.
Therefore, it is considered that by setting the tensile storage modulus at -5°C to a relatively high value of 100 MPa in the dicing die bond film 20 as well, high stress can be generated with a smaller elongation rate.
As a result, it is believed that the cleavability when cleaving a semiconductor wafer into small semiconductor chips can be further improved.

ダイシングダイボンドフィルム２０のダイシングテープ１０は、前記したように、－５℃における引張貯蔵弾性率が４００ＭＰａ以下であることが好ましい。
また、ダイシングダイボンドフィルム２０のダイシングテープ１０は、前記したように、－５℃における３０％引張応力が５．５Ｎ／１０ｍｍ以上であることが好ましく、室温における３０％引張応力が３．２Ｎ／１０ｍｍであることが好ましく、室温における３０％引張応力に対する－５℃における３０％引張応力の比が１．７以上であることが好ましい。
さらに、ダイシングダイボンドフィルム２０のダイシングテープ１０は、前記したように、－５℃における３０％引張応力が３０Ｎ／１０ｍｍ以下であることが好ましく、室温における３０％引張応力が３０Ｎ／１０ｍｍ以下であることが好ましい。 As described above, the dicing tape 10 of the dicing die bond film 20 preferably has a tensile storage modulus at -5°C of 400 MPa or less.
As described above, the dicing tape 10 of the dicing die bond film 20 preferably has a 30% tensile stress of 5.5 N/10 mm or more at -5°C, a 30% tensile stress of 3.2 N/10 mm or more at room temperature, and a ratio of the 30% tensile stress at -5°C to the 30% tensile stress at room temperature of 1.7 or more.
Furthermore, as described above, the dicing tape 10 of the dicing die bond film 20 preferably has a 30% tensile stress of 30 N/10 mm or less at −5° C., and preferably has a 30% tensile stress of 30 N/10 mm or less at room temperature.

ダイボンド層３は、熱硬化性を有することが好ましい。ダイボンド層３に熱硬化性樹脂及び熱硬化性官能基を有する熱可塑性樹脂の少なくとも一方を含ませることにより、ダイボンド層３に熱硬化性を付与することができる。 It is preferable that the die bond layer 3 has thermosetting properties. By including at least one of a thermosetting resin and a thermoplastic resin having a thermosetting functional group in the die bond layer 3, the die bond layer 3 can be made thermosetting.

ダイボンド層３が熱硬化性樹脂を含む場合、このような熱硬化性樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、アミノ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ポリウレタン樹脂、シリコーン樹脂、及び、熱硬化性ポリイミド樹脂等が挙げられる。これらの中でもエポキシ樹脂を用いることが好ましい。 When the die bond layer 3 contains a thermosetting resin, examples of such a thermosetting resin include epoxy resin, phenol resin, amino resin, unsaturated polyester resin, polyurethane resin, silicone resin, and thermosetting polyimide resin. Among these, it is preferable to use an epoxy resin.

エポキシ樹脂としては、例えば、ビスフェノールＡ型、ビスフェノールＦ型、ビスフェノールＳ型、臭素化ビスフェノールＡ型、水添ビスフェノールＡ型、ビスフェノールＡＦ型、ビフェニル型、ナフタレン型、フルオレン型、フェノールノボラック型、オルソクレゾールノボラック型、トリスヒドロキシフェニルメタン型、テトラフェニロールエタン型、ヒダントイン型、トリスグリシジルイソシアヌレート型、及び、グリシジルアミン型のエポキシ樹脂が挙げられる。 Epoxy resins include, for example, bisphenol A type, bisphenol F type, bisphenol S type, brominated bisphenol A type, hydrogenated bisphenol A type, bisphenol AF type, biphenyl type, naphthalene type, fluorene type, phenol novolac type, orthocresol novolac type, trishydroxyphenylmethane type, tetraphenylolethane type, hydantoin type, trisglycidyl isocyanurate type, and glycidylamine type epoxy resins.

エポキシ樹脂の硬化剤としてのフェノール樹脂としては、例えば、ノボラック型フェノール樹脂、レゾール型フェノール樹脂、及び、ポリパラオキシスチレン等のポリオキシスチレンが挙げられる。 Examples of phenolic resins used as curing agents for epoxy resins include novolac-type phenolic resins, resol-type phenolic resins, and polyoxystyrenes such as polyparaoxystyrene.

ダイボンド層３が、熱硬化性官能基を有する熱可塑性樹脂を含む場合、このような熱可塑性樹脂としては、例えば、熱硬化性官能基含有アクリル樹脂が挙げられる。熱硬化性官能基含有アクリル樹脂におけるアクリル樹脂としては、（メタ）アクリル酸エステルに由来するモノマー単位を含むものが挙げられる。
熱硬化性官能基を有する熱硬化性樹脂においては、熱硬化性官能基の種類に応じて、硬化剤が選ばれる。 When the die bond layer 3 contains a thermoplastic resin having a thermosetting functional group, for example, a thermosetting functional group-containing acrylic resin can be used as the thermoplastic resin. The acrylic resin in the thermosetting functional group-containing acrylic resin can be one containing a monomer unit derived from a (meth)acrylic acid ester.
In the case of a thermosetting resin having a thermosetting functional group, a curing agent is selected depending on the type of the thermosetting functional group.

ダイボンド層３は、樹脂成分の硬化反応を充分に進行させたり、硬化反応速度を高めたりする観点から、熱硬化触媒を含有していてもよい。熱硬化触媒としては、例えば、イミダゾール系化合物、トリフェニルフォスフィン系化合物、アミン系化合物、およびトリハロゲンボラン系化合物が挙げられる。 The die bond layer 3 may contain a thermosetting catalyst in order to sufficiently advance the curing reaction of the resin component and to increase the curing reaction speed. Examples of thermosetting catalysts include imidazole-based compounds, triphenylphosphine-based compounds, amine-based compounds, and trihalogen borane-based compounds.

ダイボンド層３は、熱可塑性樹脂を含んでいてもよい。熱可塑性樹脂はバインダとして機能する。熱可塑性樹脂としては、例えば、天然ゴム、ブチルゴム、イソプレンゴム、クロロプレンゴム、エチレン－酢酸ビニル共重合体、エチレン－アクリル酸共重合体、エチレン－アクリル酸エステル共重合体、ポリブタジエン樹脂、ポリカーボネート樹脂、熱可塑性ポリイミド樹脂、ポリアミド６やポリアミド６，６等のポリアミド樹脂、フェノキシ樹脂、アクリル樹脂、ＰＥＴやＰＢＴ等の飽和ポリエステル樹脂、ポリアミドイミド樹脂、フッ素樹脂等が挙げられる。上記熱可塑性樹脂は、一種のみが用いられてもよいし、二種以上が組み合わされて用いられてもよい。上記熱可塑性樹脂としては、イオン性不純物が少なく、かつ、耐熱性が高いために、ダイボンド層による接続信頼性が確保し易くなるという観点から、アクリル樹脂が好ましい。 The die bond layer 3 may contain a thermoplastic resin. The thermoplastic resin functions as a binder. Examples of the thermoplastic resin include natural rubber, butyl rubber, isoprene rubber, chloroprene rubber, ethylene-vinyl acetate copolymer, ethylene-acrylic acid copolymer, ethylene-acrylic acid ester copolymer, polybutadiene resin, polycarbonate resin, thermoplastic polyimide resin, polyamide resin such as polyamide 6 and polyamide 6,6, phenoxy resin, acrylic resin, saturated polyester resin such as PET and PBT, polyamideimide resin, fluororesin, etc. Only one type of the above thermoplastic resin may be used, or two or more types may be used in combination. As the above thermoplastic resin, acrylic resin is preferable from the viewpoint that it has a small amount of ionic impurities and has high heat resistance, making it easier to ensure the connection reliability by the die bond layer.

上記アクリル樹脂は、（メタ）アクリル酸エステルに由来するモノマー単位を質量割合で最も多いモノマー単位として含むポリマーであることが好ましい。（メタ）アクリル酸エステルとしては、例えば、（メタ）アクリル酸アルキルエステル、（メタ）アクリル酸シクロアルキルエステル、及び、（メタ）アクリル酸アリールエステル等が挙げられる。上記アクリル樹脂は、（メタ）アクリル酸エステルと共重合可能な他の成分に由来するモノマー単位を含んでいてもよい。上記他の成分としては、例えば、カルボキシ基含有モノマー、酸無水物モノマー、ヒドロキシ基含有モノマー、グリシジル基含有モノマー、スルホン酸基含有モノマー、リン酸基含有モノマー、アクリルアミド、アクリルニトリル等の官能基含有モノマーや、各種の多官能性モノマー等が挙げられる。ダイボンド層において高い凝集力を実現するという観点から、上記アクリル樹脂は、（メタ）アクリル酸エステル（特に、アルキル基の炭素数が４以下の（メタ）アクリル酸アルキルエステル）と、カルボキシ基含有モノマーと、窒素原子含有モノマーと、多官能性モノマー（特に、ポリグリシジル系多官能モノマー）との共重合体であることが好ましく、アクリル酸エチルと、アクリル酸ブチルと、アクリル酸と、アクリロニトリルと、ポリグリシジル（メタ）アクリレートとの共重合体であることがより好ましい。 The acrylic resin is preferably a polymer containing a monomer unit derived from a (meth)acrylic acid ester as the monomer unit having the largest mass ratio. Examples of the (meth)acrylic acid ester include an alkyl (meth)acrylic acid ester, a cycloalkyl (meth)acrylic acid ester, and an aryl (meth)acrylic acid ester. The acrylic resin may contain a monomer unit derived from another component that is copolymerizable with the (meth)acrylic acid ester. Examples of the other components include functional group-containing monomers such as carboxyl group-containing monomers, acid anhydride monomers, hydroxyl group-containing monomers, glycidyl group-containing monomers, sulfonic acid group-containing monomers, phosphoric acid group-containing monomers, acrylamides, and acrylonitriles, and various polyfunctional monomers. From the viewpoint of realizing a high cohesive force in the die bond layer, the acrylic resin is preferably a copolymer of a (meth)acrylic acid ester (particularly a (meth)acrylic acid alkyl ester having an alkyl group with 4 or less carbon atoms), a carboxy group-containing monomer, a nitrogen atom-containing monomer, and a polyfunctional monomer (particularly a polyglycidyl-based polyfunctional monomer), and more preferably a copolymer of ethyl acrylate, butyl acrylate, acrylic acid, acrylonitrile, and polyglycidyl (meth)acrylate.

ダイボンド層３は、必要に応じて、１種又は２種以上の他の成分を含有してもよい。他の成分としては、例えば、難燃剤、シランカップリング剤、およびイオントラップ剤が挙げられる。 The die bond layer 3 may contain one or more other components as necessary. Examples of the other components include a flame retardant, a silane coupling agent, and an ion trapping agent.

ダイボンド層３の厚さは、４０μｍ以上であることが好ましく、６０μｍ以上であることがより好ましく、８０μｍ以上であることがさらに好ましい。また、ダイボンド層３の厚さは、２００μｍ以下であることが好ましく、１６０μｍ以下であることがより好ましく、１２０μｍ以下であることがさらに好ましい。 The thickness of the die bond layer 3 is preferably 40 μm or more, more preferably 60 μm or more, and even more preferably 80 μm or more. The thickness of the die bond layer 3 is preferably 200 μm or less, more preferably 160 μm or less, and even more preferably 120 μm or less.

本実施形態に係るダイシングダイボンドフィルム２０は、例えば、半導体集積回路を製造するための補助用具として使用される。以下、ダイシングダイボンドフィルム２０の使用の具体例について説明する。
以下では、基材層１が一層であるダイシングダイボンドフィルム２０を用いた例について説明する。 The dicing die bond film 20 according to this embodiment is used, for example, as an auxiliary tool for manufacturing a semiconductor integrated circuit. Specific examples of the use of the dicing die bond film 20 will be described below.
In the following, an example will be described in which a dicing die bond film 20 having a single base layer 1 is used.

半導体集積回路を製造する方法は、半導体ウェハを割断処理によってチップ（ダイ）へ加工すべく半導体ウェハに溝を形成し、さらに半導体ウェハを研削して厚さを薄くするハーフカット工程と、ハーフカット工程後の半導体ウェハを研削して厚さを薄くするバックグラインド工程と、バックグラインド工程後の半導体ウェハの一面（例えば、回路面とは反対側の面）をダイボンド層３に貼付して、ダイシングテープ１０に半導体ウェハを固定するマウント工程と、ハーフカット加工された半導体チップ同士の間隔を広げるエキスパンド工程と、半導体チップ同士の間隔を維持するカーフ維持工程と、ダイボンド層３と粘着剤層２との間を剥離してダイボンド層３が貼付された状態で半導体チップ（ダイ）を取り出すピックアップ工程と、ダイボンド層３が貼付された状態の半導体チップ（ダイ）を被着体に接着させるダイボンド工程と、を有する。これらの工程を実施するときに、本実施形態のダイシングテープ（ダイシングダイボンドフィルム）が製造補助用具として使用される。 The method for manufacturing a semiconductor integrated circuit includes a half-cut process in which a groove is formed in the semiconductor wafer to process the semiconductor wafer into a chip (die) by a fracturing process, and the semiconductor wafer is further ground to reduce its thickness, a back-grind process in which the semiconductor wafer after the half-cut process is ground to reduce its thickness, a mounting process in which one side of the semiconductor wafer after the back-grind process (for example, the side opposite to the circuit side) is attached to the die-bonding layer 3 and the semiconductor wafer is fixed to the dicing tape 10, an expanding process in which the gap between the half-cut semiconductor chips is widened, a kerf maintaining process in which the gap between the semiconductor chips is maintained, a pick-up process in which the die-bonding layer 3 is peeled off from the adhesive layer 2 to remove the semiconductor chip (die) with the die-bonding layer 3 attached, and a die-bonding process in which the semiconductor chip (die) with the die-bonding layer 3 attached is attached to an adherend. When carrying out these processes, the dicing tape (dicing die-bonding film) of this embodiment is used as a manufacturing aid.

ハーフカット工程では、図３Ａ及び図３Ｂに示すように、半導体集積回路を小片（ダイ）に割断するためのハーフカット加工を施す。詳しくは、半導体ウェハＷの回路面とは反対側の面に、ウェハ加工用テープＴを貼り付ける（図３Ａ参照）。また、ウェハ加工用テープＴにダイシングリングＲを取り付ける（図３Ａ参照）。ウェハ加工用テープＴを貼付した状態で、分割用の溝を形成する（図３Ｂ参照）。バックグラインド工程では、図３Ｃ及び図３Ｄに示すように、半導体ウェハを研削して厚さを薄くする。詳しくは、溝を形成した面にバックグラインドテープＧを貼付する一方で、始めに貼り付けたウェハ加工用テープＴを剥離する（図３Ｃ参照）。バックグラインドテープＧを貼付した状態で、半導体ウェハＷが所定の厚さになるまで研削加工を施す（図３Ｄ参照）。 In the half-cut process, as shown in Figures 3A and 3B, a half-cut process is performed to cut the semiconductor integrated circuit into small pieces (dies). More specifically, a wafer processing tape T is attached to the surface opposite to the circuit surface of the semiconductor wafer W (see Figure 3A). A dicing ring R is attached to the wafer processing tape T (see Figure 3A). With the wafer processing tape T attached, a groove for division is formed (see Figure 3B). In the back-grind process, as shown in Figures 3C and 3D, the semiconductor wafer is ground to reduce its thickness. More specifically, a back-grind tape G is attached to the surface where the groove is formed, while the wafer processing tape T that was initially attached is peeled off (see Figure 3C). With the back-grind tape G attached, the semiconductor wafer W is ground until it reaches a predetermined thickness (see Figure 3D).

マウント工程では、図４Ａ～図４Ｂに示すように、ダイシングテープ１０の粘着剤層２にダイシングリングＲを取り付けた後、露出したダイボンド層３の面に、ハーフカット加工された半導体ウェハＷを貼付する（図４Ａ参照）。その後、半導体ウェハＷからバックグラインドテープＧを剥離する（図４Ｂ参照）。 In the mounting process, as shown in Figures 4A and 4B, a dicing ring R is attached to the adhesive layer 2 of the dicing tape 10, and then a half-cut semiconductor wafer W is attached to the exposed surface of the die bond layer 3 (see Figure 4A). Then, the backgrind tape G is peeled off from the semiconductor wafer W (see Figure 4B).

エキスパンド工程では、図５Ａ～図５Ｃに示すように、ダイシングリングＲをエキスパンド装置の保持具Ｈに固定する。エキスパンド装置が備える突き上げ部材Ｕを用いて、ダイシングダイボンドフィルム２０を下側から突き上げることによって、ダイシングダイボンドフィルム２０を面方向に広げるように引き伸ばす（図５Ｂ参照）。これにより、特定の温度条件において、ハーフカット加工された半導体ウェハＷを割断する。上記温度条件は、例えば－２０～５℃であり、好ましくは－１５～０℃、より好ましくは－１０～－５℃である。突き上げ部材Ｕを下降させることによって、エキスパンド状態を解除する（図５Ｃ参照）。
さらに、エキスパンド工程では、図６Ａ～図６Ｂに示すように、より高い温度条件下（例えば、室温（２３℃））において、面積を広げるようにダイシングテープ１０を引き延ばす。これにより、割断された隣り合う半導体チップＷをフィルム面の面方向に引き離して、さらに間隔を広げる。
ここで、本実施形態に係るダイシングダイボンドフィルム２０では、ダイシングテープ１０の－５℃における引張貯蔵弾性率が１００ＭＰａ以上であるので、低温条件下において、エキスパンドによる半導体ウェハから複数の半導体チップへの割断性をより一層向上させることができる。 In the expanding step, as shown in Figures 5A to 5C, the dicing ring R is fixed to a holder H of an expanding device. The dicing die bond film 20 is pushed up from below using a push-up member U provided in the expanding device, so that the dicing die bond film 20 is stretched so as to be expanded in the planar direction (see Figure 5B). As a result, the half-cut processed semiconductor wafer W is cleaved under specific temperature conditions. The above temperature conditions are, for example, -20 to 5°C, preferably -15 to 0°C, and more preferably -10 to -5°C. The expanded state is released by lowering the push-up member U (see Figure 5C).
6A to 6B, in the expanding step, the dicing tape 10 is stretched so as to expand its area under a higher temperature condition (for example, room temperature (23° C.)). This causes the adjacent cleaved semiconductor chips W to be separated in the planar direction of the film surface, further increasing the distance between them.
Here, in the dicing die bond film 20 according to this embodiment, the tensile storage modulus of the dicing tape 10 at -5°C is 100 MPa or more, so that the ability to break a semiconductor wafer into multiple semiconductor chips by expansion can be further improved under low temperature conditions.

カーフ維持工程では、図７に示すように、ダイシングテープ１０に熱風（例えば、１００～１３０℃）を当ててダイシングテープ１０を熱収縮させた後冷却固化させて、割断された隣り合う半導体チップＷ間の距離（カーフ）を維持する。 In the kerf maintenance process, as shown in FIG. 7, hot air (e.g., 100 to 130°C) is applied to the dicing tape 10 to thermally shrink the dicing tape 10, and then the dicing tape 10 is cooled and solidified to maintain the distance (kerf) between adjacent cut semiconductor chips W.

ピックアップ工程では、図８に示すように、ダイボンド層３が貼付された状態の半導体チップＷをダイシングテープ１０の粘着剤層２から剥離する。詳しくは、ピン部材Ｐを上昇させて、ピックアップ対象の半導体チップＷを、ダイシングテープ１０を介して突き上げる。突き上げられた半導体チップを吸着治具Ｊによって保持する。 In the pick-up process, as shown in FIG. 8, the semiconductor chip W with the die bond layer 3 attached is peeled off from the adhesive layer 2 of the dicing tape 10. More specifically, the pin member P is raised to push up the semiconductor chip W to be picked up through the dicing tape 10. The pushed-up semiconductor chip is held by the suction jig J.

ダイボンド工程では、ダイボンド層３が貼付された状態の半導体チップＷを被着体に接着させる。
なお、上記の半導体集積回路の製造においては、ダイシングダイボンドフィルム２０を補助具として用いる例について説明したが、ダイシングテープ１０を補助具として用いた場合にも、上記と同様にして半導体集積回路を製造することができる。 In the die bonding step, the semiconductor chip W with the die bonding layer 3 attached thereto is bonded to an adherend.
In the above-mentioned manufacturing method of the semiconductor integrated circuit, an example of using the dicing die bond film 20 as an auxiliary tool has been described, but the semiconductor integrated circuit can also be manufactured in the same manner as described above when the dicing tape 10 is used as an auxiliary tool.

なお、本発明に係るダイシングテープ及びダイシングダイボンドフィルムは、前記実施形態に限定されるものではない。また、本発明に係るダイシングテープ及びダイシングダイボンドフィルムは、前記した作用効果によって限定されるものでもない。本発明に係るダイシングテープ及びダイシングダイボンドフィルムは、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の変更が可能である。 The dicing tape and dicing die bond film of the present invention are not limited to the above-mentioned embodiment. The dicing tape and dicing die bond film of the present invention are also not limited by the above-mentioned action and effect. The dicing tape and dicing die bond film of the present invention can be modified in various ways without departing from the gist of the present invention.

次に、実施例を挙げて本発明についてさらに具体的に説明する。以下の実施例は本発明をさらに詳しく説明するためのものであり、本発明の範囲を限定するものではない。 Next, the present invention will be described in more detail with reference to examples. The following examples are intended to explain the present invention in more detail and are not intended to limit the scope of the present invention.

［実施例１］
＜基材層の成形＞
２種３層押出Ｔダイ成形機を用いて、Ａ層／Ｂ層／Ｃ層の３層構造（Ｂ層を中心層とし、Ｂ層の両面に外層たるＡ層及びＣ層が積層された３層構造）を有する基材層を成形した。Ａ層及びＣ層の樹脂にはメタロセンＰＰ（商品名：ウィンテックＷＸＫ１２３３、日本ポリプロ社製）を用い、Ｂ層の樹脂にはＥＶＡ（商品名：エバフレックスＥＶ２５０、三井・デュポンポリケミカル社製）を用いた。
前記押出成形は、ダイス温度１９０℃で行った。すなわち、Ａ層、Ｂ層、及び、Ｃ層は１９０℃で押出成形された。押出成形により得られた基材層の厚さは１００μｍであった。なお、Ａ層、Ｂ層、及びＣ層の厚さの比（層厚比）は、Ａ層：Ｂ層：Ｃ層＝１：１０：１であった。
成形された基材層を十分に固化させた後に、固化後の基材層をロール状に巻き取ってロール体とした。
＜ダイシングテープの作製＞
ロール状の基材層から基材層の一方の表面に、アプリケータを用いて厚さ１０μｍとなるように粘着剤組成物を塗布した。粘着剤組成物塗布後の基材層を１１０℃で３分加熱乾燥し、粘着剤層を形成することにより、ダイシングテープを得た。
前記粘着剤組成物は、以下のようにして調製した。
まず、ＩＮＡ（イソノニルアクリレート）１７３質量部、ＨＥＡ（ヒドロキシエチルアクリレート）５４．５質量部、ＡＩＢＮ（２，２’－アゾビスイソブチロニトリル）０．４６質量部、酢酸エチル３７２質量部を混合して第１樹脂組成物を得た。
次に、丸底セパラブルフラスコ（容量１Ｌ）、温度計、窒素導入管、及び、撹拌翼が装備された重合用実験装置の前記丸底セパラブルフラスコ内に前記第１樹脂組成物を加え、前記第１樹脂組成物を撹拌しながら、前記第１樹脂組成物の液温を常温（２３℃）として、前記丸底セパラブルフラスコ内を６時間窒素置換した。
引き続き前記丸底セパラブルフラスコ内に窒素を流入させた状態で、前記第１樹脂組成物を撹拌しながら、前記第１樹脂組成物の液温を６２℃で３時間保持した後さらに７５℃で２時間保持して、前記ＩＮＡ、前記ＨＥＡ、及び、前記ＡＩＢＮを重合させて、第２樹脂組成物を得た。その後、前記丸底セパラブルフラスコ内への窒素の流入を停止した。
液温が常温となるまで前記第２樹脂組成物を冷却した後、前記第２樹脂組成物に、重合性炭素－炭素二重結合を有する化合物として、２－イソシアナトエチルメタクリレート（昭和電工社製、商品名「カレンズＭＯＩ（登録商標）」）５２．５質量部、及び、ジラウリン酸ジブチルスズＩＶ（和光純薬工業社製）０．２６質量部を加えて得た第３樹脂組成物を、大気雰囲気下にて、液温５０℃で２４時間撹拌した。
次に、前記第３樹脂組成物において、ポリマー固形分１００質量部に対してコロネートＬ（イソシアネート化合物）及びＯｍｎｉｒａｄ１２７（光重合開始剤）をそれぞれ０．７５質量部及び２質量部加えた後、酢酸エチルを用いて、固形分濃度が２０質量％となるように前記第３樹脂組成物を希釈して、粘着剤組成物を調製した。
＜ダイシングダイボンドフィルムの作製＞
アクリル樹脂（ナガセケムテックス社製、商品名「ＳＧ－Ｐ３」、ガラス転移温度１２℃）１００質量部、エポキシ樹脂（三菱化学社製、商品名「ＪＥＲ１００１」）４６質量部、フェノール樹脂（明和化成社製、商品名「ＭＥＨ－７８５１ｓｓ」）５１質量部、球状シリカ（アドマテックス社製、商品名「ＳＯ－２５Ｒ」）１９１質量部、及び、硬化触媒（四国化成工業社製、商品名「キュアゾールＰＨＺ」）０．６質量部を、メチルエチルケトンに加えて混合し、固形分濃度２０質量％のダイボンド組成物を得た。
次に、剥離ライナーたるＰＥＴ系セパレータ（厚さ５０μｍ）のシリコーン処理を施した面上に、アプリケータを用いて厚さ１０μｍとなるように前記ダイボンド組成物を塗布し、１３０℃で２分間乾燥して前記ダイボンド組成物から脱溶媒し、前記剥離ライナー上にダイボンド層が積層されたダイボンドシートを得た。
次に、前記ダイシングテープの前記粘着剤層上に、前記ダイボンドシートにおける前記剥離シートが積層されていない側を貼り合せた後、前記剥離ライナーを前記ダイボンド層から剥離して、ダイボンド層を備えるダイシングダイボンドフィルムを得た。 [Example 1]
<Forming of Base Layer>
A two-kind three-layer extrusion T-die molding machine was used to mold a substrate layer having a three-layer structure of A layer/B layer/C layer (a three-layer structure in which B layer is the central layer and A layer and C layer are laminated on both sides of B layer as outer layers). Metallocene PP (product name: Wintech WXK1233, manufactured by Japan Polypropylene Corporation) was used as the resin for A layer and C layer, and EVA (product name: Evaflex EV250, manufactured by DuPont-Mitsui Polychemicals Co., Ltd.) was used as the resin for B layer.
The extrusion was performed at a die temperature of 190° C. That is, the A layer, the B layer, and the C layer were extruded at 190° C. The thickness of the base layer obtained by extrusion was 100 μm. The thickness ratio (layer thickness ratio) of the A layer, the B layer, and the C layer was A layer:B layer:C layer=1:10:1.
After the molded base layer was sufficiently solidified, the solidified base layer was wound into a roll to form a roll body.
<Preparation of dicing tape>
The adhesive composition was applied to one surface of the rolled substrate layer using an applicator to a thickness of 10 μm. The substrate layer after application of the adhesive composition was heated and dried at 110° C. for 3 minutes to form an adhesive layer, thereby obtaining a dicing tape.
The pressure-sensitive adhesive composition was prepared as follows.
First, 173 parts by mass of INA (isononyl acrylate), 54.5 parts by mass of HEA (hydroxyethyl acrylate), 0.46 parts by mass of AIBN (2,2'-azobisisobutyronitrile), and 372 parts by mass of ethyl acetate were mixed together to obtain a first resin composition.
Next, the first resin composition was added into a round-bottom separable flask of a polymerization experimental apparatus equipped with a round-bottom separable flask (volume 1 L), a thermometer, a nitrogen inlet tube, and a stirring blade, and while stirring the first resin composition, the liquid temperature of the first resin composition was brought to room temperature (23°C), and the inside of the round-bottom separable flask was replaced with nitrogen for 6 hours.
While continuing to flow nitrogen into the round-bottom separable flask, the first resin composition was stirred while the liquid temperature of the first resin composition was maintained at 62° C. for 3 hours and then at 75° C. for 2 hours to polymerize the INA, the HEA, and the AIBN to obtain a second resin composition. Then, the flow of nitrogen into the round-bottom separable flask was stopped.
The second resin composition was cooled until the liquid temperature reached room temperature, and then 52.5 parts by mass of 2-isocyanatoethyl methacrylate (manufactured by Showa Denko K.K., product name "Karenz MOI (registered trademark)") and 0.26 parts by mass of dibutyltin dilaurate IV (manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.) were added to the second resin composition as a compound having a polymerizable carbon-carbon double bond, and the resulting third resin composition was stirred in an air atmosphere at a liquid temperature of 50°C for 24 hours.
Next, 0.75 parts by mass of Coronate L (isocyanate compound) and 2 parts by mass of Omnirad 127 (photopolymerization initiator) were added to the third resin composition per 100 parts by mass of polymer solids, and then the third resin composition was diluted with ethyl acetate to a solid concentration of 20% by mass to prepare a pressure-sensitive adhesive composition.
<Preparation of dicing die bond film>
100 parts by mass of an acrylic resin (manufactured by Nagase ChemteX Corporation, product name "SG-P3", glass transition temperature 12°C), 46 parts by mass of an epoxy resin (manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation, product name "JER1001"), 51 parts by mass of a phenolic resin (manufactured by Meiwa Kasei Co., Ltd., product name "MEH-7851ss"), 191 parts by mass of spherical silica (manufactured by Admatechs Co., Ltd., product name "SO-25R"), and 0.6 parts by mass of a curing catalyst (manufactured by Shikoku Kasei Co., Ltd., product name "Curesol PHZ") were added to methyl ethyl ketone and mixed to obtain a die bond composition with a solid content concentration of 20% by mass.
Next, the die bond composition was applied to a silicone-treated surface of a PET-based separator (thickness 50 μm) serving as a release liner using an applicator to a thickness of 10 μm, and the die bond composition was dried at 130° C. for 2 minutes to remove the solvent, thereby obtaining a die bond sheet in which a die bond layer was laminated on the release liner.
Next, the side of the die bond sheet on which the release sheet was not laminated was attached to the adhesive layer of the dicing tape, and then the release liner was peeled off from the die bond layer to obtain a dicing die bond film having a die bond layer.

上のようにして得たダイシングテープについて、以下のようにして、－５℃における引張貯蔵弾性率、並びに、－５℃及び２３℃における３０％引張応力を測定した。また、エキスパンド時のダイシングダイボンドフィルムからのチップの浮き上がり（以下、チップ浮きという）、並びに、チップ及びダイボンド層の割断性（以下、割断性という）について評価した。 The dicing tape obtained as described above was measured for tensile storage modulus at -5°C and 30% tensile stress at -5°C and 23°C as follows. In addition, the chip lifting from the dicing die bond film during expansion (hereinafter referred to as chip lifting) and the breakability of the chip and die bond layer (hereinafter referred to as breakability) were evaluated.

（－５℃における引張貯蔵弾性率）
実施例１に係るダイシングテープから、長さ４０ｍｍ（測定長さ）×幅１０ｍｍの試験片を切り出し、固体粘弾性測定装置（型式ＲＳＡＩＩＩ、レオメトリックサイエンティフィック株式会社製）を用いて、周波数１Ｈｚ、ひずみ量０．１％、昇温速度１０℃／ｍｉｎ、チャック間距離２２．５ｍｍの条件において、－５０～１００℃の温度範囲で前記試験片の引張貯蔵弾性率を測定し、その際、－５℃における引張弾性率の値を読み取ることにより、－５℃における引張貯蔵弾性率を求めた。 (Tensile storage modulus at -5°C)
A test piece having a length of 40 mm (measurement length) × width of 10 mm was cut out from the dicing tape of Example 1, and the tensile storage modulus of the test piece was measured using a solid viscoelasticity measuring device (model RSAIII, manufactured by Rheometric Scientific Co., Ltd.) in a temperature range of −50 to 100° C. under conditions of a frequency of 1 Hz, a strain of 0.1%, a heating rate of 10° C./min, and a chuck distance of 22.5 mm. At this time, the tensile storage modulus at −5° C. was obtained by reading the value of the tensile modulus at −5° C.

（－５℃及び室温における３０％引張応力）
実施例１に係るダイシングテープから、長さ１００ｍｍ×幅１０ｍｍの試験片を切り出し、引張試験機（テンシロン万能試験機、島津製作所製）を用いて、測定温度（－５℃及び室温）にて、チャック間距離５０ｍｍ及び引張速度１００ｍｍ／ｍｉｎの条件において、前記試験片を引っ張り、伸び率が３０％に達したとき（チャック間距離６５ｍｍ）の応力を測定した。 (30% tensile stress at -5°C and room temperature)
A test piece having a length of 100 mm and a width of 10 mm was cut out from the dicing tape according to Example 1, and the test piece was pulled using a tensile tester (Tensilon universal testing machine, manufactured by Shimadzu Corporation) at a measurement temperature (-5°C and room temperature), a chuck distance of 50 mm, and a pulling speed of 100 mm/min, and the stress was measured when the elongation reached 30% (chuck distance of 65 mm).

（チップ浮きの評価）
実施例１に係るダイシングダイボンドフィルムに、ベアウェハ（直径３００ｍｍ）及びダイシングリングを貼付した。次に、ダイセパレータＤＤＳ２３０（ディスコ社製）を用いて、半導体ウェハ及びダイボンド層の割断を行い、割断後のチップ浮きについて評価した。ベアウェハは、長さ１２ｍｍ×幅４ｍｍ×厚さ０．０５５ｍｍの大きさのベアチップに割断した。
なお、ベアウェハとしては、反りウェハを用いた。 (Evaluation of tip lift)
A bare wafer (diameter 300 mm) and a dicing ring were attached to the dicing die bond film according to Example 1. Next, the semiconductor wafer and the die bond layer were cut using a die separator DDS230 (manufactured by Disco Corporation), and the chip lifting after cutting was evaluated. The bare wafer was cut into bare chips measuring 12 mm long x 4 mm wide x 0.055 mm thick.
As the bare wafer, a warped wafer was used.

反りウェハは以下のようにして作製した。
まず、下記（ａ）～（ｆ）をメチルエチルケトンに溶解させ、固形分濃度２０質量％の反り調整組成物を得た。
（ａ）アクリル樹脂（ナガセケムテックス社製、商品名「ＳＧ－７０Ｌ」）：５質量部
（ｂ）エポキシ樹脂（三菱化学社製、商品名「ＪＥＲ８２８」）：５質量部
（ｃ）フェノール樹脂（明和化成社製、商品名「ＬＤＲ８２１０」）：１４質量部
（ｄ）エポキシ樹脂（三菱化学社製、商品名「ＭＥＨ－８００５」）：２質量部
（ｅ）球状シリカ（アドマテックス社製、商品名「ＳＯ－２５Ｒ」）：５３質量部
（ｆ）リン系触媒（ＴＰＰ－Ｋ）：１質量部
次に、前記反り調整組成物を、剥離ライナーたるＰＥＴ系セパレータ（厚さ５０μｍ）のシリコーン処理した面上に、アプリケータを用いて厚さ２５μｍで塗布し、１３０℃で２分間乾燥して前記反り調整組成物から脱溶媒し、前記剥離ライナー上に反り調整層が積層された反り調整シートを得た。
次に、前記反り調整シートにおける前記剥離ライナーが積層されていない側に、ラミネータ（ＭＣＫ社製、型式ＭＲＫ－６００）を用いて、６０℃、０．１ＭＰａ、１０ｍｍ／ｓの条件でベアウェハを貼付し、オーブンに入れて１７５℃で１時間加熱して前記反り調整層における樹脂を熱硬化させ、これにより、前記反り調整層が収縮することにより反ったベアウェハを得た。
前記反り調整層を収縮させた後、反ったベアウェハにおける前記反り調整層が積層されていない側にウェハ加工用テープ（日東電工株式会社製、商品名「Ｖ－１２ＳＲ２」）を貼付した後、前記ウェハ加工用テープを介して、反ったベアウェハにダイシングリングを固定した。その後、反ったベアウェハから前記反り調整層を取り除いた。
ダイシング装置（ＤＩＳＣＯ社製、型番６３６１）を用いて、反ったベアウェハにおける前記反り調整層を取り除いた面（以下、一方面という）の全体に、この面から１００μｍの深さの溝を格子状（巾２０μｍ）に形成した。
次に、反ったベアウェハの一方面にバックグラインドテープを貼り合せ、反ったベアウェハの他方面（前記一方面と反対側の面）から前記ウェハ加工用テープを取り除いた。
次に、バックグラインダー（ＤＩＳＣＯ社製、型式ＤＧＰ８７６０）を用いて、反ったベアウェハの厚みが５５μｍ（０．０５５ｍｍ）となるように、他方面側から反ったベアウェハを研削することにより得られたウェハを、反りウェハとした。 The warped wafer was prepared as follows.
First, the following components (a) to (f) were dissolved in methyl ethyl ketone to obtain a warpage adjusting composition having a solid content concentration of 20% by mass.
(a) Acrylic resin (manufactured by Nagase ChemteX Corporation, product name "SG-70L"): 5 parts by weight (b) Epoxy resin (manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation, product name "JER828"): 5 parts by weight (c) Phenol resin (manufactured by Meiwa Kasei Co., Ltd., product name "LDR8210"): 14 parts by weight (d) Epoxy resin (manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation, product name "MEH-8005"): 2 parts by weight (e) Spherical silica (manufactured by Admatechs Co., Ltd., product name "SO-25R"): 53 parts by weight (f) Phosphorus-based catalyst (TPP-K): 1 part by weight Next, the warpage adjusting composition was applied to a thickness of 25 μm using an applicator onto the silicone-treated surface of a PET-based separator (thickness 50 μm) serving as a release liner, and the composition was dried at 130° C. for 2 minutes to remove the solvent from the warpage adjusting composition, thereby obtaining a warpage adjusting sheet in which a warpage adjusting layer was laminated on the release liner.
Next, a bare wafer was attached to the side of the warpage adjusting sheet on which the release liner was not laminated, using a laminator (MCK Corporation, model MRK-600) under conditions of 60°C, 0.1 MPa, and 10 mm/s, and the sheet was placed in an oven and heated at 175°C for 1 hour to thermally cure the resin in the warpage adjusting layer, thereby shrinking the warpage adjusting layer to obtain a warped bare wafer.
After shrinking the warpage adjustment layer, a wafer processing tape (manufactured by Nitto Denko Corporation, product name "V-12SR2") was attached to the side of the warped bare wafer where the warpage adjustment layer was not laminated, and then a dicing ring was fixed to the warped bare wafer via the wafer processing tape. Then, the warpage adjustment layer was removed from the warped bare wafer.
Using a dicing machine (manufactured by DISCO, model number 6361), grooves were formed in a lattice pattern (width 20 μm) to a depth of 100 μm from the surface of the warped bare wafer, all over the surface from which the warpage adjustment layer had been removed (hereinafter referred to as one surface).
Next, a backgrind tape was applied to one surface of the warped bare wafer, and the wafer processing tape was removed from the other surface (the surface opposite to the one surface) of the warped bare wafer.
Next, the warped bare wafer was ground from the other surface side using a back grinder (manufactured by DISCO, model DGP8760) so that the thickness of the warped bare wafer became 55 μm (0.055 mm), and the resulting wafer was used as a warped wafer.

チップ浮きは、詳細には以下のようにして評価した。
まず、クールエキスパンダーユニットにて、エキスパンド温度－５℃、エキスパンド速度１００ｍｍ／秒、エキスパンド量１２ｍｍの条件で、ベアウェハ及びダイボンド層を割断して、ダイボンド層付き半導体チップを得た。
次に、室温、エキスパンド速度１ｍｍ／秒、エキスパンド量５ｍｍの条件でエキスパンドを行った。そして、エキスパンド状態を維持したまま、ヒート温度２００℃、ヒート距離１８ｍｍ、ローテーションスピード５°／ｓｅｃの条件で、ベアウェハの外周縁との境界部分のダイシングダイボンドフィルムを熱収縮させた。
次に、ダイシングダイボンドフィルムの基材層表面について、顕微鏡観察によりダイボンド層付き半導体チップの浮きの状態を撮影し、二値化することにより、浮きの面積を算出した。そして、浮きの面積が４％未満の場合を〇と評価し、４％以上の場合を×と評価した。 The chip lift was evaluated in detail as follows.
First, in a cool expander unit, the bare wafer and the die bond layer were cleaved under conditions of an expansion temperature of −5° C., an expansion speed of 100 mm/sec, and an expansion amount of 12 mm to obtain a semiconductor chip with a die bond layer.
Next, expansion was performed under the conditions of room temperature, expansion speed of 1 mm/sec, and expansion amount of 5 mm. Then, while maintaining the expanded state, the dicing die bond film at the boundary with the outer periphery of the bare wafer was thermally shrunk under the conditions of a heat temperature of 200° C., a heat distance of 18 mm, and a rotation speed of 5°/sec.
Next, the surface of the base layer of the dicing die bond film was observed by a microscope to photograph the floating state of the semiconductor chip with the die bond layer, and the floating area was calculated by binarizing the photograph. Then, when the floating area was less than 4%, it was evaluated as ◯, and when it was 4% or more, it was evaluated as ×.

（割断性の評価）
実施例１に係るダイシングダイボンドフィルムに、ベアウェハ（直径３００ｍｍ）及びダイシングリングを貼付した。次に、ダイセパレータＤＤＳ２３０（ディスコ社製）を用いて、ベアウェハ及びダイボンド層の割断を行った。
ベアウェハは、長さ３．２ｍｍ×幅１．４ｍｍ×厚さ０．０２５ｍｍの大きさのベアチップに割断した。 (Evaluation of breakability)
A bare wafer (diameter: 300 mm) and a dicing ring were attached to the dicing die bond film according to Example 1. Next, the bare wafer and the die bond layer were cut using a die separator DDS230 (manufactured by Disco Corporation).
The bare wafer was cleaved into bare chips measuring 3.2 mm long x 1.4 mm wide x 0.025 mm thick.

割断性は、詳細には以下のようにして評価した。
まず、クールエキスパンダーユニットにて、エキスパンド温度－５℃、エキスパンド速度１００ｍｍ／秒、エキスパンド量１４ｍｍの条件でベアウェハ及びダイボンド層を割断し、ダイボンド層付き半導体チップを得た。
次に、室温、エキスパンド速度１ｍｍ／秒、エキスパンド量１０ｍｍの条件でエキスパンドを行った。そして、エキスパンド状態を維持したまま、ヒート温度２００℃、ヒート距離１８ｍｍ、ローテーションスピード５°／ｓｅｃの条件で、ベアウェハの外周縁との境界部分のダイシングダイボンドフィルムを熱収縮させた。
次に、顕微鏡観察によりダイボンド層付き半導体チップの割断部を観察し、割断率を算出した。そして、割断率が９０％以上である場合を〇と評価し、割断率が９０％未満の場合を×と評価した。 The breakability was evaluated in detail as follows.
First, the bare wafer and the die bond layer were cleaved in a cool expander unit under conditions of an expansion temperature of −5° C., an expansion speed of 100 mm/sec, and an expansion amount of 14 mm to obtain a semiconductor chip with a die bond layer.
Next, expansion was performed under the conditions of room temperature, expansion speed of 1 mm/sec, and expansion amount of 10 mm. Then, while maintaining the expanded state, the dicing die bond film at the boundary with the outer periphery of the bare wafer was thermally shrunk under the conditions of a heat temperature of 200° C., a heat distance of 18 mm, and a rotation speed of 5°/sec.
Next, the fractured portion of the semiconductor chip with the die bond layer was observed by a microscope, and the fracture rate was calculated. Then, a fracture rate of 90% or more was evaluated as ◯, and a fracture rate of less than 90% was evaluated as ×.

［実施例２］
基材層を８０μｍとした以外は、実施例１と同様にして、実施例２に係るダイシングテープ及びダイシングダイボンドフィルムを得た。
また、実施例２に係るダイシングテープについて、実施例１と同様にして、－５℃における引張貯蔵弾性率、並びに、－５℃及び２３℃における３０％引張応力を測定した。
さらに、実施例２に係るダイシングダイボンドフィルムについて、チップ浮き及び割断性について評価した。 [Example 2]
A dicing tape and a dicing die bond film according to Example 2 were obtained in the same manner as in Example 1, except that the base layer was 80 μm.
Moreover, for the dicing tape of Example 2, the tensile storage modulus at -5°C and the 30% tensile stress at -5°C and 23°C were measured in the same manner as in Example 1.
Furthermore, the dicing die bond film according to Example 2 was evaluated for chip lift and breakability.

［実施例３］
基材層のＢ層（中心層）を構成するＥＶＡをエバフレックスＥＶ５５０（三井・デュポンポリケミカル社製）とし、基材層を８０μｍとした以外は、実施例１と同様にして、実施例３に係るダイシングテープ及びダイシングダイボンドフィルムを得た。
また、実施例３に係るダイシングテープについて、実施例１と同様にして、－５℃における引張貯蔵弾性率、並びに、－５℃及び２３℃における３０％引張応力を測定した。
さらに、実施例３に係るダイシングダイボンドフィルムについて、チップ浮き及び割断性について評価した。 [Example 3]
The dicing tape and dicing die bond film of Example 3 were obtained in the same manner as in Example 1, except that the EVA constituting layer B (center layer) of the base layer was Evaflex EV550 (manufactured by DuPont-Mitsui Polychemicals) and the base layer was 80 μm.
Moreover, for the dicing tape of Example 3, the tensile storage modulus at -5°C and the 30% tensile stress at -5°C and 23°C were measured in the same manner as in Example 1.
Furthermore, the dicing die bond film according to Example 3 was evaluated for chip lift and breakability.

［実施例４］
Ｂ層の樹脂をプロピレン系エラストマー（商品名：ビスタマックス３９８０、エクソンモービルケミカル社製）とした以外は、実施例１と同様にして、実施例４に係るダイシングテープ及びダイシングダイボンドフィルムを得た。
また、実施例４に係るダイシングテープについて、実施例１と同様にして、－５℃における引張貯蔵弾性率、並びに、－５℃及び２３℃における３０％引張応力を測定した。
さらに、実施例４に係るダイシングダイボンドフィルムについて、チップ浮き及び割断性について評価した。 [Example 4]
A dicing tape and a dicing die bond film according to Example 4 were obtained in the same manner as in Example 1, except that the resin of Layer B was a propylene-based elastomer (product name: Vistamax 3980, manufactured by ExxonMobil Chemical Company).
Moreover, for the dicing tape of Example 4, the tensile storage modulus at -5°C and the 30% tensile stress at -5°C and 23°C were measured in the same manner as in Example 1.
Furthermore, the dicing die bond film according to Example 4 was evaluated for chip lift and breakability.

［実施例５］
基材層の厚さを８０μｍとし、基材層の層厚比を、Ａ層：Ｂ層：Ｃ層＝１：４：１とした以外は、実施例１と同様にして、実施例５に係るダイシングテープ及びダイシングダイボンドフィルムを得た。
また、実施例５に係るダイシングテープについて、実施例１と同様にして、－５℃における引張貯蔵弾性率、並びに、－５℃及び２３℃における３０％引張応力を測定した。
さらに、実施例５に係るダイシングダイボンドフィルムについて、チップ浮き及び割断性について評価した。 [Example 5]
The dicing tape and dicing die bond film of Example 5 were obtained in the same manner as in Example 1, except that the thickness of the base layer was 80 μm and the layer thickness ratio of the base layer was A layer: B layer: C layer = 1:4:1.
Moreover, for the dicing tape of Example 5, the tensile storage modulus at -5°C and the 30% tensile stress at -5°C and 23°C were measured in the same manner as in Example 1.
Furthermore, the dicing die bond film according to Example 5 was evaluated for chip lift and breakability.

［実施例６］
基材層のＡ層及びＣ層（外層）を構成するメタロセンＰＰをウィンテックＷＭＸ０３（日本ポリプロ社製）とした以外は、実施例１と同様にして、実施例６に係るダイシングテープ及びダイシングダイボンドフィルムを得た。
また、実施例６に係るダイシングテープについて、実施例１と同様にして、－５℃における引張貯蔵弾性率、並びに、－５℃及び２３℃における３０％引張応力を測定した。
さらに、実施例６に係るダイシングダイボンドフィルムについて、チップ浮き及び割断性について評価した。 [Example 6]
The dicing tape and dicing die bond film of Example 6 were obtained in the same manner as in Example 1, except that the metallocene PP constituting the A layer and C layer (outer layer) of the base material layer was Wintech WMX03 (manufactured by Japan Polypropylene Corporation).
Moreover, for the dicing tape of Example 6, the tensile storage modulus at -5°C and the 30% tensile stress at -5°C and 23°C were measured in the same manner as in Example 1.
Furthermore, the dicing die bond film according to Example 6 was evaluated for chip lift and breakability.

［実施例７］
基材層のＢ層を構成するＥＶＡ樹脂をウルトラセン６５１（東ソー社製）とした以外は、実施例１と同様にして、実施例７に係るダイシングテープ及びダイシングダイボンドフィルムを得た。
また、実施例７に係るダイシングテープについて、実施例１と同様にして、－５℃における引張貯蔵弾性率、並びに、－５℃及び２３℃における３０％引張応力を測定した。
さらに、実施例７に係るダイシングダイボンドフィルムについて、チップ浮き及び割断性について評価した。 [Example 7]
A dicing tape and a dicing die bond film according to Example 7 were obtained in the same manner as in Example 1, except that the EVA resin constituting the B layer of the base material layer was Ultrathene 651 (manufactured by Tosoh Corporation).
Moreover, for the dicing tape of Example 7, the tensile storage modulus at -5°C and the 30% tensile stress at -5°C and 23°C were measured in the same manner as in Example 1.
Furthermore, the dicing die bond film according to Example 7 was evaluated for chip lift and breakability.

［実施例８］
基材層を単層構造とし、基材層の厚さを１２５μｍとした以外は、実施例１と同様にして、実施例８に係るダイシングテープ及びダイシングダイボンドフィルムを得た。
基材層は、単層押出Ｔダイ成形機を用いて成形した。基材層の樹脂としては、プロピレン系エラストマー（商品名：ビスタマックス３９８０、エクソンモービルケミカル社製）を用いた。
また、実施例８に係るダイシングテープについて、実施例１と同様にして、－５℃における引張貯蔵弾性率、並びに、－５℃及び２３℃における３０％引張応力を測定した。
さらに、実施例８に係るダイシングダイボンドフィルムについて、チップ浮き及び割断性について評価した。 [Example 8]
A dicing tape and a dicing die bond film according to Example 8 were obtained in the same manner as in Example 1, except that the base layer had a single-layer structure and the thickness of the base layer was 125 μm.
The substrate layer was molded using a single-layer extrusion T-die molding machine. A propylene-based elastomer (product name: Vistamax 3980, manufactured by ExxonMobil Chemical Corporation) was used as the resin for the substrate layer.
Moreover, for the dicing tape of Example 8, the tensile storage modulus at -5°C and the 30% tensile stress at -5°C and 23°C were measured in the same manner as in Example 1.
Furthermore, the dicing die bond film according to Example 8 was evaluated for chip lift and breakability.

［実施例９］
基材層の厚さを１００μｍとした以外は、実施例８と同様にして、実施例９に係るダイシングテープ及びダイシングダイボンドフィルムを得た。
また、実施例９に係るダイシングテープについて、実施例１と同様にして、－５℃における引張貯蔵弾性率、並びに、－５℃及び２３℃における３０％引張応力を測定した。
さらに、実施例９に係るダイシングダイボンドフィルムについて、チップ浮き及び割断性について評価した。 [Example 9]
A dicing tape and a dicing die bond film according to Example 9 were obtained in the same manner as in Example 8, except that the thickness of the base layer was 100 μm.
Moreover, for the dicing tape of Example 9, the tensile storage modulus at -5°C and the 30% tensile stress at -5°C and 23°C were measured in the same manner as in Example 1.
Furthermore, the dicing die bond film according to Example 9 was evaluated for chip lift and breakability.

［比較例１］
基材層の樹脂をエバフレックスＥＶ２５０（三井・デュポンポリケミカル社製）とした以外は、実施例８と同様にして、比較例１に係るダイシングテープ及びダイシングダイボンドフィルムを得た。
また、比較例１に係るダイシングテープについて、実施例１と同様にして、－５℃における引張貯蔵弾性率、並びに、－５℃及び２３℃における３０％引張応力を測定した。
さらに、比較例１に係るダイシングダイボンドフィルムについて、チップ浮き及び割断性について評価した。 [Comparative Example 1]
A dicing tape and a dicing die bond film according to Comparative Example 1 were obtained in the same manner as in Example 8, except that the resin of the base material layer was Evaflex EV250 (manufactured by DuPont-Mitsui Polychemicals).
Moreover, for the dicing tape according to Comparative Example 1, the tensile storage modulus at -5°C and the 30% tensile stresses at -5°C and 23°C were measured in the same manner as in Example 1.
Furthermore, the dicing die bond film according to Comparative Example 1 was evaluated for chip lift and breakability.

［比較例２］
基材層の厚さを１００μｍとした以外は、比較例１と同様にして、比較例２に係るダイシングテープ及びダイシングダイボンドフィルムを得た。
また、比較例２に係るダイシングテープについて、実施例１と同様にして、－５℃における引張貯蔵弾性率、並びに、－５℃及び２３℃における３０％引張応力を測定した。
さらに、比較例２に係るダイシングダイボンドフィルムについて、チップ浮き及び割断性について評価した。 [Comparative Example 2]
A dicing tape and a dicing die bond film according to Comparative Example 2 were obtained in the same manner as in Comparative Example 1, except that the thickness of the base layer was 100 μm.
Moreover, for the dicing tape according to Comparative Example 2, the tensile storage modulus at -5°C and the 30% tensile stresses at -5°C and 23°C were measured in the same manner as in Example 1.
Furthermore, the dicing die bond film according to Comparative Example 2 was evaluated for chip lift and breakability.

各例に係るダイシングテープについて、－５℃における引張貯蔵弾性率、－５℃及び２３℃における引張応力を測定した結果とともに、各例に係るダイシングダイボンドフィルムについて、チップ浮き及び割断性について評価した結果を以下の表１に示した。 The tensile storage modulus at -5°C and the tensile stress at -5°C and 23°C were measured for the dicing tape of each example, and the results of evaluating the chip lift and breakability of the dicing die bond film of each example are shown in Table 1 below.

表１より、実施例１～９に係るダイシングテープは、いずれも、－５℃における引張貯蔵弾性率の値が１００ＭＰａ以上を示しており、実施例１～９に係るダイシングダイボンドフィルムは、割断性に優れるものであることが分かる。
また、表１より、実施例１～７に係るダイシングテープ、すなわち、基材層が３層構造であるダイシングテープを備える、実施例１～７に係るダイシングダイボンドフィルムは、いずれも、チップ浮きを抑制できていることが分かる。
これに対し、比較例１及び２に係るダイシングテープは、いずれも、－５℃における引張貯蔵弾性率の値が１００ＭＰａを下回っており、比較例１及び２に係るダイシングダイボンドフィルムは、割断性に劣るとともに、チップ浮きを抑制できていないことが分かる。
なお、表１に掲載した結果は、ダイシングダイボンドフィルムに関するものであるが、ダイシングダイボンドフィルムに含まれるダイシングテープにおいても、表１に示したものと同様の結果が得られると予想される。 From Table 1, it can be seen that the dicing tapes of Examples 1 to 9 all have a tensile storage modulus of 100 MPa or more at -5°C, and the dicing die bond films of Examples 1 to 9 have excellent breaking properties.
Furthermore, from Table 1, it can be seen that the dicing tapes of Examples 1 to 7, i.e., the dicing die bond films of Examples 1 to 7, which have a dicing tape having a three-layer base layer structure, are all able to suppress chip floating.
In contrast, the dicing tapes of Comparative Examples 1 and 2 both had tensile storage modulus values below 100 MPa at -5°C, indicating that the dicing die bond films of Comparative Examples 1 and 2 had poor breakability and were unable to suppress chip lift.
It should be noted that the results shown in Table 1 relate to the dicing die bond film, but it is expected that results similar to those shown in Table 1 will be obtained with the dicing tape contained in the dicing die bond film.

１基材層
２粘着剤層
３ダイボンド層
１０ダイシングテープ
２０ダイシングダイボンドフィルム
１ａ第１樹脂層
１ｂ第２樹脂層
１ｃ第３樹脂層
Ｇバックグラインドテープ
Ｈ保持具
Ｊ吸着治具
Ｐピン部材
Ｒダイシングリング
Ｔウェハ加工用テープ
Ｕ突き上げ部材
Ｗ半導体ウェハ REFERENCE SIGNS LIST 1 Base layer 2 Pressure sensitive adhesive layer 3 Die bond layer 10 Dicing tape 20 Dicing die bond film 1a First resin layer 1b Second resin layer 1c Third resin layer G Back grinding tape H Holder J Suction jig P Pin member R Dicing ring T Wafer processing tape U Push-up member W Semiconductor wafer

Claims

基材層上に粘着剤層が積層されたダイシングテープであって、
－５℃における引張貯蔵弾性率が１００ＭＰａ以上であり、
－５℃における３０％引張応力が５．５Ｎ／１０ｍｍ以上である
ダイシングテープ。 A dicing tape having a pressure-sensitive adhesive layer laminated on a base layer,
The tensile storage modulus at -5°C is 100 MPa or more,
30% tensile stress at -5°C is 5.5N/10mm or more
Dicing tape.

室温における３０％引張応力が３．２Ｎ／１０ｍｍ以上である
請求項１に記載のダイシングテープ。 The dicing tape according to claim 1 , wherein the dicing tape has a 30% tensile stress of 3.2 N/10 mm or more at room temperature.

室温における３０％引張応力に対する－５℃における３０％引張応力の比が１．７以上である
請求項１または２に記載のダイシングテープ。 3. The dicing tape according to claim 1, wherein the ratio of 30% tensile stress at -5°C to 30% tensile stress at room temperature is 1.7 or more.

基材層上に粘着剤層が積層されたダイシングテープと、
前記ダイシングテープの粘着剤層上に積層されたダイボンド層と、を備え、
前記ダイシングテープの－５℃における引張貯蔵弾性率が１００ＭＰａ以上であり、
前記ダイシングテープの－５℃における３０％引張応力が５．５Ｎ／１０ｍｍ以上である
ダイシングダイボンドフィルム。 a dicing tape having a pressure-sensitive adhesive layer laminated on a base layer;
A die bond layer laminated on the pressure-sensitive adhesive layer of the dicing tape,
The dicing tape has a tensile storage modulus of 100 MPa or more at −5° C.;
The dicing tape has a 30% tensile stress of 5.5 N/10 mm or more at −5° C.
Dicing die bond film.