JP7508948B2 - 試験装置、試験方法および製造方法 - Google Patents
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Description
特許文献1 国際公開第2018/092457号
Claims (21)
- 第1電源電圧が印加される第1主端子と、前記第1電源電圧よりも低い第2電源電圧が印加される第2主端子とを有する半導体装置を試験する試験装置であって、
前記半導体装置のターンオフ時における、前記第1主端子の端子電圧の変化速度を設定する条件設定部と、
前記条件設定部が設定した条件で、前記半導体装置をターンオフさせる動作制御部と、
前記半導体装置の動作結果に基づいて、前記半導体装置をスクリーニングする判定部と
を備え、
前記半導体装置のターンオフ時における前記端子電圧の時間波形は、変化速度が最大となる最大変化点を有し、
前記条件設定部は、前記最大変化点の電圧よりも高い第1設定電圧における前記変化速度の値である基準値が予め定められており、前記基準値に基づいて、前記変化速度を設定する
試験装置。 - 前記条件設定部は、前記変化速度と前記基準値との差異が所定値以下となるように、前記変化速度を設定する
請求項1に記載の試験装置。 - 第1電源電圧が印加される第1主端子と、前記第1電源電圧よりも低い第2電源電圧が印加される第2主端子とを有する半導体装置を試験する試験装置であって、
前記半導体装置のターンオフ時における、前記第1主端子の端子電圧の変化速度を設定する条件設定部と、
前記条件設定部が設定した条件で、前記半導体装置をターンオフさせる動作制御部と、
前記半導体装置の動作結果に基づいて、前記半導体装置をスクリーニングする判定部と
を備え、
前記半導体装置のターンオフ時における前記端子電圧の時間波形は、変化速度が最大となる最大変化点を有し、
前記条件設定部は、前記最大変化点の電圧よりも高い第1設定電圧における前記変化速度を、予め定められた値に設定し、
前記試験装置は、前記半導体装置がチップ状態の場合と、モジュール状態の場合の2つの状態のそれぞれにおいて、前記半導体装置を試験し、
前記条件設定部は、前記モジュール状態の前記半導体装置を試験する場合の前記第1設定電圧における前記変化速度よりも、前記チップ状態の前記半導体装置を試験する場合の前記第1設定電圧における前記変化速度を大きくする
試験装置。 - 前記条件設定部は、前記モジュール状態の前記半導体装置に対するスクリーニング結果に応じて、前記チップ状態の前記半導体装置に対する前記第1設定電圧における前記変化速度を調整する
請求項3に記載の試験装置。 - 前記条件設定部は、前記モジュール状態の前記半導体装置における不良率が増大した場合に、前記チップ状態の前記半導体装置に対する前記第1設定電圧における前記変化速度を増大させる
請求項4に記載の試験装置。 - 第1電源電圧が印加される第1主端子と、前記第1電源電圧よりも低い第2電源電圧が印加される第2主端子とを有する半導体装置を試験する試験装置であって、
前記半導体装置のターンオフ時における、前記第1主端子の端子電圧の変化速度を設定する条件設定部と、
前記条件設定部が設定した条件で、前記半導体装置をターンオフさせる動作制御部と、
前記半導体装置の動作結果に基づいて、前記半導体装置をスクリーニングする判定部と
を備え、
前記半導体装置のターンオフ時における前記端子電圧の時間波形は、変化速度が最大となる最大変化点を有し、
前記条件設定部は、前記最大変化点の電圧よりも高い第1設定電圧における前記変化速度を、予め定められた値に設定し、
前記試験装置は、前記半導体装置がチップ状態の場合と、モジュール状態の場合の2つの状態のそれぞれにおいて、前記半導体装置を試験し、
前記条件設定部は、前記チップ状態の前記半導体装置を試験する場合の前記第1設定電圧を前記モジュール状態の前記半導体装置を試験する場合の前記第1設定電圧よりも高くする
試験装置。 - 第1電源電圧が印加される第1主端子と、前記第1電源電圧よりも低い第2電源電圧が印加される第2主端子とを有する半導体装置を試験する試験装置であって、
前記半導体装置のターンオフ時における、前記第1主端子の端子電圧の変化速度を設定する条件設定部と、
前記条件設定部が設定した条件で、前記半導体装置をターンオフさせる動作制御部と、
前記半導体装置の動作結果に基づいて、前記半導体装置をスクリーニングする判定部と
を備え、
前記半導体装置のターンオフ時における前記端子電圧の時間波形は、変化速度が最大となる最大変化点を有し、
前記条件設定部は、
前記最大変化点の電圧よりも高い第1設定電圧における前記変化速度を、予め定められた値に設定し、
前記第1設定電圧とは異なる第2設定電圧における前記変化速度を、予め定められた値にさらに設定する
試験装置。 - 前記第2設定電圧は前記第1設定電圧よりも低い
請求項7に記載の試験装置。 - 前記第1設定電圧は、前記第1電源電圧の80%以上の電圧である
請求項1から8のいずれか一項に記載の試験装置。 - 前記第1設定電圧は、前記第1電源電圧以上の電圧である
請求項9に記載の試験装置。 - 前記第1設定電圧は、前記第1電源電圧と同一の電圧である
請求項10に記載の試験装置。 - 第1電源電圧が印加される第1主端子と、前記第1電源電圧よりも低い第2電源電圧が印加される第2主端子とを有する半導体装置を試験する試験方法であって、
前記半導体装置のターンオフ時における、前記第1主端子の端子電圧の変化速度を設定する条件設定段階と、
前記条件設定段階で設定した条件で、前記半導体装置をターンオフさせる動作制御段階と、
前記半導体装置の動作結果に基づいて、前記半導体装置をスクリーニングする判定段階と
を備え、
前記半導体装置のターンオフ時における前記端子電圧の時間波形は、変化速度が最大となる最大変化点を有し、
前記条件設定段階において、前記最大変化点の電圧よりも高い第1設定電圧における前記変化速度の値である基準値が予め定められており、前記基準値に基づいて、前記変化速度を設定する
試験方法。 - 前記条件設定段階において、前記変化速度と前記基準値との差異が所定値以下となるように、前記変化速度を設定する
請求項12に記載の試験方法。 - 第1電源電圧が印加される第1主端子と、前記第1電源電圧よりも低い第2電源電圧が印加される第2主端子とを有する半導体装置を前記半導体装置がチップ状態の場合と、モジュール状態の場合の2つの状態のそれぞれにおいて試験する試験方法であって、
前記チップ状態の試験と、前記モジュール状態の試験のそれぞれにおいて、前記半導体装置のターンオフ時における、前記第1主端子の端子電圧の変化速度を設定する条件設定段階と、
前記条件設定段階で設定した条件で、前記半導体装置をターンオフさせる動作制御段階と、
前記半導体装置の動作結果に基づいて、前記半導体装置をスクリーニングする判定段階と
を備え、
前記半導体装置のターンオフ時における前記端子電圧の時間波形は、変化速度が最大となる最大変化点を有し、
前記条件設定段階において、
前記最大変化点の電圧よりも高い第1設定電圧における前記変化速度を、予め定められた値に設定し、
前記モジュール状態の前記半導体装置を試験する場合の前記第1設定電圧における前記変化速度よりも、前記チップ状態の前記半導体装置を試験する場合の前記第1設定電圧における前記変化速度を大きくする
試験方法。 - 第1電源電圧が印加される第1主端子と、前記第1電源電圧よりも低い第2電源電圧が印加される第2主端子とを有する半導体装置を前記半導体装置がチップ状態の場合と、モジュール状態の場合の2つの状態のそれぞれにおいて試験する試験方法であって、
前記チップ状態の試験と、前記モジュール状態の試験のそれぞれにおいて、前記半導体装置のターンオフ時における、前記第1主端子の端子電圧の変化速度を設定する条件設定段階と、
前記条件設定段階で設定した条件で、前記半導体装置をターンオフさせる動作制御段階と、
前記半導体装置の動作結果に基づいて、前記半導体装置をスクリーニングする判定段階と
を備え、
前記半導体装置のターンオフ時における前記端子電圧の時間波形は、変化速度が最大となる最大変化点を有し、
前記条件設定段階において、
前記最大変化点の電圧よりも高い第1設定電圧における前記変化速度を、予め定められた値に設定し、
前記チップ状態の前記半導体装置を試験する場合の前記第1設定電圧を前記モジュール状態の前記半導体装置を試験する場合の前記第1設定電圧よりも高くする
試験方法。 - 第1電源電圧が印加される第1主端子と、前記第1電源電圧よりも低い第2電源電圧が印加される第2主端子とを有する半導体装置を試験する試験方法であって、
前記半導体装置のターンオフ時における、前記第1主端子の端子電圧の変化速度を設定する条件設定段階と、
前記条件設定段階で設定した条件で、前記半導体装置をターンオフさせる動作制御段階と、
前記半導体装置の動作結果に基づいて、前記半導体装置をスクリーニングする判定段階と
を備え、
前記半導体装置のターンオフ時における前記端子電圧の時間波形は、変化速度が最大となる最大変化点を有し、
前記条件設定段階において、
前記最大変化点の電圧よりも高い第1設定電圧における前記変化速度を、予め定められた値に設定し、
前記第1設定電圧とは異なる第2設定電圧における前記変化速度を、予め定められた値にさらに設定する
試験方法。 - 第1電源電圧が印加される第1主端子と、前記第1電源電圧よりも低い第2電源電圧が印加される第2主端子を有する半導体装置を含む半導体モジュールの製造方法であって、
チップ状態の前記半導体装置を試験する試験段階と、
前記試験段階において選別された前記半導体装置をモジュールに組み込むことで、前記半導体モジュールを形成する組込段階と
を備え、
前記試験段階は、
前記半導体装置のターンオフ時における、前記第1主端子の端子電圧の変化速度を設定する条件設定段階と、
前記条件設定段階で設定した条件で、前記半導体装置をターンオフさせる動作制御段階と、
前記半導体装置の動作結果に基づいて、前記半導体装置をスクリーニングする判定段階と
を有し、
前記半導体装置のターンオフ時における前記端子電圧の時間波形は、変化速度が最大となる最大変化点を有し、
前記条件設定段階において、前記最大変化点の電圧よりも高い第1設定電圧における前記変化速度の値である基準値が予め定められており、前記基準値に基づいて、前記変化速度を設定する
製造方法。 - 前記条件設定段階において、前記変化速度と前記基準値との差異が所定値以下となるように、前記変化速度を設定する
請求項17に記載の製造方法。 - 第1電源電圧が印加される第1主端子と、前記第1電源電圧よりも低い第2電源電圧が印加される第2主端子を有する半導体装置を含む半導体モジュールの製造方法であって、
チップ状態の前記半導体装置を試験する第1試験段階と、
前記第1試験段階において選別された前記半導体装置をモジュールに組み込むことで、前記半導体モジュールを形成する組込段階と、
前記半導体モジュールに組み込んだそれぞれの前記半導体装置を試験する第2試験段階と
を備え、
前記第1試験段階および第2試験段階は、
前記半導体装置のターンオフ時における、前記第1主端子の端子電圧の変化速度を設定する条件設定段階と、
前記条件設定段階で設定した条件で、前記半導体装置をターンオフさせる動作制御段階と、
前記半導体装置の動作結果に基づいて、前記半導体装置をスクリーニングする判定段階と
を有し、
前記半導体装置のターンオフ時における前記端子電圧の時間波形は、変化速度が最大となる最大変化点を有し、
前記条件設定段階において、
前記最大変化点の電圧よりも高い第1設定電圧における前記変化速度を、予め定められた値に設定し、
前記モジュールに組み込んだそれぞれの前記半導体装置を試験する場合の前記第1設定電圧における前記変化速度よりも、前記チップ状態の前記半導体装置を試験する場合の前記第1設定電圧における前記変化速度を大きくする
製造方法。 - 第1電源電圧が印加される第1主端子と、前記第1電源電圧よりも低い第2電源電圧が印加される第2主端子を有する半導体装置を含む半導体モジュールの製造方法であって、
チップ状態の前記半導体装置を試験する第1試験段階と、
前記第1試験段階において選別された前記半導体装置をモジュールに組み込むことで、前記半導体モジュールを形成する組込段階と、
前記半導体モジュールに組み込んだそれぞれの前記半導体装置を試験する第2試験段階と
を備え、
前記第1試験段階および第2試験段階は、
前記半導体装置のターンオフ時における、前記第1主端子の端子電圧の変化速度を設定する条件設定段階と、
前記条件設定段階で設定した条件で、前記半導体装置をターンオフさせる動作制御段階と、
前記半導体装置の動作結果に基づいて、前記半導体装置をスクリーニングする判定段階と
を有し、
前記半導体装置のターンオフ時における前記端子電圧の時間波形は、変化速度が最大となる最大変化点を有し、
前記条件設定段階において、
前記最大変化点の電圧よりも高い第1設定電圧における前記変化速度を、予め定められた値に設定し、
前記チップ状態の前記半導体装置を試験する場合の前記第1設定電圧を前記モジュールに組み込んだそれぞれの前記半導体装置を試験する場合の前記第1設定電圧よりも高くする
製造方法。 - 第1電源電圧が印加される第1主端子と、前記第1電源電圧よりも低い第2電源電圧が印加される第2主端子を有する半導体装置を含む半導体モジュールの製造方法であって、
チップ状態の前記半導体装置を試験する試験段階と、
前記試験段階において選別された前記半導体装置をモジュールに組み込むことで、前記半導体モジュールを形成する組込段階と
を備え、
前記試験段階は、
前記半導体装置のターンオフ時における、前記第1主端子の端子電圧の変化速度を設定する条件設定段階と、
前記条件設定段階で設定した条件で、前記半導体装置をターンオフさせる動作制御段階と、
前記半導体装置の動作結果に基づいて、前記半導体装置をスクリーニングする判定段階と
を有し、
前記半導体装置のターンオフ時における前記端子電圧の時間波形は、変化速度が最大となる最大変化点を有し、
前記条件設定段階において、
前記最大変化点の電圧よりも高い第1設定電圧における前記変化速度を、予め定められた値に設定し、
前記第1設定電圧とは異なる第2設定電圧における前記変化速度を、予め定められた値にさらに設定する
製造方法。
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