JP7493228B2 - 有機半導体材料および有機薄膜トランジスタ - Google Patents
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しかし一般に有機化合物は、半導体層となる固相を隣接分子間の相互作用により構築するため、これらを共有結合で構築することができる無機化合物に対して相互作用が弱くなる。そのため、固相内でのキャリア移動に障害が大きくなる傾向があるとともに、熱耐久性が低下するという課題がある。特に、トランジスタのチャネル層に用いる有機半導体化合物は、室温を中心とした広い温度領域にわたって、融解などの相転移をおこさない必要がある。ここで相転移とは、有機化合物の固相から液相への変化、固相から液晶相への変化、固相から他の固相への変化、液晶相から液相への変化、あるいはこれらの逆方向の変化などを指し、これらの相転移の発生する温度を相転移点と呼び、そのなかで特に固相や液晶相から液相に転移する温度を融点とよぶ。
例えば非特許文献4に記載されているように、アルキル基を置換したBTBTは塗布製膜が可能な溶解性を有しつつ高い移動度を示すものの、転移点が110℃であることが示されており、特許文献1には半導体デバイスの熱耐久性に関する課題が示されている。
一方、縮環数の大きい場合は、相転移温度が高温側へシフトし有機トランジスタデバイスの熱耐久性は改善されるものの、塗布法を適用するための溶媒溶解性が不充分となる。
例えば前記BTBTよりも縮環数の大きいジナフトベンゾジチオフェン(DNBDT)にアルキル基を付与した非特許文献5に記載した化合物では、高い移動度を示すとともに相転移温度が200℃以上であることから、高耐熱な有機トランジスタの製造が期待できるが、その溶媒溶解性は室温では極めて低いため、文献においても加熱条件下での溶液調整法および塗布成膜法が示されている。
このように、溶媒溶解性と熱耐久性は一般にトレードオフ関係にあり、高い溶媒溶解性と高い熱耐久性を両立する有機半導体材料(有機半導体化合物)の開発が求められている。
上述のとおり、塗布製膜が可能な十分な溶媒溶解性を有し、かつ、熱耐久性が高く、キャリア移動度が高い有機半導体材料が開発できれば、印刷などの塗布製膜法を用いて、任意の基板上に簡便に有機薄膜トランジスタを作製することができ、これを集積することでフレキシブルなデバイスを作製することができる。たとえば、これが薄膜の場合には、タッチパネルなどの透明電極や、有機ELや有機太陽電池の電極などに利用でき、また電磁波吸収シートとして利用することが可能となる。その産業的利用価値は極めて大きいが、そのような要請に応える有機半導体材料がまだ開発されていないのが現状である。
〈1〉以下の一般式(1)または(2)で表される化合物。
〈2〉R1は芳香族炭化水素基または複素環基であり、R2およびR3はいずれか一方が水素原子であり、もう一方は炭素数1~20のアルキル基である、〈1〉に記載の化合物。
〈3〉R2が水素原子である、〈1〉または〈2〉に記載の化合物。
〈4〉アルキル基が炭素数6~12のアルキル基である、〈1〉~〈3〉のいずれかに記載の化合物。
〈5〉一般式(1)で示される、〈1〉~〈4〉のいずれかに記載の化合物。
〈6〉有機溶媒に対する25℃における溶解度が0.01質量%以上の、〈1〉~〈5〉のいずれかに記載の化合物。
〈7〉示差走査熱測定において160℃未満に相転移を示すピークが観測されない、〈1〉~〈6〉のいずれかに記載の化合物。
〈8〉〈1〉~〈7〉のいずれかに記載の化合物と有機溶媒とを含有する組成物。
〈9〉〈1〉~〈7〉のいずれかに記載の化合物を含有する有機半導体薄膜。
〈10〉〈9〉に記載の有機半導体薄膜を含んでなる有機半導体デバイス。
〈11〉〈9〉に記載の有機半導体薄膜を含んでなる有機トランジスタ。
〈12〉有機半導体薄膜が単結晶である、〈11〉に記載の有機トランジスタ。
〈13〉〈8〉に記載の有機半導体組成物を基材上に塗布することにより有機半導体薄膜を製膜することを特徴とする、有機トランジスタの製造方法。
〈14〉有機半導体薄膜が単結晶であることを特徴とする、〈13〉に記載の有機トランジスタの製造方法。
本発明の縮合多環芳香族化合物は、上記式(1)または(2)で表される構造を有する。式(1)および(2)中、R1は芳香族炭化水素基または複素環基または炭素数1~20のアルキル基を表し、R2およびR3はいずれか一方が水素原子であり、もう一方はR1が芳香族炭化水素基または複素環基であるときは炭素数1~20のアルキル基であり、R1が炭素数1~20のアルキル基であるときは芳香族炭化水素基または複素環基を表す。
直鎖アルキル基の具体例としては、メチル基、エチル基、n-プロピル基、n-ブチル基、n-ペンチル基、n-ヘキシル基、n-ヘプチル基、n-オクチル基、n-ノニル基、n-デシル基、n-ウンデシル基、n-ドデシル基、n-トリデシル基、n-テトラデシル基、n-ペンタデシル基、n-ヘキサデシル基、n-ヘプタデシル基、n-オクタデシル基、n-ノナデシル基およびn-エイコシル基等が挙げられる。分岐鎖アルキル基の具体例としては、iso-プロピル基、iso-ブチル基、t-ブチル基、iso-ペンチル基、t-ペンチル基、sec-ペンチル基、iso-ヘキシル基、sec-ヘプチル基、sec-ノニル基、2-エチルヘキシル基および2-ヘキシルデシル基等が挙げられる。脂環式のアルキル基の具体例としては、シクロヘキシル基、シクロペンチル基、アダマンチル基およびノルボルニル基等が挙げられる。
式(1)および(2)のR1~R3が表すアルキル基としては直鎖または分岐鎖アルキル基であることが好ましく、直鎖アルキル基であることがより好ましい。また、R1~R3が表すアルキル基の炭素数は、炭素数が多いほど溶解性ならびに相転移温度が低下することから、4~14であることが好ましく、6~14であることがより好ましく、6~12であることが更に好ましく、6~10であることが最も好ましい。
式(1)および(2)のR1~R3が表す芳香族炭化水素基はアルキル基を置換基として有していてもよく、そのアルキル基は直鎖、分岐鎖または脂環式のいずれにも限定されず、その具体例としては、式(1)および(2)のR1~R3が表すアルキル基と同じものが挙げられる。
式(1)および(2)のR1~R3が表す複素環基の具体例としては、ピリジル基、ピラジル基、ピリミジル基、キノリル基、イソキノリル基、ピロリル基、インドレニル基、イミダゾリル基、カルバゾリル基、チエニル基、フリル基、ピラニル基、ピリドニル基、ベンゾキノリル基、アントラキノリル基、ベンゾチエニル基、ベンゾフリル基およびチエノチエニル基等が挙げられる。より少ない炭素数で構成される複素環基ほど溶解性が高くなるためピリジル基、チエニル基、ベンゾチエニル基またはチエノチエニル基であることが好ましく、ピリジル基、チエニル基またはベンゾチエニル基であることがより好ましく、ピリジル基またはチエニル基であることが更に好ましい。
式(1)および(2)のR1~R3が表す複素環基はアルキル基を置換基として有していてもよく、そのアルキル基は直鎖、分岐鎖または脂環式のいずれにも限定されず、その具体例としては、式(1)および(2)のR1~R3が表すアルキル基と同じものが挙げられる。
上記有機溶媒としては、クロロホルム、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン等のハロゲン系溶媒も使用できるが、ベンゼン、トルエン、キシレン、メシチレン、テトラヒドロナフタレン、シクロヘキシルベンゼンなどの芳香族炭化水素類、テトラヒドロフラン、アニソール、フェネトール、ブトキシベンゼンなどのエーテル類などを用いることができ、これら有機溶媒は、単一の有機溶媒でも、複数の有機溶媒を混合して使用することもできる。実用的な観点から環境問題等を考慮した場合、非ハロゲン系溶媒であることが好ましい。
式(1)または(2)で表される縮合多環芳香族化合物は、必要に応じて他の有機半導体材料や各種の添加剤を含むことができる。上記添加剤としては、例えば、半導体性を示す半導体性高分子化合物や、絶縁性を示す絶縁性高分子化合物などが挙げられる。上記半導体性高分子化合物の具体例として、ポリアセチレン系高分子、ポリジアセチレン系高分子、ポリパラフェニレン系高分子、ポリアニリン系高分子、ポリチオフェン系高分子、ポリアリールアミン系高分子、ポリピロール系高分子、ポリチエニレンビニレン系高分子、ポリカルバゾール系高分子、ポリインドール系高分子、ポリパラフェニレンビニレン系高分子や、これらの誘導体等が挙げられる。上記絶縁性高分子材料の具体例としては、アクリル系高分子、ポリエチレン系高分子、ポリメタクリレート系高分子、ポリスチレン系高分子、ポリエチレンテレフタレート系高分子、ナイロン系高分子、ポリアミド系高分子、ポリエステル系高分子、ビニロン系高分子、ポリイソプレン系高分子、セルロース系高分子、共重合系高分子およびこれらの誘導体等が挙げられる。また、半導体デバイスの特性を損なわない限りにおいて、その他の添加剤、例えばドーパント、導電性物質、粘度調整剤、レベリング剤、レオロジー調整剤などを加えてもよい。
図1における各態様例の有機トランジスタ10A~10Fにおいて、1がソース電極、2が半導体層、3がドレイン電極、4が絶縁体層、5がゲート電極、6が基板をそれぞれ表す。尚、各層や電極の配置は、有機トランジスタの用途により適宜選択できる。有機トランジスタ10Aはボトムコンタクト-ボトムゲート構造、有機トランジスタ10Bはトップコンタクト-ボトムゲート構造と呼ばれる。また、有機トランジスタ10Cは半導体層2上にソース電極1およびドレイン電極3、絶縁体層4を設け、さらにその上にゲート電極5を形成しており、トップコンタクトトップゲート構造と呼ばれている。有機トランジスタ10Dはトップ&ボトムコンタクトボトムゲート型トランジスタと呼ばれる構造である。有機トランジスタ10Fはボトムコンタクト-トップゲート構造である。有機トランジスタ10Eは縦型の構造をもつトランジスタ、すなわち静電誘導トランジスタ(SIT)の模式図である。このSITは、電流の流れが平面状に広がるので一度に大量のキャリア8が移動できる。またソース電極1とドレイン電極3が縦に配されているので電極間距離を小さくできるため応答が高速である。従って、大電流を流す、高速のスイッチングを行うなどの用途に好ましく適用できる。なお図1中の有機トランジスタ10Eには、基板を記載していないが、通常の場合、有機トランジスタ10Eのソース電極1またはドレイン電極3の外側には基板が設けられる。
基板6は、その上に形成される各構成要素が剥離することなく保持できることが必要である。基板6としては、例えば、樹脂板、樹脂フィルム、紙、ガラス板、石英板、セラミック板等の絶縁性基板;金属または合金等からなる導電性基板上にコーティング等により絶縁層を形成した基板;樹脂と無機材料との組み合わせ等のような各種組合せからなる基板;半導体基板(例えばシリコンウェハー)等の導電性基板等が使用できる。使用できる樹脂フィルムの例としては、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリイミド、ポリカーボネートなどが挙げられる。樹脂フィルムや紙を用いると、デバイスに可撓性を持たせることができ、フレキシブルで、軽量となり、実用性が向上する。基板の厚みは、通常1μm~10mmであり、好ましくは5μm~5mmである。導電性基板を用いた場合は、基板がボトムゲート型トランジスタのゲート電極を兼ねてもよい。
半導体層2については複数の層を形成してもよいが、単層構造であることがより好ましい。半導体層2の膜厚は、必要な機能を失わない範囲で、薄いほど好ましい。これは、有機トランジスタ10A、10Bおよび10Dのような横型の有機トランジスタにおいては、所定以上の膜厚があれば有機トランジスタの特性は膜厚に依存しないが、膜厚が厚くなると半導体特性の低下につながるためである。必要な機能を示すための半導体層2の膜厚は、通常、1nm~1μm、好ましくは5nm~300nmである。
本発明の有機トランジスタは、基板6上に必要な各種の層や電極を設けることで作製される(図2(a)参照)。基板6の材質および厚みは上記で説明したとおりであり、この基板6上に前述の表面処理などを行うことも可能である。また、必要により、基板に電極の機能を持たせるようにすることもできる。
基板6上にゲート電極5を形成する(図2(b)参照)。ゲート電極5の材料としては上記で説明したものが用いられる。ゲート電極5を成膜する方法としては、各種の方法を用いることができ、例えば真空蒸着法、スパッタ法、塗布法、熱転写法、印刷法、ゾルゲル法等が採用される。成膜時または成膜後、所望の形状になるよう必要に応じてパターニングを行うのが好ましい。パターニングの方法としても各種の方法を用いうるが、例えばフォトレジストのパターニングとエッチングを組み合わせたフォトリソグラフィー法等が挙げられる。また、シャドウマスクを用いた蒸着法やスパッタ法やインクジェット印刷、スクリーン印刷、オフセット印刷、凸版印刷等の印刷法、マイクロコンタクトプリンティング法等のソフトリソグラフィーの手法、およびこれら手法を複数組み合わせた手法を利用し、パターニングすることも可能である。ゲート電極5の膜厚は、材料によっても異なるが、通常0.1nm~10μmであり、好ましくは0.5nm~5μmであり、より好ましくは1nm~3μmである。また、ゲート電極5と基板6を兼ねるような場合は上記の膜厚より大きくてもよい。
ゲート電極5上に絶縁体層4を形成する(図2(c)参照)。絶縁体層4を構成する絶縁体材料としては上記で説明した材料が用いられる。絶縁体層4を形成するにあたっては各種の方法を用いることができる。例えばスピンコート法、ドロップキャスト法、スプレー法などの塗布法、スクリーン印刷、オフセット印刷、インクジェット等の印刷法、真空蒸着法、分子線エピタキシャル成長法、スパッタリング法、大気圧プラズマ法、CVD法などのドライプロセス法が挙げられる。その他、アルミニウム上のアルマイト、シリコン上の酸化珪素のように金属上に熱酸化法などにより酸化物膜を形成する方法等が採用される。なお、絶縁体層4と半導体層2が接する部分においては、基板6と同様の手法で絶縁体層4上に所定の表面処理を行うこともできる。
本発明の上記一般式(1)および(2)で表される縮合多環芳香族化合物を含む有機半導体材料は、半導体層2の形成に使用される(図2(d)参照)。半導体層2を成膜するにあたっては、上記の各種方法を用いることができ、その厚みについても上記のとおりである。このように形成された半導体層2は、後処理によりさらに特性を改良することが可能である。例えば、微量の元素、原子団、分子、高分子を半導体層2に加えるドーピング手法を用いて有機半導体を酸化/還元することにより、特性を変化させることができる。これには酸/塩基、電子ドナー/アクセプターなどの気相/溶液/固相と接触させることで達成される。これらのドーピングの効果は、キャリア密度の増加あるいは減少による電気伝導度の変化、キャリアの極性の変化(p型、n型)、フェルミ準位の変化等が挙げられる。
ソース電極1およびドレイン電極3の形状や使用される材料、形成方法等は上記のとおりである(図2(e)参照)。また、ソース電極1およびドレイン電極3の形成はゲート電極5の場合に準じて形成することもできる。また半導体層2との接触抵抗を低減するために各種添加剤などを用いることが可能である。
半導体層2上に保護層7を形成すると、外気の影響を最小限にでき、また、有機トランジスタの電気的特性を安定化できるという利点がある(図2(f)参照)。保護層7の材料や厚みなどは上記のとおりである。保護層7を成膜するにあたっては各種の方法を採用しうるが、保護層7が樹脂からなる場合は、例えば、樹脂溶液を塗布後、乾燥させて樹脂膜とする方法;樹脂モノマーを塗布あるいは蒸着したのち重合する方法;などが挙げられる。成膜後に架橋処理を行ってもよい。無機物の場合は、例えば、スパッタリング法、蒸着法等の真空プロセスでの形成方法や、ゾルゲル法等の溶液プロセスでの形成方法も用いることができる。
一般式(1)のそれぞれR1がフェニル基、R2が水素、R3がn-デシル基である化合物No.1で表される本発明の縮合多環芳香族化合物を、下記の合成フローに従って合成した。
実施例1で得られたNo.1で表される縮合多環芳香族化合物の核磁気共鳴分光および質量分析の測定結果は以下のとおりであった。
1H-NMR(400MHz,CDCl3):σ8.340(s,1H),8.25(s,1H),7.83(d,J=8.4 Hz,1H),7.78-7.75(m,2H),7.69-7.66(m,2H),7.49-7.44(m,2H),7.38(t,J=7.6 Hz,1H),7.27-7.24(m,1H),2.78(t,J=7.6Hz,2H),1.77-1.67(m,2H),1.42-1.24(m,14H),0.88(t,J=6.8 Hz,3H).MS(EI):m/z512.
n-デシル基をn-ヘキシル基に代えたPrecursorを用いる以外は実施例1と同様にして、一般式(1)のそれぞれR1がフェニル基、R2が水素、R3がn-ヘキシル基である化合物No.2で表される本発明の縮合多環芳香族化合物を合成した。
実施例2で得られたNo.2で表される縮合多環芳香族化合物の核磁気共鳴分光および質量分析の測定結果は以下のとおりであった。
1H-NMR(400MHz,CDCl3):σ8.34(s,1H),8.25(s,1H),7.83(d,J=8.4 Hz,1H),7.78-7.74(m,2H),7.69-7.66(m,2H),7.49-7.44(m,2H),7.40-7.35(m,1H),7.27-7.24(m,1H),2.78(t,J=7.6Hz,2H),1.76-1.68(m,2H),1.43-1.30(m,6H),0.90(t,J=6.8 Hz,3H).MS(EI):m/z456.
一般式(1)のそれぞれR1がフェニル基、R2がn-デシル基、R3が水素である化合物No.21で表される本発明の縮合多環芳香族化合物を、下記の合成フローに従って合成した。
実施例3で得られたNo.21で表される縮合多環芳香族化合物の核磁気共鳴分光および質量分析の測定結果は以下のとおりであった。
1H-NMR(300MHz,1,1,2,2-tetrachloroethane-d2):σ8.38(s,1H),8.27(s,1H),7.84-7.77(m,4H),7.69(s,1H),7.54-7.47(m,2H),7.42(t,J=7.2 Hz,1H),7.36(d,J=8.1Hz,1H),2.84(t,J=7.5Hz,2H),1.83-1.73(m,2H),1.45-1.32(m,14H),0.95(t,J=6.9 Hz,3H).MS(EI):m/z512.
一般式(2)のそれぞれR1がフェニル基、R2が水素、R3がn-ヘキシル基である化合物No.31で表される本発明の縮合多環芳香族化合物を、下記の合成フローに従って合成した。
実施例4で得られたNo.31で表される縮合多環芳香族化合物の核磁気共鳴分光および質量分析の測定結果は以下のとおりであった。
1H-NMR(400MHz,CDCl3):σ8.31(s,1H),8.29(s,1H),7.82(d,J=7.6 Hz,1H),7.76(d,J=7.2Hz,2H),7.68(s,1H),7.62(s,1H),7.48-7.43(m,2H),7.39-7.34(m,1H),7.26-7.23(m,1H),2.78(t,J=7.6Hz,2H),1.76-1.68(m,2H),1.42-1.31(m,6H),0.90(t,J=6.8 Hz,3H).MS(EI):m/z456.
実施例1で得られた化合物No.1で表される縮合多環芳香族化合物の粉末約1mgをバイアルに量り取り、正確に質量を測定した。そこに各温度下でクロロベンゼン、キシレン、クロロホルムまたはトルエンをそれぞれ加えていき、縮合多環芳香族化合物が完全に溶解した時点で溶液の質量を正確に測定した。No.1で表される縮合多環芳香族化合物の質量と前記のクロロベンゼン溶液、キシレン溶液、クロロホルム溶液またはトルエン溶液の質量から溶解度(縮合多環芳香族化合物の質量/各溶液の質量×100)を算出した。なお、完全に溶解した時点の見極めは目視確認により行った。得られた溶解度を表2に示す。
実施例2で得られた化合物No.2で表される縮合多環芳香族化合物について、実施例5と同様の手法で溶解度を算出した。得られた溶解度を表2に示す。
実施例3で得られた化合物No.21で表される縮合多環芳香族化合物について、実施例5と同様の手法で溶解度を算出した。得られた溶解度を表2に示す。
実施例4で得られた化合物No.31で表される縮合多環芳香族化合物について、実施例5と同様の手法で溶解度を算出した。得られた溶解度を表2に示す。
比較例として、化合物No.1、No.2、No.21およびNo.31と同程度の縮合度を有し、類似する置換基を有する、下記の縮合多環芳香族化合物No.101について知られている溶解度(文献値)を表2に記載した。
比較例として、化合物No.1、No.2、No.21およびNo.31と同程度の縮合度を有し、類似する置換基を有する、下記の縮合多環芳香族化合物No.102について知られている溶解度(文献値)を表2に記載した。
実施例1で得られたNo.1で表される縮合多環芳香族化合物について、示差熱・熱重量分析計(TG/DTA)を用いて示差熱・熱重量分析を行い、示差熱・熱重量変化曲線を得た。結果を図3に示す。合成した縮合多環芳香族化合物は、369℃付近まで重量減少がなく、高い熱耐久性を示すことが判明した。
実施例1で得られたNo.1で表される縮合多環芳香族化合物について、示差走査熱量計(DSC)を用いて示差走査熱量分析を行い、示差走査熱量曲線(DSC曲線)を得た。示差走査熱量曲線から得られた結晶が最初に相転移する温度、および、融点を図4と表3に示す。
実施例2で得られたNo.2で表される縮合多環芳香族化合物について、実施例10と同様の手法で示差走査熱量分析を行った。示差走査熱量曲線から得られた結晶が最初に相転移する温度、および、融点を表3に示す。
実施例3で得られたNo.21で表される縮合多環芳香族化合物について、実施例10と同様の手法で示差走査熱量分析を行った。示差走査熱量曲線から得られた結晶が最初に相転移する温度、および、融点を表3に示す。
実施例4で得られたNo.31で表される縮合多環芳香族化合物について、実施例10と同様の手法で示差走査熱量分析を行った。示差走査熱量曲線から得られた結晶が最初に相転移する温度、および、融点を表3に示す。
化合物No.1、No.2、No.21およびNo.31と同程度の縮合度、および類似する置換基を有する下記の縮合多環芳香族化合物No.103について知られている、結晶が最初に相転移する温度、および、融点(文献値)を表3に記載した。
化合物No.1、No.2、No.21およびNo.31と同程度の縮合度、および類似する置換基を有する下記の縮合多環芳香族化合物No.104について知られている、結晶が最初に相転移する温度、および、融点(文献値)を表3に記載した。
化合物No.1、No.2、No.21およびNo.31と同程度の縮合度、および類似する置換基を有する下記の縮合多環芳香族化合物No.105について知られている、結晶が最初に相転移する温度、および、融点(文献値)を表3に記載した。
SiO2熱酸化膜付きpドープシリコンウェハー上に実施例1で得られたNo.1で表される有機化合物のクロロベンゼン溶液をブレード掃引することにより製膜することで、直径約1000ミクロンの良質な結晶性膜を得た。得られた薄膜をクロスニコル下の偏光顕微鏡で観察すると、単一ドメインであり、単結晶性有機薄膜であることが確認された。
実施例14得られた単結晶性有機薄膜を用いて有機トランジスタデバイスを作製し、トランジスタ特性を評価した。
実施例14で得られた単結晶性有機薄膜上にシャドウマスクを用いてAuを真空蒸着することでソース・ドレイン電極を作製した。今回作製した有機トランジスタデバイスはチャネル長50μm、チャネル幅200μmである。このようにして作製した有機トランジスタデバイスはトップコンタクト型であり、図1b)は、その構造を示すものである。なお、本実施例における有機トランジスタデバイスにおいては、熱酸化膜付きpドープシリコンウェハーにおける熱酸化膜が絶縁体層4の機能を有し、pドープシリコンウェハーが基板6およびゲート電極5の機能を兼ね備えている。
有機トランジスタデバイスの性能は、ゲートに電位をかけた状態でソース・ドレイン間に電位をかけた時に流れた電流量に依存する。この電流値を測定することでトランジスタの特性である移動度を決めることができる。移動度は、絶縁体としてのSiO2にゲート電界を印加した結果、有機半導体層中に生じるキャリア種の電気的特性を表現する式(a)から算出することができる。
式(a)
Id=WμCi(Vg-Vt)2/2L・・・(a)
ここで、Idは飽和したソース・ドレイン電流値、Wはチャネル幅、Ciは絶縁体の電気容量、Vgはゲート電位、Vtはしきい電位、Lはチャネル長であり、μは決定する移動度(cm2/Vs)である。Ciは用いたSiO2絶縁膜の誘電率、W、Lは有機トランジスタデバイスのデバイス構造よりに決まり、Id、Vgは有機トランジスタデバイスの電流値の測定時に決まり、VtはId、Vgから求めることができる。式(a)に各値を代入することで、それぞれのゲート電位での移動度を算出することができる。
上記のように作成したトランジスタ素子をドレイン電圧-50V、ゲート電圧0V~-50Vまで掃引した場合のドレイン電流変化を示すトランスファーカーブを図5に示した。式(a)から算出されたキャリア移動度は10.6cm2/Vs、しきい値電圧-32V、オン電流とオフ電流の比(オンオフ比)は1×109であった。これらの結果を表4に示す。
化合物No.1と同程度の縮合度を有し、可溶性有機トランジスタ化合物として知られている下記の縮合多環芳香族化合物No.106を使用して、化合物No.1と同様の製膜法により得られた有機薄膜を有機半導体膜として用いたトランジスタ素子について得られた実験値を表4に記載した。
1 ソース電極
2 半導体層
3 ドレイン電極
4 絶縁体層
5 ゲート電極
6 基板
7 保護層
10A~10F 有機トランジスタ
Claims (14)
- R1は芳香族炭化水素基または複素環基であり、R2およびR3はいずれか一方が水素原子であり、もう一方は炭素数1~20のアルキル基である、請求項1に記載の化合物。
- R2が水素原子である、請求項1または2に記載の化合物。
- アルキル基が炭素数6~12のアルキル基である、請求項1~3のいずれかに記載の化合物。
- 一般式(1)で示される、請求項1~4のいずれかに記載の化合物。
- 有機溶媒に対する25℃における溶解度が0.01質量%以上の、請求項1~5のいずれかに記載の化合物。
- 示差走査熱測定において160℃未満に相転移を示すピークが観測されない、請求項1~6のいずれかに記載の化合物。
- 請求項1~7のいずれかに記載の化合物と有機溶媒とを含有する組成物。
- 請求項1~7のいずれかに記載の化合物を含有する有機半導体薄膜。
- 請求項9に記載の有機半導体薄膜を含んでなる有機半導体デバイス。
- 請求項9に記載の有機半導体薄膜を含んでなる有機トランジスタ。
- 有機半導体薄膜が単結晶である、請求項11に記載の有機トランジスタ。
- 請求項8に記載の有機半導体組成物を基材上に塗布することにより有機半導体薄膜を製膜することを特徴とする、有機トランジスタの製造方法。
- 有機半導体薄膜が単結晶であることを特徴とする、請求項13に記載の有機トランジスタの製造方法。
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