JP4868825B2 - 有機系電界効果トランジスタ - Google Patents
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Description
有機化合物を半導体材料として用いた例としては、これまで各種の検討がなされており、例えばペンタセン、チオフェン又はこれらのオリゴマーやポリマーを利用したものがすでに知られている(特許文献1及び2参照)。ペンタセンは5個のベンゼン環が直線状に縮合したアセン系の芳香族炭化水素であり、これを半導体材料として用いた電界効果トランジスタは、現在実用化されているアモルファスシリコンに匹敵するキャリア移動度を示すことが報告されている。しかしその性能は化合物の純度に大きく影響を受け、その上その精製が困難であり、トランジスタ材料として用いるには製造コストが高いものとなっている。さらにはこの化合物を用いた電界効果トランジスタは、環境による劣化が起こり、安定性に問題がある。またチオフェン系の化合物を用いた場合においても同様の問題点があり、それぞれ実用性の高い材料とは言いがたい現状である。
(1)下記式(1)で表される化合物を半導体材料として用いた有機系電界効果トランジスタ。
(2)式(1)における環A、B及びCが置換基を有していても良いベンゼン環である(1)に記載の有機系電界効果トランジスタ。
(3)式(1)におけるX1及びX2がそれぞれ独立に酸素原子又は硫黄原子である(1)又は(2)に記載の有機系電界効果トランジスタ。
(4)式(1)におけるR1及びR2が共に水素原子である(1)乃至(3)のいずれか一項に記載の有機系電界効果トランジスタ。
(5)下記式(2)で表される化合物を半導体材料として用いた有機系電界効果トランジスタ。
(式(2)中、X 3 及びX 4 は共に酸素原子又は硫黄原子であり、R 3 及びR 4 は共に水素原子であり、R 5 及びR 6 は共にC4〜C12のアルキル基である。)
(6)式(2)におけるR 5 及びR 6 が共にC4又はC6のアルキル基である、(5)に記載の有機系電界効果トランジスタ。
本発明は特定の有機化合物を半導体材料として用いた有機系の電界効果トランジスタであり、該有機化合物として前記式(1)で表されるキナクリドン系化合物を使用することができる。そこでまず式(1)で示されるキナクリドン系化合物について説明する。
X1及びX2はそれぞれ独立に酸素原子、硫黄原子、セレン原子であり、好ましくは酸素原子、硫黄原子である。R1及びR2はそれぞれ独立に水素原子、置換されていても良い脂肪族炭化水素基又は置換されていても良い芳香族基を示し、好ましいものは水素原子又は置換されていても良い脂肪族炭化水素基であり、もっとも好ましいものは水素原子である。
図1に、本発明の電界効果トランジスタ(素子)のいくつかの態様例を示す。各例において、1がソース電極、2が半導体層、3がドレイン電極、4が絶縁体層、5がゲート電極、6が基板をそれぞれ表す。尚、各層や電極の配置は、素子の用途により適宜選択できる。A〜Dは基板と並行方向に電流が流れるので、横型FETと呼ばれる。Aはボトムコンタクト構造、Bはトップコンタクト構造と呼ばれる。また、Cは有機単結晶のFET作成によく用いられる構造で、半導体上にソース及びドレイン電極、絶縁体層を設け、さらにその上にゲート電極を形成している。Dはトップ&ボトムコンタクト型トランジスタと呼ばれる構造である。Eは縦型の構造をもつFET、静電誘導トランジスタ(SIT)の模式図である。このSIT構造によれば、電荷(キャリア)の流れが平面状に広がるので一度に大量のキャリアが移動できる。またソース電極とドレイン電極が縦に配されているので電極間距離を小さくできるため応答が高速である。従って、大電流を流す、高速のスイッチングを行うなどの用途に好ましく適用できる。
基板6は、その上に形成される各層が剥離することなく保持できることが必要である。例えば樹脂板やフィルム、紙、ガラス、石英、セラミックなどの絶縁性材料、金属や合金などの導電性基板上にコーティング等により絶縁層を形成した物、樹脂と無機材料など各種組合せからなる材料等が使用しうる。使用しうる樹脂フィルムの例としては、例えばポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリエーテルスルホン、ポリアミド、ポリイミド、ポリカーボネート、セルローストリアセテート、ポリエーテルイミドなどが挙げられる。樹脂フィルムや紙を用いると、素子に可撓性を持たせることができ、フレキシブルで、軽量となり、実用性が向上する。基板の厚さとしては、通常1μm〜10mmであり、好ましくは5μm〜5mmである。
各電極1,3,5には配線が連結されているが、配線も電極とほぼ同様の材料により作製される。
半導体層2の膜厚は、必要な機能を失わない範囲で、薄いほど好ましい。A、B及びDに示すような横型の電界効果トランジスタにおいては、所定以上の膜厚があれば素子の特性は膜厚に依存しない一方、膜厚が厚くなると漏れ電流が増加してくることが多いためである。必要な機能を示すために、通常、1nm〜10μm、好ましくは5nm〜5μm、より好ましくは10nm〜3μmである。
保護層の材料としては特に限定されないが、例えば、エポキシ樹脂、ポリメチルメタクリレート等のアクリル樹脂、ポリウレタン、ポリイミド、ポリビニルアルコール、フッ素樹脂、ポリオレフィン等の各種樹脂からなる膜や、酸化珪素、酸化アルミニウム、窒化珪素等、無機酸化膜や窒化膜等の誘電体からなる膜が好ましく用いられる。特に、酸素や水分の透過率や吸水率の小さな樹脂(ポリマー)が好ましい。近年、有機ELディスプレイ用に開発されている保護材料も使用が可能である。
この製造方法は前記した他の態様の電界効果トランジスタ等にも同様に適用しうる。
基板6上に必要な層や電極を設けることで作製される(図2(1)参照)。基板としては上記で説明したものを用いうる。この基板上に前述の表面処理などを行う事も可能である。基板6の厚みは、必要な機能を妨げない範囲で薄い方が好ましい。材料によっても異なるが、通常1μm〜10mmであり、好ましくは5μm〜5mmである。又、必要により、基板に電極の機能を持たせるようにしてもよい。
基板6上にゲート電極5を形成する(図2(2)参照)。電極材料としては上記で説明したものが用いられる。電極膜を成膜する方法としては、各種の方法を用いることが出来、例えば真空蒸着法、スパッタ法、塗布法、熱転写法、印刷法、ゾルゲル法等が採用される。成膜時又は成膜後、所望の形状になるよう必要に応じてパターニングを行うのが好ましい。パターニングの方法としても各種の方法を用いうるが、例えばフォトレジストのパターニングとエッチングを組み合わせたフォトリソグラフィー法等が挙げられる。又、直接インクジェット印刷、スクリーン印刷、オフセット印刷、凸版印刷等の印刷法、マイクロコンタクトプリンティング法等のソフトリソグラフィーの手法、及びこれら手法を複数組み合わせた手法を利用し、パターニングすることも可能である。ゲート電極5の膜厚は、材料によっても異なるが、通常0.1nm〜10μmであり、好ましくは0.5nm〜5μmであり、より好ましくは1nm〜3μmである。又、ゲート電極と基板を兼ねる場合は上記の膜厚より大きくてもよい。
ゲート電極5上に絶縁層4を形成する(図2(3)参照)。絶縁体材料としては上記で説明したもの等が用られる。絶縁体層4を形成するにあたっては各種の方法を用いうる。例えばスピンコーティング、スプレイコーティング、ディップコーティング、キャスト、バーコート、ブレードコーティングなどの塗布法、スクリーン印刷、オフセット印刷、インクジェット等の印刷法、真空蒸着法、分子線エピタキシャル成長法、イオンクラスタービーム法、イオンプレーティング法、スパッタリング法、大気圧プラズマ法、CVD法などのドライプロセス法が挙げられる。そのほか、ゾルゲル法やアルミニウム上のアルマイトのように金属上に酸化物膜を形成する方法等が採用される。
尚、絶縁体層と半導体層が接する部分においては、両層の界面で半導体分子を良好に配向させるために、絶縁体層に所定の表面処理を行うことができる。表面処理の手法は、基板の表面処理と同様のものが用いうる。絶縁体層4の膜厚は、その機能を損なわない範囲で薄い方が好ましい。通常0.1nm〜100μmであり、好ましくは0.5nm〜50μmであり、より好ましくは5nm〜10μmである。
ソース電極1及びドレイン電極3の形成方法等はゲート電極5の場合に準じて形成することが出来る(図2(4)参照)。
半導体材料としては上記で説明したように、前記式(1)で表されるキナクリドン系化合物を50重量%以上含む有機材料が使用される。半導体層を成膜するにあたっては、各種の方法を用いることが出来る。スパッタリング法、CVD法、分子線エピタキシャル成長法、真空蒸着法等の真空プロセスでの形成方法と、ディップコート法、ダイコーター法、ロールコーター法、バーコーター法、スピンコート法等の塗布法、インクジェット法、スクリーン印刷法、オフセット印刷法、マイクロコンタクト印刷法などの溶液プロセスでの形成方法に大別される。以下、半導体層の形成方法について詳細に説明する。
前記有機材料をルツボや金属のボート中で真空下、加熱し、蒸発した有機材料を基板(絶縁体層、ソース電極及びドレイン電極の露出部)に付着(蒸着)させる方法(真空蒸着法)が好ましく採用される。この際、真空度は、通常1.0×10-1Pa以下、好ましくは1.0×10-4Pa以下である。また、蒸着時の基板温度によって有機半導体膜、ひいては電界効果トランジスタの特性が変化するので、注意深く基板温度を選択するのが好ましい。蒸着時の基板温度は通常、0〜200℃、好ましくは10〜150℃である。また、蒸着速度は、通常0.001nm/秒〜10nm/秒であり、好ましくは0.01nm/秒〜1nm/秒である。有機材料から形成される有機半導体層の膜厚は、通常1nm〜10μm、好ましくは5nm〜1μmである。
尚、有機半導体層形成のための有機材料を加熱、蒸発させ基板に付着させる方法に代えて、加速したアルゴン等のイオンを材料ターゲットに衝突させて材料原子を叩きだし基板に付着させるスパッタリング法を用いてもよい。
この方法では、前記有機材料を溶媒に溶解又は分散し、基板(絶縁体層、ソース電極及びドレイン電極の露出部)に塗布する。塗布の方法としては、キャスティング、スピンコーティング、ディップコーティング、ブレードコーティング、ワイヤバーコーティング、スプレーコーティング等のコーティング法や、インクジェット印刷、スクリーン印刷、オフセット印刷、凸版印刷等の印刷法、マイクロコンタクトプリンティング法等のソフトリソグラフィーの手法等、さらにはこれらの手法を複数組み合わせた方法を採用しうる。更に、塗布方法に類似した方法として水面上に形成した単分子膜を基板に移し積層するラングミュアプロジェクト法、液晶や融液状態を2枚の基板で挟んだり毛管現象で基板間に導入する方法等も採用出来る。この方法により形成される有機半導体層の膜厚は機能を損なわない範囲で、薄い方が好ましい。膜厚が大きくなると漏れ電流が大きくなる懸念がある。有機半導体層の膜厚は、通常1nm〜10μm、好ましくは5nm〜5μm、より好ましくは10nm〜3μmである。
有機半導体層を形成するに当たり、このような溶液プロセスを用いると、比較的安価な設備で、大面積の有機電界効果トランジスタを製造できるという利点がある。
有機半導体層上に保護層7を形成すると、外気の影響を最小限にでき、又、有機電界効果トランジスタの電気的特性を安定化できるという利点がある(図2(6)参照)。保護層材料としては前記のものが使用される。
保護層7の膜厚は、その目的に応じて任意の膜厚を採用できるが、通常100nm〜1mmである。
保護層を成膜するにあたっては各種の方法を採用しうる。保護層が樹脂からなる場合は、例えば、樹脂溶液を塗布後、乾燥させて樹脂膜とする方法、樹脂モノマーを塗布あるいは蒸着したのち重合する方法などが挙げられる。成膜後に架橋処理を行ってもよい。保護層が無機物からなる場合は、例えば、スパッタリング法、蒸着法等の真空プロセスでの形成方法や、ゾルゲル法等の溶液プロセスでの形成方法も用いることができる。
本発明の有機系電界効果トランジスタにおいては有機半導体層上の他、各層の間にも必要に応じて保護層を設けることが出来る。それらの層は有機電界効果トランジスタの電気的特性の安定化に役立つ。
300nmのSiO2熱酸化膜付きnドープシリコンウェハー(面抵抗0.02Ω・cm以下)上にレジスト材料を塗布、露光パターニングし、ここにクロムを1nm、さらに金を40nm蒸着した。次いでレジストを剥離して、ソース電極(1)及びドレイン電極(3)を形成させた(チャネル長25μm×チャネル幅4mm×19個であるくし型電極)。この電極の設けられたシリコンウェハーを真空蒸着装置内に設置し、装置内の真空度が1.0×10-3Pa以下になるまで排気した。抵抗加熱蒸着法によって、この電極が約半分まで覆われるようにシリコンウェハー全体に化合物No.1(式(2)及び表1参照)を80nmの厚さに室温(25℃)で蒸着し、半導体層(2)を形成して本発明の有機系電界効果トランジスタを得た。本実施例における有機系電界効果トランジスタにおいては、熱酸化膜付きnドープシリコンウェハーにおける熱酸化膜が絶縁層(4)の機能を有し、nドープシリコンウェハーが基板(6)及びゲート層(5)の機能を有している(図3を参照)。
実施例1において、化合物No.1の蒸着時の基板温度を100℃に加熱した以外は実施例1と同様にして、本発明の有機電界効果トランジスタを作製し、ドレイン電流−ドレイン電圧を測定した。得られた電圧電流曲線から計算するとキャリア移動度は4×10-3cm2/V・sとなり、オン/オフ比は8×103であった。
実施例2において、化合物No.1を化合物No.2に変更した以外は実施例2と同様にして、本発明の有機電界効果トランジスタを作製し、ドレイン電流−ドレイン電圧を測定した。測定によって得られた電圧電流曲線より、キャリア移動度は8×10-4 cm2/V・s、オン/オフ比は5×103であった。
実施例2において、化合物No.1を化合物No.21に変更した以外は実施例2と同様にして、本発明の有機電界効果トランジスタを作製し、ドレイン電流−ドレイン電圧を測定した。測定によって得られた電圧電流曲線より、キャリア移動度は4×10-3cm2/V・sとなり、オン/オフ比は8×104であった。
実施例2において、化合物No.1を化合物No.28に変更した以外は実施例2と同様にして、本発明の有機電界効果トランジスタを作製し、ドレイン電流−ドレイン電圧を測定した。測定によって得られた電圧電流曲線より、キャリア移動度は3×10-4cm2/V・sとなり、オン/オフ比は5×102であった。
実施例1において、化合物No.1を化合物No.6に変更した以外は実施例1と同様にして、本発明の有機電界効果トランジスタを作製し、ドレイン電流−ドレイン電圧を測定した。測定によって得られた電圧電流曲線より、キャリア移動度は1×10-5cm2/V・sとなり、オン/オフ比は5×101であった。
1 ソース電極
2 半導体層
3 ドレイン電極
4 絶縁体層
5 ゲート電極
6 基板
7 保護層
Claims (2)
- 下記式(2)で表される化合物を半導体材料として用いた有機系電界効果トランジスタ。
(式(2)中、X 3 及びX 4 は共に酸素原子又は硫黄原子であり、R 3 及びR 4 は共に水素原子であり、R 5 及びR 6 は共にC4〜C12のアルキル基である。) - 式(2)におけるR 5 及びR 6 が共にC4又はC6のアルキル基である、請求項1に記載の有機系電界効果トランジスタ。
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