JP7467051B2 - 基板処理装置、基板処理方法、及び、半導体製造方法 - Google Patents
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Description
本発明の他の局面によれば、基板処理装置は、基板に処理液を供給して前記処理液によって前記基板を処理する。基板処理装置は、基板保持部と、回収配管と、回収槽と、排出配管と、禁止部と、制御部とを備える。基板保持部は、前記基板を保持して回転する。回収配管には、回転中の前記基板から飛散した前記処理液が流入する。回収槽は、前記回収配管に接続され、前記回収配管を通して前記処理液を回収する。排出配管には、前記基板への前記処理液の供給が停止された後であって、回転中の前記基板にリンス液が供給されている第1期間において、回転中の前記基板から飛散した前記リンス液が流入する。禁止部は、前記リンス液が前記回収配管に流入することを禁止することが可能である。制御部は、前記第1期間において、前記回収配管への前記リンス液の流入を禁止するように、前記禁止部を制御する。前記第1期間の一部又は全部において、前記回収配管の流路は開放されている。前記禁止部は、第1ガードと、第2ガードとを含む。第1ガードは、前記基板保持部の周方向に沿って配置される。第2ガードは、前記第1ガードと異なる位置において、前記基板保持部の周方向に沿って配置される。前記第1ガードは、前記第1期間において、前記基板から飛散した前記リンス液を受け止めて、前記リンス液を前記排出配管に案内しつつ、前記回収配管への前記リンス液の流入を禁止する。前記第2ガードは、前記第1期間よりも前の期間である第2期間において、前記基板から飛散した前記リンス液を受け止めて、前記リンス液を前記回収配管に案内する。前記第2期間は、回転中の前記基板に前記処理液が供給された後であって、回転中の前記基板に前記リンス液が供給されている期間を示し、前記第1期間よりも短い。前記第2期間の一部又は全部において、前記回収配管の流路は開放されている。前記第2期間で前記第2ガードが前記リンス液を受け止める状態から、前記第1期間で前記第1ガードが前記リンス液を受け止める状態への切替時における前記基板の回転数が、前記第1期間における前記基板の回転数よりも小さくなるように、前記制御部は、前記基板保持部の回転数を制御する。
本発明の基板処理装置において、前記回収配管と前記排出配管とは、互いに分離した異なる系列の配管であることが好ましい。
本発明の基板処理装置において、前記第2期間において、前記第1ガードは、前記基板から飛散した前記リンス液を受け止めず、前記回収配管への前記リンス液の流入を禁止しないことが好ましい。前記第2期間は、前記第1期間に連続し、前記基板への前記リンス液の供給開始時を含む期間であることが好ましい。
本発明の基板処理装置において、前記第2期間において、前記禁止部は、前記回収配管への前記リンス液の流入を禁止しないことが好ましい。前記第2期間は、前記第1期間に連続し、前記基板への前記リンス液の供給開始時を含む期間であることが好ましい。
本発明の基板処理装置において、前記処理液は、燐酸液、又は、硫酸過酸化水素水混合液を含むことが好ましい。
本発明の更に他の局面によれば、基板処理方法は、基板に処理液を供給して前記基板を前記処理液によって処理する基板処理装置によって実行される。前記基板処理装置は、回収配管と、前記回収配管に接続される回収槽と、排出配管と、前記基板を保持して回転する基板保持部と、前記基板保持部の周方向に沿って配置される第1ガードと、前記第1ガードと異なる位置において前記基板保持部の周方向に沿って配置される第2ガードとを備える。前記基板処理方法は、回転中の前記基板に前記処理液を供給して、前記基板を処理する工程と、前記基板から飛散した前記処理液を、前記回収配管を通して前記回収槽に回収する工程と、前記基板に前記処理液が供給された後に、回転中の前記基板にリンス液を供給する工程と、前記基板に前記リンス液が供給されている第1期間において、前記回収配管への前記リンス液の流入を禁止する工程と、前記第1期間において、前記排出配管を通して前記リンス液を排出する工程と、前記第1期間よりも前の期間である第2期間において、前記第2ガードが、前記基板から飛散した前記リンス液を受け止めて、前記リンス液を前記回収配管に供給する工程とを含む。前記第1期間の一部又は全部において、前記回収配管の流路は開放されている。前記リンス液の流入を禁止する前記工程では、前記第1ガードが、前記第1期間において、前記基板から飛散した前記リンス液を受け止めて、前記リンス液を前記排出配管に供給する。前記第2期間の一部又は全部において、前記回収配管の流路は開放されている。前記基板処理方法は、前記第2期間で前記第2ガードが前記リンス液を受け止める状態から、前記第1期間で前記第1ガードが前記リンス液を受け止める状態への切替時における前記基板の回転数が、前記第1期間における前記基板の回転数よりも小さくなるように、前記基板保持部の回転数を制御する工程をさらに含む。
本発明の更に他の局面によれば、基板処理方法は、基板に処理液を供給して前記基板を前記処理液によって処理する基板処理装置によって実行される。前記基板処理装置は、回収配管と、前記回収配管に接続される回収槽と、排出配管と、前記基板を保持して回転する基板保持部と、前記基板保持部の周方向に沿って配置される第1ガードと、前記第1ガードと異なる位置において前記基板保持部の周方向に沿って配置される第2ガードとを備える。前記基板処理方法は、回転中の前記基板に前記処理液を供給して、前記基板を処理する工程と、前記基板から飛散した前記処理液を、前記回収配管を通して前記回収槽に回収する工程と、前記基板に前記処理液が供給された後に、回転中の前記基板にリンス液を供給する工程と、前記基板に前記リンス液が供給されている第1期間において、前記回収配管への前記リンス液の流入を禁止する工程と、前記第1期間において、前記排出配管を通して前記リンス液を排出する工程と、前記第1期間よりも前の期間である第2期間において、前記第2ガードが、前記基板から飛散した前記リンス液を受け止めて、前記リンス液を前記回収配管に供給する工程とを含む。前記第1期間の一部又は全部において、前記回収配管の流路は開放されている。前記リンス液の流入を禁止する前記工程では、前記第1ガードが、前記第1期間において、前記基板から飛散した前記リンス液を受け止めて、前記リンス液を前記排出配管に供給しつつ、前記回収配管への前記リンス液の流入を禁止する。前記第2期間は、回転中の前記基板に前記処理液が供給された後であって、回転中の前記基板に前記リンス液が供給されている期間を示し、前記第1期間よりも短い。前記第2期間の一部又は全部において、前記回収配管の流路は開放されている。前記基板処理方法は、前記第2期間で前記第2ガードが前記リンス液を受け止める状態から、前記第1期間で前記第1ガードが前記リンス液を受け止める状態への切替時における前記基板の回転数が、前記第1期間における前記基板の回転数よりも小さくなるように、前記基板保持部の回転数を制御する工程をさらに含む。
本発明の基板処理方法において、前記回収配管と前記排出配管とは、互いに分離した異なる系列の配管であることが好ましい。
本発明の基板処理方法において、前記第2期間は、前記第1期間に連続し、前記基板への前記リンス液の供給開始時を含む期間であることが好ましい。前記第1ガードは、前記第2期間において、前記基板から飛散した前記リンス液を受け止めず、前記回収配管への前記リンス液の流入を禁止しないことが好ましい。
本発明の基板処理方法において、前記第2期間において、前記回収配管への前記リンス液の流入を禁止しないことが好ましい。前記第2期間は、前記第1期間に連続し、前記基板への前記リンス液の供給開始時を含む期間であることが好ましい。
本発明の基板処理方法において、前記処理液は、燐酸液、又は、硫酸過酸化水素水混合液を含むことが好ましい。
本発明の更に他の局面によれば、半導体製造方法は、基板処理装置によって半導体基板を処理して、処理後の前記半導体基板である半導体を製造する。前記基板処理装置は、回収配管と、前記回収配管に接続される回収槽と、排出配管と、前記半導体基板を保持して回転する基板保持部と、前記基板保持部の周方向に沿って配置される第1ガードと、前記第1ガードと異なる位置において前記基板保持部の周方向に沿って配置される第2ガードとを備える。前記半導体製造方法は、回転中の前記半導体基板に処理液を供給して、前記半導体基板を処理する工程と、前記半導体基板から飛散した前記処理液を、前記回収配管を通して前記回収槽に回収する工程と、前記半導体基板に前記処理液が供給された後に、回転中の前記半導体基板にリンス液を供給する工程と、前記半導体基板に前記リンス液が供給されている第1期間において、前記回収配管への前記リンス液の流入を禁止する工程と、前記第1期間において、前記排出配管を通して前記リンス液を排出する工程と、前記第1期間よりも前の期間である第2期間において、前記第2ガードが、前記半導体基板から飛散した前記リンス液を受け止めて、前記リンス液を前記回収配管に供給する工程とを含む。前記第1期間の一部又は全部において、前記回収配管の流路は開放されている。前記リンス液の流入を禁止する前記工程では、前記第1ガードが、前記第1期間において、前記半導体基板から飛散した前記リンス液を受け止めて、前記リンス液を前記排出配管に供給する。前記第2期間の一部又は全部において、前記回収配管の流路は開放されている。前記半導体製造方法は、前記第2期間で前記第2ガードが前記リンス液を受け止める状態から、前記第1期間で前記第1ガードが前記リンス液を受け止める状態への切替時における前記半導体基板の回転数が、前記第1期間における前記半導体基板の回転数よりも小さくなるように、前記基板保持部の回転数を制御する工程をさらに含む。
本発明の更に他の局面によれば、半導体製造方法は、基板処理装置によって半導体基板を処理して、処理後の前記半導体基板である半導体を製造する。前記基板処理装置は、回収配管と、前記回収配管に接続される回収槽と、排出配管と、前記半導体基板を保持して回転する基板保持部と、前記基板保持部の周方向に沿って配置される第1ガードと、前記第1ガードと異なる位置において前記基板保持部の周方向に沿って配置される第2ガードとを備える。前記半導体製造方法は、回転中の前記半導体基板に処理液を供給して、前記半導体基板を処理する工程と、前記半導体基板から飛散した前記処理液を、前記回収配管を通して前記回収槽に回収する工程と、前記半導体基板に前記処理液が供給された後に、回転中の前記半導体基板にリンス液を供給する工程と、前記半導体基板に前記リンス液が供給されている第1期間において、前記回収配管への前記リンス液の流入を禁止する工程と、前記第1期間において、前記排出配管を通して前記リンス液を排出する工程と、前記第1期間よりも前の期間である第2期間において、前記第2ガードが、前記半導体基板から飛散した前記リンス液を受け止めて、前記リンス液を前記回収配管に供給する工程とを含む。前記第1期間の一部又は全部において、前記回収配管の流路は開放されている。前記リンス液の流入を禁止する前記工程では、前記第1ガードが、前記第1期間において、前記半導体基板から飛散した前記リンス液を受け止めて、前記リンス液を前記排出配管に供給しつつ、前記回収配管への前記リンス液の流入を禁止する。前記第2期間は、回転中の前記半導体基板に前記処理液が供給された後であって、回転中の前記半導体基板に前記リンス液が供給されている期間を示し、前記第1期間よりも短い。前記第2期間の一部又は全部において、前記回収配管の流路は開放されている。前記半導体製造方法は、前記第2期間で前記第2ガードが前記リンス液を受け止める状態から、前記第1期間で前記第1ガードが前記リンス液を受け止める状態への切替時における前記半導体基板の回転数が、前記第1期間における前記半導体基板の回転数よりも小さくなるように、前記基板保持部の回転数を制御する工程をさらに含む。
図1~図4を参照して、本発明の実施形態1に係る基板処理装置500を説明する。まず、図1を参照して基板処理装置500を説明する。図1は、基板処理装置500を示す平面図である。基板処理装置500は、基板Wに処理液を供給して処理液によって基板Wを処理する。具体的には、基板処理装置500は、基板Wを1枚ずつ処理する枚葉型である。基板Wは略円板状である。
図6~図15を参照して、本発明の実施形態2に係る基板処理装置500を説明する。実施形態2に係る基板処理装置500が、リンス液を使用して処理液を回収する点で、実施形態2は実施形態1と主に異なる。以下、実施形態2が実施形態1と異なる点を主に説明する。実施形態2に係る基板処理装置500のハードウェア構成は、実施形態1に係る基板処理装置500のハードウェア構成と同様であるため、実施形態2の説明において、図2を適宜参照する。
図16~図17(b)を参照して、本発明の実施形態3に係る基板処理装置500Aを説明する。実施形態3に係る基板処理装置500Aが、リンス液と処理液とが異なる時間帯に流入する共通配管Q3を備える点で、実施形態3は実施形態1と主に異なる。以下、実施形態3が実施形態1と異なる点を主に説明する。また、実施形態3の説明において、図3を適宜参照する。
図16及び図18(a)~図19(b)を参照して、本発明の実施形態4に係る基板処理装置500Aを説明する。実施形態4に係る基板処理装置500Aが、リンス液を使用して処理液を回収する点で、実施形態4は実施形態3と主に異なる。また、実施形態4は、リンス液を使用して処理液を回収する点で、実施形態2と共通する。従って、実施形態4の説明において、図6を適宜参照する。以下、実施形態4が実施形態3及び実施形態2と異なる点を主に説明する。
15、15A 禁止部
500、500A 基板処理装置
G1 第1ガード
G2 第2ガード
Q1 排出配管
Q2、Q2A 回収配管
Q3 共通配管
Q31 バルブ
TR 回収槽
U21 制御部
W 基板
Claims (14)
- 基板に処理液を供給して前記処理液によって前記基板を処理する基板処理装置であって、
前記基板を保持して回転する基板保持部と、
回転中の前記基板から飛散した前記処理液が流入する回収配管と、
前記回収配管に接続され、前記回収配管を通して前記処理液を回収する回収槽と、
前記基板への前記処理液の供給が停止された後であって、回転中の前記基板にリンス液が供給されている第1期間において、回転中の前記基板から飛散した前記リンス液が流入する排出配管と、
前記リンス液が前記回収配管に流入することを禁止することの可能な禁止部と、
前記第1期間において、前記回収配管への前記リンス液の流入を禁止するように、前記禁止部を制御する制御部と
を備え、
前記第1期間の一部又は全部において、前記回収配管の流路は開放されており、
前記禁止部は、
前記基板保持部の周方向に沿って配置される第1ガードと、
前記第1ガードと異なる位置において、前記基板保持部の周方向に沿って配置される第2ガードと
を含み、
前記第1ガードは、前記第1期間において、前記基板から飛散した前記リンス液を受け止めて、前記リンス液を前記排出配管に案内し、
前記第2ガードは、前記第1期間よりも前の期間である第2期間において、前記基板から飛散した前記リンス液を受け止めて、前記リンス液を前記回収配管に案内し、
前記第2期間の一部又は全部において、前記回収配管の流路は開放されており、
前記第2期間で前記第2ガードが前記リンス液を受け止める状態から、前記第1期間で前記第1ガードが前記リンス液を受け止める状態への切替時における前記基板の回転数が、前記第1期間における前記基板の回転数よりも小さくなるように、前記制御部は、前記基板保持部の回転数を制御する、基板処理装置。 - 基板に処理液を供給して前記処理液によって前記基板を処理する基板処理装置であって、
前記基板を保持して回転する基板保持部と、
回転中の前記基板から飛散した前記処理液が流入する回収配管と、
前記回収配管に接続され、前記回収配管を通して前記処理液を回収する回収槽と、
前記基板への前記処理液の供給が停止された後であって、回転中の前記基板にリンス液が供給されている第1期間において、回転中の前記基板から飛散した前記リンス液が流入する排出配管と、
前記リンス液が前記回収配管に流入することを禁止することの可能な禁止部と、
前記第1期間において、前記回収配管への前記リンス液の流入を禁止するように、前記禁止部を制御する制御部と
を備え、
前記第1期間の一部又は全部において、前記回収配管の流路は開放されており、
前記禁止部は、
前記基板保持部の周方向に沿って配置される第1ガードと、
前記第1ガードと異なる位置において、前記基板保持部の周方向に沿って配置される第2ガードと
を含み、
前記第1ガードは、前記第1期間において、前記基板から飛散した前記リンス液を受け止めて、前記リンス液を前記排出配管に案内しつつ、前記回収配管への前記リンス液の流入を禁止し、
前記第2ガードは、前記第1期間よりも前の期間である第2期間において、前記基板から飛散した前記リンス液を受け止めて、前記リンス液を前記回収配管に案内し、
前記第2期間は、回転中の前記基板に前記処理液が供給された後であって、回転中の前記基板に前記リンス液が供給されている期間を示し、前記第1期間よりも短く、
前記第2期間の一部又は全部において、前記回収配管の流路は開放されており、
前記第2期間で前記第2ガードが前記リンス液を受け止める状態から、前記第1期間で前記第1ガードが前記リンス液を受け止める状態への切替時における前記基板の回転数が、前記第1期間における前記基板の回転数よりも小さくなるように、前記制御部は、前記基板保持部の回転数を制御する、基板処理装置。 - 前記回収配管と前記排出配管とは、互いに分離した異なる系列の配管である、請求項1又は請求項2に記載の基板処理装置。
- 前記第2期間において、前記第1ガードは、前記基板から飛散した前記リンス液を受け止めず、前記回収配管への前記リンス液の流入を禁止せず、
前記第2期間は、前記第1期間に連続し、前記基板への前記リンス液の供給開始時を含む期間である、請求項1から請求項3のいずれか1項に記載の基板処理装置。 - 前記第2期間において、前記禁止部は、前記回収配管への前記リンス液の流入を禁止せず、
前記第2期間は、前記第1期間に連続し、前記基板への前記リンス液の供給開始時を含む期間である、請求項1から請求項3のいずれか1項に記載の基板処理装置。 - 前記処理液は、燐酸液、又は、硫酸過酸化水素水混合液を含む、請求項1から請求項5のいずれか1項に記載の基板処理装置。
- 基板に処理液を供給して前記基板を前記処理液によって処理する基板処理装置によって実行される基板処理方法であって、
前記基板処理装置は、回収配管と、前記回収配管に接続される回収槽と、排出配管と、前記基板を保持して回転する基板保持部と、前記基板保持部の周方向に沿って配置される第1ガードと、前記第1ガードと異なる位置において前記基板保持部の周方向に沿って配置される第2ガードとを備え、
前記基板処理方法は、
回転中の前記基板に前記処理液を供給して、前記基板を処理する工程と、
前記基板から飛散した前記処理液を、前記回収配管を通して前記回収槽に回収する工程と、
前記基板に前記処理液が供給された後に、回転中の前記基板にリンス液を供給する工程と、
前記基板に前記リンス液が供給されている第1期間において、前記回収配管への前記リンス液の流入を禁止する工程と、
前記第1期間において、前記排出配管を通して前記リンス液を排出する工程と、
前記第1期間よりも前の期間である第2期間において、前記第2ガードが、前記基板から飛散した前記リンス液を受け止めて、前記リンス液を前記回収配管に供給する工程と
を含み、
前記第1期間の一部又は全部において、前記回収配管の流路は開放されており、
前記リンス液の流入を禁止する前記工程では、
前記第1ガードが、前記第1期間において、前記基板から飛散した前記リンス液を受け止めて、前記リンス液を前記排出配管に供給し、
前記第2期間の一部又は全部において、前記回収配管の流路は開放されており、
前記基板処理方法は、
前記第2期間で前記第2ガードが前記リンス液を受け止める状態から、前記第1期間で前記第1ガードが前記リンス液を受け止める状態への切替時における前記基板の回転数が、前記第1期間における前記基板の回転数よりも小さくなるように、前記基板保持部の回転数を制御する工程をさらに含む、基板処理方法。 - 基板に処理液を供給して前記基板を前記処理液によって処理する基板処理装置によって実行される基板処理方法であって、
前記基板処理装置は、回収配管と、前記回収配管に接続される回収槽と、排出配管と、前記基板を保持して回転する基板保持部と、前記基板保持部の周方向に沿って配置される第1ガードと、前記第1ガードと異なる位置において前記基板保持部の周方向に沿って配置される第2ガードとを備え、
前記基板処理方法は、
回転中の前記基板に前記処理液を供給して、前記基板を処理する工程と、
前記基板から飛散した前記処理液を、前記回収配管を通して前記回収槽に回収する工程と、
前記基板に前記処理液が供給された後に、回転中の前記基板にリンス液を供給する工程と、
前記基板に前記リンス液が供給されている第1期間において、前記回収配管への前記リンス液の流入を禁止する工程と、
前記第1期間において、前記排出配管を通して前記リンス液を排出する工程と、
前記第1期間よりも前の期間である第2期間において、前記第2ガードが、前記基板から飛散した前記リンス液を受け止めて、前記リンス液を前記回収配管に供給する工程と
を含み、
前記第1期間の一部又は全部において、前記回収配管の流路は開放されており、
前記リンス液の流入を禁止する前記工程では、
前記第1ガードが、前記第1期間において、前記基板から飛散した前記リンス液を受け止めて、前記リンス液を前記排出配管に供給しつつ、前記回収配管への前記リンス液の流入を禁止し、
前記第2期間は、回転中の前記基板に前記処理液が供給された後であって、回転中の前記基板に前記リンス液が供給されている期間を示し、前記第1期間よりも短く、
前記第2期間の一部又は全部において、前記回収配管の流路は開放されており、
前記基板処理方法は、
前記第2期間で前記第2ガードが前記リンス液を受け止める状態から、前記第1期間で前記第1ガードが前記リンス液を受け止める状態への切替時における前記基板の回転数が、前記第1期間における前記基板の回転数よりも小さくなるように、前記基板保持部の回転数を制御する工程をさらに含む、基板処理方法。 - 前記回収配管と前記排出配管とは、互いに分離した異なる系列の配管である、請求項7又は請求項8に記載の基板処理方法。
- 前記第2期間は、前記第1期間に連続し、前記基板への前記リンス液の供給開始時を含む期間であり、
前記第1ガードは、前記第2期間において、前記基板から飛散した前記リンス液を受け止めず、前記回収配管への前記リンス液の流入を禁止しない、請求項7から請求項9のいずれか1項に記載の基板処理方法。 - 前記第2期間において、前記回収配管への前記リンス液の流入を禁止せず、
前記第2期間は、前記第1期間に連続し、前記基板への前記リンス液の供給開始時を含む期間である、請求項7から請求項9のいずれか1項に記載の基板処理方法。 - 前記処理液は、燐酸液、又は、硫酸過酸化水素水混合液を含む、請求項7から請求項11のいずれか1項に記載の基板処理方法。
- 基板処理装置によって半導体基板を処理して、処理後の前記半導体基板である半導体を製造する半導体製造方法であって、
前記基板処理装置は、回収配管と、前記回収配管に接続される回収槽と、排出配管と、前記半導体基板を保持して回転する基板保持部と、前記基板保持部の周方向に沿って配置される第1ガードと、前記第1ガードと異なる位置において前記基板保持部の周方向に沿って配置される第2ガードとを備え、
前記半導体製造方法は、
回転中の前記半導体基板に処理液を供給して、前記半導体基板を処理する工程と、
前記半導体基板から飛散した前記処理液を、前記回収配管を通して前記回収槽に回収する工程と、
前記半導体基板に前記処理液が供給された後に、回転中の前記半導体基板にリンス液を供給する工程と、
前記半導体基板に前記リンス液が供給されている第1期間において、前記回収配管への前記リンス液の流入を禁止する工程と、
前記第1期間において、前記排出配管を通して前記リンス液を排出する工程と、
前記第1期間よりも前の期間である第2期間において、前記第2ガードが、前記半導体基板から飛散した前記リンス液を受け止めて、前記リンス液を前記回収配管に供給する工程と
を含み、
前記第1期間の一部又は全部において、前記回収配管の流路は開放されており、
前記リンス液の流入を禁止する前記工程では、
前記第1ガードが、前記第1期間において、前記半導体基板から飛散した前記リンス液を受け止めて、前記リンス液を前記排出配管に供給し、
前記第2期間の一部又は全部において、前記回収配管の流路は開放されており、
前記半導体製造方法は、
前記第2期間で前記第2ガードが前記リンス液を受け止める状態から、前記第1期間で前記第1ガードが前記リンス液を受け止める状態への切替時における前記半導体基板の回転数が、前記第1期間における前記半導体基板の回転数よりも小さくなるように、前記基板保持部の回転数を制御する工程をさらに含む、半導体製造方法。 - 基板処理装置によって半導体基板を処理して、処理後の前記半導体基板である半導体を製造する半導体製造方法であって、
前記基板処理装置は、回収配管と、前記回収配管に接続される回収槽と、排出配管と、前記半導体基板を保持して回転する基板保持部と、前記基板保持部の周方向に沿って配置される第1ガードと、前記第1ガードと異なる位置において前記基板保持部の周方向に沿って配置される第2ガードとを備え、
前記半導体製造方法は、
回転中の前記半導体基板に処理液を供給して、前記半導体基板を処理する工程と、
前記半導体基板から飛散した前記処理液を、前記回収配管を通して前記回収槽に回収する工程と、
前記半導体基板に前記処理液が供給された後に、回転中の前記半導体基板にリンス液を供給する工程と、
前記半導体基板に前記リンス液が供給されている第1期間において、前記回収配管への前記リンス液の流入を禁止する工程と、
前記第1期間において、前記排出配管を通して前記リンス液を排出する工程と、
前記第1期間よりも前の期間である第2期間において、前記第2ガードが、前記半導体基板から飛散した前記リンス液を受け止めて、前記リンス液を前記回収配管に供給する工程と
を含み、
前記第1期間の一部又は全部において、前記回収配管の流路は開放されており、
前記リンス液の流入を禁止する前記工程では、
前記第1ガードが、前記第1期間において、前記半導体基板から飛散した前記リンス液を受け止めて、前記リンス液を前記排出配管に供給しつつ、前記回収配管への前記リンス液の流入を禁止し、
前記第2期間は、回転中の前記半導体基板に前記処理液が供給された後であって、回転中の前記半導体基板に前記リンス液が供給されている期間を示し、前記第1期間よりも短く、
前記第2期間の一部又は全部において、前記回収配管の流路は開放されており、
前記半導体製造方法は、
前記第2期間で前記第2ガードが前記リンス液を受け止める状態から、前記第1期間で前記第1ガードが前記リンス液を受け止める状態への切替時における前記半導体基板の回転数が、前記第1期間における前記半導体基板の回転数よりも小さくなるように、前記基板保持部の回転数を制御する工程をさらに含む、半導体製造方法。
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JPH11333354A (ja) * | 1998-05-27 | 1999-12-07 | Sumitomo Precision Prod Co Ltd | 回転式基板処理装置 |
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---|---|---|---|---|
JP2008130835A (ja) | 2006-11-21 | 2008-06-05 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP2011066235A (ja) | 2009-09-17 | 2011-03-31 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 検査レシピ自動生成装置、ならびに検査レシピ自動生成プログラムおよびそれを記録した記録媒体 |
JP2016072609A (ja) | 2014-09-29 | 2016-05-09 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理方法および基板処理装置 |
JP2016192473A (ja) | 2015-03-31 | 2016-11-10 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置および基板処理方法 |
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