TWI652733B - 基板處理方法及基板處理裝置 - Google Patents

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辻川裕貴
土橋裕也
瀧昭彦
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日商斯庫林集團股份有限公司
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Abstract

本發明之基板處理方法係對複數片基板之各者依序實施共通之共通蝕刻處理者，上述共通蝕刻處理具有：蝕刻步驟，其藉由將第1液溫之蝕刻液供給至共通配管，並使蝕刻液從噴嘴噴出而將基板蝕刻；及高溫液噴出步驟，其係於上述蝕刻步驟之後，將具有較上述第1液溫高之液溫之高溫液供給至共通配管，並使高溫液從上述噴嘴噴出；上述基板處理方法中，於對上述複數片基板之複數個上述共通蝕刻處理中之最先之共通蝕刻處理之前，還包含使上述共通配管之管壁升溫至較上述第1液溫高之特定之第2液溫之配管升溫步驟，且於各共通蝕刻處理中，於各高溫液噴出步驟之後且於下次之各蝕刻步驟之前，不進行使上述共通配管之管壁降溫之步驟。

Description

基板處理方法及基板處理裝置
本發明係關於一種對基板進行處理之基板處理方法及基板處理裝置。處理對象之基板中例如包括半導體晶圓、液晶顯示裝置用基板、電漿顯示器用基板、FED(Field Emission Display，場發射顯示器)用基板、光碟用基板、磁碟用基板、磁光碟用基板、光罩用基板、陶瓷基板、太陽電池用基板等。
於日本專利特開2015-185644號公報中，記載有對基板逐片地進行蝕刻處理之單片式之基板處理裝置。於該基板處理裝置之蝕刻處理中，對藉由旋轉夾頭以水平姿勢旋轉之基板之上下表面供給蝕刻液(蝕刻步驟)。於蝕刻步驟結束後，將沖洗液供給至基板之上下表面，藉此，將附著於基板之上下表面之蝕刻液沖走。對藉由沖洗液進行處理後之基板之上表面供給異丙醇(isopropyl alcohol：IPA)等有機溶劑(有機溶劑供給步驟)。藉由有機供給步驟，將基板之上表面之沖洗液置換為有機溶劑。其後，進行使基板高速旋轉之旋轉乾燥步驟，而將附著於基板之沖洗液甩掉並去除(乾燥)。 日本專利特開2015-185644號公報之基板處理裝置包含：下表面噴嘴，其朝向基板之下表面之中央部噴出處理液；處理液配管，其連接於下表面噴嘴；蝕刻液單元，其對處理液配管供給常溫之蝕刻液；及加熱液單元，其對處理液配管供給已加熱至高溫之加熱液。處理液配管將常溫之蝕刻液及加熱液選擇性地供給至下表面噴嘴。 於此種基板處理裝置中，在有機溶劑供給步驟中，來自加熱液之熱蓄積於處理液配管之管壁。因此，於對複數個基板連續地執行蝕刻處理之情形時，有隨著反覆進行蝕刻處理而使處理液配管之管壁升溫之虞，其結果，有從下表面噴嘴噴出之蝕刻液之液溫上升之虞。於日本專利特開2015-185644號公報中，為了排除此種熱影響，每當各蝕刻步驟結束時，便對處理液配管供給冷卻液而使處理液配管之管壁冷卻。
然而，於日本專利特開2015-185644號公報之方法中，難以完全去除蓄積於處理液配管之熱。因此，若對複數片基板連續實施蝕刻處理，則有如下擔憂：隨著反覆進行蝕刻處理而使處理液配管之管壁升溫，其結果，從下表面噴嘴噴出之蝕刻液之液溫上升。 圖19係用以說明蝕刻處理片數與來自下表面噴嘴之蝕刻液之噴出溫度之關係的圖。於對複數片基板連續實施蝕刻處理之情形時，起初，保持賦予至處理液配管之蝕刻液之溫度TA而從下表面噴嘴噴出蝕刻液，但隨著反覆進行蝕刻處理(隨著蝕刻處理之處理片數增加)，蝕刻液之噴出溫度上升。由於對基板之蝕刻速率與蝕刻液之噴出溫度成正比，故而有隨著反覆進行蝕刻處理而使蝕刻速率上升之虞。 又，上述問題並不限於如日本專利特開2015-185644號公報之對背面供給溫水之方法，亦為於將溫水作為沖洗液用於基板之情形時共通之問題。 即，於對複數片基板實施蝕刻處理之情形時，希望抑制或防止因此種熱影響引起之基板間之蝕刻處理之不均。 因此，本發明之目的在於提供一種可抑制或防止基板間之蝕刻處理之不均之基板處理方法及基板處理裝置。 本發明提供一種基板處理方法，其係於包含用以對保持於基板保持單元之基板供給液體之噴嘴、及連結於上述噴嘴之共通配管的基板處理裝置中執行，且對複數片基板之各者依序實施共通之共通蝕刻處理，各共通蝕刻處理具有：蝕刻步驟，其藉由將特定之第1液溫之蝕刻液供給至上述共通配管，並使蝕刻液從上述噴嘴噴出，而將保持於上述基板保持單元之基板蝕刻；及高溫液噴出步驟，其係於上述蝕刻步驟之後，將具有較上述第1液溫高之液溫之高溫液供給至上述共通配管，並使高溫液從上述噴嘴噴出；上述基板處理方法中，於對上述複數片基板之複數個上述共通蝕刻處理中之最先之共通蝕刻處理之前，還包含使上述共通配管之管壁升溫至較上述第1液溫高之特定之第2液溫之配管升溫步驟，且於各共通蝕刻處理中，於各高溫液噴出步驟之後且於下次之各蝕刻步驟之前，不進行使上述共通配管之管壁降溫之步驟。 根據該方法，於複數個共通蝕刻處理中之最先之共通蝕刻處理之前，使共通配管之管壁升溫至較供給至噴嘴之蝕刻液之液溫高之第2液溫。又，於各高溫液噴出步驟之後且於下次之各蝕刻步驟之前，不使共通配管之管壁降溫。 由於在最先之共通蝕刻處理之前使共通配管之管壁升溫至第2液溫，故而可從最先之共通蝕刻處理之蝕刻步驟起，使用較第1液溫高之第2液溫之蝕刻液對基板進行蝕刻。而且，藉由共通蝕刻處理之高溫液噴出步驟中之共通配管之熱之蓄積，可將其後之共通蝕刻處理之蝕刻步驟中使用之蝕刻液之液溫保持得較第1液溫高。藉此，可於各蝕刻步驟中，對複數個基板以大致相同或近似之穩定之蝕刻速率實施蝕刻處理。因此，可抑制或防止基板間之蝕刻處理之不均。 於本發明之一實施形態中，上述基板處理裝置還包含處理條件記憶部，該處理條件記憶部用以記憶：製程處理條件，其規定對基板實施之處理之內容；及預處理條件，其係於上述製程處理條件之前執行。於此情形時，亦可將對應於上述共通蝕刻處理之第1處理條件作為上述製程處理條件，將對應於上述配管升溫步驟之第2處理條件作為上述預處理條件，分別記憶於上述處理條件記憶部。而且，亦可為，上述共通蝕刻處理基於上述第1處理條件而執行，並且上述配管升溫步驟基於上述第2處理條件而執行。 根據該方法，基於記憶於處理條件記憶部之第1處理條件執行共通蝕刻處理，並且基於記憶於處理條件記憶部之第2處理條件執行配管升溫步驟。因此，可相對較容易地實現複數個共通蝕刻處理中之最先之共通蝕刻處理之前的配管升溫步驟之執行。 又，亦可為，上述共通蝕刻處理係對構成一個批次之複數片基板之各者執行之步驟。 根據該方法，可對構成一個批次之複數片基板之各者，以大致相同或近似之蝕刻速率實施蝕刻處理。因此，可抑制或防止構成一個批次之複數片基板間之蝕刻處理之不均。 亦可為，於上述基板處理裝置中，繼構成上述一個批次之複數片基板之後，接著對構成下一批次之複數片基板進行處理。於此情形時，亦可於對構成上述一個批次之複數片基板執行上述共通蝕刻處理，並且亦對構成上述下一批次之複數片基板執行上述共通蝕刻處理之情形時，不對上述下一批次進行上述配管升溫步驟。 根據該方法，於不僅對構成一個批次之複數片基板執行共通蝕刻處理，亦對構成下一批次之複數片基板執行共通蝕刻處理之情形時，取消對下一批次執行配管升溫步驟。因此，可從下一批次之最先之共通蝕刻處理之蝕刻步驟起，將蝕刻液之液溫保持得較第1液溫高。藉此，可對構成下一批次之複數片基板，以大致相同或近似之蝕刻速率實施蝕刻處理。因此，可抑制或防止構成下一批次之複數片基板間之蝕刻處理之不均。 上述方法亦可於對上述複數片基板之複數個上述共通蝕刻處理中之最後之共通蝕刻處理之後，還包含將上述共通配管冷卻而使該共通配管之管壁降溫之配管降溫步驟。於此情形時，於上述基板處理裝置中，繼構成上述一個批次之複數片基板之後，接著對構成下一批次之複數片基板進行處理。而且，亦可於對構成上述一個批次之複數片基板執行上述共通蝕刻處理，並且亦對構成上述下一批次之複數片基板執行上述共通蝕刻處理之情形時，不對上述一個批次進行上述配管降溫步驟。 根據該方法，於不僅對構成一個批次之複數片基板執行共通蝕刻處理，亦對構成下一批次之複數片基板執行共通蝕刻處理之情形時，取消對一個批次執行配管降溫步驟。因此，可從下一批次之最先之共通蝕刻處理之蝕刻步驟起，將蝕刻液之液溫保持得較第1液溫高。藉此，可對構成下一批次之複數片基板，以大致相同或近似之蝕刻速率實施蝕刻處理。因此，可抑制或防止構成下一批次之複數片基板間之蝕刻處理之不均。 亦可為，上述第2液溫係上述共通配管之管壁之溫度，且係於在上述基板處理裝置中連續地進行上述共通蝕刻處理之情形時收斂(維持熱力學平衡狀態)之熱平衡溫度。 根據該方法，可從最先之共通蝕刻處理之蝕刻步驟起，使用熱平衡溫度之蝕刻液對基板進行蝕刻。而且，藉由共通蝕刻處理之高溫液噴出步驟中之共通配管之熱之蓄積，可將其後之共通蝕刻處理之蝕刻步驟中使用之蝕刻液之液溫保持於熱平衡溫度。即，可將各共通蝕刻處理之蝕刻步驟中使用之蝕刻液之液溫保持固定。藉此，可於各蝕刻步驟中，對複數個基板以相同之蝕刻速率實施蝕刻處理。因此，可抑制或防止基板間之蝕刻處理之不均。 上述配管升溫步驟亦可包含加熱液流通步驟，該加熱液流通步驟係使具有與上述第2液溫相同之溫度或較該第2液溫高之溫度之加熱液流通至上述共通配管，以對上述共通配管加熱。 根據該方法，可藉由使加熱液流通至共通配管，而使共通配管之管壁良好地升溫。 上述配管升溫步驟亦可包含：加熱步驟，其係將該共通配管加熱，以使上述共通配管之管壁升溫至較上述第2液溫高之溫度；及溫度調整步驟，其係於上述加熱步驟之後，將上述共通配管冷卻而將上述共通配管之溫度調整為上述第2液溫。 根據該方法，於使共通配管暫時升溫至較第2液溫高之溫度後，將共通配管冷卻，而使上述共通配管之溫度接近上述第2液溫。藉由以此方式階段性地進行溫度調整，可將共通配管之溫度良好地調整為第2液溫。 上述方法亦可於對上述複數片基板之複數個上述共通蝕刻處理中之最後之共通蝕刻處理之後，還包含將上述共通配管冷卻而使該共通配管之管壁降溫之配管降溫步驟。 根據該方法，於複數個共通蝕刻處理中之最後之共通蝕刻處理之後執行配管降溫步驟。由於在最後之共通蝕刻處理之後將共通配管之管壁降溫(例如至第1溫度)，故而可對於共通蝕刻處理及配管升溫步驟中蓄積於共通配管之熱進行重設。藉此，可一面避免複數個共通蝕刻處理之配管升溫步驟之熱影響，一面良好地執行藉由該基板處理裝置執行之接下來之處理。 上述基板處理裝置亦可包含處理條件記憶部，該處理條件記憶部用以記憶：製程處理條件，其規定對基板實施之處理之內容；預處理條件，其係於上述製程處理條件之前執行；及後處理條件，其係於上述製程處理條件之後執行。亦可將對應於上述共通蝕刻處理之第1處理條件作為上述製程處理條件，將對應於上述配管升溫步驟之第2處理條件作為上述預處理條件，將對應於上述配管降溫步驟之第3處理條件作為上述後處理條件，分別記憶於該處理條件記憶部。亦可為，上述共通蝕刻處理基於上述第1處理條件而執行，上述配管升溫步驟基於上述第2處理條件而執行，並且上述配管降溫步驟基於上述第3處理條件而執行。 根據該方法，基於記憶於處理條件記憶部之第1處理條件執行共通蝕刻處理，基於記憶於處理條件記憶部之第2處理條件執行配管升溫步驟，並且基於記憶於處理條件記憶部之第3處理條件執行配管降溫步驟。因此，可相對較容易地實現複數個共通蝕刻處理中之最後之共通蝕刻處理之後的配管降溫步驟之執行。 上述配管降溫步驟亦可包含冷卻液流通步驟，該冷卻液流通步驟係使具有較上述第2液溫低之溫度之冷卻液流通至上述共通配管，以使上述共通配管冷卻。 根據該方法，可藉由使冷卻液流通至共通配管，而使共通配管之管壁良好地降溫。 上述配管降溫步驟亦可包含外部冷卻步驟，該外部冷卻步驟係從外部將該共通配管冷卻，以使上述共通配管冷卻。 根據該方法，可藉由從外部使共通配管冷卻，而使共通配管之管壁良好地降溫。 本發明提供一種基板處理裝置，其包含：基板保持單元，其保持基板；噴嘴，其用以對保持於上述基板保持單元之基板供給液體；共通配管，其連結於上述噴嘴；蝕刻液供給單元，其用以對上述共通配管供給特定之第1液溫之蝕刻液；高溫液供給單元，其用以對上述共通配管供給具有較上述第1液溫高之液溫之高溫液；配管加熱單元，其用以將上述共通配管加熱；及控制裝置，其控制上述蝕刻液供給單元、上述加熱液供給單元及上述配管加熱單元；上述控制裝置執行共通蝕刻處理，該共通蝕刻處理係對於以預先決定之片數為一單位之複數片基板之各者依序實施共通之處理者，其具有：蝕刻步驟，其藉由將第1液溫之蝕刻液供給至上述共通配管，並使蝕刻液從上述噴嘴噴出，而將保持於上述基板保持單元之基板蝕刻；及高溫液噴出步驟，其係於上述蝕刻步驟之後，將具有較上述第1液溫高之液溫之高溫液供給至上述共通配管，並使高溫液從上述噴嘴噴出；上述控制裝置於對上述複數片基板之複數個上述共通蝕刻處理中之最先之共通蝕刻處理之前，還執行使上述共通配管之管壁升溫至較上述第1液溫高之特定之第2液溫的配管升溫步驟，且上述控制裝置於上述共通蝕刻處理中，於各高溫液噴出步驟之後且於下次之各蝕刻步驟之前不進行使上述共通配管之管壁降溫之步驟。 根據該構成，於複數個共通蝕刻處理中之最先之共通蝕刻處理之前，使共通配管之管壁升溫至較供給至噴嘴之蝕刻液之液溫高之第2液溫。又，於各高溫液噴出步驟之後且於下次之各蝕刻步驟之前，不使共通配管之管壁降溫。 由於在最先之共通蝕刻處理之前使共通配管之管壁升溫至第2液溫，故而可從最先之共通蝕刻處理之蝕刻步驟起，使用較第1液溫高之第2液溫之蝕刻液對基板進行蝕刻。而且，藉由共通蝕刻處理之高溫液噴出步驟中之共通配管之熱之蓄積，可將其後之共通蝕刻處理之蝕刻步驟中使用之蝕刻液之液溫保持得較第1液溫高。藉此，可於各蝕刻步驟中，對複數個基板以大致相同或近似之穩定之蝕刻速率實施蝕刻處理。因此，可抑制或防止基板間之蝕刻處理之不均。 於本發明之一實施形態中，上述基板處理裝置還包含處理條件記憶部，該處理條件記憶部用以記憶：製程處理條件，其規定對基板實施之處理之內容；及預處理條件，其係於上述製程處理條件之前執行。亦可將對應於上述共通蝕刻處理之第1處理條件作為上述製程處理條件，將對應於上述配管升溫步驟之第2處理條件作為上述預處理條件，分別記憶於上述處理條件記憶部中。上述控制裝置亦可基於上述第1處理條件執行上述共通蝕刻處理，並且基於上述第2處理條件執行上述配管升溫步驟。 根據該構成，基於記憶於處理條件記憶部之第1處理條件執行共通蝕刻處理，並且基於記憶於處理條件記憶部之第2處理條件執行配管升溫步驟。因此，可相對較容易地實現複數個共通蝕刻處理中之最先之共通蝕刻處理之前的配管升溫步驟之執行。 又，上述控制裝置亦可對構成一個批次之複數片基板之各者執行上述共通蝕刻處理。 根據該構成，可對構成一個批次之複數片基板之各者，以大致相同或近似之蝕刻速率實施蝕刻處理。因此，可抑制或防止構成一個批次之複數片基板間之蝕刻處理之不均。 於上述基板處理裝置中，亦可繼構成上述一個批次之複數片基板之後，接著對構成下一批次之複數片基板進行處理。於此情形時，亦可於對構成上述一個批次之複數片基板執行上述共通蝕刻處理，並且亦對構成上述下一批次之複數片基板執行上述共通蝕刻處理之情形時，上述控制裝置不對上述下一批次進行上述配管升溫步驟。 根據該構成，於不僅對構成一個批次之複數片基板執行共通蝕刻處理，亦對構成下一批次之複數片基板執行共通蝕刻處理之情形時，取消對下一批次執行配管升溫步驟。因此，可從下一批次之最先之共通蝕刻處理之蝕刻步驟起，將蝕刻液之液溫保持得較第1液溫高。藉此，可對構成下一批次之複數片基板，以大致相同或近似之蝕刻速率實施蝕刻處理。因此，可抑制或防止構成下一批次之複數片基板間之蝕刻處理之不均。 於上述基板處理裝置中，亦可繼構成上述一個批次之複數片基板之後，接著對構成下一批次之複數片基板進行處理。於此情形時，上述控制裝置亦可於對上述複數片基板之複數個上述共通蝕刻處理中之最後之共通蝕刻處理之後，還執行將上述共通配管冷卻而使該共通配管之管壁降溫之配管降溫步驟。於此情形時，亦可於對構成上述一個批次之複數片基板執行上述共通蝕刻處理，並且亦對構成上述下一批次之複數片基板執行上述共通蝕刻處理之情形時，上述控制裝置不對上述一個批次進行上述配管降溫步驟。 根據該構成，於不僅對構成一個批次之複數片基板執行共通蝕刻處理，亦對構成下一批次之複數片基板執行共通蝕刻處理之情形時，取消對一個批次執行配管降溫步驟。因此，可從下一批次之最先之共通蝕刻處理之蝕刻步驟起，將蝕刻液之液溫保持得較第1液溫高。藉此，可對構成下一批次之複數片基板，以大致相同或近似之蝕刻速率實施蝕刻處理。因此，可抑制或防止構成下一批次之複數片基板間之蝕刻處理之不均。 亦可為，上述第2液溫係上述共通配管之管壁之溫度，且係於在上述基板處理裝置中連續地進行上述共通蝕刻處理之情形時收斂之熱平衡溫度。 根據該構成，可從最先之共通蝕刻處理之蝕刻步驟起，使用熱平衡溫度之蝕刻液對基板進行蝕刻。而且，藉由共通蝕刻處理之高溫液噴出步驟中之共通配管之熱之蓄積，可將其後之共通蝕刻處理之蝕刻步驟中使用之蝕刻液之液溫保持於熱平衡溫度。即，可將各共通蝕刻處理之蝕刻步驟中使用之蝕刻液之液溫保持固定。藉此，可於各蝕刻步驟中，對複數個基板以相同之蝕刻速率實施蝕刻處理。因此，可抑制或防止基板間之蝕刻處理之不均。 上述控制裝置亦可執行加熱液流通步驟作為上述配管升溫步驟，該加熱液流通步驟係使具有較上述第2液溫高之溫度之加熱液流通至該共通配管，以對上述共通配管加熱。 根據該構成，可藉由使加熱液流通至共通配管，而使共通配管之管壁良好地升溫。 又，上述控制裝置之上述配管升溫步驟中亦可執行：加熱步驟，其係將該共通配管加熱，以使上述共通配管之管壁升溫至較上述第2液溫高之溫度；及溫度調整步驟，其係於上述加熱步驟之後，將上述共通配管冷卻而將上述共通配管之溫度調整為上述第2液溫。 根據該構成，於使共通配管暫時升溫至較第2液溫高之溫度後，將共通配管冷卻，而使上述共通配管之溫度接近上述第2液溫。藉由以此方式階段性地進行溫度調整，可將共通配管之溫度良好地調整為第2液溫。 上述基板處理裝置亦可還包含用以將上述共通配管冷卻之配管冷卻單元。於此情形時，亦可為，上述控制裝置還控制上述配管冷卻單元，且上述控制裝置於對上述複數片基板之複數個上述共通蝕刻處理中之最後之共通蝕刻處理之後，執行將上述共通配管冷卻而使該共通配管之管壁降溫之配管降溫步驟。 根據該構成，於複數個共通蝕刻處理中之最後之共通蝕刻處理之後執行配管降溫步驟。由於在最後之共通蝕刻處理之後將共通配管之管壁降溫(例如至第1溫度)，故而可對於共通蝕刻處理及配管升溫步驟中蓄積於共通配管之熱進行重設。藉此，可一面避免複數個共通蝕刻處理之配管升溫步驟之熱影響，一面良好地執行藉由該基板處理裝置執行之接下來之處理。 上述基板處理裝置亦可還包含處理條件記憶部，該處理條件記憶部用以記憶：製程處理條件，其規定對基板實施之處理之內容；預處理條件，其係於上述製程處理條件之前執行；及後處理條件，其係於上述製程處理條件之後執行。於此情形時，亦可將對應於上述共通蝕刻處理之第1處理條件作為上述製程處理條件，將對應於上述配管升溫步驟之第2處理條件作為上述預處理條件，將對應於上述配管降溫步驟之第3處理條件作為上述後處理條件，分別記憶於上述處理條件記憶部，且上述控制裝置基於上述第1處理條件執行上述共通蝕刻處理，基於上述第2處理條件執行上述配管升溫步驟，並且基於上述第3處理條件執行上述配管降溫步驟。 根據該構成，基於記憶於處理條件記憶部之第1處理條件執行共通蝕刻處理，基於記憶於處理條件記憶部之第2處理條件執行配管升溫步驟，並且基於記憶於處理條件記憶部之第3處理條件執行配管降溫步驟。因此，可相對較容易地實現複數個共通蝕刻處理中之最後之共通蝕刻處理之後的配管降溫步驟之執行。 又，上述配管冷卻單元亦可包含冷卻液供給單元，該冷卻液供給單元將具有較上述第2液溫低之溫度之冷卻液供給至上述共通配管。於此情形時，上述控制裝置亦可執行冷卻液流通步驟作為上述配管降溫步驟，該冷卻液流通步驟係使上述冷卻液流通至該共通配管，以使上述共通配管冷卻。 根據該構成，可藉由使冷卻液流通至共通配管，而使共通配管之管壁良好地降溫。 又，上述配管冷卻單元亦可包含從外部將上述共通配管冷卻之外部冷卻單元。於此情形時，上述控制裝置亦可執行外部冷卻步驟作為上述配管降溫步驟，該外部冷卻步驟係藉由上述外部冷卻單元將上述共通配管冷卻。 根據該構成，可藉由從外部使共通配管冷卻，而使共通配管之管壁良好地降溫。 本發明中之上述或者進而其他目的、特徵及效果可參照隨附圖式且藉由下述實施形態之說明而變得明確。
圖1係用以說明本發明之一實施形態之基板處理裝置1之內部之佈局的圖解性之俯視圖。基板處理裝置1係對矽晶圓等基板W逐片地進行處理之單片式裝置。於該實施形態中，基板W係圓板狀之基板。基板處理裝置1包含：複數個處理單元2，其等藉由處理液對基板W進行處理；負載埠LP，其載置收容構成一個批次之複數片基板W之基板收容器(例如FOUP(Front Opening Unified Pod，前端開啟式晶圓傳送盒))C；搬送機器人IR及CR，其等在負載埠LP與處理單元2之間搬送基板W；以及控制裝置3，其控制基板處理裝置1。搬送機器人IR於基板收容器C與搬送機器人CR之間搬送基板W。搬送機器人CR於搬送機器人IR與處理單元2之間搬送基板W。複數個處理單元2例如具有相同之構成。 圖2係用以說明處理單元2之構成例之圖解性之剖視圖。 處理單元2包含：箱形之腔室4；旋轉夾頭(基板保持單元)5，其於腔室4內以水平之姿勢保持一片基板W，並使基板W繞通過基板W之中心之鉛直之旋轉軸線A1旋轉；蝕刻液單元6，其用以對保持於旋轉夾頭5之基板W之上表面供給蝕刻液；水供給單元7，其用以對保持於旋轉夾頭5之基板W之上表面供給水；有機溶劑供給單元8，其用以對保持於旋轉夾頭5之基板W之上表面供給作為有機溶劑之一例之液體之IPA(isopropyl alcohol，異丙醇)；下表面噴嘴9，其朝向保持於旋轉夾頭5之基板W之下表面(基板W之背面)之中央部噴出液體(處理液或加熱液、冷卻液)；下表面供給單元10，其對下表面噴嘴9供給處理液；及筒狀之承杯11，其包圍旋轉夾頭5。 腔室4包含：箱狀之間隔壁12，其收容旋轉夾頭5及噴嘴；作為送風單元之FFU(風扇、過濾器、單元)13，其將潔淨空氣(經過濾器過濾之空氣)從間隔壁12之上部吹送至間隔壁12內；及排氣管14，其從間隔壁12之下部排出腔室4內之氣體。FFU13配置於間隔壁12之上方，且安裝於間隔壁12之頂板。FFU13將潔淨空氣從間隔壁12之頂板向下吹送至腔室4內。排氣管14連接於承杯11之底部，朝向設置基板處理裝置1之工廠中所設置之排氣處理設備導出腔室4內之氣體。因此，於腔室4內流向下方之降流(下降流)係由FFU13及排氣管14而形成。基板W之處理係於在腔室4內形成有降流之狀態下進行。 作為旋轉夾頭5，採用於水平方向上夾持基板W而將基板W保持為水平之夾持式之夾頭。具體而言，旋轉夾頭5包含：旋轉馬達15；旋轉軸16，其與該旋轉馬達15之驅動軸一體化；及圓板狀之旋轉底座17，其大致水平地安裝於旋轉軸16之上端。 於旋轉底座17之上表面，在其周緣部配置有複數個(3個以上；例如6個)夾持構件18。複數個夾持構件18係在對應於基板W之外周形狀之圓周上隔開適當間隔而配置於旋轉底座17之上表面周緣部。 又，作為旋轉夾頭5，並不限於夾持式者，例如亦可採用真空吸附式者(真空夾頭)，其藉由真空吸附基板W之背面而以水平之姿勢保持基板W，進而於該狀態下繞鉛直之旋轉軸線旋轉，藉此使保持於旋轉夾頭5之基板W旋轉。 蝕刻液單元6包含蝕刻液噴嘴19。蝕刻液噴嘴19例如為以連續流之狀態噴出液體之直線噴嘴，於旋轉夾頭5之上方，使其噴出口朝向基板W之上表面之旋轉中心附近而固定地配置。於蝕刻液噴嘴19，連接有從蝕刻液供給源供給常溫(第1液溫；例如約24℃)之蝕刻液之第1蝕刻液配管20。於第1蝕刻液配管20，介裝有用以切換蝕刻液從蝕刻液噴嘴19之供給/供給停止之第1蝕刻液閥21。作為供給至蝕刻液噴嘴19之蝕刻液，使用稀氫氟酸(DHF)或緩衝氫氟酸(BHF)作為供給至第1蝕刻液配管20之蝕刻液。此外，作為蝕刻液，亦可使用濃氫氟酸(concHF)、硝氟酸(氫氟酸與硝酸(HNO3 )之混合液)、氟化銨等。蝕刻液單元6亦可具備蝕刻液噴嘴移動裝置，該蝕刻液噴嘴移動裝置藉由使蝕刻液噴嘴19移動，而使蝕刻液相對於基板W之上表面之著液位置於基板W之面內掃描。 水供給單元7包含水噴嘴24。水噴嘴24例如為以連續流之狀態噴出液體之直線噴嘴，於旋轉夾頭5之上方，使其噴出口朝向基板W之上表面之旋轉中心附近而固定地配置。於水噴嘴24，連接有供給來自水供給源之常溫(例如約24℃)之水之水配管25。於水配管25，介裝有用以切換水從水噴嘴24之供給/供給停止之第1水閥26。作為供給至水噴嘴24之水，可列舉DIW(脫離子水)，亦可為碳酸水、電解離子水、氫水、臭氧水、稀釋濃度(例如10～100 ppm左右)之鹽酸水、還原水(氫水)、脫氣水等。水供給單元7亦可具備水噴嘴移動裝置，該水噴嘴移動裝置藉由使水噴嘴24移動，而使水相對於基板W之上表面之著液位置於基板W之面內掃描。 有機溶劑供給單元8包含有機溶劑噴嘴29。有機溶劑噴嘴29例如為以連續流之狀態噴出液體之直線噴嘴，於旋轉夾頭5之上方，使其噴出口朝向基板W之上表面之旋轉中心附近而固定地配置。於有機溶劑噴嘴29，連接有供給來自有機溶劑供給源(IPA供給源)之液體之有機溶劑(IPA)的有機溶劑配管30。於有機溶劑配管30，介裝有用以切換IPA從有機溶劑噴嘴29之供給/供給停止之有機溶劑閥31。有機溶劑供給單元8亦可具備有機溶劑噴嘴移動裝置，該有機溶劑噴嘴移動裝置藉由使有機溶劑噴嘴29移動，而使有機溶劑相對於基板W之上表面之著液位置於基板W之面內掃描。 如圖2所示，下表面噴嘴9具有與保持於旋轉夾頭5之基板W之下表面之中央部對向的噴出口9a。噴出口9a朝向鉛直上方噴出液體。所噴出之液體相對於保持於旋轉夾頭5之基板W之下表面之中央部大致垂直地入射。 下表面供給單元10包含：第1共通配管32，其於旋轉軸16內上下延伸；第2共通配管33，其一端連接於第1共通配管32；及第3共通配管34，其連接於第2共通配管33之另一端。 旋轉軸16成為中空軸，於該旋轉軸16之內部，以上下延伸之方式插通有第1共通配管32。第1共通配管32延伸至與保持於旋轉夾頭5之基板W之下表面中央部接近之位置，於其前端設置有下表面噴嘴9。第1共通配管32例如使用PFA(全氟烷氧基乙烯)而形成。第2共通配管33將第1共通配管32之基端(圖2之下端)與第3共通配管34連接。於第2共通配管33，介裝有用以將第2共通配管33開啟關閉之共通閥40。第3共通配管34具有例如樹脂製(例如PTFE(聚四氟乙烯)製)之筒體(例如圓筒)之管壁。 下表面供給單元10包含：排液配管35，其一端側(圖2之左側)連接於第3共通配管34；第2蝕刻液配管(蝕刻液供給單元)36，其一端側(圖2之左側)連接於第3共通配管34；第2水配管(配管冷卻單元)37，其一端側(圖2之左側)連接於第3共通配管34；加熱液配管(加熱液供給單元、高溫液供給單元)38，其一端側(圖2之左側)連接於第3共通配管34；及抽吸配管39，其一端側(圖2之左側)連接於第3共通配管34。 於排液配管35，介裝有用以將排液配管35開啟關閉之排液閥41。排液配管35之另一端側連接於機外之排液設備。第3共通配管34收容於處理單元2外之處理液盒。處理液盒以1對1之方式對應於處理單元2而設置。 於第2蝕刻液配管36，介裝有用以將第2蝕刻液配管36開啟關閉之第2蝕刻液閥(蝕刻液供給單元)42。對第2蝕刻液配管36之另一端側，從蝕刻液供給源供給常溫(第1液溫；例如約24℃)之蝕刻液。供給至第2蝕刻液配管36之蝕刻液係與供給至第1蝕刻液配管20之蝕刻液相同種類之蝕刻液。 於第2水配管37，介裝有用以將第2水配管37開啟關閉之第2水閥(配管冷卻單元)43。對第2水配管37之另一端側，從水供給源供給常溫(例如約24℃)之水。作為供給至第2水配管37之水，可列舉DIW(脫離子水)，亦可為碳酸水、電解離子水、氫水、臭氧水、稀釋濃度(例如10～100 ppm左右)之鹽酸水、還原水(氫水)、脫氣水等。 於加熱液配管38，介裝有用以將加熱液配管38開啟關閉之加熱液閥(配管加熱單元、高溫液供給單元)44。對加熱液配管38之另一端側，從加熱液供給源供給加熱液。加熱液係已加熱至高溫(例如接近IPA之沸點(約82.4℃)之溫度(約70～80℃)之液體。作為加熱液之種類，可列舉DIW(脫離子水)，亦可為碳酸水、電解離子水、氫水、臭氧水、IPA或稀釋濃度(例如10～100 ppm左右)之鹽酸水、還原水(氫水)、脫氣水等。 於抽吸配管39，介裝有用以將抽吸配管39開啟關閉之抽吸閥45。於抽吸配管39之另一端側(前端)連接有抽吸裝置46。抽吸裝置46例如為抽射器式之抽吸裝置。作為抽吸裝置46，亦可代替抽射器式而採用虹吸管式或膜片式。 若於下表面供給單元10之其他閥關閉之狀態下，打開第2蝕刻液閥42及共通閥40，則將蝕刻液從第2蝕刻液配管36供給至第2共通配管33，並從噴出口9a朝向上方噴出蝕刻液。 又，若於下表面供給單元10之其他閥關閉之狀態下，打開第2水閥43及共通閥40，則將常溫之水從第2水配管37供給至第2共通配管33，並從噴出口9a朝向上方噴出常溫之水。 又，若於下表面供給單元10之其他閥關閉之狀態下，打開加熱液閥44及共通閥40，則將加熱液從加熱液配管38供給至第2共通配管33，並從噴出口9a朝向上方噴出加熱液。 又，若於下表面供給單元10之其他閥關閉之狀態下，打開第2水閥43及排液閥41，則使常溫之水從第2水配管37流通於第3共通配管34之內部並供給至排液配管35。藉此，可將第3共通配管34之管壁冷卻。 抽吸裝置46例如設為始終作動狀態。若於抽吸裝置46之作動狀態下，打開抽吸閥45，則使抽吸裝置46之運轉有效化而對抽吸配管39之內部進行排氣。藉此，將抽吸配管39之內部減壓，而將存在於與抽吸配管39之內部連通之第1及第2共通配管32、33之內部之處理液(蝕刻液、水或加熱液)吸入至抽吸配管39。 承杯11配置於較保持於旋轉夾頭5之基板W更靠外側(與旋轉軸線A1遠離之方向)。承杯11包圍旋轉底座17。若於旋轉夾頭5使基板W旋轉之狀態下，將處理液供給至基板W，則供給至基板W之處理液被甩出至基板W之周圍。於對基板W供給處理液時，向上打開之承杯11之上端部11a配置於較旋轉底座17更靠上方。因此，排出至基板W之周圍之處理液(蝕刻液、水或加熱液)由承杯11接收。而且，將被承杯11接收之處理液輸送至未圖示之回收裝置或廢液裝置。 處理單元2還包含從外部將第1共通配管32冷卻之外部冷卻單元47(參照圖3)。 圖3係用以說明外部冷卻單元47之示意性之縱剖視圖。 外部冷卻單元47包含：環狀構件48，其包圍第1共通配管32之中途部；及冷卻液配管49，其前端部(圖3之上端部)被環狀構件48包圍。即，第1共通配管32及冷卻液配管49之前端部插通於環狀構件48內。環狀構件48之上端部被封閉，第1共通配管32貫通環狀構件48之上端部而連接於下表面噴嘴9。冷卻液配管49之前端(圖3之上端)打開。 於冷卻液配管49，介裝有用以將冷卻液配管49開啟關閉之冷卻液閥50。對冷卻液配管49之另一端側，從冷卻液供給源供給冷卻液。冷卻液係具有常溫或較常溫低之液溫之液體。作為冷卻液之種類，可列舉DIW(脫離子水)，亦可為碳酸水、電解離子水、氫水、臭氧水、IPA或稀釋濃度(例如10～100 ppm左右)之鹽酸水、還原水(氫水)、脫氣水等。 若打開冷卻液閥50，則從冷卻液配管49之前端噴出冷卻液，因此，於環狀構件48之內部充滿冷卻液。藉此，冷卻液與第1共通配管32之外壁之全周接觸，其結果，從外部將第1共通配管32之管壁冷卻。 圖4係用以說明基板處理裝置1之主要部分之電構成之方塊圖。圖5係用以說明於控制裝置3中製作之製程處理條件56、預處理條件57、後處理條件58及流程處理條件59之構成之圖。 控制裝置3例如使用微電腦而構成。控制裝置3具有CPU(Central Processing Unit，中央處理單元)等運算單元51、固定記憶體裝置(未圖示)、硬碟驅動器等記憶單元52、及輸入輸出單元(未圖示)。於記憶單元52，記憶有運算單元51所執行之程式53。 記憶單元52包含處理條件記憶部54，該處理條件記憶部54記憶規定對基板W之各處理之內容之處理條件。處理條件記憶部54包含可電性覆寫資料之非揮發性記憶體。於處理條件記憶部54，記憶由操作部55之操作製作之製程處理條件56、預處理條件57、後處理條件58及流程處理條件59。製程處理條件56係決定對基板W之處理之內容(包括程序及條件；以下相同)者。預處理條件57係預備動作處理條件之一例，且係規定預先決定之預處理之內容者。後處理條件58係預備動作處理條件之一例，且係決定預先決定之後處理之內容者。如圖5所示，流程處理條件59係決定根據製程處理條件之控制(製程處理條件控制)、根據預處理條件之控制(預處理條件控制)及根據後處理條件之控制(後處理條件控制)之執行順序及執行次數者。例如，例示製程處理條件PROCESS1(第1處理條件)該1者作為記憶於處理條件記憶部54之製程處理條件56，例示預處理條件PRE1(第2處理條件)及預處理條件PRE2該2者作為記憶於處理條件記憶部54之預處理條件57，例示後處理條件POST1(第3處理條件)及後處理條件POST2該2者作為記憶於處理條件記憶部54之後處理條件58，當然此為一例，並不限於此。 將構成一個批次之特定片數(例如25片)之基板W以一次性收容於基板收容器C(參照圖1)之狀態搬入至基板處理裝置1。於基板處理裝置1中，針對每個基板收容器C，設定圖5所示之1個流程處理條件59。如圖5所示，流程處理條件59包含決定處理之內容之製程處理條件56、決定於一連串之處理開始前進行之預處理之內容之預處理條件57、及決定於一連串之處理結束後進行之後處理之內容之後處理條件58。 若將基板收容器C(參照圖1)載置於基板處理裝置1之負載埠LP(參照圖1)，則表示基板收容器C中所包含之批次之資訊之基板資訊從主電腦傳送至控制裝置3。主電腦係將設置於半導體製造工廠之複數個基板處理裝置彙總之電腦。控制裝置3基於從主電腦傳送之基板資訊，將對於該批次之流程處理條件59從處理條件記憶部54讀出。繼而，根據流程處理條件59，依序進行預處理條件控制、製程處理條件控制及後處理條件控制。首先，於各處理單元2(參照圖1)中，執行根據預處理條件57之控制，藉此進行預處理。其後，藉由反覆執行根據製程處理條件56之控制，將收容於1個基板收容器C之基板W一個接一個連續地搬入至處理單元2，並於處理單元2中接受基板處理。繼而，若執行與收容於基板收容器C之基板之片數相等之特定次數的根據製程處理條件56之控制，而結束一連串之特定次數之處理，則藉由於各處理單元2中執行根據後處理條件58之控制，而執行後處理。 進而，控制裝置3控制旋轉馬達15及抽吸裝置46之動作。又，控制裝置3將第1蝕刻液閥21、第1水閥26、有機溶劑閥31、共通閥40、排液閥41、第2蝕刻液閥42、第2水閥43、加熱液閥44、抽吸閥45、冷卻液閥50等開啟關閉。 圖6係用以說明於各處理單元2中執行之處理之內容之流程圖。 對於1個批次(複數片基板W)，於1個或複數個處理單元2中實施處理。於該實施形態中，於對1個批次(複數片基板W)之基板W進行處理時，於處理單元2中對N(N為2以上之整數)片基板W進行處理。於製程處理條件56(參照圖4)為製程處理條件PROCESS1之情形時，對於複數個基板實施共通蝕刻處理(S2)，該共通蝕刻處理(S2)係以相互共通之條件實施蝕刻(工序S2)。於預處理條件57(參照圖4)為預處理條件PRE1之情形時，作為預處理，執行將共通配管32～34加熱而使共通配管32～34之管壁升溫之配管升溫步驟(工序S1)。於後處理條件58(參照圖4)為後處理條件POST1之情形時，作為後處理，執行將共通配管32～34冷卻而使共通配管32～34之管壁降溫之配管降溫步驟(工序S3)。 因此，於各處理單元2(參照圖1)中進行配管升溫步驟(S1)。其後，將收容於1個基板收容器C之基板W一個接一個連續地搬入至處理單元2，並於處理單元2中接受共通蝕刻處理(S2)。繼而，若N次之共通蝕刻處理(S2)結束，則於各處理單元2中執行配管降溫步驟(S3)。 圖7係用以說明基於製程處理條件PROCESS1執行之共通蝕刻處理(S2)之流程圖。圖8係用以說明蝕刻步驟(E3)之圖。圖9係用以說明置換步驟(E5)之圖。一面參照圖1、圖2、圖4、圖6及圖7，一面對該蝕刻進行說明。對於圖8適當進行參照。 於藉由處理單元2執行蝕刻時，將未處理之基板W搬入至腔室4之內部(圖7之工序E1)。 具體而言，藉由使保持有基板W之搬送機器人CR之手H進入至腔室4之內部，而將基板W以其表面(蝕刻對象面)朝向上方之狀態交付至旋轉夾頭5。其後，將基板W保持於旋轉夾頭5。 於將基板W保持於旋轉夾頭5之後，控制裝置3控制旋轉馬達15，使基板W開始旋轉(圖7之工序E2)。使基板W之旋轉速度上升至液體處理速度(約300 rpm～約1000 rpm之特定速度)。 若基板W之旋轉速度達到液體處理速度，則繼而控制裝置3開始執行蝕刻步驟(圖7之工序E3)。具體而言，控制裝置3打開第1蝕刻液閥21，並且一面關閉下表面供給單元10之其他閥，一面打開第2蝕刻液閥42及共通閥40。藉此，如圖8所示，從蝕刻液噴嘴19朝向基板W之上表面中央部噴出蝕刻液，並且從下表面噴嘴9之噴出口9a朝向基板W之下表面中央部噴出蝕刻液。供給至基板W之上表面中央部之蝕刻液受到因基板W之旋轉產生之離心力，而於基板W之上表面朝向基板W之周緣部流動。又，供給至基板W之下表面中央部之蝕刻液受到因基板W之旋轉產生之離心力，而沿著基板W之下表面朝向基板W之周緣部流動。藉此，對基板W之上下表面之整個區域實施蝕刻。 若從蝕刻液之噴出開始經過預先決定之時間，則控制裝置3關閉第1蝕刻液閥21、第2蝕刻液閥42及共通閥40，而停止從蝕刻液噴嘴19及下表面噴嘴9噴出蝕刻液。 繼而，控制裝置3開始執行沖洗步驟(圖7之工序E4)。具體而言，控制裝置3打開第1水閥26，並且一面關閉下表面供給單元10之其他閥，一面打開第2水閥43及共通閥40。藉此，從水噴嘴24朝向基板W之上表面中央部噴出水，並且從下表面噴嘴9之噴出口9a朝向基板W之下表面中央部噴出水。 供給至基板W之上表面中央部之水受到因基板W之旋轉產生之離心力，而於基板W之上表面朝向基板W之周緣部流動。藉此，將附著於基板W之上表面之蝕刻液沖走。又，供給至基板W之下表面中央部之水受到因基板W之旋轉產生之離心力，而沿著基板W之下表面朝向基板W之周緣部流動。藉此，將附著於基板W之下表面之蝕刻液沖走。因此，對基板W之上下表面之整個區域實施沖洗處理。 若從水之噴出開始經過預先決定之時間，則控制裝置3關閉第1水閥26、第2水閥43及共通閥40，而停止從水噴嘴24及下表面噴嘴9噴出水。 繼而，控制裝置3開始執行置換步驟(圖5之工序E5；高溫液噴出步驟)。置換步驟(E5)係將基板W上之水置換為表面張力較水低之有機溶劑之步驟。具體而言，如圖9所示，控制裝置3打開有機溶劑閥3，而從有機溶劑噴嘴29朝向基板W之上表面中央部供給有機溶劑。又，供給至基板W之有機溶劑受到因基板W之旋轉產生之離心力，而朝向基板W之周緣部流動。藉此，於基板W之上表面(圖案形成面)之整個區域中，將水置換為有機溶劑。又，亦可於已將基板W之旋轉速度減速為覆液速度之狀態下，進行置換步驟(E5)。覆液速度係作用於基板W之上表面之有機溶劑之液膜之離心力小於在有機溶劑與基板W之上表面之間作用之表面張力、或上述離心力與上述表面張力大致抗衡之情形時的基板W之旋轉速度。 進而，於置換步驟(E5)中，與對基板W之上表面供給有機溶劑並行地，對基板W之下表面供給加熱液(高溫液；已加熱至接近IPA之沸點(約82.4℃)之溫度(約70～80℃)之液體)。具體而言，如圖9所示，控制裝置3一面關閉下表面供給單元10之其他閥，一面打開加熱液閥44及共通閥40。藉此，從下表面噴嘴9之噴出口9a向上噴出加熱液，而將加熱液供給至基板W之下表面中央部。藉由與從噴出口9a噴出加熱液並行地使基板W以上述液體處理速度旋轉，可將加熱液供給至基板W之下表面之整個區域。藉此，藉由加熱液之供給將基板W加熱，由此，使基板W與有機溶劑之界面升溫，結果可使有機溶劑之置換效率提高。 繼而，進行使基板W乾燥之旋轉乾燥步驟(圖7之工序E6)。具體而言，控制裝置3控制旋轉馬達15，使基板W之旋轉加速至較蝕刻步驟(E3)至沖洗步驟(E5)中之旋轉速度大之乾燥旋轉速度(例如數千rpm)，而使基板W以該乾燥旋轉速度旋轉。藉此，較大之離心力施加於基板W上之液體，而將附著於基板W之液體甩至基板W之周圍。以此方式，將液體從基板W去除，而使基板W乾燥。 若從基板W之高速旋轉之開始經過特定時間，則控制裝置3藉由控制旋轉馬達15，而使藉由旋轉夾頭5實現之基板W之旋轉停止(圖7之工序E7)。 其後，將基板W從腔室4內搬出(圖7之工序E8)。具體而言，控制裝置3使搬送機器人CR之手進入至腔室4之內部。繼而，控制裝置3使旋轉夾頭5上之基板W保持於搬送機器人CR之手。其後，控制裝置3使搬送機器人CR之手從腔室4內退避。藉此，將蝕刻後之基板W從腔室4搬出。 再者，於共通蝕刻處理(S2)中，在基板W搬出後，不進行使共通配管32～34之管壁降溫之步驟。 圖10係用以說明基於預處理條件PRE1執行之配管升溫步驟(S1)之流程圖。圖11係用以說明加熱步驟(P1)之圖。圖12係用以說明第1溫度調整步驟(P2)之圖。圖13係用以說明第2溫度調整步驟(P3)之圖。圖14係用以說明第1乾燥步驟(P4)之圖。一面參照圖1、圖2、圖4及圖10，一面對配管升溫步驟(S1)進行說明。對於圖11～圖14適當進行參照。 配管升溫步驟(S1)係於對共通之批次之基板W之共通蝕刻處理(S2)中的最先之共通蝕刻處理之前使共通配管32～34之管壁升溫至熱平衡溫度(第2液溫)TB(例如約28℃；參照圖19)之步驟。熱平衡溫度TB係共通配管32～34之管壁之溫度，且係於在處理單元2中連續地進行共通蝕刻處理(S2)之情形時收斂(成為熱平衡狀態)之熱平衡溫度。熱平衡溫度TB係藉由實驗而求出。而且，配管升溫步驟(S1)中之下述加熱液之供給流量或加熱液之供給時間係基於熱平衡溫度TB而設定。 於該實施形態中，配管升溫步驟(S1)係於將基板W搬入至各腔室4之前進行。 具體而言，如圖11所示，控制裝置3一面關閉下表面供給單元10之其他閥，一面打開加熱液閥44及共通閥40。藉此，將具有約70～80℃之液溫之加熱液賦予至第3共通配管34、第2共通配管33及第1共通配管32，而將共通配管32～34加熱(P1：加熱步驟)。該加熱液流通於第3共通配管34、第2共通配管33及第1共通配管32並賦予至下表面噴嘴9，而從噴出口9a朝向上方噴出。 通常，第1～第3共通配管32～34之溫度為常溫(例如約24℃)。藉由加熱液之流通，第1～第3共通配管32～34之管壁升溫。於將對下表面噴嘴9之加熱液之供給流量設為約0.4(升/分鐘)之情形時，使加熱液流通約40秒鐘(加熱液流通步驟)。藉此，可使第1～第3共通配管32～34之管壁升溫至較熱平衡溫度TB高之特定之升溫溫度(約73℃)。 若從加熱液之供給開始經過預先決定之時間(約40秒鐘)，則控制裝置3關閉加熱液閥44及共通閥40，而使加熱液向第1～第3共通配管32～34之流通停止。 繼而，控制裝置3開始第1溫度調整步驟(工序P2)之執行。具體而言，如圖12所示，控制裝置3打開冷卻液閥50。若打開冷卻液閥50，則將冷卻液供給至環狀構件48之內部，藉此冷卻液與第1共通配管32之外壁之全周接觸，其結果，從外部將第1共通配管32之管壁冷卻(外部冷卻步驟)。 又，於第1溫度調整步驟(P2)中，與第1共通配管32之冷卻並行地，抽吸存在於第1～第3共通配管32～34之內部之加熱液。具體而言，如圖12所示，控制裝置3關閉共通閥40並且打開抽吸閥45，而使抽吸裝置46之運轉有效化。藉此，對第3共通配管34之內部、以及與該第3共通配管34之內部連通之第1及第2共通配管32、33之內部分別進行排氣，而藉由抽吸裝置46所產生之抽吸力，將存在於第1～第3共通配管32～34之內部之加熱液吸入至抽吸配管39。繼續進行加熱液之抽吸直至加熱液之前端面後退至較抽吸閥45更靠下游側(圖12之右側)為止。 若加熱液之前端面後退至較抽吸閥45更靠下游側(圖12之右側)，則控制裝置3關閉共通閥40及抽吸閥45，而使抽吸裝置46之運轉無效化。藉此，第1溫度調整步驟(P2)結束。此時，繼續進行第1共通配管32之外部冷卻(外部冷卻步驟)。 於第1溫度調整步驟(P2)結束之後，控制裝置3接著開始執行第2溫度調整步驟(工序P3)。具體而言，如圖13所示，控制裝置3一面關閉下表面供給單元10之其他閥，一面打開第2水閥43及排液閥41。藉此，使常溫之水從第2水配管37流通於第3共通配管34之內部並供給至排液配管35。藉此，可將第3共通配管34之管壁冷卻(第1冷卻液流通步驟)。 若從對第3共通配管34供給常溫之水開始經過預先決定之時間，則控制裝置3關閉第2水閥43及排液閥41，而停止對第3共通配管34之內部供給常溫之水。藉此，第3共通配管34之冷卻(第1冷卻液流通步驟)結束。此時，繼續進行第1共通配管32之外部冷卻(外部冷卻步驟)。 於第2溫度調整步驟(P3)結束之後，控制裝置3接著開始執行第1乾燥步驟(P4)。具體而言，控制裝置3控制旋轉馬達15使旋轉底座17開始旋轉，並如圖14所示般，使旋轉底座17之旋轉上升至較蝕刻步驟(E3)至沖洗步驟(E4)中之旋轉速度大之乾燥旋轉速度(例如數千rpm)，而使旋轉底座17以該乾燥旋轉速度旋轉。藉此，將較大之離心力施加於旋轉底座17上之加熱液，而將附著於旋轉底座17之上表面之加熱液甩至基板W之周圍。以此方式，將加熱液從旋轉底座17去除，而使旋轉底座17乾燥。 若從基板W之高速旋轉之開始經過特定時間，則控制裝置3藉由控制旋轉馬達15，而使利用旋轉夾頭5實現之基板W之旋轉停止。又，控制裝置3關閉冷卻液閥50，而停止對環狀構件48之內部供給冷卻液。藉此，第1共通配管32之外部冷卻(外部冷卻步驟)結束。 一連串之配管升溫步驟(S1)結束。其後，將收容於基板收容器C(參照圖1)之基板W一個接一個連續地搬入至處理單元2，並於處理單元2中接受共通蝕刻處理(S2)。由於在最先之共通蝕刻處理(S2)之前使共通配管32～34之管壁升溫至熱平衡溫度TB，故而可從最先之共通蝕刻處理(S2)之蝕刻步驟(E3)起，使用熱平衡溫度TB之蝕刻液對基板W進行蝕刻。 其後，基於後處理條件POST1(參照圖4)執行配管降溫步驟(S3)。 圖15係用以說明基於後處理條件POST1執行之配管降溫步驟(S3)之流程圖。圖16係用以說明第2冷卻液流通步驟(Q1)之圖。圖17係用以說明第2乾燥步驟(Q2)之圖。一面參照圖1、圖2、圖4、圖6及圖15，一面對配管降溫步驟(S3)進行說明。對於圖16及圖17適當進行參照。 配管降溫步驟(S3)係於將基板W從各腔室4搬出之後進行。於配管降溫步驟(S3)中，控制裝置3首先執行第2冷卻液流通步驟(Q1)。 具體而言，如圖16所示，控制裝置3一面關閉下表面供給單元10之其他閥，一面打開第2水閥43及共通閥40。藉此，對第3共通配管34、第2共通配管33及第1共通配管32賦予常溫之水。該常溫之水流通於第3共通配管34、第2共通配管33及第1共通配管32並賦予至下表面噴嘴9，而從噴出口9a朝向上方噴出。 於第1～第3共通配管32～34之管壁之溫度高於常溫(例如約24℃)之情形時，藉由常溫之水之流通，使第1～第3共通配管32～34之管壁降溫。對下表面噴嘴9之常溫之水供給流量約為0.4(升/分鐘)，水供給之時間例如約為170秒鐘。藉此，可使第1～第3共通配管32～34之管壁降溫至常溫。 若從水之供給開始經過預先決定之時間(約170秒鐘)，則控制裝置3關閉第2水閥43及共通閥40，而使水向第1～第3共通配管32～34之流通停止。 第2冷卻液流通步驟(Q1)係使常溫之水遍及全部3個第1～第3共通配管32～34之步驟，因此，可有效地使第1～第3共通配管32～34全部降溫。 繼而，控制裝置3開始執行第2乾燥步驟(Q2)。具體而言，控制裝置3控制旋轉馬達15使旋轉底座17開始旋轉，並如圖17所示般，使旋轉底座17之旋轉上升至較蝕刻步驟(E3)至置換步驟(E5)中之旋轉速度大之乾燥旋轉速度(例如數千rpm)，而使旋轉底座17以該乾燥旋轉速度旋轉。藉此，將較大之離心力施加於旋轉底座17上之水，而將附著於旋轉底座17之上表面之水甩至基板W之周圍。以此方式，將水從旋轉底座17去除，而使旋轉底座17乾燥。 若從基板W之高速旋轉之開始經過特定時間，則控制裝置3藉由控制旋轉馬達15，而使藉由旋轉夾頭5實現之基板W之旋轉停止。如上所述，配管降溫步驟(S3)結束。 藉由配管降溫步驟(S3)，可對於共通蝕刻處理(S2)及配管升溫步驟(S1)中蓄積於共通配管32～34之熱進行重設。因此，於在對1批次之基板W之共通蝕刻處理之後執行其他處理(例如由製程處理條件PROCESS2規定之處理)之情形時，可一面避免複數個共通蝕刻處理(S2)之熱影響，一面執行該其他處理。 圖18係用以說明於處理單元2中執行之處理之內容之流程圖。 考慮如下情形，即，於基板處理裝置1中，繼構成當前批次R1之複數片基板W之後，接著搬入構成下一批次R2之複數片基板W，並對該複數片基板W進行相互共通之蝕刻處理。 於此情形時，在不僅對已搬入至基板處理裝置1之構成批次R1之複數片基板W執行共通蝕刻處理(S2)，亦對構成下一批次R2之複數片基板W執行共通蝕刻處理(S2)時，如圖18所示，取消對當前批次R1執行配管降溫步驟(S3)，並且取消對下一批次R2執行配管升溫步驟(S1)。 因此，可從下一批次R2之最先之共通蝕刻處理(S2)之蝕刻步驟(E3)起，將蝕刻液之液溫保持於熱平衡溫度TB。即，藉此，可對下一批次R2之複數個基板W，以相同之蝕刻速率實施蝕刻處理。 另一方面，於對構成下一批次R2之複數片基板W執行與共通蝕刻處理(S2)不同之蝕刻處理(其他處理)之情形時，不取消對當前批次R1執行配管降溫步驟(S3)。 如上所述，根據該實施形態，於在各處理單元2中執行之複數個共通蝕刻處理(S2)中之最先之共通蝕刻處理(S2)之前，使共通配管32～34之管壁升溫至熱平衡溫度TB。又，於各置換步驟(E5)之後且於下次各蝕刻步驟(E3)之前，不使共通配管32～34之管壁降溫。 由於在最先之共通蝕刻處理(S2)之前使共通配管32～34之管壁升溫至熱平衡溫度TB，故而可從最先之共通蝕刻處理(S2)之蝕刻步驟(E3)起，使用熱平衡溫度TB之蝕刻液對基板W進行蝕刻。而且，藉由共通蝕刻處理(S2)之置換步驟(E5)中之共通配管32～34之熱之蓄積，可將於其後之共通蝕刻處理(S2)之蝕刻步驟(E3)中使用之蝕刻液之液溫保持於熱平衡溫度TB。即，可將於各共通蝕刻處理(S2)之蝕刻步驟(E3)中使用之蝕刻液之液溫保持固定。藉此，可於各蝕刻步驟(E3)中，對複數個基板W以相同之蝕刻速率實施蝕刻處理。因此，可抑制或防止基板W間之蝕刻處理之不均。 又，於各共通蝕刻處理(S2)之前使共通配管32～34之管壁升溫並且於各共通蝕刻處理(S2)之後使共通配管32～34之管壁降溫的先前之方法中，共通配管32～34之管壁之升溫及降溫需要時間，其結果，有產量降低之虞。 對此，於該實施形態中，於複數個共通蝕刻處理(S2)中之最先之共通蝕刻處理(S2)之前，使共通配管32～34之管壁僅升溫1次即可，故而可改善產量。 又，於複數個共通蝕刻處理(S2)中之最後之共通蝕刻處理(S2)之後，執行配管降溫步驟(S3)。由於在最後之共通蝕刻處理(S2)之後將共通配管32～34之管壁降溫(至第1溫度)，故而可對於共通蝕刻處理(S2)中蓄積於共通配管32～34之熱進行重設。藉此，可一面避免複數個共通蝕刻處理(S2)之配管升溫步驟之熱影響，一面執行複數個共通蝕刻處理(S2)之接下來之處理，藉此，可良好地執行該接下來之處理。 又，於上述實施形態中，藉由將於置換步驟(E5)中使用之高溫液作為加熱液供給至共通配管32～34，而實現加熱液流通步驟，故而與在加熱液流通步驟中使用與該高溫液不同之加熱液之情形相比，亦可將加熱液之配管構成等省略化。 以上，對本發明之一實施形態進行了說明，但本發明亦能夠以其他形態實施。 例如，於上述實施形態中，在配管升溫步驟(S1)中之溫度調整步驟(P2、P3)中，採用了使用外部冷卻步驟或第1冷卻液流通步驟將共通配管32～34之管壁冷卻之方法，亦可使用第2冷卻液流通步驟進行冷卻。 又，對在配管升溫步驟(S1)中，於溫度調整步驟(P2、P3)中以2個階段使已升溫至特定之升溫溫度之共通配管32～34之管壁降溫至熱平衡溫度TB的方法進行了說明，亦可僅以1個階段、即1個溫度調整步驟，使已升溫至特定之升溫溫度之共通配管32～34之管壁以2個階段降溫至熱平衡溫度TB。 又，於上述實施形態中，亦可藉由使與置換步驟(E5)中使用之高溫液不同之加熱液且具有較該加熱液低之溫度並且較常溫(第1液溫)高之溫度的加熱液流通至共通配管32～34，而使共通配管32～34之管壁以2個階段降溫至熱平衡溫度TB。 又，於配管升溫步驟(S1)中，亦可不設置溫度調整步驟(P2、P3)。即，亦可藉由加熱步驟(P1)，直接使共通配管32～34之管壁之溫度與熱平衡溫度TB一致。於此情形時，亦可藉由使與置換步驟(E5)中使用之高溫液不同之加熱液且具有較該加熱液低之溫度並且較常溫(第1液溫)高之溫度之加熱液流通至共通配管32～34，而使共通配管32～34之管壁以2個階段降溫至熱平衡溫度TB。 又，於配管升溫步驟(S1)中，亦可不使加熱液流通至共通配管32～34，而藉由外部之熱源使共通配管32～34之管壁升溫。 又，配管升溫步驟(S1)之結果為，共通蝕刻處理(S2)之開始前之共通配管32～34之管壁之液溫亦可與熱平衡溫度TB不同，只要近似於熱平衡溫度TB即可。 又，從第2蝕刻液配管36供給至共通配管32～34之蝕刻液之液溫(第1液溫)可不為常溫。於此情形時，熱平衡溫度設定為較上述熱平衡溫度TB高。 又，對在配管降溫步驟(S3)中使用第2冷卻液流通步驟將共通配管32～34之管壁冷卻之方法進行了說明，但作為配管降溫步驟(S3)，亦可與第2冷卻液流通步驟一併執行外部冷卻步驟及/或第1冷卻液流通步驟，或者亦可執行外部冷卻步驟及/或第1冷卻液流通步驟代替第2冷卻液流通步驟。 又，亦可廢除配管降溫步驟(S3)。於此情形時，亦可藉由於共通蝕刻處理(S2)之結束後放置特點時間，而使共通配管32～34之管壁降溫。 又，列舉於上述第1及第2冷卻液流通步驟中冷卻液之溫度為常溫之情形為例進行了說明，但冷卻液亦可具有較常溫低之液溫。 又，已對設為噴嘴為對基板W之下表面供給液體之下表面噴嘴9的情形進行了說明，但亦可將本發明應用於連接於對基板W之上表面供給液體之上表面噴嘴之供給配管。 又，本發明之高溫液噴出步驟並不限於置換步驟(S5；對基板W之下表面供給高溫之調溫液之步驟)，可廣泛地應用於將高溫之液體從噴嘴噴出至基板之構成。例如，亦可將對基板W供給具有較常溫高之液溫之沖洗液之背面沖洗處理設為本發明之高溫液噴出步驟。 基板處理裝置1並不限於對圓板狀之基板W進行處理之裝置，亦可為對多邊形之基板W進行處理之裝置。 已對本發明之實施形態詳細地進行了說明，但該等僅為用以使本發明之技術內容明確之具體例，本發明並不應限定於該等具體例進行解釋，本發明之範圍僅由隨附之申請專利範圍限定。 本申請案對應於2016年12月7日向日本專利廳提交之日本專利特願2016-237804號，該申請案之所有揭示內容藉由引用而併入本文。
1‧‧‧基板處理裝置
2‧‧‧處理單元
3‧‧‧控制裝置
4‧‧‧腔室
5‧‧‧旋轉夾頭
6‧‧‧蝕刻液單元
7‧‧‧水供給單元
8‧‧‧有機溶劑供給單元
9‧‧‧下表面噴嘴
9a‧‧‧噴出口
10‧‧‧下表面供給單元
11‧‧‧承杯
11a‧‧‧上端部
12‧‧‧間隔壁
13‧‧‧FFU
14‧‧‧排氣管
15‧‧‧旋轉馬達
16‧‧‧旋轉軸
17‧‧‧旋轉底座
18‧‧‧夾持構件
19‧‧‧蝕刻液噴嘴
20‧‧‧第1蝕刻液配管
21‧‧‧第1蝕刻液閥
24‧‧‧水噴嘴
25‧‧‧水配管
26‧‧‧第1水閥
29‧‧‧有機溶劑噴嘴
30‧‧‧有機溶劑配管
31‧‧‧有機溶劑閥
32‧‧‧第1共通配管
33‧‧‧第2共通配管
34‧‧‧第3共通配管
35‧‧‧排液配管
36‧‧‧第2蝕刻液配管
37‧‧‧第2水配管
38‧‧‧加熱液配管
39‧‧‧抽吸配管
40‧‧‧共通閥
41‧‧‧排液閥
42‧‧‧第2蝕刻液閥
43‧‧‧第2水閥
44‧‧‧加熱液閥
45‧‧‧抽吸閥
46‧‧‧抽吸裝置
47‧‧‧外部冷卻單元
48‧‧‧環狀構件
49‧‧‧冷卻液配管
50‧‧‧冷卻液閥
51‧‧‧運算單元
52‧‧‧記憶單元
53‧‧‧程式
54‧‧‧處理條件記憶部
55‧‧‧操作部
56‧‧‧製程處理條件
57‧‧‧預處理條件
58‧‧‧後處理條件
59‧‧‧流程處理條件
A1‧‧‧旋轉軸線
C‧‧‧基板收容器
CR‧‧‧搬送機器人
H‧‧‧手
IR‧‧‧搬送機器人
LP‧‧‧負載埠
P1‧‧‧加熱步驟
P2‧‧‧溫度調整步驟
P3‧‧‧溫度調整步驟
P4‧‧‧第1乾燥步驟
POST1‧‧‧後處理條件
POST2‧‧‧後處理條件
PRE1‧‧‧預處理條件
PRE2‧‧‧預處理條件
PROCESS1‧‧‧製程處理條件
PROCESS2‧‧‧製程處理條件
Q1‧‧‧第2冷卻液流通步驟
Q2‧‧‧第2乾燥步驟
R1‧‧‧批次
R2‧‧‧批次
TB‧‧‧熱平衡溫度
W‧‧‧基板
圖1係用以說明本發明之一實施形態之基板處理裝置之內部之佈局的圖解性之俯視圖。 圖2係用以說明上述基板處理裝置中所包含之處理單元之構成例之圖解性之剖視圖。 圖3係用以說明上述處理單元中所包含之外部冷卻單元之示意性之縱剖視圖。 圖4係用以說明上述基板處理裝置之主要部分之電構成之方塊圖。 圖5係用以說明於控制裝置中製作之製程處理條件、預處理條件、後處理條件及流程處理條件之構成之圖。 圖6係用以說明於上述處理單元中執行之處理之內容之流程圖。 圖7係用以說明基於上述製程處理條件執行之共通蝕刻之流程圖。 圖8係用以說明圖7所示之蝕刻步驟之圖。 圖9係用以說明圖7所示之有機溶劑步驟之圖。 圖10係用以說明基於上述預處理條件執行之配管升溫步驟之流程圖。 圖11係用以說明圖10所示之加熱步驟之圖。 圖12係用以說明圖10所示之第1溫度調整步驟之圖。 圖13係用以說明圖10所示之第2溫度調整步驟之圖。 圖14係用以說明圖10所示之第1乾燥步驟之圖。 圖15係用以說明基於上述後處理條件執行之配管降溫步驟之流程圖。 圖16係用以說明圖15所示之第2冷卻液流通步驟之圖。 圖17係用以說明圖15所示之第2乾燥步驟之圖。 圖18係用以說明於上述處理單元中執行之處理之內容之流程圖。 圖19係用以說明蝕刻處理片數與來自下表面噴嘴之蝕刻液之噴出溫度之關係的圖。

Claims (24)

  1. 一種基板處理方法，其係於包含用以對保持於基板保持單元之基板供給液體之噴嘴、及連結於上述噴嘴之共通配管的基板處理裝置中執行，且對複數片基板之各者依序實施共通之共通蝕刻處理， 上述共通蝕刻處理具有：蝕刻步驟，其藉由將第1液溫之蝕刻液供給至上述共通配管，並使蝕刻液從上述噴嘴噴出，而將保持於上述基板保持單元之基板蝕刻；及高溫液噴出步驟，其係於上述蝕刻步驟之後，將具有較上述第1液溫高之液溫之高溫液供給至上述共通配管，並使高溫液從上述噴嘴噴出； 上述基板處理方法中，於對上述複數片基板之複數個上述共通蝕刻處理中之最先之共通蝕刻處理之前，還包含使上述共通配管之管壁升溫至較上述第1液溫高之特定之第2液溫之配管升溫步驟，且 於各共通蝕刻處理中，於各高溫液噴出步驟之後且於下次之各蝕刻步驟之前，不進行使上述共通配管之管壁降溫之步驟。
  2. 如請求項1之基板處理方法，其中上述基板處理裝置還包含處理條件記憶部，該處理條件記憶部用以記憶：製程處理條件，其規定對基板實施之處理之內容；及預處理條件，其係於上述製程處理條件之前執行； 將對應於上述共通蝕刻處理之第1處理條件作為上述製程處理條件，將對應於上述配管升溫步驟之第2處理條件作為上述預處理條件，分別記憶於上述處理條件記憶部，且 上述共通蝕刻處理基於上述第1處理條件而執行，並且上述配管升溫步驟基於上述第2處理條件而執行。
  3. 如請求項1或2之基板處理方法，其中上述共通蝕刻處理係對構成一個批次之複數片基板之各者執行之步驟。
  4. 如請求項3之基板處理方法，其中於上述基板處理裝置中，繼構成上述一個批次之複數片基板之後，接著對構成下一批次之複數片基板進行處理，且 於對構成上述一個批次之複數片基板執行上述共通蝕刻處理，並且亦對構成上述下一批次之複數片基板執行上述共通蝕刻處理之情形時，不對上述下一批次進行上述配管升溫步驟。
  5. 如請求項3之基板處理方法，其中於對上述複數片基板之複數個上述共通蝕刻處理中之最後之共通蝕刻處理之後，還包含將上述共通配管冷卻而使該共通配管之管壁降溫之配管降溫步驟， 於上述基板處理裝置中，繼構成上述一個批次之複數片基板之後，接著對構成下一批次之複數片基板進行處理，且 於對構成上述一個批次之複數片基板執行上述共通蝕刻處理，並且亦對構成上述下一批次之複數片基板執行上述共通蝕刻處理之情形時，不對上述一個批次進行上述配管降溫步驟。
  6. 如請求項1或2之基板處理方法，其中上述第2液溫係上述共通配管之管壁之溫度，且係於在上述基板處理裝置中連續地進行上述共通蝕刻處理之情形時收斂之熱平衡溫度。
  7. 如請求項1或2之基板處理方法，其中上述配管升溫步驟包含加熱液流通步驟，該加熱液流通步驟係使具有與上述第2液溫相同之溫度或較該第2液溫高之溫度之加熱液流通至上述共通配管，以對上述共通配管加熱。
  8. 如請求項1或2之基板處理方法，其中上述配管升溫步驟包含：加熱步驟，其係將該共通配管加熱，以使上述共通配管之管壁升溫至較上述第2液溫高之溫度；及溫度調整步驟，其係於上述加熱步驟之後，將上述共通配管冷卻而將上述共通配管之溫度調整為上述第2液溫。
  9. 如請求項1或2之基板處理方法，其於對上述複數片基板之複數個上述共通蝕刻處理中之最後之共通蝕刻處理之後，還包含將上述共通配管冷卻而使該共通配管之管壁降溫之配管降溫步驟。
  10. 如請求項9之基板處理方法，其中上述基板處理裝置包含處理條件記憶部，該處理條件記憶部用以記憶：製程處理條件，其規定對基板實施之處理之內容；預處理條件，其係於上述製程處理條件之前執行；及後處理條件，其係於上述製程處理條件之後執行； 將對應於上述共通蝕刻處理之第1處理條件作為上述製程處理條件，將對應於上述配管升溫步驟之第2處理條件作為上述預處理條件，將對應於上述配管降溫步驟之第3處理條件作為上述後處理條件，分別記憶於上述處理條件記憶部，且 上述共通蝕刻處理基於上述第1處理條件而執行，上述配管升溫步驟基於上述第2處理條件而執行，並且上述配管降溫步驟基於上述第3處理條件而執行。
  11. 如請求項9之基板處理方法，其中上述配管降溫步驟包含冷卻液流通步驟，該冷卻液流通步驟係使具有較上述第2液溫低之溫度之冷卻液流通至上述共通配管，以使上述共通配管冷卻。
  12. 如請求項9之基板處理方法，其中上述配管降溫步驟包含外部冷卻步驟，該外部冷卻步驟係從外部將該共通配管冷卻，以使上述共通配管冷卻。
  13. 一種基板處理裝置，其包含： 基板保持單元，其保持基板； 噴嘴，其用以對保持於上述基板保持單元之基板供給液體； 共通配管，其連結於上述噴嘴； 蝕刻液供給單元，其用以對上述共通配管供給特定之第1液溫之蝕刻液； 高溫液供給單元，其用以對上述共通配管供給具有較上述第1液溫高之液溫之高溫液； 配管加熱單元，其用以將上述共通配管加熱；及 控制裝置，其控制上述蝕刻液供給單元、上述加熱液供給單元及上述配管加熱單元； 上述控制裝置執行共通蝕刻處理，該共通蝕刻處理係對於以預先決定之片數為一單位之複數片基板之各者依序實施共通之處理者，其具有：蝕刻步驟，其藉由將第1液溫之蝕刻液供給至上述共通配管，並使蝕刻液從上述噴嘴噴出，而將保持於上述基板保持單元之基板蝕刻；及高溫液噴出步驟，其係於上述蝕刻步驟之後，將具有較上述第1液溫高之液溫之高溫液供給至上述共通配管，並使高溫液從上述噴嘴噴出； 上述控制裝置於對上述複數片基板之複數個上述共通蝕刻處理中之最先之共通蝕刻處理之前，還執行使上述共通配管之管壁升溫至較上述第1液溫高之特定之第2液溫的配管升溫步驟，且 上述控制裝置於上述共通蝕刻處理中，於各高溫液噴出步驟之後且於下次之各蝕刻步驟之前不進行使上述共通配管之管壁降溫之步驟。
  14. 如請求項13之基板處理裝置，其還包含處理條件記憶部，該處理條件記憶部用以記憶：製程處理條件，其規定對基板實施之處理之內容；及預處理條件，其係於上述製程處理條件之前執行； 將對應於上述共通蝕刻處理之第1處理條件作為上述製程處理條件，將對應於上述配管升溫步驟之第2處理條件作為上述預處理條件，分別記憶於上述處理條件記憶部，且 上述控制裝置基於上述第1處理條件執行上述共通蝕刻處理，並且基於上述第2處理條件執行上述配管升溫步驟。
  15. 如請求項13或14之基板處理裝置，其中上述控制裝置對構成一個批次之複數片基板之各者執行上述共通蝕刻處理。
  16. 如請求項15之基板處理裝置，其中於上述基板處理裝置中，繼構成上述一個批次之複數片基板之後，接著對構成下一批次之複數片基板進行處理，且 於對構成上述一個批次之複數片基板執行上述共通蝕刻處理，並且亦對構成上述下一批次之複數片基板執行上述共通蝕刻處理之情形時，上述控制裝置不對上述下一批次進行上述配管升溫步驟。
  17. 如請求項15之基板處理裝置，其中於上述基板處理裝置中，繼構成上述一個批次之複數片基板之後，接著對構成下一批次之複數片基板進行處理， 上述控制裝置於對上述複數片基板之複數個上述共通蝕刻處理中之最後之共通蝕刻處理之後，還執行將上述共通配管冷卻而使該共通配管之管壁降溫之配管降溫步驟，且 於對構成上述一個批次之複數片基板執行上述共通蝕刻處理，並且亦對構成上述下一批次之複數片基板執行上述共通蝕刻處理之情形時，上述控制裝置不對上述一個批次進行上述配管降溫步驟。
  18. 如請求項13或14之基板處理裝置，其中上述第2液溫係上述共通配管之管壁之溫度，且係於在上述基板處理裝置中連續地進行上述共通蝕刻處理之情形時收斂之熱平衡溫度。
  19. 如請求項13或14之基板處理裝置，其中上述控制裝置執行加熱液流通步驟作為上述配管升溫步驟，該加熱液流通步驟係使具有與上述第2液溫相同之溫度或較該第2液溫高之溫度之加熱液流通至上述共通配管，以對上述共通配管加熱。
  20. 如請求項13或14之基板處理裝置，其中上述控制裝置之上述配管升溫步驟中執行：加熱步驟，其係對該共通配管加熱，以使上述共通配管之管壁升溫至較上述第2液溫高之溫度；及溫度調整步驟，其係於上述加熱步驟之後，將上述共通配管冷卻而將上述共通配管之溫度調整為上述第2液溫。
  21. 如請求項13或14之基板處理裝置，其還包含用以將上述共通配管冷卻之配管冷卻單元， 上述控制裝置還控制上述配管冷卻單元，且 上述控制裝置於對上述複數片基板之複數個上述共通蝕刻處理中之最後之共通蝕刻處理之後，執行將上述共通配管冷卻而使該共通配管之管壁降溫之配管降溫步驟。
  22. 如請求項21之基板處理裝置，其還包含處理條件記憶部，該處理條件記憶部用以記憶：製程處理條件，其規定對基板實施之處理之內容；預處理條件，其係於上述製程處理條件之前執行；及後處理條件，其係於上述製程處理條件之後執行； 將對應於上述共通蝕刻處理之第1處理條件作為上述製程處理條件，將對應於上述配管升溫步驟之第2處理條件作為上述預處理條件，將對應於上述配管降溫步驟之第3處理條件作為上述後處理條件，分別記憶於上述處理條件記憶部，且 上述控制裝置基於上述第1處理條件執行上述共通蝕刻處理，基於上述第2處理條件執行上述配管升溫步驟，並且基於上述第3處理條件執行上述配管降溫步驟。
  23. 如請求項21之基板處理裝置，其中上述配管冷卻單元包含冷卻液供給單元，該冷卻液供給單元將具有較上述第2液溫低之溫度之冷卻液供給至上述共通配管，且 上述控制裝置執行冷卻液流通步驟作為上述配管降溫步驟，該冷卻液流通步驟係使上述冷卻液流通至該共通配管，以使上述共通配管冷卻。
  24. 如請求項21之基板處理裝置，其中上述配管冷卻單元包含從外部將上述共通配管冷卻之外部冷卻單元，且 上述控制裝置執行外部冷卻步驟作為上述配管降溫步驟，該外部冷卻步驟係藉由上述外部冷卻單元將上述共通配管冷卻。
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