JP7466562B2 - 弾性波装置 - Google Patents
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Description
圧電膜7:材料 LT,カット角 114°YカットX伝搬
多層膜5:積層数 8層
第1層11:材料 SiO2,厚み 0.2μm ,層数 4
第2層13:材料 HfO2,厚み 0.17μm,層数 4
IDT電極9:材料 Al,厚み
直列共振子S:ピッチp1 1.0265μm ,Duty 0.3
並列共振子P:ピッチp2 1.2607μm ,Duty 0.55
支持基板3:材料 Si,厚み 200μm
板波を用いた共振子には無数のスプリアスが発生する。このようなスプリアスは、圧電膜7のカット角、厚み、IDT電極9のピッチpおよび/または厚みの最適化等により、共振周波数および***振周波数の間において低減されてよい。しかしながら、上述の通り、フィルタの通過帯域を構成するためには共振周波数の異なる共振子を組み合わせる必要がある。ここで、これらスプリアス低減の最適構成を一方の共振子に合わせると、他方の共振子の最適構成から外れてしまい、結果として、弾性波装置1全体としてはスプリアスの影響が大きくなってしまう可能性がある。
支持基板3:Si基板
多層膜5:8層
第1層11:材料 SiO2,厚み 0.2μm ,層数 4
第2層13:材料 HfO2,厚み 0.17μm ,層数 4
圧電膜7:材料 114°Y回転X伝搬LT基板
IDT電極9:材料 Al,Duty 0.5,厚み 0.13μm
なお、所望の共振周波数を実現できるように、上述の条件においてピッチpを調整している。
支持基板3:Si基板
多層膜5:8層
第1層:材料 SiO2,厚み 0.2μm
第2層:材料 HfO2,厚み 0.17μm
圧電膜7:材料 114°Y回転X伝搬LT基板,厚み 0.406μm
IDT電極9:材料 Al,厚み 0.13μm
IDT電極9上の保護膜:材料 SiO2,厚み 0.013μm
上述の例では、多層膜5と支持基板3とを備える構成を例に説明したが、これらを備えなくてもよい。図10に、本開示の他の実施形態に係る弾性波装置1Aの模式的な断面図を示す。
上述の例では、圧電膜7としてカット角114°のLTを用いた場合を例に説明したが、他のカット角を用いたり、他の材料を用いたりしてもよい。
支持基板3:Si基板
多層膜5:8層
第1層:材料 SiO2,厚み 0.2μm
第2層:材料 Ta2O5,厚み 0.14μm
圧電膜7:厚み 0.386μm
IDT電極9:材料 Al,厚み 0.11μm
IDT電極9上の保護膜:材料 SiO2,厚み 0.013μm
多層膜5:8層
第1層:材料 SiO2,厚み 0.2μm
第2層:材料 Ta2O5,厚み 0.16μm
図6(a)および図6(b)において、Dutyを一定とした場合に、スプリアスフリー領域を保った状態で調整可能な共振周波数幅を確認した。その結果、Dutyを0.29以上0.31以下にすると調整可能な共振周波数幅を最大に広げることができることを確認した。このように、板波を用いた弾性波装置において、IDT電極のDutyを通常より小さい0.29以上0.31以下とすると、互いに異なる共振周波数を有する複数の共振子のそれぞれにおいて、スプリアスを低減することが容易化される。ひいては、複数の共振子を有する弾性波装置においてスプリアスを低減することが容易化される。この場合も、支持基板や多層膜は省略して、圧電膜をいわゆるメンブレン形状としてもよい。
圧電膜の厚みは、圧電膜の加工性等を考慮して0.3p以上としてもよい。この場合には、所望の膜厚から差異の少ない厚みを実現することができるので、その結果、電気特性を良好なものとすることができる。また、圧電膜の厚みはスプリアスの影響を考えると0.6p以下としてもよいため、0.3p以上0.6p以下としてもよい。
3…支持基板
5…多層膜
7…圧電膜
9…IDT電極
Claims (5)
- オイラー角(0°±20°,-5°以上65°以下、0°±10°)又はこれと等価なオイラー角のタンタル酸リチウム単結晶からなる圧電膜と、
前記圧電膜の上面に位置する、それぞれIDT電極を含む第1共振子および第2共振子と、
を備え、
前記圧電膜の厚みが、前記第1共振子および前記第2共振子のいずれの前記IDT電極の電極指の周期の2倍よりも小さく、
前記第1共振子と前記第2共振子とで前記電極指のDutyが異なり、
前記第1共振子は、前記第2共振子の共振周波数に比べて高い共振周波数を備え、
前記第1共振子の前記電極指の周期は、第2共振子の前記電極指の周期に比べて小さく、
前記第1共振子の前記電極指のDutyは、第2共振子の前記電極指のDutyに比べて小さく、
複数の直列共振子と複数の並列共振子と、がラダー型に接続されたフィルタを構成しており、
前記複数の直列共振子の少なくとも1つが、前記第1共振子であり、
前記複数の並列共振子の少なくとも1つが、前記第2共振子であり、
前記複数の並列共振子のうち最も共振周波数の低い並列共振子の共振周波数を基準としたときに、前記複数の直列共振子および前記複数の並列共振子のうち少なくとも2以上のDutyと共振周波数との関係が図6(a)に破線で示す範囲内である、
もしくは、
前記複数の直列共振子のうち最も共振周波数の高い直列共振子の共振周波数を基準としたときに、前記複数の直列共振子および前記複数の並列共振子のうち少なくとも2以上のDutyと共振周波数との関係が図6(b)に破線で示す範囲内である、
板波を利用する弾性波装置。 - 前記第2共振子の前記電極指の周期を前記第1共振子の前記電極指の周期で割った比は、前記第1共振子の共振周波数を前記第2共振子の共振周波数で割った比よりも大きい、請求項1に記載の弾性波装置。
- 支持基板と
前記支持基板上に位置する多層膜と、を備え、
前記圧電膜は、前記多層膜上に位置する、請求項1または2に記載の弾性波装置。 - 前記圧電膜の下に交互に積層されている第1層および第2層を備え、
前記第1層は、SiO2からなり、その厚みは0.20μm±0.01μmであり、
前記第2層は、HfO2からなり、その厚みは0.17μm±0.01μmであり、
前記圧電膜は、114°Y回転X伝搬のタンタル酸リチウム単結晶からなる、請求項1乃至3のいずれかに記載の弾性波装置。 - 前記圧電膜の厚みが、前記第1共振子および前記第2共振子のいずれの前記IDT電極の電極指の周期よりも小さく、
前記多層膜が、第1層と、該第1層よりも音響インピーダンスが高い第2層とを有し、
前記第1共振子と前記第2共振子とはDutyが0.29以上0.31以下である、請求項3に記載の弾性波装置。
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