JP7463525B2 - デュアルステージリソグラフィ装置を用いる方法及びリソグラフィ装置 - Google Patents
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Description
[0001] 本出願は、2020年2月6日に出願された欧州特許出願第20155876.4号の優先権を主張する。これは援用により全体が本願に含まれる。
2つの基板サポートであって、各々が基板を移動及び支持するように構成された、2つの基板サポートと、
2つの基板サポートのうち1つによって支持された基板のフィーチャを測定するために2つの基板サポートのうちこの1つが選択的に位置決めされる測定フィールドと、
2つの基板サポートのうち1つによって支持された基板をパターン付き放射ビームに露光するために2つの基板サポートのうちこの1つが選択的に位置決めされる露光フィールドと、
を備え、方法は、2つの基板サポートのうち1つにロードされた基板の熱緩和ステップを含み、熱緩和は、少なくとも部分的に、露光フィールドにおいて及び/又は測定フィールドと露光フィールドとの間の移動中に実行される。
2つの基板サポートであって、各々が基板を移動及び支持するように構成された、2つの基板サポートと、
2つの基板サポートのうち1つによって支持された基板のフィーチャを測定するために2つの基板サポートのうちこの1つが選択的に位置決めされる測定フィールドと、
2つの基板サポートのうち1つによって支持された基板をパターン付き放射ビームに露光するために2つの基板サポートのうちこの1つが選択的に位置決めされる露光フィールドと、
を備え、リソグラフィ装置は、2つの基板サポートのうち1つにロードされた基板の熱緩和ステップ中に2つの基板サポートのうちこの1つを露光フィールドへ移動させるよう構成された制御デバイスを備え、熱緩和は、少なくとも部分的に、露光フィールドにおいて及び/又は測定フィールドと露光フィールドとの間の移動中に実行されるようになっている。
Claims (12)
- デュアルステージリソグラフィ装置を用いる方法であって、前記リソグラフィ装置は、
2つの基板サポートであって、各々が基板を移動及び支持するように構成された、2つの基板サポートと、
前記2つの基板サポートのうち1つによって支持された前記基板のフィーチャを測定するために前記2つの基板サポートのうち前記1つが選択的に位置決めされる測定フィールドと、
前記2つの基板サポートのうち1つによって支持された前記基板をパターン付き放射ビームに露光するために前記2つの基板サポートのうち前記1つが選択的に位置決めされる露光フィールドと、
を備え、前記方法は、前記2つの基板サポートのうち1つにロードされた基板の熱緩和ステップを含み、前記熱緩和は、少なくとも部分的に、前記露光フィールドにおいて及び/又は前記測定フィールドと前記露光フィールドとの間の移動中に実行される、方法。 - 前記方法は、前記2つの基板サポートの各々について、
前記測定フィールドで前記各基板サポートに基板をロードするステップと、
前記各基板サポート上の前記基板の熱緩和のステップと、
前記測定フィールドで前記基板の前記フィーチャを測定するステップと、
前記各基板サポートを前記測定フィールドから前記露光フィールドへ移動させるステップと、
前記露光フィールドで前記基板をパターン付き放射ビームに露光するステップと、
前記各基板サポートを前記露光フィールドから前記測定フィールドへ移動させるステップと、
前記測定フィールドで前記各基板サポート上の前記基板をアンロードするステップと、
を含む、請求項1に記載の方法。 - 前記熱緩和ステップは、前記各基板サポートを前記測定フィールドから前記露光フィールドへ移動させることと、前記基板を前記露光フィールドに維持することと、前記各基板サポートを前記露光フィールドから前記測定フィールドへ戻すことと、を含む、請求項1から2のいずれかに記載の方法。
- 前記露光フィールドにおける前記基板の熱緩和中に、前記測定フィールドにおいて、
他方の前記基板サポートから基板をアンロードする/他方の前記基板サポートに基板をロードするステップ、及び/又は、
前記他方の基板サポート上の前記基板の熱緩和ステップ、及び/又は、
前記他方の基板サポート上の前記基板のフィーチャを測定するステップ、
のうち1つ以上が実行される、請求項1から3のいずれかに記載の方法。 - 前記基板は、アルミニウムチタンカーバイド、アンチモン化インジウム、アンチモン化ガリウム、窒化ガリウム、窒化アルミニウム、酸化ガリウム、及び/又はサファイアで作られている、請求項1から4のいずれかに記載の方法。
- 前記熱緩和ステップは、前記基板の緩和を測定することと、前記緩和が所定の閾値未満である場合に熱緩和を終了することと、を含む、請求項1から5のいずれかに記載の方法。
- リソグラフィ装置であって、
2つの基板サポートであって、各々が基板を移動及び支持するように構成された、2つの基板サポートと、
前記2つの基板サポートのうち1つによって支持された前記基板のフィーチャを測定するために前記2つの基板サポートのうち前記1つが選択的に位置決めされる測定フィールドと、
前記2つの基板サポートのうち1つによって支持された前記基板をパターン付き放射ビームに露光するために前記2つの基板サポートのうち前記1つが選択的に位置決めされる露光フィールドと、
を備え、前記リソグラフィ装置は、前記2つの基板サポートのうち1つにロードされた基板の熱緩和ステップ中に前記2つの基板サポートのうち前記1つを前記露光フィールドへ移動させるよう構成された制御デバイスを備え、前記熱緩和は、少なくとも部分的に、前記露光フィールドにおいて及び/又は前記測定フィールドと前記露光フィールドとの間の移動中に実行されるようになっている、リソグラフィ装置。 - 前記基板は、アルミニウムチタンカーバイド、アンチモン化インジウム、アンチモン化ガリウム、窒化ガリウム、窒化アルミニウム、酸化ガリウム、及び/又はサファイアで作られている、請求項7に記載のリソグラフィ装置。
- 前記制御デバイスは所定の調節時間中に熱緩和を実行するよう構成されている、請求項7又は8に記載のリソグラフィ装置。
- 前記リソグラフィ装置は、前記基板の前記熱緩和の少なくとも一部の間に前記基板の緩和を測定するよう構成された緩和測定デバイスを含む、請求項7から9のいずれかに記載のリソグラフィ装置。
- 前記制御デバイスは、前記緩和が所定の閾値未満である場合に前記基板の熱緩和を終了するよう構成されている、請求項10に記載のリソグラフィ装置。
- 前記制御デバイスは、前記露光フィールドにおける前記基板の熱緩和中に、前記測定フィールドにおいて、
他方の前記基板サポートから基板をアンロードする/他方の前記基板サポートに基板をロードするステップ、
前記他方の基板サポート上の前記基板の熱緩和ステップ、及び/又は、
前記他方の基板サポート上の前記基板のフィーチャを測定するステップ、
のうち1つ以上を制御するよう構成されている、請求項7から11のいずれかに記載のリソグラフィ装置。
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Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006013090A (ja) | 2004-06-25 | 2006-01-12 | Nikon Corp | 露光装置及びデバイス製造方法 |
JP2010067964A (ja) | 2008-09-08 | 2010-03-25 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置及び位置合わせ方法 |
JP2010165752A (ja) | 2009-01-13 | 2010-07-29 | Canon Inc | 露光装置およびデバイス製造方法 |
JP2015505154A (ja) | 2011-12-29 | 2015-02-16 | 株式会社ニコン | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
WO2018065222A1 (en) | 2016-10-07 | 2018-04-12 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and method |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2753930B2 (ja) * | 1992-11-27 | 1998-05-20 | キヤノン株式会社 | 液浸式投影露光装置 |
US6020964A (en) | 1997-12-02 | 2000-02-01 | Asm Lithography B.V. | Interferometer system and lithograph apparatus including an interferometer system |
EP1353234A1 (en) * | 2002-04-12 | 2003-10-15 | ASML Netherlands B.V. | Device manufacturing method, device manufactured thereby and computer program |
TWI232357B (en) | 2002-11-12 | 2005-05-11 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7070915B2 (en) * | 2003-08-29 | 2006-07-04 | Tokyo Electron Limited | Method and system for drying a substrate |
US7304715B2 (en) * | 2004-08-13 | 2007-12-04 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
DE102005043569A1 (de) | 2005-09-12 | 2007-03-22 | Dr. Johannes Heidenhain Gmbh | Positionsmesseinrichtung |
JP6883655B2 (ja) * | 2017-02-03 | 2021-06-09 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | 露光装置 |
-
2020
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Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006013090A (ja) | 2004-06-25 | 2006-01-12 | Nikon Corp | 露光装置及びデバイス製造方法 |
JP2010067964A (ja) | 2008-09-08 | 2010-03-25 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置及び位置合わせ方法 |
JP2010165752A (ja) | 2009-01-13 | 2010-07-29 | Canon Inc | 露光装置およびデバイス製造方法 |
JP2015505154A (ja) | 2011-12-29 | 2015-02-16 | 株式会社ニコン | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
WO2018065222A1 (en) | 2016-10-07 | 2018-04-12 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and method |
Also Published As
Publication number | Publication date |
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