JP2023512911A - デュアルステージリソグラフィ装置を用いる方法及びリソグラフィ装置 - Google Patents
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Abstract
本発明はデュアルステージリソグラフィ装置を用いる方法を提供する。リソグラフィ装置は、各々が基板を移動及び支持するように構成された２つの基板サポートと、これら２つの基板サポートのうち１つによって支持された基板のフィーチャを測定するためにこの１つの基板サポートが選択的に位置決めされる測定フィールドと、これら２つの基板サポートのうち１つによって支持された基板をパターン付き放射ビームに露光するためにこの１つの基板サポートが選択的に位置決めされる露光フィールドと、を含む。方法は、２つの基板サポートのうち１つにロードされた基板の熱緩和ステップを含む。熱緩和は、少なくとも部分的に、露光フィールドにおいて及び／又は測定フィールドと露光フィールドとの間の移動中に実行される。
【選択図】 図１
【選択図】 図１
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（関連出願の相互参照）
[0001] 本出願は、２０２０年２月６日に出願された欧州特許出願第２０１５５８７６．４号の優先権を主張する。これは援用により全体が本願に含まれる。
[0001] 本出願は、２０２０年２月６日に出願された欧州特許出願第２０１５５８７６．４号の優先権を主張する。これは援用により全体が本願に含まれる。
[0002] 本発明は、デュアルステージリソグラフィ装置を用いる方法及びリソグラフィ装置に関する。
[0003] リソグラフィ装置は、基板に所望のパターンを適用するように構築された機械である。リソグラフィ装置は、例えば集積回路（ＩＣ）の製造において使用可能である。リソグラフィ装置は、例えばパターニングデバイス（例えばマスク）のパターン（「設計レイアウト」又は「設計」と称されることも多い）を、基板（例えばウェーハ）上に提供された放射感応性材料（レジスト）層に投影し得る。
[0004] 半導体製造プロセスが進み続けるにつれ、回路素子の寸法は継続的に縮小されてきたが、その一方で、デバイス毎のトランジスタなどの機能素子の量は、「ムーアの法則」と通称される傾向に従って、数十年にわたり着実に増加している。ムーアの法則に対応するために、半導体産業はますます小さなフィーチャを作り出すことを可能にする技術を追求している。基板上にパターンを投影するために、リソグラフィ装置は電磁放射を用い得る。この放射の波長が、基板上にパターン形成されるフィーチャの最小サイズを決定する。現在使用されている典型的な波長は、３６５ｎｍ（ｉ線）、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ及び１３．５ｎｍである。例えば１９３ｎｍの波長を有する放射線を使用するリソグラフィ装置よりも小さなフィーチャを基板上に形成するためには、４ｎｍ～２０ｎｍの範囲内、例えば６．７ｎｍ又は１３．５ｎｍの波長を有する極端紫外線（ＥＵＶ）放射を使用するリソグラフィ装置が用いられ得る。
[0005] リソグラフィ装置の一実施形態において、装置は２つの基板サポートを備え、各基板サポートは基板を移動及び支持するように構成されている。これらの基板サポートは、これら２つの基板サポートのうち１つによって支持された基板のフィーチャを測定するためにこの１つの基板サポートが選択的に位置決めされる測定フィールドと、これら２つの基板サポートのうち１つによって支持された基板をパターン付き放射ビームに露光するためにこの１つの基板サポートが選択的に位置決めされる露光フィールドと、に位置決めすることができる。しばしばデュアルステージリソグラフィ装置と呼ばれるこのようなリソグラフィ装置の利点は、測定フィールドで第１の基板を処理すると同時に露光フィールドで第２の基板を処理できることである。基板サポートは、測定フィールドと露光フィールドで交互に用いられる。結果として、露光フィールドにおける投影システムのアイドルタイムを短縮することができる。
[0006] 現在のリソグラフィ製品のほとんどはシリコン基板上に構築される。しかしながら、ハードディスクドライブで一般的に用いられる薄膜ヘッドの構築のようないくつかの用途では、アルミニウムチタンカーバイド（ＡｌＴｉＣ）基板が用いられる場合がある。アルミニウムチタンカーバイド基板では、温度によって誘発された応力が発生しやすい。応力は基板を機械的に変形させ、フォーカス及びオーバーレイに著しい影響を及ぼす。従って、アルミニウムチタンカーバイド基板は、誘発された応力を解放するために基板サポートの温度と平衡状態に達しなければならない。このアルミニウムチタンカーバイド基板のいわゆる熱緩和は、シリコン基板に比べて著しく長い時間を要する。
[0007] アルミニウムチタンカーバイド基板を基板サポートの温度と平衡状態に到達させるため、測定フィールドに位置決めされた基板サポートに基板をロードし、この基板サポート上で熱緩和を行う。典型的に、基板サポート上での基板の充分な熱緩和には、少なくとも２０秒の熱緩和時間が必要となり得る。
[0008] ２０秒の熱緩和時間の必要性によって、リソグラフィ装置のスループット、すなわち１時間当たりの処理基板数が著しく低減する。
[0009] 本発明の目的は、デュアルステージリソグラフィ装置を用いる方法を提供することである。この方法は、デュアルステージリソグラフィ装置を用いる従来の方法に比べて、より長い時間の基板の熱緩和ステップを含み、熱緩和時間がスループットに及ぼす悪影響を低減する。
[00010] 本発明の一態様によれば、デュアルステージリソグラフィ装置を用いる方法が提供される。リソグラフィ装置は、
２つの基板サポートであって、各々が基板を移動及び支持するように構成された、２つの基板サポートと、
２つの基板サポートのうち１つによって支持された基板のフィーチャを測定するために２つの基板サポートのうちこの１つが選択的に位置決めされる測定フィールドと、
２つの基板サポートのうち１つによって支持された基板をパターン付き放射ビームに露光するために２つの基板サポートのうちこの１つが選択的に位置決めされる露光フィールドと、
を備え、方法は、２つの基板サポートのうち１つにロードされた基板の熱緩和ステップを含み、熱緩和は、少なくとも部分的に、露光フィールドにおいて及び／又は測定フィールドと露光フィールドとの間の移動中に実行される。
２つの基板サポートであって、各々が基板を移動及び支持するように構成された、２つの基板サポートと、
２つの基板サポートのうち１つによって支持された基板のフィーチャを測定するために２つの基板サポートのうちこの１つが選択的に位置決めされる測定フィールドと、
２つの基板サポートのうち１つによって支持された基板をパターン付き放射ビームに露光するために２つの基板サポートのうちこの１つが選択的に位置決めされる露光フィールドと、
を備え、方法は、２つの基板サポートのうち１つにロードされた基板の熱緩和ステップを含み、熱緩和は、少なくとも部分的に、露光フィールドにおいて及び／又は測定フィールドと露光フィールドとの間の移動中に実行される。
[00011] 本発明の一態様によれば、リソグラフィ装置が提供される。このリソグラフィ装置は、
２つの基板サポートであって、各々が基板を移動及び支持するように構成された、２つの基板サポートと、
２つの基板サポートのうち１つによって支持された基板のフィーチャを測定するために２つの基板サポートのうちこの１つが選択的に位置決めされる測定フィールドと、
２つの基板サポートのうち１つによって支持された基板をパターン付き放射ビームに露光するために２つの基板サポートのうちこの１つが選択的に位置決めされる露光フィールドと、
を備え、リソグラフィ装置は、２つの基板サポートのうち１つにロードされた基板の熱緩和ステップ中に２つの基板サポートのうちこの１つを露光フィールドへ移動させるよう構成された制御デバイスを備え、熱緩和は、少なくとも部分的に、露光フィールドにおいて及び／又は測定フィールドと露光フィールドとの間の移動中に実行されるようになっている。
２つの基板サポートであって、各々が基板を移動及び支持するように構成された、２つの基板サポートと、
２つの基板サポートのうち１つによって支持された基板のフィーチャを測定するために２つの基板サポートのうちこの１つが選択的に位置決めされる測定フィールドと、
２つの基板サポートのうち１つによって支持された基板をパターン付き放射ビームに露光するために２つの基板サポートのうちこの１つが選択的に位置決めされる露光フィールドと、
を備え、リソグラフィ装置は、２つの基板サポートのうち１つにロードされた基板の熱緩和ステップ中に２つの基板サポートのうちこの１つを露光フィールドへ移動させるよう構成された制御デバイスを備え、熱緩和は、少なくとも部分的に、露光フィールドにおいて及び／又は測定フィールドと露光フィールドとの間の移動中に実行されるようになっている。
[00012] 本発明の実施形態を、添付の概略図を参照して、単なる例示として以下に説明する。
[00013] 本文献では、「放射」及び「ビーム」という用語は、紫外線（例えば、波長が３６５ｎｍ、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、１５７ｎｍ又は１２６ｎｍの波長）及びＥＵＶ（極端紫外線放射、例えば、約５～１００ｎｍの範囲の波長を有する）を含む、すべてのタイプの電磁放射を包含するために使用される。
[00014] 「レチクル」、「マスク」、又は「パターニングデバイス」という用語は、本文で用いる場合、基板のターゲット部分に生成されるパターンに対応して、入来する放射ビームにパターン付き断面を与えるため使用できる汎用パターニングデバイスを指すものとして広義に解釈され得る。また、この文脈において「ライトバルブ」という用語も使用できる。古典的なマスク（透過型又は反射型マスク、バイナリマスク、位相シフトマスク、ハイブリッドマスク等）以外に、他のそのようなパターニングデバイスの例は、プログラマブルミラーアレイ及びプログラマブルＬＣＤアレイを含む。
[00015] 図１は、リソグラフィ装置ＬＡを概略的に示す。リソグラフィ装置ＬＡは、放射ビームＢ（例えばＵＶ放射、ＤＵＶ放射、又はＥＵＶ放射）を調節するように構成された照明システム（イルミネータとも呼ばれる）ＩＬと、パターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡを支持するように構築され、特定のパラメータに従ってパターニングデバイスＭＡを正確に位置決めするように構成された第１のポジショナＰＭに連結されたマスクサポート（例えばマスクテーブル）ＭＴと、基板（例えばレジストコートウェーハ）Ｗを保持するように構成され、特定のパラメータに従って基板を正確に位置決めするように構築された第２のポジショナＰＷに連結された基板サポート（例えばウェーハテーブル）ＷＴと、パターニングデバイスＭＡによって放射ビームＢに付与されたパターンを基板Ｗのターゲット部分Ｃ（例えば、１つ以上のダイを含む）上に投影するように構成された投影システム（例えば、屈折投影レンズシステム）ＰＳと、を含む。
[00016] 動作中、照明システムＩＬは、例えばビームデリバリシステムＢＤを介して放射源ＳＯから放射ビームを受ける。照明システムＩＬは、放射を誘導し、整形し、及び／又は制御するための、屈折型、反射型、磁気型、電磁型、静電型、及び／又はその他のタイプの光学コンポーネント、又はそれらの任意の組み合わせなどの様々なタイプの光学コンポーネントを含むことができる。イルミネータＩＬを使用して放射ビームＢを調節し、パターニングデバイスＭＡの平面において、その断面にわたって所望の空間及び角度強度分布が得られるようにしてもよい。
[00017] 本明細書で用いられる「投影システム」ＰＳという用語は、使用する露光放射、及び／又は液浸液の使用や真空の使用のような他のファクタに合わせて適宜、屈折光学システム、反射光学システム、反射屈折光学システム、アナモルフィック光学システム、磁気光学システム、電磁気光学システム、及び／又は静電気光学システム、又はそれらの任意の組み合わせを含む様々なタイプの投影システムを包含するものとして広義に解釈するべきである。本明細書で「投影レンズ」という用語が使用される場合、これは更に一般的な「投影システム」ＰＳという用語と同義と見なすことができる。
[00018] リソグラフィ装置ＬＡは、投影システムＰＳと基板Ｗとの間の空間を充填するように、基板の少なくとも一部を例えば水のような比較的高い屈折率を有する液体で覆うことができるタイプでもよい。これは液浸リソグラフィとも呼ばれる。液浸技法に関する更なる情報は、援用により本願に含まれる米国特許第６９５２２５３号に与えられている。
[00019] リソグラフィ装置ＬＡは、２つ以上の基板サポートＷＴを有するタイプである場合もある（「デュアルステージ」とも呼ばれる）。こうした「マルチステージ」機械において、基板サポートＷＴを並行して使用するか、及び／又は、一方の基板サポートＷＴ上の基板Ｗにパターンを露光するためこの基板を用いている間に、他方の基板サポートＷＴ上に配置された基板Ｗに対して基板Ｗの以降の露光の準備ステップを実行することができる。
[00020] 基板サポートＷＴに加えて、リソグラフィ装置ＬＡは測定ステージを含むことができる。測定ステージは、センサ及び／又はクリーニングデバイスを保持するように配置されている。センサは、投影システムＰＳの特性又は放射ビームＢの特性を測定するように配置できる。測定ステージは複数のセンサを保持することができる。クリーニングデバイスは、例えば投影システムＰＳの一部又は液浸液を提供するシステムの一部のような、リソグラフィ装置の一部をクリーニングするように配置できる。基板サポートＷＴが投影システムＰＳから離れている場合、測定ステージは投影システムＰＳの下方で移動することができる。
[00021] 動作中、放射ビームＢは、マスクサポートＭＴ上に保持されている、例えばマスクのようなパターニングデバイスＭＡに入射し、パターニングデバイスＭＡ上に存在するパターン（設計レイアウト）によってパターンが付与される。マスクＭＡを横断した放射ビームＢは投影システムＰＳを通過し、投影システムＰＳはビームを基板Ｗのターゲット部分Ｃに集束させる。第２のポジショナＰＷ及び位置測定システムＰＭＳを用いて、例えば、放射ビームＢの経路内の集束し位置合わせした位置に様々なターゲット部分Ｃを位置決めするように、基板サポートＷＴを正確に移動させることができる。同様に、第１のポジショナＰＭと、場合によっては別の位置センサ（図１には明示的に図示されていない）を用いて、放射ビームＢの経路に対してパターニングデバイスＭＡを正確に位置決めすることができる。パターニングデバイスＭＡ及び基板Ｗは、マスクアライメントマークＭ１、Ｍ２及び基板アライメントマークＰ１、Ｐ２を用いて位置合わせすることができる。図示されている基板アライメントマークＰ１、Ｐ２は専用のターゲット部分を占有するが、それらをターゲット部分間の空間に位置付けることも可能である。基板アライメントマークＰ１、Ｐ２は、これらがターゲット部分Ｃ間に位置付けられている場合、スクライブラインアライメントマークとして知られている。
[00022] 本発明を明確にするため、デカルト座標系が用いられる。デカルト座標系は３つの軸、すなわちｘ軸、ｙ軸、及びｚ軸を有する。３つの軸の各々は他の２つの軸に対して直交している。ｘ軸を中心とした回転をＲｘ回転と称する。ｙ軸を中心とした回転をＲｙ回転と称する。ｚ軸を中心とした回転をＲｚ回転と称する。ｘ軸及びｙ軸は水平面を画定し、ｚ軸は垂直方向を画定する。デカルト座標系は本発明を限定せず、単に明確さのため使用される。代わりに、円筒座標系のような別の座標系を用いて本発明を明確にすることも可能である。デカルト座標系の配向は、例えばｚ軸が水平面に沿った成分を有するように、異なるものとしてもよい。
[00023] 図２は、図１のリソグラフィ装置ＬＡの一部の更に詳細な図を示す。リソグラフィ装置ＬＡは、ベースフレームＢＦ、バランスマスＢＭ、メトロロジフレームＭＦ、及び振動絶縁システムＩＳを備えることができる。メトロロジフレームＭＦは投影システムＰＳを支持する。更に、メトロロジフレームＭＦは位置測定システムＰＭＳの一部を支持し得る。メトロロジフレームＭＦは、振動絶縁システムＩＳを介してベースフレームＢＦによって支持されている。振動絶縁システムＩＳは、ベースフレームＢＦからメトロロジフレームＭＦに伝搬する振動を防止又は低減するよう構成されている。
[00024] 第２のポジショナＰＷは、基板サポートＷＴとバランスマスＢＭとの間で駆動力を与えることによって基板サポートＷＴを加速させるように構成されている。駆動力は、所望の方向に基板サポートＷＴを加速させる。運動量保存のため、バランスマスＢＭにも、大きさは等しいが所望の方向とは反対方向の駆動力が加わる。典型的に、バランスマスＢＭの質量は、第２のポジショナＰＷ及び基板サポートＷＴの移動部分の質量よりも著しく大きい。
[00025] 一実施形態では、第２のポジショナＰＷはバランスマスＢＭによって支持されている。例えば、第２のポジショナＰＷは、バランスマスＢＭの上方に基板サポートＷＴを浮上させる（levitate）ために平面モータを備えている。別の実施形態では、第２のポジショナＰＷはベースフレームＢＦによって支持されている。例えば、第２のポジショナＰＷはリニアモータを備え、ベースフレームＢＦの上方に基板サポートＷＴを浮上させるためにガスベアリングのようなベアリングを備えている。
[00026] 位置測定システムＰＭＳは、基板サポートＷＴの位置を決定するのに適した任意のタイプのセンサを含み得る。位置測定システムＰＭＳは、マスクサポートＭＴの位置を決定するのに適した任意のタイプのセンサを含み得る。センサは、干渉計又はエンコーダのような光センサとすればよい。位置測定システムＰＭＳは、干渉計及びエンコーダを組み合わせたシステムを含み得る。センサは、磁気センサ、静電容量センサ、又は誘導センサのような別のタイプのセンサとしてもよい。位置測定システムＰＭＳは、例えばメトロロジフレームＭＦ又は投影システムＰＳのような基準に対する位置を決定することができる。位置測定システムＰＭＳは、位置を測定することによって、又は速度もしくは加速度のような位置の時間微分を測定することによって、基板テーブルＷＴ及び／又はマスクサポートＭＴの位置を決定できる。
[00027] 位置測定システムＰＭＳはエンコーダシステムを含み得る。エンコーダシステムは例えば、援用により本願に含まれる、２００６年９月７日に出願された米国特許出願ＵＳ２００７／００５８１７３Ａ１号によって既知である。エンコーダシステムは、エンコーダヘッド、格子、及びセンサを含む。エンコーダシステムは、一次放射ビーム及び二次放射ビームを受光することができる。一次放射ビームと二次放射ビームは双方とも、同一の放射ビームから、すなわちオリジナル放射ビームから生じる。一次放射ビームと二次放射ビームのうち少なくとも一方は、オリジナル放射ビームを格子によって回折させることで生成される。一次放射ビームと二次放射ビームが双方ともオリジナル放射ビームを格子によって回折させることで生成される場合、一次放射ビームは二次放射ビームとは異なる回折次数を有する必要がある。異なる回折次数は、例えば＋１次、－１次、＋２次、及び－２次である。エンコーダシステムは、一次放射ビームと二次放射ビームを光学的に合成して、合成放射ビームにする。エンコーダヘッド内のセンサは、合成放射ビームの位相又は位相差を決定する。センサは、位相又は位相差に基づいて信号を生成する。この信号は、格子に対するエンコーダヘッドの位置を表す。エンコーダヘッド及び格子のうち一方を、基板構造ＷＴ上に配置することができる。エンコーダヘッド及び格子のうち他方を、メトロロジフレームＭＦ又はベースフレームＢＦ上に配置することができる。例えば、複数のエンコーダヘッドをメトロロジフレームＭＦ上に配置し、格子を基板サポートＷＴの上面に配置する。別の例では、格子を基板サポートＷＴの下面に配置し、エンコーダヘッドを基板サポートＷＴの下方に配置する。
[00028] 位置測定システムＰＭＳは干渉計システムを含み得る。干渉計システムは例えば、援用により本願に含まれる、１９９８年７月１３日に出願された米国特許ＵＳ６，０２０，９６４号によって既知である。干渉計システムは、ビームスプリッタ、ミラー、参照ミラー、及びセンサを含み得る。放射ビームは、ビームスプリッタによって参照ビームと測定ビームに分割される。測定ビームはミラーへ伝搬し、ミラーで反射されてビームスプリッタに戻る。参照ビームは参照ミラーへ伝搬し、参照ミラーで反射されてビームスプリッタに戻る。ビームスプリッタにおいて、測定ビームと参照ビームは合成されて合成放射ビームになる。合成放射ビームはセンサに入射する。センサは、合成放射ビームの位相又は周波数を決定する。センサは、位相又は周波数に基づいて信号を生成する。この信号はミラーの変位を表す。一実施形態において、ミラーは基板サポートＷＴに接続されている。参照ミラーはメトロロジフレームＭＦに接続することができる。一実施形態において、測定ビーム及び参照ビームは、ビームスプリッタでなく追加の光学コンポーネントによって合成されて合成放射ビームになる。
[00029] 第１のポジショナＰＭは、ロングストロークモジュール及びショートストロークモジュールを含み得る。ショートストロークモジュールは、小さい移動範囲にわたって高精度でロングストロークモジュールに対してマスクサポートＭＴを移動させるように構成されている。ロングストロークモジュールは、大きい移動範囲にわたって比較的低い精度で投影システムＰＳに対してショートストロークモジュールを移動させるように構成されている。ロングストロークモジュールとショートストロークモジュールの組み合わせにより、第１のポジショナＰＭは大きい移動範囲にわたって高精度で投影システムＰＳに対してマスクサポートＭＴを移動させることができる。同様に、第２のポジショナＰＷはロングストロークモジュール及びショートストロークモジュールを含み得る。ショートストロークモジュールは、小さい移動範囲にわたって高精度でロングストロークモジュールに対して基板サポートＷＴを移動させるように構成されている。ロングストロークモジュールは、大きい移動範囲にわたって比較的低い精度で投影システムＰＳに対してショートストロークモジュールを移動させるように構成されている。ロングストロークモジュールとショートストロークモジュールの組み合わせにより、第２のポジショナＰＷは大きい移動範囲にわたって高精度で投影システムＰＳに対して基板サポートＷＴを移動させることができる。
[00030] 第１のポジショナＰＭ及び第２のポジショナＰＷはそれぞれ、マスクサポートＭＴ及び基板サポートＷＴを移動させるためアクチュエータを備えている。アクチュエータは、例えばｙ軸のような単一の軸に沿った駆動力を与えるリニアアクチュエータとすることができる。複数のリニアアクチュエータを利用することで、複数の軸に沿った駆動力を提供できる。アクチュエータは、複数の軸に沿った駆動力を与える平面アクチュエータとすることができる。例えば平面アクチュエータは、６自由度で基板サポートＷＴを移動させるように構成され得る。アクチュエータは、少なくとも１つのコイルと少なくとも１つの磁石を含む電磁アクチュエータとしてもよい。アクチュエータは、少なくとも１つのコイルに電流を印加することによって、少なくとも１つのコイルを少なくとも１つの磁石に対して移動させるように構成されている。アクチュエータは、それぞれマスクサポートＭＴに対して基板サポートＷＴに結合された少なくとも１つの磁石を有する可動磁石型アクチュエータとしてもよい。アクチュエータは、それぞれマスクサポートＭＴに対して基板サポートＷＴに結合された少なくとも１つのコイルを有する可動コイル型アクチュエータとしてもよい。アクチュエータは、ボイスコイルアクチュエータ、リラクタンスアクチュエータ、ローレンツアクチュエータ、又は圧電アクチュエータ、又は他の任意の適切なアクチュエータとしてもよい。
[00031] 図３で概略的に示されているように、リソグラフィ装置ＬＡは位置制御システムＰＣＳを備える。位置制御システムＰＣＳは、セットポイントジェネレータＳＰ、フィードフォワードコントローラＦＦ、及びフィードバックコントローラＦＢを含む。位置制御システムＰＣＳは、駆動信号をアクチュエータＡＣＴに与える。アクチュエータＡＣＴは、第１のポジショナＰＭ又は第２のポジショナＰＷのアクチュエータとすることができる。アクチュエータＡＣＴは、基板サポートＷＴ又はマスクサポートＭＴを含み得る設備（plant）Ｐを駆動する。設備Ｐの出力は、位置又は速度又は加速度のような位置量である。位置量は位置測定システムＰＭＳによって測定される。位置測定システムＰＭＳは、設備Ｐの位置量を表す位置信号である信号を生成する。セットポイントジェネレータＳＰは、設備Ｐの所望の位置量を表す基準信号である信号を生成する。例えば、基準信号は基板サポートＷＴの所望の軌道を表す。基準信号と位置信号との差が、フィードバックコントローラＦＢに対する入力を形成する。この入力に基づいて、フィードバックコントローラＦＢは、アクチュエータＡＣＴに対する駆動信号の少なくとも一部を提供する。基準信号は、フィードフォワードコントローラＦＦに対する入力を形成し得る。この入力に基づいて、フィードフォワードコントローラＦＦは、アクチュエータＡＣＴに対する駆動信号の少なくとも一部を提供する。フィードフォワードコントローラＦＦは、質量、剛性、共振モード、及び固有振動数のような、設備Ｐの動的特性に関する情報を利用することができる。
[00032] 図４は、デュアルステージリソグラフィ装置の第１の基板サポートＷＴ１及び第２の基板サポートＷＴ２の上面図を示す。第１の基板サポートＷＴ１及び第２の基板サポートＷＴ２はそれぞれ基板を支持するように構成されている。第１の基板サポートＷＴ１及び第２の基板サポートＷＴ２は、測定フィールドＭＦＩ及び露光フィールドＥＦＩで移動させることができる。第１の基板サポートＷＴ１及び第２の基板サポートＷＴ２の移動を制御するため、制御デバイスＣＯＮが設けられている。
[00033] 測定フィールドＭＦＩ及び露光フィールドＥＦＩは、ｙ方向及びｘ方向に延出する位置決め面内に延出している。測定フィールドＭＦＩにおいて、第１の基板サポートＷＴ１又は第２の基板サポートＷＴ２は、１つ以上の第１の処理デバイスと共働して、第１の基板サポートＷＴ１又は第２の基板サポートＷＴ２によって支持された基板を処理することができる。露光フィールドＥＦＩにおいて、第１の基板サポートＷＴ１又は第２の基板サポートＷＴ２は、１つ以上の第２の処理デバイスと共働して、第１の基板サポートＷＴ１又は第２の基板サポートＷＴ２によって支持された基板を処理することができる。測定フィールドＭＦＩ及び露光フィールドＥＦＩはｙ方向に隣接して配置されている。
[00034] 露光フィールドＥＦＩにおける１つ以上の処理デバイスは、基板にパターン付き放射ビームを投影するよう構成された投影システムを含む。露光フィールドＥＦＩにおける１つ以上の処理デバイスは、例えば、第１の基板サポートＷＴ１及び第２の基板サポートＷＴ２の各々に搭載されたゼロ化ロケーション（zeroing location）及び収差制御測定センサと共働する処理デバイスを更に含み得る。
[00035] 測定フィールドＭＦＩでは、測定センサによって基板のフィーチャを測定することができる。例えば、基板の上面をレベルセンサで測定して、基板のこの上面の高さマップを決定できる。この高さマップを、露光フィールドＥＦＩにおけるパターン付き放射ビームの投影中に用いて、入射するパターン付き放射ビームに対する基板上面の位置決めを改善することができる。更に、測定フィールドＭＦＩでは、第１の基板サポートＷＴ１又は第２の基板サポートＷＴ２からそれぞれ基板をロード又はアンロードすることができる。
[00036] 第１の位置測定システムＰＭＳ１は、第１の基板サポートＷＴ１又は第２の基板サポートＷＴ２が測定フィールドＭＦＩに位置決めされた場合にその位置を測定するように構成されている。第２の位置測定システムＰＭＳ２は、第１の基板サポートＷＴ１又は第２の基板サポートＷＴ２が露光フィールドＥＦＩに位置決めされた場合にその位置を測定するように構成されている。第１の位置測定システムＰＭＳ１及び第２の位置測定システムＰＭＳ２は、例えば干渉計システムである。
[00037] 図４では、第１の基板サポートＷＴ１が測定フィールドＭＦＩに配置され、第２の基板サポートＷＴ２が露光フィールドＥＦＩに配置されている。第１の基板サポートＷＴ１及び第２の基板サポートＷＴ２を測定フィールドＭＦＩ及び露光フィールドＥＦＩで交互に使用できるように、第１の基板サポートＷＴ１及び第２の基板サポートＷＴ２はｙ方向で位置を交換することができる。
[00038] 図５は、リソグラフィ装置の測定フィールドＭＦＩ及び露光フィールドＥＦＩにおけるシリコン基板の従来の処理中の同時動作のシーケンスを示す。第１の基板サポートＷＴ１の位置は破線で示され、第２の基板サポートＷＴ２の位置は実線で示されている。
[00039] シーケンスの開始時、第１の基板サポートＷＴ１から処理済み基板をアンロードすると共に第１の基板サポートＷＴ１上に新しい基板をロードするステップＵＮ／ＬＯのため、第１の基板サポートＷＴ１は測定フィールドＭＦＩに位置決めされる。新しい（処理対象の）基板をロードした後、ステップＭＥＡにおいて、基板の上面をレベルセンサで測定する。このステップＭＥＡは、アライメント及び制御測定のような、基板上面の測定に関連する他のタスクも含み得る。これと同時に、第２の基板サポートＷＴ２上に支持された基板は露光フィールドＥＦＩに配置され、ステップＥＸＰで示されるようにパターン付き放射ビームに露光される。このステップＥＸＰは、アライメント及び制御測定のような、パターン付き放射ビームに基板を露光することに関連する他のタスクも含み得る。
[00040] 通常、ロード／アンロードステップＵＮ／ＬＯ及びその後の測定ステップＭＥＡのために必要な合計時間は、露光ステップＥＸＰのために必要な時間よりも短い。従って、測定フィールドＭＦＩと露光フィールドＥＦＩとの間で第１の基板サポートＷＴ１及び第２の基板サポートＷＴ２の位置を交換する前に、第１の基板サポートＷＴ１は測定ステップ後にいくらかのアイドルタイムＩＤＴを有し得る。
[00041] 第１の基板サポートＷＴ１及び第２の基板サポートＷＴ２の位置交換はステップＴＲＡで示されている。この位置交換中、第１の基板サポートＷＴ１を測定フィールドＭＦＩから露光フィールドＥＦＩへ移動させ、第２の基板サポートＷＴ２を露光フィールドＥＦＩから測定フィールドＭＦＩへ移動させる。
[00042] 第１の基板サポートＷＴ１及び第２の基板サポートＷＴ２の位置交換ＴＲＡの後、第１の基板サポートＷＴ１上に支持されている基板は、露光フィールドＥＦＩでパターン付き放射ビームに露光される。同時に、第２の基板サポートＷＴ２上に支持されている基板をステップＵＮ／ＬＯで第２の基板サポートＷＴ２からアンロードし、新しい基板を第２の基板サポートＷＴ２にロードすることができる。その後、測定ステップＭＥＡで、第２の基板サポートＷＴ２上に支持されている新しい基板の上面をレベルセンサで測定することができる。
[00043] ここでも、第２の基板サポートＷＴ２に対するロード／アンロードステップＵＮ／ＬＯ及びその後の測定ステップＭＥＡのために必要な合計時間は、第１の基板サポートＷＴ１上の基板の露光ステップＥＸＰのために必要な時間よりも短い。従って、測定フィールドＭＦＩと露光フィールドＥＦＩとの間で第１の基板サポートＷＴ１及び第２の基板サポートＷＴ２の位置を交換する前に、第２の基板サポートＷＴ２は測定ステップ後にいくらかのアイドルタイムＩＤＴを有し得る。
[00044] 第１の基板サポートＷＴ１上に支持されている基板の露光ステップが終了したら、位置交換ＴＲＡを実行し、これにより第１の基板サポートＷＴ１を露光フィールドＥＦＩから測定フィールドＭＦＩへ移動させ、第２の基板サポートＷＴ２を測定フィールドＭＦＩから露光フィールドＥＦＩへ移動させる。
[00045] これにより、第１の基板サポートＷＴ１及び第２の基板サポートＷＴ２は図５に示されているシーケンスの開始位置に再び配置され、上述のステップを以降の基板に対して繰り返すことができる。
[00046] 現在のリソグラフィ製品のほとんどはシリコン基板上に構築される。シリコン基板は、ロードされる各基板サポートＷＴ１、ＷＴ２の熱条件を極めて迅速に導入するので、シリコン基板に要求される熱緩和時間は極めて短い。図５のシーケンスでは、熱緩和のために必要な時間は比較的短いので、単独で図示していない。
[00047] しかしながら、ハードディスクドライブで一般的に用いられる薄膜ヘッドの構築のようないくつかの用途では、アルミニウムチタンカーバイド（ＡｌＴｉＣ）基板が用いられる場合がある。アルミニウムチタンカーバイド基板では、温度によって誘発された応力が発生しやすい。応力は基板を機械的に変形させ、フォーカス及びオーバーレイに著しい影響を及ぼす。従って、アルミニウムチタンカーバイド基板は、誘発された応力を解放するために基板サポートの温度と平衡状態に達しなければならない。このアルミニウムチタンカーバイド基板の熱緩和は、シリコン基板の熱緩和に比べて著しく長い時間を要する。例えば、アルミニウムチタンカーバイド基板の熱緩和に必要な時間は、シリコン基板の熱緩和に必要な時間の１００倍よりも長い可能性がある。
[00048] 図６は、例えば２０秒を超える熱緩和時間を必要とし得るアルミニウムチタンカーバイド基板のためのリソグラフィ装置におけるステップのシーケンスを示す。
[00049] シーケンスの開始時、第１の基板サポートＷＴ１から処理済み基板をアンロードすると共に基板サポートＷＴ１上に新しい基板をロードするステップＵＮ／ＬＯのため、第１の基板サポートＷＴ１は測定フィールドＭＦＩに位置決めされる。基板をロードした後、基板の上面をレベルセンサで測定するステップＭＥＡを実行する前に、熱緩和ステップＴＨＲが実行される。前述のように、このステップＭＥＡは、アライメント及び制御測定のような、基板上面の測定に関連する他のタスクも含み得る。熱緩和ステップＴＨＲの間に、誘発された応力を解放するため、基板を各基板サポートＷＴ１、ＷＴ２の温度と平衡状態に到達させる。
[00050] これと同時に、第２の基板サポートＷＴ２上に支持された基板は露光フィールドＥＦＩに配置され、ステップＥＸＰで示されるようにパターン付き放射ビームに露光され、関連するタスクが実行される。熱緩和ステップＴＨＲに比較的長い時間が必要であるので、ロード／アンロードステップＵＮ／ＬＯ、熱緩和ステップＴＨＲ、及びその後の、関連するタスクを含む測定ステップＭＥＡのために必要な合計時間は、露光ステップＥＸＰのために必要な時間よりも著しく長い。従って、測定フィールドＭＦＩと露光フィールドＥＦＩとの間で第１の基板サポートＷＴ１及び第２の基板サポートＷＴ２の位置を交換するステップＴＲＡの前に、第２の基板サポートＷＴ２は露光ステップ後に著しいアイドルタイムＩＤＴを有する。
[00051] 第１の基板サポートＷＴ１及び第２の基板サポートＷＴ２の位置交換ＴＲＡの後、第１の基板サポートＷＴ１上に支持されている基板は、露光フィールドＥＦＩでパターン付き放射ビームに露光される。同時に、第２の基板サポートＷＴ２上に支持されている基板をステップＵＮ／ＬＯで第２の基板サポートＷＴ２からアンロードし、新しい基板を第２の基板サポートＷＴ２にロードすることができる。その後、測定ステップＭＥＡで、第２の基板サポートＷＴ２上に支持された新しい基板の上面をレベルセンサで測定する前に、熱緩和ステップＴＨＲが実行される。
[00052] ここでも、ロード／アンロードステップＵＮ／ＬＯ、熱緩和ステップＴＨＲ、及びその後の測定ステップＭＥＡのために必要な合計時間は、露光ステップＥＸＰのために必要な時間よりも著しく長いので、結果として、シーケンスの最終ステップとして第１の基板サポートＷＴ１及び第２の基板サポートＷＴ２の位置交換ＴＲＡが実行可能となる前に、露光ステップ後に第２の基板サポートＷＴ２の著しいアイドルタイムＩＤＴが生じる。
[00053] 図６に示されているシーケンスから、熱緩和がリソグラフィ装置のスループットに著しい悪影響を及ぼすと結論付けることができる。
[00054] 図７は、本発明の一実施形態に従ったアルミニウムチタンカーバイド基板のためのリソグラフィ装置におけるステップのシーケンスを示す。図６のシーケンスとの主な違いは、熱関係ステップＴＨＲ中に、各基板サポートＷＴ１、ＷＴ２を測定フィールドＭＦＩから露光フィールドＥＦＩへ、更に露光フィールドＥＦＩから測定フィールドＭＦＩへ戻すことによって、熱関係ステップＴＨＲが少なくとも部分的に露光フィールドＥＦＩで実行されることである。
[00055] 図７のシーケンスの開始時、第１の基板サポートＷＴ１から処理済み基板をアンロードすると共に基板サポートＷＴ１上に新しい基板をロードするステップＵＮ／ＬＯのため、第１の基板サポートＷＴ１は測定フィールドＭＦＩに位置決めされる。基板をロードした後、すぐに第１の基板サポートＷＴ１及び第２の基板サポートＷＴ２の位置交換ＴＲＡを実行することで、第１の基板サポートＷＴ１を露光フィールドＥＦＩへ移動させると共に第２の基板サポートＷＴ２を測定フィールドＭＦＩへ移動させる。移動中、第１の基板サポートＷＴ１上に支持された基板の熱緩和がすでに開始している。
[00056] 第２の基板サポートＷＴ２上にはこれより前に基板がロードされ、第２の基板サポートＷＴ２の熱緩和ステップＴＨＲはすでに開始していたので、第２の基板サポートＷＴ２を測定フィールドＭＦＩに位置決めした直後に第２の基板サポートＷＴ２上に支持された基板の測定ステップＭＥＡを開始することができる。第２の基板サポートＷＴ２上に支持された基板のこの測定ステップが終了するとすぐに、第１の基板サポートＷＴ１と第２の基板サポートＷＴ２の位置交換ＴＲＡを再び実行する。
[00057] 第２の基板サポートＷＴ２を測定フィールドＭＦＩから露光フィールドＥＦＩへ移動させ、ここで基板を露光ステップＥＸＰでパターン付き放射ビームに露光する。この露光ステップＥＸＰの開始時、再び測定フィールドＭＦＩに位置決めされた第１の基板サポートＷＴ１上に支持された基板の熱緩和ステップＴＨＲはまだ継続している。この熱緩和ステップＴＨＲの後、第１の基板サポートＷＴ１上に支持された基板の測定ステップＭＥＡを開始することができる。この実施形態において、測定ステップＭＥＡの開始は、第１の基板サポートＷＴ１上に支持された基板の測定ステップＭＥＡと第２の基板サポートＷＴ２上に支持された基板の露光ステップがほぼ同時に終了するように選択される。
[00058] 測定ステップＭＥＡ及び露光ステップＥＸＰが終了するとすぐに位置交換ＴＲＡが実行され、これによって第１の基板サポートＷＴ１を測定フィールドＭＦＩから露光フィールドＥＦＩへ移動させると共に第２の基板サポートＷＴ２を露光フィールドＥＦＩから測定フィールドＭＦＩへ移動させる。露光フィールドＥＦＩにおいて、第１の基板サポートＷＴ１上に支持された基板は露光ステップＥＸＰでパターン付き放射ビームに露光される。測定フィールドＭＦＩにおいて、第２の基板サポートＷＴ２上に支持された露光済み基板は、ステップＵＮ／ＬＯで第２の基板サポートＷＴ２からアンロードされ、第１の基板サポートＷＴ１上に新しい基板がロードされる。第２の基板サポートＷＴ２上に新しい基板がロードされるとすぐに、熱緩和ステップＴＨＲが開始する。第１の基板サポートＷＴ１上に支持された基板に対して露光ステップＥＸＰが実行されている限り、第２の基板サポートＷＴ２は測定フィールドＭＦＩに留まる。露光ステップＥＸＰが終了したら、位置交換ＴＲＡを実行して、第２の基板サポートＷＴ２を露光フィールドＥＦＩへ移動させると共に第１の基板サポートＷＴ１を測定フィールドＭＦＩへ移動させればよい。位置交換ＴＲＡの後、第１の基板サポートＷＴ１上に支持された基板をアンロードし、新しい基板を第１の基板サポートＷＴ１上にロードすることができる。その間、露光フィールドＥＦＩに位置決めされている第２の基板サポートＷＴ２上に支持された基板の熱緩和は継続し得る。この最後の位置交換ＴＲＡはシーケンスの最終ステップである。別の基板を処理するため、このシーケンスを繰り返すことができる。
[00059] 図６のシーケンスと図７のシーケンスの比較から、少なくとも部分的に露光フィールドＥＦＩで熱関係ステップＴＨＲを実行すると、リソグラフィ装置で基板を処理するためのステップシーケンスの合計時間が著しく短縮されると結論付けることができる。これは、リソグラフィ装置のスループットに著しい好影響を有する。更に、図７の実施形態では、全ての利用可能な時間が各基板の熱緩和のために有効に用いられるので、測定ステップＭＥＡ又は露光ステップＥＸＰの後にアイドルタイムは存在しない。
[00060] 図８は、２つの異なる処理シーケンスについて、必要な熱緩和時間に依存するリソグラフィ装置における基板のスループット（１時間当たりの処理基板；ｗｐｈ）を比較したグラフを示す。破線は図６の従来の処理シーケンスを用いたデュアルステージリソグラフィ装置のスループットを示し、実線は図７の新規の処理シーケンスを用いたデュアルステージリソグラフィ装置のスループットを示す。
[00061] 比較的短い熱緩和時間では、図６の従来の方法の方が図７の処理シーケンスよりもスループットが高いことがわかる。これは、少なくとも、熱緩和ステップ中に基板を測定フィールドＭＦＩから露光フィールドＥＦＩへ移動させ、更に露光フィールドＥＦＩから測定フィールドＭＦＩへ戻す２回の位置交換に必要な時間のためである。
[00062] 熱緩和のために必要な時間が長くなると、図６の従来のシーケンスでは、熱緩和ステップを実行するために追加の時間が必要になるのでスループットは低下する。図７のシーケンスでは、すでに２回の位置交換のために時間が使われており、この位置交換中に熱緩和が実行され得るので、熱緩和のために必要な時間が長くなっても最初のうちはスループットは低下しない。
[00063] 破線と実線との交点ＩＮＴは、図６のシーケンスと図７のシーケンスが同一のスループットを生じる熱緩和に必要な時間を示している。交点ＩＮＴの熱緩和時間ＴＴＨＲ（ＩＮＴ）よりも長い熱緩和時間では、図７のシーケンスのスループットの方が図６のシーケンスのスループットよりも著しく高いので、熱緩和のため露光フィールドが時間的に効率良く使われていることが明らかである。交点ＩＮＴの熱緩和時間ＴＴＨＲ（ＩＮＴ）は、例えば、熱緩和に必要な５～１５秒の時間範囲内であり得る。
[00064] 上記では、図７のシーケンスはアルミニウムチタンカーバイド基板を処理するために利用されている。この方法は、アンチモン化インジウム（ＩｎＳｂ）、アンチモン化ガリウム（ＧａＳｂ）、窒化ガリウム（ＧａＮ）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、酸化ガリウム（Ｇａ２Ｏ３）、サファイア（α－Ａｌ２Ｏ３）、及びサファイア（κ－Ａｌ２Ｏ３）等、かなりの熱緩和時間を必要とし得る他のタイプの基板にも利用することができる。
[00065] 図７の実施形態では、基板の熱緩和時間は所定の時間期間である。この所定の時間期間は、例えば、特定の基板材料を用いた実験又は較正測定に基づくものとすればよい。
[00066] 別の実施形態では、基板上のアライメントマーク又は同様のマークの位置を測定することによって基板の緩和を測定することができる。基板上の２つのアライメントマーク間の距離が増大している限り、熱緩和が生じている。この距離が変化しなくなった場合、熱緩和は終了している。例えば、測定される緩和が所定の閾値未満になった場合に、熱緩和の時間期間を終了することができる。この方法の利点は正確な緩和が測定されることであり、測定によって緩和が所定の閾値未満であると判定された後、すぐに測定ステップＭＥＡを開始することができる。この方法では、同一タイプの基板の緩和に必要な時間が異なることがある。この結果として、基板の処理中に方法の他のステップのタイミングを能動的に適合させなければならない可能性がある。
[00067] 熱緩和を測定するため、基板の熱緩和の少なくとも一部の間に基板の緩和を測定するよう構成された緩和測定デバイスＲＭＤを設けることができる。図２に緩和測定デバイスＲＭＤの一実施形態が示されている。これは、基板上のアラインメントマーク又は同様のマーク間の距離を決定するため使用され得る既存の測定デバイスとすればよく、又は、緩和測定デバイスＲＭＤを別個のデバイスとして提供してもよい。緩和測定デバイスＲＭＤは、測定フィールドＭＦＩ及び／又は露光フィールドに配置され得る。
[00068] 本発明によれば、基板の熱緩和の少なくとも一部の間、基板サポートＷＴは露光フィールドＥＦＩに配置される。基板サポートＷＴが露光フィールドＥＦＩに位置決めされている場合、露光フィールドで基板サポートＷＴを用いて、例えばパターニングデバイス特性の測定、パターニングデバイスアライメント測定、パターニングデバイス形状補正測定、又はレーザパワーの測定等の追加ステップを実行することも可能である。熱緩和ステップ中にこれらの測定を実行すると、処理又は較正時間を更に短縮することができ、従ってリソグラフィ装置のスループットを更に向上させることができる。
[00069] 従って、１つのみの基板サポートを含むシングルステージリソグラフィ装置では、基板サポート上に支持された基板の熱緩和中に基板サポートを露光フィールドへ移動させて追加ステップを実行することが有利であり得る。露光フィールドにおけるこのような測定のため、これらの測定を別個に実行する必要はない。
[00070] 本文ではＩＣの製造におけるリソグラフィ装置の使用に特に言及しているが、本明細書で説明するリソグラフィ装置には他の用途もあることを理解されたい。考えられる他の用途は、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用のガイダンス及び検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッドなどの製造である。
[00071] 本明細書ではリソグラフィ装置に関連して本発明の実施形態について具体的な言及がなされているが、本発明の実施形態は他の装置に使用することもできる。本発明の実施形態は、マスク検査装置、メトロロジ装置、又はウェーハ（あるいはその他の基板）もしくはマスク（あるいはその他のパターニングデバイス）などのオブジェクトを測定又は処理する任意の装置の一部を形成してよい。これらの装置は一般にリソグラフィツールと呼ばれることがある。このようなリソグラフィツールは、真空条件又は周囲（非真空）条件を使用することができる。
[00072] 以上では光学リソグラフィと関連して本発明の実施形態の使用に特に言及しているが、本発明は、例えばインプリントリソグラフィなど、その他の適用例において使用されてもよく、文脈が許す限り、光学リソグラフィに限定されないことが理解されるであろう。
[00073] 文脈上許される場合、本発明の実施形態は、ハードウェア、ファームウェア、ソフトウェア、又はそれらの任意の組み合わせにおいて実装することができる。本発明の実施形態は、１つ以上のプロセッサにより読み取られて実行され得る、機械可読媒体に記憶された命令として実装することも可能である。機械可読媒体は、機械（例えばコンピューティングデバイス）により読み取り可能な形態で情報を記憶又は伝送するための任意の機構を含むことができる。例えば機械可読媒体は、読み取り専用メモリ（ＲＯＭ）、ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）、磁気記憶媒体、光記憶媒体、フラッシュメモリデバイス、電気、光、音響又は他の形態の伝搬信号（例えば搬送波、赤外信号、デジタル信号など）、及び他のものを含むことができる。さらに、ファームウェア、ソフトウェア、ルーチン、命令は、特定のアクションを実行するものとして本明細書で説明されることがある。しかしながら、そのような説明は単に便宜上のものであり、そのようなアクションは実際には、ファームウェア、ソフトウェア、ルーチン、命令などを実行するコンピューティングデバイス、プロセッサ、コントローラ、又は他のデバイスから生じ、実行する際、アクチュエータ又は他のデバイスが物質世界と相互作用し得ることを理解すべきである。
[00074] 以上、本発明の特定の実施形態を説明したが、説明とは異なる方法でも本発明を実践できることは理解されよう。上記の説明は例示的であり、限定的ではない。したがって、請求の範囲から逸脱することなく、記載されたような本発明を変更できることが当業者には明白である。
Claims (16)
- デュアルステージリソグラフィ装置を用いる方法であって、前記リソグラフィ装置は、
２つの基板サポートであって、各々が基板を移動及び支持するように構成された、２つの基板サポートと、
前記２つの基板サポートのうち１つによって支持された前記基板のフィーチャを測定するために前記２つの基板サポートのうち前記１つが選択的に位置決めされる測定フィールドと、
前記２つの基板サポートのうち１つによって支持された前記基板をパターン付き放射ビームに露光するために前記２つの基板サポートのうち前記１つが選択的に位置決めされる露光フィールドと、
を備え、前記方法は、前記２つの基板サポートのうち１つにロードされた基板の熱緩和ステップを含み、前記熱緩和は、少なくとも部分的に、前記露光フィールドにおいて及び／又は前記測定フィールドと前記露光フィールドとの間の移動中に実行される、方法。 - 前記方法は、前記２つの基板サポートの各々について、
前記測定フィールドで前記各基板サポートに基板をロードするステップと、
前記各基板サポート上の前記基板の熱緩和のステップと、
前記測定フィールドで前記基板の前記フィーチャを測定するステップと、
前記各基板サポートを前記測定フィールドから前記露光フィールドへ移動させるステップと、
前記露光フィールドで前記基板をパターン付き放射ビームに露光するステップと、
前記各基板サポートを前記露光フィールドから前記測定フィールドへ移動させるステップと、
前記測定フィールドで前記各基板サポート上の前記基板をアンロードするステップと、
を含む、請求項１に記載の方法。 - 前記熱緩和ステップは、前記各基板サポートを前記測定フィールドから前記露光フィールドへ移動させることと、前記基板を前記露光フィールドに維持することと、前記各基板サポートを前記露光フィールドから前記測定フィールドへ戻すことと、を含む、請求項１から２のいずれかに記載の方法。
- 前記露光フィールドにおける前記基板の熱緩和中に、前記測定フィールドにおいて、
他方の前記基板サポートから基板をアンロードする／他方の前記基板サポートに基板をロードするステップ、及び／又は、
前記他方の基板サポート上の前記基板の熱緩和ステップ、及び／又は、
前記他方の基板サポート上の前記基板のフィーチャを測定するステップ、
のうち１つ以上が実行される、請求項１から３のいずれかに記載の方法。 - 前記基板は、基板の重量の１０％未満のシリコン含有量を有する基板である、請求項１から４のいずれかに記載の方法。
- 前記基板は、アルミニウムチタンカーバイド、アンチモン化インジウム、アンチモン化ガリウム、窒化ガリウム、窒化アルミニウム、酸化ガリウム、及び／又はサファイアで作られている、請求項１から５のいずれかに記載の方法。
- 前記熱緩和ステップは、前記測定フィールドと前記露光フィールドとの間の基板の移動に必要な時間の少なくとも２倍の時間である、請求項１から６のいずれかに記載の方法。
- 前記熱緩和ステップは所定の熱緩和時間を含む、請求項１から７のいずれかに記載の方法。
- 前記熱緩和ステップは、前記基板の緩和を測定することと、前記緩和が所定の閾値未満である場合に熱緩和を終了することと、を含む、請求項１から７のいずれかに記載の方法。
- リソグラフィ装置であって、
２つの基板サポートであって、各々が基板を移動及び支持するように構成された、２つの基板サポートと、
前記２つの基板サポートのうち１つによって支持された前記基板のフィーチャを測定するために前記２つの基板サポートのうち前記１つが選択的に位置決めされる測定フィールドと、
前記２つの基板サポートのうち１つによって支持された前記基板をパターン付き放射ビームに露光するために前記２つの基板サポートのうち前記１つが選択的に位置決めされる露光フィールドと、
を備え、前記リソグラフィ装置は、前記２つの基板サポートのうち１つにロードされた基板の熱緩和ステップ中に前記２つの基板サポートのうち前記１つを前記露光フィールドへ移動させるよう構成された制御デバイスを備え、前記熱緩和は、少なくとも部分的に、前記露光フィールドにおいて及び／又は前記測定フィールドと前記露光フィールドとの間の移動中に実行されるようになっている、リソグラフィ装置。 - 前記基板は、基板の重量の１０％未満のシリコン含有量を有する基板である、請求項１０に記載のリソグラフィ装置。
- 前記基板は、アルミニウムチタンカーバイド、アンチモン化インジウム、アンチモン化ガリウム、窒化ガリウム、窒化アルミニウム、酸化ガリウム、及び／又はサファイアで作られている、請求項１０又は１１に記載のリソグラフィ装置。
- 前記制御デバイスは所定の調節時間中に熱緩和を実行するよう構成されている、請求項１０から１２のいずれかに記載のリソグラフィ装置。
- 前記リソグラフィ装置は、前記基板の前記熱緩和の少なくとも一部の間に前記基板の緩和を測定するよう構成された緩和測定デバイスを含む、請求項１０から１３のいずれかに記載のリソグラフィ装置。
- 前記制御デバイスは、前記緩和が所定の閾値未満である場合に前記基板の熱緩和を終了するよう構成されている、請求項１４に記載のリソグラフィ装置。
- 前記制御デバイスは、前記露光フィールドにおける前記基板の熱緩和中に、前記測定フィールドにおいて、
他方の前記基板サポートから基板をアンロードする／他方の前記基板サポートに基板をロードするステップ、
前記他方の基板サポート上の前記基板の熱緩和ステップ、及び／又は、
前記他方の基板サポート上の前記基板のフィーチャを測定するステップ、
のうち１つ以上を制御するよう構成されている、請求項１０から１５のいずれかに記載のリソグラフィ装置。
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Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006013090A (ja) * | 2004-06-25 | 2006-01-12 | Nikon Corp | 露光装置及びデバイス製造方法 |
| JP2010067964A (ja) * | 2008-09-08 | 2010-03-25 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置及び位置合わせ方法 |
| JP2010165752A (ja) * | 2009-01-13 | 2010-07-29 | Canon Inc | 露光装置およびデバイス製造方法 |
| WO2018065222A1 (en) * | 2016-10-07 | 2018-04-12 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and method |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2753930B2 (ja) * | 1992-11-27 | 1998-05-20 | キヤノン株式会社 | 液浸式投影露光装置 |
| US6020964A (en) | 1997-12-02 | 2000-02-01 | Asm Lithography B.V. | Interferometer system and lithograph apparatus including an interferometer system |
| EP1353234A1 (en) * | 2002-04-12 | 2003-10-15 | ASML Netherlands B.V. | Device manufacturing method, device manufactured thereby and computer program |
| TWI232357B (en) | 2002-11-12 | 2005-05-11 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US7070915B2 (en) * | 2003-08-29 | 2006-07-04 | Tokyo Electron Limited | Method and system for drying a substrate |
| US7304715B2 (en) * | 2004-08-13 | 2007-12-04 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| DE102005043569A1 (de) | 2005-09-12 | 2007-03-22 | Dr. Johannes Heidenhain Gmbh | Positionsmesseinrichtung |
| US9207549B2 (en) | 2011-12-29 | 2015-12-08 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and exposure method, and device manufacturing method with encoder of higher reliability for position measurement |
| JP6883655B2 (ja) * | 2017-02-03 | 2021-06-09 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． | 露光装置 |
-
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Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006013090A (ja) * | 2004-06-25 | 2006-01-12 | Nikon Corp | 露光装置及びデバイス製造方法 |
| JP2010067964A (ja) * | 2008-09-08 | 2010-03-25 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置及び位置合わせ方法 |
| JP2010165752A (ja) * | 2009-01-13 | 2010-07-29 | Canon Inc | 露光装置およびデバイス製造方法 |
| WO2018065222A1 (en) * | 2016-10-07 | 2018-04-12 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and method |
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