JP7460394B2 - 熱処理方法 - Google Patents
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Description
図1は、本発明に係る熱処理方法を実施する熱処理装置1の構成を示す縦断面図である。図1の熱処理装置1は、基板として円板形状の半導体ウェハーWに対してフラッシュ光照射を行うことによってその半導体ウェハーWを加熱するフラッシュランプアニール装置である。処理対象となる半導体ウェハーWのサイズは特に限定されるものではないが、例えばφ300mmやφ450mmである(本実施形態ではφ300mm)。なお、図1および以降の各図においては、理解容易のため、必要に応じて各部の寸法や数を誇張または簡略化して描いている。
次に、本発明の第2実施形態について説明する。第2実施形態の熱処理装置1の構成は第1実施形態と同様である。また、第2実施形態における半導体ウェハーWの処理手順も第1実施形態と同じである。第1実施形態では時刻t3のダミーウェハーの裏面温度T4によって安定化を判定していたのに対して、第2実施形態ではフラッシュランプFLからフラッシュ光を照射したときのダミーウェハーの表面の最高到達温度(表面到達温度)によって安定化を判定している。
以上、本発明の実施の形態について説明したが、この発明はその趣旨を逸脱しない限りにおいて上述したもの以外に種々の変更を行うことが可能である。例えば、第1実施形態ではダミーウェハーの裏面温度に基づいて安定化を判定し、第2実施形態ではダミーウェハーの表面到達温度に基づいて安定化を判定していたが、これらの双方に基づいて安定化を判定するようにしても良い。すなわち、フラッシュランプFLおよびハロゲンランプHLが消灯してから所定時間が経過した時点でのダミーウェハーの裏面温度およびフラッシュランプFLからフラッシュ光を照射したときのダミーウェハーの表面到達温度の双方が一定となるまでダミー処理を繰り返して継続するようにしても良い。このようにすれば、サセプタ74等のチャンバー内構造物の温度がより確実に安定化してからロットの最初の半導体ウェハーWの処理を開始することができる。
3 制御部
4 ハロゲン加熱部
5 フラッシュ加熱部
6 チャンバー
7 保持部
10 移載機構
20 下部放射温度計
25 上部放射温度計
63 上側チャンバー窓
64 下側チャンバー窓
65 熱処理空間
74 サセプタ
FL フラッシュランプ
HL ハロゲンランプ
W 半導体ウェハー
Claims (2)
- 基板に光を照射することによって該基板を加熱する熱処理方法であって、
ロットの最初の基板がチャンバー内に搬入される前に複数のダミーウェハーを順次に前記チャンバー内に搬入してサセプタに載置する搬入工程と、
前記サセプタに載置された複数のダミーウェハーのそれぞれの裏面に連続点灯ランプから光を照射して当該ダミーウェハーを加熱した後に、当該ダミーウェハーの表面にフラッシュランプからフラッシュ光を照射して当該ダミーウェハーを加熱する加熱工程と、
前記フラッシュランプおよび前記連続点灯ランプが消灯してから所定時間が経過した時点での前記複数のダミーウェハーのそれぞれの裏面温度を測定する裏面温度測定工程と、
前記フラッシュランプからフラッシュ光を照射したときの前記複数のダミーウェハーのそれぞれの表面到達温度を測定する表面温度測定工程と、
を備え、
前記複数のダミーウェハーについて前記裏面温度測定工程にて測定された裏面温度および前記表面温度測定工程にて測定された表面到達温度の双方が一定となるまで前記搬入工程および前記加熱工程を繰り返した後に前記ロットの最初の基板の処理を開始することを特徴とする熱処理方法。 - 基板に光を照射することによって該基板を加熱する熱処理方法であって、
ロットの最初の基板がチャンバー内に搬入される前に複数のダミーウェハーを順次に前記チャンバー内に搬入してサセプタに載置する搬入工程と、
前記サセプタに載置された複数のダミーウェハーのそれぞれの裏面に連続点灯ランプから光を照射して当該ダミーウェハーを加熱した後に、当該ダミーウェハーの表面にフラッシュランプからフラッシュ光を照射して当該ダミーウェハーを加熱する加熱工程と、
前記フラッシュランプからフラッシュ光を照射したときの前記複数のダミーウェハーのそれぞれの表面到達温度を測定する表面温度測定工程と、
を備え、
前記複数のダミーウェハーについて前記表面温度測定工程にて測定された表面到達温度が一定となるまで前記搬入工程および前記加熱工程を繰り返した後に前記ロットの最初の基板の処理を開始することを特徴とする熱処理方法。
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