JP7455470B2 - Wafer processing method - Google Patents

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Description

本発明は、突起電極が設けられたウェーハを研削する際に用いられるウェーハの加工方法に関する。 The present invention relates to a wafer processing method used when grinding a wafer having protruding electrodes.

各種の電子機器等に組み込まれるデバイスチップを小型化、軽量化するために、デバイスチップへと分割される前のウェーハを薄く加工する機会が増えている。例えば、ウェーハのデバイスが設けられた表面側をチャックテーブルで保持し、回転させた砥石工具をウェーハの裏面側に押し当てることで、このウェーハを研削して薄くできる。 In order to reduce the size and weight of device chips that are incorporated into various electronic devices, there are increasing opportunities to thin wafers before they are divided into device chips. For example, the wafer can be ground and thinned by holding the front side of the wafer with devices on a chuck table and pressing a rotating grindstone tool against the back side of the wafer.

上述のような方法でウェーハを研削する際には、樹脂等の材料でなる保護テープをウェーハの表面側に貼付し、研削の際に加わる衝撃等からデバイスを保護する。一方で、バンプと呼ばれる突起電極がデバイスに設けられている場合には、突起電極が存在するデバイス領域と、デバイス領域を囲む外周余剰領域と、でウェーハの表面側に高低差が生じてしまう。 When grinding a wafer using the method described above, a protective tape made of a material such as resin is attached to the front surface of the wafer to protect the device from shocks applied during grinding. On the other hand, when a device is provided with protruding electrodes called bumps, a height difference occurs on the front surface side of the wafer between the device region where the protruding electrodes are present and the peripheral excess region surrounding the device region.

このような状況では、ウェーハの外周余剰領域をチャックテーブルによって適切に保持できないので、ウェーハの表面側に保護テープを貼付したとしても、砥石工具からの負荷が外周余剰領域に加わる際に高い確率でウェーハが破損してしまう。そこで、突起電極の高さよりも厚みの大きい（厚い）糊層（接着剤層）を持つ保護テープをウェーハの表面側に貼付する技術が提案されている（例えば、特許文献１参照）。 In such a situation, the peripheral excess area of the wafer cannot be properly held by the chuck table, so even if protective tape is applied to the front side of the wafer, there is a high probability that the wafer will be damaged when the load from the grinding tool is applied to the peripheral excess area. Therefore, a technology has been proposed in which protective tape with a glue layer (thick adhesive layer) that is thicker than the height of the protruding electrodes is applied to the front side of the wafer (see, for example, Patent Document 1).

特開２０１３－２１０１７号公報Japanese Patent Application Publication No. 2013-21017

上述の技術を用いれば、突起電極に起因する表面側の高低差を糊層によって吸収し、外周余剰領域を含むウェーハの表面側の全体をチャックテーブルで適切に保持できる。しかしながら、この技術では、厚みの大きい糊層に対して突起電極を埋没させるように保護テープをウェーハに貼付するので、突起電極によって形成される隙間に糊（接着剤）が入り込んでしまう。 If the above-mentioned technique is used, the height difference on the front surface side caused by the protruding electrodes can be absorbed by the adhesive layer, and the entire front side of the wafer including the excess outer region can be appropriately held on the chuck table. However, in this technique, the protective tape is attached to the wafer so that the protruding electrodes are buried in the thick adhesive layer, so the glue (adhesive) gets into the gaps formed by the protruding electrodes.

その結果、保護テープを剥離する際にウェーハ側に糊が残留し、突起電極と配線等との接続に不良が生じる可能性があった。また、ウェーハ側に残った糊が変質し、デバイスの信頼性を低下させる恐れがあった。 As a result, when the protective tape is peeled off, adhesive remains on the wafer side, potentially resulting in poor connections between the protruding electrodes and the wiring. In addition, there was a risk that the glue remaining on the wafer side would deteriorate, reducing the reliability of the device.

本発明はかかる問題点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、ウェーハが破損する可能性を低く抑えながら、突起電極に起因する隙間に保護テープの糊を残留させることなくウェーハを研削できるウェーハの加工方法を提供することである。 The present invention has been made in view of these problems, and its purpose is to reduce the possibility of damage to the wafer and to remove the adhesive from the protective tape from remaining in the gaps caused by the protruding electrodes. An object of the present invention is to provide a wafer processing method that can grind wafers.

本発明の一態様によれば、交差する分割予定ラインで区画された複数の領域のそれぞれに複数の突起電極を有するデバイスが形成されたデバイス領域と、該デバイス領域を囲む外周余剰領域と、を備える表面、該表面とは反対側の裏面、及び、該表面の該外周余剰領域と該裏面とを接続する側面を含むウェーハを加工する際に用いられるウェーハの加工方法であって、ウェーハの該表面の該外周余剰領域と該側面とを部分的に又は全体的に覆うように樹脂を供給して硬化させることで、該外周余剰領域を覆う部分が該突起電極に対応する厚みを有する樹脂部材を形成する樹脂部材形成ステップと、該樹脂部材形成ステップを実施した後、該樹脂部材の該外周余剰領域を覆う部分及び複数の該突起電極に保護テープを貼付する保護テープ貼付ステップと、該保護テープ貼付ステップを実施した後、該保護テープ及び該樹脂部材を介してウェーハの該表面側を保持テーブルで保持し、ウェーハの該裏面を研削する研削ステップと、を含むウェーハの加工方法が提供される。該樹脂部材形成ステップでは、該ウェーハに装着された金型に該樹脂を供給してもよい。 According to one aspect of the present invention, a device region in which a device having a plurality of protruding electrodes is formed in each of a plurality of regions partitioned by intersecting planned dividing lines, and a peripheral surplus region surrounding the device region. A wafer processing method used when processing a wafer including a front surface, a back surface opposite to the front surface, and a side surface connecting the outer peripheral surplus area of the front surface and the back surface, the method comprising: By supplying and curing a resin so as to partially or completely cover the outer circumferential excess area and the side surface of the surface, the resin has a thickness corresponding to the protruding electrode in a portion covering the outer circumferential excess area. a step of forming a resin member to form a member; a step of applying a protective tape to a portion of the resin member covering the excess outer peripheral region and the plurality of protruding electrodes after performing the step of forming the resin member; A method for processing a wafer is provided, comprising: after performing the step of applying a protective tape, holding the front side of the wafer on a holding table via the protective tape and the resin member, and grinding the back side of the wafer. be done. In the resin member forming step, the resin may be supplied to a mold attached to the wafer.

本発明の一態様にかかるウェーハの加工方法では、外周余剰領域を覆う部分が突起電極に対応する厚みを有する樹脂部材を形成した上で、樹脂部材の外周余剰領域を覆う部分に保護テープを貼付するので、突起電極の高さよりも厚みの大きい（厚い）糊層を持つ保護テープを使用しなくても、ウェーハの表面側を保持テーブルで適切に保持できる。 In the wafer processing method according to one embodiment of the present invention, a resin member is formed whose portion covering the excess outer circumferential area has a thickness corresponding to the protruding electrode, and then a protective tape is attached to the portion of the resin member that covers the excess outer circumferential area. Therefore, the front side of the wafer can be properly held on the holding table without using a protective tape having an adhesive layer that is thicker than the height of the protruding electrodes.

つまり、樹脂部材を用いずに糊層の厚みが小さい（薄い）保護テープだけを用いる場合とは異なり、ウェーハの表面側の高低差が十分に小さくなるので、研削の際に外周余剰領域に加わる負荷に起因してウェーハが破損する可能性も低くなる。また、突起電極の高さよりも厚みの大きい（厚い）糊層を持つ保護テープを使用する場合のように、突起電極に起因する隙間に保護テープの糊が残留することもない。 In other words, unlike the case where only a protective tape with a small (thin) adhesive layer is used without using a resin member, the difference in height on the front side of the wafer is sufficiently small, so that the excess area on the outer periphery is added during grinding. The possibility of wafer breakage due to loading is also reduced. Further, unlike when using a protective tape having an adhesive layer that is thicker than the height of the protruding electrodes, the adhesive of the protective tape does not remain in the gaps caused by the protruding electrodes.

よって、本発明の一態様にかかるウェーハの加工方法によれば、ウェーハが破損する可能性を低く抑えながら、突起電極に起因する隙間に保護テープの糊を残留させることなくウェーハを研削できる。 Therefore, according to the wafer processing method according to one aspect of the present invention, it is possible to grind the wafer without leaving the adhesive of the protective tape in the gap caused by the protruding electrode while suppressing the possibility of the wafer being damaged.

図１（Ａ）は、ウェーハを模式的に示す斜視図であり、図１（Ｂ）は、ウェーハを模式的に示す断面図である。FIG. 1(A) is a perspective view schematically showing a wafer, and FIG. 1(B) is a cross-sectional view schematically showing the wafer. 図２（Ａ）は、ウェーハに金型が装着される様子を模式的に示す斜視図であり、図２（Ｂ）は、ウェーハに金型が装着された状態を模式的に示す断面図である。FIG. 2(A) is a perspective view schematically showing how a mold is attached to a wafer, and FIG. 2(B) is a cross-sectional view schematically showing a state where a die is attached to a wafer. be. 図３は、ウェーハの表面の外周余剰領域と側面とを覆う樹脂部材が形成される様子を模式的に示す断面図である。FIG. 3 is a cross-sectional view schematically showing how a resin member is formed to cover the peripheral excess area and side surface of the front surface of the wafer. 図４は、ウェーハ及び樹脂部材から金型が取り外された状態を模式的に示す断面図である。FIG. 4 is a cross-sectional view schematically showing a state in which the mold is removed from the wafer and the resin member. 図５は、樹脂部材に保護テープが貼付された状態を模式的に示す断面図である。FIG. 5 is a cross-sectional view schematically showing a state in which a protective tape is attached to a resin member. 図６は、ウェーハの裏面が研削される様子を模式的に示す側面図である。FIG. 6 is a side view schematically showing how the back surface of the wafer is ground.

添付図面を参照して、本発明の実施形態について説明する。図１（Ａ）は、本実施形態にかかるウェーハの加工方法で加工されるウェーハ１１を模式的に示す斜視図であり、図１（Ｂ）は、ウェーハ１１を模式的に示す断面図である。図１（Ａ）及び図１（Ｂ）に示すように、ウェーハ１１は、例えば、シリコン等の半導体を用いて円盤状に形成されており、概ね平坦な表面１１ａと、表面１１ａとは反対側の裏面１１ｂと、表面１１ａと裏面１１ｂとを接続する側面１１ｃと、を含む。 Embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. FIG. 1(A) is a perspective view schematically showing a wafer 11 processed by the wafer processing method according to the present embodiment, and FIG. 1(B) is a cross-sectional view schematically showing the wafer 11. . As shown in FIGS. 1A and 1B, the wafer 11 is formed into a disk shape using a semiconductor such as silicon, and has a generally flat surface 11a and a side opposite to the surface 11a. , and a side surface 11c connecting the front surface 11a and the back surface 11b.

ウェーハ１１の表面１１ａ側は、中央部を含むデバイス領域と、デバイス領域を囲む外周余剰領域と、に分けられており、側面１１ｃは、この外周余剰領域と裏面１１ｂとを接続している。デバイス領域は、互いに交差する複数の分割予定ライン（ストリート）１３によって更に複数の小領域に区画されており、各小領域には、ＩＣ（Integrated Circuit）等のデバイス１５が形成されている。各デバイス１５は、それぞれが半田ボール等で構成される複数の突起電極（バンプ）１５ａを有している。 The front surface 11a side of the wafer 11 is divided into a device region including a central portion and an outer peripheral surplus region surrounding the device region, and a side surface 11c connects this peripheral surplus region and the back surface 11b. The device area is further divided into a plurality of small areas by a plurality of dividing lines (street) 13 that intersect with each other, and a device 15 such as an IC (Integrated Circuit) is formed in each small area. Each device 15 has a plurality of protruding electrodes (bumps) 15a each made of a solder ball or the like.

なお、本実施形態では、シリコン等の半導体を用いて形成される円盤状のウェーハ１１を例示しているが、ウェーハ１１の材質、形状、構造、大きさ等に制限はない。例えば、他の半導体、セラミックス、樹脂、金属等の材料でなる基板をウェーハ１１として用いることもできる。同様に、デバイス１５の種類、数量、形状、構造、大きさ、配置等にも制限はない。 Note that, in this embodiment, a disk-shaped wafer 11 formed using a semiconductor such as silicon is illustrated, but there are no restrictions on the material, shape, structure, size, etc. of the wafer 11. For example, a substrate made of other materials such as semiconductors, ceramics, resins, metals, etc. can also be used as the wafer 11. Similarly, there are no restrictions on the type, quantity, shape, structure, size, arrangement, etc. of the device 15.

本実施形態にかかるウェーハの加工方法では、このウェーハ１１の一部を覆う樹脂部材を形成する（樹脂部材形成ステップ）。具体的には、まず、樹脂部材の形成に必要な金型をウェーハ１１に装着する。図２（Ａ）は、ウェーハ１１に金型２１が装着される様子を模式的に示す斜視図であり、図２（Ｂ）は、ウェーハ１１に金型２１が装着された状態を模式的に示す断面図である。 In the wafer processing method according to this embodiment, a resin member is formed to cover a part of the wafer 11 (resin member forming step). Specifically, first, a mold necessary for forming the resin member is mounted on the wafer 11. 2(A) is a perspective view schematically showing how the mold 21 is attached to the wafer 11, and FIG. 2(B) is a perspective view schematically showing the state where the die 21 is attached to the wafer 11. FIG.

図２（Ａ）及び図２（Ｂ）に示すように、金型２１は、ウェーハ１１よりも径の大きい円盤状の底部２１ａと、底部２１ａの上面側の外周縁に接続されウェーハ１１の厚み以上の高さを持つ円筒状の側部２１ｂと、を含む。底部２１ａの上面は、概ね平坦に形成されている。また、この底部２１ａの上面には、ウェーハ１１のデバイス領域と外周余剰領域とを仕切ることのできる環状の仕切り部２１ｃが設けられている。 As shown in FIGS. 2(A) and 2(B), the mold 21 has a disk-shaped bottom portion 21a having a larger diameter than the wafer 11, and is connected to the outer periphery of the upper surface side of the bottom portion 21a. and a cylindrical side portion 21b having a height greater than or equal to the height. The upper surface of the bottom portion 21a is formed generally flat. Further, on the upper surface of the bottom portion 21a, an annular partition portion 21c is provided that can partition the device region of the wafer 11 from the peripheral surplus region.

仕切り部２１ｃの高さ（底部２１ａの上面と仕切り部２１ｃの頂点との距離）は、例えば、ウェーハ１１の表面１１ａから突起電極１５ａの頂点までの距離と同じか、それより僅かに大きい、又は僅かに小さい。すなわち、仕切り部２１ｃは、突起電極１５ａに対応する高さに形成されている。このような金型２１は、例えば、ステンレス鋼に代表される金属板を、ＣＮＣ加工や放電加工等の方法で加工することにより得られる。 The height of the partition portion 21c (the distance between the top surface of the bottom portion 21a and the apex of the partition portion 21c) is, for example, the same as or slightly larger than the distance from the surface 11a of the wafer 11 to the apex of the protruding electrode 15a, or Slightly smaller. That is, the partition portion 21c is formed at a height corresponding to the protruding electrode 15a. Such a mold 21 is obtained, for example, by machining a metal plate, typically stainless steel, using a method such as CNC machining or electric discharge machining.

金型２１をウェーハ１１に装着する際には、図２（Ａ）に示すように、ウェーハ１１の表面１１ａのデバイス領域と外周余剰領域との境界に仕切り部２１ｃの頂点を接触させるように、金型２１の内側の空間にウェーハ１１を収容する。その結果、金型２１の内側の空間は、図２（Ｂ）に示すように、仕切り部２１ｃによって、ウェーハ１１のデバイス領域を収容する上面視で円状（円盤状）の空間Ａと、ウェーハ１１の外周余剰領域を収容する上面視で環状（円筒状）の空間Ｂと仕切られる。 When mounting the mold 21 on the wafer 11, as shown in FIG. The wafer 11 is accommodated in the space inside the mold 21. As a result, as shown in FIG. 2B, the space inside the mold 21 is divided into a circular (disc-shaped) space A in a top view that accommodates the device region of the wafer 11 and a space A that accommodates the device region of the wafer 11, as shown in FIG. It is partitioned off from a space B that is annular (cylindrical) in top view and accommodates the outer circumferential excess area of No. 11.

金型２１をウェーハ１１に装着した後には、この金型２１の外周余剰領域を収容する空間Ｂに樹脂を供給し、ウェーハ１１の表面１１ａの外周余剰領域とウェーハ１１の側面１１ｃとを覆う樹脂部材を形成する。図３は、ウェーハ１１の表面１１ａの外周余剰領域と側面１１ｃとを覆う樹脂部材２３が形成される様子を模式的に示す断面図である。 After the mold 21 is attached to the wafer 11, a resin is supplied to the space B that accommodates the peripheral surplus area of the mold 21, and the resin is supplied to cover the peripheral surplus area of the front surface 11a of the wafer 11 and the side surface 11c of the wafer 11. Form a member. FIG. 3 is a cross-sectional view schematically showing how the resin member 23 is formed to cover the outer peripheral surplus area of the front surface 11a of the wafer 11 and the side surface 11c.

金型２１の空間Ｂに樹脂を供給した上で、加熱、加圧等の処理を行うことで、樹脂を硬化させて、ウェーハ１１を囲む環状（円筒状）の樹脂部材２３を形成できる。なお、樹脂部材２３の原料として使用される樹脂の種類に大きな制限はないが、例えば、エポキシ樹脂等を使用すると良い。 By supplying resin to the space B of the mold 21 and performing treatments such as heating and pressurization, the resin can be cured and an annular (cylindrical) resin member 23 surrounding the wafer 11 can be formed. Although there are no major restrictions on the type of resin used as a raw material for the resin member 23, it is preferable to use, for example, epoxy resin.

上述のように、仕切り部２１ｃは、突起電極１５ａに対応する高さに形成されている。よって、樹脂部材２３の外周余剰領域を覆う部分も、突起電極１５ａの高さに対応する厚みに形成される。より具体的には、樹脂部材２３の外周余剰領域を覆う部分の厚みが、ウェーハ１１の表面１１ａから突起電極１５ａの頂点までの距離と同じか、それより僅かに大きく、又は僅かに小さくなる。なお、圧縮成形（compression molding）等の方法を採用する場合には、空間Ｂの上部を閉じる別の金型を用意することになる。 As described above, the partition portion 21c is formed at a height corresponding to the protruding electrode 15a. Therefore, the portion of the resin member 23 that covers the outer peripheral surplus area is also formed to have a thickness corresponding to the height of the protruding electrode 15a. More specifically, the thickness of the portion of the resin member 23 that covers the peripheral surplus area is equal to, slightly larger than, or slightly smaller than the distance from the surface 11a of the wafer 11 to the apex of the protruding electrode 15a. Note that if a method such as compression molding is employed, another mold for closing the upper part of the space B will be prepared.

樹脂部材２３を形成した後には、ウェーハ１１及び樹脂部材２３から金型２１を取り外す。図４は、ウェーハ１１及び樹脂部材２３から金型２１が取り外された状態を模式的に示す断面図である。なお、本実施形態では、ウェーハ１１の表面１１ａの外周余剰領域とウェーハ１１の側面１１ｃとを全体的に覆う環状の樹脂部材２３を形成したが、本発明の樹脂部材は、ウェーハの表面の外周余剰領域とウェーハの側面との双方を部分的に覆うように形成されても良い。 After forming the resin member 23, the mold 21 is removed from the wafer 11 and the resin member 23. FIG. 4 is a cross-sectional view schematically showing a state in which the mold 21 is removed from the wafer 11 and the resin member 23. In addition, in this embodiment, the annular resin member 23 was formed that completely covers the outer circumferential excess area of the front surface 11a of the wafer 11 and the side surface 11c of the wafer 11. It may be formed so as to partially cover both the surplus area and the side surface of the wafer.

樹脂部材２３を形成した後には、この樹脂部材２３の外周余剰領域を覆う部分に保護テープを貼付する（保護テープ貼付ステップ）。図５は、樹脂部材２３に保護テープ２５が貼付された状態を模式的に示す断面図である。保護テープ２５は、例えば、フィルム状の基材と、基材の一方の面に設けられた糊層（接着剤層）と、を含み、ウェーハ１１と同じか又はそれ以上の直径を持つ円盤状に形成されている。 After forming the resin member 23, a protective tape is applied to a portion of the resin member 23 that covers the excess outer peripheral area (protective tape applying step). FIG. 5 is a cross-sectional view schematically showing a state in which the protective tape 25 is attached to the resin member 23. As shown in FIG. The protective tape 25 includes, for example, a film-like base material and a glue layer (adhesive layer) provided on one side of the base material, and has a disc-like shape with a diameter equal to or larger than that of the wafer 11. is formed.

保護テープ２５の基材には、例えば、ポリオレフィン、ポリ塩化ビニル、ポリエチレンテレフタレート等の材料が使用される。保護テープ２５の糊層には、例えば、アクリル系やゴム系の材料が使用される。この保護テープ２５の糊層を樹脂部材２３に密着させることで、保護テープ２５を樹脂部材２３に貼付できる。なお、本実施形態にかかる保護テープ２５の糊層の厚みは、突起電極１５ａの高さよりも小さくなっている。 The base material of the protective tape 25 is made of, for example, polyolefin, polyvinyl chloride, polyethylene terephthalate, or the like. For the adhesive layer of the protective tape 25, an acrylic or rubber material is used, for example. By bringing the adhesive layer of the protective tape 25 into close contact with the resin member 23, the protective tape 25 can be attached to the resin member 23. Note that the thickness of the adhesive layer of the protective tape 25 according to this embodiment is smaller than the height of the protruding electrode 15a.

本実施形態では、図５に示すように、樹脂部材２３の外周余剰領域を覆う部分の表面２３ａと、突起電極１５ａの頂点に相当する部分と、の双方に糊層を密着させて保護テープ２５を貼付する。上述のように、樹脂部材２３の外周余剰領域を覆う部分の厚みは、突起電極１５ａの高さに対応しており、樹脂部材２３の表面２３ａと、突起電極１５ａの頂点に相当する部分と、の高低差は十分に小さくなっている。 In this embodiment, as shown in FIG. 5, a protective tape 25 is formed by closely adhering an adhesive layer to both the surface 23a of the resin member 23 covering the outer circumferential excess area and the portion corresponding to the apex of the protruding electrode 15a. Attach. As described above, the thickness of the portion of the resin member 23 that covers the outer peripheral surplus area corresponds to the height of the protruding electrode 15a, and the thickness of the portion corresponding to the surface 23a of the resin member 23 and the apex of the protruding electrode 15a, The difference in height is sufficiently small.

そのため、樹脂部材２３の表面２３ａと、突起電極１５ａの頂点に相当する部分と、の双方に貼付される保護テープ２５にも、殆ど段差が生じない。よって、この保護テープ２５と樹脂部材２３とを介して、ウェーハ１１の表面１１ａのデバイス領域と、ウェーハ１１の表面１１ａの外周余剰領域と、の双方を適切に保持できるようになる。 Therefore, almost no level difference occurs in the protective tape 25 that is attached to both the surface 23a of the resin member 23 and the portion corresponding to the apex of the protruding electrode 15a. Therefore, both the device area on the front surface 11a of the wafer 11 and the peripheral surplus area on the front surface 11a of the wafer 11 can be appropriately held via the protective tape 25 and the resin member 23.

樹脂部材２３の外周余剰領域を覆う部分に保護テープ２５を貼付した後には、ウェーハ１１の裏面１１ｂを研削する（研削ステップ）。図６は、ウェーハ１１の裏面１１ｂが研削される様子を模式的に示す側面図である。ただし、図６では、説明の便宜上、ウェーハ１１及びこれに付随する構成要素を断面で表している。 After attaching the protective tape 25 to the portion of the resin member 23 that covers the outer peripheral surplus area, the back surface 11b of the wafer 11 is ground (grinding step). FIG. 6 is a side view schematically showing how the back surface 11b of the wafer 11 is ground. However, in FIG. 6, for convenience of explanation, the wafer 11 and its accompanying components are shown in cross section.

ウェーハ１１を研削する際には、例えば、図６に示す研削装置２が用いられる。研削装置２は、ウェーハ１１を保持するチャックテーブル（保持テーブル）４を備えている。チャックテーブル４は、モーター等の回転駆動源（不図示）に連結されており、鉛直方向に対して概ね平行な回転軸の周りに回転する。また、チャックテーブル４の下方には、移動機構（不図示）が設けられており、チャックテーブル４は、この移動機構によって水平方向に移動する。 When grinding the wafer 11, for example, a grinding device 2 shown in FIG. 6 is used. The grinding device 2 includes a chuck table (holding table) 4 that holds the wafer 11. The chuck table 4 is connected to a rotation drive source (not shown) such as a motor, and rotates around a rotation axis that is generally parallel to the vertical direction. Further, a moving mechanism (not shown) is provided below the chuck table 4, and the chuck table 4 is moved in the horizontal direction by this moving mechanism.

チャックテーブル４の上面の一部は、セラミックス等の材料を用いて多孔質状に形成されており、樹脂部材２３（及び突起電極１５ａ）に貼付された保護テープ２５を保持する保持面４ａとして機能する。保持面４ａは、チャックテーブル４の内部に形成された流路（不図示）等を介して吸引源（不図示）に接続されている。吸引源の負圧を保持面４ａに作用させることで、保護テープ２５が保持面４ａに吸引され、この保護テープ２５及び樹脂部材２３を介してウェーハ１１の表面１１ａ側がチャックテーブル４に保持される。 A part of the upper surface of the chuck table 4 is formed porous using a material such as ceramics, and functions as a holding surface 4a that holds the protective tape 25 attached to the resin member 23 (and protruding electrode 15a). do. The holding surface 4a is connected to a suction source (not shown) via a flow path (not shown) formed inside the chuck table 4. By applying negative pressure from a suction source to the holding surface 4a, the protective tape 25 is attracted to the holding surface 4a, and the front surface 11a side of the wafer 11 is held on the chuck table 4 via the protective tape 25 and the resin member 23. .

チャックテーブル４の上方には、研削ユニット６が配置されている。研削ユニット６は、昇降機構（不図示）に支持されたスピンドルハウジング（不図示）を備えている。スピンドルハウジングには、回転軸となるスピンドル８が回転できる態様で収容されており、スピンドルハウジングから露出するスピンドル８の下端部には、円盤状のマウント１０が固定されている。 A grinding unit 6 is arranged above the chuck table 4. The grinding unit 6 includes a spindle housing (not shown) supported by a lifting mechanism (not shown). A spindle 8 serving as a rotating shaft is rotatably accommodated in the spindle housing, and a disc-shaped mount 10 is fixed to the lower end of the spindle 8 exposed from the spindle housing.

マウント１０の下面には、マウント１０と概ね同じ直径の研削ホイール（砥石工具）１２が装着されている。研削ホイール１２は、アルミニウムやステンレス鋼等の金属で形成されたホイール基台１４を備えている。ホイール基台１４の下面には、ダイヤモンド等の砥粒を樹脂等の結合剤で固定することにより得られる複数の研削砥石１６が環状に配列されている。 A grinding wheel (grindstone tool) 12 having approximately the same diameter as the mount 10 is attached to the lower surface of the mount 10. The grinding wheel 12 includes a wheel base 14 made of metal such as aluminum or stainless steel. On the lower surface of the wheel base 14, a plurality of grinding wheels 16 obtained by fixing abrasive grains such as diamond with a binder such as resin are arranged in an annular manner.

スピンドル８の上端側（基端側）には、モーター等の回転駆動源（不図示）が連結されており、研削ホイール１２は、この回転駆動源が発生する力によって、鉛直方向に対して概ね平行な回転軸の周りに回転する。研削ユニット６の内部又は近傍には、純水等の研削液をウェーハ１１等に対して供給するためのノズル（不図示）が設けられている。 A rotational drive source (not shown) such as a motor is connected to the upper end side (base end side) of the spindle 8, and the grinding wheel 12 is roughly rotated in the vertical direction by the force generated by this rotational drive source. Rotate around parallel rotation axes. A nozzle (not shown) is provided inside or near the grinding unit 6 for supplying a grinding liquid such as pure water to the wafer 11 and the like.

ウェーハ１１の裏面１１ｂを研削する際には、まず、チャックテーブル４の保持面４ａに保護テープ２５を接触させて、吸引源の負圧を作用させる。これにより、ウェーハ１１は、保護テープ２５及び樹脂部材２３を介してチャックテーブル４に保持される。本実施形態では、上述のように、保護テープ２５に殆ど段差が生じないので、この保護テープ２５の全体を保持面４ａに接触させて、ウェーハ１１のデバイス領域と外周余剰領域との双方をチャックテーブル４で適切に保持できる。 When grinding the back surface 11b of the wafer 11, first, the protective tape 25 is brought into contact with the holding surface 4a of the chuck table 4, and negative pressure from a suction source is applied. Thereby, the wafer 11 is held on the chuck table 4 via the protective tape 25 and the resin member 23. In this embodiment, as described above, since there is almost no step difference in the protective tape 25, the entire protective tape 25 is brought into contact with the holding surface 4a, and both the device area and the outer peripheral surplus area of the wafer 11 are chucked. It can be held properly on table 4.

ウェーハ１１をチャックテーブル４で保持した後には、このチャックテーブル４を研削ユニット６の下方に移動させる。そして、図６に示すように、チャックテーブル４と研削ホイール１２とをそれぞれ回転させて、研削液をウェーハ１１の裏面１１ｂ側に供給しながらスピンドルハウジング（スピンドル８、研削ホイール１２）を下降させる。 After the wafer 11 is held by the chuck table 4, the chuck table 4 is moved below the grinding unit 6. Then, as shown in FIG. 6, the chuck table 4 and the grinding wheel 12 are rotated, and the spindle housing (spindle 8, grinding wheel 12) is lowered while supplying the grinding fluid to the back surface 11b of the wafer 11.

スピンドルハウジングの下降の速度は、ウェーハ１１の裏面１１ｂに対して研削砥石１６の下面が適切な圧力で押し当てられる範囲に調整される。これにより、裏面１１ｂを研削してウェーハ１１を薄くできる。なお、本実施形態では、ウェーハ１１と同時に樹脂部材２３も研削される。この研削は、ウェーハ１１が所定の厚み（仕上げ厚み）になるまで続けられる。 The speed of descent of the spindle housing is adjusted within a range where the lower surface of the grinding wheel 16 is pressed against the back surface 11b of the wafer 11 with appropriate pressure. Thereby, the back surface 11b can be ground to make the wafer 11 thinner. Note that in this embodiment, the resin member 23 is also ground at the same time as the wafer 11. This grinding is continued until the wafer 11 reaches a predetermined thickness (finished thickness).

以上のように、本実施形態にかかるウェーハの加工方法では、外周余剰領域を覆う部分が突起電極１５ａに対応する厚みを有する樹脂部材２３を形成した上で、樹脂部材２３の外周余剰領域を覆う部分に保護テープ２５を貼付するので、突起電極１５ａの高さよりも厚みの大きい（厚い）糊層を持つ保護テープを使用しなくても、ウェーハ１１の表面１１ａ側をチャックテーブル（保持テーブル）４で適切に保持できる。 As described above, in the wafer processing method according to the present embodiment, the resin member 23 is formed in which the portion covering the outer peripheral surplus region has a thickness corresponding to the protruding electrode 15a, and then the outer peripheral surplus region of the resin member 23 is covered. Since the protective tape 25 is attached to the surface of the wafer 11 on the chuck table (holding table) 4, there is no need to use a protective tape with an adhesive layer that is thicker than the height of the protruding electrodes 15a. can be held properly.

つまり、樹脂部材２３を用いずに糊層の厚みが小さい（薄い）保護テープだけを用いる場合とは異なり、ウェーハ１１の表面１１ａ側の高低差が十分に小さくなるので、研削の際に外周余剰領域に加わる負荷に起因してウェーハ１１が破損する可能性も低くなる。また、突起電極１５ａの高さよりも厚みの大きい（厚い）糊層を持つ保護テープを使用する場合のように、突起電極１５ａに起因する隙間に保護テープの糊が残留することもない。 In other words, unlike the case where only a protective tape with a small (thin) adhesive layer is used without using the resin member 23, the difference in height on the surface 11a side of the wafer 11 is sufficiently small, so when grinding The possibility of damage to the wafer 11 due to loads applied to the area is also reduced. Furthermore, the adhesive of the protective tape does not remain in the gap caused by the protruding electrode 15a, unlike when using a protective tape having a glue layer that is thicker (thicker) than the height of the protruding electrode 15a.

また、本実施形態では、ウェーハ１１の側面１１ｃの全体を覆う環状の樹脂部材２３を設けているので、ウェーハ１１を研削する際の研削砥石１６との接触によって、側面１１ｃを含むウェーハ１１の端部が欠けるエッジチッピングと呼ばれる不良の発生を抑制できる。 Further, in this embodiment, since the annular resin member 23 is provided that covers the entire side surface 11c of the wafer 11, the edge of the wafer 11 including the side surface 11c is It is possible to suppress the occurrence of defects called edge chipping, where parts are chipped.

なお、本発明は、上述した実施形態の記載に制限されず種々変更して実施可能である。例えば、上述した実施形態では、金型２１を用いて樹脂部材２３を形成しているが、インクジェット等の他の方法を用いてウェーハ１１を部分的に覆う樹脂部材２３を形成することもできる。 Note that the present invention is not limited to the description of the embodiments described above, and can be implemented with various modifications. For example, in the embodiment described above, the resin member 23 is formed using the mold 21, but the resin member 23 that partially covers the wafer 11 can also be formed using other methods such as inkjet.

その他、上述した実施形態や変形例にかかる構造、方法等は、本発明の目的の範囲を逸脱しない限りにおいて適宜変更して実施できる。 In addition, the structures, methods, etc. of the embodiments and modifications described above can be modified and implemented as appropriate without departing from the scope of the objective of the present invention.

１１ ：ウェーハ
１１ａ ：表面
１１ｂ ：裏面
１１ｃ ：側面
１３ ：分割予定ライン（ストリート）
１５ ：デバイス
１５ａ ：突起電極（バンプ）
２１ ：金型
２１ａ ：底部
２１ｂ ：側部
２１ｃ ：仕切り部
２３ ：樹脂部材
２３ａ ：表面
２５ ：保護テープ
Ａ ：空間
Ｂ ：空間
２ ：研削装置
４ ：チャックテーブル（保持テーブル）
４ａ ：保持面
６ ：研削ユニット
８ ：スピンドル
１０ ：マウント
１２ ：研削ホイール（砥石工具）
１４ ：ホイール基台
１６ ：研削砥石 11: Wafer 11a: Front surface 11b: Back surface 11c: Side surface 13: Planned dividing line (street)
15: Device 15a: Protruding electrode (bump)
21: Mold 21a: Bottom 21b: Side 21c: Partition 23: Resin member 23a: Surface 25: Protective tape A: Space B: Space 2: Grinding device 4: Chuck table (holding table)
4a: Holding surface 6: Grinding unit 8: Spindle 10: Mount 12: Grinding wheel (grindstone tool)
14: Wheel base 16: Grinding wheel

Claims (2)

交差する分割予定ラインで区画された複数の領域のそれぞれに複数の突起電極を有するデバイスが形成されたデバイス領域と、該デバイス領域を囲む外周余剰領域と、を備える表面、該表面とは反対側の裏面、及び、該表面の該外周余剰領域と該裏面とを接続する側面を含むウェーハを加工する際に用いられるウェーハの加工方法であって、
ウェーハの該表面の該外周余剰領域と該側面とを部分的に又は全体的に覆うように樹脂を供給して硬化させることで、該外周余剰領域を覆う部分が該突起電極に対応する厚みを有する樹脂部材を形成する樹脂部材形成ステップと、
該樹脂部材形成ステップを実施した後、該樹脂部材の該外周余剰領域を覆う部分及び複数の該突起電極に保護テープを貼付する保護テープ貼付ステップと、
該保護テープ貼付ステップを実施した後、該保護テープ及び該樹脂部材を介してウェーハの該表面側を保持テーブルで保持し、ウェーハの該裏面を研削する研削ステップと、を含むウェーハの加工方法。 A surface comprising a device region in which a device having a plurality of protruding electrodes is formed in each of a plurality of regions partitioned by intersecting planned division lines, and an outer peripheral surplus region surrounding the device region, and a side opposite to the surface. A wafer processing method used when processing a wafer including a back surface and a side surface connecting the outer peripheral surplus area of the front surface and the back surface,
By supplying and curing the resin so as to partially or completely cover the excess outer region and the side surface of the front surface of the wafer, the portion covering the excess outer circumference region has a thickness corresponding to the protruding electrode. a resin member forming step of forming a resin member having
After performing the resin member forming step, a protective tape applying step of applying protective tape to the portion of the resin member covering the outer peripheral surplus area and the plurality of protruding electrodes ;
A method for processing a wafer, comprising: after carrying out the step of applying the protective tape, holding the front side of the wafer on a holding table via the protective tape and the resin member, and grinding the back side of the wafer. 該樹脂部材形成ステップでは、該ウェーハに装着された金型に該樹脂を供給する請求項１に記載のウェーハの加工方法。2. The wafer processing method according to claim 1, wherein in the resin member forming step, the resin is supplied to a mold attached to the wafer.
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