JP6999322B2 - Wafer grinding method - Google Patents
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Description
本発明は、バンプを備えたウエーハを研削するウエーハの研削方法に関する。 The present invention relates to a method for grinding a wafer having bumps.
半導体デバイス製造工程において、ウエーハの表面は分割予定ラインによって区画されており、この区画される領域にデバイスが形成される。ウエーハは表面側に保護テープが貼着された後、研削装置において、保護テープを介して表面側がチャックテーブルに保持された状態で、裏面側が研削砥石で研削されて所定の厚みに薄化される。その後、切削装置において、ウエーハが分割予定ラインに沿って分割されることにより、半導体デバイスが製造される。 In the semiconductor device manufacturing process, the surface of the wafer is partitioned by a planned division line, and the device is formed in this partitioned region. After the protective tape is attached to the front surface side of the wafer, the back surface side is ground by a grinding wheel to a predetermined thickness while the front surface side is held by the chuck table via the protective tape in the grinding device. .. After that, in the cutting device, the wafer is divided along the scheduled division line, so that the semiconductor device is manufactured.
従来、半導体デバイスの小型化を実現するための技術として、ウエーハの一方の面にバンプと呼ばれる金属突起物を複数形成し、これらのバンプを配線基板の電極に直接接合するフリップチップボンディングと呼ばれる実装技術が知られている（例えば、特許文献１の記載参照）。 Conventionally, as a technology for realizing miniaturization of semiconductor devices, a mounting called flip-chip bonding is performed in which a plurality of metal protrusions called bumps are formed on one surface of a wafer and these bumps are directly bonded to the electrodes of a wiring board. The technique is known (see, for example, the description in Patent Document 1).
バンプが形成されているウエーハを研削する際には、ウエーハの一方の面に、バンプが埋没される厚みの糊層を備えた保護テープを貼着している。また、バンプが埋没されるようにウエーハの一方の面に樹脂層を形成し、樹脂層を平坦化する方法も知られている（例えば、特許文献２の記載参照）。これらにより、バンプの凸凹の影響を抑えてウエーハの他方の面が研削できるため、ウエーハが均一の厚みに研削される。 When grinding a wafer on which bumps are formed, a protective tape having a thickness of glue layer in which the bumps are embedded is attached to one surface of the wafer. Further, there is also known a method of forming a resin layer on one surface of a wafer so that the bumps are buried and flattening the resin layer (see, for example, the description of Patent Document 2). As a result, the other surface of the wafer can be ground while suppressing the influence of the unevenness of the bump, so that the wafer is ground to a uniform thickness.
しかしながら、バンプが大きいハイバンプウエーハの場合、このバンプを埋没させる糊層を保護テープに形成することは難しく、ウエーハの他方の面を研削する際にバンプの高さによる影響を受けてウエーハを均一な厚みに研削することが困難となる問題がある。また、研削後にウエーハから保護テープや樹脂層が剥がされる際、バンプが球状で大きいことでバンプに糊層や樹脂層が引っ掛かり易くなり、糊層や樹脂層の一部がバンプの根本に残ってしまう問題がある。 However, in the case of a high bump wafer with a large bump, it is difficult to form a glue layer to bury this bump in the protective tape, and when grinding the other surface of the wafer, the wafer is affected by the height of the bump to make the wafer uniform. There is a problem that it is difficult to grind to a large thickness. In addition, when the protective tape or resin layer is peeled off from the wafer after grinding, the bump is spherical and large, so that the glue layer or resin layer is easily caught on the bump, and a part of the glue layer or resin layer remains at the root of the bump. There is a problem that it ends up.
本発明はかかる点に鑑みてなされたものであり、ウエーハを被覆するシートと樹脂層との合計厚みを均一にすることでウエーハを平坦に研削できるとともに、樹脂層及びシートを容易に剥離できるウエーハの研削方法を提供することを目的の一つとする。 The present invention has been made in view of this point, and by making the total thickness of the sheet covering the wafer and the resin layer uniform, the wafer can be ground flat and the resin layer and the sheet can be easily peeled off. One of the purposes is to provide a grinding method for the above.
本発明の一態様のウエーハの研削方法は、一方の面にバンプを備えたウエーハの他方の面を研削するウエーハの研削方法であって、ウエーハの外径より大きい内径のリングフレームに、ウエーハの外径より大きい径でリング状の糊層を形成したフィルムを貼着するフィルム貼着工程と、フィルムが貼着された該リングフレームを保持するリング状のフレーム保持部と、フレーム保持部の内側でウエーハを保持するウエーハ保持部と、フレーム保持部とウエーハ保持部が保持したウエーハとの間を真空吸引源へ連通する吸引路と、を備える第１のテーブルの該ウエーハ保持部でウエーハの他方の面を保持し、ウエーハの一方の面をリングフレームに貼着したフィルムで覆うと共に、リングフレームをフレーム保持部で保持し、ウエーハの外面とフィルムの下面とウエーハ保持部の上面とフレーム保持部とにより囲まれた密室を形成する保持工程と、吸引路を真空吸引源に連通させ保持工程で形成された密室を減圧し、大気圧でフィルムを一方の面に押しつけバンプの凸凹形状にならわせ一方の面にフィルムを密着させるフィルム密着工程と、第２のテーブルにシートを敷き、シートの上に紫外線硬化性の液状樹脂を供給し、第１のテーブルが保持するウエーハに密着させたフィルムと第２のテーブルが保持したシートとを対面させて相対的に接近させ、シートの上の液状樹脂をウエーハの面積以上の広さに広げられた液状樹脂に紫外線を照射して硬化させフィルムとシートとの間に樹脂層を形成する樹脂層形成工程と、ウエーハの外周に沿ってシートと樹脂層とフィルムとを切断し除去する外周除去工程と、複数のピンを立設させピンの先端に他方の面を接触させたウエーハの外周全周に接触するリング部を備え、リング部で塞がれた空間を吸引源に連通する連通口を備えるピンチャックテーブルでウエーハを吸引保持させ、ウエーハの一方の面側のシートの表面全面を切削バイトで切削して他方の面に対して平行な被切削面を形成する切削工程と、切削工程で切削した被切削面を第３のテーブルの保持面で保持しウエーハの他方の面を研削砥石で研削する研削工程と、を備える。 The method for grinding a wafer according to one aspect of the present invention is a method for grinding a wafer having a bump on one surface and grinding the other surface of the wafer. A film attaching step of attaching a film having a ring-shaped glue layer formed with a diameter larger than the outer diameter, a ring-shaped frame holding portion for holding the ring frame to which the film is attached, and the inside of the frame holding portion. The other side of the wafer at the wafer holding portion of the first table comprising a wafer holding portion for holding the wafer and a suction path communicating between the frame holding portion and the wafer held by the wafer holding portion to the vacuum suction source. The surface of the wafer is held, one side of the wafer is covered with a film attached to the ring frame, and the ring frame is held by the frame holding portion. The closed chamber formed in the holding step of forming a closed chamber surrounded by and the vacuum suction source is communicated with the vacuum suction source to reduce the pressure, and the film is pressed against one surface at atmospheric pressure to form the uneven shape of the bump. A film adhesion step in which the film is adhered to one surface, and a film in which a sheet is laid on the second table, an ultraviolet curable liquid resin is supplied on the sheet, and the film is adhered to the wafer held by the first table. The sheet held by the second table is brought close to each other so as to face each other, and the liquid resin on the sheet is cured by irradiating the liquid resin spread over an area larger than the area of the wafer with ultraviolet rays to cure the film and the sheet. A resin layer forming step of forming a resin layer between the wafers, an outer peripheral removing step of cutting and removing the sheet, the resin layer and the film along the outer periphery of the wafer, and an outer peripheral removing step in which a plurality of pins are erected and the other is at the tip of the pin. The wafer is sucked and held by a pin chuck table equipped with a ring portion that contacts the entire outer circumference of the wafer in contact with the surface of the wafer and a communication port that communicates the space blocked by the ring portion to the suction source. The cutting process of cutting the entire surface of the sheet on the surface side with a cutting tool to form a surface to be cut parallel to the other surface, and the surface to be cut cut in the cutting process with the holding surface of the third table. It comprises a grinding step of holding and grinding the other surface of the wafer with a grinding wheel.
この構成によれば、第１のテーブルでウエーハの他方の面を保持した状態で、バンプが形成されたウエーハの一方の面側に、バンプの凸凹形状にならってフィルムを密着させる。その後、第２のテーブルに敷かれたシートの上に紫外線硬化性の液状樹脂を供給し、フィルムを介してウエーハと液状樹脂を押し当てた状態で液状樹脂を硬化させることで、フィルムとシートとの間に樹脂層を形成する。これにより、樹脂層によってバンプを埋没させ、樹脂層の平坦面を基準にウエーハを研削できる。また、ウエーハの一方の面にフィルムを介して樹脂層が形成される。このため、シートをウエーハから剥離することで、樹脂層がウエーハに直接に形成される場合と比べて、ウエーハからフィルム、樹脂層及びシートを容易に剥離することができ、バンプが大きくても樹脂層がバンプの根本に残ることがない。また、第１のテーブルとウエーハとの間に入ったゴミ、及び第２のテーブルとシートとの間に入ったゴミにより均一な厚みの樹脂層が形成されない場合でも、シートを切削バイトで切削することで、シートと樹脂層との合計厚みを均一にすることができる。これにより、ウエーハの他方の面を研削する際に、シート及び樹脂層の平坦面を基準にウエーハを研削できる。よって、ウエーハの厚みを均一にすることができ、ウエーハを平坦に研削することができる。 According to this configuration, while the other surface of the wafer is held by the first table, the film is brought into close contact with the one surface side of the wafer on which the bump is formed, following the uneven shape of the bump. After that, an ultraviolet curable liquid resin is supplied onto the sheet laid on the second table, and the liquid resin is cured while the wafer and the liquid resin are pressed through the film to form the film and the sheet. A resin layer is formed between the two. As a result, the bumps can be buried by the resin layer, and the wafer can be ground based on the flat surface of the resin layer. Further, a resin layer is formed on one surface of the wafer via a film. Therefore, by peeling the sheet from the wafer, the film, the resin layer and the sheet can be easily peeled from the wafer as compared with the case where the resin layer is directly formed on the wafer, and the resin can be easily peeled even if the bump is large. The layer does not remain at the root of the bump. Further, even if the resin layer having a uniform thickness is not formed due to the dust that has entered between the first table and the wafer and the dust that has entered between the second table and the sheet, the sheet is cut with a cutting tool. As a result, the total thickness of the sheet and the resin layer can be made uniform. Thereby, when grinding the other surface of the wafer, the wafer can be ground based on the flat surface of the sheet and the resin layer. Therefore, the thickness of the wafer can be made uniform, and the wafer can be ground flat.
本発明によれば、ウエーハを被覆するシートと樹脂層との合計厚みを均一にすることでウエーハを平坦に研削できるとともに、樹脂層及びシートを容易に剥離できる。 According to the present invention, by making the total thickness of the sheet covering the wafer and the resin layer uniform, the wafer can be ground flat and the resin layer and the sheet can be easily peeled off.
添付図面を参照して、第１の実施の形態に係るウエーハについて説明する。図１は第１の実施の形態に係るウエーハの斜視図、図２はフィルム貼着工程前の状態を示す図、図３は、第１の実施の形態に係るフィルムを介して樹脂層及びシートで被覆されるウエーハの模式図、図４は樹脂層形成工程におけるゴミ混入の影響を示す図である。 The wafer according to the first embodiment will be described with reference to the accompanying drawings. FIG. 1 is a perspective view of the wafer according to the first embodiment, FIG. 2 is a diagram showing a state before the film attaching process, and FIG. 3 is a resin layer and a sheet via the film according to the first embodiment. The schematic diagram of the wafer covered with, FIG. 4 is a diagram showing the influence of dust contamination in the resin layer forming step.
ウエ―ハＷは円盤状に形成され、ウエーハＷの一方の面Ｗ１にはバンプＢが突出形成されている。ウエーハＷの他方の面Ｗ２は、ウエーハＷを所定の厚みにするために研削される。ウエーハＷとしては、シリコン等の材料でなる半導体ウエーハが用いられる。 The wafer W is formed in a disk shape, and a bump B is formed so as to project on one surface W1 of the wafer W. The other surface W2 of the wafer W is ground to bring the wafer W to a predetermined thickness. As the wafer W, a semiconductor wafer made of a material such as silicon is used.
バンプＢの材料としては、金、銅、ニッケル、アルミ、錫及びこれらの組み合わせ等が挙げられる。バンプＢはウエーハの一方の面Ｗ１に例えば球状で形成され、数量、構造、配置等は特に限定されない。バンプＢの高さは、ウエーハＷの一方の面Ｗ１から、例えば１００μｍ～２５０μｍ程度の高さとなるように形成されている。バンプＢの代わりに、他の機能を持つ凸凹状の構造が形成されていてもよい。 Examples of the material of the bump B include gold, copper, nickel, aluminum, tin, and combinations thereof. The bump B is formed on one surface W1 of the wafer, for example, in a spherical shape, and the quantity, structure, arrangement, and the like are not particularly limited. The height of the bump B is formed so as to be, for example, about 100 μm to 250 μm from one surface W1 of the wafer W. Instead of the bump B, an uneven structure having another function may be formed.
ここで、従来、バンプが形成されるウエーハを研削する際、バンプの高さによる影響を抑えるために、ウエーハの一方の面にバンプが埋没される厚みの糊層を備えた保護テープを貼着している。また、バンプが埋没されるようにウエーハの一方の面に樹脂層を形成し、樹脂層を平坦化している。しかしながら、バンプが大きい場合、バンプを埋没させる糊層を保護テープに形成することは難しく、ウエーハを均一な厚みに研削することができない。また、研削後にウエーハから保護テープや樹脂層が剥がされる際、バンプに糊層や樹脂層が引っ掛かり易くなり、これらの一部がバンプの根本に残ってしまう問題がある。 Here, conventionally, when grinding a wafer on which bumps are formed, a protective tape having a thickness of glue layer in which the bumps are embedded is attached to one surface of the wafer in order to suppress the influence of the height of the bumps. is doing. Further, a resin layer is formed on one surface of the wafer so that the bumps are buried, and the resin layer is flattened. However, when the bumps are large, it is difficult to form a glue layer on the protective tape to bury the bumps, and the wafer cannot be ground to a uniform thickness. Further, when the protective tape or the resin layer is peeled off from the wafer after grinding, the glue layer or the resin layer is likely to be caught on the bump, and there is a problem that a part of them remains at the root of the bump.
そこで、図２に示すように、第１のテーブル５にウエーハＷの他方の面Ｗ２を保持した状態で、一方の面Ｗ１のバンプＢの形状にならわせて薄いフィルムＦを密着させ、このフィルムＦを介して、樹脂層Ｒ２（図４参照）を形成する方法が検討されている。樹脂層Ｒ２は、ウエーハＷの一方の面Ｗ１を、フィルムＦを介してシートＳ（図４Ａ参照）上の樹脂に押し当てることで形成される。これにより、図３に示すように、ウエーハＷの一方の面Ｗ１に、フィルムＦを介して、バンプＢが埋没される厚みの樹脂層Ｒ２が形成される。シートＳをウエーハＷから引き剥がすことにより、ウエーハＷからフィルムＦ、樹脂層Ｒ２及びシートＳを容易に剥離することができる。 Therefore, as shown in FIG. 2, in a state where the other surface W2 of the wafer W is held on the first table 5, a thin film F is brought into close contact with the shape of the bump B of the one surface W1. A method of forming the resin layer R2 (see FIG. 4) via F has been studied. The resin layer R2 is formed by pressing one surface W1 of the wafer W against the resin on the sheet S (see FIG. 4A) via the film F. As a result, as shown in FIG. 3, a resin layer R2 having a thickness in which the bump B is embedded is formed on one surface W1 of the wafer W via the film F. By peeling the sheet S from the wafer W, the film F, the resin layer R2 and the sheet S can be easily peeled from the wafer W.
樹脂層Ｒ２の形成においては、図４Ａに示すように、まず、第２のテーブル６に載置されたシートＳ（図４Ａ参照）の上に樹脂を供給する。そして、第１のテーブル５で、フィルムＦを密着させたウエーハＷの裏面Ｗ２を保持し、フィルムＦを介してウエーハＷの一方の面Ｗ１を樹脂に押し当てることにより樹脂を押し広げる。この状態で樹脂を硬化させることにより、ウエーハＷの一方の面Ｗ１に、フィルムＦを介して、樹脂層Ｒ２が形成される。 In the formation of the resin layer R2, as shown in FIG. 4A, first, the resin is supplied onto the sheet S (see FIG. 4A) placed on the second table 6. Then, on the first table 5, the back surface W2 of the wafer W to which the film F is in close contact is held, and one surface W1 of the wafer W is pressed against the resin through the film F to spread the resin. By curing the resin in this state, the resin layer R2 is formed on one surface W1 of the wafer W via the film F.
しかしながら、図４Ａに示すように、樹脂層Ｒ２を形成する際に、第１のテーブル５とウエーハＷの他方の面Ｗ２との間にゴミＤ１が入ると、ゴミＤ１にウエーハＷが押し込まれて、ゴミＤ１の部分において、樹脂層Ｒ２に凹みが形成される。この場合、図４Ｂに示すように、ウエーハＷが研削される際にウエーハＷが研削用のテーブルに置き直されて、ゴミＤ１が取り除かれると、樹脂層Ｒ２の凹みの部分でウエーハＷが凹んだ状態となる。ウエーハが凹んだ状態で、ウエーハＷの他方の面Ｗ２が研削されると、ウエーハＷを均一な厚みにすることができない。 However, as shown in FIG. 4A, when the dust D1 enters between the first table 5 and the other surface W2 of the wafer W when the resin layer R2 is formed, the wafer W is pushed into the dust D1. In the portion of the dust D1, a dent is formed in the resin layer R2. In this case, as shown in FIG. 4B, when the wafer W is repositioned on the grinding table when the wafer W is ground and the dust D1 is removed, the wafer W is dented at the recessed portion of the resin layer R2. It will be in a state. If the other surface W2 of the wafer W is ground while the wafer is recessed, the wafer W cannot be made to have a uniform thickness.
また、樹脂層Ｒ２を形成する際に、シートＳを載置する第２のテーブル６とシートＳとの間にゴミＤ２が入ると、ゴミＤ２にシートＳが押し込まれて、ゴミＤ２の部分で、樹脂層Ｒ２に凹みが形成され、均一な厚みの樹脂層Ｒ２が形成されない。この場合、図４Ｂに示すように、ウエーハＷが研削される際にウエーハＷが研削用のテーブルに置き直されてゴミＤ２が取り除かれると、ゴミＤ２の影響で樹脂層Ｒ２が薄く形成された部分でウエーハＷが凹む。この状態でウエーハＷの他方の面Ｗ２が研削されると、樹脂層Ｒ２の影響を受けて、ウエーハＷを均一な厚みにすることができない。 Further, when the dust D2 enters between the second table 6 on which the sheet S is placed and the sheet S when the resin layer R2 is formed, the sheet S is pushed into the dust D2 and the dust D2 portion. , A dent is formed in the resin layer R2, and the resin layer R2 having a uniform thickness is not formed. In this case, as shown in FIG. 4B, when the wafer W was repositioned on the grinding table and the dust D2 was removed when the wafer W was ground, the resin layer R2 was thinly formed due to the influence of the dust D2. Wafer W is dented at the part. If the other surface W2 of the wafer W is ground in this state, the wafer W cannot be made to have a uniform thickness due to the influence of the resin layer R2.
この問題を解決するために、樹脂層Ｒ２を形成する際にゴミＤ１、Ｄ２が入らないように、第１のテーブル５及び第２のテーブル６を清掃する場合、洗浄機構が必要になるため装置構成が複雑になる。また、洗浄時間が必要になるため、操作が煩雑になる。このため、洗浄をしなくとも、ゴミＤ１、Ｄ２の影響を抑え、研削したウエーハＷの厚みが均一になる加工方法が必要とされている。 In order to solve this problem, when cleaning the first table 5 and the second table 6 so that dusts D1 and D2 do not enter when forming the resin layer R2, a cleaning mechanism is required. The configuration becomes complicated. In addition, cleaning time is required, which complicates the operation. Therefore, there is a need for a processing method that suppresses the influence of dust D1 and D2 and makes the thickness of the ground wafer W uniform without cleaning.
そこで、本実施の形態においては、図４Ｃに示すように、ウエーハＷの他方の面Ｗ２を保持した（シートＳ側が上面になる）状態で、樹脂層Ｒ２の厚みが均一でないことにより生じるシートＳの凹み部分を削り取る高さ（二点鎖線）までシートＳを切削する。すなわち、シートＳの表面の高さｈから、凹み部分が削り取られる高さｈ´まで、シートＳを切削する。これにより、シートＳと樹脂層Ｒ２との合計厚みを均一にすることができるため、シートＳを保持してウエーハＷの他方の面Ｗ２を研削する際に、ゴミＤ１、Ｄ２に起因する樹脂層Ｒ２の厚みの影響を抑えて、ウエーハＷの厚みを均一にすることができる。 Therefore, in the present embodiment, as shown in FIG. 4C, the sheet S generated by the non-uniform thickness of the resin layer R2 while holding the other surface W2 of the wafer W (the sheet S side is the upper surface). The sheet S is cut to a height (two-dot chain line) at which the recessed portion of the is scraped off. That is, the sheet S is cut from the height h of the surface of the sheet S to the height h'where the recessed portion is scraped off. As a result, the total thickness of the sheet S and the resin layer R2 can be made uniform, so that when the sheet S is held and the other surface W2 of the wafer W is ground, the resin layer caused by dusts D1 and D2 is formed. The influence of the thickness of R2 can be suppressed and the thickness of the wafer W can be made uniform.
以下、図５から図１２を参照して、第１の実施の形態に係るウエーハの研削方法について説明する。第１の実施の形態に係るウエーハの研削方法は、フィルム貼着工程、保持工程、フィルム密着工程、樹脂層形成工程、外周除去工程、切削工程、研削工程を含んでいる。図５は第１の実施の形態に係るフィルム貼着工程、図６は保持工程、図７はフィルム密着工程、図８及び図９は樹脂層形成工程、図１０は外周除去工程、図１１は切削工程、図１２は研削工程を示す図である。 Hereinafter, the method of grinding the wafer according to the first embodiment will be described with reference to FIGS. 5 to 12. The method for grinding a wafer according to the first embodiment includes a film attaching step, a holding step, a film adhesion step, a resin layer forming step, an outer peripheral removing step, a cutting step, and a grinding step. 5 is a film attaching step according to the first embodiment, FIG. 6 is a holding step, FIG. 7 is a film adhesion step, FIGS. 8 and 9 are resin layer forming steps, FIG. 10 is an outer peripheral removing step, and FIG. 11 is. The cutting process, FIG. 12 is a diagram showing a grinding process.
図５に示すように、まずフィルム貼着装置においてフィルム貼着工程が実施される。図５Ａに示すように、フィルムＦは、例えば、樹脂等の材料からなる柔軟なフィルムであり、ウエーハＷの外径より大きい径を有する円形状に形成されている。フィルムＦには、外周に沿ってリング状の糊層Ｐが形成されている。また、リングフレーム１０には、ウエーハＷを収容可能な開口が形成されている。
As shown in FIG. 5, first, the film pasting step is carried out in the film pasting apparatus. As shown in FIG. 5A, the film F is a flexible film made of a material such as a resin, and is formed in a circular shape having a diameter larger than the outer diameter of the wafer W. A ring-shaped glue layer P is formed on the film F along the outer periphery. Further, the
図５Ｂは、図５Ａの部分拡大図である。図５Ｂに示すように、フィルムＦは、糊層Ｐを介してリングフレーム１０に貼着される。フィルムＦの厚みとしては、特に限定されないが、例えば、３０μｍ～１５０μｍ程度の厚みであることが好ましい。これにより、後述するフィルム密着工程において、ウエーハＷの形状にならってフィルムＦをウエーハＷに密着させることができる。なお、フィルムＦのリングフレーム１０への貼着は、オペレータにより行われてもよい。
FIG. 5B is a partially enlarged view of FIG. 5A. As shown in FIG. 5B, the film F is attached to the
図６に示すように、フィルム貼着工程の後には、樹脂貼装置において保持工程が実施される。図６Ａに示すように、樹脂貼装置は、第１のテーブル２１を備えている。第１のテーブル２１の表面には、多孔質のポーラス材によってウエーハＷを保持するウエーハ保持部２３が形成されている。ウエーハ保持部２３は、第１のテーブル２１内の流路を通じて切換弁３１に接続されており、切換弁３１を介して吸引源３５又はエア源３６に接続される。ウエーハ保持部２３がポーラス材で形成されることにより、ウエーハＷの保持面を略平坦に形成できる。これにより、後述する樹脂層形成工程で、第１のテーブル２１でウエーハＷを保持した状態でウエーハＷの一方の面Ｗ１に樹脂層Ｒ２が形成される際に、ウエーハＷの波立ちにより樹脂層Ｒ２が不均一な厚みに形成されることが防止される。
As shown in FIG. 6, after the film pasting step, the holding step is carried out in the resin pasting apparatus. As shown in FIG. 6A, the resin pasting device includes a first table 21. On the surface of the first table 21, a
第１のテーブル２１の外周部には、リングフレーム１０を保持するリング状のフレーム保持部２４が形成されている。フレーム保持部２４の外周には、複数の吸引孔が形成されている。吸引孔は、第１のテーブル２１内の流路を通じて切換弁３２に接続されており、切換弁３２を介して吸引源３７又はエア源３８に接続される。フレーム保持部２４は、ウエーハ保持部２３と段差を設けて形成され、ウエーハ保持部２３よりも高い位置に設けられている。これにより、ウエーハＷがフィルムＦで覆われた際に、後述する密室Ｃが形成され易くなる。フレーム保持部２４とウエーハ保持部２３との間には吸引路２８が形成されており、吸引路２８は切換弁３３を介して真空吸引源３９に連通している。また、第１のテーブル２１には、反転手段２５が備えられ、第１のテーブル２１が反転可能となっており、反転手段２５には昇降手段２６が備えられ、第１のテーブル２１が昇降可能となっている。
A ring-shaped
第１のテーブル２１の上方には、フィルムＦが貼着されたリングフレーム１０を吸引保持するフレーム搬送手段４０が設けられている。フレーム搬送手段４０は、ウエーハＷの外径より大きい径を有する円盤状の支持板の外周部に、複数の保持パッド４１が設けられて形成されている。各保持パッド４１は、支持板内の流路を通じて切換弁４５に接続されており、切換弁４５を介して吸引源４６又はエア源４７に接続される。フレーム搬送手段４０には移動機構（不図示）が備えられ、フレーム搬送手段４０は、リングフレーム１０を保持した状態で垂直方向に移動可能となっている。
Above the first table 21, a frame transport means 40 for sucking and holding the
図６Ａに示すように、第１のテーブル２１のウエーハ保持部２３に、ウエーハＷの他方の面Ｗ２が下面になるようにウエーハＷが載置される。このとき、切換弁３１は吸引源３５に接続され、ウエーハ保持部２３に負圧が生じる。これにより、ウエーハＷは、バンプＢが形成される一方の面Ｗ１が上面になる状態で第１のテーブル２１に保持される。また、切換弁３２は吸引源３７に接続され、フレーム保持部２４の吸引孔に負圧が生じる。切換弁３３は真空吸引源３９から遮断されているため、フレーム保持部２４及び吸引路２８に負圧は生じていない。また、フレーム搬送手段４０の保持パッド４１によりリングフレーム１０が保持され、フィルムＦがウエーハＷの一方の面Ｗ１を覆うように、リングフレーム１０がフレーム保持部２４の上方に位置付けられる。このとき、切換弁４５は吸引源４６に接続され、保持パッド４１に負圧が生じている。
As shown in FIG. 6A, the wafer W is placed on the
そして、図６Ｂに示すように、昇降機構（不図示）によりフレーム搬送手段４０が下降され、リングフレーム１０がフレーム保持部２４に載置される。これにより、フィルムＦでウエーハＷの一方の面Ｗ１が覆われ、フィルムＦと、ウエーハＷの外面と、ウエーハ保持部２３の上面と、フレーム保持部２４の側面及び上面で囲まれた空間には密室Ｃが形成される。
Then, as shown in FIG. 6B, the frame transport means 40 is lowered by the elevating mechanism (not shown), and the
このとき、切換弁４５は切り換えられエア源４７に接続され、保持パッド４１からリングフレーム１０が離される。また、フレーム保持部２４の吸引孔に生じる負圧により、フィルムＦを介してリングフレーム１０が保持される。
At this time, the switching
図７に示すように、保持工程の後には、フィルム密着工程が実施される。図７に示すように、切換弁３３は切り換えられて真空供給源３９に連通され、吸引路２８に負圧が生じることより、密室Ｃが減圧される。これにより、大気圧により、フィルムＦがウエーハＷの一方の面Ｗ１に押しつけられ、引き伸ばされる。バンプＢの凸凹形状にならって、ウエーハＷの一方の面Ｗ１にフィルムＦを密着させることができる。
As shown in FIG. 7, a film adhesion step is carried out after the holding step. As shown in FIG. 7, the switching
図８及び図９に示すように、フィルム密着工程の後には、樹脂層形成工程が実施される。図８Ａに示すように、樹脂貼装置は、詳細は記載しないが、第１のテーブル２１の下方に第２のテーブル５１を備えており、第２のテーブル５１では樹脂等でなる略平坦なシートＳが保持される。第２のテーブル５１の上面には、ウエーハＷより径の大きい円形の凹部５１ａが形成されている。
As shown in FIGS. 8 and 9, a resin layer forming step is carried out after the film adhesion step. As shown in FIG. 8A, although the details of the resin pasting device are not described, the second table 51 is provided below the first table 21, and the second table 51 is a substantially flat sheet made of resin or the like. S is retained. A
凹部５１ａの内側には、複数の紫外線照射部５５が配置されている。凹部５１ａの上端は、紫外線照射部５５から放射される紫外線の少なくとも一部を透過させるガラス板等のプレート５３で覆われており、第２のテーブル５１の上面の一部を形成している。プレート５３によって、シートＳの中央部分が支持される。第２のテーブル５１の外周部分には、複数の吸引孔が形成されている。吸引孔は第２のテーブル５１内の流路を通じて切換弁５６に接続されており、切換弁５６を介して吸引源５７又はエア源５８に接続される。
A plurality of
シートＳは、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）等の材料からなり、ウエーハＷの外径より大きい径を有する円形状に形成されている。シートＳの厚みとしては、特に限定されないが、例えば、２００μｍ～３００μｍ程度の厚みであることが好ましい。これにより、シートＳを、ゴミＤ１、Ｄ２（図４Ａ参照）の厚み以上とすることができる。よって、後述する切削工程において、ゴミＤ１及びゴミＤ２により生じるシートＳの凹み部分（図４Ｃ参照）を効果的に削る取ることができる。 The sheet S is made of a material such as polyethylene terephthalate (PET), and is formed in a circular shape having a diameter larger than the outer diameter of the wafer W. The thickness of the sheet S is not particularly limited, but is preferably about 200 μm to 300 μm, for example. As a result, the sheet S can be made thicker than the thicknesses of the dusts D1 and D2 (see FIG. 4A). Therefore, in the cutting step described later, the recessed portion of the sheet S (see FIG. 4C) caused by the dust D1 and the dust D2 can be effectively scraped off.
第２のテーブル５１の上方には、シートＳの上に液状樹脂を供給する液状樹脂供給手段５９が設けられている。液状樹脂Ｒ１としては、例えば、紫外線照射部５５から放射される紫外線の光エネルギーによって硬化する紫外線硬化性の液状樹脂Ｒ１が用いられる。
Above the second table 51, a liquid resin supply means 59 for supplying the liquid resin on the sheet S is provided. As the liquid resin R1, for example, an ultraviolet curable liquid resin R1 that is cured by the light energy of the ultraviolet rays radiated from the
図８Ａに示すように、第２のテーブル５１の上面にシートＳが敷かれる。このとき、切換弁５６は吸引源５７に接続され、第２のテーブル５１の外周に形成される吸引孔に負圧が生じ、シートＳが第２のテーブル５１に保持される。そして、図８Ｂに示すように、液状樹脂供給手段５９により、シートＳの中心付近に紫外線硬化性の液状樹脂Ｒ１が供給される。ウエーハＷの一方の面Ｗ１全面が覆われるように、液状樹脂Ｒ１の供給量が調整される。
As shown in FIG. 8A, the sheet S is laid on the upper surface of the second table 51. At this time, the switching
次に、図９Ａに示すように、第１のテーブル２１にはフィルム密着工程でフィルムＦが密着された状態のウエーハＷが保持されている。上記したように、第２のテーブル５１の上方に、第１のテーブル２１が位置付けられ、反転手段２５により第１のテーブル２１が反転されて、ウエーハＷの一方の面Ｗ１に密着されるフィルムＦが、第２のテーブル５１に保持されるシートＳに対面される。 Next, as shown in FIG. 9A, the wafer W in a state where the film F is adhered in the film adhesion step is held on the first table 21. As described above, the first table 21 is positioned above the second table 51, the first table 21 is inverted by the inversion means 25, and the film F is brought into close contact with one surface W1 of the wafer W. Faces the sheet S held in the second table 51.
そして、図９Ｂに示すように、昇降手段２６により第１のテーブル２１が下降される。フィルムＦとシートＳとが接近し、フィルムＦを介してウエーハＷが液状樹脂Ｒ１に押し当てられる。これにより、シートＳの上の液状樹脂Ｒ１がウエーハＷの面積以上に広げられ、フィルムＦを介してウエーハＷを被覆する。この状態で、液状樹脂Ｒ１に紫外線照射部５５から紫外線を照射することにより、液状樹脂Ｒ１が硬化して、フィルムＦとシートＳとの間に、バンプＢの凸凹形状を埋没させる厚みの樹脂層Ｒ２が形成される。なお、ウエーハＷが埋没される樹脂層Ｒ２が形成されるように、昇降手段２６による第１のテーブル２１の下降量が調整される。
Then, as shown in FIG. 9B, the first table 21 is lowered by the elevating
樹脂層Ｒ２が形成された後、図９Ｃに示すように、切換弁５６は切り換えられエア源５８に接続され第２のテーブル５１のシートＳの保持が解除され、昇降手段２６により第１のテーブル２１が上昇される。これにより、樹脂層Ｒ２及びシートＳが第２のテーブル５１から離され、第１のテーブル２１に保持されるウエーハＷが、樹脂層Ｒ２及びシートＳで被覆された状態で移動される。なお、このとき、切換弁３３は真空吸引源３９から遮断されていてもよい。
After the resin layer R2 is formed, as shown in FIG. 9C, the switching
このように、樹脂層Ｒ２によってウエーハＷの一方の面Ｗ１に形成されるバンプＢを埋没させることで、バンプＢの凸凹形状の影響を抑えて、後述する研削工程における基準面を形成できる。また、樹脂が硬化されて樹脂層Ｒ２が形成されることにより、フィルム密着工程においてウエーハＷの一方の面Ｗ１に密着されたフィルムＦは、密着された状態が維持される。 By burying the bump B formed on one surface W1 of the wafer W by the resin layer R2 in this way, the influence of the uneven shape of the bump B can be suppressed and the reference surface in the grinding process described later can be formed. Further, by curing the resin and forming the resin layer R2, the film F adhered to one surface W1 of the wafer W in the film adhesion step is maintained in the adhered state.
ここで、保持工程において、第１のテーブル２１とウエーハＷとの間にゴミＤ１（図４Ａ参照）が入った状態で第１のテーブル２１にウエーハＷが保持される場合、樹脂層Ｒ２は均一な厚みに形成されていない（図４Ａ参照）。また、樹脂層形成工程において、第２のテーブル５１とシートＳとの間にゴミＤ２（図４Ａ参照）が入った状態で第２のテーブル５１にシートＳが保持される場合、樹脂層Ｒ２が均一な厚みに形成されていない。 Here, in the holding step, when the wafer W is held in the first table 21 with dust D1 (see FIG. 4A) between the first table 21 and the wafer W, the resin layer R2 is uniform. It is not formed to a sufficient thickness (see FIG. 4A). Further, in the resin layer forming step, when the sheet S is held on the second table 51 with dust D2 (see FIG. 4A) between the second table 51 and the sheet S, the resin layer R2 is formed. Not formed to a uniform thickness.
図１０に示すように、樹脂層形成工程の後には、外周除去工程が実施される。図１０Ａに示すように、第１のテーブル２１の上方には、切断手段６０が設けられている。切断手段６０は、回転台６１の下面から下方に突出したカッター６２を有している。回転台６１は、Ｚ軸回りに回転可能、かつＺ軸方向に移動可能に形成されている。カッター６２は、ウエーハＷの外形寸法に合わせて刃の位置が調整されている。切断手段６０は、下方に配置されたフィルムＦを介して樹脂層Ｒ２及びシートＳで被覆されるウエーハＷに対して、回転台６１のＺ軸方向の移動によりシートＳ、樹脂層Ｒ２及びフィルムＦに対する切り込み深さを調整し、回転台６１の回転によりシートＳ、樹脂層Ｒ２及びフィルムＦをウエーハＷの外形に沿って切断する。
As shown in FIG. 10, after the resin layer forming step, an outer peripheral removing step is carried out. As shown in FIG. 10A, a cutting means 60 is provided above the first table 21. The cutting means 60 has a
また、第１のテーブル２１の上方には、搬送機構７０（図１０Ｂ参照）が設けられている。搬送機構７０は、搬送パッド７１を有しており、搬送パッド７１の下面にはウエーハＷを吸引保持する保持面７２を有する多孔質のポーラス板が備えられている。保持面７２は搬送パッド７１内の流路を通じて切換弁７５に接続されており、切換弁７５を介して吸引源７６又はエア源７７に接続される。また、搬送機構７０に設けられる移動手段７４で搬送パッド７１を旋回させることで、搬送パッド７１に保持されるウエーハＷを搬送することができる。
Further, a transport mechanism 70 (see FIG. 10B) is provided above the first table 21. The
図１０Ａに示すように、反転手段２５により、第１のテーブル２１が反転され、ウエーハＷは、フィルムを介して樹脂層Ｒ２及びシートＳで被覆される一方の面Ｗ１が上面になる状態となる。第１のテーブル２１の上方に、切断手段６０が位置付けられる。回転台６１が下降され、シートＳ、樹脂層Ｒ２及びフィルムＦにカッター６２が切り込まれる。回転台６１が回転することにより、ウエーハＷの外周に沿って、シートＳ、樹脂層Ｒ２及びフィルムＦが切断される。なお、このとき、切換弁３３は真空吸引源３９から遮断されていてもよい。
As shown in FIG. 10A, the first table 21 is inverted by the inversion means 25, and the wafer W is in a state where one surface W1 covered with the resin layer R2 and the sheet S via the film is on the upper surface. .. The cutting means 60 is positioned above the first table 21. The rotary table 61 is lowered, and the
切断後、図１０Ｂに示すように、第１のテーブル２１の切換弁３１、３２は切り換えられエア源３６、３８に接続され、切換弁３３は切り換えられ真空吸引源３９から遮断される。これにより、第１のテーブル２１によるウエーハＷ及びリングフレーム１０の吸引保持が解除される。また、搬送機構７０がウエーハＷの上方に移動され、搬送パッド７１がウエーハＷの中央部分を被覆するシートＳに接触される。このとき、搬送パッド７１の切換弁７５が吸引源７６に接続され、搬送パッド７１に生じる負圧により、搬送パッド７１にシートＳを介してウエーハＷが保持される。そして、図１０Ｃに示すように、移動手段７４により搬送パッド７１が旋回されることで、ウエーハＷが第１のテーブル２１から搬出される。切断されたウエーハＷの外周部分はリングフレーム１０とともにウエーハＷの中央部分から離され、除去される。
After cutting, as shown in FIG. 10B, the switching
図１１に示すように、外周除去工程の後には、バイト切削装置において切削工程が行われる。図１１Ａに示すように、バイト切削装置は、ピンチャックテーブル９１を備えている。ピンチャックテーブル９１の上面には、ウエーハＷより径の小さい円形の凹部９１ａが形成されており、上面の凹部９１ａを囲む領域はリング部９３を形成している。リング部９３は、凹部９１ａの底面の外周部から上方に突出形成されている。凹部９１ａの底面には、複数のピン９２が立設されている。各ピン９２は柱状に形成され、各ピン９２の高さはリング部９３の高さと揃えられている。隣接するピン９２の間隔は略同一であり、複数のピン９２の先端及びリング部９３によりウエーハＷの他方の面Ｗ２を支持する平坦な支持面が形成される。ピンチャックテーブル９１によりウエーハＷが保持されることにより、ウエーハＷとピンチャックテーブル９１との間にゴミが入ることが防止される。
As shown in FIG. 11, after the outer peripheral removing step, a cutting step is performed in the tool cutting device. As shown in FIG. 11A, the tool cutting device includes a pin chuck table 91. A
また、凹部９１ａの底面には吸引源９８に連通する連通口９５が形成されている。連通口９５はピンチャックテーブル９１内の流路を通じて切換弁９７に接続されており、切換弁９７を介して吸引源９８又はエア源９９に接続される。吸引源９８の駆動によって凹部９１ａ内に負圧が生じ、この負圧によってウエーハＷをリング部９３及びピン９２上で吸引保持することができる。また、ピンチャックテーブル９１には切削送り手段９６が設けられており、切削送り手段９６により、ピンチャックテーブル９１が切削送りされる。
Further, a
ピンチャックテーブル９１の上方には、切削手段１００が設けられている。切削手段１００は、スピンドル１０５の下端に円盤状のマウント１０６を備えている。モータ（不図示）によってスピンドル１０５は回転され、これによりマウント１０６が回転される。マウント１０６の下面には、刃部を有する切削バイト１０１が取り付けられ、この切削バイト１０１によりウエーハＷを被覆するシートＳが切削される。切削中は加工部分に向けて切削水を噴射することにより、切削屑が除去される。切削バイト１０１としては、例えば、ダイヤモンド、超硬合金、ＣＢＮ等の硬質材料が使用される。また、切削手段１００は、Ｚ軸方向に移動可能に形成されている。切削バイト１０１でシートＳを切削することにより、シートＳを上から押し付けることがない。このため、研削砥石でシートＳを研削する場合と比べて、ウエーハＷへの加工負荷を抑えることができる。これにより、ピン９２の形状がウエーハＷへ転写されることが抑えられ、ウエーハＷ並びにウエーハＷを被覆する樹脂層Ｒ２及びシートＳが波立つことが抑えられる。これにより、シートＳの表面を平坦に切削することができる。
A cutting means 100 is provided above the pin chuck table 91. The cutting means 100 includes a disk-shaped
図１１Ａに示すように、ピンチャックテーブル９１に、フィルムＦを介して樹脂層Ｒ２及びシートＳで被覆される一方の面Ｗ１が上面にようになるように、ウエーハＷが載置される。ピン９２の先端が他方の面Ｗ２に接触され、リング部９３がウエーハＷの外周全周に接触されることにより、ウエーハＷの他方の面Ｗ２及びリング部９３で凹部９１ａ内は塞がれ、密閉された空間となる。このとき、切換弁９７は吸引源９８に接続され、凹部９１ａ内に生じる負圧により、ウエーハＷがピンチャックテーブル９１に吸引保持される。
As shown in FIG. 11A, a wafer W is placed on the pin chuck table 91 so that one surface W1 covered with the resin layer R2 and the sheet S via the film F is on the upper surface. The tip of the
スピンドル１０５が回転され切削バイト１０１が回転される。この状態で、シートＳを所定量削り込む高さ、すなわち樹脂層Ｒ２が均一な厚みに形成されないことによるシートＳの凹み部分（図４Ｃ参照）が削り取られる高さｈ´まで切削手段１００を下降させておく。そして、切削送り手段９６によって、切削手段１００の下方の加工位置方向に所定速度でピンチャックテーブル９１を移動させる。これにより、シートＳの表面が切削バイト１０１によって切削されていき、ウエーハＷの一方の面Ｗ１側を被覆するシートＳの表面全面が切削され、ウエーハＷの他方の面Ｗ２に対して平行な被切削面Ｓ１が形成される。これにより、シートＳの凹み部分が削り取られて、シートＳと樹脂層Ｒ２との合計厚みを均一にすることができる（図４Ｃ参照）。
The
切削後、図１１Ｂに示すように、ピンチャックテーブル９１の切換弁９７は切り換えられエア源９９に接続され、ピンチャックテーブル９１によるウエーハＷの吸引保持が解除される。そして、搬送機構１１０がウエーハＷの上方に移動され、搬送パッド１１１がウエーハＷを被覆するシートＳに接触される。吸引源１１６により搬送パッド１１１に生じる負圧により、搬送パッド１１１にシートＳを介してウエーハＷが保持され、移動手段１１４により搬送パッド１１１が旋回されることで、ウエーハＷがピンチャックテーブル９１から搬出される。
After cutting, as shown in FIG. 11B, the switching
図１２に示すように、切削工程の後には、研削装置において研削工程が行われる。図１２Ａに示すように、研削装置は、第３のテーブル１２１を備えている。第３のテーブル１２１の下方には、第３のテーブル１２１を回転させる回転手段１２２が設けられている。また、第３のテーブル１２１の上面には、多孔質のポーラス材によってウエーハＷを吸引保持する保持面１２３が形成されている。保持面１２３は、第３のテーブル１２１内の流路を通じて切換弁１２５に接続されており、切換弁１２５を介して吸引源１２６又はエア源１２７に接続される。吸引源１２６への接続により、保持面１２３に生じる負圧でウエーハＷが吸引保持される。
As shown in FIG. 12, after the cutting step, the grinding step is performed in the grinding device. As shown in FIG. 12A, the grinding device includes a third table 121. Below the third table 121, a rotating means 122 for rotating the third table 121 is provided. Further, on the upper surface of the third table 121, a holding
第３のテーブル１２１の上方には、研削手段１３０が設けられている。研削手段１３０は、モータ（不図示）を含むスピンドル１３３の下端に円盤状のマウント１３５を設けて構成されている。マウント１３５の下面には、ホイール基台１３６に複数の研削砥石１３７が真円の環状に配設された研削ホイール１３８が回転可能に装着されている。研削ホイール１３８は、スピンドル１３３の駆動によって回転される。複数の研削砥石１３７は、例えば、ダイヤモンド砥粒をメタルボンド等のボンド剤で固めたセグメント砥石で構成される。研削砥石１３７により、第３のテーブル１２１に保持されたウエーハＷが研削される。また、研削手段１３０は、研削送り手段（不図示）によりＺ軸方向に移動可能となっている。
A grinding means 130 is provided above the third table 121. The grinding means 130 is configured by providing a disk-shaped
図１２Ａに示すように、第３のテーブル１２１の保持面１２３に、切削工程で切削したシートＳの被切削面Ｓ１が下面になるように、ウエーハＷが載置される。このとき、切換弁１２５は吸引源１２６に接続され、保持面１２３に生じる負圧により、第３のテーブル１２１にウエーハＷが保持される。
As shown in FIG. 12A, the wafer W is placed on the holding
スピンドル１３３が回転され研削ホイール１３８が回転される。ウエーハＷは第３のテーブル１２１の回転により回転し、回転する研削ホイール１３８が研削送り手段（不図示）によりＺ軸方向に研削送りされ、研削砥石１３７がウエーハＷの他方の面Ｗ２に接触されることにより、ウエーハＷが研削される。そして、図１２Ｂに示すように、所定の厚みとなるまでウエーハＷが研削される。
The
このように、切削工程においてシートＳを切削することにより、ゴミＤ１、Ｄ２（図４Ａ参照）の影響で生じるシートＳの凹みを削り取ることができるため、シートＳと樹脂層Ｒ２との合計厚みを均一できる（図４Ｃ参照）。よって、シートＳに凹みが生じている部分も生じていない部分も、シートＳ及び樹脂層Ｒ２が同じ厚みになるように調整できる。これにより、研削工程において、シートＳの被切削面Ｓ１を下面にしてウエーハＷの他方の面Ｗ２を研削すると、シートＳ及び樹脂層Ｒ２の平坦面を基準にウエーハを研削できる。このため、ゴミＤ１、Ｄ２の影響で樹脂層Ｒ２が均一な厚みに形成されない場合であっても、ウエーハＷを平坦に研削することができる。 In this way, by cutting the sheet S in the cutting process, the dents of the sheet S caused by the influence of dusts D1 and D2 (see FIG. 4A) can be scraped off, so that the total thickness of the sheet S and the resin layer R2 can be reduced. It can be made uniform (see FIG. 4C). Therefore, it is possible to adjust so that the sheet S and the resin layer R2 have the same thickness in both the portion where the dent is generated and the portion where the dent is not generated in the sheet S. Thereby, in the grinding step, when the other surface W2 of the wafer W is ground with the machined surface S1 of the sheet S as the lower surface, the wafer can be ground with the flat surface of the sheet S and the resin layer R2 as a reference. Therefore, even when the resin layer R2 is not formed to have a uniform thickness due to the influence of dusts D1 and D2, the wafer W can be ground flat.
研削工程の後には、研削されたウエーハＷから、フィルムＦ、樹脂層Ｒ２及びシートＳが剥離される。ウエーハＷからシートＳの端部側を引き剥がすように、ウエーハＷとシートＳとを相対的に移動させる。フィルムＦを介して樹脂層Ｒ２が形成されているため、シートＳをウエーハＷから剥離することで、ウエーハＷから、フィルムＦ、樹脂層Ｒ２及びシートＳをまとめて剥離でき、バンプＢに樹脂層Ｒ２が残ることがない。 After the grinding step, the film F, the resin layer R2, and the sheet S are peeled from the ground wafer W. The wafer W and the sheet S are relatively moved so as to peel off the end side of the sheet S from the wafer W. Since the resin layer R2 is formed via the film F, by peeling the sheet S from the wafer W, the film F, the resin layer R2 and the sheet S can be peeled together from the wafer W, and the resin layer can be peeled off from the bump B. R2 does not remain.
以上のように、第１の実施の形態に係るウエーハＷの研削方法では、第１のテーブル２１でウエーハＷの他方の面Ｗ２を保持した状態で、バンプＢが形成されたウエーハＷの一方の面Ｗ１側に、バンプＢの凸凹形状にならってフィルムＦを密着させる。その後、第２のテーブル５１に敷かれたシートＳの上に紫外線硬化性の液状樹脂Ｒ１を供給し、フィルムＦを介してウエーハＷと液状樹脂Ｒ１を押し当てた状態で液状樹脂Ｒ１を硬化させることで、フィルムＦとシートＳとの間に樹脂層Ｒ２を形成する。これにより、樹脂層Ｒ２によってバンプＢを埋没させ、樹脂層Ｒ２の平坦面を基準にウエーハＷを研削できる。また、ウエーハＷの一方の面Ｗ１にフィルムＦを介して樹脂層Ｒ２が形成される。このため、シートＳをウエーハＷから剥離することで、樹脂層Ｒ２がウエーハＷに直接に形成される場合と比べて、ウエーハＷからフィルムＦ、樹脂層Ｒ２及びシートＳを容易に剥離することができ、バンプが大きくても樹脂層Ｒ２がバンプＢの根本に残ることがない。また、第１のテーブル２１とウエーハＷとの間に入ったゴミＤ１、及び第２のテーブル５１とシートＳとの間に入ったゴミＤ２により均一な厚みの樹脂層Ｒ２が形成されない場合でも、シートＳを切削バイト１０１で切削することで、シートＳと樹脂層Ｒ２との合計厚みを均一にすることができる。これにより、ウエーハＷの他方の面Ｗ２を研削する際に、シートＳ及び樹脂層Ｒ２の平坦面を基準にウエーハＷを研削できる。よって、ウエーハＷの厚みを均一にすることができ、ウエーハＷを平坦に研削することができる。
As described above, in the wafer W grinding method according to the first embodiment, one of the wafers W on which the bump B is formed is held while the other surface W2 of the wafer W is held by the first table 21. The film F is brought into close contact with the surface W1 in the shape of the uneven shape of the bump B. After that, the ultraviolet curable liquid resin R1 is supplied onto the sheet S laid on the second table 51, and the liquid resin R1 is cured in a state where the wafer W and the liquid resin R1 are pressed through the film F. As a result, the resin layer R2 is formed between the film F and the sheet S. As a result, the bump B can be buried by the resin layer R2, and the wafer W can be ground based on the flat surface of the resin layer R2. Further, the resin layer R2 is formed on one surface W1 of the wafer W via the film F. Therefore, by peeling the sheet S from the wafer W, the film F, the resin layer R2, and the sheet S can be easily peeled from the wafer W as compared with the case where the resin layer R2 is directly formed on the wafer W. Even if the bump is large, the resin layer R2 does not remain at the root of the bump B. Further, even when the dust D1 between the first table 21 and the wafer W and the dust D2 between the second table 51 and the sheet S do not form the resin layer R2 having a uniform thickness. By cutting the sheet S with the
次に、図１３から図２０を参照して、第２の実施の形態のウエーハの研削方法について説明する。図１３は保持工程、図１４はフィルム密着工程、図１５から図１７は樹脂層形成工程、図１８は切削工程、図１９は外周除去工程、図２０は研削工程を示す図である。なお、第２の実施の形態のウエーハＷの研削方法は、外周除去工程の前に切削工程が行われる点で第１の実施の形態と相違している。したがって、第１の実施の形態と相違する点についてのみ説明し、共通する構成については説明を省略する。 Next, the method of grinding the wafer according to the second embodiment will be described with reference to FIGS. 13 to 20. 13 is a holding process, FIG. 14 is a film adhesion process, FIGS. 15 to 17 are a resin layer forming process, FIG. 18 is a cutting process, FIG. 19 is a peripheral removing process, and FIG. 20 is a diagram showing a grinding process. The method of grinding the wafer W of the second embodiment is different from that of the first embodiment in that the cutting step is performed before the outer peripheral removing step. Therefore, only the differences from the first embodiment will be described, and the description of the common configuration will be omitted.
フィルム貼着工程において、フィルムＦがリングフレーム１０に貼着された後（図５参照）、図１３に示すように、保持工程が実施される。図１３Ａに示すように、第１のテーブル２１のウエーハ保持部２３に、ウエーハＷの他方の面Ｗ２が下面になるようにウエーハＷが吸引保持され、フレーム搬送手段４０の保持パッド４１に保持されたリングフレーム１０がフレーム保持部２４の上方に位置付けられる。そして、図１３Ｂに示すように、フレーム搬送手段４０が下降され、リングフレーム１０がフレーム保持部２４で保持される。これにより、フィルムＦでウエーハＷの一方の面Ｗ１が覆われて密室Ｃが形成される。
In the film attaching step, after the film F is attached to the ring frame 10 (see FIG. 5), the holding step is carried out as shown in FIG. As shown in FIG. 13A, the wafer W is sucked and held by the
図１４に示すように、保持工程の後には、フィルム密着工程が実施される。保持工程で形成された密室Ｃが減圧されることにより、大気圧でフィルムＦがウエーハＷの一方の面Ｗ１に押しつけられる。これにより、バンプＢの凸凹形状にならってウエーハＷの一方の面Ｗ１にフィルムＦが密着される。 As shown in FIG. 14, a film adhesion step is carried out after the holding step. By reducing the pressure in the closed chamber C formed in the holding step, the film F is pressed against one surface W1 of the wafer W at atmospheric pressure. As a result, the film F is brought into close contact with one surface W1 of the wafer W following the uneven shape of the bump B.
図１５から図１７に示すように、フィルム密着工程の後には、樹脂層形成工程が実施される。図１５Ａに示すように、第２のテーブル５１にシートＳが保持され、図１５Ｂに示すように、シートＳの上に液状樹脂Ｒ１が供給される。図１６Ａに示すように、第２のテーブル５１の上方に第１のテーブル２１が位置付けられるとともに反転されて、ウエーハＷの一方の面Ｗ１に密着されるフィルムＦが、第２のテーブル５１に保持されるシートＳに対面される。図１６Ｂに示すように、第１のテーブル２１が下降され、ウエーハＷがフィルムＦを介して液状樹脂Ｒ１に押し当てられる。これにより、フィルムＦを介してウエーハＷが液状樹脂Ｒ１に被覆される。この状態で、液状樹脂Ｒ１が硬化され、フィルムＦとシートＳとの間に樹脂層Ｒ２が形成される。 As shown in FIGS. 15 to 17, a resin layer forming step is carried out after the film adhesion step. As shown in FIG. 15A, the sheet S is held in the second table 51, and as shown in FIG. 15B, the liquid resin R1 is supplied on the sheet S. As shown in FIG. 16A, the film F, in which the first table 21 is positioned above the second table 51 and is inverted and brought into close contact with one surface W1 of the wafer W, is held by the second table 51. It faces the sheet S to be made. As shown in FIG. 16B, the first table 21 is lowered and the wafer W is pressed against the liquid resin R1 via the film F. As a result, the wafer W is coated with the liquid resin R1 via the film F. In this state, the liquid resin R1 is cured, and the resin layer R2 is formed between the film F and the sheet S.
そして、図１６Ｃに示すように、第２のテーブル５１によるシートＳの保持が解除されて、第１のテーブル２１が上昇され、第１のテーブル２１に保持されるウエーハＷが、フィルムＦを介して樹脂層Ｒ２及びシートＳに被覆された状態で移動される。図１７Ａに示すように、第１のテーブル２１が反転される。そして、切換弁３１、３２がエア源３６、３８に接続され、切換弁３３が真空吸引源３９から遮断されることにより、第１のテーブル２１によるウエーハＷの保持が解除される。図１７Ｂに示すように、フレーム搬送手段４０の保持パッド４１によりリングフレーム１０が吸引保持され、フィルムＦを介してウエーハＷが搬送される。
Then, as shown in FIG. 16C, the holding of the sheet S by the second table 51 is released, the first table 21 is raised, and the wafer W held by the first table 21 is passed through the film F. It is moved in a state of being covered with the resin layer R2 and the sheet S. As shown in FIG. 17A, the first table 21 is inverted. Then, the switching
図１８に示すように、樹脂層形成工程の後には、バイト切削装置において切削工程が行われる。バイト切削装置に備えられるピンチャックテーブル１９１の外周には、リングフレーム１０を支持するフレーム支持部１４１が形成されている。フレーム支持部１４１には複数の保持パッド１４２が設けられており、保持パッド１４２は、フレーム支持部１４１内の流路を通じて切換弁１４５に接続され、切換弁１４５を介して吸引源１４６又はエア源１４７に接続される。
As shown in FIG. 18, after the resin layer forming step, a cutting step is performed in a tool cutting device. A
ピンチャックテーブル１９１に、樹脂層Ｒ２及びシートＳで被覆される一方の面Ｗ１が上面になるようにウエーハＷが載置され、フレーム支持部１４１の保持パッド１４２に、リングフレーム１０が載置される。ピン１９２の先端及びリング部１９３でウエーハＷの他方の面Ｗ２が支持されることにより、凹部１９１ａ内は密閉された空間となる。このとき、切換弁１９７は吸引源１９８に接続され、凹部１９１ａ内に生じる負圧により、ウエーハＷがピンチャックテーブル１９１に吸引保持される。また、切換弁１４５は吸引源１４６に接続され、保持パッド１４２に生じる負圧により、リングフレーム１０が吸引保持される。
A wafer W is placed on the pin chuck table 191 so that one surface W1 covered with the resin layer R2 and the sheet S faces the upper surface, and the
切削バイト１０１が回転された状態で、シートＳの凹み部分（図４Ｃ参照）を切削する高さまで切削手段１００を下降させておく。そして、切削手段１００の下方の加工位置方向に所定速度でピンチャックテーブル１９１を移動させることにより、シートＳの表面が平坦に切削され、ウエーハＷの他方の面Ｗ２に対して平行な被切削面Ｓ１が形成される。これにより、シートＳの凹み部分が削り取られて、シートＳと樹脂層Ｒ２との合計厚みを均一にすることができる（図４Ｃ参照）。
With the
図１９に示すように、切削工程の後には、外周除去工程が実施される。図１９Ａに示すように、バイト切削装置に設けられる切断手段６０が、ピンチャックテーブル１９１の上方に位置付けられる。切断手段６０の回転台６１が下降され、シートＳ、樹脂層Ｒ２及びフィルムＦにカッター６２が切り込まれる。回転台６１が回転することにより、ウエーハＷの外周に沿って、シートＳ、樹脂層Ｒ２及びフィルムＦが切断される。
As shown in FIG. 19, after the cutting step, the outer peripheral removing step is carried out. As shown in FIG. 19A, the cutting means 60 provided in the tool cutting device is positioned above the pin chuck table 191. The rotary table 61 of the cutting means 60 is lowered, and the
切断後、図１９Ｂに示すように、ピンチャックテーブル１９１の切換弁１９７は切り換えられエア源１９９に接続される。これにより、ピンチャックテーブル１９１によるウエーハＷの吸引保持が解除される。そして、図１９Ｃに示すように、搬送機構１５０がウエーハＷの上方に移動され、搬送パッド１５１がウエーハＷの中央部分を被覆するシートＳに接触される。このとき、搬送パッド１５１の切換弁１５５は吸引源１５６に接続され、搬送パッド１５１に生じる負圧により、搬送パッド１５１にシートＳを介してウエーハＷが保持される。そして、移動手段１５４により搬送パッド１５１が旋回されることで、ウエーハＷがピンチャックテーブル１９１から搬出される。切断されたウエーハＷの外周部分はフィルムＦに連なり、保持パッド１４２に保持されるリングフレーム１０とともにウエーハＷの中央部分から離され、除去される。
After cutting, as shown in FIG. 19B, the switching
図２０に示すように、外周除去工程の後には、研削装置において研削工程が行われる。図２０Ａに示すように、第３のテーブル１２１の保持面１２３に、シートＳの被切削面Ｓ１が下面になるように、ウエーハＷが載置される。第３のテーブル１２１の切換弁１２５は吸引源１２６に接続され、保持面１２３に生じる負圧により、第３のテーブル１２１にウエーハＷが保持される。ウエーハＷは第３のテーブル１２１の回転により回転し、回転する研削ホイール１３８が研削送りされ、研削砥石１３７がウエーハＷの他方の面Ｗ２に接触されることで、ウエーハＷが研削される。そして、図２０Ｂに示すように、所定の厚みとなるまでウエーハＷが研削される。
As shown in FIG. 20, after the outer peripheral removing step, a grinding step is performed in the grinding device. As shown in FIG. 20A, the wafer W is placed on the holding
このように、切削工程において、ゴミＤ１、Ｄ２（図４Ａ参照）の影響で生じるシートＳの凹みを削り取ることができるため、シートＳと樹脂層Ｒ２との合計厚みを均一できる（図４Ｃ参照）。よって、シートＳに凹みが生じている部分も生じていない部分も、シートＳと樹脂層Ｒ２が同じ厚みになるように調整できる。これにより、研削工程において、シートＳ及び樹脂層Ｒ２の平坦面を基準にウエーハを研削できる。このため、ゴミＤ１、Ｄ２の影響で均一な厚みに形成されていない樹脂層Ｒ２の影響を抑えて、ウエーハＷを平坦に研削することができる。 In this way, in the cutting process, the dents of the sheet S caused by the influence of dusts D1 and D2 (see FIG. 4A) can be scraped off, so that the total thickness of the sheet S and the resin layer R2 can be made uniform (see FIG. 4C). .. Therefore, it is possible to adjust the thickness of the sheet S and the resin layer R2 to be the same in both the portion where the dent is generated and the portion where the dent is not generated. As a result, in the grinding process, the wafer can be ground with reference to the flat surface of the sheet S and the resin layer R2. Therefore, the wafer W can be ground flat by suppressing the influence of the resin layer R2 which is not formed to have a uniform thickness due to the influence of dusts D1 and D2.
研削工程の後には、シートＳをウエーハＷから剥離することにより、ウエーハＷから、フィルムＦ、樹脂層Ｒ２及びシートＳを剥離する。以上のように、第２の実施の形態に係るウエーハＷの研削方法では、切削工程において、フィルムＦがリングフレーム１０に貼着された状態でシートＳが切削されることにより、フィルムＦとウエーハＷとの間に切削水が入ることが防止され、フィルムＦとウエーハＷとが密着された状態が効果的に維持される。
After the grinding step, the film F, the resin layer R2, and the sheet S are peeled from the wafer W by peeling the sheet S from the wafer W. As described above, in the wafer W grinding method according to the second embodiment, the film F and the wafer are cut by cutting the sheet S with the film F attached to the
上記実施の形態においては、ウエーハＷとして、シリコン等で形成される半導体ウエーハが用いられたが、一方の面Ｗ１にバンプＢが形成されていれば、ウエーハＷはこれに限定されない。加工対象のウエーハＷとしては、加工の種類に応じて、例えば、半導体デバイスウエーハ、光デバイスウエーハ、パッケージ基板、半導体基板、無機材料基板、酸化物ウエーハ、生セラミックス基板、圧電基板等の各種ウエーハが用いられてもよい。半導体デバイスウェーハとしては、デバイス形成後のシリコンウエーハや化合物半導体ウエーハが用いられてもよい。光デバイスウエーハとしては、デバイス形成後のサファイアウエーハやシリコンカーバイドウエーハが用いられてもよい。また、パッケージ基板としてはＣＳＰ（Ｃｈｉｐ Ｓｉｚｅ Ｐａｃｋａｇｅ）基板、半導体基板としてはシリコンの他にガリウム砒素等、無機材料基板としてはサファイア、セラミックス、ガラス等が用いられてもよい。さらに、酸化物ウエーハとしては、デバイス形成後又はデバイス形成前のリチウムタンタレート、リチウムナイオベートが用いられてもよい。 In the above embodiment, a semiconductor wafer formed of silicon or the like is used as the wafer W, but the wafer W is not limited to this as long as the bump B is formed on one surface W1. The wafer W to be processed includes various wafers such as semiconductor device wafers, optical device wafers, package substrates, semiconductor substrates, inorganic material substrates, oxide wafers, raw ceramic substrates, and piezoelectric substrates, depending on the type of processing. It may be used. As the semiconductor device wafer, a silicon wafer after device formation or a compound semiconductor wafer may be used. As the optical device wafer, a sapphire wafer or a silicon carbide wafer after device formation may be used. Further, a CSP (Chip Size Package) substrate may be used as the package substrate, gallium arsenide or the like may be used as the semiconductor substrate in addition to silicon, and sapphire, ceramics, glass or the like may be used as the inorganic material substrate. Further, as the oxide wafer, lithium tantalate or lithium niobate after device formation or before device formation may be used.
本実施の形態では、第２のテーブル５１によってシートＳを保持してからシートＳの上面に液状樹脂Ｒ１を塗布しているが、液状樹脂Ｒ１が上面に塗布された状態のシートＳを第２のテーブル５１によって保持してもよい。 In the present embodiment, the liquid resin R1 is applied to the upper surface of the sheet S after the sheet S is held by the second table 51, but the sheet S in a state where the liquid resin R1 is applied to the upper surface is the second. It may be held by the table 51 of.
本実施の形態においては、樹脂層形成工程において、第２のテーブル５１に対して第１のテーブル２１を下降させることにより、フィルムＦとシートＳとを接近させる構成としたが、ウエーハＷがフィルムＦを介して樹脂に押し当てられれば、これに限定されない。第１のテーブル２１に対して、第２のテーブル５１を上昇させることにより、フィルムＦとシートＳとを接近させる構成としてもよい。 In the present embodiment, in the resin layer forming step, the film F and the sheet S are brought close to each other by lowering the first table 21 with respect to the second table 51, but the wafer W is a film. If it is pressed against the resin via F, the present invention is not limited to this. The film F and the sheet S may be brought close to each other by raising the second table 51 with respect to the first table 21.
また、本発明の各実施の形態を説明したが、本発明の他の実施の形態として、上記各実施の形態を全体的又は部分的に組み合わせたものでもよい。 Moreover, although each embodiment of the present invention has been described, as another embodiment of the present invention, the above-mentioned embodiments may be combined in whole or in part.
また、本発明の実施の形態は上記の各実施の形態に限定されるものではなく、本発明の技術的思想の趣旨を逸脱しない範囲において様々に変更、置換、変形されてもよい。さらには、技術の進歩又は派生する別技術によって、本発明の技術的思想を別の仕方で実現することができれば、その方法を用いて実施されてもよい。したがって、特許請求の範囲は、本発明の技術的思想の範囲内に含まれ得る全ての実施態様をカバーしている。 Further, the embodiments of the present invention are not limited to the above embodiments, and may be variously modified, replaced, or modified without departing from the spirit of the technical idea of the present invention. Further, if the technical idea of the present invention can be realized in another way by the advancement of the technology or another technology derived from the technology, it may be carried out by the method. Therefore, the scope of claims covers all embodiments that may be included within the scope of the technical idea of the present invention.
本実施の形態では、本発明をウエーハＷの研削方法に適用した構成について説明したが、一方の面側が樹脂層で保護される基板を平坦に加工する加工装置に適用することも可能である。 In the present embodiment, the configuration in which the present invention is applied to the grinding method of the wafer W has been described, but it can also be applied to a processing apparatus for flatly processing a substrate whose one surface side is protected by a resin layer.
以上説明したように、本発明は、ウエーハを被覆するシートと樹脂層との合計厚みを均一にすることで、ウエーハを平坦に研削できるとともに、樹脂層及びシートを容易に剥離できるという効果を有し、特にバンプを備えたウエーハの加工方法に有用である。 As described above, the present invention has the effect that the wafer can be ground flat and the resin layer and the sheet can be easily peeled off by making the total thickness of the sheet covering the wafer and the resin layer uniform. However, it is particularly useful for processing wafers with bumps.
１０ リングフレーム
２１ 第１のテーブル
２３ ウエーハ保持部
２４ フレーム保持部
２８ 吸引路
３９ 真空吸引源
５１ 第２のテーブル
９１、１９１ ピンチャックテーブル
９２、１９２ ピン
９３、１９３ リング部
９５ 連通口
１０１ 切削バイト
１２１ 第３のテーブル
１２３ （第３のテーブルの）保持面
１３７ 研削砥石
Ｂ バンプ
Ｃ 密室
Ｆ フィルム
Ｐ 糊層
Ｒ１ 液状樹脂
Ｒ２ 樹脂層
Ｓ シート
Ｓ１ （シートの）被切削面
Ｗ ウエーハ
Ｗ１ （ウエーハの）一方の面
Ｗ２ （ウエーハの）他方の面
10
Claims (1)
ウエーハの外径より大きい内径のリングフレームに、ウエーハの外径より大きい径でリング状の糊層を形成したフィルムを貼着するフィルム貼着工程と、
該フィルムが貼着された該リングフレームを保持するリング状のフレーム保持部と、該フレーム保持部の内側でウエーハを保持するウエーハ保持部と、該フレーム保持部と該ウエーハ保持部が保持したウエーハとの間を真空吸引源へ連通する吸引路と、を備える第１のテーブルの該ウエーハ保持部でウエーハの該他方の面を保持し、ウエーハの該一方の面を該リングフレームに貼着した該フィルムで覆うと共に、該リングフレームを該フレーム保持部で保持し、ウエーハの外面と該フィルムの下面と該ウエーハ保持部の上面と該フレーム保持部とにより囲まれた密室を形成する保持工程と、
該吸引路を該真空吸引源に連通させ該保持工程で形成された該密室を減圧し、大気圧で該フィルムを該一方の面に押しつけバンプの凸凹形状にならわせ該一方の面に該フィルムを密着させるフィルム密着工程と、
第２のテーブルにシートを敷き、該シートの上に紫外線硬化性の液状樹脂を供給し、該第１のテーブルが保持するウエーハに密着させた該フィルムと該第２のテーブルが保持した該シートとを対面させて相対的に接近させ、該シートの上の該液状樹脂をウエーハの面積以上の広さに広げられた該液状樹脂に紫外線を照射して硬化させ該フィルムと該シートとの間に樹脂層を形成する樹脂層形成工程と、
ウエーハの外周に沿って該シートと該樹脂層と該フィルムとを切断し除去する外周除去工程と、
複数のピンを立設させ該ピンの先端に該他方の面を接触させたウエーハの外周全周に接触するリング部を備え、該リング部で塞がれた空間を吸引源に連通する連通口を備えるピンチャックテーブルでウエーハを吸引保持させ、ウエーハの該一方の面側の該シートの表面全面を切削バイトで切削して該他方の面に対して平行な被切削面を形成する切削工程と、
該切削工程で切削した被切削面を第３のテーブルの保持面で保持しウエーハの該他方の面を研削砥石で研削する研削工程と、を備えるウエーハの研削方法。 A method of grinding a wafer that grinds the other surface of a wafer having bumps on one surface.
A film attachment process in which a film having a ring-shaped glue layer formed with a diameter larger than the outer diameter of the wafer is attached to a ring frame having an inner diameter larger than the outer diameter of the wafer.
A ring-shaped frame holding portion that holds the ring frame to which the film is attached, a wafer holding portion that holds a wafer inside the frame holding portion, and a wafer held by the frame holding portion and the wafer holding portion . The other side of the wafer was held by the wafer holding portion of the first table comprising a suction path communicating with and from the vacuum suction source, and the other side of the wafer was attached to the ring frame. A holding step of covering with the film and holding the ring frame with the frame holding portion to form a closed chamber surrounded by the outer surface of the wafer, the lower surface of the film, the upper surface of the wafer holding portion, and the frame holding portion. ,
The suction path is communicated with the vacuum suction source, the closed chamber formed in the holding step is depressurized, and the film is pressed against one surface at atmospheric pressure to form an uneven shape of a bump, and the film is formed on the one surface. And the film adhesion process
A sheet is laid on the second table, an ultraviolet curable liquid resin is supplied on the sheet, and the film adhered to the wafer held by the first table and the sheet held by the second table. The liquid resin on the sheet is exposed to ultraviolet rays to cure the liquid resin spread over an area equal to or larger than the area of the wafer, and is cured between the film and the sheet. And the resin layer forming process to form the resin layer in
A step of removing the outer circumference by cutting and removing the sheet, the resin layer, and the film along the outer circumference of the wafer.
A communication port is provided with a ring portion that contacts the entire outer circumference of the wafer in which a plurality of pins are erected and the other surface is brought into contact with the tip of the pin, and the space blocked by the ring portion is communicated to the suction source. A cutting step in which a wafer is sucked and held by a pin chuck table provided with a cutting tool, and the entire surface of the sheet on the one side of the wafer is cut with a cutting tool to form a machined surface parallel to the other surface. ,
A method for grinding a wafer, comprising a grinding step of holding the surface to be cut cut in the cutting step with a holding surface of a third table and grinding the other surface of the wafer with a grinding wheel.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2017148500A JP6999322B2 (en) | 2017-07-31 | 2017-07-31 | Wafer grinding method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2017148500A JP6999322B2 (en) | 2017-07-31 | 2017-07-31 | Wafer grinding method |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2019029543A JP2019029543A (en) | 2019-02-21 |
| JP6999322B2 true JP6999322B2 (en) | 2022-01-18 |
Family
ID=65476612
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2017148500A Active JP6999322B2 (en) | 2017-07-31 | 2017-07-31 | Wafer grinding method |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP6999322B2 (en) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP7399565B2 (en) | 2019-12-23 | 2023-12-18 | 株式会社ディスコ | Processing method of workpiece |
| JP7477325B2 (en) | 2020-03-06 | 2024-05-01 | 株式会社ディスコ | Processing method |
| JP2022035272A (en) * | 2020-08-20 | 2022-03-04 | 株式会社東京精密 | Fly cutter |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009043931A (en) | 2007-08-08 | 2009-02-26 | Disco Abrasive Syst Ltd | Rear-surface grinding method for wafer |
| JP2012099622A (en) | 2010-11-02 | 2012-05-24 | Panasonic Corp | Manufacturing method and manufacturing apparatus of semiconductor device |
| JP2013026380A (en) | 2011-07-20 | 2013-02-04 | Disco Abrasive Syst Ltd | Processing method |
| JP2014049626A (en) | 2012-08-31 | 2014-03-17 | Nitto Seiki Co Ltd | Pressure sensitive tape affixing method and pressure sensitive tape affixing device |
| JP2017050536A (en) | 2015-08-31 | 2017-03-09 | 株式会社ディスコ | Method for processing wafer |
| WO2017036512A1 (en) | 2015-08-31 | 2017-03-09 | Karl Heinz Priewasser | Method of processing wafer and protective sheeting for use in this method |
| JP2017079291A (en) | 2015-10-21 | 2017-04-27 | 株式会社ディスコ | Wafer processing method |
-
2017
- 2017-07-31 JP JP2017148500A patent/JP6999322B2/en active Active
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009043931A (en) | 2007-08-08 | 2009-02-26 | Disco Abrasive Syst Ltd | Rear-surface grinding method for wafer |
| JP2012099622A (en) | 2010-11-02 | 2012-05-24 | Panasonic Corp | Manufacturing method and manufacturing apparatus of semiconductor device |
| JP2013026380A (en) | 2011-07-20 | 2013-02-04 | Disco Abrasive Syst Ltd | Processing method |
| JP2014049626A (en) | 2012-08-31 | 2014-03-17 | Nitto Seiki Co Ltd | Pressure sensitive tape affixing method and pressure sensitive tape affixing device |
| JP2017050536A (en) | 2015-08-31 | 2017-03-09 | 株式会社ディスコ | Method for processing wafer |
| WO2017036512A1 (en) | 2015-08-31 | 2017-03-09 | Karl Heinz Priewasser | Method of processing wafer and protective sheeting for use in this method |
| JP2017079291A (en) | 2015-10-21 | 2017-04-27 | 株式会社ディスコ | Wafer processing method |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2019029543A (en) | 2019-02-21 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
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|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20210415 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20210608 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20210806 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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