JP7442386B2 - 基板処理装置 - Google Patents

Description

本開示は、基板処理装置に関する。

特許文献１には、上下方向に配置された複数の階層を備える基板処理装置が開示されている。この基板処理装置では、第１の階層が、所定の処理液を用いて基板の処理を行う第１の処理部を備え、第２の階層が、基板に対して温度処理を行う第２の処理部を備える。

特開平１０－１８９４２０号公報

本開示は、スループットの向上に有効な基板処理装置を提供する。

本開示の一側面に係る基板処理装置は、第１状態の基板を外部から受け入れて、第２状態の基板を外部に送り出す基板入出部と、互いに異なる処理を行う２つの処理部を含み、第１状態を第２状態にするための一連の処理を、第１状態の基板に対して行う第１グループの処理部と、互いに異なる処理を行う２つの処理部を含み、第１グループの処理部によって行われる一連の処理と同じ一連の処理を、第１状態の基板に対して行う第２グループの処理部と、第１状態の基板を基板入出部から第１グループの処理部に搬送し、第１グループの処理部により第２状態とされた基板を第１グループの処理部から基板入出部に搬送する第１搬送部と、第１状態の基板を基板入出部から第２グループの処理部に搬送し、第２グループの処理部により第２状態とされた基板を第２グループの処理部から基板入出部に搬送する第２搬送部とを備える。

本開示によれば、スループットの向上に有効な基板処理装置が提供される。

図１は、第１実施形態に係る基板処理装置の一例を模式的に示す斜視図である。 図２は、基板処理装置の一例を模式的に示す側面図である。 図３は、基板処理装置の一例を模式的に示す平面図である。 図４は、基板処理装置の一例を模式的に示す平面図である。 図５（ａ）は、搬送部の一例を模式的に示す平面図である。図５（ｂ）は、搬送部の一例を模式的に示す側面図である。 図６は、制御装置のハードウェア構成の一例を示すブロック図である。 図７は、基板処理方法の一例を示すフローチャートである。 図８は、第２実施形態に係る基板処理装置の一例を模式的に示す側面図である。 図９は、基板処理装置の一例を模式的に示す平面図である。 図１０は、第３実施形態に係る基板処理装置の一例を模式的に示す側面図である。 図１１は、基板処理装置の一例を模式的に示す平面図である。 図１２は、基板処理装置の一例を模式的に示す側面図である。 図１３は、第４実施形態に係る基板処理装置の一例を模式的に示す側面図である。 図１４は、基板処理装置の一例を模式的に示す平面図である。 図１５は、基板処理方法の一例を示すフローチャートである。 図１６は、基板処理装置の一例を模式的に示す側面図である。

以下、図面を参照して実施形態について説明する。説明において、同一要素又は同一機能を有する要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。一部の図面にはＸ軸、Ｙ軸及びＺ軸により規定される直交座標系が示される。以下の実施形態では、Ｚ軸が上下方向に対応し、Ｘ軸及びＹ軸が水平方向に対応する。

［第１実施形態］
まず、図１～図５を参照して、基板処理装置の一例として、第１実施形態に係る基板処理装置１について説明する。図１に示される基板処理装置１は、複数のワークＷに対して予め定められた一連の処理を施す装置である。処理対象のワークＷは、例えば基板、あるいは所定の処理が施されることで膜又は回路等が形成された状態の基板である。ワークＷに含まれる基板は、一例として、シリコンを含むウェハである。ワークＷ（基板）は、円形に形成されていてもよい。処理対象のワークＷは、ガラス基板、マスク基板、ＦＰＤ（Flat Panel Display）などであってもよく、これらの基板等に所定の処理が施されて得られる中間体であってもよい。

基板処理装置１による一連の処理としては、例えば、感光性被膜、上層膜、下層膜又はハードマスク等の被膜を形成するための一連の処理、及び露光処理後の感光性被膜に対する現像を行うための一連の処理が挙げられる。基板処理装置１は、被膜の形成を行う場合に、ワークＷの表面Ｗａ上に１種類の被膜を形成してもよく、２種類以上の被膜を形成してもよい。基板処理装置１は、現像処理を行わずに被膜の形成を行ってもよく、被膜の形成を行わずに現像処理を行ってもよい。

基板処理装置１は、一連の処理前の状態（以下、「第１状態」という。）の複数のワークＷを外部から受け入れて、受け入れた第１状態の複数のワークＷそれぞれに一連の処理を施す。基板処理装置１は、一連の処理が施されることで得られる処理後の状態（以下、「第２状態」という。）の複数のワークＷを外部に送り出す。１種類の被膜の形成を行う場合、第１状態のワークＷでは、当該ワークＷの表面Ｗａに上記被膜が形成されておらず、第２状態のワークＷでは、表面Ｗａ上に上記被膜が形成されている。２種類以上の多層の被膜の形成を行う場合、第１状態のワークＷでは、当該ワークＷの表面Ｗａに上記多層の被膜が形成されておらず、第２状態のワークＷでは、表面Ｗａ上に上記多層の被膜が形成されている。以下の第１実施形態の説明では、１種類の被膜の形成を行う基板処理装置１を例示する。

基板処理装置１は、例えば、図１に示されるように、入出ブロック２（基板入出部）と、処理ブロック４と、制御装置１００とを備える。入出ブロック２は、第１状態の複数のワークＷを基板処理装置１の外部から受け入れて、第２状態の複数のワークＷを基板処理装置１の外部に送り出す。入出ブロック２は、例えば、図２に示されるように、キャリアステーション６と、搬入搬出部８と、収容部１２とを有する。

キャリアステーション６は、ワークＷ用の複数のキャリアＣを支持する。キャリアＣは、例えば円形の複数枚のワークＷを収容する。キャリアＣの一つの側面には、ワークＷを出し入れするための開閉扉（不図示）が設けられている。キャリアＣは、開閉扉が設けられている側面が搬入搬出部８に面するように、キャリアステーション６上に着脱自在に設置される。キャリアステーション６は、図３に示されるように、水平な一方向（図示のＸ軸方向）に沿って並ぶように複数の（４個の）キャリアＣを支持してもよい。

搬入搬出部８は、図１に示されるように、キャリアステーション６と処理ブロック４との間に位置している。搬入搬出部８は、複数の開閉扉８ａを有する。キャリアステーション６上にキャリアＣが載置される際には、キャリアＣの上記開閉扉が開閉扉８ａに面した状態とされる。開閉扉８ａ及びキャリアＣの開閉扉を同時に開放することで、キャリアＣ内と搬入搬出部８とが連通する。搬入搬出部８は、図２及び図３に示されるように、搬入出ユニット１０を内蔵している。

搬入出ユニット１０は、第１状態のワークＷ（例えば、上記被膜が形成される前のワークＷ）をキャリアＣから取り出して収容部１２に搬送し、第２状態のワークＷ（例えば、上記被膜が形成された後のワークＷ）を収容部１２から取り出してキャリアＣ内に戻す。これにより、第１状態のワークＷが基板処理装置１内に受け入れられ、第２状態のワークＷが基板処理装置１の外に送り出される。搬入出ユニット１０は、例えば、ワークＷを保持する保持アーム１０ａと、Ｘ軸方向に沿って並ぶ４個のキャリアＣそれぞれと収容部１２との間でワークＷを搬送するように保持アーム１０ａを移動させる駆動機構１０ｂとを有する。

収容部１２は、第１状態の複数のワークＷを一時的に収容し、第２状態の複数のワークＷを一時的に収容する。収容部１２は、例えば、複数のワークＷがそれぞれ載置される複数のセルを有しており、当該複数のセルは、上下方向（図示のＺ軸方向）に沿って並んで配置されている。収容部１２の一のセルには、搬入出ユニット１０によって第１状態のワークＷが搬入され、収容部１２の一のセルに収容されている第２状態のワークＷは、搬入出ユニット１０によって搬出される。収容部１２は、図３に示されるように、搬入搬出部８と処理ブロック４との間に位置しており、Ｘ軸方向において入出ブロック２（基板処理装置１）の略中央に配置されている。

処理ブロック４は、図３に示されるように、搬送部２０Ａ（第１搬送部）と、搬送部２０Ｂ（第２搬送部）と、第１状態の複数のワークＷそれぞれに一連の処理を施す基板処理部１６とを備える。搬送部２０Ａは、複数のワークＷの一部を搬送する。搬送部２０Ｂは、複数のワークＷの残りの一部を搬送する。例えば、搬送部２０Ａの搬送対象となる複数のワークＷは、搬送部２０Ｂによって搬送されずに、搬送部２０Ｂの搬送対象となる複数のワークＷは、搬送部２０Ａによって搬送されない。

搬送部２０Ａと搬送部２０Ｂとは、水平な一方向（図示のＸ軸方向）において異なる位置に配置されており、収容部１２のＸ軸方向における位置が、搬送部２０Ａと搬送部２０ＢとのＸ軸方向における位置の間に位置している。搬送部２０Ａは、収容部１２に収容されている第１状態のワークＷを基板処理部１６に搬送する。搬送部２０Ａは、第２状態のワークＷを基板処理部１６から収容部１２に搬送する。搬送部２０Ｂは、収容部１２に収容されているワークＷを基板処理部１６に搬送する。搬送部２０Ｂは、第２状態のワークＷを基板処理部１６から収容部１２に搬送する。搬送部２０Ａ，２０Ｂの詳細については後述する。

（基板処理部）
基板処理部１６は、複数のワークＷそれぞれに対して予め定められた一連の処理を順に施す複数の処理部を有する。基板処理部１６に含まれる複数の処理部は、搬送部２０Ａによって搬送されるワークＷに対する一連の処理を行う複数の処理部と、搬送部２０Ｂによって搬送されるワークＷに対する一連の処理を行う複数の処理部とに分けることができる。以下、搬送部２０Ａによって搬送されるワークＷに対する一連の処理を行う複数の処理部を「第１グループの処理部」とし、搬送部２０Ｂによって搬送されるワークＷに対する一連の処理を行う複数の処理部を「第２グループの処理部」とする。基板処理部１６が所定の被膜を形成するための一連の処理を行う場合、第２グループの処理部によって一連の処理が施されて得られる第２状態のワークＷ上の被膜は、第１グループの処理部によって一連の処理が施されて得られる第２状態のワークＷ上の被膜と同じものとなる。

複数の処理部には、第１グループの処理部と第２グループの処理部との両方に属する処理部が含まれていてもよい。この場合、基板処理部１６に含まれる複数の処理部は、第１グループの処理部と第２グループの処理部との両方に属する共通処理部と、第２グループの処理部に属さずに第１グループの処理部に属する個別処理部と、第１グループの処理部に属さずに第２グループの処理部に属する個別処理部とに分類することができる。本開示では、少なくとも一部の部材について上述の二つの一連の処理に共通して使用する処理部を共通処理部とする。基板処理部１６は、例えば、処理液を用いた液処理、熱処理、及び検査処理を含む一連の処理を複数のワークＷそれぞれに対して行う。以下、一連の処理に含まれる各処理を行うユニットについて説明する。

基板処理部１６は、ワークＷに対して液処理を行う複数の液処理ユニット４０を有する。複数の液処理ユニット４０は、図２に示されるように、上下方向において互いに積層されて（例えば３層に）配置されている。図３に示されるように、液処理ユニット４０は、Ｙ軸方向において収容部１２との間に搬送部２０Ａ，２０Ｂを挟むように配置されている。液処理ユニット４０のＸ軸方向における中央部分は、Ｙ軸方向において収容部１２と対向している。

液処理ユニット４０は、回転させている状態のワークＷの表面Ｗａに処理液（例えば、被膜形成用の処理液）を供給することで、処理液の塗布膜を形成する。液処理ユニット４０は、例えば、図３に示されるように、回転保持部４２Ａ（第１保持ユニット）と、回転保持部４２Ｂ（第２保持ユニット）と、液供給部４４（液供給ユニット）とを有する。

回転保持部４２Ａは、搬送部２０Ａにより搬送されるワークＷを保持する。回転保持部４２Ａは、例えば、ワークＷを保持した状態で当該ワークＷを鉛直な軸線周りに回転させる。回転保持部４２Ｂは、搬送部２０Ｂにより搬送されるワークＷを保持する。回転保持部４２Ｂは、例えば、ワークＷを保持した状態で当該ワークＷを鉛直な軸線周りに回転させる。搬送部２０Ａにより搬送されるワークＷは、回転保持部４２Ｂに保持されずに回転保持部４２Ａに保持される。搬送部２０Ｂにより搬送されるワークＷは、回転保持部４２Ａに保持されずに回転保持部４２Ｂに保持される。

回転保持部４２Ａと回転保持部４２Ｂとは、水平方向（図示のＸ軸方向）において互いに異なる位置に配置されており、互いに間隔を設けて配置されている。回転保持部４２Ａは、Ｙ軸方向において搬送部２０Ａと対向するように配置され、回転保持部４２Ｂは、Ｙ軸方向において搬送部２０Ｂと対向するように配置される。液処理ユニット４０の筐体の搬送部２０Ａ，２０Ｂに面する外壁には、回転保持部４２Ａに対するワークＷの搬入出を行うための搬入出口と、回転保持部４２Ｂに対するワークＷの搬入出を行うための搬入出口とが形成されていてもよい。

液供給部４４は、回転保持部４２Ａに保持されているワークＷに処理液を供給可能であり、回転保持部４２Ｂに保持されているワークＷに処理液を供給可能である。液供給部４４は、例えば、ノズル４６と、保持アーム４８ａと、駆動部４８ｂとを有する。

ノズル４６は、回転保持部４２Ａ又は回転保持部４２Ｂに保持されているワークＷに向けて処理液を吐出する。ノズル４６は、例えば、その吐出口が下方を向いた状態で、回転保持部４２Ａ，４２Ｂに保持されているワークＷに上方から処理液を吐出する。保持アーム４８ａは、ノズル４６を保持する部材である。保持アーム４８ａは、回転保持部４２Ａ，４２Ｂが並ぶ方向に垂直な方向（図示のＹ軸方向）に延びるように形成されており、保持アーム４８ａのＹ軸方向における一端部にノズル４６が設けられる。保持アーム４８ａのＹ軸方向における他端部は、駆動部４８ｂに接続されている。

駆動部４８ｂは、保持アーム４８ａ（ノズル４６）を、回転保持部４２Ａ，４２Ｂが並ぶ方向に沿って移動させるように構成されている。駆動部４８ｂは、回転保持部４２Ａに保持されているワークＷに処理液を供給する際に回転保持部４２Ａの上方にノズル４６を配置し、回転保持部４２Ｂに保持されているワークＷに処理液を供給する際に回転保持部４２Ｂの上方にノズル４６を配置する。これにより、液供給部４４は、回転保持部４２Ａ上のワークＷと回転保持部４２Ｂ上のワークＷとのどちらにも処理液の供給が可能となる。

以上のように、液供給部４４は、搬送部２０Ａの搬送対象となるワークＷに対する液処理と、搬送部２０Ｂの搬送対象となるワークＷに対する液処理とに共通して使用される。液処理ユニット４０における液処理では、一のワークＷについての全体の処理時間に対して、回転保持部４２Ａ又は回転保持部４２Ｂに保持されているワークＷに処理液を供給する時間が占める割合が小さいので、液供給部４４が共通して使用される。液処理ユニット４０では、処理液をワークＷに供給する液供給部４４が共通して使用されるので、液処理ユニット４０は、共通処理部（第１共通処理部）に分類される。

基板処理部１６は、ワークＷに対して熱処理を行う複数の熱処理ユニット５０を更に有する。基板処理部１６は、例えば、図３に示されるように、搬送部２０Ａ，２０Ｂが並ぶ方向（図示のＸ軸方向）における処理ブロック４内の一端部に配置されている複数の熱処理ユニット５０と、Ｘ軸方向における処理ブロック４内の他端部に配置されている複数の熱処理ユニット５０とを含む。以下では、搬送部２０Ａに近い処理ブロック４内の一端部に配置されている熱処理ユニット５０を「熱処理ユニット５０Ａ」と称し、搬送部２０Ｂに近い処理ブロック４内の他端部に配置されている熱処理ユニット５０を「熱処理ユニット５０Ｂ」と称する。

複数の熱処理ユニット５０Ａは、図２に示されるように、上下方向において互いに積層されて（例えば４層に）配置されており、複数の熱処理ユニット５０Ｂは、上下方向において互いに積層されて（例えば４層に）配置されている。各層の熱処理ユニット５０Ａ，５０Ｂの高さ位置は互いに略一致しており、複数の熱処理ユニット５０Ａのうちの下から数えて１～３層目の熱処理ユニット５０Ａの高さ位置は、３層の液処理ユニット４０の高さ位置にそれぞれ対応（略一致）していてもよい。図３に示されるように、熱処理ユニット５０Ａ及び熱処理ユニット５０Ｂは、搬送部２０Ａ，２０Ｂ及び液処理ユニット４０を間に挟むように配置されている。

熱処理ユニット５０（熱処理ユニット５０Ａ，５０Ｂのそれぞれ）は、ワークＷを冷却し、ワークＷの表面Ｗａ上に形成された処理液の塗布膜を加熱してもよい。熱処理ユニット５０によって熱処理が行われることで、ワークＷの表面Ｗａ上に形成された処理液の塗布膜が固化する（被膜が形成される）。熱処理ユニット５０は、例えば、搬入出部５２と、加熱部５４と、駆動部５６とを有する。搬入出部５２は、搬送部２０Ａ，２０Ｂとの間でワークＷの受け渡しを行う。搬入出部５２は、例えば、ワークＷが載置される（ワークＷを保持する）プレートを含む。搬入出部５２は、ワークＷを冷却するための冷却プレートを含んでいてもよい。

加熱部５４は、熱処理ユニット５０の長手方向において搬入出部５２と並んで配置されている。加熱部５４は、熱板を含んでおり、熱板上にワークＷを載置させた状態で当該ワークＷを加熱する。駆動部５６は、熱処理ユニット５０の長手方向において、搬入出部５２のプレート（プレート上のワークＷ）を移動させることで、当該プレートと加熱部５４との間でワークＷの受け渡しを可能にする。

熱処理ユニット５０Ａの筐体のうち搬送部２０Ａに面する外壁（当該外壁のうちの搬送部２０Ａと対向する部分）には、熱処理ユニット５０Ａ（搬入出部５２）に対するワークＷの搬入出を行うための搬入出口が形成されていてもよい。熱処理ユニット５０Ｂの筐体のうちの搬送部２０Ｂに面する外壁（当該外壁のうちの搬送部２０Ｂと対向する部分）には、熱処理ユニット５０Ｂ（搬入出部５２）に対するワークＷの搬入出を行うための搬入出口が形成されていてもよい。

熱処理ユニット５０Ａ，５０Ｂそれぞれは、その長手方向（搬入出部５２と駆動部５６とが並ぶ方向）が、液処理ユニット４０の回転保持部４２Ａ，４２Ｂが並ぶ方向に垂直な方向（図示のＹ軸方向）に沿うように配置されている。熱処理ユニット５０Ａ，５０Ｂそれぞれは、搬入出部５２から水平な一方向に張り出すように配置されている。例えば、熱処理ユニット５０Ａ，５０Ｂそれぞれは、搬入出口の近傍に位置する搬入出部５２から、Ｙ軸方向に沿って収容部１２から離れる方向（Ｙ軸正方向）に張り出している。熱処理ユニット５０Ａ，５０Ｂの少なくとも一部のＹ軸方向における位置は、液処理ユニット４０のＹ軸方向における位置と重なっている。例えば、熱処理ユニット５０Ａの加熱部５４と熱処理ユニット５０Ｂの加熱部５４とは、回転保持部４２Ａ，４２Ｂが並ぶ方向（Ｘ軸方向）において液処理ユニット４０を挟んでいる。

以上のように、熱処理ユニット５０Ａ，５０Ｂそれぞれは、共通して使用される部材を有しないので個別処理部に分類される。熱処理ユニット５０Ａは、搬送部２０ＡからワークＷを受け取るので第１グループの処理部に含まれ、熱処理ユニット５０Ｂは、搬送部２０ＢからワークＷを受け取るので第２グループの処理部に含まれる。

基板処理部１６は、図２及び図４に示されるように、ワークＷに対する検査を行う複数の（例えば２個の）検査ユニット６０を更に有する。なお、図４には、検査ユニット６０を含めた状態での平面図が示されており、上述の説明に用いた図３には、検査ユニット６０を除いた状態での平面図が示されている。複数の検査ユニット６０それぞれは、搬送部２０Ａによって搬送されるワークＷの検査と搬送部２０Ｂによって搬送されるワークＷの検査とのいずれも行う。

複数の検査ユニット６０は、互いに積層されて配置されており、複数の液処理ユニット４０の上又は下に配置されてもよい。例えば、複数の検査ユニット６０は、図２に示されるように、最上層の液処理ユニット４０上に順に重ねて配置されている。この場合、複数の検査ユニット６０の高さ位置は、最上層の熱処理ユニット５０の高さ位置に対応（略一致）している。検査ユニット６０の少なくとも一部は、図４に示されるように、液処理ユニット４０の回転保持部４２Ａ及び回転保持部４２Ｂの間の位置において当該液処理ユニット４０の上又は下に（例えば上に）重なっていてもよい。検査ユニット６０は、回転保持部４２Ａ，４２Ｂが並ぶ方向に垂直な方向（図示のＹ軸方向）に沿って延びるように形成されていてもよい。

検査ユニット６０は、ワークＷの撮像を行うことで当該ワークＷの検査を行ってもよい。検査ユニット６０は、例えば、回転保持部６２と、水平駆動部６４と、撮像部６６とを有する。回転保持部６２は、ワークＷを保持した状態で鉛直な回転軸まわりに当該ワークＷを回転させる。水平駆動部６４は、ワークＷを保持した状態の回転保持部６２を検査ユニット６０の長手方向（図示のＹ軸方向）に沿って移動させる。

撮像部６６は、ワークＷを撮像可能に構成されている。撮像部６６は、例えば、水平駆動部６４により移動している回転保持部６２上のワークＷを撮像可能なラインセンサを含んでいてもよい。撮像部６６は、検査ユニット６０内の長手方向における一端部（収容部１２から遠い方の端部）に回転保持部６２が配置された状態で、回転保持部６２により回転しているワークＷの周縁を撮像可能なカメラを含んでいてもよい。検査ユニット６０の筐体のうちの長手方向の一端部（収容部１２に近い方の端部）に位置する外壁には、検査ユニット６０に対するワークＷの搬入出を行うための搬入出口が形成されていてもよい。

このように、検査ユニット６０では、搬送部２０Ａ，２０Ｂとの間で搬入出口を介してワークＷの受け渡しが行われる受渡位置と検査（撮像）が行われる検査位置とが、検査ユニット６０の長手方向に沿って並んでいる。そして、受渡位置と収容部１２との間の距離が、検査位置と収容部１２との間の距離よりも短くなるように、受渡位置と検査位置とが並んでいてもよい。以上の検査ユニット６０では、全体が共通して使用されるので、検査ユニット６０は共通処理部（第２共通処理部）に分類される。検査ユニット６０のスループット（単位時間あたりのワークＷの処理枚数）は、熱処理ユニット５０のスループットよりも大きい。このため、検査ユニット６０を共通して使用しても、基板処理装置１全体でのスループットへの影響が小さい。

上述した基板処理部１６の一例では、第１グループの処理部は、液処理ユニット４０と、熱処理ユニット５０Ａと、検査ユニット６０とを含み、第２グループの処理部は、液処理ユニット４０と、熱処理ユニット５０Ｂと、検査ユニット６０とを含む。なお、基板処理部１６は、第１グループ及び第２グループの処理部の両方に属する処理部として、ワークＷの検査以外の処理を行う処理ユニットを含んでいてもよい。基板処理部１６は、第２グループに属さずに第１グループの処理部に属する液処理ユニットと、第１グループに属さずに第２グループの処理部に属する別の液処理ユニットとを含んでもよい。

（搬送部）
ここで、図５（ａ）及び図５（ｂ）も参照しつつ、搬送部２０Ａ，２０Ｂの一例について詳細に説明する。搬送部２０Ａと搬送部２０Ｂとは、互いに同様に構成されている。搬送部２０Ａ，２０Ｂは、例えば、図５（ａ）に示されるように、保持アーム２２と、水平駆動部２４と、回転駆動部２６と、基台２８と、昇降駆動部３０とを有する。

保持アーム２２は、ワークＷを保持するように構成されている。保持アーム２２は、例えば、ワークＷの表面Ｗａが上方を向くように保持する。保持アーム２２は、ワークＷの表面Ｗａとは反対側の裏面Ｗｂの周縁部を支持するように形成されていてもよい。搬送部２０Ａ，２０Ｂは、保持アーム２２を移動させることによって、ワークＷの搬送を行う。

水平駆動部２４は、例えば、モータ等の動力源によって、水平な一方向に沿って保持アーム２２を往復移動させる水平アクチュエータである。水平駆動部２４は、保持アーム２２を移動させる方向（保持アーム２２の延在方向）に沿って延びるように形成されていてもよい。水平駆動部２４は、図５（ｂ）に示されるように、回転駆動部２６を介して基台２８に支持されている。水平駆動部２４が保持アーム２２を支持しているので、保持アーム２２も基台２８に支持されている。回転駆動部２６は、モータ等の動力源によって、水平駆動部２４を鉛直な回転軸まわりに回転させるように構成された回転アクチュエータである。

回転駆動部２６が水平駆動部２４を鉛直な回転軸まわりに回転させることで、水平駆動部２４による保持アーム２２の移動方向（基台２８の長手方向に対する傾き）が変化する。水平駆動部２４が保持アーム２２を移動させることで、基台２８に対する保持アーム２２（ワークＷ）の位置が変化する。一例では、水平駆動部２４は、保持アーム２２の先端部（ワークＷを保持する部分）が基台２８と重なる位置と、保持アーム２２の先端部が基台２８と重ならない位置との間で保持アーム２２を移動させる。基台２８のＸ軸方向における一端部には、昇降駆動部３０が接続されている。

昇降駆動部３０は、モータ等の動力源によって、基台２８を上下方向に沿って移動させる昇降アクチュエータである。昇降駆動部３０は、例えば、上下方向に沿って延びるように形成されており、その下端部が処理ブロック４の底面に固定されている。そのため、上面視において、昇降駆動部３０及び基台２８の位置は一定である。昇降駆動部３０により基台２８が上下方向に移動することで、保持アーム２２（ワークＷ）も上下方向に移動する。

以上のように構成された搬送部２０ＡによってワークＷが搬送される領域（以下、「搬送領域ＲＡ」という。）の外縁は、上面視において、図４に示されるように、搬送部２０Ａの回転駆動部２６による回転軸を中心とした環状となる。搬送部２０ＢによってワークＷが搬送される領域（以下、「搬送領域ＲＢ」という。）の外縁は、搬送部２０Ｂの回転駆動部２６による回転軸を中心とした環状となる。上面視において、搬送部２０Ａの搬送領域ＲＡの環状の外縁に沿って、収容部１２、熱処理ユニット５０Ａ（搬入出部５２）、液処理ユニット４０（回転保持部４２Ａ）、及び検査ユニット６０（収容部１２に近い方の一端部）が並んでいる。搬送部２０Ｂの搬送領域ＲＢの環状の外縁に沿って、収容部１２、熱処理ユニット５０Ｂ（搬入出部５２）、液処理ユニット４０（回転保持部４２Ｂ）、及び検査ユニット６０（収容部１２に近い方の一端部）が並んでいる。

（制御装置）
続いて、図４及び図６を参照して制御装置１００の一例について説明する。制御装置１００は、基板処理装置１を制御する。図４に示されるように、制御装置１００は、機能上の構成（以下、「機能モジュール」という。）として、例えば、受入制御部１０２と、第１処理制御部１０４と、第２処理制御部１０６と、送出制御部１０８とを有する。

受入制御部１０２は、基板処理装置１での処理前の第１状態のワークＷを外部から受け入れるように入出ブロック２を制御する。受入制御部１０２は、例えば、キャリアステーション６上のいずれかのキャリアＣからワークＷを取り出すように搬入出ユニット１０を制御する。受入制御部１０２は、キャリアＣから取り出して保持アーム１０ａに保持されているワークＷを収容部１２のいずれかのセルに収容するように搬入出ユニット１０を制御する。これにより、キャリアＣ内（基板処理装置１の外部）から基板処理装置１内にワークＷが受け入れられる。

第１処理制御部１０４は、収容部１２に収容されている第１状態のワークＷに対して、基板処理装置１での一連の処理が行われるように搬送部２０Ａ及び基板処理部１６（第１グループの処理部）を制御する。第１処理制御部１０４は、収容部１２に収容されている第１状態のワークＷを第１グループの処理部に搬送するように搬送部２０Ａを制御する。第１処理制御部１０４は、第１状態のワークＷに対して、液処理、熱処理及び検査処理を含む一連の処理を行うように、第１グループの処理部（液処理ユニット４０、熱処理ユニット５０Ａ、及び検査ユニット６０）と搬送部２０Ａとを制御する。第１処理制御部１０４は、第１グループの処理部により第２状態とされたワークＷを、第１グループの処理部から収容部１２に搬送するように搬送部２０Ａを制御する。

第２処理制御部１０６は、収容部１２に収容されている第１状態のワークＷに対して、基板処理装置１での一連の処理が行われるように搬送部２０Ｂ及び基板処理部１６（第２グループの処理部）を制御する。第２処理制御部１０６は、収容部１２に収容されている第１状態のワークＷを第２グループの処理部に搬送するように搬送部２０Ｂを制御する。第２処理制御部１０６は、第１状態のワークＷに対して、液処理、熱処理及び検査処理を含む一連の処理を行うように、第２グループの処理部（液処理ユニット４０、熱処理ユニット５０Ｂ、及び検査ユニット６０）と搬送部２０Ｂとを制御する。第２処理制御部１０６は、第２グループの処理部により第２状態とされたワークＷを、第２グループの処理部から収容部１２に搬送するように搬送部２０Ｂを制御する。

送出制御部１０８は、基板処理装置１での処理後の第２状態のワークＷを外部に送り出すように入出ブロック２を制御する。送出制御部１０８は、例えば、第１グループの処理部又は第２グループの処理部により第２状態とされ、収容部１２に収容されているワークＷを取り出すように搬入出ユニット１０を制御する。送出制御部１０８は、収容部１２から取り出して保持アーム１０ａに保持されているワークＷを、キャリアステーション６上のいずれかのキャリアＣに搬入するように搬入出ユニット１０を制御する。これにより基板処理装置１内からキャリアＣ内（基板処理装置１の外部）にワークＷが送り出される。

制御装置１００は、一つ又は複数の制御用コンピュータにより構成される。例えば制御装置１００は、図６に示される回路１２０を有する。回路１２０は、一つ又は複数のプロセッサ１２２と、メモリ１２４と、ストレージ１２６と、入出力ポート１２８とを有する。ストレージ１２６は、例えばハードディスク等、コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体を有する。記憶媒体は、後述する基板処理方法を制御装置１００に実行させるためのプログラムを記憶している。記憶媒体は、不揮発性の半導体メモリ、磁気ディスク及び光ディスク等の取り出し可能な媒体であってもよい。メモリ１２４は、ストレージ１２６の記憶媒体からロードしたプログラム及びプロセッサ１２２による演算結果を一時的に記憶する。

プロセッサ１２２は、メモリ１２４と協働して上記プログラムを実行する。入出力ポート１２８は、プロセッサ１２２からの指令に従って、入出ブロック２、搬送部２０Ａ，２０Ｂ、液処理ユニット４０、熱処理ユニット５０、及び検査ユニット６０等との間で電気信号の入出力を行う。なお、制御装置１００のハードウェア構成は、専用の論理回路又はこれを集積したＡＳＩＣ（Application Specific Integrated Circuit）により構成されていてもよい。

（基板処理方法）
続いて、図７を参照して、基板処理方法の一例として基板処理装置１において実行される被膜の形成処理について説明する。図７は、一つのワークＷに対する被膜の形成処理の一例を示すフローチャートである。

図７に示されるように、制御装置１００は、まず、ステップＳ１１を実行する。ステップＳ１１では、例えば、受入制御部１０２が、キャリアステーション６上のいずれかのキャリアＣからワークＷを取り出すように搬入出ユニット１０を制御する。そして、受入制御部１０２は、キャリアＣから取り出して保持アーム１０ａに保持されているワークＷを収容部１２のいずれかのセルに収容するように搬入出ユニット１０を制御する。

次に、制御装置１００は、ステップＳ１２を実行する。ステップＳ１２では、例えば、制御装置１００が、処理対象のワークＷを、第１グループの処理部及び第２グループの処理部のいずれのグループによってワークＷを処理するかを選択する。制御装置１００は、第１グループの処理部を選択した場合には、処理対象のワークＷを搬送する搬送部として搬送部２０Ａを選択し、第２グループの処理部を選択した場合には、処理対象のワークＷを搬送する搬送部として搬送部２０Ｂを選択する。

例えば、制御装置１００は、予め定められた動作スケジュールに基づいて、処理対象のワークＷについての処理を行うグループ及び搬送を行う搬送部を選択する。あるいは、制御装置１００は、第１グループの処理部及び第２グループの処理部の処理状況に応じて、グループを選択してもよい。例えば、第１グループの処理部で処理中のワークＷの枚数が第２グループの処理部で処理中のワークＷの枚数よりも多い場合には、制御装置１００は、第２グループの処理部（搬送部２０Ｂ）を選択する。一方、第１グループの処理部で処理中のワークＷの枚数が第２グループの処理部で処理中のワークＷの枚数よりも少ない場合には、制御装置１００は、第１グループの処理部（搬送部２０Ａ）を選択する。以下では、ステップＳ０２において選択されたグループの処理部及び搬送部を「選択グループの処理部」及び「選択搬送部」とそれぞれ称する。第１処理制御部１０４及び第２処理制御部１０６のうちの選択グループの処理部及び選択搬送部の制御を行う処理制御部を「選択処理制御部」と称する。

次に、制御装置１００は、ステップＳ１３，Ｓ１４を実行する。ステップＳ１３では、例えば、選択処理制御部が、収容部１２に収容されている第１状態のワークＷを、いずれかの検査ユニット６０に搬送するように選択搬送部を制御する。ステップＳ１５では、選択処理制御部が、検査ユニット６０に搬入された第１状態のワークＷの検査を行うように検査ユニット６０を制御する。一例では、選択処理制御部は、第１状態のワークＷの表面Ｗａ全体を撮像部６６により撮像させることで、検査ユニット６０にワークＷを検査させる。

次に、制御装置１００は、ステップＳ１５を実行する。ステップＳ１５では、例えば、選択処理制御部が、検査ユニット６０による検査後のワークＷを検査ユニット６０から液処理ユニット４０に搬送するように選択搬送部を制御する。この際、選択処理制御部は、検査後のワークＷが、回転保持部４２Ａ，４２Ｂのうちの選択グループの処理部に属する回転保持部に載置されるように選択搬送部及び液処理ユニット４０を制御する。

次に、制御装置１００は、ステップＳ１６を実行する。ステップＳ１６では、例えば、選択搬送部が、ステップＳ１５において回転保持部に載置されたワークＷの表面Ｗａ上に処理液の塗布膜を形成するように液処理ユニット４０を制御する。一例では、選択処理制御部は、上記回転保持部により回転しているワークＷの表面Ｗａに液供給部４４により処理液を供給させる。そして、選択処理制御部は、液供給部４４による処理液の供給を停止した状態で、上記回転保持部によりワークＷを所定時間回転させる。これにより、ワークＷの表面Ｗａ上に処理液の塗布膜が形成される。

次に、制御装置１００は、ステップＳ１７を実行する。ステップＳ１７では、例えば、選択処理制御部が、処理液の塗布膜が形成されたワークＷを液処理ユニット４０から、選択グループの処理部に属する熱処理ユニット５０に搬送するように選択搬送部を制御する。この際、選択処理制御部は、塗布膜の形成後のワークＷが熱処理ユニット５０の搬入出部５２（例えば冷却プレート）に配置されるように選択搬送部及びその熱処理ユニット５０を制御する。

次に、制御装置１００は、ステップＳ１８を実行する。ステップＳ１８では、例えば、選択処理制御部が、処理液の塗布膜が形成されたワークＷに対して熱処理を施すように、ステップＳ１７においてワークＷが搬入された熱処理ユニット５０を制御する。一例では、選択処理制御部は、加熱部５４によりワークＷの表面Ｗａ上の塗布膜を加熱させ、当該加熱後において、搬入出部５２によりワークＷを冷却させる。これにより、ワークＷの表面Ｗａ上に被膜が形成される。

次に、制御装置１００は、ステップＳ１９，Ｓ２０を実行する。ステップＳ１９では、例えば、選択処理制御部が、被膜形成後のワークＷを熱処理ユニット５０から検査ユニット６０に搬送するように選択搬送部を制御する。ステップＳ１９では、例えば、選択処理制御部が、検査ユニット６０に搬入された被膜形成後のワークＷの検査を行うように検査ユニット６０を制御する。一例では、選択処理制御部は、ワークＷの表面Ｗａ全体を撮像部６６により撮像させることで、検査ユニット６０にワークＷ（表面Ｗａ上の被膜の状態）を検査させる。以上のステップＳ２０までの処理に含まれる一連の処理が実行されることで、被膜が形成された状態である第２状態のワークＷが得られる。

次に、制御装置１００は、ステップＳ２１，Ｓ２２を実行する。ステップＳ２１では、例えば、選択処理制御部が、選択グループの処理部によって第２状態とされたワークＷを検査ユニット６０から収容部１２のいずれかのセルに搬送するように選択搬送部を制御する。ステップＳ２２では、例えば、送出制御部１０８が、選択グループの処理部により第２状態とされたワークＷを、収容部１２から取り出すように搬入出ユニット１０を制御する。そして、送出制御部１０８は、収容部１２から取り出して保持アーム１０ａに保持されているワークＷを、キャリアステーション６上のいずれかのキャリアＣに搬入するように搬入出ユニット１０を制御する。以上により、一つのワークＷに対する被膜の形成処理が終了する。この一のワークＷに対する被膜の形成処理では、選択されていない搬送部によってワークＷの搬送は行われず、選択されていないグループの処理部によってワークＷの処理が行われない。

制御装置１００は、上述のステップＳ１１～Ｓ２２と同様に、複数のワークＷそれぞれに対する被膜の形成処理を行うように基板処理装置１を制御してもよい。この場合、制御装置１００は、複数のワークＷの一部それぞれに対して、搬送部２０Ａ及び第１グループの処理部によって一連の処理を実行させてもよい。搬送部２０Ａ及び第１グループの処理部は、一のワークＷに対する一連の処理と、別のワークＷに対する一連の処理とを並行して行ってもよい。例えば、ステップＳ１６において一のワークＷについての液処理が行われている間に、制御装置１００は、搬送部２０Ａ及び第１グループの処理部に、別のワークＷについてのステップＳ１３，Ｓ１４の処理を実行させてもよい。

制御装置１００は、搬送部２０Ａ及び第１グループの処理部の搬送・処理対象となる複数のワークＷとは別の複数のワークＷそれぞれに対して、搬送部２０Ｂ及び第２グループの処理部によって一連の処理を実行させる。制御装置１００は、一のグループのワークＷに対する搬送部２０Ａ及び第１グループの処理部による一連の処理と、別のグループのワークＷに対する搬送部２０Ｂ及び第２グループの処理部による一連の処理とを並行して基板処理装置１に実行させる。

搬送部２０Ｂ及び第２グループの処理部による一連の処理についてのステップＳ１６では、第２処理制御部１０６が、回転保持部４２Ｂにより回転させているワークＷの表面Ｗａに液供給部４４により処理液を供給させる。回転保持部４２Ｂ上のワークＷへの処理液の供給は、第１処理制御部１０４が処理液供給後に回転保持部４２ＡによりワークＷを回転させている期間の少なくとも一部と重複する期間において行われてもよい。

上述した被膜の形成処理は一例であり、適宜変更可能である。例えば、上述したステップ（処理）の一部が省略されてもよいし、別の順序で各ステップが実行されてもよい。また、上述したステップのうちの任意の２以上のステップが組み合わされてもよいし、ステップの一部が修正または削除されてもよい。あるいは、上記の各ステップに加えて他のステップが実行されてもよい。一例として、ステップＳ１３，Ｓ１４の処理とステップＳ１９，Ｓ２０の処理とのいずれか一方が省略されてもよい。ステップＳ１３，Ｓ１４の処理とステップＳ１９，Ｓ２０の処理とが省略されてもよい。この場合、基板処理部１６は、複数の検査ユニット６０を備えていなくてもよい。

（第１実施形態の効果）
以上に説明した基板処理装置１は、第１状態のワークＷを外部から受け入れて、第２状態のワークＷを外部に送り出す入出ブロック２と、互いに異なる処理を行う２つの処理部を含み、第１状態を第２状態にするための一連の処理を、第１状態のワークＷに対して行う第１グループの処理部と、互いに異なる処理を行う２つの処理部を含み、第１グループの処理部によって行われる一連の処理と同じ一連の処理を、第１状態のワークＷに対して行う第２グループの処理部と、第１状態のワークＷを入出ブロック２から第１グループの処理部に搬送し、第１グループの処理部により第２状態とされたワークＷを第１グループの処理部から入出ブロック２に搬送する搬送部２０Ａと、第１状態のワークＷを入出ブロック２から第２グループの処理部に搬送し、第２グループの処理部により第２状態とされたワークＷを第２グループの処理部から入出ブロック２に搬送する搬送部２０Ｂと、を備える。

この基板処理装置１では、ワークＷに対する一連の処理を第１グループの処理部と第２グループの処理部とによって並行して行うことができる。そして、第１グループの処理部と入出ブロック２との間でワークＷを搬送する搬送部２０Ａが備えられ、第２グループの処理部と入出ブロック２との間でワークＷを搬送する搬送部２０Ｂ（搬送部２０Ａとは別の搬送部２０Ｂ）が備えられる。このため、一連の処理に伴う搬送処理についても並行して行うことができ、基板処理装置１のスループットの向上に有効である。

以上の基板処理装置１において、第１グループの処理部は、第２グループの処理部にも属する共通処理部と、第２グループの処理部には属さない個別処理部とを含んでもよい。共通処理部のスループットは、個別処理部のスループットよりも大きくてもよい。共通処理部において、第１グループの処理部による一連の処理の一部と、第２グループの処理部による一連の処理の一部とが行われても、当該共通処理部のスループットは大きいので、基板処理装置１全体でのスループットに対する影響は小さい。従って、スループットの向上と基板処理装置１の簡素化との両立に有効である。

以上の基板処理装置１において、共通処理部は、搬送部２０Ａによって搬送されるワークＷと搬送部２０Ｂによって搬送されるワークＷとの検査を行う検査ユニットを含んでもよい。この場合、検査ユニットを共通に使用することで、検査結果の装置間ばらつきの抑制に有効である。

以上の基板処理装置１において、第１グループの処理部は、第２グループの処理部にも属する第１共通処理部を含んでもよい。第１共通処理部は、搬送部２０Ａによって搬送されるワークＷを保持する回転保持部４２Ａと、水平方向において回転保持部４２Ａと異なる位置に配置され、搬送部２０Ｂによって搬送されるワークＷを保持する回転保持部４２Ｂと、回転保持部４２Ａに保持されているワークＷと、回転保持部４２Ｂに保持されているワークＷとに処理液を供給可能な液供給部４４とを含んでもよい。この場合、第１共通処理部の一部である液供給部４４が共通に使用される。そのため、並行処理によるスループットの向上と一連の処理の一部の処理を行う処理部の簡素化との両立に有効である。

以上の基板処理装置１において、第１グループの処理部は、第２グループの処理部にも属する第２共通処理部を更に含んでもよい。第２共通処理部の少なくとも一部は、回転保持部４２Ａと回転保持部４２Ｂとの間の位置において第１共通処理部の上又は下に重なっていてもよい。回転保持部４２Ａ，４２Ｂを第１グループでの処理及び第２グループでの処理にそれぞれ使用しようとすると、回転保持部４２Ａ，４２Ｂとの間にある程度の領域が必要となる場合がある。上記構成では、回転保持部４２Ａ，４２Ｂとの間に生じる領域に第２共通処理部の少なくとも一部を重ねることで、上面視において当該領域を有効に使用している。従って、基板処理装置１の設置面積の増加を抑制するのに有用である。

［第２実施形態］
基板処理装置の入出ブロック（基板入出部）は、１つの収容部及び１つの搬入出ユニットに代えて、２つの収容部と、当該２つの収容部にそれぞれ対応する２つの搬入出ユニットとを備えてもよい。図８及び図９には、第２実施形態に係る基板処理装置１Ａが示されている。基板処理装置１Ａは、入出ブロック２に代えて入出ブロック２Ａ（基板入出部）を備え、処理ブロック４に代えて処理ブロック４Ａを備える点において基板処理装置１と相違する。

入出ブロック２Ａは、搬入出ユニット１０に代えて、搬入出ユニット１０Ａ及び搬入出ユニット１０Ｂを有する点、及び収容部１２に代えて、収容部１２Ａ及び収容部１２Ｂを有する点において入出ブロック２と相違する。図９に示されるように、キャリアステーション６に支持されている複数のキャリアＣが並ぶ方向（Ｘ軸方向）において、収容部１２Ａ及び収容部１２Ｂは、互いに異なる位置に配置されている。収容部１２Ａは、搬入出ユニット１０Ａと搬送部２０Ａとの間に配置されており、収容部１２Ｂは、搬入出ユニット１０Ｂと搬送部２０Ｂとの間に配置されている。

搬入出ユニット１０Ａ，１０Ｂは、搬入出ユニット１０と同様に構成されているが、キャリアステーション６上の複数のキャリアＣのうちの一部（例えば、２個）からワークＷを取り出す点で搬入出ユニット１０と異なる。一例では、搬入出ユニット１０Ａは、キャリアステーション６のＸ軸方向の一端から数えて１番目と２番目に位置する２個のキャリアＣから第１状態のワークＷを取り出し、搬入出ユニット１０Ｂは、３番目と４番目に位置する２個のキャリアＣから第１状態のワークＷを取り出す。

搬入出ユニット１０Ａは、キャリアＣから取り出したワークＷを収容部１２Ａに収容する（搬入する）。搬入出ユニット１０Ｂは、キャリアＣから取り出したワークＷを収容部１２Ｂに収容する（搬入する）。搬入出ユニット１０Ａ及び搬入出ユニット１０Ｂによって、第１状態の複数のワークＷが収容部１２Ａと収容部１２Ｂとに振り分けられる。このように、搬入出ユニット１０Ａ及び搬入出ユニット１０Ｂは、第１状態のワークＷを収容部１２Ａ及び収容部１２Ｂのいずれか一方に収容する基板振分部として機能する。搬入出ユニット１０Ａは、第２状態のワークＷを収容部１２Ａから搬出し、搬出した第２状態のワークＷを対応するキャリアＣに搬入する。搬入出ユニット１０Ｂは、第２状態のワークＷを収容部１２Ｂから搬出し、搬出した第２状態のワークＷを対応するキャリアＣに搬入する。

収容部１２Ａ，１２Ｂそれぞれは、収容部１２と同様に、上下方向に並ぶ複数のセルを有する。上面視において、収容部１２Ａは、基板処理装置１ＡのＸ軸方向における一端と、基板処理装置１ＡのＸ軸方向における中央との間に配置されており、Ｘ軸方向において上記中央寄りに配置されている。上面視において、収容部１２Ｂは、基板処理装置１ＡのＸ軸方向における他端と、基板処理装置１ＡのＸ軸方向における中央との間に配置されており、Ｘ軸方向において上記中央寄りに配置されている。一例では、Ｘ軸方向において、収容部１２Ａの位置は搬送部２０Ａに対応（略一致）しており、収容部１２Ｂの位置は搬送部２０Ｂに対応（略一致）している。

収容部１２Ａは、第１状態のワークＷ及び第２状態のワークＷの少なくとも一方の検査を行う検査ユニット６０Ａ（第１検査ユニット）を含む。検査ユニット６０Ａは、収容部１２Ａに含まれる複数のセルの１つに配置されていてもよい。この場合、検査ユニット６０Ａは、長手方向が収容部１２Ａと収容部１２Ｂとが並ぶ方向（Ｘ軸方向）に沿うように配置されてもよく、収容部１２Ａに重ならない部分が収容部１２ＡよりもＸ軸方向における外側に位置していてもよい。検査ユニット６０Ａは、収容部１２Ａのセルと重なる部分にワークＷの搬入出口を有してもよい。検査ユニット６０Ａ内のワークＷの受け渡しを行う受渡位置が収容部１２Ａに重なり、検査ユニット６０Ａ内の搬入出口を基準とした奥に位置する検査位置が収容部１２Ａに重なっていなくてもよい。

収容部１２Ｂは、第１状態のワークＷ及び第２状態のワークＷの少なくとも一方の検査を行う検査ユニット６０Ｂ（第２検査ユニット）を含む。検査ユニット６０Ｂは、収容部１２Ｂに含まれる複数のセルの１つに配置されていてもよい。この場合、検査ユニット６０Ｂは、その長手方向がＸ軸方向に沿うように配置されてもよく、収容部１２Ｂに重ならない部分が収容部１２ＢよりもＸ軸方向における外側に位置していてもよい。検査ユニット６０Ａと検査ユニット６０Ｂとの間隔は、収容部１２Ａと収容部１２Ｂとの間の間隔と略一致していてもよい。検査ユニット６０Ｂは、収容部１２Ｂのセルと重なる部分にワークＷの搬入出口を有してもよい。検査ユニット６０Ｂ内のワークＷの受け渡しを行う受渡位置が収容部１２Ｂに重なり、検査ユニット６０Ｂ内の搬入出口を基準とした奥に位置する検査位置が収容部１２Ｂに重なっていなくてもよい。

搬入出ユニット１０Ａは、第１状態又は第２状態のワークＷを、収容部１２Ａのセルと検査ユニット６０Ａとの間で搬送してもよく、第１状態のワークＷをキャリアＣから検査ユニット６０Ａまで搬送してもよく、第２状態のワークＷを検査ユニット６０ＡからキャリアＣまで搬送してもよい。搬入出ユニット１０Ｂは、第１状態又は第２状態のワークＷを、収容部１２Ｂのセルと検査ユニット６０Ｂとの間で搬送してもよく、第１状態のワークＷをキャリアＣから検査ユニット６０Ｂまで搬送してもよく、第２状態のワークＷを検査ユニット６０ＢからキャリアＣまで搬送してもよい。

処理ブロック４Ａは、複数の検査ユニット６０に代えて、３層の液処理ユニット４０に重ねて配置されている１つの液処理ユニット４０を更に有する点において処理ブロック４と相違する。処理ブロック４Ａでは、第１グループの処理部が、熱処理ユニット５０Ａと液処理ユニット４０とを含み、第２グループの処理部が、熱処理ユニット５０Ｂと液処理ユニット４０とを含む。処理ブロック４Ａの搬送部２０Ａは、収容部１２Ａ、液処理ユニット４０、及び熱処理ユニット５０Ａの間でワークＷを搬送する。上面視において、搬送部２０Ａの搬送領域ＲＡの外縁に沿って、収容部１２Ａ、熱処理ユニット５０Ａ、及び液処理ユニット４０（回転保持部４２Ａ）が並ぶ。

処理ブロック４Ａの搬送部２０Ｂは、収容部１２Ｂ、液処理ユニット４０、及び熱処理ユニット５０Ｂの間でワークＷを搬送する。上面視において、搬送部２０Ｂの搬送領域ＲＢの外縁に沿って、収容部１２Ｂ、熱処理ユニット５０Ｂ、及び液処理ユニット４０（回転保持部４２Ｂ）が並ぶ。Ｘ軸方向において、搬送部２０Ａの昇降駆動部３０（第１昇降アクチュエータ）、搬送部２０Ａの基台２８（第１基台）、搬送部２０Ｂの基台２８（第２基台）、及び搬送部２０Ｂの昇降駆動部３０（第２昇降アクチュエータ）は、この順で配置されていてもよい。搬送部２０Ａの基台２８と搬送部２０Ｂの基台２８とは、Ｘ軸方向において互いに間隔を設けて配置されていてもよい。

搬送部２０Ａは、第１状態のワークＷを収容部１２Ａから搬出し、第１グループの処理部（液処理ユニット４０及び熱処理ユニット５０Ａ）によって第２状態とされたワークＷを収容部１２Ａに搬入する。搬送部２０Ａは、第１状態のワークＷを収容部１２Ａから搬出する際に、当該ワークＷを収容部１２Ａのセルから搬出してもよく、当該ワークＷを検査ユニット６０Ａから搬出してもよい。搬送部２０Ａは、第２状態のワークＷを収容部１２Ａに搬入する際に、当該ワークＷを収容部１２Ａのセルに搬入してもよく、当該ワークＷを検査ユニット６０Ａに搬入してもよい。

搬送部２０Ｂは、第１状態のワークＷを収容部１２Ｂから搬出し、第２グループの処理部（液処理ユニット４０及び熱処理ユニット５０Ｂ）によって第２状態とされたワークＷを収容部１２Ｂに搬入する。搬送部２０Ｂは、第１状態のワークＷを収容部１２Ｂから搬出する際に、当該ワークＷを収容部１２Ｂのセルから搬出してもよく、当該ワークＷを検査ユニット６０Ｂから搬出してもよい。搬送部２０Ｂは、第２状態のワークＷを収容部１２Ｂに搬入する際に、当該ワークＷを収容部１２Ｂのセルに搬入してもよく、当該ワークＷを検査ユニット６０Ｂに搬入してもよい。

基板処理装置１Ａにおいて実行される被膜の形成処理では、外部からのワークＷの受け入れを行う処理の途中において、検査ユニット６０Ａ，６０Ｂによって第１状態のワークＷの検査が行われてもよい。例えば、制御装置１００（受入制御部１０２）は、第１状態のワークＷをキャリアＣから検査ユニット６０Ａに搬送するように搬入出ユニット１０Ａを制御し、搬入されたワークＷの検査を検査ユニット６０Ａに実行させてもよい。受入制御部１０２は、搬入出ユニット１０Ａによる搬送対象のワークＷとは別の第１状態のワークＷをキャリアＣから検査ユニット６０Ｂに搬送するように搬入出ユニット１０Ｂを制御し、搬入されたワークＷの検査を検査ユニット６０Ｂに実行させてもよい。

基板処理装置１Ａにおいて実行される被膜の形成処理では、外部へのワークＷの送り出しを行う処理の途中において、検査ユニット６０Ａ，６０Ｂによって第２状態のワークＷの検査が行われてもよい。例えば、制御装置１００（送出制御部１０８）は、搬送部２０Ａにより検査ユニット６０Ａに搬入された第２状態のワークＷの検査を、検査ユニット６０Ａに実行させてもよい。送出制御部１０８は、搬送部２０Ｂにより検査ユニット６０Ｂに搬入された第２状態のワークＷの検査を、検査ユニット６０Ｂに実行させてもよい。

（第２実施形態の効果）
以上に説明した基板処理装置１Ａにおいても、基板処理装置１と同様に、第１グループの処理部による一連の処理と第２グループの処理部による一連の処理とに伴う搬送処理について並行して行うことができ、スループットの向上に有効である。

以上の基板処理装置１Ａにおいて、入出ブロック２は、水平方向において互いに異なる位置に配置されている収容部１２Ａ及び収容部１２Ｂと、第１状態のワークＷを収容部１２Ａ及び収容部１２Ｂのいずれか一方に収容する基板振分部とを有してもよい。搬送部２０Ａは、第１状態のワークＷを収容部１２Ａから搬出し、第２状態のワークＷを収容部１２Ａに搬入してもよい。搬送部２０Ｂは、第１状態のワークＷを収容部１２Ｂから搬出し、第２状態のワークＷを収容部１２Ｂに搬入してもよい。この場合、一つの収容部が設けられる場合に比べて、収容部に対する搬送部２０Ａ及び搬送部２０ＢによるワークＷの搬入出動作を互いの影響を受けずに行うことができる。

以上の基板処理装置１Ａにおいて、入出ブロック２は、第１状態のワークＷを収容部１２Ａに搬入し、第２状態のワークＷを収容部１２Ａから搬出する搬入出ユニット１０Ａと、第１状態のワークＷを収容部１２Ｂに搬入し、第２状態のワークＷを収容部１２Ｂから搬出する搬入出ユニット１０Ｂとを有してもよい。搬送動作も含めて一連の処理を並行して行うので、ワークＷの受け入れ及び送り出し動作（入出動作）がボトルネックとなる場合がある。上記構成では、入出動作も並行して行うことができるので、基板処理装置のスループットの向上に更に有効である。

以上の基板処理装置１Ａにおいて、収容部１２Ａは、第１状態のワークＷ及び第２状態のワークＷの少なくとも一方の検査を行う検査ユニット６０Ａを含んでもよい。収容部１２Ｂは、第１状態のワークＷ及び第２状態のワークＷの少なくとも一方の検査を行う検査ユニット６０Ｂを含んでもよい。この場合、収容部において一時的にワークＷを待機させる機会を利用して、ワークＷの検査を行うことができる。従って、基板処理装置のスループットの向上に更に有効である。

以上の基板処理装置１Ａにおいて、搬送部２０Ａは、ワークＷを保持する第１保持アームと、第１保持アームを支持する第１基台と、第１基台を昇降させる第１昇降アクチュエータとを有してもよい。搬送部２０Ｂは、ワークＷを保持する第２保持アームと、第２保持アームを支持する第２基台と、第２基台を昇降させる第２昇降アクチュエータとを有してもよい。水平な一方向において、第１昇降アクチュエータ、第１基台、第２基台、及び第２昇降アクチュエータがこの順で配置されており、第１基台及び第２基台は、互いに間隔を空けて配置されていてもよい。この場合、第１基台及び第２基台の間の領域を利用して、搬送部２０Ａ，２０Ｂのメンテナンスを行うことができる。

第１実施形態に係る基板処理装置１の一部の要素が、以上の基板処理装置１Ａに適用されてもよい。例えば、基板処理装置１Ａの入出ブロック２Ａは、搬入出ユニット１０Ａ，１０Ｂに代えて、一つの搬入出ユニット１０を有してもよい。この場合、搬入出ユニット１０が、収容部１２Ａ又は収容部１２ＢにワークＷを振り分ける基板振分部として機能する。

第２実施形態に係る基板処理装置１Ａの一部の要素が、第１実施形態に係る基板処理装置１に適用されてもよい。例えば、基板処理装置１の入出ブロック２は、一つの搬入出ユニット１０に代えて、搬入出ユニット１０Ａ，１０Ｂを備えてもよい。入出ブロック２は、搬入出ユニット１０を備え、一つの収容部１２に代えて、収容部１２Ａ，１２Ｂを備えてもよい。

［第３実施形態］
基板処理装置において、第１グループの処理部及び第１グループの処理部に対応する搬送部と、第２グループの処理部及び第２グループの処理部に対応する搬送部とが、上下方向において互いに異なる位置に配置されていてもよい。図１０及び図１１には、第３実施形態に係る基板処理装置１Ｂが示されている。基板処理装置１Ｂは、入出ブロック２Ａに代えて入出ブロック２Ｂ（基板入出部）を備え、処理ブロック４Ａに代えて処理ブロック４Ｂを備える点において基板処理装置１Ａと相違する。処理ブロック４Ａは、処理モジュール７８Ａ～７８Ｄを有する。処理モジュール７８Ａ～７８Ｄは、上からこの順に積層されている。処理モジュール７８Ａ～７８Ｄの一例については後述する。

入出ブロック２Ｂは、収容部１２Ａ，１２Ｂに代えて、収容部１８Ａ，１８Ｂ及び収容部６８を有する点、搬入出ユニット１４Ａ，１４Ｂを更に有する点において入出ブロック２Ａと装置する。図１１に示されるように、収容部１８Ａ（第３収容部）は、Ｙ軸方向において搬入出ユニット１０Ａに並んで配置され、収容部１８Ｂ（第４収容部）は、Ｙ軸方向において搬入出ユニット１０Ｂに並んで配置されている。収容部１８Ａ及び収容部１８Ｂは、Ｘ軸方向において互いに異なる位置に配置されている。

収容部１８Ａは、第１状態のワークＷ及び第２状態のワークＷの少なくとも一方の検査を行う複数の検査ユニット６０Ａ（第１検査ユニット）を含んでもよい。複数の検査ユニット６０Ａは、上下方向に並んで配置されている。収容部１８Ｂは、第１状態のワークＷ及び第２状態のワークＷの少なくとも一方の検査を行う複数の検査ユニット６０Ｂ（第２検査ユニット）を含んでもよい。複数の検査ユニット６０Ｂは、上下方向に並んで配置されている。検査ユニット６０Ａ，６０Ｂそれぞれは、その長手方向がＸ軸方向に沿うように配置されている。

検査ユニット６０Ａとキャリアステーション６との間に位置する搬入出ユニット１０Ａ（第３搬入出ユニット）は、基板処理装置１Ｂでの処理前の第１状態のワークＷをキャリアＣから取り出し、取り出した第１状態のワークＷを収容部１８Ａ（検査ユニット６０Ａ）に搬入する。搬入出ユニット１０Ａは、基板処理装置１Ｂでの処理後の第２状態のワークＷを収容部１８Ａ（検査ユニット６０Ａ）から搬出し、搬出した第２状態のワークＷをキャリアＣに搬入する。検査ユニット６０Ｂとキャリアステーション６との間に位置する搬入出ユニット１０Ｂ（第４搬入出ユニット）は、第１状態のワークＷをキャリアＣから取り出し、取り出した第１状態のワークＷを収容部１８Ｂ（検査ユニット６０Ｂ）に搬入する。搬入出ユニット１０Ｂは、第２状態のワークＷを収容部１８Ｂ（検査ユニット６０Ｂ）から搬出し、搬出した第２状態のワークＷをキャリアＣに搬入する。

収容部６８は、Ｙ軸方向において収容部１８Ａ，１８Ｂと処理ブロック４Ｂとの間に配置されており、Ｘ軸方向において収容部１８Ａ，１８Ｂの間に配置されている。収容部６８は、図１０に示されるように、収容部６８Ａ～６８Ｄを含む。収容部６８Ａ～６８Ｄそれぞれは、第１状態の複数のワークＷを一時的に収容し、第２状態の複数のワークＷを一時的に収容する。収容部６８Ａ～６８Ｄそれぞれは、例えば、複数のワークＷがそれぞれ載置される複数のセルを有しており、当該複数のセルは、上下方向に沿って並んで配置されている。収容部６８Ａ～６８Ｄは、上からこの順に積層されている。収容部６８Ａの高さ位置は、処理モジュール７８Ａの高さ位置に対応（略一致）している。収容部６８Ｂ～６８Ｄの高さ位置は、収容部６８Ａと処理モジュール７８Ａとの高さ位置の関係と同様に、処理モジュール７８Ｂ～７８Ｄの高さ位置にそれぞれ対応（略一致）している。

搬入出ユニット１４Ａ（第１搬入出ユニット）は、Ｙ軸方向において搬入出ユニット１０Ａとの間に収容部１８Ａを挟むように配置されている。搬入出ユニット１４Ｂ（第２搬入出ユニット）は、Ｙ軸方向において搬入出ユニット１０Ｂとの間に収容部１８Ｂを挟むように配置されている。搬入出ユニット１４Ａ及び搬入出ユニット１４Ｂは、Ｘ軸方向において互いに異なる位置に配置されている。搬入出ユニット１４Ａと搬入出ユニット１４Ｂとは、収容部６８を間に挟んでいる。

搬入出ユニット１４Ａは、例えば、ワークＷを保持する保持アーム１４ａと、収容部１８Ａと収容部６８との間でワークＷを搬送するように保持アーム１４ａを移動させる駆動機構１４ｂとを有する。搬入出ユニット１４Ｂは、例えば、ワークＷを保持する保持アーム１４ａと、収容部１８Ｂと収容部６８との間でワークＷを搬送するように保持アーム１４ａを移動させる駆動機構１４ｂとを有する。

搬入出ユニット１４Ａは、第１状態のワークＷを収容部１８Ａから収容部６８Ａ～６８Ｄのいずれか一つに搬送する。搬入出ユニット１４Ａは、第２状態のワークＷを収容部６８（収容部６８Ａ～６８Ｄ）から収容部１８Ａに搬送する。搬入出ユニット１４Ｂは、第１状態のワークＷを収容部１８Ｂから収容部６８Ａ～６８Ｄのいずれか一つに搬送する。搬入出ユニット１４Ｂは、第２状態のワークＷを収容部６８（収容部６８Ａ～６８Ｄ）から収容部１８Ｂに搬送する。搬入出ユニット１４Ａ及び搬入出ユニット１４Ｂによって、基板処理装置１Ｂ内に受け入れた第１状態の複数のワークＷが、収容部６８Ａ～６８Ｄに振り分けられる。このように、搬入出ユニット１４Ａ及び搬入出ユニット１４Ｂは、第１状態のワークＷを収容部６８Ａ～６８Ｄのいずれか一つに収容する基板振分部として機能する。

収容部６８Ａ～６８Ｄに振り分けられた第１状態の複数のワークＷは、処理モジュール７８Ａ～７８Ｄによって一連の処理が施される。処理モジュール７８Ａ～７８Ｄは、互いに同様に構成されており、第１状態を第２状態にするための互いに同じ一連の処理（例えば、同じ被膜を形成するための同じ処理）をワークＷに施す。

処理モジュール７８Ａは、収容部６８Ａ（第１収容部）に振り分けられた第１状態のワークＷに対して一連の処理を行う複数の処理部を有する。処理モジュール７８Ａは、例えば、液処理ユニット４０と複数の熱処理ユニット５０とを有する。液処理ユニット４０と複数の熱処理ユニット５０とは、互いに同じ高さ位置に配置されている。処理モジュール７８Ａは、収容部６８Ａと液処理ユニット４０及び熱処理ユニット５０との間でワークＷを搬送する搬送部７０（第１搬送部）を更に有する。上面視において、搬送部７０は、複数の熱処理ユニット５０が並ぶ方向に直交する方向（図示のＸ軸方向）において、熱処理ユニット５０と液処理ユニット４０との間に配置されている。

搬送部７０は、液処理ユニット４０と複数の熱処理ユニット５０との間に位置する搬送領域においてワークＷを搬送する。搬送部７０によってワークＷが搬送される搬送領域は、複数の熱処理ユニット５０が並ぶ方向（図示のＹ軸方向）に延びている。搬送部７０は、例えば、水平駆動部７２を更に有する点、昇降駆動部３０が水平駆動部７２に支持されている点において搬送部２０Ａ，２０Ｂと相違する。水平駆動部７２は、モータ等の駆動力によって、昇降駆動部３０をＹ軸方向に沿って移動させるように構成された水平アクチュエータである。以上の搬送部７０は、第１状態のワークＷを収容部６８Ａから液処理ユニット４０に搬送し、処理モジュール７８Ａの液処理ユニット４０及び熱処理ユニット５０によって第２状態とされたワークＷを収容部６８Ａまで搬送する。

処理モジュール７８Ｂは、収容部６８Ｂ（第２収容部）に振り分けられた第１状態のワークＷに対して、処理モジュール７８Ａによる一連の処理と同じ一連の処理を行う複数の処理部を有する。処理モジュール７８Ｂは、例えば、処理モジュール７８Ａと同様に、液処理ユニット４０と、複数の熱処理ユニット５０と、搬送部７０（第２搬送部）とを有する。処理モジュール７８Ｂにおいて、液処理ユニット４０、熱処理ユニット５０、及び搬送部７０の配置は、処理モジュール７８Ａでの対応する部材の配置と同じである。処理モジュール７８Ｂの搬送部７０は、第２状態のワークＷを収容部６８Ｂから液処理ユニット４０に搬送し、処理モジュール７８Ｂの液処理ユニット４０及び熱処理ユニット５０によって第２状態とされたワークＷを収容部６８Ｂまで搬送する。

処理モジュール７８Ｃ，７８Ｄも、処理モジュール７８Ａ，７８Ｂと同様に、一連の処理を行う液処理ユニット４０及び熱処理ユニット５０と、これらの複数の処理部と収容部６８Ｃ，６８Ｄとの間でワークＷを搬送する搬送部７０とを有する。以下では、第１状態のワークＷに対して一連の処理を行う処理モジュール７８Ａの複数の処理部を「第１グループの処理部」とし、第１状態のワークＷに対して上記一連の処理と同じ一連の処理を行う処理モジュール７８Ｂの複数の処理部を「第２グループの処理部」とする。基板処理装置１Ｂにおいては、第１グループの処理部は、処理モジュール７８Ａの液処理ユニット４０と熱処理ユニット５０とを含んでおり、第２グループの処理部は、処理モジュール７８Ｂの液処理ユニット４０と熱処理ユニット５０とを含んでいる。処理モジュール７８Ａと処理モジュール７８Ｂとの高さ位置が互いに異なるので、第１グループの処理部と第２グループの処理部との高さ位置も互いに異なる。

基板振分部として機能する搬入出ユニット１４Ａ及び搬入出ユニット１４Ｂは、第１グループの処理部及び第２グループの処理部の処理対象となる第１状態のワークＷを、収容部６８Ａと収容部６８Ｂのいずれか一方に収容する（振り分ける）。搬入出ユニット１４Ａは、第１グループの処理部及び第２グループの処理部の処理対象となる第１状態のワークＷを、収容部１８Ａから収容部６８Ａ及び収容部６８Ｂのいずれか一方に搬送する。搬入出ユニット１４Ｂは、第１グループの処理部及び第２グループの処理部の処理対象となる第１状態のワークＷを、収容部１８Ｂから収容部６８Ａ及び収容部６８Ｂのいずれか一方に搬送する。

基板処理装置１Ｂにおいて実行される被膜の形成処理のワークＷの受け入れでは、受入制御部１０２は、第１状態のワークＷをキャリアＣから検査ユニット６０Ａに搬送するように搬入出ユニット１０Ａを制御し、搬入出ユニット１０Ａの搬送対象とは別の第１状態のワークＷをキャリアＣから検査ユニット６０Ｂに搬送するように搬入出ユニット１０Ｂを制御する。受入制御部１０２は、搬入出ユニット１０Ａにより搬入された第１状態のワークＷの検査を検査ユニット６０Ａに実行させ、搬入出ユニット１０Ｂにより搬入された第１状態のワークＷの検査を検査ユニット６０Ｂに実行させる。受入制御部１０２は、検査後の第１状態のワークＷを検査ユニット６０Ａから収容部６８Ａ～６８Ｄのいずれかに搬送するように搬入出ユニット１４Ａを制御し、検査後の第１状態のワークＷを検査ユニット６０Ｂから収容部６８Ａ～６８Ｄのいずれかに搬送するように搬入出ユニット１４Ｂを制御する。

基板処理装置１Ｂにおいて実行される被膜の形成処理の一連の処理では、第１処理制御部１０４は、第１グループの処理部によって第１状態のワークＷに一連の処理が行われ、第２状態のワークＷを収容部６８Ａに搬入するように処理モジュール７８Ａを制御する。第２処理制御部１０６は、第２グループの処理部によって第１状態のワークＷに一連の処理が行われ、第２状態のワークＷを収容部６８Ｂに搬入するように処理モジュール７８Ｂを制御する。

基板処理装置１Ｂにおいて実行される被膜の形成処理のワークＷの送り出しでは、送出制御部１０８は、第２状態のワークＷを収容部６８から検査ユニット６０Ａに搬送するように搬入出ユニット１４Ａを制御する。また、送出制御部１０８は、搬入出ユニット１４Ａの搬送対象とは別の第２状態のワークＷを収容部６８から検査ユニット６０Ｂに搬送するように搬入出ユニット１０Ｂを制御する。送出制御部１０８は、搬入出ユニット１４Ａにより搬入された第２状態のワークＷの検査を検査ユニット６０Ａに実行させ、搬入出ユニット１４Ｂにより搬入された第２状態のワークＷの検査を検査ユニット６０Ｂに実行させる。送出制御部１０８は、検査後の第２状態のワークＷを検査ユニット６０ＡからキャリアＣに搬送するように搬入出ユニット１０Ａを制御し、検査後の第２状態のワークＷを検査ユニット６０ＢからキャリアＣに搬送するように搬入出ユニット１０Ｂを制御する。

（変形例）
基板処理装置は、ワークＷの受け入れと送り出しとを行う入出ブロックに代えて、外部から第１状態のワークＷを受け入れる受入ブロックと、第２状態のワークＷを外部に送り出す送出ブロックとを備えてもよい。図１２は、変形例に係る基板処理装置１Ｃが示されており、基板処理装置１Ｃは、入出ブロック２Ｂに代えて受入ブロック２Ｃと送出ブロック８０とを備える点、及び処理ブロック４Ｂに代えて処理ブロック４Ｃを備える点において、基板処理装置１Ｂと相違する。処理ブロック４Ｃは、処理モジュール７８Ｃ，７８Ｄを有しない点において処理ブロック４Ｂと相違する。

受入ブロック２Ｃは、第２状態のワークＷを基板処理装置の外に送り出す機能を有していない点、及び収容部６８が収容部６８Ｃ，６８Ｄを含んでいない点において入出ブロック２Ｂと相違する。制御装置１００（受入制御部１０２）は、基板処理装置１Ｂへの制御と同様に、外部から複数のワークＷを受け入れるように受入ブロック２Ｃを制御する。なお、入出ブロック２Ｂ及び受入ブロック２Ｃは、搬入出ユニット１０Ａ，１０Ｂに代えて搬入出ユニット１０を有し、収容部１８Ｂ及び搬入出ユニット１４Ｂを有さずに収容部１８Ａ及び搬入出ユニット１４Ａを有してもよい。

送出ブロック８０は、露光装置８６に接続されており、処理モジュール７８Ａ，７８Ｂによって第２状態とされたワークＷを露光装置８６（基板処理装置１Ｃの外）に送り出す。送出ブロック８０は、例えば、処理モジュール７８Ａ，７８Ｂの下に配置されており、収容部８２と搬入出ユニット８４とを有する。収容部８２は、搬入出ユニット１４Ａ，１４Ｂによって搬入された第２状態のワークＷを一時的に収容する。搬入出ユニット８４は、収容部８２から第２状態のワークＷを取り出して、露光装置８６に送り出す。基板処理装置１Ｃにおいては、受入ブロック２Ｃと送出ブロック８０とが、第１状態のワークＷを外部から受け入れ、第２状態のワークＷを外部へ送り出す基板入出部として機能する。

以上に説明した基板処理装置１Ｂ，１Ｃにおいても、基板処理装置１と同様に、第１グループの処理部による一連の処理と第２グループの処理部による一連の処理とに伴う搬送処理について並行して行うことができ、スループットの向上に有効である。

以上の基板処理装置１Ｂ，１Ｃにおいて、第１グループの処理部と第２グループの処理部とは、互いに異なる高さ位置に配置されていてもよい。基板入出部は、第１グループの処理部の高さ位置に対応するように配置されている収容部６８Ａと、第２グループの処理部の高さ位置に対応するように配置されている収容部６８Ｂと、第１状態のワークＷを収容部６８Ａ及び収容部６８Ｂのいずれか一方に収容する基板振分部とを有してもよい。この場合、上面視において、同じ一連の処理を行う一のグループの処理部と他のグループの処理部とを同じ領域に配置することができるので、並行して一連の処理を行う２以上のグループの処理部による設置面積の増加の抑制に有効である。

以上の基板処理装置１Ｂ，１Ｃにおいて、基板振分部は、搬入出ユニット１４Ａ及び搬入出ユニット１４Ｂを有してもよい。基板入出部は、水平方向において互いに異なる位置に配置されている収容部１８Ａ及び収容部１８Ｂと、収容部１８Ａに第１状態のワークＷを搬入する搬入出ユニット１０Ａと、収容部１８Ｂに第１状態のワークＷを搬入する搬入出ユニット１０Ｂとを更に有してもよい。搬入出ユニット１４Ａは、第１状態のワークＷを収容部１８Ａから収容部６８Ａ及び収容部６８Ｂのいずれか一方に搬送してもよい。搬入出ユニット１４Ｂは、第１状態のワークＷを収容部１８Ｂから収容部６８Ａ及び収容部６８Ｂのいずれか一方に搬送してもよい。この場合、水平に分配された２グループのワークＷを上下方向において異なるグループに振り分ける２つの動作を並行して行うことができるので、この上下方向へのワークＷの振り分けにおける処理速度の向上に有効である。

収容部１８Ａは、第１状態のワークＷ及び第２状態のワークＷの少なくとも一方の検査を行う検査ユニット６０Ａを含んでもよい。収容部１８Ｂは、第１状態のワークＷ及び第２状態のワークＷの少なくとも一方の検査を行う検査ユニット６０Ｂを含んでもよい。この場合、収容部において一時的にワークＷを待機させる機会を利用して、ワークＷの検査を行うことができる。従って、基板処理装置のスループットの向上に更に有効である。

［第４実施形態］
基板処理装置は、感光性被膜（例えばレジスト膜）を含む２種類以上の被膜を形成する処理と、露光処理後の感光性被膜の現像処理とを行ってもよい。図１３及び図１４には、第４実施形態に係る基板処理装置２００が示されている。基板処理装置２００は、処理前の第１状態のワークＷに対して、レジスト膜を含む複数の被膜の形成処理を含む一連の処理を施す。基板処理装置２００は、一連の処理を施すことで得られる第２状態のワークＷを外部の露光装置に送り出し、露光処理後のワークＷを受け入れる。基板処理装置２００は、露光処理後のワークＷに現像処理を施して、現像処理後のワークＷを外部に送り出す。

基板処理装置２００は、例えば、入出ブロック２０２と、処理ブロック２０４と、インターフェースブロック２０６とを備える。入出ブロック２０２は、第１状態の複数のワークＷを外部から受け入れ、現像処理後のワークＷを外部に送り出す。処理ブロック２０４は、複数の被膜の形成処理を行う処理モジュール２２０Ａ～２２０Ｃと、現像処理を行う処理モジュール２２０Ｄとを有する。処理モジュール２２０Ａ～２２０Ｄは、下からこの順で積層されている。これらの処理モジュールの詳細については後述する。

入出ブロック２０２は、例えば、キャリアステーション６と、搬入搬出部８と、収容部２１６とを有する。収容部２１６は、図１３に示されるように、収容部２１６Ａ～２１６Ｄを含む。収容部２１６Ａ～２１６Ｃそれぞれは、第１状態の複数のワークＷを一時的に収容し、収容部２１６Ｄは、現像処理後の複数のワークＷを一時的に収容する。収容部６８Ａ～６８Ｄそれぞれは、例えば、複数のワークＷがそれぞれ載置される複数のセルを有しており、当該複数のセルは、上下方向に沿って並んで配置されている。

収容部２１６Ａ～２１６Ｄは、下からこの順に積層されている。収容部２１６Ａの高さ位置は、処理モジュール２２０Ａの高さ位置に対応（略一致）している。収容部２１６Ｂ～２１６Ｄの高さ位置は、収容部２１６Ａと処理モジュール２２０Ａとの高さ位置の関係と同様に、処理モジュール２２０Ｂ～２２０Ｄの高さ位置にそれぞれ対応（略一致）している。搬入搬出部８の搬入出ユニット１０は、第１状態のワークＷをキャリアＣから収容部２１６Ａ～２１６Ｃのいずれかに搬送する（振り分ける）。搬入出ユニット１０は、現像処理後のワークＷを収容部２１６ＤからキャリアＣに搬送する。

収容部２１６Ａ～２１６Ｃに搬送された複数のワークＷは、処理モジュール２２０Ａ～２２０Ｃによって一連の処理が施される。処理モジュール２２０Ａ～２２０Ｃは、互いに同様に構成されており、互いに同じ一連の処理をワークＷに施す。処理モジュール２２０Ａ～２２０Ｃのそれぞれは、例えば、一連の処理として、下層膜、レジスト膜、及び上層膜の形成と、ワークＷの洗浄処理とを行う。

処理モジュール２２０Ａは、収容部２１６Ａ（第１収容部）に搬送された（振り分けられた）第１状態のワークＷに対して一連の処理を行う複数の処理部を有する。処理モジュール２２０Ａは、例えば、図１４に示されるように、液処理ユニットＵ１１，Ｕ１２，Ｕ１３と、複数の洗浄処理ユニットＵ１４と、複数の熱処理ユニットＵ２とを有する。これらの複数の処理ユニットは、互いに同じ高さ位置に配置されている。

液処理ユニットＵ１１は、第１状態のワークＷの表面Ｗａに下層膜形成用の処理液を供給する。いずれかの熱処理ユニットＵ２は、下層膜形成用の処理液の塗布膜が形成されたワークＷの熱処理を行う。液処理ユニットＵ１２は、下層膜形成後のワークＷの表面Ｗａにレジスト膜形成用の処理液（例えばレジスト）を供給する。いずれかの熱処理ユニットＵ２は、レジストの塗布膜が形成されたワークＷの熱処理を行う。液処理ユニットＵ１３は、レジスト膜形成後のワークＷの表面Ｗａに上層膜形成用の処理液を供給する。いずれかの熱処理ユニットＵ２は、上層膜形成用の処理液の塗布膜が形成されたワークＷの熱処理を行う。洗浄処理ユニットＵ１４は、上層膜形成後のワークＷの裏面Ｗｂに対して洗浄液を用いた洗浄処理を行う。

処理モジュール２２０Ａは、搬送部２３０を更に有する。搬送部２３０は、収容部２１６Ａ、上記の複数の処理ユニット、及びインターフェースブロック２０６の間においてワークＷを搬送する。

処理モジュール２２０Ａは、一連の処理を行う中間において、処理対象のワークＷを一時的に収容する中間収容部２４０を更に有する。中間収容部２４０に一連の処理の途中でワークＷを収容することで、一連の処理を「前段の処理」と「後段の処理」とに分けることができる。以下では、一連の処理のうちの中間収容部２４０によって収容される前の前段の処理を行う１又は複数の処理部を「前段処理部」という。一連の処理のうちの中間収容部２４０によって収容された後の後段の処理を行う１又は複数の処理部を「後段処理部」という。例えば、前段処理部は、液処理ユニットＵ１１，Ｕ１２，Ｕ１３と、複数の熱処理ユニットＵ２とを含み、後段処理部は、少なくとも１つの洗浄処理ユニットＵ１４（図１４に示す例では、２個の洗浄処理ユニットＵ１４）を含む。

搬送部２３０は、前段処理部に対応する搬送アーム２３２（第１搬送アーム）と、後段処理部に対応する搬送アーム２３４（第２搬送アーム）とを含む。搬送アーム２３２は、収容部２１６Ａに収容されているワークＷを前段処理部に搬送し、前段処理部の処理に伴うワークＷの搬送を行う。搬送アーム２３２は、前段処理部による前段の処理が行われた後のワークＷを中間収容部２４０に搬入する。搬送アーム２３４は、搬送アーム２３２により中間収容部２４０に搬入されたワークＷを、中間収容部２４０から後段処理部に搬送する。搬送アーム２３４は、後段処理部による後段の処理後のワークＷ（一連の処理後の第２状態のワークＷ）をインターフェースブロック２０６に搬送する。

処理モジュール２２０Ａには、搬送部２３０によってワークＷの搬送が行われる搬送領域ＴＲが含まれる。搬送領域ＴＲは、処理モジュール２２０ＡのＸ軸方向の中央部分に位置しており、Ｙ軸方向に延びている。処理モジュール２２０Ａには、搬送領域ＴＲが延びる方向と上下方向とに垂直な方向（Ｘ軸方向）において、搬送領域ＴＲを間に挟む第１処理領域ＰＲ１と第２処理領域ＰＲ２とが更に含まれる。第１処理領域ＰＲ１において、複数の熱処理ユニットＵ２及び一の洗浄処理ユニットＵ１４（複数の第１処理部）が、Ｙ軸方向に並んで配置されている。第２処理領域ＰＲ２において、液処理ユニットＵ１１，Ｕ１２，Ｕ１３及び一の洗浄処理ユニットＵ１４（複数の第２処理部）が、Ｙ軸方向に並んで配置されている。

上下方向から見て、中間収容部２４０の少なくとも一部は、第２処理領域ＰＲ２に重なっている。例えば、中間収容部２４０は、搬送領域ＴＲと第２処理領域ＰＲ２とに跨るように配置されている。中間収容部２４０は、Ｘ軸方向において、第１処理領域ＰＲ１に配置されている複数の第１処理部の一部と対向している。例えば、中間収容部２４０は、複数の熱処理ユニットＵ２のうちの収容部２１６から最も離れる熱処理ユニットＵ２と、搬送アーム２３２の一部の部材を間に挟んで対向している。図１４に示される例では、第１処理領域ＰＲ１のＹ軸方向における幅に対して、複数の第１処理部（５個の熱処理ユニットＵ２と洗浄処理ユニットＵ１４）の幅の合計が占める割合に比べて、第２処理領域ＰＲ２のＹ軸方向における幅に対して、複数の第２処理部（液処理ユニットＵ１１，Ｕ１２，Ｕ１３と洗浄処理ユニットＵ１４）の幅の合計が占める割合が小さい。

処理モジュール２２０Ａの上に重ねられる処理モジュール２２０Ｂは、収容部２１６Ｂ（第２収容部）に搬入された第１状態のワークＷに対して、処理モジュール２２０Ａによる一連の処理と同じ一連の処理を行う複数の処理部を有する。処理モジュール２２０Ｂは、例えば、処理モジュール２２０Ａと同様に、液処理ユニットＵ１１，Ｕ１２，Ｕ１３と、複数の洗浄処理ユニットＵ１４と、複数の熱処理ユニットＵ２と、搬送部２３０と、中間収容部２４０とを有する。処理モジュール２２０Ｂにおいて、これらの複数の処理部等の配置は、処理モジュール２２０Ａでの対応する処理部等の配置と同じである。処理モジュール２２０Ｂの搬送部２３０（搬送アーム２３２，２３４）は、収容部２１６Ｂ、複数の処理部、中間収容部２４０及びインターフェースブロック２０６の間でワークＷを搬送する。

処理モジュール２２０Ｃも、処理モジュール２２０Ａ，２２０Ｂと同様に、下層膜の形成から洗浄処理までの一連の処理を行う複数の処理部と、搬送部２３０と、中間収容部２４０とを有する。処理モジュール２２０Ｄは、現像処理を行う現像処理ユニットＵ１５と、現像処理に伴う熱処理を行う熱処理ユニットＵ２と、処理モジュール２２０Ｄ内でワークＷを搬送する搬送部２３８とを有する。以下では、第１状態のワークＷに対して一連の処理を行う処理モジュール２２０Ａの複数の処理部を「第１グループの処理部」とし、第１状態のワークＷに対して上記一連の処理と同じ一連の処理を行う処理モジュール２２０Ｂの複数の処理部を「第２グループの処理部」とする。第１状態のワークＷに対して上記一連の処理と同じ一連の処理を行う処理モジュール２２０Ｃの複数の処理部を「第３グループの処理部」とする。

第１グループの処理部の処理対象となるワークＷは、第２グループの処理部及び第３グループの処理部により処理されない。また、第２グループの処理部の処理対象となるワークＷは、第２グループの処理部及び第３グループの処理部により処理されない。処理モジュール２２０Ａの搬送部２３０の搬送対象となるワークＷは、他の処理モジュール２２０Ｂ，２２０Ｃの搬送部２３０により搬送されない。処理モジュール２２０Ｂの搬送部２３０の搬送対象となるワークＷは、他の処理モジュール２２０Ａ，２２０Ｃの搬送部２３０により搬送されない。

インターフェースブロック２０６は、露光装置に接続されており、例えば、図１３に示されるように、収容部２６２と、搬入出ユニット２６４と有する。収容部２６２の一部は、処理モジュール２２０Ａ，２２０Ｂの第１グループの処理部及び第２グループの処理部等によって第２状態とされたワークＷを収容し、収容部２６２の残りの一部は露光処理後のワークＷを収容する。搬入出ユニット２６４は、第２状態のワークＷを収容部２６２から露光装置（基板処理装置２００の外部）に送り出す。搬入出ユニット２６４は、露光装置から露光処理後のワークＷを受け入れて、収容部２６２のうちの処理モジュール２２０Ｄに対応する部分に搬送する。基板処理装置２００においては、入出ブロック２０２とインターフェースブロック２０６とが、第１状態のワークＷを外部から受け入れ、第２状態のワークＷを外部へ送り出す基板入出部として機能する。

続いて、図１５を参照して、基板処理方法の一例として基板処理装置２００において実行される塗布現像処理について説明する。図１５は、一つのワークＷに対する塗布現像処理の一例を示すフローチャートである。以下では、図７に示される被膜の形成処理の説明と同様に、第１グループの処理部、第２グループの処理部及び第３グループの処理部（処理モジュール７８Ａ～７８Ｃ）の中から選択されたグループを選択グループの処理部とする。処理モジュール７８Ａ～７８Ｃの搬送部７０のうち、選択グループの処理部による一連の処理に伴う搬送を行う搬送部を選択搬送部とし、選択グループの処理部及び選択搬送部を制御する処理制御部を選択処理制御部とする。

図１５に示されるように、制御装置１００は、まず、ステップＳ３１を実行する。ステップＳ３１では、例えば、制御装置１００が、処理対象のワークＷを、第１グループの処理部、第２グループの処理部及び第３グループの処理部のいずれのグループによってワークＷを処理するかを選択する。制御装置１００は、第１グループの処理部を選択した場合には、選択搬送部として処理モジュール７８Ａの搬送部２３０を選択し、第２グループの処理部を選択した場合には、選択搬送部として処理モジュール７８Ｂの搬送部２３０を選択する。制御装置１００は、第３グループの処理部を選択した場合には、選択搬送部として処理モジュール７８Ｃの搬送部２３０を選択する。制御装置１００は、予め定められた動作スケジュールに基づいて、あるいは、各グループの処理部の処理状況に応じて、処理対象のワークＷについての処理を行うグループ及び搬送を行う搬送部を選択してもよい。

次に、制御装置１００は、ステップＳ３２を実行する。ステップＳ３２では、例えば、受入制御部１０２が、キャリアステーション６上のいずれかのキャリアＣからワークＷを取り出すように搬入出ユニット１０を制御する。そして、受入制御部１０２は、キャリアＣから取り出したワークＷを収容部２１６Ａ～２１６Ｃのうちの選択グループの処理部に対応する収容部に収容するように搬入出ユニット１０を制御する。

次に、制御装置１００は、ステップＳ３３を実行する。ステップＳ３３では、例えば、選択処理制御部が、第１状態のワークＷの表面Ｗａ上に下層膜を形成するように選択グループの処理部及び選択搬送部を制御する。一例では、選択処理制御部は、第１状態のワークＷを、収容部２１６Ａ～２１６Ｃのうちの選択グループに対応する収容部から液処理ユニットＵ１１に搬送するように搬送部２３０の搬送アーム２３２を制御する。そして、選択処理制御部は、ワークＷの表面Ｗａ上に下層膜形成用の処理液の塗布膜を形成するように液処理ユニットＵ１１を制御する。その後、選択処理制御部は、上記塗布膜が形成されたワークＷを液処理ユニットＵ１１からいずれかの熱処理ユニットＵ２に搬送するように搬送アーム２３２を制御し、当該ワークＷに熱処理を施すようにその熱処理ユニットＵ２を制御する。

次に、制御装置１００は、ステップＳ３４を実行する。ステップＳ３４では、例えば、選択処理制御部が、下層膜形成後のワークＷの表面Ｗａ上にレジスト膜を形成するように選択グループの処理部及び選択搬送部を制御する。一例では、選択処理制御部は、下層膜形成後のワークＷを熱処理ユニットＵ２から液処理ユニットＵ１２に搬送するように搬送アーム２３２を制御する。そして、選択処理制御部は、ワークＷの表面Ｗａ上にレジストの塗布膜を形成するように液処理ユニットＵ１２を制御する。その後、選択処理制御部は、レジストの塗布膜が形成されたワークＷを液処理ユニットＵ１２からいずれかの熱処理ユニットＵ２に搬送するように搬送アーム２３２を制御し、当該ワークＷに熱処理を施すようにその熱処理ユニットＵ２を制御する。

次に、制御装置１００は、ステップＳ３５を実行する。ステップＳ３５では、例えば、選択処理制御部が、レジスト膜形成後のワークＷの表面Ｗａ上に上層膜を形成するように選択グループの処理部及び選択搬送部を制御する。一例では、選択処理制御部は、レジスト膜形成後のワークＷを熱処理ユニットＵ２から液処理ユニットＵ１３に搬送するように搬送アーム２３２を制御する。そして、選択処理制御部は、ワークＷの表面Ｗａ上に上層膜形成用の処理液の塗布膜を形成するように液処理ユニットＵ１３を制御する。その後、選択処理制御部は、上記塗布膜が形成されたワークＷを液処理ユニットＵ１２からいずれかの熱処理ユニットＵ２に搬送するように搬送アーム２３２を制御し、当該ワークＷに熱処理を施すようにその熱処理ユニットＵ２を制御する。

次に、制御装置１００は、ステップＳ３６，Ｓ３７を実行する。ステップＳ３６では、例えば、選択処理制御部が、上層膜形成後のワークＷ（前段の処理が行われたワークＷ）を熱処理ユニットＵ２から中間収容部２４０に搬送するように搬送アーム２３２を制御する。ステップＳ３７では、例えば、選択処理制御部が、搬送アーム２３２により中間収容部２４０に収容されたワークＷをいずれかの洗浄処理ユニットＵ１４に搬送するように、搬送アーム２３４を制御する。そして、選択処理制御部は、ワークＷの裏面Ｗｂに対して洗浄液を用いた洗浄処理を施すように洗浄処理ユニットＵ１４を制御する。その後、選択処理制御部は、洗浄処理後のワークＷ（第２状態のワークＷ）をインターフェースブロック２０６の収容部２６２に搬送するように搬送アーム２３４を制御する。

次に、制御装置１００は、ステップＳ３８，Ｓ３９を実行する。ステップＳ３８では、例えば、送出制御部１０８が、収容部２６２に収容されている第２状態のワークＷを露光装置に送り出すように搬入出ユニット２６４を制御する。ステップＳ３９では、例えば、制御装置１００が、露光処理後のワークＷを受け入れて、収容部２６２のうちの処理モジュール２２０Ｄ用のセルに当該ワークＷを搬送するように搬入出ユニット２６４を制御する。そして、制御装置１００は、露光処理後のワークＷに現像処理及び熱処理を施し、現像処理後のワークＷを収容部２１６Ｄに搬送するように、現像処理ユニットＵ１５、熱処理ユニットＵ２、及び搬送部２３８を制御する。

次に、制御装置１００は、ステップＳ４０を実行する。ステップＳ４０では、例えば、制御装置１００が、現像処理後のワークＷを収容部１２からキャリアＣに搬送するように搬入出ユニット１０を制御する。以上により、一つのワークＷに対する塗布現像処理が終了する。以上の一つのワークＷに対する塗布現像処理において、処理対象のワークＷについての一連の処理（下層膜の形成から洗浄処理までの処理）は、選択されていないグループの処理部によって行われずに、選択されていない搬送部によって搬送されない。

制御装置１００は、一のグループのワークＷに対する処理モジュール２２０Ａの搬送部２３０及び第１グループの処理部による一連の処理と、別のグループのワークＷに対する処理モジュール２２０Ｂの搬送部２３０及び第２グループの処理部による一連の処理とを並行して基板処理装置２００に実行させる。制御装置１００は、更に別のグループのワークＷに対する処理モジュール２２０Ｃの搬送部２３０及び第３グループの処理部の一連の処理も、第１グループの処理部及び第２グループの処理部による一連の処理と並行して基板処理装置２００に実行させる。

（変形例）
中間収容部２４０の配置は、上述の例に限られない。中間収容部２４０は、第１処理領域ＰＲ１と搬送領域ＴＲとに重なって配置されてもよく、第１処理領域ＰＲ１及び第２処理領域ＰＲ２とに重ならずに、搬送領域ＴＲ内に配置されていてもよい。

中間収容部２４０は、Ｙ軸方向において、液処理ユニットＵ１１，Ｕ１２と、液処理ユニットＵ１３との間に配置されてもよい。この場合、一連の処理のうちの前段の処理を行う前段処理部が、液処理ユニットＵ１１，Ｕ１２を含んでおり、後段の処理を行う後段処理部が、液処理ユニットＵ１３と洗浄処理ユニットＵ１４とを含んでもよい。この構成では、一の処理モジュール内において、搬送アーム２３２と搬送アーム２３４との間で、ワークＷの搬入出を行う処理ユニット（洗浄処理ユニットＵ１４を含む）の数が概ね均等になり、搬送アームの負担が分散され稼働率がより最適化される。この構成において行われる基板処理方法では、図１５に示されるステップＳ３５とステップＳ３６とが、これらの順序が逆となって実行される。すなわち、中間収容部２４０にワークＷが収容され、中間収容部２４０から搬出された後に当該ワークＷに上層膜の形成処理が施される。

図１６に示されるように、処理モジュール２２０Ａと処理モジュール２２０Ｂとを区切るフロア（フロアの少なくとも一部）が取り除かれてもよい。この場合、処理モジュール２２０Ａ及び処理モジュール２２０Ｂにおいて、１つの搬送アーム２３２Ａ、１つの搬送アーム２３４Ａ及び１つの中間収容部２４０Ａを共用させるように処理ブロック２０４が構成されてもよい。これにより装置構成が簡素化される。処理モジュール２２０Ａ及び処理モジュール２２０Ｂにおいて、図１３に示される例と同様に、２つの液処理ユニットＵ１１が上下方向に並んでいてもよく、２つの液処理ユニットＵ１１と同様に、２つの液処理ユニットＵ１２，Ｕ１３及び２つの洗浄処理ユニットＵ１４が上下方向に並んでいてもよい。

搬送アーム２３２Ａは、昇降機構を更に有する点を除き搬送アーム２３２と同様に構成されており、搬送アーム２３４Ａは、昇降機構を更に有する点を除き搬送アーム２３４と同様に構成されている。搬送アーム２３２Ａは、処理モジュール２２０Ａ及び処理モジュール２２０Ｂに渡って配置された２つの液処理ユニットＵ１１及び２つの液処理ユニットＵ１２と、これらの液処理ユニットにＸ軸方向において対向する熱処理ユニットとに対してワークＷの搬入出を行ってもよい。搬送アーム２３４Ａは、処理モジュール２２０Ａ及び処理モジュール２２０Ｂに渡って配置された２つの液処理ユニットＵ１３及び２つの洗浄処理ユニットＵ１４と、これらの処理ユニットにＸ軸方向において対向する熱処理ユニットとに対してワークＷの搬入出を行ってもよい。中間収容部２４０Ａは、処理モジュール２２０Ａ及び処理モジュール２２０Ｂの双方の高さ位置に対応する複数の収容セルを有する点において中間収容部２４０と相違する。中間収容部２４０Ａの収容セルの数は、１つの中間収容部２４０の収容セルの数よりも多くてもよい。図１３に示される例での搬送アーム２３２と比べて搬送アーム２３２Ａの稼働率を低くしているので、以上の構成の実現が容易となる。

処理モジュール２２０Ａ，２２０Ｂ間のフロア（フロアの一部）を取り除く上記の構成では、同種の処理を行う処理ユニットを上下方向に並べているが（異なる種類の複数の処理ユニットがＹ軸方向に沿って順に並んでいるが）、同種の処理を行う複数の処理ユニットが上下に並んでいなくてもよい。搬送アーム２３２Ａ，２３４Ａを処理モジュール２２０Ａ，２２０Ｂで共用させており、各搬送アームが上下に並ぶ処理モジュール２２０Ａ，２２０Ｂの双方にアクセス可能であるため、同種の処理を行う複数の処理ユニットを水平方向（例えばＹ軸方向）に沿って並べて配置してもよい。例えば、図１６に示されるように、２つの液処理ユニットＵ１１が処理モジュール２２０Ａ内において横に並べて配置され、２つの液処理ユニットＵ１２が２つの液処理ユニットＵ１１の上方（処理モジュール２２０Ｂ内）において横に並べて配置されてもよい。

以上の構成において、同種の処理を行うユニット間で共有するポンプ及び液供給用ノズル等の液供給機器が、対象となる処理モジュールと同じ高さを有する領域に共通化又は統一したうえで配置されてもよい。対象となる処理モジュールと同じ高さを有する領域とは、例えばその処理モジュール内で液処理ユニットの横に隣接する空きスペース、又は入出ブロック２０２内において対象となる処理モジュールに隣接するスペースである。上記のように構成することで、装置内部構成をよりコンパクトにすることができる。また、複数の同種ユニットを横に並べて配置するため、それらのユニット間において揚程差が抑制された、より均等な処理液の供給が可能となる。

同種の液処理ユニットを横に並べる場合に、第１実施形態及び第２実施形態における液処理ユニットＵ１と同様に、２つの液処理ユニットが一体化され、一部の部材が共用されてもよい。例えば、２つの液処理ユニットＵ１１に代えて、１つの液処理ユニットＵ１１が、同じ高さ位置に配置される２つの回転保持部を有し、２つの回転保持部にそれぞれ保持されるワークＷに対して処理液を供給可能な１つの供給用ノズル及び１つの駆動部を含む１つの液供給部を有していてもよい。

上述の例では、複数の処理モジュールのうち、上下に隣り合う処理モジュール２２０Ａ，２２０Ｂにおいて搬送アーム２３２Ａ及び搬送アーム２３４Ａを共用化させている。処理ブロック２０４は、さらに処理効率を上げるために同種の処理モジュールを更に有してもよい。例えば、処理モジュール２２０Ｃの上に別の処理モジュールが設けられ、処理モジュール２２０Ｃと別の処理モジュールとが、処理モジュール２２０Ａ，２２０Ｂの組合せと同様に構成されていてもよい。

入出ブロック２０２は、第３実施形態に係る基板処理装置１Ｂの入出ブロック２Ｂと同様に構成されていてもよい。処理ブロック２０４は、処理モジュール７８Ｃを備えていなくてもよく、処理モジュール７８Ａと同様に構成された１以上の処理モジュールを更に有してもよい。一の処理モジュール内において、各処理ユニットが上下方向において２層以上に積層されていてもよい。

処理ブロック２０４は、処理モジュール２２０Ｄにおいて実行される現像処理を含む一連の処理と同じ一連の処理を行う別の処理モジュール２２０Ｄを更に備えてもよい。この場合、一連の処理前の第１状態は、複数の被膜形成後に露光処理が施され、現像処理が施される前の状態であり、一連の処理後の第２状態は、露光処理後に現像処理が施された後の状態である。一の処理モジュール２２０Ｄは、一連の処理を行う複数の処理部（第１グループの処理部）として現像処理ユニットＵ１５と熱処理ユニットＵ２とを有し、別の処理モジュール２２０Ｄは、一連の処理を行う複数の処理部（第２グループの処理部）として現像処理ユニットＵ１５と熱処理ユニットＵ２とを有する。

（第４実施形態の効果）
以上に説明した基板処理装置２００においても、基板処理装置１と同様に、第１グループの処理部による一連の処理と第２グループの処理部による一連の処理とに伴う搬送処理について並行して行うことができ、基板処理装置のスループットの向上に有効である。

以上の基板処理装置２００において、第１グループの処理部及び第２グループの処理部それぞれが行う一連の処理は、互いに異なる処理液を用いた２以上の液処理を含んでもよい。この場合、２以上の液処理に伴う搬送動作についても並行して行うことができ、第１グループの処理部及び第２グループの処理部それぞれのスループットが向上する。従って、２以上の液処理を含む一連の処理を行う基板処理装置のスループットの向上に有効である。

以上の基板処理装置２００において、第１グループの処理部は、中間収容部２４０と、第２状態にするための一連の処理のうちの前段の処理を行う前段処理部と、当該一連の処理のうちの後段の処理を行う後段処理部とを含んでいてもよい。搬送部２３０は、前段処理部によって処理が行われたワークＷを中間収容部２４０に搬入する搬送アーム２３２と、搬送アーム２３２により中間収容部２４０に搬入されたワークＷを中間収容部２４０から後段処理部に搬送する搬送アーム２３４とを有する。この場合、一連の処理に伴う搬送動作を２つの搬送アームに分担させることができるので、一の搬送アームによって一連の処理に伴う搬送動作を行う場合に比べて、搬送部を簡素化することができる。

以上の基板処理装置２００において、後段処理部は、ワークＷに対して洗浄液を用いた洗浄を行う洗浄処理ユニットＵ１４を含む。この場合、後段処理部に対応する搬送アームは、前段処理部に起因して汚染され難いので、洗浄後のワークＷの裏面Ｗｂに対する搬送部を介した汚れの付着の防止に有効である。

以上の基板処理装置２００は、搬送部２３０によってワークＷが搬送され、水平な第１方向に延びる搬送領域ＴＲと、第１方向及び上下方向に垂直な第２方向において、搬送領域ＴＲを間に挟む第１処理領域ＰＲ１及び第２処理領域ＰＲ２とを更に備えてもよい。第１グループの処理部は、第１処理領域ＰＲ１において第１方向に並ぶ複数の第１処理部と、第２処理領域ＰＲ２において第１方向に並ぶ複数の第２処理部とを含んでもよい。上下方向から見て、中間収容部２４０の少なくとも一部は、第２処理領域ＰＲ２に重なっており、複数の第１処理部の一部は、第２方向において、搬送領域ＴＲを間に挟んで中間収容部２４０に対向していてもよい。この場合、複数の第１処理部の幅の合計と、複数の第２処理部の幅の合計と差に起因して生じ得るデットスペースを有効に利用できる。

以上の基板処理装置２００は、中間収容部２４０は、第２処理領域ＰＲ２において前段処理部と後段処理部との間に配置されていてもよい。この場合、前段処理部に対応する搬送アームの搬送領域と後段処理部に対応する搬送アームの搬送領域との重複部分を小さくすることができる。従って、搬送部の簡素化に更に有用である。

１，１Ａ，１Ｂ，１Ｃ，２００…基板処理装置、２，２Ａ，２Ｂ，２０２…入出ブロック、１０，１０Ａ，１０Ｂ…搬入出ユニット、１４Ａ，１４Ｂ…搬入出ユニット、１２，１２Ａ，１２Ｂ，６８，２１６…収容部、１８Ａ，１８Ｂ…収容部、２０Ａ，２０Ｂ，７０，２３０…搬送部，２２…保持アーム、２８…基台、３０…昇降駆動部、２３２，２３４…搬送アーム、４０，Ｕ１１，Ｕ１２，Ｕ１３…液処理ユニット、４２Ａ，４２Ｂ…回転保持部、４４…液供給部、５０，５０Ａ，５０Ｂ，Ｕ２…熱処理ユニット、６０，６０Ａ，６０Ｂ…検査ユニット、８０…送出ブロック、２０６…インターフェースブロック。

Claims (18)

1. 第１状態の基板を外部から受け入れて、第２状態の基板を外部に送り出す基板入出部と、
   互いに異なる処理を行う２つの処理部を含み、前記第１状態を前記第２状態にするための一連の処理を、前記第１状態の基板に対して行う第１グループの処理部と、
   互いに異なる処理を行う２つの処理部を含み、前記第１グループの処理部によって行われる一連の処理と同じ一連の処理を、前記第１状態の基板に対して行う第２グループの処理部と、
   前記第１状態の基板を前記基板入出部から前記第１グループの処理部に搬送し、前記第１グループの処理部により前記第２状態とされた基板を前記第１グループの処理部から前記基板入出部に搬送する第１搬送部と、
   前記第１状態の基板を前記基板入出部から前記第２グループの処理部に搬送し、前記第２グループの処理部により前記第２状態とされた基板を前記第２グループの処理部から前記基板入出部に搬送する第２搬送部と、を備え、
   前記第１グループの処理部は、前記第２グループの処理部にも属する共通処理部と、前記第２グループの処理部には属さない個別処理部とを含み、
   前記共通処理部のスループットは、前記個別処理部のスループットよりも大きい、基板処理装置。
2. 前記共通処理部は、前記第１搬送部によって搬送される基板と前記第２搬送部によって搬送される基板との検査を行う検査ユニットを含む、請求項１記載の基板処理装置。
3. 第１状態の基板を外部から受け入れて、第２状態の基板を外部に送り出す基板入出部と、
   互いに異なる処理を行う２つの処理部を含み、前記第１状態を前記第２状態にするための一連の処理を、前記第１状態の基板に対して行う第１グループの処理部と、
   互いに異なる処理を行う２つの処理部を含み、前記第１グループの処理部によって行われる一連の処理と同じ一連の処理を、前記第１状態の基板に対して行う第２グループの処理部と、
   前記第１状態の基板を前記基板入出部から前記第１グループの処理部に搬送し、前記第１グループの処理部により前記第２状態とされた基板を前記第１グループの処理部から前記基板入出部に搬送する第１搬送部と、
   前記第１状態の基板を前記基板入出部から前記第２グループの処理部に搬送し、前記第２グループの処理部により前記第２状態とされた基板を前記第２グループの処理部から前記基板入出部に搬送する第２搬送部と、を備え、
   前記第１グループの処理部は、前記第２グループの処理部にも属する第１共通処理部を含み、
   前記第１共通処理部は、
   前記第１搬送部によって搬送される基板を保持する第１保持ユニットと、
   水平方向において前記第１保持ユニットと異なる位置に配置され、前記第２搬送部によって搬送される基板を保持する第２保持ユニットと、
   前記第１保持ユニットに保持されている基板と、前記第２保持ユニットに保持されている基板とに処理液を供給可能な液供給ユニットとを含む、基板処理装置。
4. 前記第１グループの処理部は、前記第２グループの処理部にも属する第２共通処理部を更に含み、
   前記第２共通処理部の少なくとも一部は、前記第１保持ユニットと前記第２保持ユニットとの間の位置において前記第１共通処理部の上又は下に重なっている、請求項３記載の基板処理装置。
5. 前記基板入出部は、
   水平方向において互いに異なる位置に配置されている第１収容部及び第２収容部と、
   前記第１状態の基板を前記第１収容部及び前記第２収容部のいずれか一方に収容する基板振分部とを有し、
   前記第１搬送部は、前記第１状態の基板を前記第１収容部から搬出し、前記第２状態の基板を前記第１収容部に搬入し、
   前記第２搬送部は、前記第１状態の基板を前記第２収容部から搬出し、前記第２状態の基板を前記第２収容部に搬入する、請求項１～４のいずれか一項記載の基板処理装置。
6. 前記基板振分部は、
   前記第１状態の基板を前記第１収容部に搬入し、前記第２状態の基板を前記第１収容部から搬出する第１搬入出ユニットと、
   前記第１状態の基板を前記第２収容部に搬入し、前記第２状態の基板を前記第２収容部から搬出する第２搬入出ユニットとを有する、請求項５記載の基板処理装置。
7. 前記第１収容部は、前記第１状態の基板及び前記第２状態の基板の少なくとも一方の検査を行う第１検査ユニットを含み、
   前記第２収容部は、前記第１状態の基板及び前記第２状態の基板の少なくとも一方の検査を行う第２検査ユニットを含む、請求項５又は６記載の基板処理装置。
8. 前記第１搬送部は、基板を保持する第１保持アームと、前記第１保持アームを支持する第１基台と、前記第１基台を昇降させる第１昇降アクチュエータとを有し、
   前記第２搬送部は、基板を保持する第２保持アームと、前記第２保持アームを支持する第２基台と、前記第２基台を昇降させる第２昇降アクチュエータとを有し、
   水平な一方向において、前記第１昇降アクチュエータ、前記第１基台、前記第２基台、及び前記第２昇降アクチュエータがこの順で配置されており、前記第１基台及び前記第２基台は、互いに間隔を空けて配置されている、請求項１～７のいずれか一項記載の基板処理装置。
9. 前記第１グループの処理部と前記第２グループの処理部とは、互いに異なる高さ位置に配置されており、
   前記基板入出部は、
   前記第１グループの処理部の高さ位置に対応するように配置されている第１収容部と、
   前記第２グループの処理部の高さ位置に対応するように配置されている第２収容部と、
   前記第１状態の基板を前記第１収容部及び前記第２収容部のいずれか一方に収容する基板振分部とを有する、請求項１記載の基板処理装置。
10. 前記基板振分部は、第１搬入出ユニット及び第２搬入出ユニットを有し、
    前記基板入出部は、
    水平方向において互いに異なる位置に配置されている第３収容部及び第４収容部と、
    前記第３収容部に前記第１状態の基板を搬入する第３搬入出ユニットと、
    前記第４収容部に前記第１状態の基板を搬入する第４搬入出ユニットとを更に有し、
    前記第１搬入出ユニットは、前記第１状態の基板を前記第３収容部から前記第１収容部及び前記第２収容部のいずれか一方に搬送し、
    前記第２搬入出ユニットは、前記第１状態の基板を前記第４収容部から前記第１収容部及び前記第２収容部のいずれか一方に搬送する、請求項９記載の基板処理装置。
11. 前記第３収容部は、前記第１状態の基板及び前記第２状態の基板の少なくとも一方の検査を行う第１検査ユニットを含み、
    前記第４収容部は、前記第１状態の基板及び前記第２状態の基板の少なくとも一方の検査を行う第２検査ユニットを含む、請求項１０記載の基板処理装置。
12. 前記第１グループの処理部及び前記第２グループの処理部それぞれが行う一連の処理は、互いに異なる処理液を用いた２以上の液処理を含む、請求項９～１１のいずれか一項記載の基板処理装置。
13. 前記第１グループの処理部は、中間収容部と、前記第２状態にするための一連の処理のうちの前段の処理を行う前段処理部と、当該一連の処理のうちの後段の処理を行う後段処理部とを含み、
    前記第１搬送部は、
    前記前段処理部によって処理が行われた基板を前記中間収容部に搬入する第１搬送アームと、
    前記第１搬送アームにより前記中間収容部に搬入された基板を前記中間収容部から前記後段処理部に搬送する第２搬送アームとを有する、請求項９～１２のいずれか一項記載の基板処理装置。
14. 第１状態の基板を外部から受け入れて、第２状態の基板を外部に送り出す基板入出部と、
    互いに異なる処理を行う２つの処理部を含み、前記第１状態を前記第２状態にするための一連の処理を、前記第１状態の基板に対して行う第１グループの処理部と、
    互いに異なる処理を行う２つの処理部を含み、前記第１グループの処理部によって行われる一連の処理と同じ一連の処理を、前記第１状態の基板に対して行う第２グループの処理部と、
    前記第１状態の基板を前記基板入出部から前記第１グループの処理部に搬送し、前記第１グループの処理部により前記第２状態とされた基板を前記第１グループの処理部から前記基板入出部に搬送する第１搬送部と、
    前記第１状態の基板を前記基板入出部から前記第２グループの処理部に搬送し、前記第２グループの処理部により前記第２状態とされた基板を前記第２グループの処理部から前記基板入出部に搬送する第２搬送部と、を備え、
    前記第１グループの処理部と前記第２グループの処理部とは、互いに異なる高さ位置に配置されており、
    前記基板入出部は、
    前記第１グループの処理部の高さ位置に対応するように配置されている第１収容部と、
    前記第２グループの処理部の高さ位置に対応するように配置されている第２収容部と、
    前記第１状態の基板を前記第１収容部及び前記第２収容部のいずれか一方に収容する基板振分部とを有し、
    前記基板振分部は、第１搬入出ユニット及び第２搬入出ユニットを有し、
    前記基板入出部は、
    水平方向において互いに異なる位置に配置されている第３収容部及び第４収容部と、
    前記第３収容部に前記第１状態の基板を搬入する第３搬入出ユニットと、
    前記第４収容部に前記第１状態の基板を搬入する第４搬入出ユニットとを更に有し、
    前記第１搬入出ユニットは、前記第１状態の基板を前記第３収容部から前記第１収容部及び前記第２収容部のいずれか一方に搬送し、
    前記第２搬入出ユニットは、前記第１状態の基板を前記第４収容部から前記第１収容部及び前記第２収容部のいずれか一方に搬送する、基板処理装置。
15. 第１状態の基板を外部から受け入れて、第２状態の基板を外部に送り出す基板入出部と、
    互いに異なる処理を行う２つの処理部を含み、前記第１状態を前記第２状態にするための一連の処理を、前記第１状態の基板に対して行う第１グループの処理部と、
    互いに異なる処理を行う２つの処理部を含み、前記第１グループの処理部によって行われる一連の処理と同じ一連の処理を、前記第１状態の基板に対して行う第２グループの処理部と、
    前記第１状態の基板を前記基板入出部から前記第１グループの処理部に搬送し、前記第１グループの処理部により前記第２状態とされた基板を前記第１グループの処理部から前記基板入出部に搬送する第１搬送部と、
    前記第１状態の基板を前記基板入出部から前記第２グループの処理部に搬送し、前記第２グループの処理部により前記第２状態とされた基板を前記第２グループの処理部から前記基板入出部に搬送する第２搬送部と、を備え、
    前記第１グループの処理部と前記第２グループの処理部とは、互いに異なる高さ位置に配置されており、
    前記基板入出部は、
    前記第１グループの処理部の高さ位置に対応するように配置されている第１収容部と、
    前記第２グループの処理部の高さ位置に対応するように配置されている第２収容部と、
    前記第１状態の基板を前記第１収容部及び前記第２収容部のいずれか一方に収容する基板振分部とを有し、
    前記第１グループの処理部は、中間収容部と、前記第２状態にするための一連の処理のうちの前段の処理を行う前段処理部と、当該一連の処理のうちの後段の処理を行う後段処理部とを含み、
    前記第１搬送部は、
    前記前段処理部によって処理が行われた基板を前記中間収容部に搬入する第１搬送アームと、
    前記第１搬送アームにより前記中間収容部に搬入された基板を前記中間収容部から前記後段処理部に搬送する第２搬送アームとを有する、基板処理装置。
16. 前記後段処理部は、前記中間収容部から搬出後の基板に対して洗浄液を用いた洗浄を行う洗浄処理ユニットを含む、請求項１５記載の基板処理装置。
17. 前記第１搬送部によって基板が搬送され、水平な第１方向に延びる搬送領域と、
    前記第１方向及び上下方向に垂直な第２方向において、前記搬送領域を間に挟む第１処理領域及び第２処理領域とを更に備え、
    前記第１グループの処理部は、前記第１処理領域において前記第１方向に並ぶ複数の第１処理部と、前記第２処理領域において前記第１方向に並ぶ複数の第２処理部とを含み、
    上下方向から見て、前記中間収容部の少なくとも一部は、前記第２処理領域に重なっており、
    前記複数の第１処理部の一部は、前記第２方向において、前記搬送領域を間に挟んで前記中間収容部に対向している、請求項１５又は１６記載の基板処理装置。
18. 前記中間収容部は、前記第２処理領域において前記前段処理部と前記後段処理部との間に配置されている、請求項１７記載の基板処理装置。

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