JP7424038B2 - 発光装置、および、プロジェクター - Google Patents
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Description
***発光装置の概要***
図1は、本実施形態に係る発光装置の平面図である。図2は、図1のf-f断面における発光装置の断面図である。まず、図1、および図2を用いて、本実施形態の発光装置100の概要について説明する。発光装置100は、半導体内で電子と正孔とを結合させて発光させる微細な柱状結晶構造体であるナノコラムを複数備えた半導体レーザー光源である。なお、実際に光源として用いる際には、複数の発光装置100を規則的に配列させた集合体の面光源として用いることが多い。
図1において、発光領域5を中心として、n電極端子24の方向を+X方向、p電極端子39の方向を+Y方向として説明する。+X方向のことを右方向、-X方向のことを左方向ともいう。図2において、基体10の上の積層方向を+Z方向とする。+Z方向のことを上方向ともいう。
基体10は、基板であり、好適例としてSi基板を用いている。なお、Si基板に限定するものではなく、GaN基板、サファイア基板、ガラス基板などを用いても良い。
基体10の表面には、バッファー層11が形成されている。バッファー層11は、好適例としてSiがドープされたn型のGaN層である。なお、バッファー層11は基体10の一部であるため、バッファー層11を含めて基体10と見做してもよい。
また、基体10とバッファー層11との間、または基体10の底面に反射層を設けても良い。当該反射層は、DBR(Distributed Bragg Reflector)層となる。当該反射層によって、発光層16の発光のうち、基体10側に向かう光を反射させることができるため、光の利用効率を高めることができる。
発光層16は、好適例において、不純物がドープされていないi型のGaN層と、i型のInGaN層とからなる量子井戸構造を重ねた多重量子井戸構造としている。発光層16は、後述するp側電極8から電流が注入されることで発光する。
第2半導体層17は、第1半導体層15とは導電型の異なるp型の半導体層である。好適例において、第2半導体層17は、Mgがドープされたp型のGaN層としている。なお、第1半導体層15、および第2半導体層17は、発光層16に光を閉じ込めるクラッド層としての機能も有する。また、第2半導体層17からなる柱状部20の上部(端面)は、頂部が丸みを帯びたドーム状となっている。なお、頂部の形状は、成長条件によっては鈍角な錘状となることもある。
1つの柱状部20は、平面的に略正六角形をなしている。当該六角形に外接する円の直径は、好適例では約280nmとしている。なお、これに限定するものではなく、10nm以上で、500nm以下であれば良い。なお、本実施形態では、この外接円の直径のことを柱状部20の径と見做して説明する。また、平面形状は、六角形に限定するものではなく、他の多角形や、円であっても良い。
また、配置態様は亀甲模様に限定するものではなく、規則的であれば良い。例えば、格子状、三角格子状、四角格子状などであっても良い。
林立する柱状部20により構成される柱状部群の周囲には、サイドウォール21が設けられている。サイドウォール21は、好適例において酸化シリコン層としている。この材料に限定するものではなく、発光層16の屈折率よりも低い材料が好ましく、例えば、酸化アルミニウム層や、酸化チタン層であっても良い。なお、本実施形態では、複数の柱状部20と、その側壁を覆うサイドウォール21からなる構成部位を積層体30としている。
積層体30の周囲には、絶縁層22が設けられている。絶縁層22は、積層体30頂部の発光領域5を開口して、積層体30の周囲を覆う絶縁性の保護層である。好適例において絶縁層22は、酸化シリコンで形成されている。なお、絶縁性材料であれば良く、例えば、窒化シリコンや、ポリイミドを用いても良い。
第1電極層19、および絶縁層22の一部を覆って、第2電極層25が設けられている。第2電極層25は、透明電極層であり、好適例としてITO(Indium Tin Oxide)を用いている。なお、第1電極層19と第2電極層25とから、電極としてのp側電極8が構成される。p側電極8の詳細は後述する。
積層体30の+Y方向には、p電極端子39が設けられている。p電極端子39は、p側電極8の第2電極層25と電気的に接続している。換言すれば、複数の柱状部20の第2半導体層17と電気的に接続している。
n電極端子24、および、p電極端子39は、電力入力端子であり、例えば、ボンディングワイヤーが接続されて、発光駆動用の駆動信号が入力される。
図3は、図2におけるg部の拡大図であり、p側電極8周辺の拡大断面図である。
前述したように、柱状部20の頂部は丸みを帯びたドーム状となっている。また、隣り合う柱状部20の間には隙間があるため、複数の柱状部20の頂部を繋ぐ表面(上面)は、図3に示すように、波打った形状となっている。
p側電極8は、複数の柱状部20の頂部を覆って設けられるため、当該波打った形状に倣って形成されている。
第1電極層19は、第1金属層19aと、第2金属層19bとの2層構成としている。好適例において、第1金属層19aはNi、第2金属層19bはAuを用いている。Ni層からなる第1金属層19aの厚さを約10nm、Au層からなる第2金属層19bの厚さを約10nmとし、総厚で約20nmの薄膜としている。このように薄膜化することにより、透光性を確保している。なお、この厚さに限定するものではなく、必要な透光性を確保できる厚さであれば良い。
また、金属薄膜は柔軟性があるため、複数の柱状部20による波打った上面の形状にもフィットする。また、柱状部20は結晶体であるため、その表面は滑らかであるが、金属薄膜は当該表面にも密着性良く成膜できる。
ここで、第1電極層19の第2金属層19bと、第2電極層25との界面には、凹凸形状23が設けられている。詳しくは、Auからなる第2金属層19bの表面には凹凸形状23が形成されており、その上に設けられる第2電極層25も、凹凸形状23に倣った形状となっている。凹凸形状23は、10nm以下の微細な凹凸形状であり、第2金属層19bの表面全面に形成されている。なお、凹凸形状23の形成方法は、後述する。
図4の左側は接触前における金属34、半導体33のバンドダイヤグラム図であり、右側は接触後のバンドダイヤグラム図である。図中、金属34のフェルミ準位をEfm、半導体33のフェルミ準位をEfs、半導体の電子親和力をXsとしている。
半導体に金属電極を接続する際、理想的には、金属34の仕事関数φm>半導体33の仕事関数φsであればオーミックコンタクトとなるが、本実施形態の構成においては困難であった。詳しくは、柱状部20のp型GaN層からなる第2半導体層17の仕事関数φsは約6.7evと大きく、他方、ITOからなる第2電極層25の仕事関数φsは約4.3evと小さい関係性となっている。このため、図4の右側図に示すように、両者の接触後においては、エネルギー障壁φBが生じてしまい、接触抵抗により電流が流れ難い組合せとなっている。
まず、仕事関数φsが約6.7evの第2半導体層17には、仕事関数φmが約5.2evのNi層からなる第1金属層19aを接触させる。次いで、第1金属層19aの上には、仕事関数φmが約4.7evのAu層からなる第2金属層19bを設ける。そして、第2金属層19bの上に、仕事関数φmが約4.3evのITOからなる第2電極層25を設ける構成とした。つまり、仕事関数が、第2半導体層17>第1金属層19a>第2金属層19b>第2電極層25となる関係を持つ構成とすることで、エネルギー障壁φBを段階的に小さくし、電流を流れ易くしている。
なお、この関係を満たせば、金属層や、透明電極の材料を変更しても良い。例えば、第2電極層25のITOに換えて、仕事関数φmが約4.6evのIZO(Indium Zinc Oxide)を用いても良い。
このような構成の発光装置100では、柱状部20のp型の第2半導体層17、発光層16、およびn型の第1半導体層15により、pinダイオードが構成される。p電極端子39(図1)とn電極端子24との間に、pinダイオードの順バイアス電圧を印加すると、発光層16に電流が注入されて発光層16で電子と正孔との再結合が起こる。この再結合により発光が生じる。
発光層16で発生した光は、第1半導体層15、および第2半導体層17による積層方向と直交する方向において、間隙の空気層を介して伝搬し、複数の柱状部20によるフォトニック結晶の効果により定在波を形成し、発光層16で利得を受けてレーザー発振する。そして、発光装置100は、+1次回折光および-1次回折光をレーザー光として、発光領域5から出射する。
図5は、発光装置の製造方法を示すフローチャート図である。図6A~図6Cは、製造工程における製品態様を示す過程図である。ここでは、図5を主体に、適宜、図2、図6A~図6Cを交えて、発光装置の製造方法について説明する。
発光装置100は、基本的に、CVD(Chemical Vapor Deposition)法、フォトリソグラフィ法(パターニング)、スパッタリング法、蒸着法(真空蒸着法)、エッチング法、およびCMP(Chemical Mechanical Planarization)法など、公知の半導体プロセスで用いられる方法や、これらを組み合せることにより製造することが可能である。以下、好適な製造方法を主体に説明するが、同等な構造を形成可能で、かつ、当該構造における機能、特性を満たせれば、他の製造方法を用いても良い。
次いで、バッファー層11の上に、柱状部20の形成領域を区画するためのハードマスクである選択マスク12を形成する。選択マスク12は、好適例においてTiを用いている。図6Aでは、複数の柱状部20の形成領域全体を選択マスク12の開口としているが、実際は、柱状部20ごとに対応した開口が形成されている。選択マスク12は、例えば、スパッタリング法で成膜した後、パターニングを行うことで形成する。
まず、サイドウォール21を形成する。複数の柱状部20を含む全面に酸化シリコン層を成膜する。好適例において、成膜には、ALD(Atomic layer deposition)法を用いる。次に、第1電極層19の領域が開口部となるレジストマスクを形成し、ドライエッチングを含むパターニングを行う。これにより、図6Cに示すように、複数の柱状部20の側面にサイドウォール21が形成される。
次に、絶縁層22を形成する。詳しくは、全面に酸化シリコン層を成膜した後、ドライエッチングを含むパターニングを行うことで、図6Cに示すように、発光領域5が開口した状態の絶縁層22が形成される。
p側電極8は、複数の柱状部20における第2半導体層17と接続し、第2半導体層17より仕事関数の小さい材料から成る第1電極層19と、第1電極層19と接続し、第1電極層19よりも仕事関数の小さい第2電極層25とを含み、第1電極層19と第2電極層25との界面は、凹凸形状23を有している。
この構成によれば、第1電極層19は、第2電極層25よりも仕事関数が小さいため、p型GaN層からなる第2半導体層17との間のエネルギー障壁は、第2半導体層17と第2電極層25とが直接接触する場合に比べて小さくなる。つまり、第1電極層19が介在することにより、第2半導体層17と第2電極層25との間におけるエネルギー障壁が段階的となり緩和されるため、電流が流れ易くなる。
さらに、凹凸形状23により、第1電極層19と第2電極層25とのコンタクト面積が増加するため、コンタクト抵抗が低下することに加えて、両者の密着性が向上する。
従って、安定した電気的接続を確保した発光装置100を提供することができる。
この構成によれば、第2半導体層17と、第2電極層25との間に、密着性に優れた金属層からなる第1電極層19が設けられるため、柱状部20の第2半導体層17への密着性が向上する。さらに、仕事関数が、第2半導体層17>第1金属層19a>第2金属層19b>第2電極層25となる関係を持つ構成となるため、エネルギー障壁φBが段階的に小さくなり、電流をより流れ易くすることができる。
この構成によれば、凹凸形状23を設けて、第2金属層19bと第2電極層25とを接続することにより、界面において両者が、凹凸による勘合で強固に結合し、かつ、接触面積が増えるため、接続強度が向上する。これにより、第2電極層25の剥がれを防止している。特に、波打ち形状の谷間において凹凸形状を大きくすることが有効である。前述したように、凹凸形状23は、波打ち形状の谷間において頂部よりも大きく形成されているため、谷間における膜応力の増大に耐えることができ、両者が確実に接合される。さらに、接触面積が増えることで、接触抵抗は低下する。よって、厚さのある第2電極層25と、第2金属層19bとを確実に接続することができる。
これによれば、第1電極層19と第2電極層25との界面となるAu層の表面に、凹凸形状23を効率的に形成することができる。
これによれば、隣り合う柱状部20の間隙で、しっかり接続したい谷間部分について、大きな凹凸形状23により、より強く密着させることができる。
***プロジェクターの概要***
図7は、本実施形態に係るプロジェクターの概略構成図である。
ここでは、本実施形態のプロジェクター200について、図7を用いて説明する。
赤色光源110R、緑色光源110G、青色光源110Bは、その光源として実施形態1の発光装置100を備えている。
第1光変調装置55R、第2光変調装置55G、および第3光変調装置55Bは、例えば、透過型の液晶ライトバルブである。投射装置70は、例えば、投射レンズである。
上述の実施形態1では、発光装置100が柱状部20を用いた半導体レーザーである場合について説明したが、発光装置100は、柱状部20を用いたスーパールミネッセントダイオードや、柱状部20を用いた発光ダイオードであってもよい。
上述の実施形態1に係る発光装置100では、InGaN系の発光層16について説明したが、発光層16としては、出射される光の波長に応じて、電流が注入されることで発光可能な様々な材料系を用いることができる。例えば、AlGaN系、AlGaAs系、InGaAs系、InGaAsP系、InP系、GaP系、AlGaP系などの半導体材料を用いることができる。
Claims (5)
- 基体と、
前記基体上に設けられ、複数の柱状部を含む積層体と、
前記積層体において前記基体とは反対側に設けられている電極と、を有し、
前記柱状部は、第1半導体層、前記第1半導体層と導電型の異なる第2半導体層、およ
び、前記第1半導体層と前記第2半導体層との間に位置する発光層、を有し、
前記電極は、前記複数の柱状部における前記第2半導体層と接続し、
前記第2半導体層より仕事関数の小さい材料からなる第1電極層と、
前記第1電極層と接続し、前記第1電極層よりも仕事関数の小さい第2電極層と、を含
み、
前記第1電極層と前記第2電極層との界面は、凹凸形状を有し、
前記凹凸形状は、前記柱状部に重なる部分よりも、隣り合う前記柱状部の間隙部分の方
が大きい、発光装置。 - 前記第1電極層は、金属層であり、
第1金属層と、第2金属層とを含み、
前記第2半導体層と接続する前記第1金属層の仕事関数は、前記第2金属層の仕事関数
よりも大きい、請求項1に記載の発光装置。 - 前記第2電極層は、透明電極層であり、
前記凹凸形状は、前記第2金属層と、前記第2電極層との界面に設けられている、請求
項2に記載の発光装置。 - 前記電極において、
前記第1金属層は、Ni層であり、
前記第2金属層は、Au層であり、
前記凹凸形状は、前記Au層の表面に、プラズマ処理で形成されている、
請求項2、または3に記載の発光装置。 - 請求項1~4のいずれかに記載の発光装置を備えたプロジェクター。
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Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2021057443A (ja) * | 2019-09-30 | 2021-04-08 | セイコーエプソン株式会社 | 発光装置、および、プロジェクター |
JP2022152161A (ja) * | 2021-03-29 | 2022-10-12 | セイコーエプソン株式会社 | 発光装置、プロジェクター、およびディスプレイ |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008517477A (ja) | 2004-12-08 | 2008-05-22 | エレクトロニクス アンド テレコミュニケーションズ リサーチ インスチチュート | 発光素子及び発光素子の製造方法 |
JP2014512667A (ja) | 2011-02-10 | 2014-05-22 | ザ・ロイヤル・インスティテューション・フォア・ザ・アドバンスメント・オブ・ラーニング/マクギル・ユニヴァーシティ | 高効率広帯域半導体ナノワイヤ素子および異種金属触媒無しの製造方法 |
Family Cites Families (44)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5104824A (en) * | 1990-11-06 | 1992-04-14 | Bell Communications Research, Inc. | Selective area regrowth for surface-emitting lasers and other sharp features |
JP2000277260A (ja) * | 1999-03-23 | 2000-10-06 | Seiko Epson Corp | 発光装置 |
JP4235440B2 (ja) * | 2002-12-13 | 2009-03-11 | キヤノン株式会社 | 半導体デバイスアレイ及びその製造方法 |
KR100560244B1 (ko) | 2003-06-13 | 2006-03-10 | 삼성코닝 주식회사 | 탄소나노구조체 또는 나노와이어를 이용한 전계 방출어레이 및 그 제조 방법 |
US7595511B2 (en) * | 2003-08-08 | 2009-09-29 | Sang-Kyu Kang | Nitride micro light emitting diode with high brightness and method of manufacturing the same |
US7260135B2 (en) * | 2003-09-26 | 2007-08-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
US20050167681A1 (en) * | 2004-02-04 | 2005-08-04 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Electrode layer, light emitting device including the same, and method of forming the electrode layer |
US7132677B2 (en) * | 2004-02-13 | 2006-11-07 | Dongguk University | Super bright light emitting diode of nanorod array structure having InGaN quantum well and method for manufacturing the same |
EP1583190B1 (en) * | 2004-04-02 | 2008-12-24 | Nichia Corporation | Nitride semiconductor laser device |
KR100624419B1 (ko) * | 2004-04-07 | 2006-09-19 | 삼성전자주식회사 | 나노와이어 발광소자 및 그 제조방법 |
US7279751B2 (en) * | 2004-06-21 | 2007-10-09 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor laser device and manufacturing method thereof |
US20060002442A1 (en) | 2004-06-30 | 2006-01-05 | Kevin Haberern | Light emitting devices having current blocking structures and methods of fabricating light emitting devices having current blocking structures |
TWI442456B (zh) * | 2004-08-31 | 2014-06-21 | Sophia School Corp | 發光元件 |
KR100896564B1 (ko) * | 2004-08-31 | 2009-05-07 | 삼성전기주식회사 | 반사전극 및 이를 구비하는 화합물 반도체 발광소자 |
JP4386191B2 (ja) * | 2004-12-15 | 2009-12-16 | セイコーエプソン株式会社 | 光素子 |
KR20070021671A (ko) * | 2005-08-19 | 2007-02-23 | 서울옵토디바이스주식회사 | 나노막대들의 어레이를 채택한 발광 다이오드 및 그것을제조하는 방법 |
JP4105216B2 (ja) * | 2006-08-04 | 2008-06-25 | 三菱電機株式会社 | 半導体光素子の製造方法 |
JP4765916B2 (ja) * | 2006-12-04 | 2011-09-07 | サンケン電気株式会社 | 半導体発光素子 |
JP2009076896A (ja) * | 2007-08-31 | 2009-04-09 | Panasonic Corp | 半導体発光素子 |
JP2009105182A (ja) * | 2007-10-23 | 2009-05-14 | Panasonic Corp | 光集積化素子および光集積化素子の製造方法 |
JP4995053B2 (ja) * | 2007-12-04 | 2012-08-08 | パナソニック株式会社 | 半導体発光素子およびそれを用いる照明装置ならびに半導体発光素子の製造方法 |
JP5097532B2 (ja) | 2007-12-21 | 2012-12-12 | パナソニック株式会社 | 化合物半導体発光素子の製造方法 |
JP5836122B2 (ja) * | 2008-07-07 | 2015-12-24 | グロ アーベーGlo Ab | ナノ構造のled |
KR20100028412A (ko) * | 2008-09-04 | 2010-03-12 | 삼성전자주식회사 | 나노 막대를 이용한 발광 다이오드 및 그 제조 방법 |
JP4886766B2 (ja) * | 2008-12-25 | 2012-02-29 | 株式会社東芝 | 半導体発光素子 |
JP5434288B2 (ja) | 2009-06-12 | 2014-03-05 | 豊田合成株式会社 | 半導体発光素子、半導体発光素子の製造方法、半導体発光素子を備えたランプ、照明装置および電子機器 |
JP2011124442A (ja) * | 2009-12-11 | 2011-06-23 | Panasonic Corp | 半導体レーザ装置及びその製造方法 |
JP4803302B2 (ja) | 2009-12-17 | 2011-10-26 | 三菱化学株式会社 | 窒化物半導体発光素子 |
KR20130136906A (ko) * | 2010-06-18 | 2013-12-13 | 글로 에이비 | 나노와이어 led 구조와 이를 제조하기 위한 방법 |
JP2013042107A (ja) * | 2011-02-17 | 2013-02-28 | Rohm Co Ltd | 半導体レーザ素子 |
JP2013038394A (ja) * | 2011-07-14 | 2013-02-21 | Rohm Co Ltd | 半導体レーザ素子 |
CN104321689B (zh) | 2012-05-09 | 2019-01-22 | 默克专利股份有限公司 | 基于纳米棒的荧光发射的三维显示*** |
FR2992466A1 (fr) * | 2012-06-22 | 2013-12-27 | Soitec Silicon On Insulator | Procede de realisation de contact pour led et structure resultante |
TWI544658B (zh) * | 2012-08-01 | 2016-08-01 | 晶元光電股份有限公司 | 發光二極體結構 |
WO2014138904A1 (en) * | 2013-03-14 | 2014-09-18 | The Royal Institution For The Advancement Of Learning/Mcgill University | Methods and devices for solid state nanowire devices |
KR102086365B1 (ko) * | 2013-04-19 | 2020-03-09 | 삼성전자주식회사 | 반도체 발광소자 |
KR102188497B1 (ko) * | 2014-03-27 | 2020-12-09 | 삼성전자주식회사 | 나노구조 반도체 발광소자 |
US10418499B2 (en) * | 2017-06-01 | 2019-09-17 | Glo Ab | Self-aligned nanowire-based light emitting diode subpixels for a direct view display and method of making thereof |
JP6999877B2 (ja) | 2017-07-31 | 2022-01-19 | セイコーエプソン株式会社 | 発光装置およびプロジェクター |
JP2019040982A (ja) * | 2017-08-24 | 2019-03-14 | セイコーエプソン株式会社 | 発光装置およびその製造方法、ならびにプロジェクター |
JP7097567B2 (ja) * | 2018-02-28 | 2022-07-08 | セイコーエプソン株式会社 | 発光装置およびその製造方法、ならびにプロジェクター |
US11973307B2 (en) * | 2018-04-12 | 2024-04-30 | Suzhou Lekin Semiconductor Co., Ltd. | Surface-emitting laser device |
KR102608987B1 (ko) * | 2018-09-07 | 2023-12-05 | 삼성디스플레이 주식회사 | 발광 소자, 그의 제조 방법, 및 발광 소자를 구비한 표시 장치 |
EP4046248A4 (en) * | 2019-10-15 | 2023-11-29 | The Regents Of The University Of Michigan | NANOCRYSTAL SURFACE EMITTING LASERS |
-
2019
- 2019-12-23 JP JP2019231182A patent/JP7424038B2/ja active Active
-
2020
- 2020-12-22 US US17/130,309 patent/US11901695B2/en active Active
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008517477A (ja) | 2004-12-08 | 2008-05-22 | エレクトロニクス アンド テレコミュニケーションズ リサーチ インスチチュート | 発光素子及び発光素子の製造方法 |
JP2014512667A (ja) | 2011-02-10 | 2014-05-22 | ザ・ロイヤル・インスティテューション・フォア・ザ・アドバンスメント・オブ・ラーニング/マクギル・ユニヴァーシティ | 高効率広帯域半導体ナノワイヤ素子および異種金属触媒無しの製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20210194209A1 (en) | 2021-06-24 |
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US11901695B2 (en) | 2024-02-13 |
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