JP7404763B2 - リードフレーム、リードフレームの製造方法及び半導体装置の製造方法 - Google Patents

Description

本開示は、リードフレーム、リードフレームの製造方法及び半導体装置の製造方法に関する。

近年、基板に実装される半導体装置の小型化及び薄型化が要求されてきている。このような要求に対応すべく、従来、リードフレームを用い、その搭載面に搭載した半導体素子を封止樹脂によって封止するとともに、裏面側にリードの一部分を露出させて構成された、いわゆるＱＦＮ（Quad Flat Non-lead）タイプの半導体装置が種々提案されている。

しかしながら、従来一般的な構造からなるＱＦＮの場合、端子数が増加するにしたがってパッケージが大きくなるため、実装信頼性を確保することが難しくなるという課題があった。これに対して、多ピン化されたＱＦＮを実現するための技術として、外部端子を２列に配列したパッケージの開発が進められている（例えば特許文献１）。このようなパッケージは、ＤＲ－ＱＦＮ（Dual Row QFN）パッケージともよばれている。

特開２００６－１９７６７号公報

近年、ＤＲ－ＱＦＮパッケージを生産するにあたり、チップサイズを変更することなく、リード部の数（ピン数）を増やすことが求められてきている。これに対して、従来、ピン数を増やすために、リードフレームのサイズを大きくする手法がとられてきた。しかしながら、とりわけリードフレームの重量が増加すると、リードフレーム形成後の梱包までの工程や半導体装置を組み立てる工程中の搬送時に、リードフレームの外枠端部と搬送装置とが接触した際、外枠端部の金属が剥離し、不要な金属片となって周囲に飛散してしまうおそれがある。

本開示は、搬送時にリードフレームの外枠端部から金属片が発生することを抑えることが可能な、リードフレーム、リードフレームの製造方法及び半導体装置の製造方法を提供する。

本開示によるリードフレームは、リードフレームにおいて、外枠と、前記外枠の内側に配置されたパッケージ領域と、を備え、前記外枠は、第１面と、前記第１面の反対側に位置する第２面と、前記第１面から前記第２面に向けて延びる側面とを有し、断面において、前記側面と前記第１面との間に第１面側角部が形成され、前記第２面と前記側面との間に第２面側角部が形成され、前記側面のうち前記第１面側角部と前記第２面側角部との間に中間部が形成され、断面において、前記第１面側角部、前記第２面側角部及び前記中間部は、それぞれ丸みを帯びている。

本開示によるリードフレームにおいて、前記中間部は、断面において外側に向けて突出する突起であっても良い。

本開示によるリードフレームにおいて、前記第１面側角部と前記中間部との間には、内側に向けて曲線状に湾曲した第１湾曲部が形成され、前記中間部と前記第２面側角部との間には、内側に向けて曲線状に湾曲した第２湾曲部が形成されていても良い。

本開示によるリードフレームにおいて、断面における前記第１面側角部及び前記第２面側角部の曲率半径は、１μｍ以上２０μｍ以下であり、前記中間部の曲率半径は、１μｍ以上４０μｍ以下であっても良い。

本開示によるリードフレームにおいて、前記中間部は、断面において、外側に向けて曲線状に膨らんでいても良い。

本開示によるリードフレームにおいて、断面において、前記第１面側角部及び前記第２面側角部の曲率半径は、２μｍ以上４０μｍ以下であり、前記中間部の曲率半径は、２０μｍ以上４００μｍ以下であっても良い。

本開示によるリードフレームにおいて、前記第２面側角部は、前記第１面側角部よりも内側に引っ込んでおり、前記中間部は、断面において、前記第１面側角部から前記第２面側角部に向かうにつれて、外側から内側に向かう曲線となっていても良い。

本開示によるリードフレームにおいて、断面において、前記第１面側角部の曲率半径は、１μｍ以上８０μｍ以下であり、前記第２面側角部の曲率半径は、１μｍ以上４０μｍ以下であっても良い。

本開示によるリードフレームにおいて、前記中間部は、断面において、内側に向けて曲線状に凹んでいても良い。

本開示によるリードフレームにおいて、断面において、前記第１面側角部及び前記第２面側角部の曲率半径は、１μｍ以上２０μｍ以下であり、前記中間部の曲率半径は、４０μｍ以上２００μｍ以下であっても良い。

本開示によるリードフレームにおいて、前記第２面側角部は、前記第１面側角部よりも内側に引っ込んでおり、前記第１面側角部は、前記側面のうち最も外側に位置しても良い。

本開示によるリードフレームにおいて、断面において、前記第１面側角部の曲率半径は、１μｍ以上２０μｍ以下であり、前記第２面側角部の曲率半径は、１μｍ以上２０μｍ以下であっても良い。

本開示によるリードフレームにおいて、前記外枠のうち外側に位置する部分に、段部が形成されていても良い。

本開示によるリードフレームの製造方法は、リードフレームの製造方法において、金属基板を準備する工程と、前記金属基板にエッチングを施すことにより、前記金属基板に、外枠と、前記外枠の内側に配置されたパッケージ領域とを形成する工程であって、前記外枠は、第１面と、前記第１面の反対側に位置する第２面と、前記第１面から前記第２面に向けて延びる側面とを有する、工程と、前記金属基板の前記外枠の前記側面を丸め加工する工程と、を備え、断面において、前記側面と前記第１面との間に第１面側角部が形成され、前記第２面と前記側面との間に第２面側角部が形成され、前記側面のうち前記第１面側角部と前記第２面側角部との間に中間部が形成され、断面において、前記第１面側角部、前記第２面側角部及び前記中間部は、それぞれ丸みを帯びている。

本開示によるリードフレームの製造方法において、前記丸め加工する工程は、前記金属基板を薬液により処理する工程であっても良い。

本開示によるリードフレームの製造方法において、前記丸め加工する工程は、前記金属基板を電解処理する工程であっても良い。

本開示による半導体装置の製造方法は、半導体装置の製造方法において、本開示によるリードフレームを準備する工程と、前記リードフレーム上に半導体素子を搭載する工程と、前記半導体素子と前記リードフレームとを接続部材により電気的に接続する工程と、前記リードフレームと、前記半導体素子と、前記接続部材とを封止樹脂により封止する工程と、前記半導体装置毎に前記リードフレーム及び前記封止樹脂を切断する工程とを備えている。

本開示によれば、搬送時にリードフレームの外枠端部から金属片が発生することを抑えることができる。

図１は、第１の実施の形態によるリードフレームの全体を示す平面図。 図２は、第１の実施の形態によるリードフレームの一部を示す拡大平面図（図１のII部拡大図）。 図３は、第１の実施の形態によるリードフレームの外枠における断面図（図２のIII－III線断面図）。 図４は、第１の実施の形態によるリードフレームのパッケージ領域における断面図（図１のIV－IV線断面図）。 図５は、第１の実施の形態による半導体装置を示す平面図。 図６は、第１の実施の形態による半導体装置を示す断面図（図５のVI－VI線断面図）。 図７（ａ）－（ｈ）は、第１の実施の形態によるリードフレームの製造方法を示す断面図。 図８（ａ）－（ｆ）は、第１の実施の形態による半導体装置の製造方法を示す断面図。 図８（ａ）－（ｂ）は、リードフレームを搬送している状態を示す図。 図１０は、第２の実施の形態によるリードフレームの外枠における断面図。 図１１は、第３の実施の形態によるリードフレームの外枠における断面図。 図１２（ａ）－（ｄ）は、第３の実施の形態によるリードフレームの製造方法を示す断面図。 図１３は、第４の実施の形態によるリードフレームの外枠における断面図。 図１４は、第５の実施の形態によるリードフレームの外枠における断面図。

（第１の実施の形態）
以下、第１の実施の形態について、図１乃至図９を参照して説明する。なお、以下の各図において、同一部分には同一の符号を付しており、一部詳細な説明を省略する場合がある。

（リードフレームの構成）
まず、図１乃至図４により、本実施の形態によるリードフレームの概略について説明する。図１乃至図４は、本実施の形態によるリードフレームを示す図である。

図１及び図２に示すように、リードフレーム１０は、外枠４０と、外枠４０の内側に配置されたパッケージ領域（単位リードフレーム）１０ａを含んでいる。

この場合、パッケージ領域１０ａは、多列及び多段に（マトリックス状に）複数配置されている。しかしながら、これに限らずパッケージ領域１０ａは１つ以上存在していれば良い。なお、パッケージ領域１０ａは、それぞれ半導体装置２０（後述）に対応する領域であり、図１及び図２において仮想線の内側に位置する領域である。また、図１及び図２の仮想線は半導体装置２０の外周縁に対応している。

外枠４０は、平面視で中央がくり抜かれた矩形形状（ロ字形状）を有しており、複数のパッケージ領域１０ａを取り囲むように配置されている。外枠４０は、上記矩形の長辺に対応する第１辺４０ａと、上記矩形の短辺に対応する第２辺４０ｂとを有している。第１辺４０ａは、Ｘ方向に延びており、第２辺４０ｂは、Ｙ方向に延びている。この場合、第１辺４０ａの長さＬｘは、１５０ｍｍ以上３００ｍｍ以下としても良い。また第２辺４０ｂの長さＬｙは、２０ｍｍ以上１００ｍｍ以下としても良い。この場合、第１辺４０ａの長さＬｘは第２辺４０ｂの長さＬｙよりも長いが、これに限らず、第１辺４０ａの長さＬｘが第２辺４０ｂの長さＬｙよりも短くても良く、第１辺４０ａの長さＬｘと第２辺４０ｂの長さＬｙとが互いに同一であっても良い。また、第１辺４０ａの幅Ｗｙ（Ｙ方向の長さ）及び第２辺４０ｂの幅Ｗｘ（Ｘ方向の長さ）は、それぞれ３ｍｍ以上２０ｍｍ以下としても良い。

ここで、本明細書中、Ｘ方向、Ｙ方向とは、リードフレーム１０の各辺に平行な二方向であり、Ｘ方向とＹ方向とは互いに直交している。また、Ｚ方向は、Ｘ方向及びＹ方向の両方に対して垂直な方向である。

また、本明細書中、「内」、「内側」とは、リードフレーム１０の中心方向を向く側をいい、「外」、「外側」とは、リードフレームの中心から離れる側をいう。また、「表面」とは、半導体素子２１が搭載される側の面をいい、「裏面」とは、「表面」の反対側の面であって外部の図示しない実装基板に接続される側の面をいう。

また、本明細書中、ハーフエッチングとは、被エッチング材料をその厚み方向に途中までエッチングすることをいう。ハーフエッチング後の被エッチング材料の厚みは、ハーフエッチング前の被エッチング材料の厚みの例えば３０％以上７０％以下、好ましくは４０％以上６０％以下となる。

次に、図３を参照して外枠４０の断面形状について説明する。なお、以下において、外枠４０の第２辺４０ｂの断面について説明するが、第１辺４０ａの断面についても略同様である。

図３に示すように、外枠４０は、第１面４１と、第１面４１の反対側に位置する第２面４２とを有している。このうち第１面４１がリードフレーム１０の表面（後述する半導体素子２１が搭載される側の面）に対応し、第２面４２がリードフレーム１０の裏面（実装基板側の面）に対応する。また外枠４０は、側面４３を有している。側面４３は、外枠４０の外側（パッケージ領域１０ａの反対側）を向く面であり、第１面４１から第２面４２に向けてＺ方向に延びている。

外枠４０の断面において、側面４３と第１面４１との間に第１面側角部４４が形成されている。第１面側角部４４は、外枠４０の表面側周縁部を構成する。また第１面側角部４４は、断面において、外側（パッケージ領域１０ａの反対側）に向けて曲線状に突出するように膨らんでいる。第１面側角部４４は断面視で丸みを帯びており、その曲率半径Ｒａは、１μｍ以上２０μｍ以下となっている。曲率半径Ｒａが１μｍ以上となっていることにより、後述するように、第１面側角部４４が搬送装置９０と接触した場合であっても、第１面側角部４４から金属片が剥離してしまうことが抑えられ、不要な金属片が周囲に飛散しないようにすることができる。また、曲率半径Ｒａが２０μｍ以下となっていることにより、後述する丸め工程において、必要以上に外枠４０が削られて外枠４０の肉厚が薄くなりすぎないようにすることができる。

また、第２面４２と側面４３との間には、第２面側角部４５が形成されている。第２面側角部４５は、外枠４０の裏面側周縁部を構成する。また第２面側角部４５は、断面において、外側（パッケージ領域１０ａの反対側）に向けて曲線状に突出するように膨らんでいる。第２面側角部４５は断面視で丸みを帯びており、その曲率半径Ｒｂは、１μｍ以上２０μｍ以下となっている。曲率半径Ｒｂが１μｍ以上となっていることにより、後述するように、第２面側角部４５が搬送装置９０と接触した場合であっても、第２面側角部４５から金属片が剥離してしまうことが抑えられ、不要な金属片が周囲に飛散しないようにすることができる。また、曲率半径Ｒｂが２０μｍ以下となっていることにより、後述する丸め工程において、必要以上に外枠４０が削られて外枠４０の肉厚が薄くなりすぎないようにすることができる。

また、側面４３のうち、第１面側角部４４と第２面側角部４５との間に中間部（中間角部）４６が形成されている。この場合、中間部４６は、Ｚ方向に沿う第１面側角部４４と第２面側角部４５との略中間位置に位置している。また中間部４６は、断面において、外側（パッケージ領域１０ａの反対側）に向けて曲線状に突出する突起である。中間部４６は断面視で丸みを帯びており、その曲率半径Ｒｃは、１μｍ以上４０μｍ以下となっている。なお、中間部４６は、Ｚ方向に沿う第１面側角部４４と第２面側角部４５との中間位置よりも、第１面側角部４４側に位置していても良く、第２面側角部４５側に位置していても良い。曲率半径Ｒｃが１μｍ以上となっていることにより、後述するように、中間部４６が搬送装置９０と接触した場合であっても、中間部４６から金属片が剥離してしまうことが抑えられ、不要な金属片が周囲に飛散しないようにすることができる。また、曲率半径Ｒｃが４０μｍ以下となっていることにより、後述する丸め工程において、必要以上に外枠４０が削られて外枠４０の肉厚が薄くなりすぎないようにすることができる。

Ｚ方向に沿う第１面側角部４４と中間部４６との間には、第１湾曲部４７が形成されている。第１湾曲部４７は、断面において、内側（パッケージ領域１０ａ側）に向けて曲線状に湾曲している。また、Ｚ方向に沿う中間部４６と第２面側角部４５との間には、第２湾曲部４９が形成されている。第２湾曲部４９は、断面において、内側（パッケージ領域１０ａ側）に向けて曲線状に湾曲している。

この場合、中間部４６の先端は、第１面側角部４４及び第２面側角部４５の先端よりも外側（パッケージ領域１０ａの反対側）に向けて突出しているが、これに限らず、第１面側角部４４及び第２面側角部４５の先端が中間部４６の先端よりも外側に向けて突出していても良い。また、中間部４６の先端が、第１面側角部４４及び第２面側角部４５の先端とＹ方向に同一の位置に存在しても良い。

また、図３に示すように、外枠４０のうち外側に位置する部分に段部４８が形成されている。段部４８は、第１面４１と第２面４２との両方にそれぞれ形成されている。段部４８は、後述する丸め工程において、第１面側角部４４、第２面側角部４５及び中間部４６を丸め加工する際に併せて形成される。この段部４８において、外枠４０は、他の部分よりも肉厚が薄く形成されている。段部４８の深さｄｚ（Ｚ方向距離）は０．５μｍ以上１０μｍ以下としても良い。

次に、図２及び図４を参照して各パッケージ領域１０ａについて説明する。

図２に示すように、各パッケージ領域１０ａは、ダイパッド１１と、ダイパッド１１周囲に設けられ、半導体素子２１と外部回路（図示せず）とを接続する複数の細長い第１リード部１２Ａ及び第２リード部１２Ｂとを備えている。複数のパッケージ領域１０ａは、支持リード（支持部材）１３を介して互いに連結されている。この支持リード１３は、ダイパッド１１と第１リード部１２Ａ及び第２リード部１２Ｂとを支持するものであり、Ｘ方向及びＹ方向に沿ってそれぞれ延びている。

ダイパッド１１は、平面略正方形形状を有しており、その表面には、後述する半導体素子２１が搭載される。この場合、ダイパッド１１は、ハーフエッチングされておらず、加工前の金属基板（後述する金属基板３１）と同一の厚みを有している。ダイパッド１１の平面形状は、正方形に限らず、長方形等の多角形としても良い。また、ダイパッド１１の四隅には吊りリード１４が連結されており、ダイパッド１１は、この４本の吊りリード１４を介して支持リード１３に連結支持されている。

各第１リード部１２Ａ及び各第２リード部１２Ｂは、後述するようにボンディングワイヤ２２を介して半導体素子２１に接続されるものであり、ダイパッド１１との間に空間を介して配置されている。各第１リード部１２Ａ及び各第２リード部１２Ｂは、それぞれ支持リード１３又は外枠４０から延び出している。

各第１リード部１２Ａと各第２リード部１２Ｂとは、ダイパッド１１の周囲に沿って交互に配置されている。この第１リード部１２Ａ及び第２リード部１２Ｂの裏面には、それぞれ外部の実装基板（図示せず）に電気的に接続される外部端子１７Ａ、１７Ｂが形成されている（図４参照）。各外部端子１７Ａ、１７Ｂは、半導体装置２０（後述）の製造後に、それぞれ半導体装置２０から外方に露出するようになっている。

この場合、複数の第１リード部１２Ａ及び第２リード部１２Ｂの外部端子１７Ａ、１７Ｂは、平面視で複数の列（２列）に沿って配置されている。具体的には、外部端子１７Ａ、１７Ｂは、平面視で交互に千鳥状に配置されている。各外部端子１７Ａはそれぞれダイパッド１１側に位置しており、各外部端子１７Ｂはそれぞれ支持リード１３又は外枠４０側に位置している。

図４に示すように、第１リード部１２Ａは、インナーリード５１と、接続リード５２と、端子部５３とを有している。このうちインナーリード５１は、端子部５３からダイパッド１１側に延びており、その先端部には内部端子１５が形成されている。この内部端子１５は、後述するようにボンディングワイヤ２２を介して半導体素子２１に電気的に接続される領域である。接続リード５２は、端子部５３から支持リード１３又は外枠４０側に延びており、その基端部は支持リード１３又は外枠４０に連結されている。なお、端子部５３の裏面には、外部端子１７Ａが形成されている。第１リード部１２Ａのインナーリード５１及び接続リード５２は、それぞれ裏面側からハーフエッチングにより薄肉化されている。他方、端子部５３は、ハーフエッチングされることなく、ダイパッド１１と同一の厚みを有している。

第２リード部１２Ｂは、インナーリード６１と、端子部６３とを有している。このうちインナーリード６１は、端子部６３からダイパッド１１側に延びており、その先端部には内部端子１５が形成されている。インナーリード６１は、裏面側からハーフエッチングにより薄肉に形成されている。また、端子部６３は、ハーフエッチングされることなく、ダイパッド１１と同一の厚みを有している。端子部６３は、その基端側において支持リード１３又は外枠４０に連結されている。この端子部６３の裏面には、外部端子１７Ｂが形成されている。また、端子部６３は、ハーフエッチングされることなく、ダイパッド１１と同一の厚みを有している。

なお、本実施の形態において、リードフレーム１０は、外部端子１７Ａ、１７Ｂを２列に配列したＤＲ－ＱＦＮ（Dual Row QFN）パッケージ用のリードフレームからなっているが、これに限られるものではない。リードフレーム１０は、外部端子を１列に配列したＱＦＮ（Quad Flat Non-lead）パッケージ用のリードフレームであっても良く、外部端子を３列以上に配置したリードフレームであっても良い。あるいは、リードフレーム１０は、少なくとも１対の端子部を含むＬＥＤ素子用のリードフレームであっても良い。

以上説明したリードフレーム１０は、全体として銅、銅合金、４２合金（Ｎｉ４２％のＦｅ合金）等の金属から構成されている。また、リードフレーム１０の厚みは、製造する半導体装置２０の構成にもよるが、８０μｍ以上２００μｍ以下とすることができる。

（半導体装置の構成）
次に、図５及び図６により、本実施の形態による半導体装置について説明する。図５及び図６は、本実施の形態による半導体装置（ＤＲ－ＱＦＮ（Dual Row QFN）タイプ）を示す図である。

図５及び図６に示すように、半導体装置（半導体パッケージ）２０は、ダイパッド１１と、ダイパッド１１の周囲に配置された複数の第１リード部１２Ａ及び複数の第２リード部１２Ｂと、ダイパッド１１上に搭載された半導体素子２１と、第１リード部１２Ａ又は第２リード部１２Ｂと半導体素子２１とを電気的に接続する複数のボンディングワイヤ（接続部材）２２とを備えている。また、ダイパッド１１、第１リード部１２Ａ、第２リード部１２Ｂ、半導体素子２１及びボンディングワイヤ２２は、封止樹脂２３によって樹脂封止されている。

このうちダイパッド１１、第１リード部１２Ａ及び第２リード部１２Ｂは、上述したリードフレーム１０から作製されたものである。ダイパッド１１、第１リード部１２Ａ及び第２リード部１２Ｂの構成は、半導体装置２０に含まれない領域を除き、上述した図１乃至図４に示すものと同様であるため、ここでは詳細な説明を省略する。

また、半導体素子２１としては、従来一般に用いられている各種半導体素子を使用することが可能であり、特に限定されないが、例えば集積回路、大規模集積回路、トランジスタ、サイリスタ、ダイオード等を用いることができる。この半導体素子２１は、各々ボンディングワイヤ２２が取り付けられる複数の電極２１ａを有している。また、半導体素子２１は、例えばダイボンディングペースト等の接着剤２４により、ダイパッド１１の表面に固定されている。

各ボンディングワイヤ２２は、例えば金、銅等の導電性の良い材料からなっている。各ボンディングワイヤ２２は、それぞれその一端が半導体素子２１の電極２１ａに接続されるとともに、その他端が各第１リード部１２Ａ又は第２リード部１２Ｂの内部端子１５にそれぞれ接続されている。なお、内部端子１５には、ボンディングワイヤ２２と密着性を向上させるめっき部が設けられていても良い。

封止樹脂２３としては、シリコーン樹脂やエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂、あるいはＰＰＳ樹脂等の熱可塑性樹脂を用いることができる。封止樹脂２３全体の厚みは、３００μｍ以上１２００μｍ以下程度とすることができる。また、封止樹脂２３の一辺（半導体装置２０の一辺）は、例えば１ｍｍ以上１６ｍｍ以下することができる。なお、図５において、封止樹脂２３のうち、ダイパッド１１、第１リード部１２Ａ及び第２リード部１２Ｂよりも表面側に位置する部分の表示を省略している。

（リードフレームの製造方法）
次に、図１乃至図４に示すリードフレーム１０の製造方法について、図７（ａ）－（ｈ）を用いて説明する。なお、図７（ａ）－（ｈ）は、リードフレーム１０の製造方法を示す断面図であり、外枠４０の断面を含む図である。

まず図７（ａ）に示すように、平板状の金属基板３１を準備する。この金属基板３１としては、銅、銅合金、４２合金（Ｎｉ４２％のＦｅ合金）等の金属からなる基板を使用することができる。なお金属基板３１は、その両面に対して脱脂等を行い、洗浄処理を施したものを使用することが好ましい。

次に、金属基板３１の表裏全体にそれぞれ感光性レジスト３２ａ、３３ａを塗布し、これを乾燥する（図７（ｂ））。なお感光性レジスト３２ａ、３３ａとしては、従来公知のものを使用することができる。

続いて、この金属基板３１に対してフォトマスクを介して露光し、現像することにより、所望の開口部３２ｂ、３３ｂを有するエッチング用レジスト層３２、３３を形成する（図７（ｃ））。

次に、エッチング用レジスト層３２、３３を耐腐蝕膜として金属基板３１に腐蝕液でエッチングを施す（図７（ｄ））。これにより、外枠４０と、パッケージ領域１０ａ（ダイパッド１１、第１リード部１２Ａ及び第２リード部１２Ｂ）の外形が形成される。なお、腐蝕液は、使用する金属基板３１の材質に応じて適宜選択することができ、例えば、金属基板３１として銅を用いる場合、通常、塩化第二鉄水溶液を使用し、金属基板３１の両面からスプレーエッチングを行うことができる。このとき、外枠４０の側面４３は、第１面４１及び第２面４２の両面からエッチングが施されることにより、第１面側角部４４ｓと第２面側角部４５ｓと中間部４６ｓとが形成される。第１面側角部４４ｓと第２面側角部４５ｓと中間部４６ｓとは、それぞれ断面において鋭角的に形成される。

次に、エッチング用レジスト層３２、３３を剥離除去し、次いで金属基板３１を水洗及び乾燥させる（図７（ｅ）参照）。

次に、金属基板３１の表面及び裏面をそれぞれ保護層３６で覆う（図７（ｆ）参照）。保護層３６としては、例えばテープ又はドライフィルム等のマスクを用いることができる。このとき、外枠４０の側面４３、第１面４１の外縁４１ａ及び第２面４２の外縁４２ａは、それぞれ保護層３６で覆われることなく、金属基板３１が露出する。この保護層３６で覆われない外縁４１ａ、４２ａの幅Ｗａは、例えば２μｍ以上４０μｍ以下としても良い。

続いて、金属基板３１を丸め加工することにより、断面において外枠４０の側面４３の第１面側角部４４ｓ、第２面側角部４５ｓ及び中間部４６ｓがそれぞれ丸みを帯びるようにする（図７（ｇ）参照）。この丸め加工により、外枠４０の側面４３の鋭角的な第１面側角部４４ｓ、第２面側角部４５ｓ及び中間部４６ｓ（図７（ｇ）の仮想線参照）がそれぞれ取り除かれ、丸みを帯びた第１面側角部４４、第２面側角部４５及び中間部４６が得られる。

この場合、丸め加工する工程は、金属基板３１を薬液によって処理する工程（丸めエッチング工程）であっても良い。具体的には、金属基板３１を薬液に浸漬し、所定時間（例えば５秒以上６０秒）放置した後、金属基板３１を薬液から取り出す。これにより、薬液によって外枠４０の側面４３の鋭角的な第１面側角部４４ｓ、第２面側角部４５ｓ及び中間部４６ｓが削られ、それぞれ丸みを帯びた第１面側角部４４、第２面側角部４５及び中間部４６が形成される。このような薬液としては、例えば（ｉ）塩酸、塩化第二鉄及び水を含む希塩化液、（ii）過酸化水素水及び硫酸を含む表面粗化液、又は、（iii）硫酸及び無機酸を含む銅マイクロエッチング液等を挙げることができる。

この場合、第１面４１の外縁４１ａ及び第２面４２の外縁４２ａがそれぞれ保護層３６によって覆われていないため、薬液によって外縁４１ａ、４２ａも腐食され、段部４８（図３参照）が形成される。

なお、丸め加工する工程は、保護層３６で覆われた金属基板３１を電解処理する工程であっても良い。この場合、金属基板３１及び図示しない電極を例えばリン酸及びクロム酸を含む電解液に浸漬し、金属基板３１（プラス側）及び電極（マイナス側）間に直流電流を流すことにより、外枠４０の側面４３の第１面側角部４４ｓ、第２面側角部４５ｓ及び中間部４６ｓが削られ、それぞれ丸みを帯びた第１面側角部４４、第２面側角部４５及び中間部４６が得られる。

その後、金属基板３１を塩酸等により酸洗処理し、次いで酸化防止のための防錆処理を行っても良い。このようにして図１乃至図４に示すリードフレーム１０が得られる（図７（ｈ））。

（半導体装置の製造方法）
次に、図５及び図６に示す半導体装置２０の製造方法について、図８（ａ）－（ｆ）を用いて説明する。

まず、例えば図７（ａ）－（ｈ）に示す方法により、リードフレーム１０を作製する（図８（ａ））。

次に、リードフレーム１０のダイパッド１１上に、半導体素子２１を搭載する。この場合、例えばダイボンディングペースト等の接着剤２４を用いて、半導体素子２１をダイパッド１１上に載置して固定する（ダイアタッチ工程）（図８（ｂ））。

次に、半導体素子２１の各電極２１ａと、各第１リード部１２Ａ及び第２リード部１２Ｂの内部端子１５とを、それぞれボンディングワイヤ（接続部材）２２によって互いに電気的に接続する（ワイヤボンディング工程）（図８（ｃ））。

次に、リードフレーム１０に対して熱硬化性樹脂又は熱可塑性樹脂を射出成形又はトランスファ成形することにより、封止樹脂２３を形成する（図８（ｄ））。このようにして、リードフレーム１０、第１リード部１２Ａ、第２リード部１２Ｂ、半導体素子２１及びボンディングワイヤ２２を封止する。

次に、各半導体素子２１間の封止樹脂２３をダイシングすることにより、リードフレーム１０を各半導体装置２０毎に分離する（図８（ｅ））。この際、例えばダイヤモンド砥石からなるブレード３８を回転させながら、各半導体装置２０間のリードフレーム１０及び封止樹脂２３を切断しても良い。このとき、外枠４０は半導体装置２０から離脱する。

このようにして、図５及び図６に示す半導体装置２０が得られる（図８（ｆ））。

ところで、このようにしてリードフレーム１０から半導体装置２０を作製する間、各加工工程の途中で、リードフレーム１０は、搬送装置（キャリア）９０によって搬送される（図９（ａ）参照）。搬送装置９０は、Ｌ字形状であり、水平部分９１と垂直部分９２とを有する。搬送装置９０は、リードフレーム１０の外枠４０を保持しながらリードフレーム１０を搬送する。このとき、搬送装置９０の水平部分９１が外枠４０の第２面４２に接触し、搬送装置９０の垂直部分９２が外枠４０の側面４３に接触又は接近する。本実施の形態において、断面において、外枠４０の側面４３の第１面側角部４４、第２面側角部４５及び中間部４６は、それぞれ丸みを帯びている。これにより、搬送装置９０の垂直部分９２が外枠４０の側面４３に接触した際、側面４３の特定箇所に力が集中しにくい。この結果、外枠４０の側面４３から金属片が剥離して離脱することを抑えるとともに、この金属片が周囲に飛散することを抑え、半導体装置２０の組立ての歩留まりを向上させることができる。

これに対して、比較例として、図９（ｂ）に示すように、仮に外枠４０の側面４３の第１面側角部４４ｓ、第２面側角部４５ｓ及び中間部４６ｓがそれぞれ鋭角的となっている場合、搬送装置９０の垂直部分９２が外枠４０の側面４３に接触した際、第１面側角部４４ｓ、第２面側角部４５ｓ及び中間部４６ｓが剥離して、それぞれ不要な金属片となって周囲に離脱しまうおそれがある。

また、本実施の形態によれば、第１面側角部４４の曲率半径Ｒａは、１μｍ以上２０μｍ以下となっており、第２面側角部４５の曲率半径Ｒｂは、１μｍ以上２０μｍ以下となっている。また、中間部４６の曲率半径Ｒｃは、１μｍ以上４０μｍ以下となっている。これにより、外枠４０の側面４３が搬送装置９０と接触した場合であっても、外枠４０の側面４３から金属片が剥離してしまうことが抑えられ、不要な金属片が周囲に飛散しないようにすることができる。また、丸め工程において、必要以上に外枠４０が削られて外枠４０の肉厚が薄くなりすぎないようにすることができる。

また、本実施の形態によれば、外枠４０のうち外側に位置する部分に段部４８が形成されている。これにより、搬送装置９０の水平部分９１が外枠４０の第２面４２に接触したとき、段部４８は水平部分９１に接触しない。この場合、搬送装置９０の水平部分９１が第２面側角部４５に接触しないため、第２面側角部４５から金属片が剥離することが抑えられる。この結果、リードフレーム１０の第２面側角部４５から不要な金属片が周囲に飛散しないようにすることができる。

（第２の実施の形態）
次に、図１０を参照して第２の実施の形態について説明する。図１０は第２の実施の形態を示す図である。図１０に示す第２の実施の形態は、外枠４０の側面４３の断面形状が異なるものであり、他の構成は上述した第１の実施の形態と略同一である。図１０において、図１乃至図９に示す第１の実施の形態と同一部分には同一の符号を付して詳細な説明は省略する。

図１０に示すリードフレーム１０Ａにおいて、外枠４０は、第１面４１と、第２面４２と、側面４３とを有している。第１面４１と側面４３との間には、第１面側角部４４Ａが形成されている。第１面側角部４４Ａは丸みを帯びており、その曲率半径Ｒｄは、２μｍ以上４０μｍ以下となっている。また、外枠４０の第２面４２と側面４３との間には、第２面側角部４５Ａが形成されている。第２面側角部４５Ａは丸みを帯びており、その曲率半径Ｒｅは、２μｍ以上４０μｍ以下となっている。

また、側面４３のうち、第１面側角部４４Ａと第２面側角部４５Ａとの間に中間部（中間湾曲部）４６Ａが形成されている。この場合、中間部４６Ａは、Ｚ方向に沿う第１面側角部４４Ａと第２面側角部４５Ａとの略中間位置に位置している。また中間部４６Ａは、断面において、外側（パッケージ領域１０ａの反対側）に向けて曲線状に膨らんでいる。中間部４６Ａの曲率半径Ｒｆは、２０μｍ以上４００μｍ以下となっている。なお、中間部４６Ａは、Ｚ方向に沿う第１面側角部４４Ａと第２面側角部４５Ａとの略中間位置よりも、第１面側角部４４Ａ側に位置していても良く、第２面側角部４５Ａに位置していても良い。

側面４３のうち、第１面側角部４４Ａと中間部４６Ａとの間の部分は、外側（パッケージ領域１０ａの反対側）に向けて連続的に曲線状に湾曲している。また、側面４３のうち、中間部４６Ａと第２面側角部４５Ａとの間の部分は、外側（パッケージ領域１０ａの反対側）に向けて連続的に曲線状に湾曲している。

なお、図１０には示していないが、第１の実施の形態と同様に、外枠４０のうち外側に位置する部分に段部が形成されていても良い。

図１０に示すリードフレーム１０Ａを作製する場合、金属基板３１を丸め加工する工程において、例えば第１の実施の形態の場合よりも長時間薬液処理又は電解処理を行う（図７（ｇ）参照）。これにより、側面４３の鋭角的な第１面側角部４４ｓ、第２面側角部４５ｓ及び中間部４６ｓ（図１０の仮想線）がそれぞれ削られ、丸みを帯びた第１面側角部４４Ａ、第２面側角部４５Ａ及び中間部４６Ａが形成される。

本実施の形態によれば、外枠４０に丸みを帯びた第１面側角部４４Ａ、第２面側角部４５Ａ及び中間部４６Ａが形成されている。これにより、外枠４０の側面４３が搬送装置９０（図９（ａ）参照）と接触した場合であっても、側面４３から金属片が剥離してしまうことが抑えられ、不要な金属片が周囲に飛散しないようにすることができる。

（第３の実施の形態）
次に、図１１及び図１２を参照して第３の実施の形態について説明する。図１１及び図１２は第３の実施の形態を示す図である。図１１及び図１２に示す第３の実施の形態は、外枠４０の側面４３の断面形状が異なるものであり、他の構成は上述した第１の実施の形態と略同一である。図１１及び図１２において、図１乃至図９に示す第１の実施の形態と同一部分には同一の符号を付して詳細な説明は省略する。

図１１に示すリードフレーム１０Ｂにおいて、外枠４０は、第１面４１と、第２面４２と、側面４３とを有している。第１面４１と側面４３との間に第１面側角部４４Ｂが形成されている。第１面側角部４４Ｂは丸みを帯びており、その曲率半径Ｒｇは、１μｍ以上８０μｍ以下となっている。また、外枠４０の第２面４２と側面４３との間には、第２面側角部４５Ｂが形成されている。第２面側角部４５Ｂは丸みを帯びており、その曲率半径Ｒｈは、１μｍ以上４０μｍ以下となっている。この場合、第２面側角部４５Ｂは、第１面側角部４４Ｂよりも内側（パッケージ領域１０ａ側）に引っ込んでいる。すなわち、断面において、第２面側角部４５Ｂは第１面側角部４４Ｂに対してＸ方向にずれた位置にある。

また、側面４３のうち、第１面側角部４４Ｂと第２面側角部４５Ｂとの間に中間部（中間湾曲部）４６Ｂが形成されている。この中間部４６Ｂは、断面視で丸みを帯びている。この場合、中間部４６Ｂは、断面において、第１面側角部４４Ｂから第２面側角部４５Ｂに向かうにつれて、外側（パッケージ領域１０ａの反対側）から内側（パッケージ領域１０ａ側）に向かう曲線となっている。また、側面４３のうち、第１面側角部４４Ｂと中間部４６Ｂとの間の部分は、外側（パッケージ領域１０ａの反対側）に向けて曲線状に湾曲している。さらに、側面４３のうち、中間部４６Ｂと第２面側角部４５Ｂとの間の部分は、内側（パッケージ領域１０ａ側）に向けて曲線状に湾曲している。

なお、図１１には示していないが、第１の実施の形態と同様に、外枠４０のうち外側に位置する部分に段部が形成されていても良い。

図１１に示すリードフレーム１０Ｂを作製する場合、まず第１の実施の形態の場合（図７（ａ）－（ｅ）参照）と略同様に、外枠４０及びパッケージ領域１０ａの外形が形成された金属基板３１をエッチングにより作製する。この場合、外枠４０の側面４３には、鋭角的な第１面側角部４４ｓ、第２面側角部４５ｓ及び中間部４６ｓが形成される（図１２（ａ）参照）。

次に、金属基板３１の表面及び裏面をそれぞれ保護層３６で覆う（図１２（ｂ）参照）。このとき、外枠４０の側面４３と、第１面４１の外縁４１ａと、第２面４２の外縁４２ａとは、それぞれ保護層３６で覆われることなく、金属基板３１が露出する。この場合、保護層３６で覆われない第１面４１の外縁４１ａの幅Ｗｂは、保護層３６で覆われない第２面４２の外縁４２ａの幅Ｗｃよりも狭い（Ｗｂ＜Ｗｃ）。具体的には、第１面４１の外縁４１ａの幅Ｗｂは、例えば２μｍ以上１０μｍ以下としても良く、第２面４２の外縁４２ａの幅Ｗｃは、例えば２μｍ以上２０μｍ以下としても良い。

続いて、金属基板３１を丸め加工することにより、断面において外枠４０の側面４３の鋭角的な第１面側角部４４ｓ、第２面側角部４５ｓ及び中間部４６ｓがそれぞれ丸みを帯びるようにする（図１２（ｃ）参照）。この丸め加工により、外枠４０の側面４３の鋭角的な第１面側角部４４ｓ、第２面側角部４５ｓ及び中間部４６ｓがそれぞれ削られ、丸みを帯びた第１面側角部４４Ｂ、第２面側角部４５Ｂ及び中間部４６Ｂが得られる。

この場合、丸め加工する工程は、金属基板３１を薬液によって処理する工程（丸めエッチング工程）であっても良く、金属基板３１を電解処理する工程であっても良い。

その後、金属基板３１を塩酸等により酸洗処理し、次いで酸化防止のための防錆処理を行っても良い。その後、金属基板３１の表面及び裏面からそれぞれ保護層３６を剥離除去することにより、図１１に示すリードフレーム１０Ｂが得られる（図１２（ｄ）参照）。

本実施の形態によれば、断面において、外枠４０の側面４３の第１面側角部４４Ｂ、第２面側角部４５Ｂ及び中間部４６Ｂは、それぞれ丸みを帯びているので、外枠４０の側面４３が搬送装置９０（図９（ａ）参照）と接触した場合であっても、側面４３から金属片が剥離してしまうことが抑えられる。また、第２面側角部４５Ｂが第１面側角部４４Ｂよりも内側（パッケージ領域１０ａ側）に引っ込んでいるので、リードフレーム１０Ｂの搬送時に、第２面側角部４５Ｂは搬送装置９０の垂直部分９２（図９（ａ）参照）に接触しない。これにより、とりわけ第２面側角部４５Ｂから金属片が剥離してしまうことが抑えられ、不要な金属片が周囲に飛散しないようにすることができる。

（第４の実施の形態）
次に、図１３を参照して第４の実施の形態について説明する。図１３は第４の実施の形態を示す図である。図１３に示す第４の実施の形態は、外枠４０の側面４３の断面形状が異なるものであり、他の構成は上述した第１の実施の形態と略同一である。図１３において、図１乃至図９に示す第１の実施の形態と同一部分には同一の符号を付して詳細な説明は省略する。

図１３に示すリードフレーム１０Ｃにおいて、外枠４０は、第１面４１と、第２面４２と、側面４３とを有している。第１面４１と側面４３との間には、第１面側角部４４Ｃが形成されている。第１面側角部４４Ｃは丸みを帯びており、その曲率半径Ｒｉは、１μｍ以上２０μｍ以下となっている。また、外枠４０の第２面４２と側面４３との間には、第２面側角部４５Ｃが形成されている。第２面側角部４５Ｃは丸みを帯びており、その曲率半径Ｒｊは、１μｍ以上２０μｍ以下となっている。

また、側面４３のうち、第１面側角部４４Ｃと第２面側角部４５Ｃとの間に中間部（中間湾曲部）４６Ｃが形成されている。この場合、中間部４６Ｃは、Ｚ方向に沿う第１面側角部４４Ｃと第２面側角部４５Ｃとの略中間位置に位置している。また中間部４６Ｃは、断面において、内側（パッケージ領域１０ａ側）に向けて曲線状に凹んでいる。中間部４６Ｃの曲率半径Ｒｋは、４０μｍ以上２００μｍ以下となっている。なお、中間部４６Ｃは、Ｚ方向に沿う第１面側角部４４Ｃと第２面側角部４５Ｃとの略中間位置よりも、第１面側角部４４Ｃ側に位置していても良く、第２面側角部４５Ｃに位置していても良い。

側面４３のうち、第１面側角部４４Ｃと中間部４６Ｃとの間の部分は、内側（パッケージ領域１０ａ側）に向けて連続的に曲線状に湾曲している。また、側面４３のうち、中間部４６Ｃと第２面側角部４５Ｃとの間の部分は、内側（パッケージ領域１０ａ側）に向けて連続的に曲線状に湾曲している。

なお、図１３には示していないが、第１の実施の形態と同様に、外枠４０のうち外側に位置する部分に段部が形成されていても良い。

図１３に示すリードフレーム１０Ｃを作製する場合、金属基板３１の外枠４０の側面４３に、予めエッチングにより第１面側角部４４ｓと第２面側角部４５ｓとを形成する。その後、金属基板３１を丸め加工する工程において、例えば第１の実施の形態及び第２の実施の形態の場合よりも長時間薬液処理又は電解処理を行う（図７（ｇ）参照）。これにより、側面４３の鋭角的な第１面側角部４４ｓ及び第２面側角部４５ｓ（図１３の仮想線）がそれぞれ削られ、丸みを帯びた第１面側角部４４Ｃ及び第２面側角部４５Ｃが形成される。

本実施の形態によれば、外枠４０に丸みを帯びた第１面側角部４４Ｃ、第２面側角部４５Ｃ及び中間部４６Ｃが形成されている。これにより、外枠４０の側面４３が搬送装置９０（図９（ａ）参照）と接触した場合であっても、側面４３から金属片が剥離してしまうことが抑えられ、不要な金属片が周囲に飛散しないようにすることができる。

（第５の実施の形態）
次に、図１４を参照して第５の実施の形態について説明する。図１４は第５の実施の形態を示す図である。図１４に示す第５の実施の形態は、外枠４０の側面４３の断面形状が異なるものであり、他の構成は上述した第１の実施の形態と略同一である。図１４において、図１乃至図９に示す第１の実施の形態と同一部分には同一の符号を付して詳細な説明は省略する。

図１４に示すリードフレーム１０Ｄにおいて、外枠４０は、第１面４１と、第２面４２と、側面４３とを有している。第１面４１と側面４３との間に第１面側角部４４Ｄが形成されている。第１面側角部４４Ｄは丸みを帯びており、その曲率半径Ｒｌは、１μｍ以上２０μｍ以下となっている。また、外枠４０の第２面４２と側面４３との間には、第２面側角部４５Ｄが形成されている。第２面側角部４５Ｄは丸みを帯びており、その曲率半径Ｒｍは、１μｍ以上２０μｍ以下となっている。この場合、第２面側角部４５Ｄは、第１面側角部４４Ｄよりも内側（パッケージ領域１０ａ側）に引っ込んでいる。すなわち、断面において、第２面側角部４５Ｄは第１面側角部４４Ｄに対してＸ方向にずれた位置にある。

また、側面４３のうち、第１面側角部４４Ｄと第２面側角部４５Ｄとの間に中間部（中間湾曲部）４６Ｄが形成されている。この中間部４６Ｄは、断面視で丸みを帯びている。この場合、中間部４６Ｄは、断面において、第１面側角部４４Ｄから第２面側角部４５Ｄに向かうにつれて、外側（パッケージ領域１０ａの反対側）から内側（パッケージ領域１０ａ側）に向かう曲線となっている。また、側面４３のうち、第１面側角部４４Ｄと中間部４６Ｄとの間の部分は、中間部４６Ｄから第１面側角部４４Ｄに向けて外側（パッケージ領域１０ａの反対側）に曲線状に湾曲している。さらに、側面４３のうち、中間部４６Ｄと第２面側角部４５Ｄとの間の部分は、中間部４６Ｄから第２面側角部４５Ｄに向けて内側（パッケージ領域１０ａ側）に曲線状に湾曲している。この場合、断面において、第１面側角部４４Ｄは、側面４３のうち最も外側（パッケージ領域１０ａの反対側）に位置している。中間部４６Ｄ及び第２面側角部４５Ｄは、それぞれ第１面側角部４４Ｄよりも内側（パッケージ領域１０ａ側）位置している。

なお、図１４には示していないが、第１の実施の形態と同様に、外枠４０のうち外側に位置する部分に段部が形成されていても良い。

図１４に示すリードフレーム１０Ｄを作製する場合、金属基板３１の外枠４０の側面４３に、予めエッチングにより第１面側角部４４ｓと第２面側角部４５ｓとを形成する。その後、第３の実施の形態の場合と略同様に（図１２（ａ）－（ｄ）参照）、金属基板３１を丸め加工する工程において、例えば第３の実施の形態の場合よりも長時間薬液処理又は電解処理を行う（図１２（ｃ）参照）。これにより、側面４３の鋭角的な第１面側角部４４ｓ及び第２面側角部４５ｓ（図１４の仮想線）がそれぞれ削られ、丸みを帯びた第１面側角部４４Ｄ及び第２面側角部４５Ｄが形成される。

本実施の形態によれば、外枠４０に丸みを帯びた第１面側角部４４Ｄ、第２面側角部４５Ｄ及び中間部４６Ｄが形成されている。これにより、外枠４０の側面４３が搬送装置９０（図９（ａ）参照）と接触した場合であっても、側面４３から金属片が剥離してしまうことが抑えられ、不要な金属片が周囲に飛散しないようにすることができる。また、第１面側角部４４Ｄは、側面４３のうち最も外側（パッケージ領域１０ａの反対側）に位置しているので、リードフレーム１０Ｄの搬送時に、第２面側角部４５Ｄ及び中間部４６Ｄは搬送装置９０の垂直部分９２（図９（ａ）参照）に接触しない。これにより、とりわけ第２面側角部４５Ｄ及び中間部４６Ｄから金属片が剥離してしまうことが抑えられ、不要な金属片が周囲に飛散しないようにすることができる。

なお、上記各実施の形態では、リードフレームの場合を例にとって説明したが、これに限らない。各実施の形態は、例えばリードフレーム以外のエッチングされた金属板にも適用することができる。このような金属板においても、エッチング後に搬送又は梱包される工程で、金属板の端部から金属片が発生することを抑えることができる。

上記各実施の形態及び変形例に開示されている複数の構成要素を必要に応じて適宜組合せることも可能である。あるいは、上記各実施の形態及び変形例に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。

１０ リードフレーム
１０ａ パッケージ領域
１１ ダイパッド
１２Ａ 第１リード部
１２Ｂ 第２リード部
２０ 半導体装置
４０ 外枠
４１ 第１面
４２ 第２面
４３ 側面
４４ 第１面側角部
４５ 第２面側角部
４６ 中間部
４７ 第１湾曲部
４８ 段部
４９ 第２湾曲部

Claims (17)

1. リードフレームにおいて、
   外枠と、
   前記外枠の内側に配置されたパッケージ領域と、を備え、
   前記外枠は、前記リードフレームの表面である第１面と、前記第１面の反対側に位置し、前記リードフレームの裏面である第２面と、前記第１面から前記第２面に向けて延び、前記外枠の外側を向く側面とを有し、
   断面において、前記側面と前記第１面との間に第１面側角部が形成され、前記第２面と前記側面との間に第２面側角部が形成され、前記側面のうち前記第１面側角部と前記第２面側角部との間に中間部が形成され、
   断面において、前記第１面側角部、前記第２面側角部及び前記中間部は、それぞれ丸みを帯びている、リードフレーム。
2. 前記中間部は、断面において外側に向けて突出する突起である、請求項１記載のリードフレーム。
3. 前記第１面側角部と前記中間部との間には、内側に向けて曲線状に湾曲した第１湾曲部が形成され、前記中間部と前記第２面側角部との間には、内側に向けて曲線状に湾曲した第２湾曲部が形成されている、請求項２記載のリードフレーム。
4. 断面における前記第１面側角部及び前記第２面側角部の曲率半径は、１μｍ以上２０μｍ以下であり、前記中間部の曲率半径は、１μｍ以上４０μｍ以下である、請求項２又は３記載のリードフレーム。
5. 前記中間部は、断面において、外側に向けて曲線状に膨らんでいる、請求項１記載のリードフレーム。
6. 断面において、前記第１面側角部及び前記第２面側角部の曲率半径は、２μｍ以上４０μｍ以下であり、前記中間部の曲率半径は、２０μｍ以上４００μｍ以下である、請求項５記載のリードフレーム。
7. 前記第２面側角部は、前記第１面側角部よりも内側に引っ込んでおり、前記中間部は、断面において、前記第１面側角部から前記第２面側角部に向かうにつれて、外側から内側に向かう曲線となっている、請求項１記載のリードフレーム。
8. 断面において、前記第１面側角部の曲率半径は、１μｍ以上８０μｍ以下であり、前記第２面側角部の曲率半径は、１μｍ以上４０μｍ以下である、請求項７記載のリードフレーム。
9. 前記中間部は、断面において、内側に向けて曲線状に凹んでいる、請求項１記載のリードフレーム。
10. 断面において、前記第１面側角部及び前記第２面側角部の曲率半径は、１μｍ以上２０μｍ以下であり、前記中間部の曲率半径は、４０μｍ以上２００μｍ以下である、請求項９記載のリードフレーム。
11. 前記第２面側角部は、前記第１面側角部よりも内側に引っ込んでおり、前記第１面側角部は、前記側面のうち最も外側に位置する、請求項１記載のリードフレーム。
12. 断面において、前記第１面側角部の曲率半径は、１μｍ以上２０μｍ以下であり、前記第２面側角部の曲率半径は、１μｍ以上２０μｍ以下である、請求項１１記載のリードフレーム。
13. 前記外枠のうち外側に位置する部分に、段部が形成されている、請求項１乃至１２のいずれか一項記載のリードフレーム。
14. リードフレームの製造方法において、
    金属基板を準備する工程と、
    前記金属基板にエッチングを施すことにより、前記金属基板に、外枠と、前記外枠の内側に配置されたパッケージ領域とを形成する工程であって、前記外枠は、前記リードフレームの表面である第１面と、前記第１面の反対側に位置し、前記リードフレームの裏面である第２面と、前記第１面から前記第２面に向けて延び、前記外枠の外側を向く側面とを有する、工程と、
    前記金属基板の前記外枠の前記側面を丸め加工する工程と、を備え、
    断面において、前記側面と前記第１面との間に第１面側角部が形成され、前記第２面と前記側面との間に第２面側角部が形成され、前記側面のうち前記第１面側角部と前記第２面側角部との間に中間部が形成され、
    断面において、前記第１面側角部、前記第２面側角部及び前記中間部は、それぞれ丸みを帯びている、リードフレームの製造方法。
15. 前記丸め加工する工程は、前記金属基板を薬液により処理する工程である、請求項１４記載のリードフレームの製造方法。
16. 前記丸め加工する工程は、前記金属基板を電解処理する工程である、請求項１４記載のリードフレームの製造方法。
17. 半導体装置の製造方法において、
    請求項１乃至１３のいずれか一項記載のリードフレームを準備する工程と、
    前記リードフレーム上に半導体素子を搭載する工程と、
    前記半導体素子と前記リードフレームとを接続部材により電気的に接続する工程と、
    前記リードフレームと、前記半導体素子と、前記接続部材とを封止樹脂により封止する工程と、
    前記半導体装置毎に前記リードフレーム及び前記封止樹脂を切断する工程とを備えた、半導体装置の製造方法。

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