JP6936963B2 - リードフレーム - Google Patents

Description

本発明は、リードフレームに関する。

近年、基板に実装される半導体装置の小型化および薄型化が要求されてきている。このような要求に対応すべく、従来、リードフレームを用い、その搭載面に搭載した半導体素子を封止樹脂によって封止するとともに、裏面側にリードの一部分を露出させて構成された、いわゆるＱＦＮ（Quad Flat Non-lead）タイプの半導体装置が種々提案されている。

しかしながら、従来一般的な構造からなるＱＦＮの場合、端子数が増加するにしたがってパッケージが大きくなるため、実装信頼性を確保することが難しくなるという課題があった。これに対して、多ピン化されたＱＦＮを実現するための技術として、外部端子を２列に配列したパッケージの開発が進められている（例えば特許文献１参照）。このようなパッケージは、ＤＲ−ＱＦＮ（Dual Row QFN）パッケージともよばれている。

特開２００６−１９７６７号公報

近年、上述したＱＦＮパッケージやＤＲ−ＱＦＮパッケージにおいては、リード部や、コネクティングバー等の支持部材が細くかつ薄く形成されている。このため、リード部や支持部材が封止樹脂から剥離しやすくなったり、リードフレームを個片化する際に、リード部にクラックやデラミ（剥離）が発生したりするおそれがある。

本発明はこのような点を考慮してなされたものであり、支持部材と封止樹脂との密着強度を高めることが可能な、リードフレームを提供することを目的とする。

本発明は、リードフレームであって、半導体素子が搭載されるダイパッドと、前記ダイパッドの周囲に互いに間隔を空けて設けられた複数のリード部と、前記複数のリード部を支持する支持部材とを備え、前記支持部材のうち、互いに隣接するリード部間に位置する領域の裏面に、段部が形成されていることを特徴とするリードフレームである。

本発明は、前記支持部材は、支持部材表面と、前記支持部材表面の反対側に位置する支持部材裏面とを有し、前記段部は、前記支持部材表面および前記支持部材裏面に対して略平行な天面を有することを特徴とするリードフレームである。

本発明は、前記支持部材は、前記支持部材表面と前記支持部材裏面との間に位置する支持部材側面を有し、前記支持部材側面は、前記天面よりも前記支持部材表面側に位置する第１側面と、前記天面よりも前記支持部材裏面側に位置する第２側面とを有し、前記第１側面および前記第２側面が、それぞれ前記支持部材表面および前記支持部材裏面に対して傾斜していることを特徴とするリードフレームである。

本発明は、前記支持部材表面は、前記ダイパッドの表面と同一平面上にあり、前記支持部材裏面は、前記ダイパッドの裏面よりも表面側に位置することを特徴とするリードフレームである。

本発明は、前記段部の前記天面に、裏面側に突出する突起が形成されていることを特徴とするリードフレームである。

本発明は、前記段部の前記天面に、表面側に凹む凹部が形成されていることを特徴とするリードフレームである。

本発明は、前記複数のリード部は、第１リード部と、前記第１リード部よりも短い第２リード部とを有し、前記第１リード部と前記第２リード部とが交互に配置され、前記段部は、互いに隣接する前記第１リード部と前記第２リード部との間の前記支持部材に形成されていることを特徴とするリードフレームである。

本発明によれば、支持部材と封止樹脂との密着強度を高めることができる。

図１は、本発明の第１の実施の形態によるリードフレームの全体を示す平面図。 図２は、本発明の第１の実施の形態によるリードフレームのうち各半導体装置に対応する領域を示す平面図。 図３は、本発明の第１の実施の形態によるリードフレームを示す断面図（図２のIII−III線断面図）。 図４は、本発明の第１の実施の形態によるリードフレームを示す断面図（図２のIV−IV線断面図）。 図５は、本発明の第１の実施の形態によるリードフレームを用いて作製された半導体装置を示す平面図。 図６は、本発明の第１の実施の形態によるリードフレームを用いて作製された半導体装置を示す断面図（図５のVI−VI線断面図）。 図７（ａ）−（ｅ）は、本発明の第１の実施の形態によるリードフレームの製造方法を示す断面図。 図８（ａ）−（ｅ）は、本発明の第１の実施の形態によるリードフレームを用いて半導体装置を製造する方法を示す断面図。 図９は、本発明の第２の実施の形態によるリードフレームのうち各半導体装置に対応する領域を示す平面図。 図１０は、本発明の第２の実施の形態によるリードフレームを示す断面図（図９のＸ−Ｘ線断面図）。 図１１は、本発明の第２の実施の形態によるリードフレームの変形例を示す断面図。 図１２は、本発明の第２の実施の形態によるリードフレームの変形例を示す断面図。

（第１の実施の形態）
以下、本発明の第１の実施の形態について、図１乃至図８を参照して説明する。なお、以下の各図において、同一部分には同一の符号を付しており、一部詳細な説明を省略する場合がある。

リードフレームの構成
まず、図１乃至図４により、本実施の形態によるリードフレームの概略について説明する。図１乃至図４は、本実施の形態によるリードフレームを示す図である。

図１に示すように、リードフレーム１０は、縦横にマトリックス状に配置された複数の単位リードフレーム１０ａを備えている。各単位リードフレーム１０ａは、それぞれ半導体装置２０（後述）に対応する領域である。各単位リードフレーム１０ａの間には、支持部材１３が介在され、支持部材１３によって各単位リードフレーム１０ａが互いに連結されている。

図２および図３に示すように、リードフレーム１０は、平面矩形状のダイパッド１１と、ダイパッド１１の周囲に設けられた複数の第１リード部１２Ａおよび複数の第２リード部１２Ｂとを備えている。なお図２において、二点鎖線で囲まれた領域が単位リードフレーム１０ａに対応する。単位リードフレーム１０ａには、それぞれ１つのダイパッド１１と、当該ダイパッド１１を取り囲む複数の第１リード部１２Ａおよび複数の第２リード部１２Ｂとが配置されている。

ダイパッド１１は、平面略矩形形状を有しており、その表面には、後述する半導体素子２１が搭載される。また、ダイパッド１１の四隅には吊りリード１４が連結されており、ダイパッド１１は、この４本の吊りリード１４を介して支持部材１３に連結支持されている。一方、複数の第１リード部１２Ａおよび複数の第２リード部１２Ｂは、支持部材１３に直接連結されることによって支持されている。なお、本明細書中、「表面」とは、半導体素子２１が搭載される側の面をいい、「裏面」とは、外部の図示しない実装基板に接続される側の面をいう。

本実施の形態において、少なくともダイパッド１１の中央部分にはハーフエッチング加工が施されておらず、リードフレーム１０の加工前の素材（金属基板）と同等の厚みを有している。具体的には、ダイパッド１１の中央部分の厚みは、半導体装置２０の構成にもよるが、０．０５ｍｍ以上０．５ｍｍ以下とすることができる。

各第１リード部１２Ａおよび各第２リード部１２Ｂは、後述するようにボンディングワイヤ２２を介して半導体素子２１に接続されるものであり、ダイパッド１１との間に空間を介して配置されている。各第１リード部１２Ａおよび各第２リード部１２Ｂは、それぞれ支持部材１３からＸ方向又はＹ方向のいずれかに沿って延び出しており、各第１リード部１２Ａは、各第２リード部１２Ｂよりも長く構成されている。ここで、Ｘ方向、Ｙ方向とは、リードフレーム１０の面内において、ダイパッド１１の各辺に平行な二方向であり、Ｘ方向とＹ方向とは互いに直交している。また、Ｚ方向は、Ｘ方向及びＹ方向の両方に対して垂直な方向である。

各第１リード部１２Ａと各第２リード部１２Ｂとは、ダイパッド１１の周囲において、互いに間隔を空けて交互に配置されている。隣接する第１リード部１２Ａ及び第２リード部１２Ｂ同士は、半導体装置２０（後述）の製造後に互いに電気的に絶縁される形状となっている。また、第１リード部１２Ａ及び第２リード部１２Ｂは、半導体装置２０の製造後にダイパッド１１と電気的に絶縁される形状となっている。この第１リード部１２Ａ及び第２リード部１２Ｂの裏面には、それぞれ外部の実装基板（図示せず）に電気的に接続される外部端子１７Ａ、１７Ｂが形成されている。各外部端子１７Ａ、１７Ｂは、半導体装置２０（後述）の製造後に、それぞれ半導体装置２０から外方に露出するようになっている。

第１リード部１２Ａの外部端子１７Ａ及び第２リード部１２Ｂの外部端子１７Ｂは、隣り合う第１リード部１２Ａ及び第２リード部１２Ｂ間で内側および外側に位置するよう、平面から見て交互に千鳥状に配置されている。またダイパッド１１の周囲において、相対的に長い第１リード部１２Ａと、相対的に短い第２リード部１２Ｂとが、全周にわたり交互に配置されている。これにより、第１リード部１２Ａ及び第２リード部１２Ｂの外部端子１７Ａ、１７Ｂが、隣接する第１リード部１２Ａ及び第２リード部１２Ｂに短絡する不具合が防止される。

次に、図２乃至図４を参照して、第１リード部１２Ａ及び第２リード部１２Ｂの構成について更に説明する。

図２および図３に示すように、第１リード部１２Ａは、接続リード５２と、接続リード５２よりも広い幅を有する端子部５３とを有している。端子部５３の表面には内部端子１５Ａが形成されている。この内部端子１５Ａは、後述するようにボンディングワイヤ２２を介して半導体素子２１に電気的に接続される領域となっている。内部端子１５Ａ上には、ボンディングワイヤ２２との密着性を向上させるめっき部が設けられていても良い。また、端子部５３の裏面には上述した外部端子１７Ａが形成されている。

接続リード５２は、端子部５３よりも外側（支持部材１３側）に位置しており、その外端部は支持部材１３に連結されている。接続リード５２は、当該接続リード５２が連結される支持部材１３に対して垂直に延びている。

図３に示すように、第１リード部１２Ａの接続リード５２は、それぞれ裏面側からハーフエッチングされることにより薄肉に形成されている。他方、端子部５３は、ハーフエッチングされることなく、ダイパッド１１および支持部材１３と同一の厚みを有している。このように、接続リード５２の厚さが端子部５３の厚さよりも薄いことにより、幅の狭い第１リード部１２Ａを精度良く形成することができ、小型でピン数の多い半導体装置２０を得ることができる。なお、ハーフエッチングとは、被エッチング材料をその厚み方向に途中までエッチングすることをいう。

図２および図３に示すように、第２リード部１２Ｂは、端子部６３を有している。この端子部６３の外側端部は支持部材１３に連結されており、端子部６３は支持部材１３に対して垂直に延びている。端子部６３の表面には内部端子１５Ｂが形成されている。この内部端子１５Ｂは、後述するようにボンディングワイヤ２２を介して半導体素子２１に電気的に接続される領域となっている。内部端子１５Ｂは、平面視で長方形と半円とを合わせた形状を有している。内部端子１５Ｂ上には、ボンディングワイヤ２２との密着性を向上させるめっき部が設けられていても良い。また、端子部６３の裏面には上述した外部端子１７Ｂが形成されている。

次に、図４を参照して、支持部材１３の断面形状について説明する。図４は、支持部材１３の長手方向に対して垂直な断面であって、互いに隣接する第１リード部１２Ａと第２リード部１２Ｂとの間における断面を示している。

図４に示すように、支持部材１３は、支持部材表面６５と、支持部材裏面６６と、支持部材表面６５と支持部材裏面６６との間に位置する支持部材側面６７とを有している。この場合、支持部材１３は素材（金属基板３１）と同一の厚みｔ_Ｂを有している。支持部材表面６５および支持部材裏面６６は、それぞれ未加工の素材面（金属基板３１の表面および裏面）からなる。また、支持部材表面６５および支持部材裏面６６は、それぞれダイパッド１１の表面および裏面と同一平面上に位置している。

図４に示すように、支持部材１３のうち、互いに隣接する第１リード部１２Ａと第２リード部１２Ｂとの間に位置する領域の裏面に、段部７５が形成されている。段部７５は、支持部材裏面６６側からハーフエッチングされることにより形成されたものである。段部７５は、第１リード部１２Ａと第２リード部１２Ｂとの間において、支持部材１３の長手方向全域にわたって形成されている。また段部７５は、第１リード部１２Ａと第２リード部１２Ｂとの間となる全ての箇所に設けられている。これにより、支持部材１３の長手方向全体にわたって支持部材１３と封止樹脂２３とを強固に密着させることができる。

このように、支持部材１３のうち第１リード部１２Ａと第２リード部１２Ｂとの間に段部７５が形成されているので、段部７５を裏面側から覆うように封止樹脂２３（後述）が充填される。これにより、段部７５がアンカーとしての効果を発揮し、支持部材１３と封止樹脂２３とを強固に密着させることができる。

また段部７５は、支持部材表面６５および支持部材裏面６６に対して略平行な天面７６を有している。天面７６は、支持部材表面６５と支持部材裏面６６との間に位置している。天面７６は、支持部材表面６５と支持部材裏面６６との中間位置にあっても良く、あるいは中間位置よりも支持部材表面６５側又は支持部材裏面６６側に位置していても良い。天面７６と支持部材表面６５との距離ｔ_Ａは、例えば支持部材１３の厚み（金属基板３１の厚み）ｔ_Ｂの４０％以上６０％以下とすることが好ましい。天面７６の幅ｗ_Ａ（支持部材１３の長手方向に垂直な長さ）は、例えば２０μｍ以上１００μｍ以下であっても良い。

支持部材表面６５および支持部材裏面６６は、それぞれ支持部材１３の長手方向に略直線状に平行に延びる内側縁部６５ａ、６６ａを有している。支持部材表面６５の内側縁部６５ａは、支持部材裏面６６の内側縁部６６ａよりも内側（ダイパッド１１側）に位置している。したがって支持部材１３の幅（支持部材１３の長手方向に垂直な長さ）は、裏面側よりも表面側が太くなっている。支持部材表面６５の内側縁部６５ａと支持部材裏面６６の内側縁部６６ａとの間の幅ｗ_Ｂ（支持部材１３の長手方向に垂直な長さ）は、例えば４０μｍ以上１２０μｍ以下であっても良い。上述した天面７６の幅ｗ_Ａは、支持部材表面６５と支持部材裏面６６との間の幅ｗ_Ｂの例えば５％以上７０％以下とすることが好ましい。

支持部材側面６７は、天面７６よりも支持部材表面６５側に位置する第１側面６８と、天面７６よりも支持部材裏面６６側に位置する第２側面６９とを有している。各第１側面６８は、天面７６から支持部材表面６５まで延び、各第２側面６９は、天面７６から支持部材裏面６６まで延びている。第１側面６８および第２側面６９は、それぞれ支持部材表面６５および支持部材裏面６６に対して傾斜して延びている。これにより、支持部材１３と封止樹脂２３との接触面積を増加し、支持部材１３が封止樹脂２３から剥離しにくいようになっている。

また第１側面６８は、一対の湾曲部６８ａ、６８ｂと、一対の湾曲部６８ａ、６８ｂの間に位置するとともに断面略直線状の中間部６８ｃとを有している。このうち湾曲部６８ａは支持部材表面６５に連続して形成され、湾曲部６８ｂは天面７６に連続して形成されている。さらに第２側面６９は、一対の湾曲部６９ａ、６９ｂと、一対の湾曲部６９ａ、６９ｂの間に位置するとともに断面略直線状の中間部６９ｃとを有している。このうち湾曲部６９ａは天面７６に連続して形成され、湾曲部６９ｂは支持部材裏面６６に連続して形成されている。このように第１側面６８及び第２側面６９の形状に凹凸が設けられていることにより、支持部材１３と封止樹脂２３との接触面積を増加し、支持部材１３と封止樹脂２３とを強固に密着させることができる。

以上説明したリードフレーム１０は、全体として銅、銅合金、４２合金（Ｎｉ４２％のＦｅ合金）等の金属から構成されている。また、リードフレーム１０の厚みは、製造する半導体装置２０の構成にもよるが、５０μｍ以上５００μｍ以下、好ましくは８０μｍ以上２００μｍ以下とすることができる。

なお、本実施の形態において、第１リード部１２Ａ及び第２リード部１２Ｂは、ダイパッド１１の４辺全てに沿って配置されているが（図１参照）、これに限られるものではなく、例えばダイパッド１１の対向する２辺のみに沿って配置されていても良い。

半導体装置の構成
次に、図５および図６により、本実施の形態によるリードフレーム１０を用いて作製される半導体装置について説明する。図５および図６は、半導体装置（ＤＲ−ＱＦＮ（Dual Row QFN）タイプ）を示す図である。

図５および図６に示すように、半導体装置（半導体パッケージ）２０は、ダイパッド１１と、ダイパッド１１の周囲に配置された複数の第１リード部１２Ａ及び複数の第２リード部１２Ｂと、ダイパッド１１上に搭載された半導体素子２１と、第１リード部１２Ａ又は第２リード部１２Ｂと半導体素子２１とを電気的に接続する複数のボンディングワイヤ（接続部材）２２とを備えている。また、ダイパッド１１、第１リード部１２Ａ、第２リード部１２Ｂ、半導体素子２１およびボンディングワイヤ２２は、封止樹脂２３によって樹脂封止されている。

このうちダイパッド１１、第１リード部１２Ａ及び第２リード部１２Ｂは、上述したリードフレーム１０から作製されたものである。このダイパッド１１、第１リード部１２Ａ及び第２リード部１２Ｂの構成は、半導体装置２０に含まれない領域を除き、上述した図１乃至図４に示すものと同様であるため、ここでは詳細な説明を省略する。なお、支持部材１３は、半導体装置２０には含まれない。

また、半導体素子２１としては、従来一般に用いられている各種半導体素子を使用することが可能であり、特に限定されないが、例えば集積回路、大規模集積回路、トランジスタ、サイリスタ、ダイオード等を用いることができる。この半導体素子２１は、各々ボンディングワイヤ２２が取り付けられる複数の電極２１ａを有している。また、半導体素子２１は、例えばダイボンディングペースト等の接着剤２４により、ダイパッド１１の表面に固定されている。

各ボンディングワイヤ２２は、例えば金、銅等の導電性の良い材料からなっている。各ボンディングワイヤ２２は、それぞれその一端が半導体素子２１の電極２１ａに接続されるとともに、その他端が各第１リード部１２Ａの内部端子１５Ａ又は第２リード部１２Ｂの内部端子１５Ｂにそれぞれ接続されている。なお、内部端子１５Ａ、１５Ｂには、ボンディングワイヤ２２と密着性を向上させるめっき部が設けられていても良い。

封止樹脂２３としては、シリコーン樹脂やエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂、あるいはＰＰＳ樹脂等の熱可塑性樹脂を用いることができる。封止樹脂２３全体の厚みは、３００μｍ以上１２００μｍ以下程度とすることができる。また、封止樹脂２３の一辺（半導体装置２０の一辺）は、例えば８ｍｍ以上１６ｍｍ以下することができる。なお、図５において、封止樹脂２３のうち、ダイパッド１１、第１リード部１２Ａ及び第２リード部１２Ｂよりも表面側に位置する部分の表示を省略している。

リードフレームの製造方法
次に、図１乃至図４に示すリードフレーム１０の製造方法について、図７（ａ）−（ｅ）を用いて説明する。なお、図７（ａ）−（ｅ）は、リードフレーム１０の製造方法を示す断面図（図３に対応する図）である。

まず図７（ａ）に示すように、平板状の金属基板３１を準備する。この金属基板３１としては、銅、銅合金、４２合金（Ｎｉ４２％のＦｅ合金）等の金属からなる基板を使用することができる。なお金属基板３１は、その両面に対して脱脂等を行い、洗浄処理を施したものを使用することが好ましい。

次に、金属基板３１の表裏全体にそれぞれ感光性レジスト３２ａ、３３ａを塗布し、これを乾燥する（図７（ｂ））。なお感光性レジスト３２ａ、３３ａとしては、従来公知のものを使用することができる。

続いて、この金属基板３１に対してフォトマスクを介して露光し、現像することにより、所望の開口部３２ｂ、３３ｂを有するエッチング用レジスト層３２、３３を形成する（図７（ｃ））。

次に、エッチング用レジスト層３２、３３を耐腐蝕膜として金属基板３１に腐蝕液でエッチングを施す（図７（ｄ））。これにより、ダイパッド１１、第１リード部１２Ａ、第２リード部１２Ｂ及び支持部材１３の外形が形成される。このとき、エッチング用レジスト層３２、３３の形状を適宜調整することにより、支持部材１３の裏面側に段部７５が形成される。なお、腐蝕液は、使用する金属基板３１の材質に応じて適宜選択することができ、例えば、金属基板３１として銅を用いる場合、通常、塩化第二鉄水溶液を使用し、金属基板３１の両面からスプレーエッチングを行うことができる。

その後、エッチング用レジスト層３２、３３を剥離して除去することにより、図１乃至図４に示すリードフレーム１０が得られる。（図７（ｅ））。

なお、上記においては、金属基板３１の両面側からスプレーエッチングを行う場合を例にとって説明したが、これに限られるものではない。例えば、金属基板３１の片面ずつ２段階のスプレーエッチングを行っても良い。具体的には、まず金属基板３１の表面側の全体に第１エッチング用レジスト層を設けるとともに、裏面側に所定のパターンをもつ第２エッチング用レジスト層を形成し、金属基板３１の裏面側のみエッチングを施す。次に、第１及び第２エッチング用レジスト層を除去するとともに、金属基板３１の裏面側に耐エッチング性のある樹脂からなる封止層を設ける。続いて、金属基板３１の表面側に所定のパターンをもつ第３エッチング用レジスト層を形成し、この状態で金属基板３１の表面側のみエッチングを施す。その後、裏面側の封止層を剥離することにより、リードフレーム１０の外形が形成される。このように金属基板３１の片面ずつスプレーエッチングを行うことにより、第１リード部１２Ａ及び第２リード部１２Ｂの変形を回避しやすいという効果が得られる。

半導体装置の製造方法
次に、図５および図６に示す半導体装置２０の製造方法について、図８（ａ）−（ｅ）を用いて説明する。

まず上述した、図７（ａ）−（ｅ）に示す方法により、リードフレーム１０を作製する（図８（ａ））。

次に、リードフレーム１０のダイパッド１１上に、半導体素子２１を搭載する。この場合、例えばダイボンディングペースト等の接着剤２４を用いて、半導体素子２１をダイパッド１１上に載置して固定する（ダイアタッチ工程）（図８（ｂ））。

次に、半導体素子２１の各電極２１ａと、各第１リード部１２Ａの内部端子１５Ａ及び第２リード部１２Ｂの内部端子１５Ｂとを、それぞれボンディングワイヤ（接続部材）２２によって互いに電気的に接続する（ワイヤボンディング工程）（図８（ｃ））。

このとき、リードフレーム１０をワイヤボンディング装置のヒートブロック３６上に載置する。次いで、ヒートブロック３６により第１リード部１２Ａ及び第２リード部１２Ｂを裏面側から加熱する。これとともに、ワイヤボンディング装置のキャピラリー（図示せず）を介して超音波を印加しながら、半導体素子２１の各電極２１ａと各第１リード部１２Ａ及び第２リード部１２Ｂとをボンディングワイヤ２２を用いて電気的に接続する。

次に、リードフレーム１０に対して熱硬化性樹脂または熱可塑性樹脂を射出成形またはトランスファ成形することにより、封止樹脂２３を形成する（図８（ｄ））。このようにして、リードフレーム１０、半導体素子２１、第１リード部１２Ａ、第２リード部１２Ｂおよびボンディングワイヤ２２を封止する。

次に、各半導体素子２１間の封止樹脂２３をダイシングすることにより、リードフレーム１０を各半導体装置２０毎に分離する。この際、例えばダイヤモンド砥石からなるブレード（図示せず）を回転させながら、各半導体装置２０間のリードフレーム１０および封止樹脂２３を切断しても良い。このように、リードフレーム１０および封止樹脂２３を切断することにより、半導体装置２０が個片化され、支持部材１３は各半導体装置２０から分離されかつ除去される。

このようにして、図５および図６に示す半導体装置２０が得られる（図８（ｅ））。

ところで、ブレードを用いてリードフレーム１０および封止樹脂２３を切断して半導体装置２０を個片化することにより、第１リード部１２Ａ及び第２リード部１２Ｂもそれぞれ切断される。しかしながら、仮に、支持部材１３と封止樹脂２３との密着性が不十分であると、リードフレーム１０および封止樹脂２３が切断された際、第１リード部１２Ａ及び第２リード部１２Ｂや支持部材１３にクラックや剥離（デラミ）が発生してしまうおそれがある。これに対して本実施の形態によれば、支持部材１３のうち、互いに隣接する第１リード部１２Ａと第２リード部１２Ｂとの間に位置する領域の裏面に、段部７５が形成されている。これにより、段部７５がアンカーとしての機能を発揮するので、支持部材１３のうち第１リード部１２Ａ及び第２リード部１２Ｂに隣接する箇所と封止樹脂２３との密着性を高めることができる。このため、支持部材１３と封止樹脂２３とが強固に接着し、半導体装置２０を個片化する際に第１リード部１２Ａ及び第２リード部１２Ｂや支持部材１３にクラックや剥離が生じる不具合を防止することができる。

また、本実施の形態によれば、段部７５は、支持部材表面６５および支持部材裏面６６に対して略平行な天面７６を有する。これにより、封止樹脂２３が天面７６を覆うように充填されるので、支持部材１３と封止樹脂２３とを強固に密着させることができる。

さらに、本実施の形態によれば、支持部材側面６７の第１側面６８および第２側面６９が、それぞれ支持部材表面６５および支持部材裏面６６に対して傾斜しているので、支持部材側面６７の表面積を増大し、支持部材１３と封止樹脂２３とをより密着させやすくすることができる。

さらに、本実施の形態によれば、段部７５は、第１リード部１２Ａと第２リード部１２Ｂとの間の支持部材１３に形成されているので、第１リード部１２Ａと第２リード部１２Ｂとの間において、支持部材１３と封止樹脂２３とを強固に密着させることができる。

（第２の実施の形態）
次に、図９および図１０を参照して本発明の第２の実施の形態について説明する。図９および図１０は本発明の第２の実施の形態を示す図である。図９および図１０に示す第２の実施の形態は、支持部材１３が薄肉化されている点が異なるものであり、他の構成は上述した第１の実施の形態と略同一である。図９および図１０において、第１の実施の形態と同一部分には同一の符号を付して詳細な説明は省略する。

図９に示すように、本実施の形態によるリードフレーム１０Ａにおいて、支持部材１３はコネクティングバーからなり、第１の実施の形態の場合よりも幅が細く形成されている。支持部材１３の幅ｗ_ｃは、例えば１００ｍｍ以上４００ｍｍ以下である。

次に、図１０を参照して、支持部材１３の断面形状について説明する。図１０は、支持部材１３の長手方向に対して垂直な断面であって、互いに隣接する第１リード部１２Ａと第２リード部１２Ｂとの間における断面を示している。

図１０に示すように、支持部材１３は、支持部材表面６５と、支持部材裏面６６と、支持部材表面６５と支持部材裏面６６との間に位置する支持部材側面６７とを有している。この場合、支持部材１３は、裏面側からハーフエッチングにより薄肉に形成されている。支持部材１３は素材（金属基板３１）の厚みｔ_Ｂよりも薄い厚みｔ_ｃを有している。この厚みｔ_ｃは、支持部材１３の長手方向に沿って略均一となっている。厚みｔ_ｃは、具体的には例えば３０μｍ以上１０５μｍ以下であっても良い。

支持部材１３の支持部材表面６５は、未加工の素材面（金属基板３１の表面）からなる。また、支持部材表面６５は、それぞれダイパッド１１の表面と同一平面上に位置している。一方、支持部材裏面６６は、ハーフエッチングされることにより形成された面であり、平坦面となっている。支持部材裏面６６は、ダイパッド１１の裏面よりも表面側（Ｚ方向プラス側）に位置している。なお、図１０の仮想線は、ダイパッド１１の裏面（金属基板３１の裏面）が存在する平面を示している（図１１及び図１２においても同様）。

支持部材１３のうち、互いに隣接する第１リード部１２Ａと第２リード部１２Ｂとの間に位置する領域の裏面に、段部７５が形成されている。これにより、段部７５がアンカーとしての効果を発揮し、支持部材１３と封止樹脂２３とを強固に密着させることができる。

また段部７５は、支持部材表面６５および支持部材裏面６６に対して略平行な天面７６を有している。天面７６と支持部材表面６５との距離ｔ_ｄは、支持部材１３の厚み（金属基板３１の厚み）ｔ_ｃの例えば２０％以上３０％以下とすることが好ましい。天面７６の幅ｗ_ｄ（支持部材１３の長手方向に垂直な長さ）は、例えば２０μｍ以上１００μｍ以下であっても良い。

支持部材表面６５および支持部材裏面６６は、それぞれ支持部材１３の長手方向に略直線状に平行に延びる内側縁部６５ａ、６６ａを有している。支持部材表面６５の内側縁部６５ａは、支持部材裏面６６の内側縁部６６ａよりも内側（ダイパッド１１側）に位置している。したがって支持部材１３の幅（支持部材１３の長手方向に垂直な長さ）は、裏面側よりも表面側が太くなっている。支持部材表面６５の内側縁部６５ａと支持部材裏面６６の内側縁部６６ａとの間の幅ｗ_ｅ（支持部材１３の長手方向に垂直な長さ）は、例えば４０μｍ以上１２０μｍ以下であっても良い。上述した天面７６の幅ｗ_ｄは、支持部材表面６５と支持部材裏面６６との間の幅ｗ_ｅの、例えば５％以上７０％以下とすることが好ましい。

図１１は、本実施の形態の変形例を示している。図１１に示すように、段部７５の天面７６に、裏面側（Ｚ方向マイナス側）に突出する突起７７が形成されている。突起７７の形成される位置は特に限定されるものではなく、天面７６の中間部（支持部材１３の長手方向に垂直な方向における中間部）であっても良く、天面７６の中間部よりも内側（ダイパッド１１側）あるいは外側（ダイパッド１１の反対側）であっても良い。このように、天面７６に突起７７が形成されていることにより、支持部材１３と封止樹脂２３とをより強固に密着させることができる。なお、図１乃至図４に示す第１の実施の形態においても、天面７６にこのような突起７７を形成しても良い。

図１２は、本実施の形態の他の変形例を示している。図１２に示すように、段部７５の天面７６に、表面側（Ｚ方向プラス側）に凹む凹部７８が形成されている。この場合、凹部７８は、天面７６のうち第２側面６９側に連続する部分に形成されている。しかしながら、これに限らず、凹部７８は、天面７６の中間部（支持部材１３の長手方向に垂直な方向における中間部）に形成されても良く、天面７６の中間部よりも内側（ダイパッド１１側）あるいは外側（ダイパッド１１の反対側）に形成されても良い。このように、天面７６に凹部７８が形成されていることにより、支持部材１３と封止樹脂２３とをより強固に密着させることができる。なお、図１乃至図４に示す第１の実施の形態においても、天面７６にこのような凹部７８を形成しても良い。

なお、上記各実施の形態では、第１リード部１２Ａと第２リード部１２Ｂとが交互に配置されている場合を例にとって説明した。しかしながらこれに限らず、全てのリード部が共通する長さのリード部から構成されていても良い（ＱＦＮタイプ）。

さらに、上記各実施の形態では、第１リード部１２Ａの外部端子１７Ａと第２リード部１２Ｂの外部端子１７Ｂとが千鳥状に２列に配置されている場合を例にとって説明したが、これに限らず、外部端子が３列以上に配置されていても良い。

１０ リードフレーム
１１ ダイパッド
１２Ａ 第１リード部
１２Ｂ 第２リード部
１５Ａ、１５Ｂ 内部端子
１７Ａ、１７Ｂ 外部端子
２０ 半導体装置
２１ 半導体素子
２２ ボンディングワイヤ（接続部材）
２３ 封止樹脂
５２ 接続リード
５３、６３ 端子部
６５ 支持部材表面
６６ 支持部材裏面
６７ 支持部材側面
６８ 第１側面
６９ 第２側面
７５ 段部
７６ 天面

Claims (3)

1. リードフレームであって、
   半導体素子が搭載されるダイパッドと、
   前記ダイパッドの周囲に互いに間隔を空けて設けられた複数のリード部と、
   前記複数のリード部を支持する支持部材とを備え、
   前記支持部材のうち、互いに隣接するリード部間に位置する領域の裏面に、段部が形成され、
   前記支持部材は、支持部材表面と、前記支持部材表面の反対側に位置する支持部材裏面とを有し、前記段部は、前記支持部材表面および前記支持部材裏面に対して略平行な天面を有し、
   前記段部の前記天面に、裏面側に突出する突起が形成されていることを特徴とするリードフレーム。
2. リードフレームであって、
   半導体素子が搭載されるダイパッドと、
   前記ダイパッドの周囲に互いに間隔を空けて設けられた複数のリード部と、
   前記複数のリード部を支持する支持部材とを備え、
   前記支持部材のうち、互いに隣接するリード部間に位置する領域の裏面に、段部が形成され、
   前記支持部材は、支持部材表面と、前記支持部材表面の反対側に位置する支持部材裏面とを有し、前記段部は、前記支持部材表面および前記支持部材裏面に対して略平行な天面を有し、
   前記段部の前記天面に、表面側に凹む凹部が形成されていることを特徴とするリードフレーム。
3. 前記複数のリード部は、第１リード部と、前記第１リード部よりも短い第２リード部とを有し、前記第１リード部と前記第２リード部とが交互に配置され、前記段部は、互いに隣接する前記第１リード部と前記第２リード部との間の前記支持部材に形成されていることを特徴とする請求項１又は２記載のリードフレーム。

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