JP7404009B2 - 加工情報管理システム及び加工情報管理方法 - Google Patents
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Description
本発明の実施形態は、加工情報管理システム及び加工情報管理方法に関する。
従来、ウェハ上に形成されたIＣ、ＬＳＩ等の半導体装置は、ダイシング装置のブレードによりダイシングがなされ、個々のチップとして分割されていた。
ダイシング装置によりダイシングを行う場合には、切断面にチッピング（ウェハの欠け）が生じたり、ダイシング装置のカメラの基準線であるヘアラインと、ブレードの中心線の位置とがずれて、実際の切断溝の位置がずれてしまったりすることがある。
上述したような状態に到った場合においては、ダイシング装置に設けられたセンサにより検出することが可能であるが、それらの情報は、半導体製造システムにおけるダイシング加工以降に検査を行う検査装置あるいはダイシング加工以降に加工を行う他の加工装置において有効に利用されているとはいえなかった。
本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、ダイシング装置で得られたチッピング等の異常情報を後段の検査装置或いは加工装置で有効に利用することを可能とし、ひいては、後段の検査装置或いは加工装置における処理の効率化、迅速化等を図ることが可能な加工情報管理システム及び加工情報管理方法を提供することを目的としている。
実施形態の加工情報管理システムは、加工対象の第１ウェハにダイシングを行うウェハ加工装置と、ウェハ加工装置の後段で加工対象の第１ウェハ上で後処理を行う後段装置と、を備えた加工システムで加工情報の管理を行う加工情報管理システムであって、ウェハ加工装置に設けられた第１センサから入力されたダイシング状態を検知する第１センサ信号に基づく加工位置情報を用いて、異常発生位置情報を含む加工対象の第１ウェハの異常発生データを生成する異常解析部と、加工対象の第１ウェハに対応するプロセス工程からテスト工程までのデータが記録された第１ウェハマップデータに加工対象の第１ウェハの異常発生データを統合させ、加工対象の第１ウェハと異なる同一ロットの第２ウェハに対応するプロセス工程からテスト工程までのデータ及び第２ウェハの異常発生データが記録された第２ウェハマップデータと第１ウェハマップデータとを比較する統合部と、を備え、統合部が出力した第１ウェハマップデータに基づいて、後段装置に加工対象の第１ウェハ上で後処理を行わせる。
次に図面を参照して実施形態について詳細に説明する。
［１］第１実施形態
図１は、第１実施形態の半導体加工システムの概要構成ブロック図である。
半導体加工システム１０は、大別すると、ウェハのダイシングを行うダイシング装置１１と、ダイシング時の異常解析を行う異常解析装置１２と、異常解析装置１２の解析結果情報を生産情報として管理する統合生産情報システム（ＭＥＳ：Manufacturing Execution System）１３と、半導体製造におけるダイシング加工後のいずれかの工程において検査或いは加工を行う検査装置又は加工装置として構成される後段装置１４と、を備えている。
［１］第１実施形態
図１は、第１実施形態の半導体加工システムの概要構成ブロック図である。
半導体加工システム１０は、大別すると、ウェハのダイシングを行うダイシング装置１１と、ダイシング時の異常解析を行う異常解析装置１２と、異常解析装置１２の解析結果情報を生産情報として管理する統合生産情報システム（ＭＥＳ：Manufacturing Execution System）１３と、半導体製造におけるダイシング加工後のいずれかの工程において検査或いは加工を行う検査装置又は加工装置として構成される後段装置１４と、を備えている。
ダイシング装置１１は、ウェハ２１をダイシング加工時に真空吸着機構等により保持するチャックテーブル２２と、ウェハ２１を切断するためのブレード２３と、ブレード２３を回転駆動するブレード駆動部２４と、ブレード２３の加工点（切断点）における状態を検出するセンサ部２５と、ブレード駆動部２４（及びセンサ部２５）及びチャックテーブル２２を駆動する駆動機構２６と、ダイシング装置１１全体の制御を行うとともに、外部との通信を行うコントローラ２７と、を備えている。
上記構成において、センサ部２５は、ブレード駆動部２４を構成し、ブレード２３を回転駆動する図示しないスピンドルモータの抵抗値であるスピンドル抵抗、スピンドルモータの駆動電流値等を検出する。
また、駆動機構２６は、ブレード駆動部２４（及びセンサ部２５）及びチャックテーブル２２の相対的な位置関係を制御するように駆動し、或いは、チャックテーブル２２を回転駆動して、ブレード２３によりウェハ２１の所望の位置のダイシングを行わせるように駆動を行う。
また、駆動機構２６は、ブレード駆動部２４（及びセンサ部２５）及びチャックテーブル２２の相対的な位置関係を制御するように駆動し、或いは、チャックテーブル２２を回転駆動して、ブレード２３によりウェハ２１の所望の位置のダイシングを行わせるように駆動を行う。
また、コントローラ２７は、センサ部２５の出力信号及び駆動機構２６の制御情報に基づいてブレード２３の加工位置情報を把握し、異常解析装置１２に出力する。
次に第１実施形態の動作について説明する。
図２は、ダイシング動作の説明図である。
図３は、実施形態の動作フローチャートである。
図２は、ダイシング動作の説明図である。
図３は、実施形態の動作フローチャートである。
まず、駆動機構２６は、ウェハ２１を保持するチャックテーブル２２を回転させて、対象となる切断予定ラインの伸長する方向を、位置Ｐ０に位置しているダイシング装置１１のブレード２３の向きに合わせる初期設定を行う（ステップＳ１１）。
そして、ブレード２３の下端をウェハ２１の表面より低い位置まで移動させる。
その後、ブレード２３を回転させながら、図２に示すように、駆動機構２６によりチャックテーブル２２を図２中、左方向に移動させ、相対的にブレード２３を右方向に移動させ所定の切断予定ラインに沿ってブレード２３を切り込ませ、切削位置Ｐ１においてウェハ２１を切削するダイシング加工を行う（ステップＳ１２）。
その後、ブレード２３を回転させながら、図２に示すように、駆動機構２６によりチャックテーブル２２を図２中、左方向に移動させ、相対的にブレード２３を右方向に移動させ所定の切断予定ラインに沿ってブレード２３を切り込ませ、切削位置Ｐ１においてウェハ２１を切削するダイシング加工を行う（ステップＳ１２）。
これと並行してセンサ部２５は、ブレード２３を回転駆動する図示しないスピンドルモータの抵抗値であるスピンドル抵抗を検出するセンシングを行い、センシング結果をコントローラ２７に出力する（ステップＳ１２）。
これに伴い、コントローラ２７は、ダイシング位置及びセンシング結果を異常解析装置１２に出力する。
異常解析装置１２は、ＦＤＣ（Fault Detection and Classification）として機能し、センサ部のセンシング結果に基づいて異常波形が検出されたか否かを判定する（ステップＳ１３）。
異常解析装置１２は、ＦＤＣ（Fault Detection and Classification）として機能し、センサ部のセンシング結果に基づいて異常波形が検出されたか否かを判定する（ステップＳ１３）。
ここで、異常波形について説明する。
図４は、ウェハのダイシング状態の説明図である。
図４に示すように、ブレード２３は、位置Ｐ１１から切断を開始し、ｙ方向に沿って、位置Ｐ１２まで、切断を行う。
図４は、ウェハのダイシング状態の説明図である。
図４に示すように、ブレード２３は、位置Ｐ１１から切断を開始し、ｙ方向に沿って、位置Ｐ１２まで、切断を行う。
つづいて、ブレード２３は、駆動機構２６により－ｘ方向に駆動され、今度は、位置Ｐ１３から切断を開始し、－ｙ方向に沿って、位置Ｐ１４まで、切断を行う。
そして、ブレード２３は、駆動機構２６により－ｘ方向に駆動され、今度は、位置Ｐ１５から切断を開始して切断を継続する。
そして、ブレード２３は、駆動機構２６により－ｘ方向に駆動され、今度は、位置Ｐ１５から切断を開始して切断を継続する。
切断がさらに進み、ブレード２３が位置Ｐ２１に到ると、切断を開始し、－ｙ方向に沿って位置Ｐ２２まで切断を行う。そして、駆動機構２６によりまた－ｘ方向に駆動されて、今度は、位置Ｐ２３から切断を開始し、ｙ方向に沿って、位置Ｐ２４まで、切断を行う。
さらに、ブレード２３は、駆動機構２６により－ｘ方向に駆動され、今度は、位置Ｐ２５から切断を開始し、－ｙ方向に沿って位置Ｐ２６まで切断を行い、このウェハの向きにおけるダイシングを終了する。
図５は、センシング結果としてのスピンドル抵抗の変化を説明する図である。
図５においては、図４のダイシング処理を行った場合について位置及び時間を示している。
図５（ａ）は、センサ部２５の出力信号の波形概観図であり、図５（ｂ）は、図５（ａ）の破線枠部分の部分拡大図である。
図５においては、図４のダイシング処理を行った場合について位置及び時間を示している。
図５（ａ）は、センサ部２５の出力信号の波形概観図であり、図５（ｂ）は、図５（ａ）の破線枠部分の部分拡大図である。
図５（ａ）において、矩形波状のそれぞれの波形は、ウェハ２１の一方の端部（位置Ｐ１１に相当）から他方の端部（位置Ｐ１２に相当）に向かってウェハ２１の切断を開始してから、切断終了（位置Ｐ２６に相当）までのスピンドル抵抗の変化を示している。
すなわち、ウェハ２１のいずれかの端部における切断開始時（例えば、位置Ｐ１１）には、スピンドル抵抗値が急激に増加し、実際にウェハ２１の切断が開始されるとほぼ一定の値となり、他方の端部（例えば、位置Ｐ１２）に到る切断終了時に急激に減少していることが分かる。
そして、チャックテーブル２２を回転させた後、ブレード２３のｙ方向（図３参照）位置を設定し、再びウェハ２１の切断を開始するので、スピンドル抵抗値が急激に増加し、ｘ方向または－ｘ方向への切断が継続的になされると、ほぼ一定の値を継続し、切断が終了すると再び急激に減少することとなる。
このとき、チッピングが生じると、切断中は、ほぼ一定であるはずのスピンドル抵抗値が、図５（ｂ）の位置ＰＰに示すように、一時的に急上昇し、すぐに切断中に示されるほぼ一定の値に戻る。
そこで、異常解析装置１２は、コントローラ２７の出力に基づいて、切削中のスピンドル抵抗値が一時的に急激に増加し、すぐに切断中を示すほぼ一定の値に戻った場合には、チッピングが発生した可能性が高いとして、当該検出タイミングにおけるダイシング位置（図５の例では、位置ＰＰ）を取得し（ステップＳ１４）、取得したダイシング位置を異常検出位置としてスピンドル抵抗値に対応づけて記憶する（ステップＳ１５）。
この場合において、ダイシング位置（上述の例では、位置ＰＰ）は、加工時間及び処理速度より算出される距離と、ダイシング装置１１が把握している加工位置の情報に基づいて算出される。
続いて異常解析装置１２は、当該ウェハ２１におけるダイシング加工が終了したか否かを判定する（ステップＳ１６）。
ステップＳ１６の判定において未だ当該ウェハ２１におけるダイシング加工が終了していない場合には（ステップＳ１６；Ｎｏ）、ダイシング加工及びセンシングを行わせるため、待機状態に移行し、処理は再びステップＳ１２，Ｓ１３に移行することとなる。
ステップＳ１６の判定において当該ウェハ２１におけるダイシング加工が終了した場合には（ステップＳ１６；Ｙｅｓ）、記憶したスピンドル抵抗値に対応づけたダイシング位置の全てを異常発生データとして統合生産情報システム１３に通知する（ステップＳ１７）。
ステップＳ１６の判定において当該ウェハ２１におけるダイシング加工が終了した場合には（ステップＳ１６；Ｙｅｓ）、記憶したスピンドル抵抗値に対応づけたダイシング位置の全てを異常発生データとして統合生産情報システム１３に通知する（ステップＳ１７）。
これにより統合生産情報システム１３は、自己のデータベースを参照して、加工対象となっていたウェハ２１に対応するウェハプロセス工程からウェハテスト工程までの全てのウェハデータが記録されているウェハマップデータに異常検出位置及び異常が発生した虞があるチップ位置の情報を追記する（ステップＳ１８）。
この結果、異常検出位置及び異常が発生した虞があるチップ位置の情報が追記されたウェハマップデータに基づいて、マッピングデータを表示すれば、容易に対象となるウェハ２１の異常発生箇所を特定できる。さらに、他の同一ロットのウェハ２１のウェハマップデータと比較することで、ウェハプロセス工程あるいはウェハテスト工程との関連を把握することも可能となる。
図６は、マッピングデータの表示例の説明図である。
一般的なウェハマップファイルのフォーマットとしては、ＴＳＫフォーマット、Ｇ８５フォーマット、ＫＲＦフォーマット等が知られているが、図６においては、ＴＳＫフォーマットの場合を例として表示している。
一般的なウェハマップファイルのフォーマットとしては、ＴＳＫフォーマット、Ｇ８５フォーマット、ＫＲＦフォーマット等が知られているが、図６においては、ＴＳＫフォーマットの場合を例として表示している。
表示されたマッピングデータ４０には、ウェハに形成された複数のチップに対応する複数のチップエリア４１が表示され、異常が検出されなかったチップエリア４１については、所定の色（図６の場合、白色）で表示される。
これに対し、何らかの異常が検出された場合には、当該チップエリア４１については、異常内容に応じた所定の色（図６の例の場合、ハッチング）で表示される。
図６の例においては、マッピングデータ４０には、上述したチッピング等の可能性のある異常検出位置Ｄ１、Ｄ２が表示されている。
さらに、マッピングデータ４０には、異常検出位置Ｄ１に基づいて異常が発生した虞があるチップ位置の情報として、チップエリア４１Ａ、４１Ｂが所定の色で表示されている。
さらに、マッピングデータ４０には、異常検出位置Ｄ１に基づいて異常が発生した虞があるチップ位置の情報として、チップエリア４１Ａ、４１Ｂが所定の色で表示されている。
同様に、マッピングデータ４０には、異常検出位置Ｄ２に基づいて異常が発生した虞があるチップ位置の情報として、チップエリア４１Ｃ、４１Ｄが所定の色で表示される。
したがって、ウェハ２１上における異常が発生した虞が高い位置を視覚的に容易に認識できる。さらに、他の工程或いは他の試験に基づいてマッピングデータに記録されている情報を参照することで、今回検出された異常のウェハの製造工程あるいは加工工程における原因を推定すること或いは対応策を講じることも可能となる。
また、ダイシング加工により得られた異常箇所が特定されたマッピングデータを後段装置１４に引き渡すことで、後段の検査処理あるいは加工処理の効率化を図ることができる。
具体的には、例えば、後段装置１４が、チッピング検査用の検査装置である場合には、チッピングの可能性が高いチップエリアを特定した状態で検査を行うことができるので、検査効率を向上することが可能となる。また、後段装置１４が加工装置である場合には、不良品とされる虞が高いチップエリアに対しては、加工を行わないようにすることで、実効的な処理効率を向上することができる。
［２］第２実施形態
以上の第１実施形態においては、センサ部２５が加工位置情報把握用及び異常検出用のセンサとして１種類のセンサを備えていた場合であったが、本第２実施形態は、センサ部２５が加工位置情報把握用及び異常検出用のセンサとして２種類のセンサを備えた場合の実施形態である。
以上の第１実施形態においては、センサ部２５が加工位置情報把握用及び異常検出用のセンサとして１種類のセンサを備えていた場合であったが、本第２実施形態は、センサ部２５が加工位置情報把握用及び異常検出用のセンサとして２種類のセンサを備えた場合の実施形態である。
具体的には、センサ部２５は、第１実施形態と同様に、ブレード駆動部２４を構成し、ブレード２３を回転駆動する図示しないスピンドルモータの抵抗値であるスピンドル抵抗、スピンドルモータの駆動電流値等を検出する第１センサと、ダイシング時にブレード２３に生じる加速度を検出する加速度センサ、あるいはダイシング時のウェハ２１との相対距離を検出するＴＯＦ（Time Of Flight）センサとして構成された第２センサと、を備えている。
以下の説明においては、第２センサとして加速度センサを用いた場合を例として説明する。
図７は、センシング結果としてのスピンドル抵抗の変化及び加速度の変化を説明する図である。
図７は、センシング結果としてのスピンドル抵抗の変化及び加速度の変化を説明する図である。
図７（ａ）は、第１センサで測定したスピンドルモータ抵抗値に相当する波形概観図であり、図７（ｂ）は、第２センサで測定した加速度に相当する波形概観図である。
なお、加速度センサは、ダイシング処理中のブレードの移動時には計測を行わないものとする。
なお、加速度センサは、ダイシング処理中のブレードの移動時には計測を行わないものとする。
図７（ａ）において、矩形波状のそれぞれの波形は、ウェハ２１の一方の端部（図４の位置Ｐ１１に相当）から他方の端部（図４の位置Ｐ１２に相当）に向かってウェハ２１の切断を開始してから、切断終了（図４の位置Ｐ２６に相当）までのスピンドル抵抗値の変化を示している。
同様に図７（ｂ）は、ウェハ２１の一方の端部（図４の位置Ｐ１１に相当）から他方の端部（図４の位置Ｐ１２に相当）に向かってウェハ２１の切断を開始してから、切断終了（図４の位置Ｐ２６に相当）までの加速度の変化を示している。
上述したように、スピンドル抵抗値は、ウェハ２１のいずれかの端部における切断開始時（例えば、図４の位置Ｐ１１）には、スピンドル抵抗値が急激に増加し、実際にウェハ２１の切断が開始されるとほぼ一定の値となり、他方の端部（例えば、図４の位置Ｐ１２）に到る切断終了時に急激に減少していることが分かる。
一方、加速度センサは、異常が無い場合には、ほぼ一定の値を示しており、異常検出位置ＰＰにおいて、チッピング等が生じると、異常検出時のみ増大し、すぐにほぼ一定の値に戻る。
そこで、異常解析装置１２は、切削中のスピンドル抵抗値が切断により増加してほぼ一定の値となっている最中であって、加速度が一時的に急激に増加し、すぐにほぼ一定の値に戻った場合には、チッピングが発生した可能性が高いとして、当該検出タイミングにおけるダイシング位置（図７の例では、位置ＰＰ）を図７（ａ）のスピンドル抵抗値を参照して取得し、取得したダイシング位置を異常検出位置として記憶することとなる。
この場合においても、第１実施形態と同様に、ダイシング位置（上述の例では、位置ＰＰ）は、加工時間及び処理速度より算出される距離と、ダイシング装置１１が把握している加工位置の情報に基づいて算出される。
続いて異常解析装置１２は、当該ウェハ２１におけるダイシング加工が終了したか否かを判定し、未だ当該ウェハ２１におけるダイシング加工が終了していない場合には、ダイシング加工及びセンシングを行わせるため、待機状態に移行し、ダイシング加工を継続する。
一方ダイシング加工が終了した場合には、第２センサとしての加速度センサにおける異常の検出タイミングと対応付けて算出したダイシング位置の全てを異常発生データとして統合生産情報システム１３に通知し、統合生産情報システム１３は、自己のデータベースを参照して、加工対象となっていたウェハ２１に対応するウェハプロセス工程からウェハテスト工程までの全てのウェハデータが記録されているウェハマップデータに異常検出位置及び異常が発生した虞があるチップ位置の情報を追記する。
この結果、本第２実施形態によれば、一種類のセンサで異常状態の検知を行う第１実施形態よりもより確実に対象となるウェハ２１の異常発生箇所を特定できる。
［３］第３実施形態
図８は、第３実施形態の半導体加工システムの概要構成ブロック図である。
図８において、図１と同様の部分には、同一の符号を付すものとする。
本第３実施形態が、第１実施形態と異なる点は、コントローラ２７に代えて、第１実施形態の異常解析装置１２の機能を実現するコントローラ２７Ａを備えた点である。
図８は、第３実施形態の半導体加工システムの概要構成ブロック図である。
図８において、図１と同様の部分には、同一の符号を付すものとする。
本第３実施形態が、第１実施形態と異なる点は、コントローラ２７に代えて、第１実施形態の異常解析装置１２の機能を実現するコントローラ２７Ａを備えた点である。
この結果、コントローラ２７Ａは、センサ部２５の出力に基づいて、切削中のスピンドル抵抗値が一時的に急激に増加し、すぐに切断中を示すほぼ一定の値に戻った場合には、チッピングが発生した可能性が高いとして、当該検出タイミングにおけるダイシング位置を取得し、取得したダイシング位置を異常検出位置としてスピンドル抵抗値に対応づけて記憶する。この場合において、ダイシング位置は、加工時間及び処理速度より算出される距離と、ダイシング装置１１としてコントローラ２７Ａが把握している加工位置の情報に基づいて算出される。
続いてコントローラ２７Ａは、当該ウェハ２１におけるダイシング加工が終了したか否かを判定し、当該ウェハ２１におけるダイシング加工が終了した場合には、記憶したスピンドル抵抗値に対応づけたダイシング位置を統合生産情報システム１３に通知する。
これにより、統合生産情報システム１３は第１実施形態と同様の処理を行うこととなる。
したがって、本第３実施形態によれば、加工装置であるダイシング装置１１を統合生産情報システム１３に連携するだけで、より簡易に第１実施形態と同様の効果を得ることができる。
この場合においても、第２実施形態と同様に、第１センサ及び第２センサを備え、より確実に異常を検出するように構成することも可能である。
したがって、本第３実施形態によれば、加工装置であるダイシング装置１１を統合生産情報システム１３に連携するだけで、より簡易に第１実施形態と同様の効果を得ることができる。
この場合においても、第２実施形態と同様に、第１センサ及び第２センサを備え、より確実に異常を検出するように構成することも可能である。
［４］第４実施形態
図９は、第４実施形態の半導体加工システムの概要構成ブロック図である。
図９において、図１と同様の部分には、同一の符号を付すものとする。
図９は、第４実施形態の半導体加工システムの概要構成ブロック図である。
図９において、図１と同様の部分には、同一の符号を付すものとする。
本第４実施形態が、第１実施形態と異なる点は、統合生産情報システム１３に代えて、第１実施形態の異常解析装置１２の機能を実現し、加工情報管理システムとして単体で機能する統合生産情報システム１３Ａを備えた点である。
この構成によれば、コントローラ２７は、ダイシング位置及びセンシング結果を統合生産情報システム１３Ａに出力する。
この構成によれば、コントローラ２７は、ダイシング位置及びセンシング結果を統合生産情報システム１３Ａに出力する。
統合生産情報システム１３Ａは、ＦＤＣ（Fault Detection and Classification）としても機能し、コントローラ２７が出力したセンサ部２５のセンシング結果に基づいて異常波形が検出されたか否かを判定し、切削中のスピンドル抵抗値が一時的に急激に増加し、すぐに切断中を示すほぼ一定の値に戻った場合には、チッピングが発生した可能性が高いとして、当該検出タイミングにおけるダイシング位置を取得し、取得したダイシング位置を異常検出位置としてスピンドル抵抗値に対応づけて記憶する。この場合において、ダイシング位置は、加工時間及び処理速度より算出される距離と、ダイシング装置１１としてコントローラ２７が把握している加工位置の情報に基づいて算出される。
続いて統合生産情報システム１３Ａは、当該ウェハ２１におけるダイシング加工が終了したか否かを判定し、当該ウェハ２１におけるダイシング加工が終了した場合には、第１実施形態と同様の処理を行うこととなる。
したがって、本第４実施形態によれば、第３実施形態と同様に、加工装置であるダイシング装置１１を単体で加工情報管理システムとして機能する統合生産情報システム１３Ａに連携するだけで、より簡易に第１実施形態と同様の効果を得ることができる。
この場合においても、第２実施形態と同様に、第１センサ及び第２センサを備え、より確実に異常を検出すするように構成することも可能である。
この場合においても、第２実施形態と同様に、第１センサ及び第２センサを備え、より確実に異常を検出すするように構成することも可能である。
本実施形態のコントローラ、異常解析装置あるいは統合生産情報システムは、通常のコンピュータを利用したハードウェア構成となっている。
本実施形態のコントローラ、異常解析装置あるいは統合生産情報システムで実行されるプログラムは、インストール可能な形式又は実行可能な形式のファイルでＤＶＤ（Digital Versatile Disk）等の記録媒体、ＵＳＢ、ＳＳＤ（Solid State Drive）等の半導体記憶装置等のコンピュータで読み取り可能な記録媒体に記録されて提供される。
また、本実施形態のコントローラ、異常解析装置あるいは統合生産情報システムで実行されるプログラムを、インターネット等のネットワークに接続されたコンピュータ上に格納し、ネットワーク経由でダウンロードさせることにより提供するように構成しても良い。
また、本実施形態のコントローラ、異常解析装置あるいは統合生産情報システムで実行されるプログラムをインターネット等のネットワーク経由で提供または配布するように構成しても良い。
また、本実施形態のコントローラ、異常解析装置あるいは統合生産情報システムで実行されるプログラムを、ＲＯＭ等に予め組み込んで提供するように構成してもよい。
また、本実施形態のコントローラ、異常解析装置あるいは統合生産情報システムで実行されるプログラムを、ＲＯＭ等に予め組み込んで提供するように構成してもよい。
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
１０ 半導体加工システム（加工情報管理システム）
１１ ダイシング装置
１２ 異常解析装置
１３ 統合生産情報システム
１３Ａ 統合生産情報システム（加工情報管理システム）
１４ 後段装置
２１ ウェハ
２２ チャックテーブル
２３ ブレード
２４ ブレード駆動部
２５ センサ部
２６ 駆動機構
２７ コントローラ
２７Ａ コントローラ（異常解析部）
４０ マッピングデータ
４１ チップエリア
４１Ａ～４１Ｄ チップエリア（異常可能性あり）
Ｄ１、Ｄ２ 異常検出位置
ＰＰ 異常検出位置
１１ ダイシング装置
１２ 異常解析装置
１３ 統合生産情報システム
１３Ａ 統合生産情報システム（加工情報管理システム）
１４ 後段装置
２１ ウェハ
２２ チャックテーブル
２３ ブレード
２４ ブレード駆動部
２５ センサ部
２６ 駆動機構
２７ コントローラ
２７Ａ コントローラ（異常解析部）
４０ マッピングデータ
４１ チップエリア
４１Ａ～４１Ｄ チップエリア（異常可能性あり）
Ｄ１、Ｄ２ 異常検出位置
ＰＰ 異常検出位置
Claims (5)
- 加工対象の第１ウェハにダイシングを行うウェハ加工装置と、前記ウェハ加工装置の後段で前記加工対象の第１ウェハ上で後処理を行う後段装置と、を備えた加工システムで加工情報の管理を行う加工情報管理システムであって、
前記ウェハ加工装置に設けられた第１センサから入力されたダイシング状態を検知する第１センサ信号に基づく加工位置情報を用いて、異常発生位置情報を含む加工対象の第１ウェハの異常発生データを生成する異常解析部と、
前記加工対象の第１ウェハに対応するプロセス工程からテスト工程までのデータが記録された第１ウェハマップデータに前記加工対象の第１ウェハの前記異常発生データを統合させ、前記加工対象の第１ウェハと異なる同一ロットの第２ウェハに対応するプロセス工程からテスト工程までのデータ及び前記第２ウェハの異常発生データが記録された第２ウェハマップデータと前記第１ウェハマップデータとを比較する統合部と、を備え、
前記統合部が出力した前記第１ウェハマップデータに基づいて、前記後段装置に前記加工対象の第１ウェハ上で後処理を行わせる、
加工情報管理システム。 - 前記ウェハ加工装置は、モータにより回転駆動されるブレードによりウェハのダイシングを行うダイシング装置であり、
前記第１センサ信号は、前記モータのスピンドル抵抗値に対応する信号あるいは前記モータの駆動電流に対応する信号を含む、
請求項１記載の加工情報管理システム。 - 前記ウェハ加工装置は、異常状態を検知する第２センサ信号を出力する第２センサを有し、
前記第２センサは、加速度センサあるいはＴＯＦセンサであり、前記第２センサ信号は、加速度信号あるいは距離信号を含み、
前記異常解析部は、前記第１センサ信号に基づく加工位置情報及び前記第２センサ信号に基づく異常検知情報を用いて前記異常発生データを生成する、
請求項２記載の加工情報管理システム。 - 加工対象の第１ウェハにダイシングを行うウェハ加工装置と、前記ウェハ加工装置の後段で前記加工対象の第１ウェハ上で後処理を行う後段装置と、を備えた加工システムで加工情報の管理を行う加工情報管理システムであって、
前記ウェハ加工装置は、前記ウェハ加工装置に設けられた第１センサから入力されたダイシング状態を検知する第１センサ信号に基づく加工位置情報を用いて、異常発生位置情報を含む加工対象の第１ウェハの異常発生データを生成する異常解析部を備えており、
前記加工対象の第１ウェハに対応するプロセス工程からテスト工程までのデータが記録された第１ウェハマップデータに前記加工対象の第１ウェハの前記異常発生データを統合させ、前記加工対象の第１ウェハと異なる同一ロットの第２ウェハに対応するプロセス工程からテスト工程までのデータ及び前記第２ウェハの異常発生データが記録された第２ウェハマップデータと前記第１ウェハマップデータとを比較する統合部を備え、
前記統合部が出力した前記第１ウェハマップデータに基づいて、前記後段装置に前記加工対象の第１ウェハ上で後処理を行わせる
加工情報管理システム。 - 加工対象の第１ウェハにダイシングを行うウェハ加工装置と、前記ウェハ加工装置の後段で前記加工対象の第１ウェハ上で後処理を行う後段装置と、を備えた加工システムで加工情報の管理を行う加工情報管理システムで実行される加工情報管理方法であって、
前記ウェハ加工装置に設けられた第１センサから入力されたダイシング状態を検知する第１センサ信号に基づく加工位置情報を用いて、異常発生位置情報を含む加工対象の第１ウェハの異常発生データを生成する過程と、
前記加工対象の第１ウェハに対応するプロセス工程からテスト工程までのデータが記録された第１ウェハマップデータに前記加工対象の第１ウェハの前記異常発生データを統合させ、前記加工対象の第１ウェハと異なる同一ロットの第２ウェハに対応するプロセス工程からテスト工程までのデータ及び前記第２ウェハの異常発生データが記録された第２ウェハマップデータと前記第１ウェハマップデータとを比較する過程と、
前記異常発生データが統合された前記第１ウェハマップデータに基づいて、前記後段装置に前記加工対象のウェハ上で後処理を行わせる過程と、
を備えた加工情報管理方法。
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Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004336055A (ja) | 2003-05-01 | 2004-11-25 | Hewlett-Packard Development Co Lp | ウェハダイシングのための方法 |
| JP2013187524A (ja) | 2012-03-12 | 2013-09-19 | Mitsubishi Electric Corp | 欠陥検査方法 |
| JP2016219756A (ja) | 2015-05-26 | 2016-12-22 | 株式会社ディスコ | 加工システム |
Family Cites Families (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6952656B1 (en) * | 2000-04-28 | 2005-10-04 | Applied Materials, Inc. | Wafer fabrication data acquisition and management systems |
| JP3916148B2 (ja) * | 2002-11-15 | 2007-05-16 | Ｔｄｋ株式会社 | ウェハーマッピング機能を備えるウェハー処理装置 |
| US7138629B2 (en) * | 2003-04-22 | 2006-11-21 | Ebara Corporation | Testing apparatus using charged particles and device manufacturing method using the testing apparatus |
| JP5134216B2 (ja) * | 2006-06-23 | 2013-01-30 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工結果管理方法 |
| JP2008112933A (ja) * | 2006-10-31 | 2008-05-15 | Disco Abrasive Syst Ltd | ダイシング装置及びダイシング装置の管理方法 |
| US8188447B2 (en) * | 2009-01-26 | 2012-05-29 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Field-by-field laser annealing and feed forward process control |
| US8135560B2 (en) * | 2009-01-30 | 2012-03-13 | Applied Materials, Inc. | Sensor system for semiconductor manufacturing apparatus |
| JP2013008796A (ja) * | 2011-06-23 | 2013-01-10 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウェーハの加工方法 |
| US9277186B2 (en) * | 2012-01-18 | 2016-03-01 | Kla-Tencor Corp. | Generating a wafer inspection process using bit failures and virtual inspection |
| US8855399B2 (en) * | 2012-02-07 | 2014-10-07 | Applied Materials Israel, Ltd. | System, a method and a computer program product for CAD-based registration |
| US9804098B2 (en) * | 2015-10-20 | 2017-10-31 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Defect recognition system and defect recognition method |
| US10908512B2 (en) * | 2015-12-24 | 2021-02-02 | Asml Netherlands B.V. | Methods of controlling a patterning process, device manufacturing method, control system for a lithographic apparatus and lithographic apparatus |
| KR102056656B1 (ko) * | 2016-01-28 | 2019-12-17 | 야마하하쓰도키 가부시키가이샤 | 다이 픽업 장치 |
| JP6699930B2 (ja) | 2016-04-07 | 2020-05-27 | 株式会社ディスコ | 切削装置 |
| JP6625926B2 (ja) * | 2016-04-13 | 2019-12-25 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工方法 |
| JP6821245B2 (ja) * | 2016-10-11 | 2021-01-27 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
| JP6901906B2 (ja) | 2017-05-12 | 2021-07-14 | 株式会社ディスコ | 切削装置 |
| CN109427609B (zh) * | 2017-08-30 | 2022-03-01 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 半导体晶片在线检验的***及方法 |
| US10930597B2 (en) * | 2019-03-27 | 2021-02-23 | Kla-Tencor Corporation | Die screening using inline defect information |
-
2019
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-
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Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004336055A (ja) | 2003-05-01 | 2004-11-25 | Hewlett-Packard Development Co Lp | ウェハダイシングのための方法 |
| JP2013187524A (ja) | 2012-03-12 | 2013-09-19 | Mitsubishi Electric Corp | 欠陥検査方法 |
| JP2016219756A (ja) | 2015-05-26 | 2016-12-22 | 株式会社ディスコ | 加工システム |
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