JP7396912B2 - 圧力センサ - Google Patents
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Description
はじめに、本発明の実施の形態1に係る圧力センサについて、図1A、図1Bを参照して説明する。
次に、本発明の実施の形態2に係る圧力センサについて、図2A、図2Bを参照して説明する。
次に、本発明の実施の形態3に係る圧力センサについて、図3を参照して説明する。
次に、本発明の実施の形態4に係る圧力センサについて、図4を参照して説明する。
次に、本発明の実施の形態5に係る圧力センサについて、図5を参照して説明する。
Claims (9)
- ダイアフラム層と、
前記ダイアフラム層に形成された受圧領域と、
前記受圧領域の外周部の前記ダイアフラム層に設けられ、ピエゾ抵抗効果により前記受圧領域の歪みを測定するピエゾ歪素子から構成されたピエゾ歪測定部と、
前記ダイアフラム層の前記受圧領域に設けられ、歪みによって磁化が変化する材料から構成されて前記受圧領域の歪みを測定する磁気歪素子から構成された磁気歪測定部と
を備える圧力センサ。 - 請求項1記載の圧力センサにおいて、
前記ピエゾ歪測定部および前記磁気歪測定部は、前記受圧領域の、発生する応力がピークとなる位置に配置されていることを特徴とする圧力センサ。 - 請求項1または2記載の圧力センサにおいて、
前記ピエゾ歪測定部は、前記受圧領域のピエゾ効果が発生する箇所に配置されていることを特徴とする圧力センサ。 - 請求項1~3のいずれか1項に記載の圧力センサにおいて、
前記ピエゾ歪測定部は、第1ブリッジ回路を構成する第1ピエゾ歪素子、第2ピエゾ歪素子、第3ピエゾ歪素子、および第4ピエゾ歪素子から構成され、
前記磁気歪測定部は、第2ブリッジ回路を構成する第1磁気歪素子、第2磁気歪素子、第3磁気歪素子、第4磁気歪素子から構成され、
前記磁気歪測定部は、前記ピエゾ歪測定部とは異なる箇所に配置されている
ことを特徴とする圧力センサ。 - 請求項4記載の圧力センサにおいて、
前記第1ピエゾ歪素子、前記第2ピエゾ歪素子、前記第3ピエゾ歪素子、および前記第4ピエゾ歪素子の各々は、平面視の形状が長方形とされ、
前記第1ピエゾ歪素子および前記第3ピエゾ歪素子は、各々の長手方向の軸が前記受圧領域の中心から径方向に向かう直線に平行な状態とされ、
前記第2ピエゾ歪素子および前記第4ピエゾ歪素子は、各々の長手方向の軸が前記受圧領域の中心から径方向に向う直線に垂直な状態とされている
ことを特徴とする圧力センサ。 - 請求項5記載の圧力センサにおいて、
前記第1ピエゾ歪素子と前記第2ピエゾ歪素子とは、隣り合って配置され、
前記第3ピエゾ歪素子と前記第4ピエゾ歪素子とは、隣り合って配置されている
ことを特徴とする圧力センサ。 - 請求項5または6記載の圧力センサにおいて、
前記ダイアフラム層の前記受圧領域の周囲に形成された第1副受圧領域、第2副受圧領域、第3副受圧領域、および第4副受圧領域と、
前記第1副受圧領域に設けられた第1副ピエゾ歪素子、第2副ピエゾ歪素子と、
前記第2副受圧領域に設けられた第1副磁気歪素子、第2副磁気歪素子と、
前記第3副受圧領域に設けられた第3副ピエゾ歪素子、第4副ピエゾ歪素子と、
前記第4副受圧領域に設けられた第3副磁気歪素子、第4副磁気歪素子と
をさらに備え、
前記第1副受圧領域、前記第2副受圧領域、前記第3副受圧領域、および前記第4副受圧領域の各々は、前記受圧領域の中心から等距離に配置されている
ことを特徴とする圧力センサ。 - 請求項1~7のいずれか1項に記載の圧力センサにおいて、
前記受圧領域は、平面視で円形とされていることを特徴とする圧力センサ。 - 請求項1~7のいずれか1項に記載の圧力センサにおいて、
前記受圧領域は、平面視で正方形とされていることを特徴とする圧力センサ。
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