JP7215316B2 - 半導体装置 - Google Patents

Description

本開示は、半導体装置に関するものである。

回路パターンを有する基板上に半導体チップが配置された構造を有する半導体装置において、サージ電圧を抑制する目的でスナバコンデンサが上記回路パターンに電気的に接続される場合がある（たとえば、特許文献１参照）。特許文献１においては、スナバコンデンサを電源入力部から最も離れた位置に接続することが提案されている。

特開２００５－９４８８２号公報

スナバコンデンサを含む半導体装置において、特許文献１に開示されているように半導体チップからスナバコンデンサまでの経路が長くなると、当該経路のインダクタンスが大きくなる。その結果、サージ電圧を抑制する効果が小さくなるという問題が生じる。

そこで、サージ電圧を効果的に低減することが可能な半導体装置を提供することを目的の１つとする。

本開示の従った半導体装置は、第１主面を有する放熱板と、第１主面上に配置され、回路パターンを有する基板と、回路パターン上に配置される半導体チップと、基板の外周を取り囲むように放熱板に固定される枠体と、第１主面上の枠体に取り囲まれる空間の少なくとも一部を充填する樹脂部と、回路パターン上に配置され、回路パターンから立ち上がる平板状の第１部分を有する第１金属板と、回路パターン上に配置され、回路パターンから立ち上がる平板状の第２部分を有する第２金属板と、第１金属板および第２金属板に電気的に接続されるスナバコンデンサと、を備える。第１部分および第２部分は樹脂部の内部から外部にまで延びている。スナバコンデンサは樹脂部の外部に位置する。

上記半導体装置によれば、サージ電圧を効果的に低減することができる。

図１は、半導体装置の概略斜視図である。 図２は、スナバコンデンサモジュールの図示を省略した状態を示す概略斜視図である。 図３は、樹脂部およびスナバコンデンサモジュールの図示を省略した状態を示す概略斜視図である。 図４は、樹脂部、枠体、スナバコンデンサモジュールおよび支持部の図示を省略した状態を示す概略斜視図である。 図５は、樹脂部、スナバコンデンサモジュールおよび支持部の図示を省略した状態を示す概略平面図である。 図６は、図１および図５の線分ＶＩ－ＶＩに沿う断面を示す概略断面図である。

［本開示の実施形態の説明］
最初に本開示の実施態様を列記して説明する。本開示の半導体装置は、第１主面を有する放熱板と、第１主面上に配置され、回路パターンを有する基板と、回路パターン上に配置される半導体チップと、基板の外周を取り囲むように放熱板に固定される枠体と、第１主面上の枠体に取り囲まれる空間の少なくとも一部を充填する樹脂部と、回路パターン上に配置され、回路パターンから立ち上がる平板状の第１部分を有する第１金属板と、回路パターン上に配置され、回路パターンから立ち上がる平板状の第２部分を有する第２金属板と、第１金属板および第２金属板に電気的に接続されるスナバコンデンサと、を備える。第１部分および第２部分は樹脂部の内部から外部にまで延びている。スナバコンデンサは樹脂部の外部に位置する。

本開示の半導体装置においては、回路パターンから立ち上がる第１部分を有する第１金属板と、回路パターンから立ち上がる第２部分を有する第２金属板とが、回路パターン上に配置される。そして、スナバコンデンサが第１金属板および第２金属板に電気的に接続される。このような構造を採用することにより、回路パターン上に配置される半導体チップからスナバコンデンサまでの経路を短くすることが容易となる。その結果、半導体チップからスナバコンデンサまでの経路のインダクタンスを低減し、スナバコンデンサの配置によるサージ電圧の効果的な低減を可能とすることができる。このように、本開示の半導体装置によれば、サージ電圧を効果的に低減することができる。

上記半導体装置において、第１部分と第２部分とは互いに平行であってもよい。このような構造を採用し、第１部分および第２部分に互いに逆向きの電流が流れるようにすることにより、第１部分および第２部分に流れる電流によって形成される磁束を互いに打ち消し合うようにすることができる。その結果、サージ電圧を低減することができる。

上記半導体装置は、枠体に接続された支持部をさらに備えていてもよい。スナバコンデンサは、この支持部上に配置されていてもよい。このようにすることにより、スナバコンデンサの設置が容易となる。

上記半導体装置において、枠体は、第１壁部と、第１壁部と向かい合うように配置される第２壁部とを含んでいてもよい。支持部は第１壁部と第２壁部とを繋ぐように配置されていてもよい。このようにすることにより、支持部を形成することが容易となる。

上記半導体装置において、支持部は、第１部分と第２部分とに挟まれる領域にまで延び、絶縁体からなる絶縁部を含んでいてもよい。このようにすることにより、第１部分と第２部分との間をより確実に絶縁することができる。

上記半導体装置において、第１部分は、基板とは反対側の端部に位置し、基板の厚み方向に突出する第１突出部を含んでいてもよい。第２部分は、基板とは反対側の端部に位置し、基板の厚み方向に突出する第２突出部を含んでいてもよい。支持部は、支持部を貫通する第１貫通孔および第２貫通孔を有していてもよい。第１突出部は第１貫通孔を貫通していてもよい。第２突出部は第２貫通孔を貫通していてもよい。第１突出部および第２突出部がスナバコンデンサに電気的に接続されていてもよい。このようにすることにより、支持部上に配置されるスナバコンデンサと第１金属板および第２金属板との電気的な接続を容易に確保することができる。

上記半導体装置において、上記半導体チップは、パワー半導体チップであってもよい。本開示の半導体装置は、大電流が流されることを前提とし、高い耐圧を有するパワー半導体チップを含む半導体装置に好適である。本開示において、パワー半導体チップとは、ＭＯＳＦＥＴ（Ｍｅｔａｌ Ｏｘｉｄｅ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｆｉｅｌｄ Ｅｆｆｅｃｔ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）、ＳＢＤ（Ｓｃｈｏｔｔｋｙ Ｂａｒｒｉｅｒ Ｄｉｏｄｅ）、ＩＧＢＴ（Ｉｎｓｕｌａｔｅｄ Ｇａｔｅ Ｂｉｐｏｌａｒ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）などの半導体チップであって、６００Ｖ以上の耐圧を有するものをいう。

上記半導体装置において、上記半導体チップは、炭化珪素半導体チップまたは窒化ガリウム半導体チップであってもよい。本開示の半導体装置は、高い耐圧を確保しつつ大電流を流すことが可能な炭化珪素半導体チップまたは窒化ガリウム半導体チップを含む半導体装置に好適である。本開示において、炭化珪素半導体チップとは、炭化珪素（ＳｉＣ）からなる半導体層を動作層として含む半導体チップをいう。本開示において、窒化ガリウム半導体チップとは、窒化ガリウム（ＧａＮ）からなる半導体層を動作層として含む半導体チップをいう。

［本開示の実施形態の詳細］
次に、本開示の半導体装置の一実施形態を、図面を参照しつつ説明する。以下の図面において同一または相当する部分には同一の参照符号を付しその説明は繰り返さない。

本開示の一実施の形態における半導体装置の構成を説明する。図１は、本実施の形態における半導体装置の概略斜視図である。図２は、スナバコンデンサモジュールの図示を省略した状態を示す本実施の形態における半導体装置の概略斜視図である。図３は、樹脂部およびスナバコンデンサモジュールの図示を省略した状態を示す本実施の形態における半導体装置の概略斜視図である。図４は、樹脂部、枠体、スナバコンデンサモジュールおよび支持部の図示を省略した状態を示す本実施の形態における半導体装置の概略斜視図である。図５は、樹脂部、スナバコンデンサモジュールおよび支持部の図示を省略した状態を示す本実施の形態における半導体装置の概略平面図である。図６は、図１および図５の線分ＶＩ－ＶＩに沿う断面を示す本実施の形態における半導体装置の概略断面図である。なお、図３および図４においては、理解を容易にする観点から、一部の配線の表示が省略されている。

図１～図６、特に図６を参照して、本実施の形態の半導体装置１は、放熱板１０と、基板４０と、枠体６０と、樹脂部７１と、第１金属板としての第１バスバー４１と、第２金属板としての第２バスバー４２と、スナバコンデンサモジュール８０とを備えている。図５を参照して、本実施の形態の半導体装置１は、半導体チップとしてのショットキーバリアダイオード（ＳＢＤ）５１，５２，５４，５５と、半導体チップとしての金属－酸化物－半導体電界効果型トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）５３，５６とをさらに備えている。

放熱板１０は、熱伝導率の高い素材からなる。放熱板１０は、たとえば金属製である。放熱板は、銅（Ｃｕ）製であってもよい。放熱板１０の表面は、たとえばニッケル（Ｎｉ）めっき層に覆われていてもよい。放熱板１０は平板状の形状を有する。放熱板１０の平面形状は、半導体装置１の用途等に応じて種々の形状を選択することができる。本実施の形態において、放熱板１０の平面形状は長方形である。図６を参照して、放熱板１０は、第１主面１１と、厚み方向において第１主面１１とは反対側に位置する第２主面１２とを含む。第２主面１２上には、放熱効率を向上させる目的で放熱フィン（図示しない）が設置されてもよい。

基板４０は、放熱板１０の第１主面１１上に配置される。基板４０は、回路パターン２０を有する。基板４０は、平板状の形状を有する絶縁体製の絶縁基板３０と、絶縁基板３０上に配置された導電体製の回路パターン２０とを含む。

絶縁基板３０の平面形状は特に限定されるものではない。本実施の形態では、絶縁基板３０の平面形状は長方形である。絶縁基板３０は、たとえばセラミック製である。絶縁基板３０を構成するセラミックとしては、たとえばＡｌＮ（窒化アルミニウム）、ＳｉＮ（窒化珪素）、Ａｌ_２Ｏ_３（酸化アルミニウム；アルミナ）などを採用することができる。絶縁基板３０は、ガラス製であってもよい。絶縁基板３０は、一方の主面である第３主面３０Ａと、厚み方向において第３主面３０Ａとは反対側に位置する他方の主面である第４主面３０Ｂとを含む。絶縁基板３０は、第４主面３０Ｂにおいて放熱板１０の第１主面１１に接合されている。

回路パターン２０は、絶縁基板３０の第３主面３０Ａ上に配置される。回路パターン２０は、金属製である。回路パターン２０は、たとえば銅製である。回路パターン２０は、たとえば銅配線である。図６および図５を参照して、回路パターン２０は、第１領域２１と、第２領域２２と、第３領域２３と、第４領域２４と、第５領域２５と、第６領域２６と、第７領域２７と、第８領域２８と、第９領域２９と、第１０領域３１と、第１１領域３２と、第１２領域３３と、を含む。

図５を参照して、半導体装置１は、第１ワイヤ部９１と、第２ワイヤ部９２と、第３ワイヤ部９３と、第４ワイヤ部９４と、第５ワイヤ部９５と、第６ワイヤ部９６と、第７ワイヤ部９７と、第８ワイヤ部９８と、第９ワイヤ部９９と、をさらに備える。各ワイヤ部９１～９９は、導電体、たとえばアルミニウム（Ａｌ）製の複数のワイヤを含む。

図６および図５を参照して、回路パターン２０の第３領域２３上には、ＳＢＤ５４、ＳＢＤ５５およびＭＯＳＦＥＴ５６が配置されている。ＳＢＤ５４、ＳＢＤ５５およびＭＯＳＦＥＴ５６は、第３領域２３と電気的に接続されている。回路パターン２０の第５領域２５上には、ＳＢＤ５１、ＳＢＤ５２およびＭＯＳＦＥＴ５３が配置されている。ＳＢＤ５１、ＳＢＤ５２およびＭＯＳＦＥＴ５３は、第５領域２５と電気的に接続されている。ＳＢＤ５１，５２，５４，５５およびＭＯＳＦＥＴ５３，５６と回路パターン２０とは、たとえばはんだにより接合されている。ＳＢＤ５１，５２，５４，５５およびＭＯＳＦＥＴ５３，５６は、平面形状が長方形（正方形）である平板状の形状を有する。本実施の形態において、ＳＢＤ５１，５２，５４，５５およびＭＯＳＦＥＴ５３，５６は、パワー半導体チップである。本実施の形態において、ＳＢＤ５１，５２，５４，５５およびＭＯＳＦＥＴ５３，５６は、炭化珪素半導体チップまたは窒化ガリウム半導体チップである。

図６および図５を参照して、枠体６０は、基板４０の外周を取り囲むように放熱板１０に固定されている。より具体的には、放熱板１０の第１主面１１の外周に沿う領域と枠体６０とが接合されている。放熱板１０の厚み方向（Ｚ軸方向）に平面的に見て（平面図である図５の視点から見て）、枠体６０は長方形状の形状を有する。Ｚ軸方向に平面的に見て、枠体６０は、長方形の長辺に対応し、Ｘ軸方向に延びる第１壁部６１と、第２壁部６２とを含む。Ｚ軸方向に平面的に見て、枠体６０は、長方形の短辺に対応し、Ｙ軸方向に延びる第３壁部６３と、第４壁部６４とを含む。枠体６０の一方の開口が放熱板１０によって閉じられている。枠体６０は、絶縁体製である。枠体６０は、たとえば樹脂製である。

第１バスバー４１は、回路パターン２０の第４領域２４上に配置されている。第１バスバー４１は、第４領域２４と電気的に接続されている。第２バスバー４２は、回路パターン２０の第５領域２５上に配置されている。第２バスバー４２は、第５領域２５と電気的に接続されている。図１～図５を参照して、半導体装置１は、第３金属板としての第３バスバー４３と、第４金属板としての第４バスバー４４と、第５金属板としての第５バスバー４５と、第６金属板としての第６バスバー４６と、をさらに備えている。図５を参照して、第３バスバー４３および第４バスバー４４は、第３壁部６３に設置されている。第５バスバー４５および第６バスバー４６は、第４壁部６４に設置されている。第３バスバー４３と回路パターン２０の第３領域２３とは、第１ワイヤ部９１により接続されている。第４バスバー４４と第３領域２３とは、第２ワイヤ部９２により接続されている。第５バスバー４５と第１０領域３１とは、第８ワイヤ部９８により接続されている。第６バスバー４６と第９領域２９とは、第９ワイヤ部９９により接続されている。

回路パターン２０の第３領域２３とＭＯＳＦＥＴ５３とは第３ワイヤ部９３により接続されている。第４領域２４とＭＯＳＦＥＴ５６とは第４ワイヤ部９４により接続されている。第３領域２３と第８領域２８とは第５ワイヤ部９５により接続されている。第４領域２４と第９領域２９とは第６ワイヤ部９６により接続されている。第５領域２５と第１０領域３１とは第７ワイヤ部９７により接続されている。

図６および図４を参照して、第１バスバー４１は、回路パターン２０の第４領域２４に接合された平板状のベース部４１Ａと、ベース部４１ＡのＹ軸方向における端部に接続され、第４領域２４からＺ軸方向に立ち上がる平板状の第１部分４１Ｂとを含む。ベース部４１Ａと第４領域２４とは、たとえばはんだ、溶接、溶着、焼結などにより接合されている。第１部分４１Ｂは、第１部分４１ＢのＺ軸方向における基板４０側とは反対側の端部に配置され、Ｚ軸方向に突出する棒状の第１突出部４１Ｃを含む。第２バスバー４２は、回路パターン２０の第５領域２５に接合された平板状のベース部４２Ａと、ベース部４２ＡのＹ軸方向における端部に接続され、第５領域２５からＺ軸方向に立ち上がる平板状の第２部分４２Ｂとを含む。ベース部４２Ａと第５領域２５とは、たとえばはんだ、溶接、溶着、焼結などにより接合されている。第２部分４２Ｂは、第２部分４２ＢのＺ軸方向における基板４０側とは反対側の端部に配置され、Ｚ軸方向に突出する棒状の第２突出部４２Ｃを含む。

図４を参照して、第１突出部４１Ｃは、第１部分４１ＢのＸ軸方向における一方の端部に配置されている。第２突出部４２Ｃは、第２部分４２ＢのＸ軸方向における端部であって、第１部分４１Ｂにおいて第１突出部４１Ｃが位置する側とは反対側に配置されている。

図６を参照して、樹脂部７１は、放熱板１０の第１主面１１上の枠体６０に取り囲まれる空間７２の少なくとも一部を充填する。より具体的には、絶縁基板３０の第３主面３０Ａ、回路パターン２０、ＳＢＤ５１，５２，５４，５５、ＭＯＳＦＥＴ５３，５６、第１バスバー４１のベース部４１Ａおよび第２バスバー４２のベース部４２Ａが樹脂部７１により覆われている。第１バスバー４１の第１部分４１Ｂおよび第２バスバー４２の第２部分４２Ｂは、樹脂部７１の内部から外部にまで延びている。第１突出部４１Ｃの突出方向におけるベース部４１Ａとは反対側の端部は樹脂部７１の外部に位置している。第２突出部４２Ｃの突出方向におけるベース部４２Ａとは反対側の端部は樹脂部７１の外部に位置している。樹脂部７１を構成する樹脂としては、たとえば熱硬化性樹脂を採用することができる。熱硬化性樹脂は、たとえばエポキシ樹脂であってもよい。樹脂部７１を構成する樹脂は、たとえばシリコーン樹脂であってもよい。

図６および図１を参照して、スナバコンデンサモジュール８０は、第１バスバー４１および第２バスバー４２に電気的に接続されている。スナバコンデンサモジュール８０は、単体のコンデンサであってもよいが、本実施の形態においてはコンデンサモジュールである。スナバコンデンサモジュール８０は、回路基板と、回路基板上に配置された少なくとも１つのスナバコンデンサとを含むコンデンサモジュールである。回路基板上には、スナバコンデンサのほか、たとえばヒューズ、抵抗などの部品が配置されていてもよい。スナバコンデンサとしては、フィルムコンデンサ、セラミックコンデンサなどを採用することができる。スナバコンデンサモジュール８０は、第１突出部４１Ｃおよび第２突出部４２Ｃと接続されている。スナバコンデンサモジュール８０は、樹脂部７１の外部に位置している。

図６および図５を参照して、本実施の形態の半導体装置１においては、回路パターン２０から立ち上がる第１部分４１Ｂを有する第１バスバー４１と、回路パターン２０から立ち上がる第２部分４２Ｂを有する第２バスバー４２とが、回路パターン２０上に配置される。そして、スナバコンデンサモジュール８０が第１バスバー４１および第２バスバー４２に電気的に接続されている。このような構造を採用することにより、回路パターン２０上に配置されるＳＢＤ５１，５２，５４，５５およびＭＯＳＦＥＴ５３，５６からスナバコンデンサモジュール８０までの経路が短くなっている。その結果、ＳＢＤ５１，５２，５４，５５およびＭＯＳＦＥＴ５３，５６からスナバコンデンサモジュール８０までの経路のインダクタンスが低減され、スナバコンデンサモジュール８０の配置によるサージ電圧の効果的な低減が可能となっている。このように、本実施の形態の半導体装置１は、サージ電圧が効果的に低減された半導体装置となっている。

また、本実施の形態の半導体装置１においては、スナバコンデンサモジュール８０は樹脂部７１の外部に位置している。このような構造が採用されることにより、スナバコンデンサモジュール８０の交換が容易となっている。その結果、たとえば半導体装置１の用途や使用環境に合わせて、適切な静電容量のスナバコンデンサモジュール８０を選択して設置することが容易となっている。また、スナバコンデンサモジュール８０を樹脂部７１の外部に配置することにより、基板４０上へのＳＢＤ５１，５２，５４，５５およびＭＯＳＦＥＴ５３，５６の実装や樹脂部７１の形成の後に、スナバコンデンサモジュール８０を設置することができる。比較的熱に弱いフィルムコンデンサを採用した場合でも、高温が必要なＳＢＤ５１，５２，５４，５５およびＭＯＳＦＥＴ５３，５６の実装後にスナバコンデンサモジュール８０を設置することにより、スナバコンデンサモジュール８０に熱による不具合が発生することを抑制することができる。

図６および図４を参照して、本実施の形態における第１部分４１Ｂと第２部分４２Ｂとは互いに平行である。このような構造は、本開示の半導体装置において必須の構造ではない。しかし、このような構造を採用し、第１部分４１Ｂおよび第２部分４２Ｂに互いに逆向きの電流が流れるようにすることにより、第１部分４１Ｂおよび第２部分４２Ｂに流れる電流によって形成される磁束を互いに打ち消し合うようにすることができる。その結果、サージ電圧を低減することができる。第１部分４１Ｂと第２部分４２Ｂとの距離は、たとえば５．０ｍｍ以下であることが好ましく、２．０ｍｍ以下であることがより好ましい。

図６および図１～図３を参照して、本実施の形態の半導体装置１は、枠体６０に接続された支持部６９をさらに備えている。スナバコンデンサモジュール８０は支持部６９上に配置されている。このような構造は、本開示の半導体装置において必須の構造ではない。しかし、このような構造を採用することにより、スナバコンデンサモジュール８０の設置が容易となっている。

本実施の形態の半導体装置１において、枠体６０は、第１壁部６１と、第１壁部６１と向かい合うように配置される第２壁部６２とを含んでいる。支持部６９は、第１壁部６１と第２壁部６２とを繋ぐように配置されている。このような構造は、本開示の半導体装置において必須の構造ではない。しかし、このような構造を採用することにより、支持部６９を形成することが容易となっている。支持部６９は、枠体６０と一体であってもよい。

図６を参照して、本実施の形態の半導体装置１において、支持部６９は、第１バスバー４１の第１部分４１Ｂと第２バスバー４２の第２部分４２Ｂとに挟まれる領域にまで延び、絶縁体からなる平板状の絶縁部６８を含んでいる。絶縁部６８は、たとえば樹脂製である。このような構造は、本開示の半導体装置において必須の構造ではない。しかし、このような構造を採用することにより、第１部分４１Ｂと第２部分４２Ｂとの間がより確実に絶縁されている。また、絶縁部６８を含む支持部６９が枠体６０と一体であることにより、枠体６０を放熱板１０に設置することで、第１部分４１Ｂと第２部分４２Ｂとのより確実な絶縁を実現することができる。絶縁部６８のＸ軸方向の両端には、絶縁部６８よりもＹ軸方向における厚みの大きい領域（厚肉部６７）が形成されている（図３参照）。厚肉部６７は、第１部分４１Ｂと第２部分４２Ｂとに挟まれる空間の外部に位置する。このようにすることにより、絶縁部６８が撓むことを抑制することができる。加えて、沿面距離を延ばすことができる。また、第１部分４１Ｂと第２部分４２Ｂとをより接近させてインダクタンスを低減するために、支持部６９の一部としての絶縁部６８に代えて、たとえば絶縁紙を採用してもよい。

本実施の形態の半導体装置１において、第１部分４１Ｂは、Ｚ軸方向において基板４０とは反対側の端部に位置し、基板４０の厚み方向（Ｚ軸方向）に突出する第１突出部４１Ｃを含んでいる。第２部分４２Ｂは、Ｚ軸方向において基板４０とは反対側の端部に位置し、基板４０の厚み方向（Ｚ軸方向）に突出する第２突出部４２Ｃを含んでいる。図６および図２を参照して、支持部６９は、支持部６９をＺ軸方向に貫通する第１貫通孔６９Ａおよび第２貫通孔６９Ｂを有している。第１突出部４１Ｃは第１貫通孔６９Ａを貫通している。第２突出部４２Ｃは第２貫通孔６９Ｂを貫通している。第１突出部４１Ｃおよび第２突出部４２Ｃがスナバコンデンサモジュール８０に到達している。その結果、第１突出部４１Ｃおよび第２突出部４２Ｃがスナバコンデンサモジュール８０に電気的に接続されている。このような構造は、本開示の半導体装置において必須の構造ではない。しかし、このような構造を採用することにより、支持部６９上に配置されるスナバコンデンサモジュール８０と第１バスバー４１および第２バスバー４２との電気的な接続が容易に確保されている。

スナバコンデンサモジュール８０と支持部６９とは、たとえばスナバコンデンサモジュール８０を構成する回路基板と支持部６９とが接着剤により接合されることにより固定されていてもよいし、ねじにより固定されていてもよい。また、回路基板に形成された穴に支持部６９に形成された突出部が圧入されることにより、スナバコンデンサモジュール８０が支持部６９に対して固定されてもよい。また、回路基板に形成された凹部に、支持部６９に形成された凸部が支持部６９の弾性を利用してはめ込まれることにより（スナップフィットにより）、スナバコンデンサモジュール８０が支持部６９に対して固定されてもよい。

なお、上記実施の形態においては、支持部６９が第１壁部６１と第２壁部６２とを繋ぐように配置される構造について説明した。しかし、支持部６９は、たとえば第１壁部６１から第２壁部６２に向かって突出し、第２壁部６２に到達しなくてもよい。

今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって、どのような面からも制限的なものではないと理解されるべきである。本開示の範囲は上記した説明ではなく、特許請求の範囲によって規定され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。

１ 半導体装置
１０ 放熱板
１１ 第１主面
１２ 第２主面
２０ 回路パターン
２１ 第１領域
２２ 第２領域
２３ 第３領域
２４ 第４領域
２５ 第５領域
２６ 第６領域
２７ 第７領域
２８ 第８領域
２９ 第９領域
３０ 絶縁基板
３０Ａ 第３主面
３０Ｂ 第４主面
３１ 第１０領域
３２ 第１１領域
３３ 第１２領域
４０ 基板
４１ 第１バスバー
４１Ａ ベース部
４１Ｂ 第１部分
４１Ｃ 第１突出部
４２ 第２バスバー
４２Ａ ベース部
４２Ｂ 第２部分
４２Ｃ 第２突出部
４３ 第３バスバー
４４ 第４バスバー
４５ 第５バスバー
４６ 第６バスバー
５１ ＳＢＤ
５２ ＳＢＤ
５３ ＭＯＳＦＥＴ
５４ ＳＢＤ
５５ ＳＢＤ
５６ ＭＯＳＦＥＴ
６０ 枠体
６１ 第１壁部
６２ 第２壁部
６３ 第３壁部
６４ 第４壁部
６７ 厚肉部
６８ 絶縁部
６９ 支持部
６９Ａ 第１貫通孔
６９Ｂ 第２貫通孔
７１ 樹脂部
７２ 空間
８０ スナバコンデンサモジュール
９１ 第１ワイヤ部
９２ 第２ワイヤ部
９３ 第３ワイヤ部
９４ 第４ワイヤ部
９５ 第５ワイヤ部
９６ 第６ワイヤ部
９７ 第７ワイヤ部
９８ 第８ワイヤ部
９９ 第９ワイヤ部

Claims (8)

1. 第１主面を有する放熱板と、
   前記第１主面上に配置され、回路パターンを有する基板と、
   前記回路パターン上に配置される半導体チップと、
   前記基板の外周を取り囲むように前記放熱板に固定される枠体と、
   前記第１主面上の前記枠体に取り囲まれる空間の少なくとも一部を充填する樹脂部と、
   前記回路パターン上に配置され、前記回路パターンから立ち上がる平板状の第１部分を有する第１金属板と、
   前記回路パターン上に配置され、前記回路パターンから立ち上がる平板状の第２部分を有する第２金属板と、
   前記第１金属板および前記第２金属板に電気的に接続されるスナバコンデンサと、を備え、
   前記第１部分および前記第２部分は前記樹脂部の内部から外部にまで延びており、
   前記スナバコンデンサは前記樹脂部の外部に位置する、半導体装置。
2. 前記第１部分と前記第２部分とは互いに平行である、請求項１に記載の半導体装置。
3. 前記半導体装置は、前記枠体に接続された支持部をさらに備え、
   前記スナバコンデンサは、前記支持部上に配置される、請求項１または請求項２に記載の半導体装置。
4. 前記枠体は、
   第１壁部と、
   前記第１壁部と向かい合うように配置される第２壁部とを含み、
   前記支持部は、前記第１壁部と前記第２壁部とを繋ぐように配置される、請求項３に記載の半導体装置。
5. 前記支持部は、前記第１部分と前記第２部分とに挟まれる領域にまで延び、絶縁体からなる絶縁部を含む、請求項３または請求項４に記載の半導体装置。
6. 前記第１部分は、前記基板とは反対側の端部に位置し、前記基板の厚み方向に突出する第１突出部を含み、
   前記第２部分は、前記基板とは反対側の端部に位置し、前記基板の厚み方向に突出する第２突出部を含み、
   前記支持部は、前記支持部を貫通する第１貫通孔および第２貫通孔を有し、
   前記第１突出部は前記第１貫通孔を貫通し、
   前記第２突出部は前記第２貫通孔を貫通し、
   前記第１突出部および前記第２突出部が前記スナバコンデンサに電気的に接続される、請求項３から請求項５のいずれか１項に記載の半導体装置。
7. 前記半導体チップは、パワー半導体チップである、請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の半導体装置。
8. 前記半導体チップは、炭化珪素半導体チップまたは窒化ガリウム半導体チップである、請求項１から請求項７のいずれか１項に記載の半導体装置。

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