CN107450239A - 一种阵列基板及其制作方法、显示装置 - Google Patents

一种阵列基板及其制作方法、显示装置 Download PDF

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Abstract

本发明实施例提供一种阵列基板及其制作方法、显示装置，涉及显示技术领域，能够避免在亚像素内因公共电极的边缘存在拐角而导致的电场分布不均的弊端。该阵列基板包括由横纵交错排布的栅线和数据线界定的、位于显示区域的多个亚像素，阵列基板还包括设置于衬底基板上的公共电极和像素电极；公共电极包括：多个平行设置的第一条状子电极，其中，每个第一条状子电极均贯穿所述显示区域；将所有第一条状子电极电连接的公共电极线。

Description

一种阵列基板及其制作方法、显示装置
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及其制作方法、显示装置。
背景技术
TFT-LCD(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，薄膜晶体管-液晶显示器)作为一种平板显示装置，因其具有体积小、功耗低、无辐射以及制作成本相对较低等特点，而越来越多地被应用于高性能显示领域当中。
以现有的HADS(Higher Aperture Advanced Super Dimension Switch，高开口率高级超维场开关)型液晶显示装置为例，该显示装置中像素电极和公共电极均设置于阵列基板中，其中，像素电极相对于公共电极靠近衬底基板，且像素电极为面状电极，公共电极为包括多个条状子电极的狭缝电极；具体的，如图1所示，在每一亚像素P内，狭缝电极10中的条状子电极11在边缘位置存在拐角A(参见图1中局部放大图部分)，在正常的显示时，在拐角A位置处会形成不均匀的电场，从而使得亚像素显示区的边缘对应拐角位置处具有暗态区，进而导致亚像素显示区整体透过率和显示品质均受一定程度的负面影响。
发明内容
本发明的实施例提供一种阵列基板及其制作方法、显示装置，能够避免在亚像素内因公共电极的边缘存在拐角而导致的电场分布不均的弊端。
为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：
本发明实施例一方面提供一种阵列基板，包括由横纵交错排布的栅线和数据线界定的、位于显示区域的多个亚像素，所述阵列基板还包括设置于衬底基板上的公共电极和像素电极；所述公共电极包括：多个第一条状子电极，其中，每个第一条状子电极均贯穿所述显示区域；将所有所述第一条状子电极电连接的所述公共电极线。
进一步优选的，所述第一条状子电极与所述数据线平行设置。
进一步优选的，所述第一条状子电极在所述衬底基板上的正投影覆盖所述数据线在所述衬底基板上的正投影。
进一步优选的，所述像素电极为面状电极，所述公共电极位于所述像素电极背离所述衬底基板的一侧；或者，所述像素电极为狭缝电极，在所述亚像素内，所述第一条状子电极与所述像素电极的狭缝位置对应。
进一步优选的，所述公共电极线与所述第一条状子电极位于相邻层、且直接接触。
进一步优选的，所述公共电极线位于所述第一条状子电极背离所述衬底基板的一侧。
进一步优选的，所述公共电极线与所述栅线平行设置。
进一步优选的，所述公共电极线为多个；所有所述第一条状子电极中对应一行亚像素的部分与一条所述公共电极线连接。
进一步优选的，每一所述亚像素中均包括一薄膜晶体管，所述第一条状子电极在正对所述薄膜晶体管的位置断开。
本发明实施例另一方面还提供一种显示装置，包括前述的阵列基板。
本发明实施例再一方面还提供一种阵列基板的制作方法，所述阵列基板包括由横纵交错排布的栅线和数据线界定的、位于显示区域的多个亚像素，所述制作方法包括：在衬底基板上形成位于每一所述亚像素中的像素电极；在形成所述像素电极的衬底基板上形成公共电极中的多个平行设置的第一条状子电极，其中，每个第一条状子电极均贯穿所述显示区域；在形成有所述第一条状子电极的衬底基板上直接形成将所有所述第一条状子电极电连接的公共电极线。
本发明实施例提供一种阵列基板及其制作方法、显示装置，该阵列基板包括由横纵交错排布的栅线和数据线界定的、位于显示区域的多个亚像素，该阵列基板还包括设置于衬底基板上的公共电极和像素电极；其中，公共电极包括：多个平行设置的第一条状子电极，每个第一条状子电极贯穿显示区域；将所有第一条状子电极电连接的公共电极线。
由于公共电极中的多个贯穿显示区域的第一条状子电极，也即该公共电极中的多个第一条状子电极在整个显示区域均为独立的设置结构而不存在拐角，这样一来，在该阵列基板用于进行显示时，在亚像素的边缘位置能够形成均匀分布的电场，也即能够避免现有技术中因公共电极的边缘存在拐角而导致的电场分布不均的弊端。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为现有技术中提供的一种阵列基板的结构示意图；
图2为本发明实施例提供的一种阵列基板的结构示意图；
图3为本发明实施例提供的另一种阵列基板的结构示意图；
图4为本发明实施例提供的一种阵列基板的制作方法流程图。
附图标记：01-数据线；02-栅线；10-狭缝电极；11-条状子电极；100-公共电极；101-第一条状子电极；102-公共电极线；103-薄膜晶体管；P-亚像素；A-拐角。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
本发明实施例提供一种阵列基板，如图2所示，包括由横纵交错排布的数据线01和栅线02界定的、位于显示区域的多个亚像素P。该阵列基板还包括设置于衬底基板上的公共电极100和像素电极(图2中未示出)。
在此基础上，如图2所示，公共电极100包括：多个第一条状子电极101，其中，每个第一条状子电极101均贯穿显示区域；将所有第一条状子电极101电连接的公共电极线102。
基于此，由于公共电极中的多个贯穿显示区域的第一条状子电极，也即该公共电极中的多个第一条状子电极在整个显示区域均为独立的设置结构而不存在拐角，这样一来，在该阵列基板用于进行显示时，在亚像素的边缘位置能够形成均匀分布的电场，也即能够避免现有技术中因公共电极的边缘存在拐角而导致的电场分布不均的弊端。
此处需要说明的是，第一，应当理解到显示区域为阵列基板中用于进行正常画面显示的区域，该区域中具有多个亚像素，图2中仅是示出的显示区域的部分；在此基础上，上述每个第一条状子电极101均贯穿显示区域是指：第一条状子电极101在延伸方向上贯穿整个显示区域，以向显示区域中对应的一整排亚像素提供驱动信号。
另外，关于每个第一条状子电极101均贯穿显示区域的设计方案，与现有技术中的条状子电极11相比，可参考图1，现有技术中的条状子电极11仅对应单个亚像素内，或者说，现有技术中，在沿条状子电极11延伸方向上的相邻的亚像素内的条状子电极11之间均设置有横向的连接部，从而导致在该延伸方向上相邻的亚像素内的条状子电极11均为独立的；而本发明中的第一条状子电极101对应贯穿一整排亚像素的整体结构。
第二，上述公共电极线102将所有第一条状子电极101电连接是指，通过公共电极线102将第一条状子电极101的整体进行电连接，也即需要保证能够通过公共电极线102输入的信号能够传输至第一条状子电极101中的任意位置处。
第三，对于第一条状子电极101自身而言，可以是直线状；也可以是非直线状(例如，图2中的弯折状)，本发明对此不作具体限定，可以根据实际的需要选择设置。
第四，本发明中，第一条状子电极101可以与数据线01平行设置；也可以与栅线02平行设置；还也可以与数据线01和栅线02均不平行设置，即倾斜方向设置，本发明对此不作限定，在实际中可以根据需要选择设置。当然，考虑到大部分阵列基板的实际设置需求(例如，开口率、制作工艺等)，本发明优选的，如图2所示，第一条状子电极101与数据线01平行设置，基于此，应当理解到所有的第一条状子电极101也应该为平行设置，即相邻的第一条状子电极101之间的间隔处处相等。
另外，本领域的技术人员应当理解到，第一条状子电极101与数据线01位于不同层，此处第一条状子电极101与数据线01平行是指，第一条状子电极101与数据线01在衬底基板上的正投影之间平行，也即两者的正投影之间的间隔距离处处相等，当然对于与数据线01正对的第一条状子电极101而言，两者在衬底基板上的正投影具有重叠区域，此时只要保证第一条状子电极101与数据线01在任意正对位置处的延伸方向一致即可。
进一步的，在第一条状子电极101与数据线01平行设置的情况下，本发明优选的，如图2所示，公共电极线102与栅线02平行设置，对于公共电极线102与栅线02之间的平行设置可以参考第一条状子电极101与数据线01平行设置的解释部分，此处不再赘述；并且本领域的技术人员应当理解到，为了避免公共电极线102影响亚像素的开口，一般选择将公共电极线102设置在沿第一条状子电极101延伸方向上，相邻两行亚像素之间的位置。以下实施例均是以第一条状子电极101与数据线01平行设置，公共电极线102与栅线02平行设置为例，对本发明做进一步的说明。
在此基础上，如图3所示，每一亚像素P中均包括一薄膜晶体管(Thin FilmTransistor，TFT)103，为了避免在阵列基板用于进行显示时，第一条状子电极101上施加的信号会对薄膜晶体管103的沟道位置产生影响，从而导致薄膜晶体管的性能发生变化，进而对显示画面造成不良影响，因此，本发明优选的，如图3所示，第一条状子电极101在正对薄膜晶体管103的位置断开。
此处需要说明的是，上述第一条状子电极101在正对薄膜晶体管103的位置是指，第一条状子电极101在衬底基板上的正投影与薄膜晶体管103在衬底基板上的正投影具有重叠区域部分对应的位置。
此处还需要说明的是，由于第一条状子电极101在正对薄膜晶体管的位置断开，在此情况下，为了保证能够通过公共电极线102将所有第一条状子电极101电连接，因此需要设置多个公共电极线102，以保证能够将第一条状子电极101中的全部进行电连接；基于此，本发明优选的，如图3所示，第一条状子电极101中对应一行亚像素的部分分别与一条公共电极线连接，从而保证了通过公共电极线将所有第一条状子电极电连接的目的。
当然，对于第一条状子电极101的其他设置情况，也可以采用上述公共电极线的连接方式，本发明对此不作限定。
在此基础上，本发明中，对于公共电极线102与第一条状子电极101的具体连接方式不作具体限定，例如，在公共电极线102所在层与第一条状子电极101所在层之间具有绝缘层的情况下，可以在绝缘层中设置过孔，以使得公共电极线102与第一条状子电极101通过过孔电连接；又例如，在公共电极线102所在层与第一条状子电极101所在层为相邻层的情况，可以设置公共电极线102与第一条状子电极101直接接触电连接。
当然，考虑到通过过孔连接的情况下，需要对每一第一条状子电极101在对应公共电极线102均设置过孔，才能保证公共电极线102将所有的第一条状子电极101进行电连接，这样一来，制作工艺复杂，制作精度要求高，因此，本发明优选的，公共电极线102与第一条状子电极101位于相邻层、且直接接触。
在此基础上，对于公共电极线102与第一条状子电极101位于相邻层的情况下，为了尽可能的保证第一条状子电极101的平整性，以降低对电场的均匀性造成的不良影响，本发明优选的，公共电极线102位于第一条状子电极101背离衬底基板的一侧，即先制作第一条状子电极101，然后再制作公共电极线102。
此外，为了避免数据线01与位于数据线01上方的第一条状子电极101形成电场，从而导致液晶分子在该电场作用下产生不必要的偏转，而对显示画面造成不良影响，本发明优选的，如图2或图3所示，第一条状子电极101在衬底基板上的正投影覆盖数据线01在衬底基板上的正投影，这样一来，第一条状子电极101能够对数据线01起到屏蔽作用，从而避免了第一条状子电极101与对应位置的数据线01形成电场而对显示产生不良影响。
此处需要说明的，上述第一条状子电极101在衬底基板上的正投影覆盖数据线01在衬底基板上的正投影是指，第一条状子电极101在衬底基板上的正投影的外轮廓应超出数据线01在衬底基板上的正投影的外轮廓，也即需要保证第一条状子电极101的正投影的宽度应大于数据线01的正投影的宽度，这样一来，才能够通过第一条状子电极有效的数据线起到屏蔽作用。
以下对本发明中像素电极的设置情况做进一步的说明。
在公共电极100以上任一种方式进行设置的情况下，像素电极可以为面状电极，且公共电极100位于像素电极背离衬底基板的一侧，即不同的亚像素内分别具有一个面状的像素电极；应当理解到，在该设置情况下，该阵列基板为HADS型阵列基板。
当然，像素电极也可以为狭缝电极，此时像素电极包括条状子电极，在不同的亚像素内，第一条状子电极101与像素电极的狭缝位置对应，也即第一条状子电极101与像素电极中的条状子电极间隔设置，当然此处的间隔设置为异层间隔设置，在此情况下，公共电极100可以位于像素电极背离衬底基板的一侧，也可以像素电极靠近衬底基板的一侧，本发明对此均不作限定。
本发明实施例还提供一种阵列基板的制作方法，该阵列基板包括由横纵交错排布的栅线和数据线界定的、位于显示区域的多个亚像素，如图4所示，该制作方法包括：(结合图2或图3的阵列基板的结构示意图)
步骤S101、在衬底基板上形成位于每一亚像素中的像素电极。
具体的，在衬底基板上的每一亚像素内形成面状的像素电极，也可以形成包括多个第二条状子电极的狭缝状的像素电极；当然像素电极一般采用透明导电材料，例如，氧化铟锡(Indium tin oxide，ITO)。
需要说明的是，上述衬底基板并不意味着是单独的衬底基板，本领域的技术人员应当理解到，在制作像素电极之前该衬底基板上制作有薄膜晶体管的部分或者全部以及其他部分，例如，栅极层(Gate)、栅极绝缘层(GI)、有源层(Active)，当然对于源漏极层(SD)可以在像素电极之前，也可以在像素电极之后形成，只要保证像素电极与漏极电连接即可。
步骤S102、在形成像素电极的衬底基板上形成公共电极100中的多个平行设置的第一条状子电极101，且每个第一条状子电极101均贯穿显示区域。
具体的，在像素电极包括多个第二条状子电极的情况下，需要保证第二条状子电极与公共电极中的第一条状子电极间隔设置(即异层间隔)，以满足该阵列基板的正常使用。
当然，公共电极一般也采用透明导电材料，例如，ITO。
步骤S103、在形成有第一条状子电极101的衬底基板上直接形成将所有第一条状子电极101电连接的公共电极线102。
具体的，采用在第一条状子电极上直接形成公共电极线，使得公共电极线102与第一条状子电极101直接接触电连接，保证了公共电极线与第一条状子电极的连接效果，并且降低制作工艺精度；当然，对于公共电极线而言，可以选用导电性能好的金属导电材料。
需要说明的是，参考前述阵列基板的实施例中的其他设置方案，该制作方法同样可以包括其对应的其他步骤，此处不再赘述。
基于此，由于公共电极中的多个平行设置的第一条状子电极均贯穿显示区域，也即该公共电极中的多个第一条状子电极在整个显示区域均为平行设置结构而不存在拐角，这样一来，在该阵列基板用于进行显示时，在亚像素的边缘位置能够形成均匀分布的电场，也即能够避免现有技术中因公共电极的边缘存在拐角而导致的电场分布不均的弊端。
本发明实施例还提供一种显示装置，包括前述的阵列基板，具有与前述实施例提供的阵列基板相同的结构和有益效果。由于前述实施例已经对阵列基板的结构和有益效果进行了详细的描述，此处不再赘述。
需要说明的是，在本发明实施例中，显示装置具体至少可以包括液晶显示面板，该显示面板可以应用至液晶显示器、液晶电视、数码相框、手机或平板电脑等任何具有显示功能的产品或者部件中。
以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (11)

1.一种阵列基板，包括由横纵交错排布的栅线和数据线界定的、位于显示区域的多个亚像素，其特征在于，所述阵列基板还包括设置于衬底基板上的公共电极和像素电极；
所述公共电极包括：
多个第一条状子电极，其中，每个第一条状子电极均贯穿所述显示区域；将所有所述第一条状子电极电连接的所述公共电极线。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一条状子电极与所述数据线平行设置。
3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述第一条状子电极在所述衬底基板上的正投影覆盖所述数据线在所述衬底基板上的正投影。
4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，
所述像素电极为面状电极，所述公共电极位于所述像素电极背离所述衬底基板的一侧；
或者，所述像素电极为狭缝电极，在所述亚像素内，所述第一条状子电极与所述像素电极的狭缝位置对应。
5.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述公共电极线与所述第一条状子电极位于相邻层、且直接接触。
6.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述公共电极线位于所述第一条状子电极背离所述衬底基板的一侧。
7.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述公共电极线与所述栅线平行设置。
8.根据权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，所述公共电极线为多个；
所有所述第一条状子电极中对应一行亚像素的部分与一条所述公共电极线连接。
9.根据权利要求1-8任一项所述的阵列基板，其特征在于，每一所述亚像素中均包括一薄膜晶体管，所述第一条状子电极在正对所述薄膜晶体管的位置断开。
10.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1-9任一项所述的阵列基板。
11.一种阵列基板的制作方法，所述阵列基板包括由横纵交错排布的栅线和数据线界定的、位于显示区域的多个亚像素，其特征在于，所述制作方法包括：
在衬底基板上形成位于每一所述亚像素中的像素电极；
在形成所述像素电极的衬底基板上形成公共电极中的多个平行设置的第一条状子电极，其中，每个第一条状子电极均贯穿所述显示区域；
在形成有所述第一条状子电极的衬底基板上直接形成将所有所述第一条状子电极电连接的公共电极线。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2020082884A1 (zh) * 2018-10-25 2020-04-30 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板、显示面板和显示装置
CN112927607A (zh) * 2019-12-05 2021-06-08 京东方科技集团股份有限公司 显示基板、显示面板和显示装置

Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1612024A (zh) * 2003-10-29 2005-05-04 Lg.菲利浦Lcd株式会社 面内切换型液晶显示器件及其制造方法
CN101042510A (zh) * 2006-02-22 2007-09-26 爱普生映像元器件有限公司 液晶显示装置
JP2009075188A (ja) * 2007-09-19 2009-04-09 Epson Imaging Devices Corp 液晶表示パネル
US20110063559A1 (en) * 2009-09-14 2011-03-17 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Liquid crystal display device
CN102236222A (zh) * 2010-04-23 2011-11-09 北京京东方光电科技有限公司 阵列基板及其制造方法和液晶显示器
CN102967977A (zh) * 2012-10-08 2013-03-13 友达光电股份有限公司 像素阵列基板
CN103018974A (zh) * 2012-11-30 2013-04-03 京东方科技集团股份有限公司 液晶显示装置、多晶硅阵列基板及制作方法
CN103033999A (zh) * 2011-10-06 2013-04-10 乐金显示有限公司 薄膜晶体管基板和制造薄膜晶体管基板的方法
CN103217840A (zh) * 2013-04-18 2013-07-24 合肥京东方光电科技有限公司 一种阵列基板、制备方法以及液晶显示装置
CN103456747A (zh) * 2013-09-11 2013-12-18 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制作方法、显示装置
CN104217994A (zh) * 2014-08-29 2014-12-17 京东方科技集团股份有限公司 一种薄膜晶体管阵列基板及其制备方法、显示装置
CN105487285A (zh) * 2016-02-01 2016-04-13 深圳市华星光电技术有限公司 阵列基板及阵列基板的制备方法

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4061416B2 (ja) 2006-02-22 2008-03-19 エプソンイメージングデバイス株式会社 液晶表示装置
KR101300184B1 (ko) * 2006-08-03 2013-08-26 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치
JP4702424B2 (ja) * 2008-10-08 2011-06-15 カシオ計算機株式会社 液晶表示素子
US7995041B2 (en) * 2009-02-02 2011-08-09 Apple Inc. Integrated touch screen
KR101289041B1 (ko) * 2010-03-25 2013-07-23 엘지디스플레이 주식회사 고투과 수평 전계형 액정표시장치 및 그 제조 방법
TWI511303B (zh) * 2013-08-30 2015-12-01 Ye Xin Technology Consulting Co Ltd 液晶顯示器的陣列基板
CN104280970B (zh) * 2014-11-06 2017-12-22 上海天马微电子有限公司 阵列基板及液晶显示面板
US9791733B2 (en) * 2014-12-29 2017-10-17 Shanghai Tianma Micro-electronics Co., Ltd. Array substrate, manufacture method thereof, and display device
CN104699321B (zh) * 2015-04-01 2018-03-23 上海天马微电子有限公司 触控显示基板和触控显示装置
CN106293206B (zh) * 2016-07-29 2019-04-30 厦门天马微电子有限公司 一种集成触控显示面板及其触控显示设备

Patent Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1612024A (zh) * 2003-10-29 2005-05-04 Lg.菲利浦Lcd株式会社 面内切换型液晶显示器件及其制造方法
CN101042510A (zh) * 2006-02-22 2007-09-26 爱普生映像元器件有限公司 液晶显示装置
JP2009075188A (ja) * 2007-09-19 2009-04-09 Epson Imaging Devices Corp 液晶表示パネル
US20110063559A1 (en) * 2009-09-14 2011-03-17 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Liquid crystal display device
CN102236222A (zh) * 2010-04-23 2011-11-09 北京京东方光电科技有限公司 阵列基板及其制造方法和液晶显示器
CN103033999A (zh) * 2011-10-06 2013-04-10 乐金显示有限公司 薄膜晶体管基板和制造薄膜晶体管基板的方法
CN102967977A (zh) * 2012-10-08 2013-03-13 友达光电股份有限公司 像素阵列基板
CN103018974A (zh) * 2012-11-30 2013-04-03 京东方科技集团股份有限公司 液晶显示装置、多晶硅阵列基板及制作方法
CN103217840A (zh) * 2013-04-18 2013-07-24 合肥京东方光电科技有限公司 一种阵列基板、制备方法以及液晶显示装置
CN103456747A (zh) * 2013-09-11 2013-12-18 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制作方法、显示装置
CN104217994A (zh) * 2014-08-29 2014-12-17 京东方科技集团股份有限公司 一种薄膜晶体管阵列基板及其制备方法、显示装置
CN105487285A (zh) * 2016-02-01 2016-04-13 深圳市华星光电技术有限公司 阵列基板及阵列基板的制备方法

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2020082884A1 (zh) * 2018-10-25 2020-04-30 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板、显示面板和显示装置
CN111103734A (zh) * 2018-10-25 2020-05-05 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板、显示面板和显示装置
US11392002B2 (en) 2018-10-25 2022-07-19 Chongqing Boe Optoelectronics Technology Co., Ltd. Array substrate, display panel and display device
EP3872561A4 (en) * 2018-10-25 2022-07-20 BOE Technology Group Co., Ltd. NETWORK SUBSTRATE, DISPLAY PANEL AND DISPLAY DEVICE
CN112927607A (zh) * 2019-12-05 2021-06-08 京东方科技集团股份有限公司 显示基板、显示面板和显示装置

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US10564490B2 (en) 2020-02-18

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