JP7385718B2 - スパッタリングターゲット製品及びスパッタリングターゲット製品の再生品を製造する方法 - Google Patents
スパッタリングターゲット製品及びスパッタリングターゲット製品の再生品を製造する方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP7385718B2 JP7385718B2 JP2022146461A JP2022146461A JP7385718B2 JP 7385718 B2 JP7385718 B2 JP 7385718B2 JP 2022146461 A JP2022146461 A JP 2022146461A JP 2022146461 A JP2022146461 A JP 2022146461A JP 7385718 B2 JP7385718 B2 JP 7385718B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- target
- insert material
- backing plate
- sputtering
- sputtering target
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 title claims description 50
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 18
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 112
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 37
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 37
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 31
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 31
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 25
- 230000005484 gravity Effects 0.000 claims description 23
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 7
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 claims description 3
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910001362 Ta alloys Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 claims description 3
- 238000005304 joining Methods 0.000 claims description 3
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 25
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 8
- 238000004064 recycling Methods 0.000 description 7
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 6
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 4
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 2
- 230000000638 stimulation Effects 0.000 description 2
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910002535 CuZn Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017876 Cu—Ni—Si Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003082 abrasive agent Substances 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 238000005275 alloying Methods 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 238000005034 decoration Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001385 heavy metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052702 rhenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 239000013077 target material Substances 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000013585 weight reducing agent Substances 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
- C23C14/3414—Metallurgical or chemical aspects of target preparation, e.g. casting, powder metallurgy
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K20/00—Non-electric welding by applying impact or other pressure, with or without the application of heat, e.g. cladding or plating
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3411—Constructional aspects of the reactor
- H01J37/3414—Targets
- H01J37/3423—Shape
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3488—Constructional details of particle beam apparatus not otherwise provided for, e.g. arrangement, mounting, housing, environment; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
- H01J37/3491—Manufacturing of targets
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Pressure Welding/Diffusion-Bonding (AREA)
Description
(発明1)
スパッタリングターゲット製品であって、
前記スパッタリングターゲット製品は、ターゲットと、バッキングプレート又はバッキングチューブと、インサート材の層とを含み、
前記ターゲットの非スパッタ面側の少なくとも一部が面対称状の凹凸部を有するようにプロファイル化され、
前記インサート材の層は前記プロファイル化された面に密着するように形成され、
前記インサート材は、少なくともターゲットを構成する金属よりも比重の軽い金属から成る、
該スパッタリングターゲット製品。
(発明2)
発明1のスパッタリングターゲット製品であって、
前記インサート材の融点が、前記ターゲットの融点よりも低い、
該スパッタリングターゲット製品。
(発明3)
発明1又は2のスパッタリングターゲット製品であって、
前記インサート材のエッチングレートが、前記ターゲットのエッチングレートよりも高く、
前記インサート材の層の側面の少なくとも一部が、前記ターゲット及び前記バッキングプレート又はバッキングチューブによって覆われることなく露出している、
該スパッタリングターゲット製品。
(発明4)
発明1のスパッタリングターゲット製品であって、
前記ターゲットが、Ta又はTa合金から成り、
前記バッキングプレート又はバッキングチューブが、Cu又はCu合金から成り、
前記インサート材が、Al又はAl合金から成る、
該スパッタリングターゲット製品。
(発明5)
発明1~4のいずれか1つに記載のスパッタリングターゲット製品であって、前記ターゲットの非スパッタ面側のすべての部分が、前記インサート材で覆われている、又は、前記バッキングプレート又はバッキングチューブと前記インサート材の両方で覆われている、該スパッタリングターゲット製品。
(発明6)
発明5のスパッタリングターゲット製品であって、前記ターゲットの非スパッタ面側のすべての部分が、前記インサート材で覆われている、該スパッタリングターゲット製品。
(発明7)
発明1~6のいずれか1つに記載のスパッタリングターゲット製品の再生品を製造する方法であって、前記方法は、
ターゲットとバッキングプレート又はバッキングチューブを分離する工程と、
前記バッキングプレート又はバッキングチューブに新たなターゲットを接合する工程と
を含み、
前記分離する工程は、
熱処理によってインサート材を軟化又は溶融させること、及び、
エッチング処理によってインサート材を溶解させること、
のうちいずれか1つを含む、該方法。
一実施形態において、本開示は、スパッタリングターゲット製品に関する。前記スパッタリングターゲット製品は、ターゲットと、バッキングプレート又はバッキングチューブと、インサート材の層とを含む。ターゲットの非スパッタ面側の少なくとも一部は、面対称状の凹凸部を有するようにプロファイル化されている。ここで、プロファイル化とは表面が特定の形状を有するように成形又は加工されることを指す(例えば、型による成形、研削、切削など)。そして、インサート材の層はプロファイル化された面に密着するように形成される。そして、インサート材は、少なくともターゲットを構成する金属よりも比重の軽い金属から成る。
ターゲットの成分は、形成する薄膜の成分(又は一部の成分)と同一であってもよい。特に限定されないが、例えば、ターゲットの成分として、Sc、Ru、Rh、Pd、Re、Ir、Pt、Ta、Cu、Ti、W、Mo、Co、Nb、Zr、及びHf並びにこれらの少なくとも一種を含有する合金から成る群から選択される成分であってもよい。好ましくは、Ta及びTa合金があげられる。
バッキングプレート又はバッキングチューブは、ターゲットと結合され、ターゲットを支持する。また、バッキングプレート又はバッキングチューブ内に水路を設けてもよい。これにより、運転中は水路に水を流してスパッタリングターゲット全体を冷却し、インサート材が溶解して剥がれることの無いようにしてもよい。また、バッキングプレート又はバッキングチューブは、ターゲット及び/又はインサート材とボンディングされる側の面と、当該面に対する反対側の面とを有する。ターゲット及び/又はインサート材とボンディングされる側の面は、平滑であってもよく、或いは、ターゲットを埋め込むための凹部を設けてもよい。
インサート材は、ターゲットとバッキングプレート又はバッキングチューブの間に設けられ両者を結合させる役割を担う。インサート材は、ターゲットの非スパッタ面に接触する部分と、バッキングプレート又はバッキングチューブに接触する部分を少なくとも備える。上述したように、ターゲットの非スパッタ面は、面対称状に凹凸部を有するようにプロファイル化されているため、ターゲットの非スパッタ面に接触するインサート材の部分は、このプロファイル化された面に密着するような形状である。バッキングプレート又はバッキングチューブに接触するインサート材の部分の形状については、特に限定されないが、バッキングプレート又はバッキングチューブに密着するような形状であってもよい。
例えば、ターゲットの成分がTa(室温で約16.654g/cm3)である場合、これよりも軽いAl(室温で約2.70g/cm3)及び/又はZn(室温で約7.14g/cm3)であってもよい。上記の様にプロファイル化された面に密着する形状であること、及びインサート材の成分が少なくともターゲットを構成する金属よりも比重の軽い金属から成ることにより、スパッタリングターゲット製品全体としての重量を減らすことができる。
一実施形態において、本開示は、スパッタリングターゲット製品の再生品を製造する方法に関する。前記方法は、以下の工程を含む。
ターゲットとバッキングプレート又はバッキングチューブを分離する工程。
バッキングプレート又はバッキングチューブに新たなターゲットを接合する工程。
また、インサート材の融点が、ターゲット及びバッキングプレート又はバッキングチューブの融点よりも低い場合、前記熱処理は、インサート材の融点付近の温度(例えば、融点±100℃)又はこれよりも高く、且つターゲット及びバッキングプレート又はバッキングチューブの融点よりも低い温度で処理することが好ましい。これにより、ターゲット及びバッキングプレート又はバッキングチューブにダメージを及ぼすことなく又はダメージを最小限にして、両者を分離することができる。
また、インサート材のエッチングレートが、ターゲット及びバッキングプレート又はバッキングチューブのエッチングレートよりも高い場合、ターゲット及びバッキングプレート又はバッキングチューブにダメージを及ぼすことなく又はダメージを最小限にして、両者を分離することができる。
20 ターゲット
30 インサート材
40 バッキングプレート
Claims (6)
- スパッタリングターゲット製品であって、
前記スパッタリングターゲット製品は、ターゲットと、バッキングプレート又はバッキングチューブと、インサート材の層とを含み、
前記バッキングプレート又はバッキングチューブに凹部を有し、
前記ターゲット及び前記インサート材の層は前記凹部に嵌めこまれ、
前記ターゲットの非スパッタ面側の少なくとも一部が面対称状の凹凸部を有するようにプロファイル化され、
前記インサート材の層は前記プロファイル化された面に密着するように形成され、
前記インサート材は、少なくともターゲットを構成する金属よりも比重の軽い金属から成る、
該スパッタリングターゲット製品であり、
前記インサート材のエッチングレートが、前記ターゲットのエッチングレートよりも高く、ここで、前記エッチングレートは、30%硝酸水溶液で実施した時のエッチングレートであり、
前記インサート材の層の側面の少なくとも一部が、前記ターゲット及び前記バッキングプレート又はバッキングチューブによって覆われることなく露出している、
該スパッタリングターゲット製品。 - 請求項1のスパッタリングターゲット製品であって、
前記インサート材の融点が、前記ターゲットの融点よりも低い、
該スパッタリングターゲット製品。 - 請求項1のスパッタリングターゲット製品であって、
前記ターゲットが、Ta又はTa合金から成り、
前記バッキングプレート又はバッキングチューブが、Cu又はCu合金から成り、
前記インサート材が、Al又はAl合金から成る、
該スパッタリングターゲット製品。 - 請求項1~3のいずれか1項に記載のスパッタリングターゲット製品であって、前記ターゲットの非スパッタ面側のすべての部分が、前記インサート材で覆われている、又は、前記バッキングプレート又はバッキングチューブと前記インサート材の両方で覆われている、該スパッタリングターゲット製品。
- 請求項4のスパッタリングターゲット製品であって、前記ターゲットの非スパッタ面側のすべての部分が、前記インサート材で覆われている、該スパッタリングターゲット製品。
- スパッタリングターゲット製品の再生品を製造する方法であって、
前記スパッタリングターゲット製品は、ターゲットと、バッキングプレート又はバッキングチューブと、インサート材の層とを含み、
前記バッキングプレート又はバッキングチューブに凹部を有し、
前記ターゲット及び前記インサート材の層は前記凹部に嵌めこまれ、
前記ターゲットの非スパッタ面側の少なくとも一部が面対称状の凹凸部を有するようにプロファイル化され、
前記インサート材の層は前記プロファイル化された面に密着するように形成され、
前記インサート材は、少なくともターゲットを構成する金属よりも比重の軽い金属から成り、
前記インサート材のエッチングレートが、前記ターゲットのエッチングレートよりも高く、ここで、前記エッチングレートは、30%硝酸水溶液で実施した時のエッチングレートであり、
前記インサート材の層の側面の少なくとも一部が、前記ターゲット及び前記バッキングプレート又はバッキングチューブによって覆われることなく露出しており、
前記方法は、
ターゲットとバッキングプレート又はバッキングチューブを分離する工程と、
前記バッキングプレート又はバッキングチューブに新たなターゲットを接合する工程と
を含み、
前記分離する工程は、
熱処理によってインサート材を軟化又は溶融させること、及び、
エッチング処理によってインサート材を溶解させること、
のうちいずれか1つを含む、該方法。
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019064775 | 2019-03-28 | ||
JP2019064775 | 2019-03-28 | ||
PCT/JP2020/001111 WO2020195030A1 (ja) | 2019-03-28 | 2020-01-15 | スパッタリングターゲット製品及びスパッタリングターゲット製品の再生品を製造する方法 |
JP2021508113A JPWO2020195030A1 (ja) | 2019-03-28 | 2020-01-15 | スパッタリングターゲット製品及びスパッタリングターゲット製品の再生品を製造する方法 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2021508113A Division JPWO2020195030A1 (ja) | 2019-03-28 | 2020-01-15 | スパッタリングターゲット製品及びスパッタリングターゲット製品の再生品を製造する方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2022180456A JP2022180456A (ja) | 2022-12-06 |
JP7385718B2 true JP7385718B2 (ja) | 2023-11-22 |
Family
ID=72608896
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2021508113A Pending JPWO2020195030A1 (ja) | 2019-03-28 | 2020-01-15 | スパッタリングターゲット製品及びスパッタリングターゲット製品の再生品を製造する方法 |
JP2022146461A Active JP7385718B2 (ja) | 2019-03-28 | 2022-09-14 | スパッタリングターゲット製品及びスパッタリングターゲット製品の再生品を製造する方法 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2021508113A Pending JPWO2020195030A1 (ja) | 2019-03-28 | 2020-01-15 | スパッタリングターゲット製品及びスパッタリングターゲット製品の再生品を製造する方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20230132362A9 (ja) |
JP (2) | JPWO2020195030A1 (ja) |
KR (1) | KR102602409B1 (ja) |
CN (1) | CN113272468B (ja) |
TW (1) | TWI736130B (ja) |
WO (1) | WO2020195030A1 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN113278932B (zh) * | 2020-12-30 | 2022-06-17 | 有研亿金新材料有限公司 | 一种扩散焊接型AlSc合金靶材的一次成型制备方法 |
US20240026525A1 (en) * | 2021-08-11 | 2024-01-25 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Sputtering Target and Method for Producing Sputtering Target |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002129316A (ja) | 2000-10-31 | 2002-05-09 | Nikko Materials Co Ltd | タンタル又はタングステンターゲット−銅合金製バッキングプレート組立体及びその製造方法 |
JP2007505217A (ja) | 2003-09-09 | 2007-03-08 | プラックセアー エス.ティ.テクノロジー、 インコーポレイテッド | 長寿命スパッタ用ターゲット |
JP2007245211A (ja) | 2006-03-17 | 2007-09-27 | Mitsubishi Materials Corp | バッキングプレート付きターゲットの製造方法 |
US20120305393A1 (en) | 2010-02-17 | 2012-12-06 | Tosoh Smd, Inc. | Sputter target |
JP6140330B2 (ja) | 2016-04-08 | 2017-05-31 | Hoya株式会社 | マスクブランクの製造方法、転写用マスク用の製造方法、および半導体デバイスの製造方法 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3469261B2 (ja) * | 1992-12-07 | 2003-11-25 | 株式会社ジャパンエナジー | 拡散接合されたスパッタリングターゲット組立体及びその製造方法 |
JPH06140330A (ja) * | 1992-10-05 | 1994-05-20 | Nippon Steel Corp | スパッタリング装置 |
US6039848A (en) * | 1995-07-10 | 2000-03-21 | Cvc Products, Inc. | Ultra-high vacuum apparatus and method for high productivity physical vapor deposition. |
US6599405B2 (en) | 2001-05-30 | 2003-07-29 | Praxair S.T. Technology, Inc. | Recessed sputter target |
US8702919B2 (en) | 2007-08-13 | 2014-04-22 | Honeywell International Inc. | Target designs and related methods for coupled target assemblies, methods of production and uses thereof |
JP4723668B2 (ja) * | 2009-12-25 | 2011-07-13 | Jx日鉱日石金属株式会社 | ターゲットバッキングプレート組立体 |
CN101811209A (zh) * | 2010-04-14 | 2010-08-25 | 宁波江丰电子材料有限公司 | 靶材组件的制作方法 |
JP2016191109A (ja) * | 2015-03-31 | 2016-11-10 | Jx金属株式会社 | タンタルスパッタリングターゲット |
CN206622765U (zh) * | 2016-12-27 | 2017-11-10 | 有研亿金新材料有限公司 | 一种靶材焊接结构 |
-
2020
- 2020-01-15 KR KR1020217018685A patent/KR102602409B1/ko active IP Right Grant
- 2020-01-15 US US17/425,386 patent/US20230132362A9/en active Pending
- 2020-01-15 JP JP2021508113A patent/JPWO2020195030A1/ja active Pending
- 2020-01-15 CN CN202080008598.2A patent/CN113272468B/zh active Active
- 2020-01-15 WO PCT/JP2020/001111 patent/WO2020195030A1/ja active Application Filing
- 2020-02-13 TW TW109104555A patent/TWI736130B/zh active
-
2022
- 2022-09-14 JP JP2022146461A patent/JP7385718B2/ja active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002129316A (ja) | 2000-10-31 | 2002-05-09 | Nikko Materials Co Ltd | タンタル又はタングステンターゲット−銅合金製バッキングプレート組立体及びその製造方法 |
JP2007505217A (ja) | 2003-09-09 | 2007-03-08 | プラックセアー エス.ティ.テクノロジー、 インコーポレイテッド | 長寿命スパッタ用ターゲット |
JP2007245211A (ja) | 2006-03-17 | 2007-09-27 | Mitsubishi Materials Corp | バッキングプレート付きターゲットの製造方法 |
US20120305393A1 (en) | 2010-02-17 | 2012-12-06 | Tosoh Smd, Inc. | Sputter target |
JP6140330B2 (ja) | 2016-04-08 | 2017-05-31 | Hoya株式会社 | マスクブランクの製造方法、転写用マスク用の製造方法、および半導体デバイスの製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2022180456A (ja) | 2022-12-06 |
US20220098723A1 (en) | 2022-03-31 |
TWI736130B (zh) | 2021-08-11 |
JPWO2020195030A1 (ja) | 2021-09-13 |
KR102602409B1 (ko) | 2023-11-16 |
CN113272468B (zh) | 2023-08-25 |
CN113272468A (zh) | 2021-08-17 |
KR20210092283A (ko) | 2021-07-23 |
WO2020195030A1 (ja) | 2020-10-01 |
US20230132362A9 (en) | 2023-04-27 |
TW202035751A (zh) | 2020-10-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP7385718B2 (ja) | スパッタリングターゲット製品及びスパッタリングターゲット製品の再生品を製造する方法 | |
US8702919B2 (en) | Target designs and related methods for coupled target assemblies, methods of production and uses thereof | |
US6749103B1 (en) | Low temperature sputter target bonding method and target assemblies produced thereby | |
EP1349698B1 (en) | Friction fit target assembly for high power sputtering operation | |
JP2005533930A (ja) | モノリス型スパッタリングターゲット集成体 | |
TWI383060B (zh) | 濺鍍靶 | |
JP2005307351A (ja) | スパッタ・ターゲット、スパッタ・ターゲット・アセンブリ及びそれらの製造方法 | |
JP7427061B2 (ja) | プロファイルされたスパッタリングターゲット及びその製造方法 | |
JP6052137B2 (ja) | 円筒形スパッタリングターゲット用ターゲット材、ならびに、円筒形スパッタリングターゲットおよびその製造方法 | |
JP4468302B2 (ja) | スパッタリングターゲット及び同ターゲットの表面仕上げ方法 | |
KR20140105867A (ko) | 고순도 구리 스퍼터링 타깃 | |
JP2017527692A (ja) | ターゲット及びターゲット製造方法 | |
JP4017198B2 (ja) | スパッタリングターゲットとバッキングプレートの接合方法 | |
EP1087033A1 (en) | Extended life sputter targets | |
JPH11335826A (ja) | Al合金製スパッタリングターゲット材の製造方法 | |
GB2247693A (en) | Peeling tool process involving machining prior to coating | |
JP6285044B2 (ja) | チタン製スパッタリングターゲット及びその製造方法 | |
JP6624585B2 (ja) | スパッタリングターゲット−バッキングプレート接合体 | |
JP3768807B2 (ja) | 底のある円筒状メタルターゲットの製造方法 | |
JP2003147518A (ja) | スパッタリングターゲット | |
TWI512127B (zh) | 濺鍍靶及其製造方法 | |
CN1952208A (zh) | 一种磁控溅射镀膜用低熔点金属与背板加工工艺 | |
JP4158545B2 (ja) | スパッタ装置の設計方法 | |
KR102349236B1 (ko) | 실리콘 타깃재 | |
JPH06128734A (ja) | スパッタリングターゲット |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20221011 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20221011 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20231026 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20231110 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 7385718 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |