JP6285044B2 - チタン製スパッタリングターゲット及びその製造方法 - Google Patents
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Description
以上に示す公知文献は、平面部とテーパー部で結晶配向が大きく異なるという問題及び薄膜の均一性と生産効率の観点からの問題を、根本的に解決するものではない。
このため、チタン製の圧延板を削り出しに替えて、プレス(鍛造)により、コンケーブ形状(凹形状)に加工し、これによって平面部とテーパー部で結晶配向の差を低減させたチタン製スパッタリングターゲットを提供することを課題とする。
なお、前記コンケーブ形状(凹形状)とは、図1に示すように、相対する面が対称的に傾斜している面であり、該面を延長すると円錐のように、先細り形状になる面を意味する。以下、同様の形状を意味するものとして使用する。
1)コンケーブ形状(凹形状)のチタン製スパッタリングターゲットであって、当該ターゲットは平面部とテーパー部を有し、以下に定義するBasal面配向率が平面部、テーパー部とも70%以上あり、かつ(002)/((002)+(103)+(104)+(105))の平面部の値をA、テーパー部の値をBとするとB/A<1.5であることを特徴とするチタン製スパッタリングターゲット。なお、「Basal面配向率」の測定方法は、ターゲット各部位のスパッタ面において、X線回折法にて測定したものである(以下、同様である)。
3)チタン製スパッタリングターゲットのスパッタリングされる部位が5N5以上の純度を持つチタンであり、ターゲットの下方外周に4N5以下の純度のチタン又はCPチタン(工業用純チタン)からなる部材を備えていることを特徴とする上記1)又は2)のいずれか一項に記載のチタン製スパッタリングターゲット。
(なお、前記スパッタリングされる部位とは、スパッタリングによりエロージョンを受けるターゲットの部位である。以下、同様の意味で使用する。)
4)前記ターゲットのテーパー部は、5°〜30°の傾斜面を備えていることを特徴とする上記1)〜3)のいずれか一項に記載のチタン製スパッタリングターゲット。
なお、この場合の傾斜面は、平面が基準であり、測定は三次元測定機により測定したものである。この場合、角が丸い場合も含むものとする。
5)チタン製スパッタリングターゲットの、スパッタリングされる部位が5N5以上の純度を持つチタンであり、このチタン製スパッタリングターゲットの下方に、銅合金のバッキングプレートを配置したことを特徴とするチタン製スパッタリングターゲット−バッキングプレート組立体。
6)チタン製スパッタリングターゲットのスパッタリングされる部位が5N5以上の純度を持つチタンであり、該ターゲットの下方外周に、4N5以下の純度を持つチタン又はCPチタン(工業用純チタン)からなる部材を配置し、さらにこれらの下方に、銅合金のバッキングプレートを配置したことを特徴とするチタン製スパッタリングターゲット−バッキングプレート組立体。
7)チタン製の圧延板を型鍛造して、平面部とテーパー部を有するコンケーブ形状(凹形状)とし、Basal面配向率が平面部、テーパー部とも70%以上あり、かつ(002)/((002)+(103)+(104)+(105))の平面部とテーパー部の比、テーパー部/平面部<1.5であることを特徴とするチタン製スパッタリングターゲットの製造方法。
8)前記チタン製スパッタリングターゲットの平均粒径を20μm以下となるように型鍛造することを特徴とする上記7)に記載のチタン製スパッタリングターゲットの製造方法。
9)チタン製スパッタリングターゲットのスパッタリングされる部位が5N5以上の純度を持つチタンとし、ターゲットの下方外周に4N5以下の純度のチタン又はCPチタン(工業用純チタン)からなる部材とする、あるいは5N5以上の純度を持つチタンの下方に銅合金のバッキングプレートを配置することを特徴とする上記7)又は8)のいずれか一項に記載のチタン製スパッタリングターゲットの製造方法。
10)前記ターゲットのテーパー部を、5°〜30°の傾斜面とすることを特徴とする上記7)〜9)のいずれか一項に記載のチタン製スパッタリングターゲットの製造方法。
11)チタン製スパッタリングターゲットのスパッタリングされる部位が5N5以上の純度を持つチタンとし、ターゲットの下方外周に4N5以下の純度のチタン又はCPチタン(工業用純チタン)からなる部材を配置し、さらにこれらの下方に、銅合金のバッキングプレートを配置してこれらを拡散接合する、あるいは5N5以上の純度を持つチタンの下方に銅合金のバッキングプレートを配置して拡散接合することを特徴とするチタン製スパッタリングターゲット−バッキングプレート組立体の製造方法。
本発明のチタン製スパッタリングターゲットは、図2及び図3に示すように、コンケーブ形状(凹形状)であり、平面部とテーパー部を備える。
そして、Basal面配向率が平面部、テーパー部とも70%以上あり、かつ(002)/((002)+(103)+(104)+(105))の平面部とテーパー部の比が、テーパー部/平面部<1.5であることを特徴とする。これが本願発明の大きな特徴の一つである。
これは、一般的に結晶粒径が微細で均一である方が、スパッタ特性がよいという理由による。但し、この範囲外でも、用途に応じて使用することができる。上記条件はあくまで、好ましい範囲を示すものである。
純度5N5以上のチタンは、金属不純物として、Ag,Al,B,Bi,Ca,Cd,Cl,Co,Cr,Cu,Fe,K,Li,Mg,Mn,Mo,Na,Ni,P,Pb,Si,Sn,Th,U,V,W,Zn,Zrを含有するが、これらの合計値が5ppm以下で、かつ酸素値150ppm未満であるチタンを意味する。以下、同様の意味で使用する。
但し、この条件外でも、用途に応じて使用することができる。上記条件はあくまで、好ましい範囲を示すものである。
なお、ターゲットのテーパー部は、前記コンケーブ形状(凹形状)のテーパー部であり、相対する面が対称的に傾斜している面を意味する。以下、同様の意味で使用する。
純度が5N5(99.9995%)のTi圧延板を、図2に示すように、上下の金型を使用して型鍛造により、厚みが14mm、平面部の直径が320mmであり、テーパー(傾斜面)部の外径が450mm、テーパー角度が13°であるコンケーブ形状(凹形状)のターゲットを作製した。平均結晶粒径は、平面部、テーパー部とも9μmである。
このターゲット−バッキングプレート組立体を用いてスパッタリングした場合の、平面部およびテーパー部の面指数と配向率を、表1に示す。
なお、配向は、X線回折装置で測定し、ユニフォーミティは、KLAテンコール社製オムニマップ(RS−100)で測定したものである。また、パーティクルは、KLAテンコール社製パーティクルカウンター(Surfscan SP1−DLS)で測定したものであり、0.2μm以上のものをカウントした。
純度5N5のTi圧延板を上下の金型を使用して型鍛造により、厚みが14mm、平面部の直径が350mm、テーパー部の外径が450mm、テーパー角度が20°であるコンケーブ形状のターゲットを作製した。平均結晶粒径は平面部、テーパー部とも8μmである。
このターゲット−バッキングプレート組立体を用いてスパッタリングした場合の、平面部およびテーパー部の面指数と配向率を、表1に示す。
純度5N5のTi圧延板を上下の金型を使用して型鍛造により、厚みが14mm、平面部の直径が390mm、テーパー部の外径が450mm、テーパー角度が30°であるコンケーブ形状のターゲットを作製した。平均結晶粒径は平面部、テーパー部とも9μmである。
このターゲット−バッキングプレート組立体を用いてスパッタリングした場合の、平面部およびテーパー部の面指数と配向率を、表1に示す。
純度が5N5(99.9995%)のTi圧延板を削り出しにより、図1の左側の図に示すような形状の、厚みが14mm、平面部の直径が320mmであり、テーパー(傾斜面)部の外径が450mm、テーパー角度が13°であるコンケーブ形状(凹形状)のターゲットを作製した。平均結晶粒径は平面部、テーパー部とも8μmである。
このターゲット−バッキングプレート組立体のターゲット表面に垂直な方向に対してのBasal面配向率は平面部が76.9%、テーパー部が84.3%であり、配向(002)/((002)+(103)+(104)+(105))の値は、平面部が0.09、テーパー部が0.42であり、テーパー部/平面部は4.68であった。この結果、膜厚のユニフォーミティは5.6%となり、不良であった。
純度が5N5(99.9995%)のTi圧延板を削り出しにより、図1の左側の図に示すような形状の、厚みが14mm、平面部の直径が320mmであり、テーパー(傾斜面)部の外径が450mm、テーパー角度が13°であるコンケーブ形状(凹形状)のターゲットを作製した。平均結晶粒径は平面部が18μm、テーパー部が19μmである。
このターゲット−バッキングプレート組立体のターゲット表面に垂直な方向に対してのBasal面配向率は平面部が84.9%、テーパー部が76.5%であり、配向(002)/((002)+(103)+(104)+(105))の値は、平面部が0.18、テーパー部が0.30であり、テーパー部/平面部は1.68であった。この結果、膜厚のユニフォーミティは3.7%と良好であったが、パーティクルが25個と多く不良であった。
純度が5N5(99.9995%)のTi圧延板を削り出しにより、図1の左側の図に示すような形状の、厚みが14mm、平面部の直径が320mmであり、テーパー(傾斜面)部の外径が450mm、テーパー角度が35°であるコンケーブ形状(凹形状)のターゲットを作製した。平均結晶粒径は平面部、テーパー部とも9μmである。
このターゲット−バッキングプレート組立体のターゲット表面に垂直な方向に対してのBasal面配向率は平面部が86.5%、テーパー部が85.2%であり、配向(002)/((002)+(103)+(104)+(105))の値は、平面部が0.08、テーパー部が0.28であり、テーパー部/平面部は3.41であった。この結果、膜厚のユニフォーミティ5.1%と悪かった。
Claims (11)
- コンケーブ形状(凹形状)のチタン製スパッタリングターゲットであって、当該ターゲットは平面部とテーパー部を有し、以下に定義するBasal面配向率が、平面部、テーパー部とも70%以上あり、かつ(002)/((002)+(103)+(104)+(105))の平面部の値をA、テーパー部の値をBとするとB/A<1.5であることを特徴とするチタン製スパッタリングターゲット。
[数2]
- チタン製スパッタリングターゲットの平均粒径が20μm以下であることを特徴とする請求項1に記載のチタン製スパッタリングターゲット。
- チタン製スパッタリングターゲットのスパッタリングされる部位が5N5以上の純度を持つチタンであり、ターゲットの5N5Tiの下方外周に4N5以下の純度のチタン又はCPチタン(工業用純チタン)からなる部材を備えていることを特徴とする請求項1又は2のいずれか一項に記載のチタン製スパッタリングターゲット。
- 前記ターゲットのテーパー部は、5°〜30°の傾斜面を備えていることを特徴とする請求項1〜3のいずれか一項に記載のチタン製スパッタリングターゲット。
- 請求項1〜4のいずれか一項に記載のチタン製スパッタリングターゲットの、スパッタリングされる部位が5N5以上の純度を持つチタンであり、このチタン製スパッタリングターゲットの下方に、銅合金のバッキングプレートを配置したことを特徴とするチタン製スパッタリングターゲット−バッキングプレート組立体。
- 請求項1〜4のいずれか一項に記載のチタン製スパッタリングターゲットの、スパッタリングされる部位が5N5以上の純度を持つチタンであり、該ターゲットの下方外周に、4N5以下の純度を持つチタン又はCPチタン(工業用純チタン)からなる部材を配置し、さらにこれらの下方に、銅合金のバッキングプレートを配置したことを特徴とするチタン製スパッタリングターゲット−バッキングプレート組立体。
- チタン製の圧延板を型鍛造して、平面部とテーパー部を有するコンケーブ形状(凹形状)とし、以下に定義するBasal面配向率が平面部、テーパー部とも70%以上あり、かつ(002)/((002)+(103)+(104)+(105))の平面部とテーパー部の比、テーパー部/平面部<1.5であることを特徴とするチタン製スパッタリングターゲットの製造方法。
[数3]
- 前記チタン製スパッタリングターゲットの平均粒径を20μm以下となるように型鍛造することを特徴とする請求項7に記載のチタン製スパッタリングターゲットの製造方法。
- チタン製スパッタリングターゲットのスパッタリングされる部位が5N5以上の純度を持つチタンとし、ターゲットの下方外周に4N5以下の純度のチタン又はCPチタン(工業用純チタン)からなる部材とするか、あるいは5N5以上の純度を持つチタンの下方に銅合金のバッキングプレートを配置することを特徴とする請求項7又は8のいずれか一項に記載のチタン製スパッタリングターゲットの製造方法。
- 前記ターゲットのテーパー部を、5°〜30°の傾斜面とすることを特徴とする請求項7〜9のいずれか一項に記載のチタン製スパッタリングターゲットの製造方法。
- 請求項1〜4のいずれか一項に記載のチタン製スパッタリングターゲットの、スパッタリングされる部位が5N5以上の純度を持つチタンとし、ターゲットの下方外周に4N5以下の純度のチタン又はCPチタン(工業用純チタン)からなる部材を配置し、さらにこれらの下方に、銅合金のバッキングプレートを配置してこれらを拡散接合する、あるいは5N5以上の純度を持つチタンの下方に銅合金のバッキングプレートを配置して拡散接合することを特徴とするチタン製スパッタリングターゲット−バッキングプレート組立体の製造方法。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10070932B2 (en) | 2013-08-29 | 2018-09-11 | Given Imaging Ltd. | System and method for maneuvering coils power optimization |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61183467A (ja) * | 1985-02-08 | 1986-08-16 | Hitachi Ltd | スパッタリング方法及びその装置 |
JPH05287524A (ja) * | 1992-04-09 | 1993-11-02 | Anelva Corp | マグネトロンスパッタリング用ターゲット |
JPH09272965A (ja) * | 1996-04-09 | 1997-10-21 | Toshiba Corp | 真空成膜装置用部品とそれを用いた真空成膜装置、およびターゲット、バッキングプレート |
JP4455689B2 (ja) * | 1999-03-18 | 2010-04-21 | キヤノンアネルバ株式会社 | スパッタリング装置のマグネトロンカソード |
JP4215232B2 (ja) * | 2002-02-01 | 2009-01-28 | キヤノンアネルバ株式会社 | マグネトロンカソード及びそれを用いたスパッタリング装置 |
US9752228B2 (en) * | 2009-04-03 | 2017-09-05 | Applied Materials, Inc. | Sputtering target for PVD chamber |
US10431438B2 (en) * | 2013-03-06 | 2019-10-01 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Titanium target for sputtering and manufacturing method thereof |
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2015
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10070932B2 (en) | 2013-08-29 | 2018-09-11 | Given Imaging Ltd. | System and method for maneuvering coils power optimization |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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