JP7383640B2 - ディスプレイパネル及びその製造方法、表示装置 - Google Patents
ディスプレイパネル及びその製造方法、表示装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP7383640B2 JP7383640B2 JP2020562188A JP2020562188A JP7383640B2 JP 7383640 B2 JP7383640 B2 JP 7383640B2 JP 2020562188 A JP2020562188 A JP 2020562188A JP 2020562188 A JP2020562188 A JP 2020562188A JP 7383640 B2 JP7383640 B2 JP 7383640B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pixel
- color sub
- electrode block
- electrode
- base substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 314
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 57
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 claims description 57
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 48
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 15
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 396
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 37
- 239000013643 reference control Substances 0.000 description 15
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 description 12
- 101100443251 Saccharomyces cerevisiae (strain ATCC 204508 / S288c) DIG2 gene Proteins 0.000 description 8
- 101100041128 Schizosaccharomyces pombe (strain 972 / ATCC 24843) rst2 gene Proteins 0.000 description 8
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 8
- 101100041125 Arabidopsis thaliana RST1 gene Proteins 0.000 description 7
- 101100443250 Saccharomyces cerevisiae (strain ATCC 204508 / S288c) DIG1 gene Proteins 0.000 description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- 230000008569 process Effects 0.000 description 7
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 6
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 5
- 229920001621 AMOLED Polymers 0.000 description 4
- 230000001154 acute effect Effects 0.000 description 4
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 4
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 2
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- 229910001111 Fine metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 230000001808 coupling effect Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 230000009191 jumping Effects 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- -1 region Substances 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
- H10K59/1213—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being TFTs
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
- H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
- H10K59/353—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels characterised by the geometrical arrangement of the RGB subpixels
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
- H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/81—Anodes
- H10K50/813—Anodes characterised by their shape
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/805—Electrodes
- H10K59/8051—Anodes
- H10K59/80515—Anodes characterised by their shape
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
- G09G2300/04—Structural and physical details of display devices
- G09G2300/0421—Structural details of the set of electrodes
- G09G2300/0426—Layout of electrodes and connections
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
- G09G2300/04—Structural and physical details of display devices
- G09G2300/0439—Pixel structures
- G09G2300/0452—Details of colour pixel setup, e.g. pixel composed of a red, a blue and two green components
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Geometry (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)
- Control Of El Displays (AREA)
Description
ベース基板と、前記ベース基板に設置された複数のサブ画素と、を含み、前記複数のサブ画素は複数の繰り返しユニットを構成し、各前記繰り返しユニットは、1つの第1色サブ画素、2つの第2色サブ画素、及び1つの第3色サブ画素を含み、
各前記サブ画素は、駆動トランジスタと、前記駆動トランジスタに電気的に接続された発光素子と、を含み、前記発光素子は、第1電極層、発光層、及び第2電極層を含み、
各前記第2色サブ画素における発光素子の第1電極層の、前記ベース基板での正投影が、各前記第2色サブ画素における駆動トランジスタのゲート電極の、前記ベース基板での正投影とは少なくとも部分的に重なるディスプレイパネルを提供する。
前記2つの第2色サブ画素のうち第1の第2色サブ画素における発光素子の第1電極層の、前記ベース基板での正投影が、前記2つの第2色サブ画素のうち第2の第2色サブ画素における画素回路の、前記ベース基板での正投影とは少なくとも部分的に重なり、
前記第2の第2色サブ画素における発光素子の第1電極層の、前記ベース基板での正投影が、前記第1の第2色サブ画素における画素回路の、前記ベース基板での正投影とは重ならない。
前記第1駆動電極ブロックの前記ベース基板での正投影は、前記第1の第2色サブ画素における駆動トランジスタのゲート電極の、前記ベース基板での正投影とは重ならず、
前記補助電極ブロックの前記ベース基板での正投影は、前記第1の第2色サブ画素における駆動トランジスタのゲート電極の、前記ベース基板での正投影とは少なくとも部分的に重なる。
前記第1投影重なり領域は、前記補助電極ブロックの前記ベース基板での正投影と、前記第1の第2色サブ画素における駆動トランジスタのゲート電極の、前記ベース基板での正投影とのオーバーラップ領域であり、前記第2投影重なり領域は、前記第2の第2色サブ画素における発光素子の第1電極層の、前記ベース基板での正投影と、前記第2の第2色サブ画素における駆動トランジスタのゲート電極の、前記ベース基板での正投影とのオーバーラップ領域であり、前記比率範囲は90%~110%である
前記第2駆動電極ブロックの前記ベース基板での正投影は、前記第2の第2色サブ画素における駆動トランジスタのゲート電極の、前記ベース基板での正投影とは少なくとも部分的に重なる。
前記第1方向において、前記第1駆動電極ブロックは、前記第1の第2色サブ画素の画素回路の駆動トランジスタのゲート電極の、前記第2の第2色サブ画素の画素回路の駆動トランジスタのゲート電極に近い側に位置する。
前記補助電極ブロックは前記第1コンデンサの第1電極として機能し、前記第1の第2色サブ画素の駆動トランジスタのゲート電極は前記第1コンデンサの第2電極として兼用される。
前記第2駆動電極ブロックは前記第2コンデンサの第1電極として兼用され、前記第2の第2色サブ画素の駆動トランジスタのゲート電極は前記第2コンデンサの第2電極として兼用される。
前記第2方向は前記ベース基板の表面に平行し、且つ、前記第1方向と前記第2方向とは互いに垂直している。
前記第1電極層は、前記平坦層の前記駆動トランジスタから離れた側に設置され、
前記発光層は、前記第1電極層の前記平坦層から離れた側に設置され、
前記第2電極層は、前記発光層の前記第1電極層から離れた側に設置される。
前記第2の第2色サブ画素における発光素子の第1電極層は、第2接続電極ブロックをさらに含み、前記第2接続電極ブロックは、前記第2駆動電極ブロックに電気的に接続され、前記第1方向において前記第2駆動電極ブロックの、前記第1の第2色サブ画素の発光素子から離れた側に位置する。
前記第1接続電極ブロックは、前記第1ビアを介して前記第1の第2色サブ画素の画素回路に電気的に接続され、前記第2接続電極ブロックは、前記第2ビアを介して前記第2の第2色サブ画素の画素回路に電気的に接続される。
前記第2駆動電極ブロックは、前記第2接続電極ブロックと前記第1駆動電極ブロックとの間に位置する。
前記平坦層は第3ビアと第4ビアとを含み、前記第3接続電極ブロックは、前記第3ビアまで延びて、前記第3ビアを介して前記第1色サブ画素の画素回路に電気的に接続され、前記第4接続電極ブロックは、前記第4ビアまで延びて、前記第4ビアを介して前記第3色サブ画素の画素回路に電気的に接続される。
前記第1方向において、前記第3接続電極は前記第3駆動電極ブロックの前記補助電極ブロックから離れた側に位置し、前記第2方向において、前記第3接続電極は前記第3駆動電極ブロックの前記第4駆動電極ブロックに近い側に位置し、
前記第1方向において、前記第4接続電極は前記第4駆動電極ブロックの前記補助電極ブロックから離れた側に位置し、前記第2方向において、前記第4接続電極は前記第4駆動電極ブロックの前記第3駆動電極ブロックに近い側に位置する。
前記第1接続電極ブロックは、前記第1ビアを通して前記ソース・ドレイン金属層まで延びており、
前記第2接続電極ブロックは、前記第2ビアを通して前記ソース・ドレイン金属層まで延びており、
前記第3接続電極ブロックは、前記第3ビアを通して前記ソース・ドレイン金属層まで延びており、
前記第4接続電極ブロックは、前記第4ビアを通して前記ソース・ドレイン金属層まで延びている。
前記第1方向において、前記第1接続電極ブロック、前記第2接続電極ブロック、前記第3接続電極ブロック、及び前記第4接続電極ブロックは、隣接する2つの繰り返しユニット群の間に位置し、
前記第1方向において、前記補助電極ブロックの少なくとも一部は、前記補助電極ブロックの前記第1駆動電極ブロックから離れた側にあって、前記補助電極ブロックが位置する繰り返しユニット群に隣接する繰り返しユニット群における隣接する2つの繰り返しユニットの間に位置する。
前記データ書込みサブ回路は、ゲート信号により制御されて、データ信号を前記ストレージサブ回路の第1端子に書き込むように構成され、
前記ストレージサブ回路は、前記データ信号を収納するように構成され、
前記駆動トランジスタは、前記ストレージサブ回路の第2端子の電圧に基づいて前記発光素子を駆動して発光するように構成され、
前記発光制御サブ回路は、前記駆動トランジスタ及び前記発光素子のそれぞれに電気的に接続され、前記駆動トランジスタと前記発光素子との接続を導通又は遮断するように構成され、
前記閾値補償サブ回路は、前記駆動トランジスタに電気的に接続され、且つ、閾値補償制御信号により制御されて前記駆動トランジスタに対して閾値補償を行うように構成され、
前記基準電圧書込みサブ回路は、前記ストレージサブ回路の第1端子に電気的に接続され、且つ、基準電圧補償制御信号により制御されて前記ストレージサブ回路の第1端子に基準電圧信号を書き込むように構成され、
前記第1リセットサブ回路は、前記ストレージサブ回路の第1端子に電気的に接続され、且つ、第1リセット制御信号により制御されて前記ストレージサブ回路の第1端子に第1リセット電圧を書き込むように構成され、
前記第2リセットサブ回路は、前記ストレージサブ回路の第2端子に電気的に接続され、且つ、第2リセット制御信号により制御されて前記ストレージサブ回路の第2端子に第2リセット電圧を書き込むように構成される。
ベース基板を得ることと、
複数のサブ画素を前記ベース基板に形成することと、を含み、
前記複数のサブ画素は、複数の繰り返しユニットを構成し、各繰り返しユニットは、1つの第1色サブ画素、2つの第2色サブ画素、及び1つの第3色サブ画素を含み、
各前記サブ画素は、駆動トランジスタと、前記駆動トランジスタに接続された発光素子と、を含み、前記発光素子は、第1電極層、発光層、及び第2電極層を含み、各前記第2色サブ画素における第1電極層の、前記ベース基板での正投影が、各前記第2色サブ画素における駆動トランジスタのゲート電極の、前記ベース基板での正投影とは少なくとも部分的に重なるディスプレイパネルの製造方法をさらに提供する。
=K*[(Vr-Vdata+V1+Vth-V1)-Vth]2
=K*(Vr-Vdata)2
上記式から分かるように、発光電流IELは駆動トランジスタM1の閾値電圧Vthと第1直流電源端子VDDの出力する第1直流電圧V1による影響を受けなくなり、基準電圧信号端子Vrefの出力する基準電圧信号Vrとデータ信号Vdataだけに関連する。データ信号Vdataはデータ線DAを介して直接伝送され、駆動トランジスタM1の閾値電圧Vthとは無関係であるため、プロセスや長期間の操作に起因する駆動トランジスタM1の閾値電圧ドリフトという問題を解決できる。基準電圧信号Vrは基準電圧信号端子Vrefから供給されるものであり、第1直流電源端子VDDの電源電圧降下(IR drop)とは無関係であるため、ディスプレイパネルのIR dropという問題を解決できる。以上のように、画素回路は、発光電流IELの精度を確保し、発光電流IELに対する駆動トランジスタM1の閾値電圧及びIR dropの影響を解消して、発光素子02を正常に動作させることができる。
K=0.5μnCox(W/L)
ここで、μnは駆動トランジスタM1の電子移動度、Coxは駆動トランジスタM1のゲート電極の単位容量、Wは駆動トランジスタM1のチャネル幅、Lは駆動トランジスタM1のチャネル長である。
ステップ901、ベース基板を得る。
ステップ902、複数のサブ画素をベース基板に形成する。
(1)本開示の実施例の図面は本開示の実施例に関する構造のみに関し、他の構造は通常の設計を参照してもよい。
(2)明確にするために、本開示の実施例を説明するための図面では、層又は構造の厚さは拡大又は縮小されている。なお、層、フィルム、領域や基板などの素子が他の素子の「上」又は「下」に位置すると記載される場合、かかる素子は他の素子の「上」又は「下」に「直接」位置してもよく、又は中間素子が存在してもよい。
(3)矛盾しない場合、本開示の実施例及び実施例の特徴を互いに組み合わせて新たな実施例を得ることができる。
02 発光素子
021 第1電極層
022 発光層
023 第2電極層
100 繰り返しユニット
C1 第1色サブ画素
C2 第2色サブ画素
C3 第3色サブ画素
M1 駆動トランジスタ
Claims (19)
- ディスプレイパネルであって、
ベース基板と、前記ベース基板に設置された複数のサブ画素と、を含み、前記複数のサブ画素は複数の繰り返しユニットを構成し、各前記繰り返しユニットは、1つの第1色サブ画素、2つの第2色サブ画素、及び1つの第3色サブ画素を含み、
各前記サブ画素は、駆動トランジスタと、前記駆動トランジスタに電気的に接続された発光素子と、を含み、前記発光素子は、第1電極層、発光層、及び第2電極層を含み、
各前記第2色サブ画素における発光素子の第1電極層の、前記ベース基板での正投影が、各前記第2色サブ画素における駆動トランジスタのゲート電極の、前記ベース基板での正投影とは少なくとも部分的に重なり、
各前記サブ画素は前記駆動トランジスタを含む画素回路を含み、
前記2つの第2色サブ画素のうち第1の第2色サブ画素における発光素子の第1電極層の、前記ベース基板での正投影が、前記2つの第2色サブ画素のうち第2の第2色サブ画素における画素回路の、前記ベース基板での正投影とは少なくとも部分的に重なり、
前記第2の第2色サブ画素における発光素子の第1電極層の、前記ベース基板での正投影が、前記第1の第2色サブ画素における画素回路の、前記ベース基板での正投影とは重ならない、ディスプレイパネル。 - 各前記第2色サブ画素における駆動トランジスタのゲート電極の、前記ベース基板での正投影が、各前記第2色サブ画素における発光素子の第1電極層の、前記ベース基板での正投影内にある、請求項1に記載のディスプレイパネル。
- 前記第1の第2色サブ画素における発光素子の第1電極層の形状と前記第2の第2色サブ画素における発光素子の第1電極層の形状が異なる、請求項1又は2に記載のディスプレイパネル。
- 前記第1の第2色サブ画素における発光素子の第1電極層は、第1駆動電極ブロックと、前記第1駆動電極ブロックに接続された補助電極ブロックと、を含み、
前記第1駆動電極ブロックの前記ベース基板での正投影は、前記第1の第2色サブ画素における駆動トランジスタのゲート電極の、前記ベース基板での正投影とは重ならず、
前記補助電極ブロックの前記ベース基板での正投影は、前記第1の第2色サブ画素における駆動トランジスタのゲート電極の、前記ベース基板での正投影とは少なくとも部分的に重なる、請求項3に記載のディスプレイパネル。 - 前記補助電極ブロックの第1投影重なり領域の面積と、前記第2の第2色サブ画素における発光素子の第1電極層の第2投影重なり領域の面積との比率が、比率範囲内にあり、
前記第1投影重なり領域は、前記補助電極ブロックの前記ベース基板での正投影と、前記第1の第2色サブ画素における駆動トランジスタのゲート電極の、前記ベース基板での正投影とのオーバーラップ領域であり、前記第2投影重なり領域は、前記第2の第2色サブ画素における発光素子の第1電極層の、前記ベース基板での正投影と、前記第2の第2色サブ画素における駆動トランジスタのゲート電極の、前記ベース基板での正投影とのオーバーラップ領域であり、前記比率範囲は90%~110%である、請求項4に記載のディスプレイパネル。 - 前記第2の第2色サブ画素における発光素子の第1電極層は第2駆動電極ブロックを含み、
前記第2駆動電極ブロックの前記ベース基板での正投影は、前記第2の第2色サブ画素における駆動トランジスタのゲート電極の、前記ベース基板での正投影とは少なくとも部分的に重なる、請求項4又は5に記載のディスプレイパネル。 - 前記第1駆動電極ブロックの形状と前記補助電極ブロックの形状とが異なり、前記第1駆動電極ブロックの形状と前記第2駆動電極ブロックの形状とが同じであり、前記第1駆動電極ブロックの前記ベース基板での正投影の面積と、前記第2駆動電極ブロックの前記ベース基板での正投影の面積とが同じである、請求項6に記載のディスプレイパネル。
- 前記第1の第2色サブ画素の画素回路の駆動トランジスタのゲート電極の中心と前記第1駆動電極ブロックの中心との間の距離が、前記第2の第2色サブ画素の画素回路の駆動トランジスタのゲート電極の中心と前記第2駆動電極ブロックの中心との間の距離よりも大きい、請求項6又は7に記載のディスプレイパネル。
- 前記第1の第2色サブ画素の画素回路の駆動トランジスタのゲート電極と、前記第2の第2色サブ画素の画素回路の駆動トランジスタのゲート電極は、前記ベース基板の表面に平行する第1方向に沿って配列されており、
前記第1方向において、前記第1駆動電極ブロックは、前記第1の第2色サブ画素の画素回路の駆動トランジスタのゲート電極の、前記第2の第2色サブ画素の画素回路の駆動トランジスタのゲート電極に近い側に位置する、請求項6~8のいずれか一項に記載のディスプレイパネル。 - 前記画素回路は寄生サブ回路をさらに含み、前記第1の第2色サブ画素における画素回路の寄生サブ回路は第1コンデンサを含み、前記第1コンデンサは第1電極と第2電極とを含み、
前記補助電極ブロックは前記第1コンデンサの第1電極として機能し、前記第1の第2色サブ画素における駆動トランジスタのゲート電極は前記第1コンデンサの第2電極として兼用され、
前記画素回路は寄生サブ回路をさらに含み、前記第2の第2色サブ画素における画素回路の寄生サブ回路は第2コンデンサを含み、前記第2コンデンサは第1電極と第2電極とを含み、
前記第2駆動電極ブロックは前記第2コンデンサの第1電極として兼用され、前記第2の第2色サブ画素における駆動トランジスタのゲート電極は前記第2コンデンサの第2電極として兼用される、請求項9に記載のディスプレイパネル。 - 各前記繰り返しユニットでは、前記第1の第2色サブ画素と前記第2の第2色サブ画素とが前記第1方向に沿って配列され、前記第1方向において、前記補助電極ブロックが前記第1駆動電極ブロックの、前記第2の第2色サブ画素の発光素子から離れた側に位置し、
各前記繰り返しユニットでは、前記第1色サブ画素と前記第3色サブ画素とが第2方向に沿って配列され、且つ、前記第2方向において、前記第1の第2色サブ画素及び前記第2の第2色サブ画素が、前記第1色サブ画素と前記第3色サブ画素との間に位置し、
前記第2方向は前記ベース基板の表面に平行し、且つ、前記第1方向と前記第2方向とは互いに垂直している、請求項9または10に記載のディスプレイパネル。 - 前記画素回路の前記ベース基板から離れた側に設置された平坦層をさらに含み、
前記第1電極層は、前記平坦層の前記駆動トランジスタから離れた側に設置され、
前記発光層は、前記第1電極層の前記平坦層から離れた側に設置され、
前記第2電極層は、前記発光層の前記第1電極層から離れた側に設置され、
前記第1の第2色サブ画素における発光素子の第1電極層は、第1接続電極ブロックをさらに含み、前記第1接続電極ブロックは、前記第1駆動電極ブロックに電気的に接続され、前記第1方向において前記第1駆動電極ブロックの、前記第2の第2色サブ画素の発光素子から離れた側に位置し、
前記第2の第2色サブ画素における発光素子の第1電極層は、第2接続電極ブロックをさらに含み、前記第2接続電極ブロックは、前記第2駆動電極ブロックに電気的に接続され、前記第1方向において前記第2駆動電極ブロックの、前記第1の第2色サブ画素の発光素子から離れた側に位置し、
前記平坦層は第1ビアと第2ビアとを含み、
前記第1接続電極ブロックは、前記第1ビアを介して前記第1の第2色サブ画素の画素回路に電気的に接続され、前記第2接続電極ブロックは、前記第2ビアを介して前記第2の第2色サブ画素の画素回路に電気的に接続される、請求項11に記載のディスプレイパネル。 - 前記第1方向において、前記第1接続電極ブロックは、前記第1の第2色サブ画素の画素回路の駆動トランジスタのゲート電極と、前記第2の第2色サブ画素の画素回路の駆動トランジスタのゲート電極との間に位置し、
前記第1方向において、前記第1接続電極ブロックは、前記第1駆動電極ブロックと前記補助電極ブロックとの間に位置する、請求項12に記載のディスプレイパネル。 - 前記第1接続電極ブロックの形状と前記第2接続電極ブロックの形状とが同じであり、前記第1接続電極ブロックの前記ベース基板での正投影の面積と前記第2接続電極ブロックの前記ベース基板での正投影の面積とが同じである、請求項12または13に記載のディスプレイパネル。
- 前記第1色サブ画素の発光素子の第1電極層は、互いに電気的に接続された第3駆動電極ブロック及び第3接続電極ブロックを含み、前記第3色サブ画素の発光素子の第1電極層は、互いに電気的に接続された第4駆動電極ブロック及び第4接続電極ブロックを含み、
前記平坦層は第3ビアと第4ビアとを含み、前記第3接続電極ブロックは、前記第3ビアまで延びて、前記第3ビアを介して前記第1色サブ画素の画素回路に電気的に接続され、前記第4接続電極ブロックは、前記第4ビアまで延びて、前記第4ビアを介して前記第3色サブ画素の画素回路に電気的に接続され、
各前記繰り返しユニットでは、
前記第1方向において、前記第3接続電極ブロックは前記第3駆動電極ブロックの前記補助電極ブロックから離れた側に位置し、前記第2方向において、前記第3接続電極ブロックは前記第3駆動電極ブロックの前記第4駆動電極ブロックに近い側に位置し、
前記第1方向において、前記第4接続電極ブロックは前記第4駆動電極ブロックの前記補助電極ブロックから離れた側に位置し、前記第2方向において、前記第4接続電極ブロックは前記第4駆動電極ブロックの前記第3駆動電極ブロックに近い側に位置する、請求項12~14のいずれか一項に記載のディスプレイパネル。 - 前記画素回路は、アクティブ半導体層、ゲート金属層、及びソース・ドレイン金属層を含み、前記ベース基板に垂直な方向において、前記アクティブ半導体層が前記ベース基板と前記ゲート金属層との間に介在し、前記ゲート金属層が前記アクティブ半導体層と前記ソース・ドレイン金属層との間に介在し、
前記第1接続電極ブロックは、前記第1ビアを通して前記ソース・ドレイン金属層まで延びており、
前記第2接続電極ブロックは、前記第2ビアを通して前記ソース・ドレイン金属層まで延びており、
前記第3接続電極ブロックは、前記第3ビアを通して前記ソース・ドレイン金属層まで延びており、
前記第4接続電極ブロックは、前記第4ビアを通して前記ソース・ドレイン金属層まで延びている、請求項15に記載のディスプレイパネル。 - 複数の前記繰り返しユニットが第2方向に沿って配列されて複数の繰り返しユニット群を構成し、前記複数の繰り返しユニット群は、前記第1方向に沿って配列されており、
前記第1方向において、前記第1接続電極ブロック、前記第2接続電極ブロック、前記第3接続電極ブロック、及び前記第4接続電極ブロックは、隣接する2つの繰り返しユニット群の間に位置し、
前記第1方向において、前記補助電極ブロックの少なくとも一部は、前記補助電極ブロックの前記第1駆動電極ブロックから離れた側にあって、前記補助電極ブロックが位置する繰り返しユニット群に隣接する繰り返しユニット群における隣接する2つの繰り返しユニットの間に位置する、請求項15又は16に記載のディスプレイパネル。 - 前記第1色サブ画素は赤色のサブ画素であり、前記2つの第2色サブ画素はいずれも緑色のサブ画素であり、前記第3色サブ画素は青色のサブ画素である、請求項1~17のいずれか一項に記載のディスプレイパネル。
- 請求項1~18のいずれか一項に記載のディスプレイパネルを備える表示装置。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201910085404.8 | 2019-01-29 | ||
CN201910085404.8A CN111490068B (zh) | 2019-01-29 | 2019-01-29 | 显示面板及其制造方法、显示装置 |
PCT/CN2019/098704 WO2020155593A1 (zh) | 2019-01-29 | 2019-07-31 | 显示面板及其制造方法、显示装置 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2022518075A JP2022518075A (ja) | 2022-03-14 |
JPWO2020155593A5 JPWO2020155593A5 (ja) | 2022-08-08 |
JP7383640B2 true JP7383640B2 (ja) | 2023-11-20 |
Family
ID=71812161
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020562188A Active JP7383640B2 (ja) | 2019-01-29 | 2019-07-31 | ディスプレイパネル及びその製造方法、表示装置 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11282909B2 (ja) |
EP (1) | EP3920226A4 (ja) |
JP (1) | JP7383640B2 (ja) |
KR (1) | KR20210119951A (ja) |
CN (1) | CN111490068B (ja) |
WO (1) | WO2020155593A1 (ja) |
Families Citing this family (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN112018147B (zh) * | 2019-05-13 | 2022-06-10 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板、显示装置和掩模板 |
CN114097089A (zh) * | 2020-04-26 | 2022-02-25 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板以及显示装置 |
CN111952342B (zh) * | 2020-08-21 | 2023-07-18 | 上海天马微电子有限公司 | 显示面板和显示装置 |
WO2022041203A1 (zh) * | 2020-08-31 | 2022-03-03 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及显示装置 |
CN115996612A (zh) * | 2020-09-01 | 2023-04-21 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板以及显示装置 |
CN114420722A (zh) * | 2020-09-10 | 2022-04-29 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及显示装置 |
CN112037715B (zh) * | 2020-09-14 | 2021-10-15 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板、显示装置及电子设备 |
US20220310753A1 (en) * | 2020-09-29 | 2022-09-29 | Chengdu Boe Optoelectronics Technology Co., Ltd. | Display panel and display device |
WO2022082331A1 (en) * | 2020-10-19 | 2022-04-28 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Array substrate and display apparatus |
WO2022082430A1 (zh) * | 2020-10-20 | 2022-04-28 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板和显示装置 |
WO2022091348A1 (ja) | 2020-10-30 | 2022-05-05 | シャープ株式会社 | 表示装置および表示装置の製造方法 |
CN114822232B (zh) * | 2021-01-29 | 2022-12-23 | 云谷(固安)科技有限公司 | 显示面板 |
CN115191036A (zh) * | 2021-02-04 | 2022-10-14 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板和显示装置 |
CN112968050B (zh) * | 2021-02-26 | 2024-05-24 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板、显示面板及显示装置 |
WO2023279333A1 (zh) * | 2021-07-08 | 2023-01-12 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及显示装置 |
WO2024000472A1 (zh) * | 2022-06-30 | 2024-01-04 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板和显示装置 |
KR20240018013A (ko) * | 2022-08-01 | 2024-02-13 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
CN115294927B (zh) * | 2022-09-28 | 2022-12-27 | 长春希达电子技术有限公司 | 一种基于像素复用的颜色补偿方法、存储介质和*** |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005100724A (ja) | 2003-09-24 | 2005-04-14 | Sanyo Electric Co Ltd | トップエミッション型有機el表示装置 |
JP2015141402A (ja) | 2014-01-30 | 2015-08-03 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
JP2016075868A (ja) | 2014-10-09 | 2016-05-12 | Nltテクノロジー株式会社 | 画素アレイ及び電気光学装置並びに電気機器並びに画素レンダリング方法 |
US20170317150A1 (en) | 2016-04-29 | 2017-11-02 | Lg Display Co., Ltd. | Organic light emitting display device |
CN207781608U (zh) | 2018-02-09 | 2018-08-28 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板和显示装置 |
JP2018198198A (ja) | 2017-05-23 | 2018-12-13 | 三星ディスプレイ株式會社Samsung Display Co.,Ltd. | 有機発光表示装置 |
Family Cites Families (38)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101041970B1 (ko) * | 2004-06-11 | 2011-06-16 | 삼성전자주식회사 | 액정 표시 장치 |
JP4614106B2 (ja) * | 2008-06-18 | 2011-01-19 | ソニー株式会社 | 自発光表示装置および電子機器 |
WO2011001728A1 (ja) * | 2009-07-01 | 2011-01-06 | シャープ株式会社 | アクティブマトリクス基板及び有機el表示装置 |
CN101762917B (zh) * | 2009-12-21 | 2011-12-28 | 深超光电(深圳)有限公司 | 像素阵列以及显示面板 |
KR102096051B1 (ko) * | 2013-03-27 | 2020-04-02 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 어레이 기판 및 이를 포함하는 유기 발광 표시 장치 |
KR102038076B1 (ko) * | 2013-04-04 | 2019-10-30 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
KR102107565B1 (ko) * | 2013-12-18 | 2020-05-08 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
JP6459243B2 (ja) * | 2014-06-26 | 2019-01-30 | Tianma Japan株式会社 | 画素アレイ及びメタルマスク並びに電気光学装置並びに電気機器 |
KR102232694B1 (ko) * | 2014-12-03 | 2021-03-29 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 패널 및 그 제조 방법 |
KR102381288B1 (ko) * | 2015-03-04 | 2022-03-31 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
KR102320641B1 (ko) * | 2015-04-29 | 2021-11-02 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
KR102415753B1 (ko) * | 2015-05-04 | 2022-07-01 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
KR102491117B1 (ko) * | 2015-07-07 | 2023-01-20 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
KR102566630B1 (ko) * | 2015-12-30 | 2023-08-16 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광표시장치 |
KR101695652B1 (ko) * | 2016-04-11 | 2017-01-12 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광표시장치와 그의 제조방법 |
CN111048689B (zh) * | 2016-06-30 | 2022-10-28 | 乐金显示有限公司 | 有机发光显示装置 |
US10224386B2 (en) * | 2016-09-23 | 2019-03-05 | Apple Inc. | Display with power supply mesh |
KR20180040185A (ko) * | 2016-10-11 | 2018-04-20 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
KR20180079512A (ko) * | 2016-12-30 | 2018-07-11 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
KR20180088550A (ko) * | 2017-01-26 | 2018-08-06 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
CN106981585B (zh) * | 2017-05-23 | 2019-02-12 | 上海天马微电子有限公司 | 透明oled面板和显示装置 |
KR20180131679A (ko) * | 2017-05-30 | 2018-12-11 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 그 제조 방법 |
KR102520710B1 (ko) * | 2017-09-05 | 2023-04-12 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
KR102448030B1 (ko) * | 2017-09-21 | 2022-09-28 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시장치 |
KR102532307B1 (ko) * | 2017-11-02 | 2023-05-15 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시장치 |
KR102461360B1 (ko) * | 2017-12-15 | 2022-11-02 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 그의 제조 방법 |
KR102104981B1 (ko) * | 2017-12-19 | 2020-05-29 | 엘지디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
KR102173434B1 (ko) * | 2017-12-19 | 2020-11-03 | 엘지디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
KR102126552B1 (ko) * | 2017-12-19 | 2020-06-24 | 엘지디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
TWI627577B (zh) * | 2017-12-25 | 2018-06-21 | 友達光電股份有限公司 | 觸控顯示裝置 |
WO2019180878A1 (ja) * | 2018-03-22 | 2019-09-26 | シャープ株式会社 | 表示デバイス、及び表示デバイスの製造方法 |
KR102573641B1 (ko) * | 2018-07-02 | 2023-09-01 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
CN108878572B (zh) * | 2018-07-10 | 2021-01-26 | 京东方科技集团股份有限公司 | 感光元件、光电传感探测基板及其制造方法 |
CN109166886A (zh) * | 2018-08-20 | 2019-01-08 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | Oled显示面板及oled显示设备 |
KR20200027600A (ko) * | 2018-09-04 | 2020-03-13 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시장치 및 그의 제조방법 |
KR20200057140A (ko) * | 2018-11-15 | 2020-05-26 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
CN110137356B (zh) * | 2019-06-05 | 2021-12-24 | 京东方科技集团股份有限公司 | 薄膜晶体管及其制作方法、电子装置 |
US11423840B2 (en) * | 2019-07-31 | 2022-08-23 | Chengdu Boe Optoelectronics Technology Co., Ltd. | Display substrate and display device |
-
2019
- 2019-01-29 CN CN201910085404.8A patent/CN111490068B/zh active Active
- 2019-07-31 US US16/642,093 patent/US11282909B2/en active Active
- 2019-07-31 JP JP2020562188A patent/JP7383640B2/ja active Active
- 2019-07-31 KR KR1020217015838A patent/KR20210119951A/ko unknown
- 2019-07-31 EP EP19856440.3A patent/EP3920226A4/en active Pending
- 2019-07-31 WO PCT/CN2019/098704 patent/WO2020155593A1/zh unknown
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005100724A (ja) | 2003-09-24 | 2005-04-14 | Sanyo Electric Co Ltd | トップエミッション型有機el表示装置 |
JP2015141402A (ja) | 2014-01-30 | 2015-08-03 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
JP2016075868A (ja) | 2014-10-09 | 2016-05-12 | Nltテクノロジー株式会社 | 画素アレイ及び電気光学装置並びに電気機器並びに画素レンダリング方法 |
US20170317150A1 (en) | 2016-04-29 | 2017-11-02 | Lg Display Co., Ltd. | Organic light emitting display device |
JP2018198198A (ja) | 2017-05-23 | 2018-12-13 | 三星ディスプレイ株式會社Samsung Display Co.,Ltd. | 有機発光表示装置 |
CN207781608U (zh) | 2018-02-09 | 2018-08-28 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板和显示装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN111490068A (zh) | 2020-08-04 |
WO2020155593A1 (zh) | 2020-08-06 |
US20210193766A1 (en) | 2021-06-24 |
US11282909B2 (en) | 2022-03-22 |
JP2022518075A (ja) | 2022-03-14 |
CN111490068B (zh) | 2022-07-26 |
KR20210119951A (ko) | 2021-10-06 |
EP3920226A1 (en) | 2021-12-08 |
EP3920226A4 (en) | 2022-10-26 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP7383640B2 (ja) | ディスプレイパネル及びその製造方法、表示装置 | |
JP7299223B2 (ja) | 表示基板および表示装置 | |
JP7420560B2 (ja) | 表示用基板及びその製造方法、表示パネル、表示装置 | |
CN112309332B (zh) | 像素电路及其驱动方法、显示基板和显示面板 | |
WO2021227760A1 (zh) | 一种显示面板及其制作方法、显示装置 | |
WO2022056907A1 (zh) | 显示基板及显示装置 | |
US11322070B2 (en) | Display panel, transparent OLED substrate and OLED substrate | |
JP2022539621A (ja) | ディスプレイパネル及びその製造方法、表示装置 | |
WO2022110650A1 (zh) | 一种显示基板、显示装置 | |
WO2021190508A1 (zh) | 显示基板和显示装置 | |
CN113728439A (zh) | 显示基板和显示装置 | |
WO2021189305A1 (zh) | 显示基板和显示装置 | |
CN116249398A (zh) | 发光显示装置及其制造方法 | |
CN115424570A (zh) | 像素电路及其驱动方法、显示基板和显示装置 | |
WO2022170547A1 (zh) | 显示基板及其制备方法、显示装置 | |
CN115836597A (zh) | 显示面板及显示装置 | |
CN113950744A (zh) | 显示基板和显示装置 | |
CN219228311U (zh) | 显示基板和显示装置 | |
WO2023226701A1 (zh) | 显示基板、显示装置以及显示基板的制造方法 | |
WO2023178591A1 (zh) | 显示基板及其制备方法、显示装置 | |
WO2023230919A1 (zh) | 显示基板以及显示装置 | |
WO2024050687A1 (zh) | 显示基板、显示面板和显示装置 | |
CN118301991A (zh) | 显示基板和显示装置 | |
CN115548078A (zh) | 显示面板及显示装置 | |
CN118015987A (zh) | 显示面板、显示装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20220729 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20220729 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20230322 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20230327 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20230616 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20230703 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20230927 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20231016 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20231108 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7383640 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |