JP7377337B2 - Ｓｉ被膜を有する銅合金粉及びその製造方法 - Google Patents
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- 239000000843 powder Substances 0.000 title claims description 133
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 title claims description 98
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 19
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 title claims description 18
- 238000000576 coating method Methods 0.000 title claims description 18
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 36
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 24
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 14
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 13
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 claims description 12
- 238000001069 Raman spectroscopy Methods 0.000 claims description 11
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 11
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 claims description 9
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 8
- 239000006087 Silane Coupling Agent Substances 0.000 claims description 6
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 24
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 22
- 238000000034 method Methods 0.000 description 18
- 239000000047 product Substances 0.000 description 15
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N Copper oxide Chemical compound [Cu]=O QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 13
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 12
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 11
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 11
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 10
- 238000004833 X-ray photoelectron spectroscopy Methods 0.000 description 9
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 9
- 238000005275 alloying Methods 0.000 description 8
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 8
- 239000005751 Copper oxide Substances 0.000 description 7
- 229910000431 copper oxide Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 6
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 6
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 6
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 6
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 5
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 5
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 5
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 4
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 4
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 4
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 4
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 4
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000000889 atomisation Methods 0.000 description 3
- 239000007822 coupling agent Substances 0.000 description 3
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 3
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 3
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BERDEBHAJNAUOM-UHFFFAOYSA-N copper(i) oxide Chemical compound [Cu]O[Cu] BERDEBHAJNAUOM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KSFBTBXTZDJOHO-UHFFFAOYSA-N diaminosilicon Chemical compound N[Si]N KSFBTBXTZDJOHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000002354 inductively-coupled plasma atomic emission spectroscopy Methods 0.000 description 2
- 230000005764 inhibitory process Effects 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 2
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 239000002893 slag Substances 0.000 description 2
- CVBWTNHDKVVFMI-LBPRGKRZSA-N (2s)-1-[4-[2-[6-amino-8-[(6-bromo-1,3-benzodioxol-5-yl)sulfanyl]purin-9-yl]ethyl]piperidin-1-yl]-2-hydroxypropan-1-one Chemical compound C1CN(C(=O)[C@@H](O)C)CCC1CCN1C2=NC=NC(N)=C2N=C1SC(C(=C1)Br)=CC2=C1OCO2 CVBWTNHDKVVFMI-LBPRGKRZSA-N 0.000 description 1
- ZPQAUEDTKNBRNG-UHFFFAOYSA-N 2-methylprop-2-enoylsilicon Chemical compound CC(=C)C([Si])=O ZPQAUEDTKNBRNG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010146 3D printing Methods 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910017526 Cu-Cr-Zr Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017813 Cu—Cr Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017810 Cu—Cr—Zr Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 238000003841 Raman measurement Methods 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001343 alkyl silanes Chemical class 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 150000001722 carbon compounds Chemical class 0.000 description 1
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 1
- 238000012790 confirmation Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- -1 epoxysilane Chemical compound 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 238000010191 image analysis Methods 0.000 description 1
- 229910000765 intermetallic Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005554 pickling Methods 0.000 description 1
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 238000007873 sieving Methods 0.000 description 1
- FZHAPNGMFPVSLP-UHFFFAOYSA-N silanamine Chemical compound [SiH3]N FZHAPNGMFPVSLP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- IYMSIPPWHNIMGE-UHFFFAOYSA-N silylurea Chemical compound NC(=O)N[SiH3] IYMSIPPWHNIMGE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 1
- 230000007480 spreading Effects 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- TXDNPSYEJHXKMK-UHFFFAOYSA-N sulfanylsilane Chemical compound S[SiH3] TXDNPSYEJHXKMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- UKRDPEFKFJNXQM-UHFFFAOYSA-N vinylsilane Chemical compound [SiH3]C=C UKRDPEFKFJNXQM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B33—ADDITIVE MANUFACTURING TECHNOLOGY
- B33Y—ADDITIVE MANUFACTURING, i.e. MANUFACTURING OF THREE-DIMENSIONAL [3-D] OBJECTS BY ADDITIVE DEPOSITION, ADDITIVE AGGLOMERATION OR ADDITIVE LAYERING, e.g. BY 3-D PRINTING, STEREOLITHOGRAPHY OR SELECTIVE LASER SINTERING
- B33Y70/00—Materials specially adapted for additive manufacturing
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B22—CASTING; POWDER METALLURGY
- B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
- B22F1/00—Metallic powder; Treatment of metallic powder, e.g. to facilitate working or to improve properties
- B22F1/16—Metallic particles coated with a non-metal
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B22—CASTING; POWDER METALLURGY
- B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
- B22F1/00—Metallic powder; Treatment of metallic powder, e.g. to facilitate working or to improve properties
- B22F1/17—Metallic particles coated with metal
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B22—CASTING; POWDER METALLURGY
- B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
- B22F1/00—Metallic powder; Treatment of metallic powder, e.g. to facilitate working or to improve properties
- B22F1/05—Metallic powder characterised by the size or surface area of the particles
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
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- B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
- B22F10/00—Additive manufacturing of workpieces or articles from metallic powder
- B22F10/20—Direct sintering or melting
- B22F10/28—Powder bed fusion, e.g. selective laser melting [SLM] or electron beam melting [EBM]
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
- C01B33/02—Silicon
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C1/00—Making non-ferrous alloys
- C22C1/04—Making non-ferrous alloys by powder metallurgy
- C22C1/0425—Copper-based alloys
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C9/00—Alloys based on copper
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B22—CASTING; POWDER METALLURGY
- B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
- B22F2301/00—Metallic composition of the powder or its coating
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
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- B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
- B22F2304/00—Physical aspects of the powder
- B22F2304/10—Micron size particles, i.e. above 1 micrometer up to 500 micrometer
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
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- B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
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Description
本発明は、Ｓｉ被膜を有する銅合金粉及びその製造方法に関する。
近年３Ｄプリンタ技術を用いて、複雑形状で造形が難しいとされる立体構造の金属部品を作製する試みが行われている。３Ｄプリンタは積層造形（ＡＭ）法とも呼ばれ、その方法の１つとして、基板上に金属粉末を薄く敷き詰めて金属粉末層を形成し、この金属粉末層に２次元データを基に選択的にレーザービーム又は電子ビームを走査して、溶融、凝固させ、さらにその上に、新たな粉末を薄く敷き詰め、同様にレーザービーム又は電子ビームを走査して、溶融、凝固させ、これを繰り返し行うことで複雑形状の金属造形物を作製する方法である。
積層造形物として、導電率や熱伝導率に優れた純銅粉末や銅合金粉末を用いる取り組みが行われている。この場合、純銅粉末及び銅合金粉末にレーザービームを照射して、積層造形するが、純銅粉末及び銅合金粉末はレーザー吸収率が低く、また、熱伝導率が高く、熱の逃げが大きいため、通常のレーザー出力では純銅粉末及び銅合金粉末を十分に溶融できず、積層造形が困難という問題があった。また、純銅粉末及び銅合金粉末を溶融させるために、ハイパワーレーザーを用いて、長時間照射することも考えられるが、その場合、レーザーの負荷が大きく、生産性が悪いという問題があった。
特許文献１には、レーザーの吸収率を高めるために、銅のアトマイズ粉を酸化雰囲気で加熱することで酸化被膜を設ける技術が開示されている。特許文献１は、酸化被膜によりレーザー吸収率を高めることができるという優れた技術であるが、一方、造形中にスラグ（酸化銅）を形成し、溶融せずに残存して、最終的に積層造形物内に空隙（ポア）を生じさせて、密度を低下させるということがあった。さらに酸化の度合いによって、レーザー吸収率が変化するために、レーザー条件などを都度、調整する必要が生じた。
また、特許文献２には、造形用粉末として、銅（Ｃｕ）に、所定量のクロム（Ｃｒ）を添加した銅合金粉末を用いることにより、純銅よりも熱伝導率が低下させて、造形を容易にする技術が記載されている。このように銅に合金元素を添加することで、造形は純銅の造形時よりも容易になるが、銅合金の製品として使用するためには十分な密度や導電率を達成できない問題があった。
本発明は、レーザービーム方式による積層造形に用いる銅合金粉末であって、レーザー吸収率をより高くすることができ、かつ、ネッキングを通じた熱伝導を抑制できる、銅合金粉末及びその製造方法を提供することを課題とする。
本発明の一態様は、Ｃｒ、Ｚｒ、Ｎｂのうちいずれか一種以上の元素を合計１５ｗｔ％以下含有し、残部がＣｕ及び不可避的不純物からなる銅合金粉末であって、前記銅合金粉
末にＳｉ原子を含む被膜が形成され、前記被膜が形成された銅合金粉末において、Ｓｉ濃度が５ｗｔｐｐｍ以上、７００ｗｔｐｐｍ以下であることを特徴とする銅合金粉末である。
末にＳｉ原子を含む被膜が形成され、前記被膜が形成された銅合金粉末において、Ｓｉ濃度が５ｗｔｐｐｍ以上、７００ｗｔｐｐｍ以下であることを特徴とする銅合金粉末である。
本発明の別の一態様は、Ｃｒを１５ｗｔ％以下含有し、残部Ｃｕ及び不可避的不純物からなる銅合金粉末であって、前記銅合金粉末にＳｉ原子を含む被膜が形成され、前記被膜が形成された銅合金粉末において、Ｓｉ濃度が５ｗｔｐｐｍ以上、７００ｗｔｐｐｍ以下であることを特徴とする銅合金粉末。
本発明の別の一態様として、Ｃｒを８ｗｔ％以下、Ｎｂを７ｗｔ％以下含有し、残部Ｃｕ及び不可避的不純物からなる銅合金粉末であって、前記銅合金粉末にＳｉ原子を含む被膜が形成され、前記被膜が形成された銅合金粉末において、Ｓｉ濃度が５ｗｔｐｐｍ以上、７００ｗｔｐｐｍ以下であることを特徴とする銅合金粉末、を提供する。
本発明の別の一態様として、Ｃｒを１２ｗｔ％以下、Ｚｒを３ｗｔ％以下、含有し、残部Ｃｕ及び不可避的不純物からなる銅合金粉末であって、前記銅合金粉末にＳｉ原子を含む被膜が形成され、前記被膜が形成された銅合金粉末において、Ｓｉ濃度が５ｗｔｐｐｍ以上、７００ｗｔｐｐｍ以下であることを特徴とする銅合金粉末。
本発明によれば、レーザービーム方式による積層造形において、該積層造形に用いる金属粉末のレーザーの吸収率をより向上させることができ、かつ、ネッキングを通じた熱伝導を抑制できる。これにより、緻密な（高い相対密度を有する）積層造形物を作製できることが期待できる。また、低出力のレーザービームによっても、十分に金属粉末を溶融させることができることとなり、レーザーへの負荷の軽減が期待できる。
レーザービーム方式による積層造形で純銅や銅合金粉末を造形する場合、銅はレーザー吸収率が低いため十分な入熱ができず、粉末が溶融しきれない問題があった。また、銅は熱伝導率が高いため、造形範囲が溶融しきれない可能性があった。このようなことから、純銅に酸化処理することでレーザーの吸収率を向上させる取り組み（特許文献１）や純銅に異種金属を添加して合金化することで、熱伝導率を低下させる取り組み（特許文献２）が行われている。
上記いずれの取り組みも、金属粉末をレーザービーム溶融させる上である程度の効果があるものの、レーザー吸収率の向上が十分なものとは言いがたく、高密度の積層造形物を製造するためには、他の条件（レーザー出力、スキャン速度等の条件）を調整する必要があった。本発明者は、このような問題について鋭意研究したところ、銅合金粉末に所定量のＳｉの被膜を形成することで、レーザー吸収率をより高めることができ、また、銅合金粉末同士のネッキングの形成を抑制でき、ネッキングを通じた熱逃げ（熱伝導）を制限できるとの知見が得られた。
レーザービーム方式による積層造形において、レーザー吸収率の向上は、効率的な入熱を行うことが期待できる。また、ネッキングを通じた熱逃げの抑制は、銅合金粉末を効率よく溶融させることができ、より高密度で高精細な積層造形物を得ることが期待できる。さらに、低レーザー出力で高密度の積層造形物が得られるため、レーザーの負荷低減を期待できる。
レーザービーム方式による積層造形において、レーザー吸収率の向上は、効率的な入熱を行うことが期待できる。また、ネッキングを通じた熱逃げの抑制は、銅合金粉末を効率よく溶融させることができ、より高密度で高精細な積層造形物を得ることが期待できる。さらに、低レーザー出力で高密度の積層造形物が得られるため、レーザーの負荷低減を期待できる。
以下の説明では、本発明の理解を深めるために、本実施形態について、ある程度詳細に説明するが、添付の特許請求の範囲内でいくらかの変更及び変形をおこなってもよいことは明らかである。また、本実施形態は、本明細書に示した詳細に限定されないことはいう
までもない。
までもない。
本実施形態に係る銅合金粉末として、Ｃｒ、Ｚｒ、Ｎｂのうち、いずれか一種以上の元素を合計１５ｗｔ％以下含有し、残部がＣｕ及び不可避的不純物からなる銅合金粉末であって、前記銅合金粉末にＳｉ原子を含む被膜が形成され、前記被覆された銅合金粉末において、Ｓｉ濃度が５ｗｔｐｐｍ以上、７００ｗｔｐｐｍ以下であることを特徴とする。前記合金元素の合計含有量が１５ｗｔ％以下であれば、導電率の不必要な低下を防止することができる。
好ましくは、以下に掲げる銅合金粉末を用いることができる。
１）Ｃｒを１５ｗｔ％以下含有し、残部Ｃｕ及び不可避的不純物からなる銅合金粉末。
２）Ｃｒを８ｗｔ％以下、Ｎｂを７ｗｔ％以下含有し、残部Ｃｕ及び不可避的不純物からなる銅合金粉末。
３）Ｃｒを１２ｗｔ％以下、Ｚｒを３ｗｔ％以下含有し、残部Ｃｕ及び不可避的不純物からなる銅合金粉末。
４）Ｚｒを３ｗｔ％以下含有し、残部Ｃｕ及び不可避的不純物からなる銅合金粉末。
１）Ｃｒを１５ｗｔ％以下含有し、残部Ｃｕ及び不可避的不純物からなる銅合金粉末。
２）Ｃｒを８ｗｔ％以下、Ｎｂを７ｗｔ％以下含有し、残部Ｃｕ及び不可避的不純物からなる銅合金粉末。
３）Ｃｒを１２ｗｔ％以下、Ｚｒを３ｗｔ％以下含有し、残部Ｃｕ及び不可避的不純物からなる銅合金粉末。
４）Ｚｒを３ｗｔ％以下含有し、残部Ｃｕ及び不可避的不純物からなる銅合金粉末。
銅（Ｃｕ）を合金化することで、純銅からなる積層造形物に比べて機械特性の向上も見込める。一方、合金元素の含有量が大きすぎる場合、粗大な金属間化合物等が析出し、積層造形物の機械特性や導電率を損なうことにつながる。積層造形物の機械特性や導電率を損なうことがない合金元素の含有量は、Ｃｒが１５ｗｔ％以下、Ｎｂが７ｗｔ％以下、Ｚｒが３ｗｔ％以下である。したがって、それぞれの合金元素の含有量を上記数値範囲内とすることで、機械特性と導電率を大きく低下させないことが見込まれる。また、これまでの知見により、Ｎｉ、Ｓｉ、Ｗ、Ｍｏも、上記と同様の効果を期待できる合金元素の候補になると見込まれる。
本実施形態に係る銅合金粉末は、Ｓｉ原子を含む被膜が形成されていることを特徴とする。Ｓｉ原子を含む被膜が形成されていることは、銅合金粉末の断面をＳＴＥＭ（走査透過型電子顕微鏡）で観察したとき、銅合金粉末の表面付近にＳｉを含み、金属元素を含まない被膜が存在することを確認することで判断できる。ＳＴＥＭとして、日本電子製、ＪＥＭ２１００Ｆを用いることができる。
本実施形態に係る銅合金粉末は、Ｓｉ原子を含む被膜が形成された銅合金粉であって、該被膜が形成された銅合金粉末において、Ｓｉ濃度が５ｗｔｐｐｍ以上７００ｗｔｐｐｍ以下ことを特徴とする。銅合金粉の表面に上記濃度のＳｉ原子を含む被膜を形成することにより、レーザー吸収率の向上が期待できる。Ｓｉ濃度が５ｗｔｐｐｍ未満の場合、レーザー吸収率の向上が不十分であり、一方、Ｓｉ濃度が７００ｗｔｐｐｍ超の場合、造形物の導電率や密度の低下を引き起こす可能性があるため、Ｓｉ濃度は７００ｗｔｐｐｍ以下にすることが好ましい。
本実施形態に係るＳｉ原子を含む被膜が形成された銅合金粉末において、Ｓｉは化合物の形態として存在している好ましく、ＳｉＯ２となっていることがより好ましい。Ｓｉが単体で存在している場合、造形後にＳｉが拡散してしまい、導電率を低下させる可能性があるためである。Ｓｉは化合物であって、より安定したＳｉＯ２として存在することで、導電率の低下を最小限に抑えることが期待できる。粉末表面に存在するＳｉの化学結合状態を分析する手法として、ＸＰＳ（Ｘ線光電子分光法）が挙げられる。
本実施形態に係る銅合金粉末をＸＰＳ分析によりＳｉ（２ｐ）スペクトルを解析したとき、結合エネルギー：１０１～１０５ｅＶに最大ピーク強度が存在することが好ましい。Ｓｉが単体の場合には、結合エネルギー：９８～１００ｅＶに最大ピーク強度を検出する
のに対して、Ｓｉの化合物の場合には、結合エネルギー：１０１～１０５ｅＶに最大ピーク強度が検出される。特にＳｉＯ２が存在する場合は、結合エネルギー：１０３ｅＶに最大ピーク強度を検出される。
のに対して、Ｓｉの化合物の場合には、結合エネルギー：１０１～１０５ｅＶに最大ピーク強度が検出される。特にＳｉＯ２が存在する場合は、結合エネルギー：１０３ｅＶに最大ピーク強度を検出される。
本実施形態の銅合金粉末において、酸素濃度が２０００ｗｔｐｐｍ以下であることが好ましい。より好ましくは１０００ｗｔｐｐｍ以下である。酸素濃度が高い場合、レーザービームによる積層造形時に、スラグ（酸化物）が残存することにより、最終的に得られる積層造形物の密度を低下させることにつながる。また、造形物中に酸素があることで、機械特性の低下を引き起こす可能性がある。銅合金粉末中の酸素濃度を低減させることにより、そのようなポアの形成を抑制することができ、高密度の積層造形物を得ることが可能となる。
本実施形態に係る銅合金粉末をＸＰＳでＣｕＬＭＭスペクトルを解析したとき、結合エネルギー：５６９～５７１ｅＶに最大ピーク強度が存在することが好ましい。銅が単体の場合は、結合エネルギー：５６８ｅＶ以下に最大ピーク強度が現れるのに対して、酸化銅（Ｉ）及び酸化銅（ＩＩ）は、結合エネルギー：５６９～５７１ｅＶに最大ピーク強度が出現する。銅は酸化銅としての形態をとることでレーザー吸収率がさらに良くなり、造形性を向上させる可能性があるため、銅合金粉末表面の銅は、酸化銅（Ｉ）、あるいは酸化銅（ＩＩ）の形態で存在することが好ましい。
本実施形態に係る銅合金粉末において、炭素は耐熱性のある構造を持つことが好ましく、グラファイト構造を有することがより好ましい。炭素を含有することで、粉末の熱伝導率を下げることができ、熱の逃げを抑制できる。そして、炭素が耐熱性のある構造を有することで、造形中も放熱抑制をすることができる。特にグラファイト構造を有することによって、レーザー吸収率を高めることができ、造形性を向上させる可能性がある。但し、耐熱性のない有機物などは造形中に消失しやすく放熱を抑制しにくいということがある。
炭素の存在状態を分析する手法としてラマン分光法が挙げられる。ラマン測定は上記ＸＰＳと同様、表面の原子の結合状態を確認でき、特に炭素の結合に関して、より詳細な分析が可能である。本実施形態に係る銅合金粉末をラマン分光法で測定した際、ラマンシフト：１０００～２０００ｃｍ－１の間の最大散乱強度値がラマンシフト：１２００～１８５０ｃｍ－１に確認できることが好ましい。より好ましくは、ラマンシフト：１３００～１７００ｃｍ－１に最大散乱強度を確認できることである。ラマンシフト：１３００～１７００ｃｍ－１に最大散乱強度が現れることで、グラファイト構造を有すると判断することができる。
本実施形態は、前記銅合金粉末において、平均粒子径Ｄ５０（メジアン径）を１０μｍ以上１５０μｍ以下とすることが好ましい。平均粒子径Ｄ５０を１０μｍ以上とすることにより、造形時に粉末が舞い難くなり、粉末の取り扱いが容易になる。一方、平均粒子径Ｄ５０を１５０μｍ以下とすることにより、高精細な積層造形物の製造が容易となる。なお、本明細書中、平均粒子径Ｄ５０とは画像分析測定された粒度分布において、積算値５０％での平均粒子径を意味する。
本実施形態に係る銅合金粉末を用いて作製した積層造形物は高導電率等の優れた物性を有することが期待できる。一般に積層造形物の密度が低い場合、積層造形物内に異物が入るため、導電率や機械特性も低くなり、諸物性を悪化させるが、本実施形態に係る銅合金粉末を用いた場合には、低出力で相対密度９５％以上の積層造形物を作製することが期待でき、優れた物性を有する積層造形物の製造が期待できる。
次に、本実施形態に係る銅合金粉末の製造方法について、説明する。
まず、必要量の銅合金粉末（Ｃｕ－Ｃｒ、Ｃｕ－Ｃｒ－Ｚｒ、Ｃｕ－Ｃｒ－Ｎｂ等）を準備する。銅合金粉末は平均粒子径Ｄ５０（メジアン径）が１０～１５０μｍのものを用いることが好ましい。平均粒子径は、篩別することで目標とする粒度のものを得ることができる。なお、銅合金粉末は、アトマイズ法を用いて作製することができるが、他の方法で作製されたものでもよく、この方法で作製されたものに限定されない。
まず、必要量の銅合金粉末（Ｃｕ－Ｃｒ、Ｃｕ－Ｃｒ－Ｚｒ、Ｃｕ－Ｃｒ－Ｎｂ等）を準備する。銅合金粉末は平均粒子径Ｄ５０（メジアン径）が１０～１５０μｍのものを用いることが好ましい。平均粒子径は、篩別することで目標とする粒度のものを得ることができる。なお、銅合金粉末は、アトマイズ法を用いて作製することができるが、他の方法で作製されたものでもよく、この方法で作製されたものに限定されない。
次に、必要に応じて銅合金粉末に前処理を行う。銅合金粉末には、通常自然酸化膜が形成されているため、目的とする結合が形成され難いことがある。したがって、必要に応じて事前にこの酸化膜を除去（酸洗）することができる。除去方法としては、例えば、希硫酸水溶液に銅合金粉末を浸漬することで、自然酸化膜を除去することができる。酸洗後は、所望により純水によって洗浄することができる。なお、以上の前処理は銅合金粉末に自然酸化膜が形成されている場合に行う処理であって、全ての銅合金粉末に対して、この前処理を施す必要はない。
次に、銅合金粉末の表面にＳｉ原子を含む被膜を形成するために、シランカップリング剤などを含む溶液に前記銅合金粉末を浸漬させる。溶液温度（表面処理温度）は５℃～８０℃とするのが好ましい。溶液温度５℃未満であると、Ｓｉの被覆率が低くなる。また、浸漬時間が長いほど付着するＳｉ濃度は多くなることから、目的とするＳｉ濃度に合わせて浸漬時間を調整するのが好ましい。シランカップリング剤としては、一般に市販されているシランカップリング剤を用いることができ、アミノシラン、ビニルシラン、エポキシシラン、メルカプトシラン、メタクリルシラン、ウレイドシラン、アルキルシラン、カルボキシル基含有のシランなどを用いることができる。
シランカップリング剤などを含む溶液として、純水で希釈した０．１～３０％の水溶液を用いることができる。溶液の濃度が高いほどＳｉ濃度が多くなることから、目的とするＳｉ濃度に合わせて濃度を調整するのが好ましい。また、所望に撹拌しながら、上記表面処理を行ってもよい。浸漬処理後は、真空又は大気中で加熱して、カップリング反応を起こさせ、その後、乾燥させることで、Ｓｉ原子を含む被膜を形成する。乾燥温度は、使用するカップリング剤により異なるが、例えば７０℃～１２０℃とすることができる。
次に、Ｓｉ原子を含む被膜が形成された銅合金粉末を熱処理して、比較的低温で分解する有機物を除去することができる。比較的低温で分解する有機物が粉末に残っていた場合、造形時の熱伝導で被膜が変質する可能性があり、繰り返して粉末を使用できない可能性がある。熱処理温度は、Ｓｉが多い場合には高めの熱処理温度とし、Ｓｉが少ない場合には熱処理温度を低くすることが望ましく、例えば、４００℃以上、１０００℃以下とすることができる。熱処理温度が４００℃未満の場合には十分に有機物を除去することができないことがある。一方、熱処理温度が１０００℃を超える場合には、焼結の進行が早く粉末の状態を維持することができないことがある。また、加熱は真空中（１０－３Ｐａ程度）で行うことができる。
温度と共に加熱時間を調整することが好ましく、例えば、１２時間未満とすることが好ましい。加熱時間を１２時間未満とすることで、比較的低温で分解する有機物を除去ができ、かつ高温でも耐えうる炭素化合物を残すことができる。加熱時間が長い場合、炭素が消失しすぎてしまい、保管時に酸化が進行していく可能性がある。
以上により、Ｓｉ原子を含む被膜が形成された銅合金粉末であって、所望のＳｉ濃度、酸素濃度、を有する銅合金粉末を得ることができる。
以上により、Ｓｉ原子を含む被膜が形成された銅合金粉末であって、所望のＳｉ濃度、酸素濃度、を有する銅合金粉末を得ることができる。
銅合金粉末の評価方法は、以下の方法を用いることができる。
（Ｓｉ濃度について）
メーカー：ＳＩＩ社製
装置名：ＳＰＳ３５００ＤＤ
分析法：ＩＣＰ－ＯＥＳ（高周波誘導結合プラズマ発光分析法）
測定サンプル量：１ｇ
測定回数：２回として、その平均値を濃度とする。
（Ｓｉ濃度について）
メーカー：ＳＩＩ社製
装置名：ＳＰＳ３５００ＤＤ
分析法：ＩＣＰ－ＯＥＳ（高周波誘導結合プラズマ発光分析法）
測定サンプル量：１ｇ
測定回数：２回として、その平均値を濃度とする。
（酸素濃度について）
メーカー：ＬＥＣＯ社製
装置名：ＯＮＨ分析装置
分析法：非分散型赤外線吸収法
測定サンプル量：１ｇ
測定回数：２回として、その平均値を濃度とする。
メーカー：ＬＥＣＯ社製
装置名：ＯＮＨ分析装置
分析法：非分散型赤外線吸収法
測定サンプル量：１ｇ
測定回数：２回として、その平均値を濃度とする。
（Ｓｉの結合状態について）
Ｓｉが単体で存在しているか、化合物で存在しているかはＸＰＳにより確かめることができる。ＸＰＳによりＳｉの２ｐスペクトルを確認し、結合エネルギー：１０１～１０５ｅＶに最大ピーク強度が存在した場合、Ｓｉの化合物が存在すると判断する。
Ｓｉが単体で存在しているか、化合物で存在しているかはＸＰＳにより確かめることができる。ＸＰＳによりＳｉの２ｐスペクトルを確認し、結合エネルギー：１０１～１０５ｅＶに最大ピーク強度が存在した場合、Ｓｉの化合物が存在すると判断する。
（銅と酸素の結合について）
酸化銅の存在はＸＰＳにより確かめることができる。ＸＰＳによりＣｕのＬＭＭスペクトルを確認し、結合エネルギー：５６９～５７１ｅＶに最大ピーク強度が存在する場合、酸化銅が存在すると判断する。
酸化銅の存在はＸＰＳにより確かめることができる。ＸＰＳによりＣｕのＬＭＭスペクトルを確認し、結合エネルギー：５６９～５７１ｅＶに最大ピーク強度が存在する場合、酸化銅が存在すると判断する。
（炭素の結合について）
グラファイト構造の存在は、ラマン分光法により確認することができる。ラマン分光測定によりラマンシフト：１３５０～１６５０ｃｍ‐１に最大散乱強度値が存在した場合グラファイト構造が存在すると判断する。
グラファイト構造の存在は、ラマン分光法により確認することができる。ラマン分光測定によりラマンシフト：１３５０～１６５０ｃｍ‐１に最大散乱強度値が存在した場合グラファイト構造が存在すると判断する。
（レーザー吸収率について）
銅合金粉末のレーザー吸収率は、以下の装置を用いて分析を行う。
メーカー：島津製作所株式会社
装置名：分光光度計（ＭＰＣ－３１００、粉末ホルダー使用）
測定波長：３００－１５００ｍｍ
スリット幅：２０ｎｍ
リファレンス：ＢａＳＯ４
測定物性値：反射率
吸収率（％）＝１－（反射率（％））
銅合金粉末のレーザー吸収率は、以下の装置を用いて分析を行う。
メーカー：島津製作所株式会社
装置名：分光光度計（ＭＰＣ－３１００、粉末ホルダー使用）
測定波長：３００－１５００ｍｍ
スリット幅：２０ｎｍ
リファレンス：ＢａＳＯ４
測定物性値：反射率
吸収率（％）＝１－（反射率（％））
（熱拡散抑制の評価：ネッキング形成）
熱拡散の抑制について、ネッキング形成の観点から評価を行うことができる。加熱によりネッキング（部分焼結）が進行した粉は、粉末同士が結合してサイズが大きくなるため、所定サイズの篩を通ることができない。したがって、篩を通ることができれば、加熱による焼結抑制効果の発現があると判断することができる。その検証として例えばφ５０ｍｍのアルミナ坩堝に５０ｇの銅合金粉末を入れ、真空度１×１０－３Ｐａ以下の雰囲気で、８００℃、４時間、加熱し、加熱後の銅合金粉末が目開き１５０μｍの篩を通過するかどうかを確認し、ふるいを通過する重量が９５％以上のものを〇、それ以下のものを×、と判定する。
熱拡散の抑制について、ネッキング形成の観点から評価を行うことができる。加熱によりネッキング（部分焼結）が進行した粉は、粉末同士が結合してサイズが大きくなるため、所定サイズの篩を通ることができない。したがって、篩を通ることができれば、加熱による焼結抑制効果の発現があると判断することができる。その検証として例えばφ５０ｍｍのアルミナ坩堝に５０ｇの銅合金粉末を入れ、真空度１×１０－３Ｐａ以下の雰囲気で、８００℃、４時間、加熱し、加熱後の銅合金粉末が目開き１５０μｍの篩を通過するかどうかを確認し、ふるいを通過する重量が９５％以上のものを〇、それ以下のものを×、と判定する。
（実施例１、比較例１）
金属粉として、アトマイズ法で作製したＣｕＣｒＮｂ粉を用意した。平均粒子径（Ｄ５０）は、実施例１では６６μｍ、比較例１では６８μｍであった。次に、実施例１では、
ＣｕＣｒＮｂ粉を純水で希釈したジアミノシランカップリング剤水溶液（５％）に６０分間浸漬した後、大気中、８０℃で乾燥させた。乾燥後、ＣｕＣｒＮｂ粉を真空中、８００℃で熱処理した。一方、比較例１は、表面処理を含む一連の処理をしていない。
金属粉として、アトマイズ法で作製したＣｕＣｒＮｂ粉を用意した。平均粒子径（Ｄ５０）は、実施例１では６６μｍ、比較例１では６８μｍであった。次に、実施例１では、
ＣｕＣｒＮｂ粉を純水で希釈したジアミノシランカップリング剤水溶液（５％）に６０分間浸漬した後、大気中、８０℃で乾燥させた。乾燥後、ＣｕＣｒＮｂ粉を真空中、８００℃で熱処理した。一方、比較例１は、表面処理を含む一連の処理をしていない。
上記の処理によって得られたＣｕＣｒＮｂ粉について、各種の分析を行った結果、実施例１では、Ｓｉの被膜が存在し、酸化銅が形成され、グラファイト構造を持つカーボンを確認したが、比較例１では、これらを確認することができなかった。さらに、実施例１では、レーザー吸収率が５０％以上で、「ネッキング形成の抑制（熱拡散抑制）」の結果も良好な結果を示したのに対して、比較例１では、レーザー吸収率が低く、「ネッキング形成の抑制」も良好な結果を示さなかった。
次に、実施例１、比較例１のＣｕＣｒＮｂ粉末を用いて、レーザーデポジション方式により積層造形物を作製した。どちらも高密度の造形物を得られたが、その際の出力を測定したところ、実施例１の造形はより低出力で行うことができた。このことから、処理によって被膜が形成されたＣｕＣｒＮｂ粉を用いることで、造形時のレーザーへの負荷を低減できると考えられる。以上の結果をまとめたものを表１に示す。
（実施例２、３、比較例２）
金属粉として、アトマイズ法で作製したＣｕＣｒＺｒ粉を用意した。平均粒子径（Ｄ５
０）は、実施例２では６４μｍ、実施例３は６５μｍ、比較例２は６７μｍであった。次に、実施例２では、純水で希釈したジアミノシランカップリング剤水溶液（５％）にＣｕＣｒＺｒ粉を６０分間浸漬した後、大気中、８０℃で乾燥させた。乾燥後、ＣｕＣｒＺｒ粉を真空中、８００℃で熱処理した。実施例３では、純水で希釈したエポキシシランカップリング剤水溶液（５％）にＣｕＣｒＺｒ粉を６０分間浸漬した後、大気中、８０℃で乾燥させた。なお、実施例３では熱処理は施していない。一方、比較例２は、表面処理を含む一連の処理をしていない。
金属粉として、アトマイズ法で作製したＣｕＣｒＺｒ粉を用意した。平均粒子径（Ｄ５
０）は、実施例２では６４μｍ、実施例３は６５μｍ、比較例２は６７μｍであった。次に、実施例２では、純水で希釈したジアミノシランカップリング剤水溶液（５％）にＣｕＣｒＺｒ粉を６０分間浸漬した後、大気中、８０℃で乾燥させた。乾燥後、ＣｕＣｒＺｒ粉を真空中、８００℃で熱処理した。実施例３では、純水で希釈したエポキシシランカップリング剤水溶液（５％）にＣｕＣｒＺｒ粉を６０分間浸漬した後、大気中、８０℃で乾燥させた。なお、実施例３では熱処理は施していない。一方、比較例２は、表面処理を含む一連の処理をしていない。
上記の処理によって得られたＣｕＣｒＺｒ粉について、各種の分析を行った結果、実施例２、３では、Ｓｉの被膜が存在し、酸化銅が形成され、実施例２では、グラファイト構造を持つカーボンを確認したが、比較例２では、これらを確認することができなかった。さらに、実施例２、３では、レーザー吸収率が４０％以上で、「ネッキング形成の抑制（熱拡散抑制）」の結果も良好な結果を示したのに対して、比較例２では、レーザー吸収率が低く、「ネッキング形成の抑制」も良好な結果を示さなかった。以上の通り、実施例２、３については、実施例１と同様の分析結果が得られていることから、これらについても低出力で高密度の造形物が作製できることが期待でき、そして、造形時のレーザーへの負荷を低減できると考えられる。以上の分析結果をまとめたものを表１に示す。
本発明によれば、レーザービーム方式による積層造形において、レーザーの吸収率向上、ネッキング形成を抑制することでの熱伝導の抑制が可能となる。これにより、積層造形物の密度向上やレーザー装置の負荷の低減を期待できるという優れた効果を有する。本実施形態に係る銅合金粉末は、金属３Ｄプリンタ用の銅合金粉として特に有用である。
Claims (9)
- Ｃｒ、Ｚｒ、Ｎｂのうちいずれか一種以上の元素を合計１５ｗｔ％以下含有し、残部がＣｕ及び不可避的不純物からなる銅合金粉末であって、前記銅合金粉末にＳｉ原子を含む被膜が形成され、前記被膜が形成された銅合金粉末において、Ｓｉ濃度が５ｗｔｐｐｍ以上、７００ｗｔｐｐｍ以下であり、ＸＰＳ分析によりＣｕのＬＭＭスペクトルを解析したとき、結合エネルギー：５６９～５７１ｅＶに最大ピーク強度が存在することを特徴とする銅合金粉末。
- Ｃｒを１５ｗｔ％以下含有し、残部Ｃｕ及び不可避的不純物からなる銅合金粉末であって、前記銅合金粉末にＳｉ原子を含む被膜が形成され、前記被膜が形成された銅合金粉末において、Ｓｉ濃度が５ｗｔｐｐｍ以上、７００ｗｔｐｐｍ以下であり、ＸＰＳ分析によりＣｕのＬＭＭスペクトルを解析したとき、結合エネルギー：５６９～５７１ｅＶに最大ピーク強度が存在することを特徴とする銅合金粉末。
- Ｃｒを１２ｗｔ％以下、Ｚｒを３ｗｔ％以下、含有し、残部Ｃｕ及び不可避的不純物からなる銅合金粉末であって、前記銅合金粉末にＳｉ原子を含む被膜が形成され、前記被膜が形成された銅合金粉末において、Ｓｉ濃度が５ｗｔｐｐｍ以上、７００ｗｔｐｐｍ以下であり、ＸＰＳ分析によりＣｕのＬＭＭスペクトルを解析したとき、結合エネルギー：５６９～５７１ｅＶに最大ピーク強度が存在することを特徴とする銅合金粉末。
- Ｃｒを８ｗｔ％以下、Ｎｂを７ｗｔ％以下、含有し、残部Ｃｕ及び不可避的不純物からなる銅合金粉末であって、前記銅合金粉末にＳｉ原子を含む被膜が形成され、前記被膜が形成された銅合金粉末において、Ｓｉ濃度が５ｗｔｐｐｍ以上、７００ｗｔｐｐｍ以下であり、ＸＰＳ分析によりＣｕのＬＭＭスペクトルを解析したとき、結合エネルギー：５６９～５７１ｅＶに最大ピーク強度が存在することを特徴とする銅合金粉末。
- 前記Ｓｉ原子を含む被膜が形成された銅合金粉末において、酸素濃度が２０００ｗｔｐｐｍ以下であることを特徴とする請求項１～４のいずれか一項に記載の銅合金粉末。
- 前記Ｓｉ原子を含む被膜が形成された銅合金粉末において、ＸＰＳ分析によりＳｉの２ｐスペクトルを解析したとき、結合エネルギー：１０１～１０５ｅＶに最大ピーク強度が存在する請求項１～５のいずれか一項に記載の銅合金粉末。
- 前記Ｓｉ原子を含む被膜が形成された銅合金粉末において、ラマン分析により解析したとき、ラマンシフト：１０００～２０００ｃｍ－１の範囲の最大散乱強度値が１２００～１８５０ｃｍ－１に存在する請求項１～６のいずれか一項に記載の銅合金粉末。
- 前記銅合金粉末において、平均粒子径Ｄ５０（メジアン径）が１０μｍ以上１５０μｍ以下であることを特徴とする請求項１～７のいずれか一項に記載の銅合金粉末。
- 請求項１～８のいずれか一項に記載の銅合金粉末の製造方法であって、シラン系カップリング剤を含む溶液に銅合金粉末を浸漬して、当該銅合金粉末にＳｉ原子を含む被膜を形成後、１０００℃以下で加熱することを特徴とする銅合金粉末の製造方法。
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2020110405 | 2020-06-26 | ||
| JP2020110405 | 2020-06-26 | ||
| PCT/JP2021/024219 WO2021261591A1 (ja) | 2020-06-26 | 2021-06-25 | Ｓｉ被膜を有する銅合金粉及びその製造方法 |
| JP2022532554A JP7192161B2 (ja) | 2020-06-26 | 2021-06-25 | Ｓｉ被膜を有する銅合金粉及びその製造方法 |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2022532554A Division JP7192161B2 (ja) | 2020-06-26 | 2021-06-25 | Ｓｉ被膜を有する銅合金粉及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2023025225A JP2023025225A (ja) | 2023-02-21 |
| JP7377337B2 true JP7377337B2 (ja) | 2023-11-09 |
Family
ID=79281441
Family Applications (3)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2022532554A Active JP7192161B2 (ja) | 2020-06-26 | 2021-06-25 | Ｓｉ被膜を有する銅合金粉及びその製造方法 |
| JP2022195931A Active JP7377338B2 (ja) | 2020-06-26 | 2022-12-07 | Ｓｉ被膜を有する銅合金粉及びその製造方法 |
| JP2022195930A Active JP7377337B2 (ja) | 2020-06-26 | 2022-12-07 | Ｓｉ被膜を有する銅合金粉及びその製造方法 |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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Country Status (8)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US11872624B2 (ja) |
| EP (1) | EP4032639A4 (ja) |
| JP (3) | JP7192161B2 (ja) |
| KR (1) | KR20220081373A (ja) |
| CN (1) | CN114765968A (ja) |
| CA (1) | CA3158633C (ja) |
| TW (1) | TWI765758B (ja) |
| WO (1) | WO2021261591A1 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2024090449A1 (ja) * | 2022-10-24 | 2024-05-02 | 三菱マテリアル株式会社 | 金属ａｍ銅合金粉末および積層造形物の製造方法 |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006028565A (ja) | 2004-07-14 | 2006-02-02 | Ishihara Sangyo Kaisha Ltd | 金属質粒子の製造方法 |
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| CN109794602A (zh) | 2019-01-29 | 2019-05-24 | 西安国宏天易智能科技有限公司 | 一种用于增材制造的铜合金粉末及其制备方法和应用 |
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| WO2019239655A1 (ja) | 2018-06-14 | 2019-12-19 | 古河電気工業株式会社 | 銅合金粉末、積層造形物および積層造形物の製造方法ならびに各種金属部品 |
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| JP6722838B1 (ja) | 2018-12-27 | 2020-07-15 | Ｊｘ金属株式会社 | Ｓｉの被膜を有する純銅粉及びその製造方法並びに該純銅粉を用いた積層造形物 |
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| CN110029245A (zh) * | 2019-05-10 | 2019-07-19 | 长沙新材料产业研究院有限公司 | 一种铜合金粉末及其制备方法、应用 |
-
2021
- 2021-06-25 CN CN202180006563.XA patent/CN114765968A/zh active Pending
- 2021-06-25 JP JP2022532554A patent/JP7192161B2/ja active Active
- 2021-06-25 CA CA3158633A patent/CA3158633C/en active Active
- 2021-06-25 KR KR1020227015638A patent/KR20220081373A/ko active Search and Examination
- 2021-06-25 US US17/771,552 patent/US11872624B2/en active Active
- 2021-06-25 TW TW110123465A patent/TWI765758B/zh active
- 2021-06-25 EP EP21827563.4A patent/EP4032639A4/en active Pending
- 2021-06-25 WO PCT/JP2021/024219 patent/WO2021261591A1/ja unknown
-
2022
- 2022-12-07 JP JP2022195931A patent/JP7377338B2/ja active Active
- 2022-12-07 JP JP2022195930A patent/JP7377337B2/ja active Active
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| JP2019173058A (ja) | 2018-03-27 | 2019-10-10 | Ｊｘ金属株式会社 | 被膜が形成された金属粉及びその製造方法並びに該金属粉を用いた積層造形物 |
| WO2019239655A1 (ja) | 2018-06-14 | 2019-12-19 | 古河電気工業株式会社 | 銅合金粉末、積層造形物および積層造形物の製造方法ならびに各種金属部品 |
| CN109794602A (zh) | 2019-01-29 | 2019-05-24 | 西安国宏天易智能科技有限公司 | 一种用于增材制造的铜合金粉末及其制备方法和应用 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW202204643A (zh) | 2022-02-01 |
| WO2021261591A1 (ja) | 2021-12-30 |
| TWI765758B (zh) | 2022-05-21 |
| EP4032639A1 (en) | 2022-07-27 |
| JP7192161B2 (ja) | 2022-12-19 |
| CA3158633C (en) | 2023-12-19 |
| JP7377338B2 (ja) | 2023-11-09 |
| JP2023025226A (ja) | 2023-02-21 |
| JPWO2021261591A1 (ja) | 2021-12-30 |
| KR20220081373A (ko) | 2022-06-15 |
| EP4032639A4 (en) | 2023-11-15 |
| JP2023025225A (ja) | 2023-02-21 |
| CN114765968A (zh) | 2022-07-19 |
| US20220362844A1 (en) | 2022-11-17 |
| US11872624B2 (en) | 2024-01-16 |
| CA3158633A1 (en) | 2021-12-30 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
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|
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|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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