JP7339164B2 - Ledデバイス、及び該ledデバイスを含む発光装置 - Google Patents
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- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 372
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 claims description 111
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 12
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 9
- 230000008719 thickening Effects 0.000 claims description 9
- 230000000712 assembly Effects 0.000 claims description 8
- 238000000429 assembly Methods 0.000 claims description 8
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 claims description 5
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 claims description 4
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 4
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 3
- 239000003086 colorant Substances 0.000 claims description 3
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 claims description 3
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 claims description 3
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 claims description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 23
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 23
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 10
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 3
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000005422 blasting Methods 0.000 description 1
- 238000000748 compression moulding Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 230000004313 glare Effects 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
Images
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
- H01L25/167—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits comprising optoelectronic devices, e.g. LED, photodiodes
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
- H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
- H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
- H01L27/156—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/52—Encapsulations
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
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- H01L33/56—Materials, e.g. epoxy or silicone resin
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
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- H—ELECTRICITY
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- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
- H01L2933/005—Processes relating to semiconductor body packages relating to encapsulations
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- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
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Claims (57)
- 複数のLEDチップ(110L1、110L2、110L3、110L4)であって、それぞれが、反対する第1の表面及び第2の表面(S21、S22)と、前記第1の表面と前記第2の表面(S21、S22)との間に接続される側面(S24)と、前記LEDチップ(110L1-110L4)の前記第2の表面(S22)に配置され、第1の電極(1121)と第2の電極(1122)とを含む電極アセンブリ(1120)と、を含み、各前記LEDチップ(110L1-110L4)の前記第1の表面(S21)が出光面である、複数のLEDチップ(110L1、110L2、110L3、110L4)と、
前記LEDチップ(110L1-110L4)の前記第2の表面(S22)に配置され、反対する第1の表面及び第2の表面(S31、S32)と、側面(S33)と、を有する電子回路層アセンブリ(130)であって、前記電子回路層アセンブリ(130)の前記側面(S33)は前記電子回路層アセンブリ(130)の前記第1の表面と前記第2の表面(S31、S32)との間に接続され、前記電子回路層アセンブリ(130)の第1の表面(S31)は前記電極アセンブリ(1120)の前記第1の電極及び前記第2の電極(1121、1122)に直接接触して電気的に接続される、電子回路層アセンブリ(130)と、
封止層(120)であって、前記電子回路層アセンブリ(130)の前記第2の表面(S32)の少なくとも一部が前記封止層(120)から露出されるように、前記LEDチップ(110L1-110L4)と前記電子回路層アセンブリ(130)を取り囲む、封止層(120)と、を具え、
前記封止層(120)は前記電子回路層アセンブリ(130)の前記側面(S33)を覆うLEDデバイス(100)。 - 前記封止層(120)は、50%以下の光透過率を有する、請求項1に記載のLEDデバイス(100)。
- 前記封止層(120)の光透過率が30%未満である、請求項2に記載のLEDデバイス(100)。
- 前記封止層(120)は、不透明である、請求項1に記載のLEDデバイス(100)。
- 前記封止層(120)は、エポキシ樹脂及びシリカの内の1つにより作成される、請求項1に記載のLEDデバイス(100)。
- 前記封止層(120)は、着色剤を含む、請求項5に記載のLEDデバイス(100)。
- 各前記LEDチップ(110L1-110L4)の前記第1の表面(S21)が前記封止層(120)から露出される、請求項1~6のいずれか一項に記載のLEDデバイス(100)。
- 前記封止層(120)は、暗色である、請求項1に記載のLEDデバイス(100)。
- 光透過性であり、各前記LEDチップ(110L1-110L4)の前記第1の表面(S21)に配置される保護層(160)をさらに具える、請求項1に記載のLEDデバイス(100)。
- 各前記LEDチップ(110L1-110L4)の前記第1の表面(S21)を含む第1の表面(101)をさらに具え、前記LEDチップ(110L1-110L4)の前記第1の表面(S21)の面積は、前記LEDデバイス(100)の前記第1の表面(101)の面積の15%未満である、請求項1に記載のLEDデバイス(100)。
- 前記LEDチップ(110L1-110L4)の前記第1の表面(S21)の面積は、前記LEDデバイス(100)の前記第1の表面(101)の面積の5%未満である、請求項10に記載のLEDデバイス(100)。
- 各前記LEDチップ(110L1-110L4)の前記第1の表面(S21)を含む第1の表面(101)をさらに具え、前記LEDチップ(110L1-110L4)の前記第1の表面(S21)の面積は、前記LEDデバイス(100)の前記第1の表面(101)の面積の40%より大きい、請求項1~9のいずれか一項に記載のLEDデバイス(100)。
- 前記LEDチップ(110L1-110L4)の前記第1の表面(S21)の面積は、前記LEDデバイス(100)の前記第1の表面(101)の面積の50%より大きい、請求項12に記載のLEDデバイス(100)。
- 前記封止層(120)によって固定され囲まれるセンサー(151)をさらに具える、請求項1に記載のLEDデバイス(100)。
- 前記センサー(151)は、フォトダイオードである、請求項14に記載のLEDデバイス(100)。
- 前記封止層(120)上に配置され、前記電子回路層アセンブリ(130)に電気的に接続される複数のボンディングパッド(140P1、140P2、140P3、140P4、140P5、140P6)をさらに具える、請求項1に記載のLEDデバイス(100)。
- 前記ボンディングパッド(140P1-140P6)の総表面積は、前記LEDチップ(110L1-110L4)の前記第1の表面(S21)の総表面積より大きい、請求項16に記載のLEDデバイス(100)。
- 前記ボンディングパッド(140P1-140P6)の数は、前記LEDチップ(110L1-110L4)の前記第1の電極及び前記第2の電極(1121、1122)の総数より少ない、請求項16に記載のLEDデバイス(100)。
- 少なくとも1つの前記LEDチップ(110L1-110L4)は、第1の波長の光を放出することができ、残りの前記LEDチップ(110L1-110L4)は、第1の波長とは異なる第2の波長の光を放出することができる、請求項1~18のいずれか一項に記載のLEDデバイス(100)。
- 少なくとも1つの前記LEDチップ(110L1-110L4)は、赤色光を放出することができ、少なくとも1つの前記LEDチップ(110L1-110L4)は、緑色光を放出することができ、少なくとも1つの前記LEDチップ(110L1-110L4)は、青色光を放出することができる、請求項19に記載のLEDデバイス(100)。
- 少なくとも1つの前記LEDチップ(110L1-110L4)は、白色光を放出することができる、請求項20に記載のLEDデバイス(100)。
- 前記LEDチップ(110L1-110L4)は、複数のチップグループ(M)に分割され、各チップグループ(M)は、3つの前記LEDチップ(110L1-110L4)を含み、1つのピクセルを画成する、請求項1~21のいずれか一項に記載のLEDデバイス(100)。
- 前記封止層(120)は、マイクロ電子デバイスに取り付けられることに適合される下表面(S12)を有する、請求項22に記載のLEDデバイス(100)。
- 隣接する2つの前記LEDチップ(110L1-110L4)の間の距離は、50マイクロメートルより小さい、請求項1~23のいずれか一項に記載のLEDデバイス(100)。
- 各前記LEDチップ(110L1-110L4)の前記電極アセンブリ(1120)は、2つの増厚層(1123、1124)をさらに含み、各前記増厚層(1123、1124)は、前記第1の電極及び第2の電極(1121、1122)のそれぞれと、前記電子回路層アセンブリ(130)との間に電気的に接続され、前記増厚層(1123、1124)は、前記封止層(120)によって固定され囲まれている、請求項1~24のいずれか一項に記載のLEDデバイス(100)。
- 各前記LEDチップ(110L1-110L4)の前記電極アセンブリ(1120)は、5μm以上の高さ(h3)を有する、請求項25に記載のLEDデバイス(100)。
- 各前記LEDチップ(110L1-110L4)の前記電極アセンブリ(1120)の高さ(h3)は、5μmから500μmまでの範囲内である、請求項26に記載のLEDデバイス(100)。
- 前記LEDチップ(110L1-110L4)のそれぞれの前記電極アセンブリ(1120)の高さ(h3)は、30μmから100μmまでの範囲内である、請求項27に記載のLEDデバイス(100)。
- 各前記電極アセンブリ(1120)の高さ(h3)と幅との比率が1/2より大きい、請求項1~28のいずれか一項に記載のLEDデバイス(100)。
- 各前記LEDチップ(110L1-110L4)の前記電極アセンブリ(1120)の各前記増厚層(1123、1124)は、金属により作成され、電気めっき及び無電解めっきの内の1つによって形成される、請求項25~28のいずれか一項に記載のLEDデバイス(100)。
- 各前記LEDチップ(110L1-110L4)の前記電極アセンブリ(1120)の各前記増厚層(1123、1124)は、CuとCuxWとの内の1つにより作成される、請求項30に記載のLEDデバイス(100)。
- 少なくとも1つの前記LEDチップ(110L1-110L4)の前記側面(S24)を覆う黒色材料層(170)をさらに具える、請求項1に記載のLEDデバイス(100)。
- 少なくとも1つの前記LEDチップ(110L1-110L4)の前記第1の表面(S21)に配置される光透過性粗層(180)をさらに具える、請求項1に記載のLEDデバイス(100)。
- 各前記LEDチップ(110L1-110L4)は、前記LEDチップ(110L1-110L4)の前記電極アセンブリ(1120)の前記第1の電極(1121)に電気的に接続される第1型半導体層(1111)と、前記LEDチップ(110L1-110L4)の前記電極アセンブリ(1120)の前記第2の電極(1122)に電気的に接続される第2型半導体層(1113)と、前記第1型半導体層(1111)と前記第2型半導体層(1113)との間に配置される発光層(1112)と、をさらに含む、請求項1に記載のLEDデバイス(100)。
- 前記電子回路層アセンブリ(130)は、前記電子回路層アセンブリ(130)の前記第1の表面(S31)を画成し、対応する前記LEDチップ(110L1-110L4)の前記電極アセンブリ(1120)の前記第1の電極と前記第2の電極(1121、1122)に電気的に接続される第1の電子回路層(131)と、前記電子回路層アセンブリ(130)の前記第2の表面(S32)を画成し、対応する前記LEDチップ(110L1-110L4)と反対となるように前記第1の電子回路層(131)に配置される第2の電子回路層(132)と、を含む、請求項1~34のいずれか一項に記載のLEDデバイス(100)。
- 前記封止層(120)は、前記電子回路層アセンブリ(130)の前記第1の電子回路層(131)を完全に封止している、請求項35に記載のLEDデバイス(100)。
- 前記封止層(120)は、前記電子回路層アセンブリ(130)の前記第2の表面(S32)が露出されるように、前記第2の電子回路層(132)を覆う、請求項35に記載のLEDデバイス(100)。
- 前記電子回路層アセンブリ(130)の前記第1の電子回路層(131)の前記封止層(120)に対する投影面積が、前記電子回路層アセンブリ(130)の前記第2の電子回路層(132)の前記封止層(120)に対する投影面積より大きい、請求項35に記載のLEDデバイス(100)。
- 前記電子回路層アセンブリ(130)の前記第2の電子回路層(132)の前記封止層(120)に対する投影は、前記電子回路層アセンブリ(130)の前記第1の電子回路層(131)の前記封止層(120)に対する投影内に位置する、請求項35に記載のLEDデバイス(100)。
- 前記電子回路層アセンブリ(130)の前記第1の電子回路層(131)は、複数の第1の電子回路サブ層(1311、1312、1313、1314、1315)を含み、前記電子回路層アセンブリ(130)の前記第2の電子回路層(132)は、複数の第2の電子回路サブ層(1321、1322、1323、1324)を含む、請求項35に記載のLEDデバイス(100)。
- 隣接する2つの前記第2の電子回路サブ層(1321-1324)の間の距離は、隣接する2つの前記第1の電子回路サブ層(1311-1315)の間の距離より大きい、請求項40に記載のLEDデバイス(100)。
- 前記第1の電子回路サブ層(1311-1315)の数は、前記第2の電子回路サブ層(1321-1324)の数以上である、請求項40に記載のLEDデバイス(100)。
- 前記第1の電子回路サブ層(1311-1315)の数は、前記LEDチップ(110L1-110L4)の前記電極アセンブリ(1120)の前記第1の電極及び前記第2の電極(1121、1122)の数より少ない、請求項40に記載のLEDデバイス(100)。
- 前記LEDチップ(110L1-110L3)の前記電極アセンブリ(1120)の前記第1の電極及び前記第2の電極(1121、1122)の総数は6であり、前記第1の電子回路サブ層(1311-1314)の数は4である、請求項40に記載のLEDデバイス(100)。
- 前記LEDチップ(110L1-110L4)の数をAとし、前記第1の電子回路サブ層(1311-1315)の数をNとし、前記第2の電子回路サブ層(1321-1324)の数をMとすると、M≦N≦2Aである、請求項40に記載のLEDデバイス(100)。
- 前記第1の電子回路サブ層(1311-1315)の内の1つは、前記LEDチップ(110L1-110L4)の前記電極アセンブリ(1120)の前記第1の電極(1121)に電気的に接続されており、残りの前記第1の電子回路サブ層(1311-1315)は、それぞれ、前記LEDチップ(110L1-110L4)の前記電極アセンブリ(1120)の前記第2の電極(1122)に電気的に接続されている、請求項40に記載のLEDデバイス(100)。
- 前記電子回路層アセンブリ(130)の前記第1の表面(S31)の面積は、前記電子回路層アセンブリ(130)の前記第2の表面(S32)の面積より大きい、請求項1~46のいずれか一項に記載のLEDデバイス(100)。
- 前記封止層(120)は、反対する上表面及び下表面(S11、S12)を有し、前記封止層(120)の前記上表面(S11)は、各前記LEDチップ(110L1-110L4)の前記第1の表面(S21)と同一平面にあり、前記封止層(120)の前記下表面(S12)は、前記電子回路層アセンブリ(130)の前記第2の表面(S32)と同一平面にある、請求項47に記載のLEDデバイス(100)。
- 前記電子回路層アセンブリ(130)の前記第1の表面(S31)の面積は、前記LEDチップ(110L1-110L4)の前記第2の表面(S22)の面積より大きい、請求項48に記載のLEDデバイス(100)。
- 前記電子回路層アセンブリ(130)は、電気めっき及び無電解めっきの内の1つによって形成される、請求項1に記載のLEDデバイス(100)。
- 前記電子回路層アセンブリ(130)は、Cu及びCuxWの内の1つにより作成される、請求項1に記載のLEDデバイス(100)。
- 前記封止層(120)は、反対する上表面及び下表面(S11、S12)を有し、前記封止層(120)の前記上表面(S11)は、各前記LEDチップ(110L1-110L4)の前記第1の表面(S21)と同一平面にあり、前記封止層(120)の前記下表面(S12)は、前記電子回路層アセンブリ(130)の前記第2の表面(S32)と同一平面にある、請求項1に記載のLEDデバイス(100)。
- 前記封止層(120)は、第1の封止サブ層(121)と第2の封止サブ層(122)とを含み、前記第1の封止サブ層(121)は、各前記LEDチップ(110L1-110L4)の前記第1の表面(S21)が前記第1の封止サブ層(121)から露出されるように、前記LEDチップ(110L1-110L4)を覆い、前記第2の封止サブ層(122)は、前記電子回路層アセンブリ(130)の前記第2の表面(S22)の少なくとも一部が前記第2の封止サブ層(122)から露出されるように前記電子回路層アセンブリ(130)を覆う、請求項1~52のいずれか一項に記載のLEDデバイス(100)。
- 前記封止層(120)の前記第1の封止サブ層(121)の高さは、各前記LEDチップ(110L1-110L4)の高さと同じである、請求項53に記載のLEDデバイス(100)。
- 前記封止層(120)の前記第2の封止サブ層(122)の高さは、前記電子回路層アセンブリ(130)の高さと同じである、請求項54に記載のLEDデバイス(100)。
- 請求項1~55のいずれか一項に記載の前記LEDデバイス(100)を備える発光装置。
- 回路基板(300)と、複数の請求項1~55のいずれか一項に記載の前記LEDデバイス(100)と、を具え、前記LEDデバイス(100)は、前記回路基板(300)上に配置され、各前記LEDデバイス(100)の前記LEDチップ(110L1-110L4)が少なくとも1つのピクセルを画成する、発光装置。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CNPCT/CN2019/071771 | 2019-01-15 | ||
PCT/CN2019/071771 WO2020147004A1 (zh) | 2019-01-15 | 2019-01-15 | 发光二极管封装器件及发光装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2020155769A JP2020155769A (ja) | 2020-09-24 |
JP7339164B2 true JP7339164B2 (ja) | 2023-09-05 |
Family
ID=67017311
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020003888A Active JP7339164B2 (ja) | 2019-01-15 | 2020-01-14 | Ledデバイス、及び該ledデバイスを含む発光装置 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US11450651B2 (ja) |
JP (1) | JP7339164B2 (ja) |
KR (1) | KR102335611B1 (ja) |
CN (2) | CN115700916A (ja) |
TW (2) | TWI692884B (ja) |
WO (1) | WO2020147004A1 (ja) |
Families Citing this family (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2022542736A (ja) * | 2019-07-26 | 2022-10-07 | 泉州三安半導体科技有限公司 | 発光装置パッケージデバイス及びディスプレイ装置 |
CN112397487B (zh) * | 2019-08-12 | 2024-04-09 | 湖北三安光电有限公司 | 发光器件及制作方法和含该发光器件的显示屏和照明器材 |
CN112447897A (zh) * | 2019-09-03 | 2021-03-05 | 李家铭 | 具有遮光膜的rgb发光二极管模块 |
EP4033547A4 (en) * | 2019-09-18 | 2023-10-25 | Quanzhou Sanan Semiconductor Technology Co., Ltd. | LED HOUSING ARRANGEMENT |
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-
2019
- 2019-01-15 CN CN202211594176.5A patent/CN115700916A/zh active Pending
- 2019-01-15 CN CN201980000463.9A patent/CN109952641B/zh active Active
- 2019-01-15 WO PCT/CN2019/071771 patent/WO2020147004A1/zh active Application Filing
- 2019-07-29 TW TW108126803A patent/TWI692884B/zh active
- 2019-08-20 TW TW108129652A patent/TWI760634B/zh active
-
2020
- 2020-01-14 US US16/742,149 patent/US11450651B2/en active Active
- 2020-01-14 JP JP2020003888A patent/JP7339164B2/ja active Active
- 2020-01-14 KR KR1020200004842A patent/KR102335611B1/ko active IP Right Grant
-
2022
- 2022-09-16 US US17/946,767 patent/US12002797B2/en active Active
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US20180277728A1 (en) | 2017-03-27 | 2018-09-27 | Seoul Semiconductor Co., Ltd. | Display apparatus and method of manufacturing the same |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20230018253A1 (en) | 2023-01-19 |
TWI692884B (zh) | 2020-05-01 |
CN115700916A (zh) | 2023-02-07 |
WO2020147004A1 (zh) | 2020-07-23 |
US11450651B2 (en) | 2022-09-20 |
TWI760634B (zh) | 2022-04-11 |
TW202029525A (zh) | 2020-08-01 |
CN109952641A (zh) | 2019-06-28 |
TW202029526A (zh) | 2020-08-01 |
US20200227395A1 (en) | 2020-07-16 |
US12002797B2 (en) | 2024-06-04 |
KR102335611B1 (ko) | 2021-12-03 |
JP2020155769A (ja) | 2020-09-24 |
KR20200088779A (ko) | 2020-07-23 |
CN109952641B (zh) | 2023-01-10 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20200513 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20200513 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
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|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20200602 |
|
AA79 | Non-delivery of priority document |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A24379 Effective date: 20200721 |
|
A621 | Written request for application examination |
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|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20211214 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20220311 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20220427 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20220906 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20230314 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20230613 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20230620 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20230725 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20230824 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7339164 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |