CN111564546A - Led封装件及其制造方法以及具有其的led面板 - Google Patents

Led封装件及其制造方法以及具有其的led面板 Download PDF

Info

Publication number
CN111564546A
CN111564546A CN201910113049.0A CN201910113049A CN111564546A CN 111564546 A CN111564546 A CN 111564546A CN 201910113049 A CN201910113049 A CN 201910113049A CN 111564546 A CN111564546 A CN 111564546A
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
led
led package
zener diode
driver
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201910113049.0A
Other languages
English (en)
Inventor
崔原泽
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Huiyuan Co ltd
Original Assignee
Huiyuan Co ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Huiyuan Co ltd filed Critical Huiyuan Co ltd
Priority to CN201910113049.0A priority Critical patent/CN111564546A/zh
Publication of CN111564546A publication Critical patent/CN111564546A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09F—DISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
    • G09F9/00—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements
    • G09F9/30—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements
    • G09F9/33—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements being semiconductor devices, e.g. diodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
    • H01L25/167—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits comprising optoelectronic devices, e.g. LED, photodiodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

本发明公开一种LED封装件及其制造方法以及具有其的LED面板。根据本发明的一个实施例的LED封装件能够包括：硅材质的驱动器IC；形成于所述驱动器IC的正偏置、负偏置、正端子、负端子、信号输入端子以及信号输出端子；由所述硅材质形成，且通过绝缘层而与所述驱动器IC隔开设置的齐纳二极管；以及安装于所述齐纳二极管上，且与所述正偏置和所述负偏置电连接的LED芯片。

Description

LED封装件及其制造方法以及具有其的LED面板
技术领域
本发明涉及一种LED封装件及其制造方法以及具有其的LED面板，更具体地讲，涉及一种提高了工作时的稳定性的LED封装件及其制造方法以及具有其的LED面板 。
背景技术
LED（light emitting diode，发光二极管）是利用化合物半导体的特性而将电信号转换为具有特定波长带的光的形式的电致发光（electroluminescence）器件。LED利用半导体的p-n结结构而注入少数载流子（电子或空穴），并通过它们的重新结合而发光。
在施加正向电压时，若n层中的电子（electron）与p层中的空穴（hole）结合，则发射与导带（conduction band）n层和价带（valance band）p层的能隙相当的能量，而其中以光的形式发射的能量就是由LED发出。
由化合物半导体能够产生的电磁射线的频率受化合物的带隙函数的影响。带隙越小则所产生的光子的能量越低且波长越长，带隙越大则所产生的光子具有的能量越高且波长越短。
为了在光谱中生成紫外线、蓝色或绿色波长的光子，需要具有较大的带隙的化合物半导体，而氮化镓（GaN）系列的化合物半导体符合所述具有较大的带隙的化合物半导体。氮化镓（GaN）系列的半导体器件在晶体结构和晶格常数相似的蓝宝石（sapphire，α- Al2O3）基板（wafer）上形成氮化镓半导体层以减少晶格缺陷（crystal lattice defect）。
为了在光谱中生成红色波长的光子，需要具有较小的带隙的化合物半导体，而砷化铝镓（AlGaAs）系列的器件符合所述具有较小的带隙的化合物半导体。在该情况下，砷化铝镓（AlGaAs）使用砷化镓（GaAs）基板（wafer），从而与由如硅（Si）那样的单一物质制成的器件相比，产生多得多的半导体的晶格缺陷（crystal lattice defect）。
另外，对于因半导体晶格缺陷而引起的反向漏电流或反向偏置（reverse bias）的产生而言，在蓝宝石与氮化镓之间以及在砷化镓与砷化铝镓之间互不相同的晶格常数（lattice constant）成为主要因素。
使用于另外LED芯片的化合物半导体由于物理性质的极限即微分量子效率而不能将所注入的电流全部转换成光（light），目前存在将所注入的能量的50%产生为焦耳热的问题。在LED封装件等器件工作时产生的热不能顺利地发散的情况下，器件因漏电流而被击穿，由此存在导致单位像素或整个LED面板的缺陷的问题。
在不能顺利地发散LED芯片驱动时产生的热的情况下，会加快因漏电流而引起的器件击穿和由此导致的***的缺陷。在该情况下，在LED封装件具备齐纳二极管（zenerdiode），从而不仅发挥散热器的作用，而且消除反向漏电流，并能够应对根本性晶格缺陷因素。
另外，在具体实现LED封装件方面，由于浪涌（surge）电压或静电放电（electrostatic discharge，ESD）而会放热，若由于持续放热使得LED封装件的温度上升，则不仅导致性能劣化，而且存在***危险性等，因此对耐久性而言是致命的。为了防止这种损伤，过去在外部设置了电容器，但还需要具有各个电容器所占的面积，从而将小型化和集成化的LED封装件具体实现起来存在困难。
进而，为了在外部具备电容器，进一步需要通过另外的布线或引线键合（wirebonding）、基板的暴露的端子而与外部连接端子或各内部连接端子电连接的工艺，这种工艺存在复杂且不易进行的问题。
现有技术文献
专利文献
韩国授权专利公报第10-0730754号（2007年06月21日）。
发明内容
所要解决的问题
本发明所要解决的一个技术问题在于提供一种能够降低浪涌电压、反向偏置（reversebias）电压或静电放电（ESD）等的噪声的LED封装件和LED面板。
本发明所要解决的另一技术问题在于提供一种能够确保一定程度的透光性的LED封装件和LED面板。
本发明所要解决的又一技术问题在于提供一种提高了散热效率的LED封装件和LED面板。
解决问题方案
为了解决上述技术问题，本发明提供一种LED封装件。
根据本发明的一个实施例的LED面板，能够包括：硅材质的驱动器IC；形成于所述驱动器IC的正偏置、负偏置、正端子、负端子、信号输入端子以及信号输出端子；由所述硅材质形成，且通过绝缘层而与所述驱动器IC隔开设置的齐纳二极管；以及安装于所述齐纳二极管上，且与所述正偏置和所述负偏置电连接的LED芯片。
根据一个实施例，所述齐纳二极管为p-n结结构，其能够进一步包括齐纳二极管p层和齐纳二极管n层以及有源层，所述LED芯片为p-n结结构，其能够进一步包括与所述齐纳二极管n层和所述正偏置电连接的LED芯片p层以及与所述齐纳二极管p层和所述负偏置电连接的LED芯片n层。
根据一个实施例，所述齐纳二极管能够独立于所述驱动器IC而分离设置。
根据本发明的另一实施例的LED封装件能够包括：由硅材质制成且形成有齐纳二极管的驱动器IC；形成于所述驱动器IC的正偏置、负偏置、正端子以及负端子；安装于所述齐纳二极管上，且与所述正偏置和所述负偏置电连接的LED芯片；由铁电体制成，且层叠形成于所述正端子、所述负端子以及其间区域的电容器；以及与所述正端子和所述负端子相对且层叠形成于所述电容器上的正电极和负电极。
根据一个实施例，所述电容器能够由锆钛酸铅镧（PLZT）、锆钛酸铅（PZT）、五氧化二钽（Ta2O5）或钛酸钡（BaTiO3）中的任何一种制成。
根据一个实施例，所述电容器能够通过溅射或化学气相沉积（CVD）而在所述驱动器IC上形成。
根据一个实施例，所述正电极和所述负电极能够由铝、银或金制成。
为了解决上述技术问题，本发明提供一种LED面板。
根据本发明的一个实施例的LED面板能够包括：基板，其由铝PCB、铜PCB、钢化玻璃或聚对苯二甲酸乙二醇酯（PET）中的任何一种制成；粘合性绝缘层，其设置于所述基板的一个面，且由氮化铝、氧化铍或氧化铝中的任何一种制成；导电层，其设置于所述粘合性绝缘层的一个面，且在厚度为10至30㎛的铜层一个面层叠形成有具有厚度为10至20㎛的格子形状的碳石墨层；钎焊电极层，其设置于所述导电层的一个面，且在厚度为0.5至3㎛的镍（Ni）层表面层叠厚度为1至5㎛的银（Ag）层而形成；以及LED封装件，其设置于所述钎焊电极层上表面，且设置在形成于LED封装件框架的腔体的底表面；以及反射层，其与所述LED封装件并排设置于所述钎焊电极层的一个面，且由硫酸钡（BaSO4）或氧化铝（Al2O3）制成。
根据一个实施例，能够进一步包括透明罩，所述透明罩设置于所述导电层上部，且形成有容纳所述LED封装件的LED封装件容纳部。
根据一个实施例，所述透明罩能够包括：第一罩，其设置成将所述LED封装件容纳部彼此划分；以及第二罩，其设置成与第一罩的一个面面接触。
所述第一罩能够由聚乙烯醇缩丁醛（poly vinyl butyral）制成。
根据一个实施例，所述第二罩能够进一步包括形成于与所述LED封装件容纳部对应的面的散射层。
根据一个实施例，所述透明罩能够由聚对苯二甲酸乙二醇酯（poly ethyleneterephtalate，PET）制成，且通过热压接（thermal compress）或涂覆粘附性透明树脂（transparent resin）而接合。
根据本发明的另一实施例的LED面板能够包括：基板，其由铝PCB、铜PCB、钢化玻璃或聚对苯二甲酸乙二醇酯（PET）中的任何一种制成，且具有多个LED部位和包围LED部位的周边部；透明电极层，其设置于所述基板的一个面上的所述周边部，且形成电路图案；导电层，其设置于所述基板的一个面上的所述LED部位，且在厚度为10至30㎛的铜层一个面层叠形成有具有厚度为10至20㎛的格子形状的碳石墨层；以及LED封装件，其设置于所述导电层上表面，且设置在形成于LED封装件框架的腔体的底表面，所述LED封装件通过软钎焊而与设置于所述导电层上表面的钎焊电极层接合。
根据一个实施例，所述钎焊电极层能够由钛（Ti）、铂（Pt）、金（Au）、铬（Cr）、镍（Ni）、银（Ag）中至少一种或两种以上的合金制成。
为了解决上述技术问题，本发明提供一种LED封装件的制造方法。
根据本发明的一个实施例的LED封装件的制造方法能够包括：在嵌入有正端子和负端子的驱动器IC上涂覆并固化光敏物质之后，去除由所述正端子、所述负端子以及其间区域构成的电容器区域而形成电容器图案的步骤；在所述驱动器IC上沉积层叠包括所述电容器区域在内的电容器层的步骤；通过剥离工艺而去除电容器图案区域的步骤；以及在所述电容器上的与所述正端子和所述负端子相对的位置层叠形成正电极和负电极的步骤。
根据一个实施例，在将所述电容器层沉积而层叠的步骤中，沉积物质能够由锆钛酸铅镧（PLZT）、锆钛酸铅（PZT）、五氧化二钽（Ta2O5）或钛酸钡（BaTiO3）中的任何一种制成。
发明效果
根据本发明的实施例，具有与驱动器IC一体形成的齐纳二极管，从而吸收从外部突然流入而施加于器件的浪涌电压、反向偏置（reverse bias）电压或静电放电（ESD）等的噪声，因此具有不仅提高LED封装件的工作性能还提高LED面板的工作性能的优点。
根据本发明的一个实施例，具有齐纳二极管和电容器一体形成的驱动器IC，从而具有简化安装工艺并提高生产效率的优点。
根据本发明的一个实施例，在驱动器IC上形成相同的硅材质的齐纳二极管，从而通过导热性优良的硅材质而提高散热性能，因此具有能够确保高温下的工作稳定性的优点。
根据本发明的一个实施例，设有具备散热器功能的齐纳二极管，从而即使无另外构成也可解决放热问题，而且节减制造成本并简化制造工艺，因此具有能够使不合格率最小化的优点。
根据本发明的一个实施例，设有齐纳二极管、电容器所安装成一体的驱动器IC，从而具有简化LED封装件的结构并使LED封装件小型化、轻量化的优点。
根据本发明的一个实施例，在驱动器IC一体地层叠形成电容器而使LED封装件在LED部位内集成化，从而具有能够提高在周边部的透射率、透明度以及可见度的优点。
根据本发明的一个实施例，使驱动器IC和齐纳二极管、电容器一体化，从而相对地减小构成单位像素的LED封装件的大小，从而增加安装于LED面板的LED封装件的数量，并增加每个单位面积所构成的像素数量，因此具有提高LED面板的分辨率的优点。
附图说明
图1是概略地示出了根据本发明的一个实施例的LED封装件的立体图。
图2是概略地示出了根据本发明的一个实施例的LED封装件的俯视图。
图3是概略地示出了图2的LED封装件的主视图。
图4是示出了根据本发明的一个实施例的驱动器IC和齐纳二极管、LED芯片的接线结构的电路图。
图5是概略地示出了根据本发明的另一实施例的LED封装件的立体图。
图6是概略地图示了根据本发明的又一实施例的LED封装件的立体图。
图7是概略地示出了图6的LED封装件的俯视图。
图8是概略地示出了根据本发明的一个实施例的LED面板的主视图。
图9是概略地示出了根据本发明的一个实施例的导电层的立体图。
图10（a）至图10（c）是概略地图示了根据本发明的一个实施例的LED面板的主视图。
图11是概略地示出了根据本发明的另一实施例的LED面板的主视图。
图12是概略地示出了根据本发明的另一实施例的LED面板的主视图。
图13是概略地示出了根据本发明的一个实施例的形成LED封装件的步骤的图。
符号说明
1—LED面板，10—LED封装件，100—驱动器IC，110—硅芯片，120—正偏置，130—负偏置，140—正端子，150—负端子，160—信号输入端子，170—信号输出端子，200—齐纳二极管，201—第一齐纳二极管，202—第二齐纳二极管，203—第三齐纳二极管，210—齐纳二极管p层，220—齐纳二极管n层，230—有源层，240—齐纳二极管p电极，250—齐纳二极管n电极，300—LED芯片，301—红色LED芯片，302—绿色LED芯片，303—蓝色LED芯片，310—LED芯片p层，320—LED芯片n层，330—LED芯片接合层，340—LED芯片p电极，350—LED芯片n电极，400—电容器，410—正电极，420—负电极，500—LED封装件框架，510—正端子接头，520—负端子接头，530—信号输入接头，540—信号输出接头，550—散热片，560—LED封装件接合层，571、572、573、574—驱动器IC连接端子，581—透镜，20—导电层，21—铜层，22—碳石墨层，31—基板，32—粘合性绝缘层，33—钎焊电极层，34—反射层，41—基板，42—透明电极层，43—钎焊电极层，44—反射层，45—散热片，50—透明罩，51—第一罩，51a—LED封装件容纳部，52—第二罩，52a—散射层，53—第三罩，53a—LED封装件容纳部。
具体实施方式
以下，参照各附图详细说明本发明的优选实施例。然而，本发明的技术思想并不是限定于这里所说明的实施例而是能够以其它方式具体化。反而，这里所介绍的实施例是为了使所公开的内容能够彻底和完整并为了使本发明的思想能够充分传递到本领域技术人员而提供的。
在本说明书中，在提及到某一构成要素位于另一构成要素之上的情况下，其意味着可以直接形成于另一构成要素之上或者意味着两者之间还可介入第三构成要素。另外，在各图中形状和大小是为了有效地说明技术内容而夸张的。
另外，在本说明书的各种实施例中，为了描述各种构成要素而使用了第一、第二、第三等用语，但这些构成要素不得限定于这种用语。这些用语仅仅是为了使某个构成要素区别于另一构成要素而使用的。因此，在某一实施例中作为第一构成要素提及的情况下，在另一实施例中也能够作为第二构成要素提及。这里所说明并例示的各实施例还包括其互补性实施例。另外，在本说明书中所使用的“和/或”的含义为至少包括前后罗列的各构成要素中的一个构成要素。
在本说明书中，单个的表达除非文理上有明显不同的含义就包括多个的表达。另外，“包括”或“具有”等用语旨在指定说明书中所记载的特征、数字、步骤、构成要素或它们的组合存在，不得理解为排除一个或其以上的其它特征或者数字、步骤、构成要素或它们的组合的存在或附加可能性。另外，在本说明书中所使用的“连接”的含义为均包括间接连接多个构成要素以及直接连接多个构成要素。
另外，在下面说明本发明过程中，对于相关的公知功能或构成的具体的说明在判断为有可能使本发明的要旨不必要地模糊的情况下省略其详细的说明。
封装件10
图1是概略地示出了根据本发明的一个实施例的LED封装件10的立体图，图2是概略地示出了根据本发明的一个实施例的LED封装件10的俯视图，图3是概略地示出了图2的LED封装件10的主视图，图4是示出了根据本发明的一个实施例的驱动器IC100和齐纳二极管200、LED芯片300的接线结构的电路图，图5是概略地示出了根据本发明的另一实施例的LED封装件10的立体图，图6是概略地图示了根据本发明的又一实施例的LED封装件10的立体图，图7是概略地示出了图6的LED封装件10的俯视图。
参照图1至图7，根据本发明的一个实施例的LED封装件10在具体实现影像信息时构成一个单位像素即像素（pixel）。
LED封装件10能够包括驱动器IC100、齐纳二极管200以及LED芯片300。进而，能够进一步包括电容器400和LED封装件框架500。
驱动器IC100
重新参照图1至图7，驱动器IC（one chip microprocessor）100为了以将在下面叙述的各个LED芯片300为单位调节光量或工作时间等而发挥发送和接收外部电源和信号并进行控制的作用。在每个像素单位的LED封装件10能够设置驱动器IC100。
驱动器IC100能够包括硅芯片110、正偏置（bias）120、负偏置130、正端子140以及负端子150。进而，能够进一步包括信号输入端子160和信号输出端子170。
硅芯片110能够将驱动器IC100和将在下面叙述的齐纳二极管200一体化而构成。硅芯片110由硅材质制成，且能够制作成n型硅基板（wafer）。硅芯片110能够包括绝缘层111。包括硅芯片110在内，构成硅芯片110的驱动器IC100和齐纳二极管200通过改变浓度差异并通过掺杂（dopping）和沉积（deposition）、扩散（diffusion）而能够形成。
绝缘层111设置于驱动器IC100与齐纳二极管200之间而能够使驱动器IC100与齐纳二极管200相隔。绝缘层111能够由硅材质制成。
正偏置120、负偏置130、正端子140、负端子150、信号输入端子160以及信号输出端子170能够形成于驱动器IC100上。
正偏置120和负偏置130成对设置于每个LED芯片301、302、303而能够对各个LED芯片300施加电流。正端子140和负端子150可以是供给用于驱动器IC100的驱动的电源的端子。信号输入端子160可以是处理来自外部的信号且用于控制各LED芯片301、302、303的信号所进入的端子。信号输出端子170可以是用于向外部控制电路送出已进行信号处理的内部信号的端子。
齐纳二极管200
重新参照图1至图7，齐纳二极管200吸收浪涌电压、反向偏置（reverse bias）电压或静电放电（ESD）等的噪声，从而保护LED封装件10内的器件和电路，且发挥用于发散将在下面叙述的LED封装件10的工作中必然产生的热的散热器（heat sink）的作用。
齐纳二极管200能够形成为以容纳于包括驱动器IC100的硅芯片110的状态其一个面向外部暴露。在齐纳二极管200的暴露面上能够安装LED芯片300。更具体地讲，齐纳二极管200能够用作红色/绿色/蓝色LED芯片301、302、303的子安装座。
根据一个实施例，如图1至图3、图6至图7所示，齐纳二极管200能够由驱动器IC100和一个硅件构成。在该情况下，齐纳二极管200能够与驱动器IC100分离而容纳于硅芯片110。齐纳二极管200能够设置成将绝缘层111置于其间而与驱动器IC100相隔。齐纳二极管200利用半导体工艺并利用n型硅基板（wafer）而制作，且能够与驱动器IC100分开而形成一部分区域。
根据另一实施例，如图5所示，齐纳二极管200可以是与驱动器IC100相隔而分离的另外的构成。在该情况下，在齐纳二极管200与驱动器IC100之间并不需要另外的绝缘层。
参照图2，齐纳二极管200能够设置成分别与红色/绿色/蓝色LED芯片301、302、303单独地分离。即、齐纳二极管200能够包括第一齐纳二极管201、第二齐纳二极管202以及第三齐纳二极管203。
重新参照图1、图4至图6，第一齐纳二极管201能够与红色LED芯片301反向连接。另外，第二齐纳二极管202能够与绿色LED芯片302反向连接，且第三齐纳二极管203能够与蓝色LED芯片303反向连接。
齐纳二极管200能够包括p-n结（junction）结构的齐纳二极管p层210、齐纳二极管n层220以及有源层230。在该情况下，齐纳二极管200能够将齐纳二极管p层210、齐纳二极管n层220以及有源层230依次层叠、接合而设置。进而，能够进一步包括齐纳二极管p电极240和齐纳二极管n电极250。
齐纳二极管p电极240能够与齐纳二极管p层210的上部暴露面接合。齐纳二极管n层220通过所接合的有源层230的上部暴露面而能够与齐纳二极管n电极250电连接。
有源层230能够与齐纳二极管n层220接合而设置。有源层230通过掺杂高浓度电子（n--）而能够形成。有源层230能够发挥齐纳二极管n层220的扩散通道的作用。有源层230设置于齐纳二极管n层220与将在下面叙述的齐纳二极管n电极250之间而能够将齐纳二极管n层220与齐纳二极管n电极250电连接。即、齐纳二极管n层220与有源层230一起能够形成一个负电极。
根据一个实施例，有源层230从与齐纳二极管n层220接合的一个端部延伸形成而能够具有水平方向的长度。而且，能够从水平层的另一端部沿着竖直方向延伸至硅芯片110的上部暴露面而形成。
齐纳二极管p电极240设置成与齐纳二极管p层210接触，从而能够提供通过引线键合而进行电连接的电极焊盘。
齐纳二极管n电极250设置成与有源层230接触，从而能够提供将齐纳二极管n层220通过引线键合而电连接的电极焊盘。
齐纳二极管200利用半导体工艺而能够制造。观察齐纳二极管200的制造方法如下。
在将齐纳二极管p层210和齐纳二极管n层220依次层叠的p-n结层和齐纳二极管n层220的底表面形成有源层230。此后，通过一次蚀刻（etching）工艺将第一齐纳二极管201、第二齐纳二极管202以及第三齐纳二极管203分离而形成。
芯片300
重新参照图1至图7，LED芯片300为红色、绿色以及蓝色的LED光源，其能够以LED封装件10为器件单位设置。LED芯片300能够安装于齐纳二极管200上。LED芯片300通过正偏置120、负偏置130以及引线键合而能够与驱动器IC100以及齐纳二极管200电连接。
LED芯片300为p-n结结构，其能够包括LED芯片p层310和LED芯片n层320。即、LED芯片300能够依次层叠设置LED芯片p层310和LED芯片n层320。进而，LED芯片300能够进一步包括LED芯片p电极340和LED芯片n电极350。
LED芯片300可以是由红色、绿色以及蓝色3个LED构成的红、绿、蓝LED。即、LED芯片300能够包括红色LED芯片301、绿色LED芯片302以及蓝色LED芯片303。
根据LED芯片p层310与LED芯片n层320的结合方式，LED芯片300可以是立式（vertical type）LED芯片和卧式（lateral type）LED芯片。如图1至图3所示，在红色LED芯片301、绿色LED芯片302以及蓝色LED芯片303为立式的情况下，LED芯片p层310和LED芯片n层320能够以立式键合结构形成于基板上。如图6和图7所示，在绿色LED芯片302和蓝色LED芯片303为卧式的情况下，LED芯片p层310和LED芯片n层320能够以卧式键合结构形成于基板上。
如图2和图7所示，红色LED芯片301能够安装于将在下面叙述的第一齐纳二极管201上。绿色LED芯片302能够安装于将在下面叙述的第二齐纳二极管202上，且蓝色LED芯片303能够安装于将在下面叙述的第三齐纳二极管203上。
LED芯片300通过LED芯片接合层330而能够与齐纳二极管200接合。LED芯片接合层330能够设置于LED芯片300与齐纳二极管200之间。LED芯片接合层330能够根据LED芯片300的大小和组装温度、组装精度等各个条件并通过各种材质和工艺而制作。LED芯片接合层330能够由合金或银（Ag）制成，其中，所述合金由锡（Sn）、铅（Pb）、银（Ag）、铋（Bi）以及铜（Cu）等制成。LED芯片接合层330通过丝网印刷（screen printing）、利用注射器的分配（dispensing）或冲压（stamping）等而能够层叠形成。LED芯片接合层330通过焊料预成型（solder preform）、焊膏（paste）等工艺而能够在齐纳二极管200上接合LED芯片300。
与此相反，就工作中产生高热的图1至图3的立式LED芯片300而言，能够通过共晶合金（eutectic metal）或焊料而接合以在短时间内向外部发散热。在该情况下，共晶合金能够由铟（In）或金（Au）和锡（Sn）的合金制成。在由金（Au）和锡（Sn）的合金制成的情况下，可以具有80wt%的Au与20wt%的Sn、10wt%的Au与90wt%的Sn的含量比。焊料能够由SnBiAg、PbSnAg、PbSn中的任何一种制成。立式LED芯片300的接合层330能够利用电子束（e-beam）、溅射（sputtering）或通过热的沉积（thermal evaporation）等真空沉积而形成图案或通过分配而层叠形成。
各个LED芯片300为了与外部电路接线而能够进行引线键合（wire bonding）。此时，引线能够由金（Au）、铝（Al）或铜（Cu）制成。
LED芯片p电极340设置成与LED芯片p层310接触，从而能够提供通过引线键合而能够进行电连接的电极焊盘。
LED芯片n电极340设置成与LED芯片n层320接触，从而能够提供通过引线键合而能够进行电连接的电极焊盘。
LED芯片300与驱动器IC100和齐纳二极管200相互电连接而被驱动，各自的连接关系说明如下。
如图1、图5以及图6所示，LED芯片p层310能够与齐纳二极管n层220和正偏置120电连接。在LED芯片p层310能够层叠形成LED芯片p电极340，且在齐纳二极管n层220通过有源层230而能够层叠形成齐纳二极管n电极250。此时，LED芯片p电极340和齐纳二极管n电极250通过引线键合而能够与正偏置120电连接。
LED芯片n层320能够与齐纳二极管p层210和负偏置130电连接。LED芯片n层320能够与齐纳二极管p层210接触而设置。在齐纳二极管p层210能够层叠形成齐纳二极管p电极240。此时，LED芯片n层320能够与齐纳二极管p层210接触而电连接，齐纳二极管p电极240能够通过引线键合而与负偏置130电连接。
各个红色LED芯片301、绿色LED芯片302以及蓝色LED芯片303分别与正偏置120和负偏置130发送接收信号，且通过驱动器IC100的信号处理而能够单独或同时工作。另外，通过齐纳二极管200而能够去除噪声。
电容器400
重新参照图1至图3、图5至图7，电容器400吸收浪涌电压、反向偏置（reverse bias）电压或静电放电（ESD）等的噪声，从而发挥保护驱动器IC100内器件和电路的作用。电容器400能够层叠形成于正端子140和负端子150及其间区域。电容器400通过溅射或化学气相沉积（chemical vapor deposition，CVD）方法而能够形成于驱动器IC100上。在该情况下，在驱动器IC100与电容器400之间能够设置绝缘膜（passivation layer，未图示）以电绝缘彼此间。电容器400由铁电体制成，尤其能够由锆钛酸铅镧（PLZT）、锆钛酸铅（PZT）、五氧化二钽（Ta2O5）或钛酸钡（BaTiO3）中的任何一种制成。
正电极410和负电极420能够形成于电容器400的一个端部。正电极410与正端子140相对，负电极420与负端子150相对，且能够层叠形成于电容器400上。正电极410和负电极420能够将正端子140和负端子150与外部电源电连接。正电极410和负电极420可以具有与正端子140和负端子150对应的位置和大小。正电极410和负电极420能够由铝（Al）、银（Ag）或金（Au）制成。
封装件框架500
重新参照图2、图3以及图7，LED封装件框架500可以是为了容纳LED封装件10而形成有腔体（cavity）的壳体。LED封装件框架500为了与将在下面叙述的导电层20的电源和信号传递而能够包括正端子接头510、负端子接头520、信号输入接头530以及信号输出接头540。另外，LED封装件框架500能够包括散热片550、LED封装件接合层560、驱动器IC连接端子571、572、573、574以及透镜581。
正端子接头510、负端子接头520、信号输入接头530以及信号输出接头540发挥向包括驱动器IC100的LED封装件10供给外部电源并发送和接收信号的作用。正端子接头510和负端子接头520能够与为了使LED封装件10工作而施加的电源的正负极即正端子140和负端子150连接。信号输入接头530和信号输出接头540能够接通/断开构成LED封装件10的红色、绿色以及蓝色LED芯片301、302、303并调节流动的电流的量。
在构成一个列的相邻的LED封装件10中，正端子接头510与负端子接头520能够以各自的列为单位相连。此时，信号输入接头530和信号输出接头540能够与相邻的LED封装件10中的至少一部分相连。
散热片（heat slug）550发挥向外部排出由于LED芯片300的工作而产生的热的作用。散热片550能够设置于腔体的底表面。利用共晶合金的预成型、焊料或银焊膏而能够使散热片550附着于LED封装件框架500。在散热片550上能够安装LED封装件10即驱动器IC100。散热片550能够由导热性优良的银（Ag）或铜（Cu）制成。
LED封装件接合层560能够使LED封装件10与散热片550接合。LED封装件接合层560能够设置于LED封装件10与散热片550之间。LED封装件接合层560能够通过共晶合金的预成型、焊料或银焊膏等工艺而形成。
驱动器IC连接端子571、572、573、574能够将驱动器IC100的各端子140、150、160、170与LED封装件框架500的各端子连接。驱动器IC连接端子571能够连接正端子140与正端子接头510，驱动器IC连接端子572能够连接负端子150与负端子接头520，驱动器IC连接端子573能够连接信号输入端子160与信号输入接头530，驱动器IC连接端子574能够连接信号输出端子170与信号输出接头540。
参照图3，能够使透镜581安装于LED封装件框架500的腔体上端。透镜581可以具有旨在调节成像距离和光束发射角度及其强度的各种形状，以能够得到鲜明而清晰的高分辨率画质的图像信息。透镜581可以是半球形透镜581。
图3的半球形透镜581能够以具有半球面的剖面形状的方式形成于腔体上。半球形透镜581能够由折射率（refractive index）为1.45以上且粘度为35,000cp以上的高粘度硅材质制成，以能够凭固有的表面张力而具有高聚合力。半球形透镜581能够应用于大面积显示器。
面板1
图8是概略地示出了根据本发明的一个实施例的LED面板1的主视图，图9是概略地示出了根据本发明的一个实施例的导电层20的立体图，图10（a）至图10（c）是概略地图示了根据本发明的一个实施例的LED面板1的主视图。
将说明根据本发明的一个实施例的LED面板1。
LED面板（panel）1能够使用于向不特定多数对象输出图像信息的媒体立面（mediafacade）、大面积显示器（display）用电子屏幕、信号处理/传递或显示用板（board）、智能眼镜（smart glass）等。LED面板1以LED封装件10为单位，各自的每个单位像素输出RGB组合颜色信号而能够显示所期望的图片或文字等。就LED面板1而言，多个LED封装件10设置成矩阵（matrix）形态，从而能够形成一个大面积画面。
参照图8至图10，根据一个实施例的LED面板1能够包括LED封装件10和基板31、粘合性绝缘层32、导电层20、钎焊电极层33以及反射层34。进而，能够进一步包括透明罩50。
基板31发挥用于安装LED封装件10等的支撑基板的作用。基板31能够由能够向外部释放器件工作中产生的热或能够以辐射形式顺利地发散热能的材质制成，其中，基板31能够由铝PCB、铜PCB、钢化玻璃或聚对苯二甲酸乙二醇酯（PET）中的任何一种制成。
粘合性绝缘层（isolation layer）32是用于与基板31粘合和绝缘的层。粘合性绝缘层32能够形成于基板31的一个面。粘合性绝缘层32能够由粘合力、绝缘性以及导热性卓越的材质制成。其中，粘合性绝缘层32能够将氮化铝（AlN）、氧化铍（BeO）或氧化铝（Al2O3）中的任何一种作为主要成分。粘合性绝缘层32能够从基板31与导电层20之间的空间贯通导电层20、钎焊电极层33以及钎焊焊盘34并延伸至LED封装件10底表面而形成。
重新参照图8和图9，导电层20发挥既是电气线路又是支撑所附着的LED封装件10并向外部排出由于器件的工作而产生的热的导电性散热支撑部的作用。这种导电层20能够形成于粘合性绝缘层32的一个面。导电层20由导热性和导电性卓越的材质制成，从而不仅导热优良，而且能够具有优良的散热效果。导电层20能够包括铜层21和碳石墨（carbongraphite）层22。导电层20在铜层21表面层叠格子形状的碳石墨层22而能够形成层状结构。导电层20通过沉积工艺而能够形成铜层21和碳石墨层22。
铜层21可以具有10至30㎛的厚度。其中，可以优选具有10㎛的厚度。
碳石墨层22可以具有格子形状。之所以是格子形状，是为了防止基板31和粘合性绝缘层32等各层的热膨胀系数（thermal expansion coefficient）差异所导致的弯曲（bending）现象之故。碳石墨层可以具有10至20㎛的厚度。其中，可以优选具有20㎛的厚度。
钎焊电极层33能够形成于导电层20的一个面。钎焊电极层33发挥使将在下面叙述的钎焊焊盘的钎焊作业和支撑以及固定容易进行的作用。钎焊电极层33在镍（Ni）层表面层叠导电性优良的银（Ag）层而能够形成。
镍（Ni）层可以具有0.5至3㎛的厚度。其中，可以优选具有0.7㎛的厚度。
银（Ag）层可以具有1至5㎛的厚度。其中，可以优选具有0.7㎛的厚度。
LED封装件10能够设置于钎焊电极层33的一个面上。在钎焊电极层33上能够以一定间距隔开配置多个LED封装件10。LED封装件10能够按各个单位像素设置。LED封装件10根据构成每一单位面积的像素（pixel）差异改变数量而设置，其可以是几百到几万个。在该情况下，LED封装件10能够通过软钎焊而固定。
反射层34能够形成于钎焊电极层33的一个面。反射层34能够设置于除了设置有LED封装件10的LED部位之外的区域即周边部。反射层34能够设置于与LED封装件10并排的区域即周边部。反射层34发挥用于使已发光的LED芯片300的光朝向所有方向反射并防止钎焊电极层33剥离的保护层（passivation layer）的作用。反射层34能够由硫酸钡（BaSO4）或氧化铝（Al2O3）制成。
LED部位可以是LED封装件10所层叠设置的位置。能够以任意间距形成行和列而设置多个这种LED部位。周边部可以是包围各个LED部位的周边区域。即、周边部是并不设置LED封装件10而背景所透射的区域。
重新参照图10（a）至图10（c），透明罩50形成外部主体而发挥密封其内部的作用，以阻止因暴露于潮湿或灰尘多的室外环境而导致的装置的误操作。透明罩50能够以在导电层20上部覆盖LED封装件10的方式设置。透明罩50能够形成LED封装件容纳部51a、53a。在LED封装件容纳部51a、53a能够容纳LED封装件10。
根据一个实施例，图10（a）和图10（b）的透明罩50能够包括第一罩51和第二罩52。根据另一实施例，图10（c）的透明罩50能够包括第三罩53。
第一罩51可以具有与LED封装件10的高度对应的厚度以容纳LED封装件10。第一罩51发挥具有一定厚度的间隔件（spacer）的作用，以防LED封装件10触及将在下面叙述的第二罩52。第一罩51能够将LED封装件容纳部51a彼此划分而设置以能够单独地容纳LED封装件10。第一罩51可以是聚乙烯醇缩丁醛（poly vinyl butyral）材质的膜。第一罩51能够在两个面上形成粘合剂（未图示）。
LED封装件容纳部51a能够容纳LED封装件10。LED封装件容纳部51a可以具有与LED封装件10相应的形状。另外，LED封装件容纳部51a可以具有与LED封装件10对应的高度和宽度。
第二罩52发挥将LED封装件10和导电层20等与外部隔离而保护的作用。第二罩52能够以面接触的方式附着于第一罩51的一个面。第二罩52能够密封LED封装件容纳部51a以在竖直方向上隔离外部与LED封装件10。第二罩52能够由钢化玻璃制成。如图10（b）所示，第二罩52能够进一步包括在与LED封装件容纳部51a对应的每个面上形成的散射层52a。
散射层（scattering layer）52a能够形成于与LED封装件容纳部51a对应的区域的下表面。散射层52a发挥散射（scattering）红色、绿色以及蓝色的光的作用。散射层52a具有如三角形锯齿那样的突起形状，但并不限定于此。散射层52a通过砂纸打磨（sanding）或蚀刻（etching）工艺而能够形成。
第三罩53在与LED封装件10对应的每个位置可以具有圆顶（dome）形状。第三罩53能够将LED封装件容纳部53a彼此划分而设置以能够单独地容纳LED封装件10。第三罩53能够由轻质柔性膜原材料制成。其中，第三罩53可以是聚对苯二甲酸乙二醇酯（polyethylene terephtalate，PET）材质的膜。第三罩53通过热压接（thermal compress）或在反射层34的上表面和第三罩53底表面涂覆粘附性透明树脂（transparent resin）而能够在基板上接合。
图11是概略地示出了根据本发明的另一实施例的LED面板1的主视图，图12是概略地示出了根据本发明的另一实施例的LED面板1的主视图。
以下，对于根据本发明的另一实施例的LED面板1进行说明。仅限于与上述根据一个实施例的LED面板1不同的部分进行说明，对于相同的部分将标注相同的符号并省略对其的说明。
根据另一实施例的LED面板1能够包括LED封装件10和导电层20。进而，能够进一步包括基板41、透明电极层42、钎焊电极层43、反射层44、散热片45以及透明罩50。
基板41能够由铝PCB、铜PCB、钢化玻璃或聚对苯二甲酸乙二醇酯（poly ethyleneterephtalate，PET）材质的膜制成。基板41能够由多个LED部位和包围LED部位的周边部构成。
透明电极层42是用于提高粘合性并防止软钎焊的扩散的层。透明电极层42能够在基板41的一个面设置于周边部。透明电极层42发挥既是用于传递外部电源或信号的电气线路又是随器件的工作而向外部排出热的导电性散热支撑部的作用。透明电极层42能够形成电路图案。透明电极层42能够由合金等透明的导电性物质制成，其中，所述合金由氧化铟锡（Indium Tin Oxide，ITO）或铬（Cr）、镍（Ni）、银（Ag）制成。透明电极层42通过涂覆或沉积（evaporation）方式而能够在基板41的一个面上形成。透明电极层42可以是薄膜形态。
按单位像素能够设置多个导电层20。导电层20能够在基板41的一个面设置于与透明电极层42相邻的LED部位。导电层20能够设置成与LED封装件10对应的大小和形状。
钎焊电极层43能够形成于透明电极层42的一个面。钎焊电极层43能够由钛（Ti）、铂（Pt）、金（Au）、铬（Cr）、镍（Ni）、银（Ag）中至少一种或两种以上的合金制成。
根据一个实施例，钎焊电极层43能够由铬（Cr）、镍（Ni）以及金（Au）制成。根据另一实施例，钎焊电极层43能够由钛（Ti）、铂（Pt）以及金（Au）制成。根据又一实施例，钎焊电极层43能够由镍（Ni）和银（Ag）制成。根据又一实施例，钎焊电极层43能够由镍（Ni）和铜（Cu）制成。
钎焊电极层43通过真空沉积（vacuum evaporation）、电镀（electric plating）或无电镀（electroless plating）而能够形成。
LED封装件10能够设置于钎焊电极层43的一个面上。LED封装件10通过软钎焊而能够安装。更具体地讲，LED封装件10使用由锡（Sn）、铋（Bi）以及银（Ag）制成的三元相图（ternary phase diagram）合金并通过200℃以下温度下的低温软钎焊而能够与钎焊电极层43接合。LED封装件10通过钎焊电极层43而能够与透明电极层42电连接。
图12的反射层（reflection layer）44发挥旨在使器件工作中途径LED封装件10或透镜581等而反射的反射光全部向由玻璃制成的基板41的上表面发射的作用。反射层44能够形成于由玻璃制成的基板41的一个面与透明电极层42之间。反射层44能够以薄膜形态涂覆（deposition）形成于由玻璃制成的基板41的一个面上。反射层44能够由在可见光的波长范围内具有90%以上的反射率的材质制成。其中，反射层44能够由硫酸钡（BaSO4）、氧化铝（Al2O3）或二氧化硅（SiO2）中的任何一种制成。
散热片45发挥将随LED面板1的工作而产生的热向外部排出的作用。散热片45能够设置于导电层20的一个面上。散热片45利用共晶合金的预成型、焊料或银焊膏而能够附着于LED封装件框架500。在散热片45上能够安装LED封装件10。散热片45能够由导热性优良的银（Ag）或铜（Cu）制成。
图13是概略地示出了根据本发明的一个实施例的形成LED封装件10的步骤的图。
根据一个实施例的具备安装有电容器400的驱动器IC100的LED封装件10的制造方法如下。
参照图13，LED封装件的制造方法能够包括电容器区域暴露步骤（S10）、电容器层形成步骤（S20）、电容器形成步骤（S30）以及铝电极形成步骤（S40）。
在电容器区域暴露步骤（S10）中，在嵌入有正端子140和负端子150的驱动器IC100上能够涂覆并固化光敏物质。其后，去除由正端子140、负端子150以及其间区域构成的电容器区域而能够形成电容器图案。
在电容器层形成步骤（S20）中，包括电容器区域在内在驱动器IC100上涂覆锆钛酸铅（PZT）、五氧化二钽（Ta2O5）或钛酸钡（BaTiO3）中的任何一种而能够沉积层叠电容器层。
在电容器形成步骤（S30）中，通过剥离工艺去除电容器区域以外的区域而能够形成电容器400。
在电极形成步骤（S40）中，在电容器400的一个剖面上的与正端子140和负端子150相对的位置能够层叠形成正电极410和负电极420。
以上虽然使用优选实施例对本发明进行了详细说明，但本发明的范围并不限定于特定实施例，应当基于所附的权利要求书解释本发明的范围。另外，本领域普通技术人员应当理解在不超出本发明的范围的情况下能够进行各种修改和变形。

Claims (17)

1.一种LED封装件，其特征在于，包括：
硅材质的驱动器IC；
形成于所述驱动器IC的正偏置、负偏置、正端子、负端子、信号输入端子以及信号输出端子；
由所述硅材质形成，且通过绝缘层而与所述驱动器IC隔开设置的齐纳二极管；以及
安装于所述齐纳二极管上，且与所述正偏置和所述负偏置电连接的LED芯片。
2.根据权利要求1所述的LED封装件，其特征在于，
所述齐纳二极管为p-n结结构，其进一步包括齐纳二极管p层和齐纳二极管n层以及有源层，
所述LED芯片为p-n结结构，其进一步包括与所述齐纳二极管n层和所述正偏置电连接的LED芯片p层以及与所述齐纳二极管p层和所述负偏置电连接的LED芯片n层。
3.根据权利要求1所述的LED封装件，其特征在于，
所述齐纳二极管独立于所述驱动器IC而分离设置。
4.一种LED封装件，其特征在于，包括：
由硅材质制成且形成有齐纳二极管的驱动器IC；
形成于所述驱动器IC的正偏置、负偏置、正端子以及负端子；
安装于所述齐纳二极管上，且与所述正偏置和所述负偏置电连接的LED芯片；
由铁电体制成，且层叠形成于所述正端子、所述负端子以及其间区域的电容器；以及
与所述正端子和所述负端子相对且层叠形成于所述电容器上的正电极和负电极。
5.根据权利要求4所述的LED封装件，其特征在于，
所述电容器由锆钛酸铅镧、锆钛酸铅、五氧化二钽或钛酸钡中的任何一种制成。
6.根据权利要求4所述的LED封装件，其特征在于，
所述电容器通过溅射或化学气相沉积而在所述驱动器IC上形成。
7.根据权利要求4所述的LED封装件，其特征在于，
所述正电极和所述负电极由铝、银或金制成。
8.一种LED面板，其特征在于，包括：
基板，其由铝PCB、铜PCB、钢化玻璃或聚对苯二甲酸乙二醇酯中的任何一种制成；
粘合性绝缘层，其设置于所述基板的一个面，且由氮化铝、氧化铍或氧化铝中的任何一种制成；
导电层，其设置于所述粘合性绝缘层的一个面，且在厚度为10至30㎛的铜层一个面层叠形成有具有厚度为10至20㎛的格子形状的碳石墨层；
钎焊电极层，其设置于所述导电层的一个面，且在厚度为0.5至3㎛的镍层表面层叠厚度为1至5㎛的银层而形成；
LED封装件，其设置于所述钎焊电极层上表面，且设置在形成于LED封装件框架的腔体的底表面；以及
反射层，其与所述LED封装件并排设置于所述钎焊电极层的一个面，且由硫酸钡或氧化铝制成。
9.根据权利要求8所述的LED面板，其特征在于，
进一步包括透明罩，所述透明罩设置于所述导电层上部，且形成有容纳所述LED封装件的LED封装件容纳部。
10.根据权利要求9所述的LED面板，其特征在于，
所述透明罩包括：
第一罩，其设置成将所述LED封装件容纳部彼此划分；以及
第二罩，其设置成与第一罩的一个面面接触。
11.根据权利要求10所述的LED面板，其特征在于，
所述第一罩由聚乙烯醇缩丁醛制成。
12.根据权利要求10所述的LED面板，其特征在于，
所述第二罩进一步包括形成于与所述LED封装件容纳部对应的面的散射层。
13.根据权利要求9所述的LED面板，其特征在于，
所述透明罩由聚对苯二甲酸乙二醇酯制成，且通过热压接或涂覆粘附性透明树脂而接合。
14.一种LED面板，其特征在于，包括：
基板，其由铝PCB、铜PCB、钢化玻璃或聚对苯二甲酸乙二醇酯中的任何一种制成，且具有多个LED部位和包围LED部位的周边部；
透明电极层，其设置于所述基板的一个面上的所述周边部，且形成电路图案；
导电层，其设置于所述基板的一个面上的所述LED部位，且在厚度为10至30㎛的铜层一个面层叠形成有具有厚度为10至20㎛的格子形状的碳石墨层；以及
LED封装件，其设置于所述导电层上表面，且设置在形成于LED封装件框架的腔体的底表面，
所述LED封装件通过软钎焊而与设置于所述导电层上表面的钎焊电极层接合。
15.根据权利要求14所述的LED面板，其特征在于，
所述钎焊电极层由钛、铂、金、铬、镍、银中至少一种或两种以上的合金制成。
16.一种LED封装件的制造方法，其特征在于，包括：
在嵌入有正端子和负端子的驱动器IC上涂覆并固化光敏物质之后，去除由所述正端子、所述负端子以及其间区域构成的电容器区域而形成电容器图案的步骤；
在所述驱动器IC上沉积层叠包括所述电容器区域在内的电容器层的步骤；
通过剥离工艺而去除电容器图案区域的步骤；以及，
在所述电容器上的与所述正端子和所述负端子相对的位置层叠形成正电极和负电极的步骤。
17.根据权利要求16所述的LED封装件的制造方法，其特征在于，
在将所述电容器层沉积而层叠的步骤中，
沉积物质由锆钛酸铅镧、锆钛酸铅、五氧化二钽或钛酸钡中的任何一种制成。
CN201910113049.0A 2019-02-13 2019-02-13 Led封装件及其制造方法以及具有其的led面板 Pending CN111564546A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201910113049.0A CN111564546A (zh) 2019-02-13 2019-02-13 Led封装件及其制造方法以及具有其的led面板

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201910113049.0A CN111564546A (zh) 2019-02-13 2019-02-13 Led封装件及其制造方法以及具有其的led面板

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN111564546A true CN111564546A (zh) 2020-08-21

Family

ID=72069524

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201910113049.0A Pending CN111564546A (zh) 2019-02-13 2019-02-13 Led封装件及其制造方法以及具有其的led面板

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN111564546A (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2024065381A1 (en) * 2022-09-29 2024-04-04 Jade Bird Display (shanghai) Limited Microthree-dimensional printing device

Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5005103A (en) * 1990-06-05 1991-04-02 Samsung Electronics Co., Ltd. Method of manufacturing folded capacitors in semiconductor and folded capacitors fabricated thereby
CN1202735A (zh) * 1997-06-18 1998-12-23 三菱电机株式会社 电力半导体开关装置
US20100201280A1 (en) * 2007-09-12 2010-08-12 Photonstar Led Limited Electrically isolated vertical light emitting diode structure
CN101814489A (zh) * 2010-03-02 2010-08-25 晶科电子（广州）有限公司 带有功能芯片的发光二极管封装结构及其封装方法
CN202587471U (zh) * 2012-02-22 2012-12-05 安徽科发信息科技有限公司 一种led防静电保护电路
CN103222075A (zh) * 2010-09-24 2013-07-24 首尔Opto仪器股份有限公司 发光二极管封装件及其制造方法
CN203243561U (zh) * 2013-04-25 2013-10-16 优亮科技股份有限公司 具驱动芯片的发光二极管组件封装改良结构
CN104025716A (zh) * 2011-11-22 2014-09-03 克里公司 用于具有高压led组件的固态照明装置的驱动电路以及相关方法
CN104465956A (zh) * 2014-12-31 2015-03-25 深圳市晶台股份有限公司 一种一体化led的封装结构
US20160119987A1 (en) * 2014-10-24 2016-04-28 Koninklijke Philips N.V. Driver with open output protection

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5005103A (en) * 1990-06-05 1991-04-02 Samsung Electronics Co., Ltd. Method of manufacturing folded capacitors in semiconductor and folded capacitors fabricated thereby
CN1202735A (zh) * 1997-06-18 1998-12-23 三菱电机株式会社 电力半导体开关装置
US20100201280A1 (en) * 2007-09-12 2010-08-12 Photonstar Led Limited Electrically isolated vertical light emitting diode structure
CN101814489A (zh) * 2010-03-02 2010-08-25 晶科电子（广州）有限公司 带有功能芯片的发光二极管封装结构及其封装方法
CN103222075A (zh) * 2010-09-24 2013-07-24 首尔Opto仪器股份有限公司 发光二极管封装件及其制造方法
CN104025716A (zh) * 2011-11-22 2014-09-03 克里公司 用于具有高压led组件的固态照明装置的驱动电路以及相关方法
CN202587471U (zh) * 2012-02-22 2012-12-05 安徽科发信息科技有限公司 一种led防静电保护电路
CN203243561U (zh) * 2013-04-25 2013-10-16 优亮科技股份有限公司 具驱动芯片的发光二极管组件封装改良结构
US20160119987A1 (en) * 2014-10-24 2016-04-28 Koninklijke Philips N.V. Driver with open output protection
CN104465956A (zh) * 2014-12-31 2015-03-25 深圳市晶台股份有限公司 一种一体化led的封装结构

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2024065381A1 (en) * 2022-09-29 2024-04-04 Jade Bird Display (shanghai) Limited Microthree-dimensional printing device

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN107316930B (zh) 半导体发光器件
US11515296B2 (en) Light-emitting device, integrated light-emitting device, and light-emitting module
KR102632427B1 (ko) 발광 디바이스, 통합 발광 디바이스 및 발광 모듈
US8445928B2 (en) Light-emitting diode light source module
US9245873B2 (en) Light emitting device
KR101593740B1 (ko) 발광 장치 및 발광 장치의 제조 방법
EP1594171A2 (en) Semiconductor light emitting device with flexible substrate
JP6964345B2 (ja) 発光素子パッケージ及び光源装置
US20210265317A1 (en) Optoelectronic semiconductor device and method for manufacturing optoelectronic semiconductor devices
KR20190082567A (ko) 반도체 발광 소자를 이용한 차량용 램프
KR20190025333A (ko) 발광소자 패키지
JP2020533778A (ja) 発光素子パッケージ
CN212011026U (zh) 具有悬臂电极的发光元件、具有其的显示面板及显示装置
KR101852436B1 (ko) 반도체 발광 소자를 이용한 차량용 램프
CN111564546A (zh) Led封装件及其制造方法以及具有其的led面板
JP6476857B2 (ja) 発光装置
JP2023010799A (ja) 発光モジュール及び発光モジュールの製造方法
KR101789126B1 (ko) 대면적 디스플레이용 ｌｅｄ 패키지와 ｌｅｄ 전광 판넬의 구조 및 그 제조 방법
JP7185157B2 (ja) 発光モジュール及び発光モジュールの製造方法
CN113659061B (zh) 倒装发光二极管及发光装置
CN111463332B (zh) 具有发光二极管封装体的电子装置
KR20190053523A (ko) 발광소자 패키지, 광원장치 및 발광소자 패키지 제조방법
US20220209088A1 (en) Light emitting device package
KR20180125684A (ko) 반도체 소자 및 반도체 소자 패키지
KR101079280B1 (ko) 반도체 패키지 서브마운트, 반도체 패키지 및 반도체 패키지 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

Application publication date: 20200821

WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication